專利名稱：：圖像顯示系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示技術(shù)。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)有的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示器技術(shù)中，雖然透明電極完全地被反射電極所覆蓋，但是在后續(xù)工藝中附著力反而可能會變差。關(guān)于這個問題，圖1A為繪示一比較例的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板1的部分俯視圖；圖1B為繪示沿著圖1A所示半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板1的A-A’線的剖面圖。如圖1A與1B所示，提供彩色濾光片基板150、上方形成有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)102的已處理薄膜晶體管陣列基板100、以及置于上述彩色濾光片基板150與上述已處理薄膜晶體管陣列基板100之間的液晶層140。上述已處理薄膜晶體管陣列基板100的任一的次像素皆包括反射區(qū)R與透射區(qū)T。平坦層104覆蓋于上述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)102上。透明電極120順應(yīng)性地形成在平坦層104與上述已處理薄膜晶體管陣列基板100上。反射電極130順應(yīng)性地形成在上述反射區(qū)R內(nèi)的上述透明電極120上，其中反射區(qū)R接觸上述透射區(qū)T的邊界。在上述反射電極130與上述透明電極120的重疊部分會發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)。值得注意的是，在上述反射電極130與上述透明電極120之間存在著大面積的重疊部分極有可能會引起剝落。結(jié)果，可能會發(fā)生反射電極剝落等問題，而嚴(yán)重影響成品率。因此，如何改善反射電極剝落等問題，是業(yè)界亟需努力的方向。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種圖像顯示系統(tǒng)及其制造方法。在這一點上，一個上述系統(tǒng)的實施例包括具有多個次像素的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板。此面板包括上方形成有透明電極的第一基板、置于該透明電極上的反射電極、相對于該第一基板的第二基板、以及置于該第一基板與該第二基板之間的液晶層。在此實施例中，該反射電極與該透明電極之間具有重疊部分，且該重疊部分大體介于100與1000平方微米之間；和/或該重疊部分的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.05與0.12之間；和/或該透明電極的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.5與0.6之間。另一實施例的圖像顯示系統(tǒng)包括具有多個次像素的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板。該面板包括上方形成有透明電極的第一基板、置于該透明電極上的反射電極、相對于該第一基板的第二基板、以及置于該第一基板與該第二基板之間的液晶層。其中，該反射電極與該透明電極之間具有重疊部分，且該重疊部分大體介于100與1000平方微米之間；和/或該重疊部分的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.05與0.12之間；和/或該透明電極的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.5與0.6之間。另一實施例提供具有多個次像素的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板的制造方法，包括提供第一基板；在該第一基板上方形成透明電極；在該透明電極上形成反射電極；提供相對于該第一基板的第二基板；并且在該第一基板與該第二基板之間形成液晶層。其中，該透明電極的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.5與0.6之間。另一實施例提供具有多個次像素的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板的制造方法，包括提供第一基板；在該第一基板上方形成透明電極；在該透明電極上形成反射電極；提供相對于該第一基板的第二基板；并且在該第一基板與該第二基板之間形成液晶層。其中，該反射電極與該透明電極之間具有重疊部分，且該重疊部分大體介于100與1000平方微米之間；和/或該重疊部分的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.05與0.12之間；和/或該透明電極的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.5與0.6之間。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實施例，以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。圖1A為繪示一比較例的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板1的部分俯視圖。圖1B為繪示沿著圖1A所示半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板的A-A’線的剖面圖。圖2A為繪示本發(fā)明的優(yōu)選實施例的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板的俯視圖。圖2B為繪示沿著圖2A所示半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板的B-B’線的剖面圖。圖3為繪示本發(fā)明的優(yōu)選實施例的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示器的示意圖。圖4為繪示本發(fā)明的優(yōu)選實施例中與圖3所示半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示器耦接的電子裝置的示意圖。簡單符號說明A-A’～剖面線；B-B’～剖面線；T～透射區(qū)；R～反射區(qū)；1～半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板；2～薄膜晶體管液晶顯示面板；3～控制器；4～半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示器；5～輸入裝置；6～電子裝置；100～已處理薄膜晶體管陣列基板；102～薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；104～平坦層；120～透明電極；130～反射電極；140～液晶層；150～彩色濾光片基板；200～薄膜晶體管陣列基板；202～頂柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；204～平坦層；220～透明電極；225～重疊部分；230～反射電極；240～液晶層；250～彩色濾光片基板；260～介層窗。具體實施例方式以下提供多個實施例，說明本發(fā)明的圖像顯示系統(tǒng)及其制造方法。關(guān)于這一點，圖2A與2B為繪示此系統(tǒng)的優(yōu)選實施例。尤其是，此系統(tǒng)耦接薄膜晶體管液晶顯示面板2，且此薄膜晶體管液晶顯示面板2包括第一基板、第二基板以及置于第一基板與第二基板之間的液晶層240。其中，上述第一基板例如是彩色濾光片基板250；上述第二基板例如是上方形成有頂柵極型(top-gatetype)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)202的薄膜晶體管陣列基板200。上述薄膜晶體管陣列基板200的任一的次像素包括反射區(qū)R與透射區(qū)T。上述頂柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)202被平坦層204所覆蓋。介層窗260透射上述平坦層204與部分上述頂柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)202，以露出上述頂柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)202的源/漏極。在形成上述頂柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)202與上述平坦層204之后，在上述薄膜晶體管陣列基板200上形成透明電極220，其中此透明電極220例如是由銦錫氧化物所組成。反射電極230順應(yīng)性地形成在上述平坦層204上，并內(nèi)襯于上述介層窗260，因而與上述頂柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)202的源/漏極形成電性接觸。因此，上述透明電極220通過上述反射電極230而與上述頂柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)202形成電性接觸。上述反射電極230包括鋁和/或鋁合金。在此實施例中，上述反射電極230可以在上述透明電極220之前形成。特別的是在此實施例中，上述反射電極230與上述透明電極220之間的重疊部分225大幅減少。結(jié)果在后續(xù)的工藝中，可以大大降低因為上述反射電極230與上述透明電極220之間的電化學(xué)反應(yīng)而引起的剝落問題。重疊部分225的面積(或重疊面積)依不同產(chǎn)品而定。例如，重疊面積可以介于100與1000平方微米之間、或100與800平方微米之間，優(yōu)選者是介于150與500平方微米之間。而且，重疊部分的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.05與0.12之間，優(yōu)選者是介于0.05與0.08之間。而且，上述透明電極的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.5與0.6之間。上述透明電極220包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。上述其余各層或元件的材料屬現(xiàn)有技術(shù)。圖3為繪示本發(fā)明的優(yōu)選實施例的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示器的示意圖，其中此液晶顯示器包含圖2B所示的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板2。圖2B所示的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板2耦接于控制器3，以形成半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示器4。上述控制器3包括源極與柵極驅(qū)動電路(圖未顯示)，其中柵極驅(qū)動電路用于根據(jù)輸入而控制液晶顯示面板2。圖4為繪示本發(fā)明的優(yōu)選實施例中與圖3所示半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示器4耦接的電子裝置的示意圖。輸入裝置5耦接于圖3所示的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示器4，以形成電子裝置6。上述輸入裝置5包括處理器或其它可將數(shù)據(jù)輸入控制器3而維持圖像的裝置。上述電子裝置6可以是可攜式裝置，例如是PDA、筆記型計算機(notebookcomputer)、平板計算機(tabletcomputer)、可攜式計算機(laptopcomputer)、移動電話、顯示屏幕裝置、液晶顯示器、或非可攜式的桌上型計算機。雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種圖像顯示系統(tǒng)，包括半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板，包括第一基板，所述第一基板上形成有透明電極；反射電極，置于所述透明電極上；第二基板，相對于所述第一基板；以及液晶層，置于所述第一基板與所述第二基板之間；其中，所述反射電極與所述透明電極之間具有重疊部分所述重疊部分大體介于100與1000平方微米之間；或所述重疊部分的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.05與0.12之間。2.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中所述透明電極包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。3.如權(quán)利要求2所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中所述重疊部分大體介于100與800平方微米之間。4.如權(quán)利要求3所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中所述重疊部分大體介于150與500平方微米之間。5.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中所述重疊部分的面積與相對應(yīng)次像素的面積的比值大體介于0.05與0.08之間。6.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)包括液晶顯示器，且所述液晶顯示器包括所述半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板；其中所述系統(tǒng)還包括耦接于所述半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板的控制器，且所述控制器根據(jù)輸入而控制所述面板以維持圖像。7.如權(quán)利要求6所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)包括電子裝置，且所述電子裝置包括所述液晶顯示器。8.一種圖像顯示系統(tǒng)，包括半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板，包括多個次像素，且所述面板包括第一基板，所述第一基板上形成有透明電極；反射電極，置于所述透明電極上；第二基板，相對于所述第一基板；以及液晶層，置于所述第一基板與所述第二基板之間；其中，所述透明電極的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.5與0.6之間。9.如權(quán)利要求8所述的圖像顯示系統(tǒng)，其中所述透明電極包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。10.一種圖像顯示系統(tǒng)，包括半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板，包括多個次像素，且所述面板包括第一基板，所述第一基板上形成有透明電極；反射電極置于所述透明電極上；第二基板，相對于所述第一基板；以及液晶層，置于所述第一基板與所述第二基板之間；其中，所述反射電極與所述透明電極之間具有重疊部分，且所述重疊部分大體介于100與1000平方微米之間；和/或所述重疊部分的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.05與0.12之間；和/或所述透明電極的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.5與0.6之間。全文摘要本發(fā)明提供一種圖像顯示系統(tǒng)及其制造方法。一個典型的系統(tǒng)包括具有多個次像素的半透射半反射式薄膜晶體管液晶顯示面板。此面板包括上方形成有透明電極的第一基板、置于該透明電極上的反射電極、相對于該第一基板的第二基板、以及置于該第一基板與該第二基板之間的液晶層。其中，該反射電極與該透明電極之間具有重疊部分，且該重疊部分大體介于100與1000平方微米之間；和/或該重疊部分的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.05與0.12之間；和/或該透明電極的面積與相對應(yīng)的次像素的面積的比值大體介于0.5與0.6之間。文檔編號G02F1/133GK1979315SQ20061007624公開日2007年6月13日申請日期2006年4月21日優(yōu)先權(quán)日2005年12月9日發(fā)明者陳志宏,駱鴻毅,陳政欣,李俊誼,陳威宏申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司