專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)，更具體地，涉及一種具有一對(duì)面板和用于保持面板之間相同間距的隔離件的LCD。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是應(yīng)用最為廣泛的平板顯示裝置之一。例如，由于LCD相對(duì)容易制造并且消耗少量的電力，所以其主要應(yīng)用于電池供電的平板顯示裝置中。
通常，LCD包括一對(duì)面板，其內(nèi)表面上具有場(chǎng)致電極。面板通常被隔離件彼此分開。面板之間的空間(例如，盒間隙)被填充有LC分子。在LCD中，場(chǎng)致電極之間電壓差的變化(例如，電極所產(chǎn)生的電場(chǎng)的強(qiáng)度變化)可改變穿過LCD的光的透射率，因此通過控制電極之間的電壓差來獲得預(yù)想的圖像。
通常地，場(chǎng)致電極單獨(dú)地形成在面板上。面板之一(例如薄膜晶體管陣列面板)包括諸如柵極線和數(shù)據(jù)線等的互連布線和TFT。每個(gè)TFT均作為像素的開關(guān)。換句話說，TFT控制傳輸至像素的像素電極的數(shù)據(jù)信號(hào)，該像素由柵極線和數(shù)據(jù)線交叉來限定。另一面板(例如，共電極面板)包括在面對(duì)TFT陣列面板的像素電極的一個(gè)表面整個(gè)區(qū)域上的共電極和具有面對(duì)TFT陣列面板的像素的開口區(qū)域的黑色矩陣。
在LCD中，隔離件確保在整個(gè)顯示區(qū)域上方的面板保持一定的間距。存在三種類型的隔離件，它們是珠狀隔離件(bead spacer)、柱狀隔離件(column spacer)和剛性隔離件(rigid spacer)。其中，柱狀隔離件以固定的圖案形成。為了制造柱狀隔離件，首先要在共電極面板上形成光刻膠層。然后，接連進(jìn)行曝光和顯影工藝，從而形成柱狀隔離件。接下來，在像素的遮光部分(例如，對(duì)應(yīng)于TFT、柵極線、和存儲(chǔ)電極線等的部分)中形成預(yù)想圖案的柱狀隔離件。
根據(jù)LCD的驅(qū)動(dòng)方法，柱狀隔離件可導(dǎo)致在LCD顯示中不想得到的條紋，從而降低顯示質(zhì)量。因此，需要一種在LCD中形成柱狀隔離件的技術(shù)，以提高顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種LCD，其包括第一絕緣基板；第二絕緣基板，與第一絕緣基板相對(duì)；第一場(chǎng)致電極，形成在第一基板上；第二場(chǎng)致電極，形成在第二基板上，并限定多個(gè)基本上呈矩陣排列的像素；液晶層，介于第一基板與第二基板之間；以及多個(gè)隔離件，形成在第一與第二基板之一上，以保持第一基板與第二基板之間的間距，其中，隔離件交替地以第一間隔和第二間隔設(shè)置在矩陣的每行中。
隔離件可僅設(shè)置與從三的倍數(shù)中選取的兩個(gè)不同數(shù)字的倍數(shù)對(duì)應(yīng)的像素上。這里，第一間隔可以是六個(gè)像素的間隔，而第二間隔可以是九個(gè)像素的間隔。同樣，相鄰行的隔離件可設(shè)置在矩陣的不同列中。
LCD可進(jìn)一步包括多個(gè)紅、綠、和藍(lán)濾色器，其形成在第一和第二基板之一上。在這種情況下，可在對(duì)應(yīng)于藍(lán)濾色器的區(qū)域中形成隔離件，并且LCD可通過1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)運(yùn)行。
LCD可進(jìn)一步地包括形成在第一基板上的柵極線；形成在第一基板上的數(shù)據(jù)線；TFT，連接至柵極線、數(shù)據(jù)線和第一場(chǎng)致電極；形成在第一基板上的第一區(qū)域分隔件(domain-partitioningmember)；以及形成在第二基板上的第二區(qū)域分隔件。
在這種情況下，第一區(qū)域分隔件可以是形成在第一場(chǎng)致電極中的切割部，并且第二區(qū)域分隔件可以為形成在第二場(chǎng)致電極中的切割部，并且它們與柵極線可形成約±45度角。
另外，第一區(qū)域分隔件可以是形成在第一場(chǎng)致電極中的突起，而第二區(qū)域分隔件可以為形成在第二場(chǎng)致電極中的突起。
隔離件可以為柱狀隔離件。隔離件可以形成在對(duì)應(yīng)于柵極線和數(shù)據(jù)線之一的區(qū)域中，或者形成在對(duì)應(yīng)于柵極線和數(shù)據(jù)線所包圍的像素部分的區(qū)域中。
第一場(chǎng)致電極可為像素電極，并且第二場(chǎng)致電極可為共電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種LCD，其包括第一絕緣基板；多條柵極線，形成在第一絕緣基板上；多條數(shù)據(jù)線，形成在第一基板上并與柵極線交叉，從而限定呈矩陣排列的像素；多個(gè)TFT，每個(gè)TFT均連接至一條柵極線和一條數(shù)據(jù)線；以及多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極均連接至一個(gè)TFT。LCD可進(jìn)一步包括第二絕緣基板；遮光件，形成在第二基板上；多個(gè)濾色器，形成在遮光件上；共電極，形成在濾色器上；以及多個(gè)隔離件，形成在第一基板和第二基板之一上，以保持第一基板與第二基板之間的相同間距。該隔離件以第一間隔和第二間隔交替地設(shè)置在矩陣的每行中。
隔離件僅可以設(shè)置在與從三的倍數(shù)中選取的兩個(gè)不同數(shù)字的倍數(shù)對(duì)應(yīng)的像素上，并且第一間隔可以是六個(gè)像素的間隔，而第二間隔可以是九個(gè)像素的間隔。相鄰行的隔離件可設(shè)置在矩陣的不同列中。
隔離件可形成在與柵極線或數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，或者形成在柵極線和數(shù)據(jù)線所包圍的像素部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。


通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性的實(shí)施例，本發(fā)明的上述特征以及其他特征將更加顯而易見。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的LCD所采用的TFT陣列面板的布局圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的LCD所采用的共電極面板的布局圖；圖3是集成有圖1的TFT陣列面板和圖2的共電極面板的LCD的布局圖；圖4是沿圖3的IV-IV′線截取的橫截面圖；圖5示出了在根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的柱狀隔離件附近產(chǎn)生的紋理；圖6A示出了當(dāng)LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)運(yùn)行時(shí)，沿行方向以六個(gè)像素間隔排列的柱狀隔離件的極性以及像素的極性；圖6B示出了圖6A的排列所產(chǎn)生的條紋；
圖7A示出了當(dāng)LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)運(yùn)行時(shí)，沿行方向以九個(gè)像素間隔排列的柱狀隔離件的極性以及像素的極性；圖7B示出了圖7A的排列所產(chǎn)生的條紋；圖8示出了當(dāng)LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)運(yùn)行時(shí)，沿行方向交替地以六個(gè)像素間隔和九個(gè)像素間隔排列的柱狀隔離件的極性以及像素的極性；圖9是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的LCD的布局圖；圖10是沿圖9的X-X′線截取的橫截面圖；以及圖11是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的LCD的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖更加完全地說明本發(fā)明，其中，示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可包括在不同形式中并且不應(yīng)該將本發(fā)明限制在所述實(shí)施例內(nèi)。相反地，所提供的這些實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，使得本發(fā)明充分公開并且完全覆蓋本發(fā)明的范圍。
附圖中，為清楚起見，擴(kuò)大了層、膜以及區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。應(yīng)該可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域、以及基板等元件“位于”另一個(gè)元件上時(shí)，是指其直接位于另一個(gè)元件上，或者也可能存在位于其間的元件。
下面，將參照?qǐng)D1至圖4對(duì)根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的多區(qū)域LCD進(jìn)行說明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD所采用的TFT陣列面板的布局圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD所采用的共電極面板的布局圖，圖3是集成有圖1的TFT陣列面板和圖2的共電極面板的LCD的布局圖，圖4是沿圖3的IV-IV′線截取的橫截面圖。
參照?qǐng)D1至圖4，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD包括彼此相對(duì)的TFT陣列面板100、共電極面板200、以及夾置在它們之間的LC層3。
首先，參照?qǐng)D1、圖3和圖4描述TFT陣列面板100。
在由透明玻璃或塑料制成的絕緣基板110上形成多條柵極線(選通線，gate line)121和多條存儲(chǔ)電極線131。
用于傳輸選通信號(hào)(柵極信號(hào)，gate signal)的柵極線121基本上沿水平方向延伸。每條柵極線121均包括多個(gè)向上突起的柵電極124、以及端部129，該端部具有相對(duì)大的尺寸以連接到不同層或外部裝置。用于產(chǎn)生選通信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器(未示出)可安裝在附著到基板110的柔性印刷電路膜(未示出)上，或者直接安裝在基板110上。另外，柵極驅(qū)動(dòng)器可集成在基板110中。在這種情況下，柵極線121直接與柵極驅(qū)動(dòng)器連接。
存儲(chǔ)電極線131接收預(yù)設(shè)電壓。每條存儲(chǔ)電極線131均包括基本上平行于柵極線121的干線(stem line)；多組存儲(chǔ)電極133a、133b、133c和133d；以及多個(gè)連接部133e。每條存儲(chǔ)電極線131均設(shè)置在相鄰兩條柵極線121之間，并且存儲(chǔ)電極線131的干線更靠近兩條柵極線中的上部柵極線。第一存儲(chǔ)電極133a和第二存儲(chǔ)電極133b沿垂直方向延伸并彼此平行。每個(gè)第一存儲(chǔ)電極133a具有連接至一條干線的固定端和突起的自由端。每個(gè)第三存儲(chǔ)電極133c從靠近第一存儲(chǔ)電極133a中間的點(diǎn)開始以斜線的形式延伸，并與第二存儲(chǔ)電極線133b的上部端部接觸，而每個(gè)第四存儲(chǔ)電極133d從靠近第一存儲(chǔ)電極133a中間的另一點(diǎn)開始以斜線的形式延伸，并與第二存儲(chǔ)電極線133b的下部端部接觸。然而，應(yīng)該了解，可以改變存儲(chǔ)電極線131的排列方式。
柵極線121和存儲(chǔ)電極線131由諸如Al和Al合金的含鋁(Al)金屬、諸如Ag和Ag合金的含銀(Ag)金屬、諸如Cu和Cu合金的含銅(Cu)金屬、諸如Mo和Mo合金的含鉬(Mo)金屬以及鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)制成。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)，其中包括至少兩層不同物理特性的導(dǎo)電層(未示出)。在這種結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)導(dǎo)電層之一可由低電阻金屬(例如含Al金屬、含Ag金屬、含Cu金屬等)制成，以降低柵極線121與存儲(chǔ)電極線131中的信號(hào)延遲或電壓降。另一層可由具有與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其它材料一致的良好物理、化學(xué)以及電接觸特性的材料制成。例如，含Mo金屬、Cr、Ta、Ti等可用于形成該層。這兩層的其他組合實(shí)例包括下部Cr層和上部Al(或Al合金)層、以及下部Al(或Al合金)層和上部Mo(或Mo合金)層。除了上面所列舉的材料，各種金屬和導(dǎo)體可用于形成柵極線121和存儲(chǔ)電極線131。
柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的所有側(cè)面均在約30°至80°的角度范圍內(nèi)相對(duì)于基板110的表面傾斜。
由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成的柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131上。
由氫化非晶硅(縮寫為“a-Si”)或多晶硅制成的多個(gè)線形半導(dǎo)體151形成在柵極絕緣層140上。每個(gè)線形半導(dǎo)體151基本上沿垂直方向延伸，并包括多個(gè)沿各自柵電極124延伸的突起154。線形半導(dǎo)體151靠近柵極線121和存儲(chǔ)電極線131由突起154擴(kuò)大，以將它們覆蓋。
多個(gè)線形歐姆接觸部161和島狀歐姆接觸部165形成在線形半導(dǎo)體151上。歐姆接觸部161和165可由重?fù)诫s有N型雜質(zhì)(諸如磷)的N+氫化非晶硅或硅化物制成。線形歐姆接觸部161包括多個(gè)突起163。一組突起163和島狀歐姆接觸部165設(shè)置在半導(dǎo)體151的突起154上。
線形半導(dǎo)體151以及歐姆接觸部161和165的所有側(cè)面在約30°至80°的角度范圍內(nèi)相對(duì)于基板110的表面傾斜。
多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏電極175以及多個(gè)金屬片172形成在歐姆接觸部161、165以及柵極絕緣層140上。
用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線171基本上沿垂直方向延伸，并與柵極線121、存儲(chǔ)電極線131和連接部133e交叉。每條數(shù)據(jù)線171均包括多個(gè)向各自柵電極124延伸的源電極173、以及端部179，該端部具有相對(duì)大的尺寸，以連接不同層或外部裝置。用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)可安裝在附著到基板110的柔性印刷電路膜(未示出)上，或者直接安裝在基板110上。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可集成到基板110中。在這種情況下，數(shù)據(jù)線171直接連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
漏電極175與數(shù)據(jù)線171分離并與置于柵電極124中心的源電極173相對(duì)。每個(gè)漏電極175均包括具有相對(duì)大尺寸的擴(kuò)張部(expansion)和輕微彎曲的棒狀端部，該端部部分地包圍形狀為逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°的“U”形的源電極173。
柵電極124、源電極173、漏電極175、和半導(dǎo)體151的突起154形成薄膜晶體管(TFT)。TFT溝道(未示出)形成在源電極173和漏電極175之間的突起154中。
每個(gè)金屬片172設(shè)置在柵極線121的一部分上，其設(shè)置成更靠近第一存儲(chǔ)電極133a的自由端的突起。
數(shù)據(jù)線171和漏電極175由諸如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金的難熔金屬制成，并且可構(gòu)造成多層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括難熔金屬層(未示出)和低電阻導(dǎo)電層(未示出)。這種多層結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括由Cr、Mo、Mo合金中的一種制成的下部層和由Al或Al合金制成的上部層。另一個(gè)實(shí)例包括由Mo或Mo合金制成的下部層、由Al或Al合金制成的中間層、以及由Mo或Mo合金制成的上部層。除了上面所列舉的材料，各種金屬和導(dǎo)體也可用于形成數(shù)據(jù)線171和漏電極175。
數(shù)據(jù)線171和漏電極175的所有側(cè)面在約30°至80°的角度范圍內(nèi)相對(duì)于基板110的表面傾斜。
歐姆接觸部161和165僅存在于下層半導(dǎo)體151與上覆(overlying)數(shù)據(jù)線171之間以及下層半導(dǎo)體151與上覆漏電極175之間，用以減小其間的接觸電阻。線形半導(dǎo)體151的大部分都比數(shù)據(jù)線171窄，但是其一些部分的區(qū)域被擴(kuò)大，以與柵極線121或存儲(chǔ)電極線131交叉，從而防止數(shù)據(jù)線171斷開。線形半導(dǎo)體151部分地暴露在未被數(shù)據(jù)線171和漏電極175覆蓋的區(qū)域中，并且部分地暴露在源電極173與漏電極175之間。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏電極175、半導(dǎo)體151的露出部分上。鈍化層180的頂面可為平坦的。鈍化層180可以構(gòu)造成單層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由諸如SiNx或SiO2的無機(jī)絕緣體或有機(jī)絕緣體制成。在這種情況下，鈍化層180的有機(jī)絕緣體具有低于4.0的介電常數(shù)和/或感光度。鈍化層180也可構(gòu)造成包括下部無機(jī)絕緣體層和上部有機(jī)絕緣體層的雙層結(jié)構(gòu)。雙層結(jié)構(gòu)具有良好的絕緣特性，并且可保護(hù)半導(dǎo)體151的外露部分不被破壞。
鈍化層180設(shè)置有多個(gè)接觸孔182和185，數(shù)據(jù)線171的端部179和漏電極175的擴(kuò)張部分別通過接觸孔露出。多個(gè)接觸孔181形成在鈍化層180和柵極絕緣層140中，并且柵極線121的端部129通過接觸孔露出。多個(gè)接觸孔183a和183b也形成在鈍化層180和柵極絕緣層140中，以露出與第一存儲(chǔ)電極線133a的固定端相鄰的存儲(chǔ)電極線131的干線部分和通過接觸孔的第一存儲(chǔ)電極133a自由端的突起。
多個(gè)像素電極191、多個(gè)跨線橋(overpass)83、以及多個(gè)接觸輔助部(contact assistant)81和82形成在鈍化層180上。它們可以由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體或者諸如Al、Ag、Cr或其合金的反射金屬制成。
像素電極191通過接觸孔185物理并電連接至漏電極175，以接收來自漏電極175的數(shù)據(jù)電壓。被提供有數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與共電極面板200的共電極270一起產(chǎn)生電場(chǎng)，從而確定介于兩個(gè)電極191與270之間的LC層3中的LC分子31的定向。根據(jù)LC分子31的定向，改變穿過LC層3的光的偏振。每組像素電極191和共電極270形成LC電容器，其可以在TFT關(guān)閉后存儲(chǔ)所施加的電壓。
像素電極191與存儲(chǔ)電極133a、133b、133c、133d以及存儲(chǔ)電極線131的干線重疊。像素電極191的左右垂直側(cè)面比第一和第二存儲(chǔ)電極133a和133b更靠近數(shù)據(jù)線171形成。為了增強(qiáng)LC電容器的電壓存儲(chǔ)能力，設(shè)置了存儲(chǔ)電容器。存儲(chǔ)電容器通過將像素電極191和與其電連接的漏電極175與存儲(chǔ)電極線131重疊而實(shí)現(xiàn)。
每個(gè)像素電極191的形狀均為矩形，并且其四個(gè)角均被斜切。像素電極191的兩個(gè)垂直側(cè)面基本上平行于數(shù)據(jù)線171，并且其兩條水平線基本上平行于柵極線121。斜切的側(cè)面與柵極線121成約45°。
每個(gè)像素電極191設(shè)置有三個(gè)切割部。它們包括中心切割部91、下部切割部92a和上部切割部92b。三個(gè)切割部91、92a和92b將像素電極191分成多個(gè)子區(qū)域。相對(duì)于平分像素電極191的假設(shè)水平中心線，形成幾乎對(duì)稱的切割部91、92a和92b。
下部切割部92a從像素電極191右垂直側(cè)面的下部沿左上方向傾斜形成，而上部切割部92b從像素電極191的右垂直側(cè)面的上部沿左下方向傾斜形成。兩個(gè)切割部92a和92b相對(duì)于像素電極191假設(shè)的水平中心線對(duì)稱。下部切割部92a和上部切割部92b與相鄰的柵極線121成45°，并且它們彼此是垂直的。
中心切割部91沿像素電極191的水平中心線形成并包括漏斗形的開口和從開口延伸的水平部，該開口從像素電極191右垂直側(cè)面向內(nèi)形成。中心切割部91的開口具有一對(duì)傾斜的側(cè)面，側(cè)面基本上分別平行于下部切割部92a和上部切割部92b。這樣，位于假設(shè)的水平中心線下方的像素電極191的下部區(qū)域被下部切割部92a分成兩個(gè)子區(qū)域，而位于假設(shè)的水平中心線上方的像素電極191的上部區(qū)域被上部切割部92b分成兩個(gè)子區(qū)域。子區(qū)域的數(shù)量或切割部的數(shù)量可根據(jù)設(shè)計(jì)因素(例如，像素電極191的大小、像素電極191的水平側(cè)面與垂直側(cè)面的長(zhǎng)度比、LC層3中LC的類型等)而改變。
接觸輔助部81和82分別通過接觸孔181和182連接到柵極線121的端部129和數(shù)據(jù)線171的端部179。接觸輔助部81和82補(bǔ)充了露出端部129和179與外部裝置之間的粘附力，并保護(hù)它們。
每個(gè)跨線橋83橫跨柵極線121并通過接觸孔183a和183b分別連接至存儲(chǔ)電極線131露出的干線和第一存儲(chǔ)電極133a自由端露出的突起?？缇€橋83以及具有存儲(chǔ)電極133a和133b的存儲(chǔ)電極線131可用于修復(fù)柵極線121、數(shù)據(jù)線171或TFT所產(chǎn)生的缺陷。在這種情況下，當(dāng)柵極線121和跨線橋83通過諸如激光輻射相連時(shí)，金屬片172在其間起到輔助連接件的作用。
接下來，將參照?qǐng)D2和圖4描述共電極面板200。
遮光件220，也被稱為“黑色矩陣”，設(shè)置在由透明玻璃或塑料制成的絕緣基板210上。遮光件220具有與像素電極191同樣多的開口225。每個(gè)開口225面向一個(gè)像素電極191，并且具有與像素電極191基本相同的形狀。遮光件220防止光通過像素電極191的交界(barrier)泄漏。可選地，遮光件220可包括對(duì)應(yīng)于柵極線121、數(shù)據(jù)線171和TFT的部分。
多個(gè)濾色器230形成在具有遮光件220的基板210上。大部分濾色器230設(shè)置在由遮光件220限定的開口區(qū)域中。濾色器230可沿像素電極191在垂直方向上延伸。每個(gè)濾色器230可呈現(xiàn)出紅色、綠色、和藍(lán)色中的一種。
覆蓋層(cover layer)250形成在濾色器230和遮光件220上，以防止濾色器230露出，并且提供平坦的表面。覆蓋層250可由有機(jī)絕緣體制成，也可將其從LCD中省略掉。
共電極270可由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體制成并形成在覆蓋層250上。共電極270設(shè)置有多組三個(gè)切割部。每組均包括中心切割部71、下部切割部72a、以及上部切割部72b，并且與像素電極191中的一個(gè)相對(duì)。三個(gè)切割部71、72a和72b形成在與像素電極191的各個(gè)切割部91、92a和92b中的空間相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。也就是說，切割部71、72a和72b各自位于中心切割部91與上部和下部切割部92a和92b之間、像素電極191被斜切的左下角與下部切割部92a之間、以及像素電極191被斜切的左上角與上部切割部92b之間。在這種結(jié)構(gòu)中，每個(gè)切割部71、72a和72b均具有至少一個(gè)傾斜部，該傾斜部與像素電極191的下部切割部92a或上部切割部92b平行。這些切割部71、72a和72b以平分像素電極191的假設(shè)水平中心線為中心并對(duì)稱。
下部切割部72a包括從像素電極191左垂直側(cè)面向右下方向延伸的傾斜部、從傾斜部的兩個(gè)端部分別延伸的水平部和垂直部，并相對(duì)于傾斜部形成鈍角。
上部切割部72b包括從像素電極191左垂直側(cè)面向右上方向延伸的傾斜部、從傾斜部的兩個(gè)端部分別延伸的水平部和垂直部，并相對(duì)于傾斜部形成鈍角。下部切割部和上部切割部72a和72b的水平部和垂直部沿像素電極191的輪廓形成，并與像素電極191部分地重疊。
中心切割部71包括水平中心部、一對(duì)傾斜部、和一對(duì)垂直部。水平中心部從像素電極191的左側(cè)沿像素電極191的水平中心線延伸。兩個(gè)傾斜部基本上平行于下部和上部切割部72a和72b的傾斜部向像素電極191的右側(cè)延伸。中心切割部71的兩個(gè)垂直部從各自傾斜部的兩個(gè)端部沿像素電極191的右側(cè)部分地延伸。兩個(gè)垂直部與像素電極191的一部分重疊，并且在中心切割部71的兩個(gè)傾斜部和兩個(gè)垂直部之間形成鈍角。
基于諸如像素電極191的大小、像素電極191水平側(cè)面與垂直側(cè)面的長(zhǎng)度比、以及LC層3中LC的類型等的設(shè)計(jì)因素，可以改變共電極270中切割部的數(shù)量。通過將遮光件220與共電極270的切割部71、72a和72b相重疊，防止光通過切割部71、72a和72b泄漏。
定向?qū)?alignment layer)11和21各自涂布在面板100和200的內(nèi)表面上。定向?qū)?1和21可以為垂直定向?qū)印?br> 偏光器(polarizer)12和22可各自附著到面板100和200的外表面。偏光器12和22的透光軸以直角相互交叉。這里，任一透光軸均平行于柵極線121。例如，在反射型LCD中，可以省略兩個(gè)偏光器12和22中的任意一個(gè)。
LCD可進(jìn)一步包括延遲膜(未示出)，用于補(bǔ)償LC層3的相位延遲。同樣，背光單元(未示出)可進(jìn)一步包括在LCD中，用以向偏光器12和22、延遲膜、兩個(gè)面板100和200、以及LC層3提供光。
LC層3中的LC分子31具有負(fù)介電各向異性。因此，在沒有電場(chǎng)的情況下，它們基本上垂直于兩個(gè)面板100和200的表面排列。這種情況下，入射光不能穿過偏振方向相互垂直的偏光器12和22。
當(dāng)共電極270被提供有共電壓并且像素電極191被提供有數(shù)據(jù)電壓時(shí)，在LC層3中產(chǎn)生與兩個(gè)面板100和200的表面垂直的電場(chǎng)。LC層3中的LC分子31響應(yīng)于電場(chǎng)，開始將其定向改變成垂直于電場(chǎng)方向。在下文中，像素電極191和共電極270將被稱為場(chǎng)致電極。
場(chǎng)致電極191和270的切割部71、72a、72b、91、92a和92b與像素電極191的側(cè)面一起形成水平部分，該部分通過使場(chǎng)致電極191與270之間產(chǎn)生的電場(chǎng)變形來確定LC層3中LC分子31的傾斜方向。水平部分基本上垂直于切割部71、72a、72b、91、92a和92b的側(cè)面，并垂直于像素電極191的側(cè)面。
現(xiàn)在參照?qǐng)D3，一組切割部71、72a、72b、91、92a和92b將像素電極191分成多個(gè)子區(qū)域。每個(gè)子區(qū)域均具有兩個(gè)主側(cè)面，該主側(cè)面相對(duì)于像素電極191的主側(cè)面形成傾斜角。在這種結(jié)構(gòu)中，大部分LC分子31沿垂直的方向相對(duì)于子區(qū)域的主側(cè)面傾斜。因此，分子31傾斜方向的數(shù)量約為四個(gè)。這樣，當(dāng)LC分子31沿不同方向傾斜時(shí)，LCD的基準(zhǔn)視角增寬。
至少一個(gè)切割部71、72a、72b、91、92a和92b可被突起(未示出)或凹陷(未示出)替代。在這種情況下，突起可由有機(jī)材料或無機(jī)材料制成，并可設(shè)置在場(chǎng)致電極191和270之上或之下。應(yīng)當(dāng)理解的是，可以更改切割部71、72a、72b、91、92a和92b的排列和形式。
多個(gè)由光刻膠材料或絕緣材料制成的柱狀隔離件320設(shè)置在共電極270上，以確保兩個(gè)面板100和200在整個(gè)顯示區(qū)域上方以一定間距保持分離。柱狀隔離件320以規(guī)律的間隔形成在與共電極面板200的遮光件220和TFT陣列面板100的柵極線121對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。例如，柱狀隔離件320僅設(shè)置在紅色、綠色、藍(lán)色RGB像素中對(duì)整體亮度影響最小的藍(lán)色像素B。由于在靠近柱狀隔離件320時(shí)LC分子31的定向趨于分散，就會(huì)在那些點(diǎn)造成諸如光泄漏等的紋理，可以通過僅將柱狀隔離件320設(shè)置在藍(lán)色像素B來使這種紋理所引起的不希望的亮度降低或增強(qiáng)最小化。柱狀隔離件320也可設(shè)置在紅色像素R或者綠色像素G。但是，為了使整個(gè)顯示區(qū)域顯示統(tǒng)一的紋理，柱狀隔離件320優(yōu)選地設(shè)置在相同顏色的像素。
接下來，將參照?qǐng)D8描述柱狀隔離件320的排列方法。
圖8示出了當(dāng)LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)運(yùn)行時(shí)，沿行方向交替地以六個(gè)像素間隔和九個(gè)像素間隔排列的柱狀隔離件320的極性以及像素的極性。在圖中，以粗線勾畫的矩形示出具有柱狀隔離件320的像素。
如圖8所示，在像素矩陣的每一行中，柱狀隔離件320交替地以六個(gè)像素間隔和九個(gè)像素間隔設(shè)置。例如，在像素矩陣的一行中，柱狀隔離件320的排列方式為第一柱狀隔離件320從最左側(cè)的像素跳過五個(gè)像素設(shè)置在第六個(gè)像素(即，六像素間隔排列)，第二柱狀隔離件320從具有第一柱狀隔離件320的像素跳過八個(gè)像素設(shè)置在第九個(gè)像素(即，九像素間隔排列)，并且以下的柱狀隔離件交替地采用六像素間隔排列和九像素間隔排列的方式進(jìn)行布置。
相鄰行的柱狀隔離件320彼此錯(cuò)開并各自設(shè)置在不同的列中。在像素矩陣行中排列的所有柱狀隔離件320均設(shè)置到相對(duì)于上行中的柱狀隔離件320向右三個(gè)像素的位置。
柱狀隔離件320僅設(shè)置在藍(lán)色像素B的列中。在像素矩陣的每列中，柱狀隔離件320交替地以兩像素間隔和三像素間隔設(shè)置。例如，在一列中，柱狀隔離件320的排列方式為第一柱狀隔離件320從最上方的像素跳過一個(gè)像素設(shè)置在第二個(gè)像素(即，兩像素間隔排列)，第二柱狀隔離件320從具有第一柱狀隔離件320的像素跳過兩個(gè)像素設(shè)置在第三個(gè)像素(即，三像素間隔排列)，并且以下的柱狀隔離件交替采用兩像素間隔排列和三像素間隔排列的方式進(jìn)行布置。
可以修改在像素矩陣的每行中交替重復(fù)六像素間隔排列和九像素間隔排列的方法。例如，柱狀隔離件可以六像素間隔和十二像素的間隔交替設(shè)置，或者以九像素間隔和十二像素間隔交替設(shè)置。但是，在所有的修改中，柱狀隔離件應(yīng)僅交替設(shè)置在與從三的倍數(shù)中選取的兩個(gè)不同數(shù)字的倍數(shù)對(duì)應(yīng)的像素上。
如果柱狀隔離件320按照上述方式排列，則改進(jìn)了由于正像素的紋理保持時(shí)間不同于負(fù)像素的紋理保持時(shí)間而產(chǎn)生的色條信號(hào)圖。
接下來，將參照?qǐng)D5和8描述改善后的色條信號(hào)圖的效果。
圖5示出了在根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的柱狀隔離件附近產(chǎn)生的紋理。圖6A示出了當(dāng)LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)運(yùn)行時(shí)，沿行方向以六個(gè)像素間隔排列的柱狀隔離件的極性以及像素的極性。圖6B示出了圖6A中的排列所產(chǎn)生的條紋。圖7A示出了當(dāng)LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)運(yùn)行時(shí)，沿行方向以九個(gè)像素間隔排列的柱狀隔離件的極性以及像素的極性。圖7B示出了圖7A的排所產(chǎn)生的條紋。
如圖5所示，柱狀隔離件320附近產(chǎn)生的紋理(在每列中以圓圈表示)偏離遮光件220，因此降低了各個(gè)像素的亮度。這些紋理隨著時(shí)間的推移將逐漸消失。但是，對(duì)于正像素和負(fù)像素，紋理以不同速度消失。因此，紋理保持時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)的像素看上去比紋理保持時(shí)間相對(duì)較短的像素要更黑。由于這些像素之間亮度的差很小，所以這些暗像素和亮像素在不規(guī)則排列時(shí)是很難識(shí)別的。然而，如果暗像素和亮像素以規(guī)則或特定的圖案排列，那么它們可以被很容易觀察到。
參照?qǐng)D6A，柱狀隔離件320以六個(gè)像素的間隔沿行的方向上排列。當(dāng)具有這種排列的LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)的方式運(yùn)行時(shí)，具有柱狀隔離件320的像素的極性以兩個(gè)像素行的間隔變化。如圖6B所示，這些變化呈現(xiàn)出水平條紋。
參照?qǐng)D7A，柱狀隔離件320以九個(gè)像素的間隔橫向排列。當(dāng)具有這種排列的LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)的方式運(yùn)行時(shí)，正極性區(qū)域與負(fù)極性區(qū)域交替形成在傾斜方向上。如圖6B所示，這些變化呈現(xiàn)出傾斜條紋。在這種情況下，傾斜條紋比圖6B的水平條紋更加黯淡。
另一方面，參照?qǐng)D8，柱狀隔離件320在行的方向上以六個(gè)像素的間隔和九個(gè)像素的間隔交替排列。當(dāng)采用這種排列的LCD以1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)的方式運(yùn)行時(shí)，正極性區(qū)域與負(fù)極性區(qū)域不規(guī)則地混合。這種情況下，未出現(xiàn)特定圖案。
在上述實(shí)施例中，柱狀隔離件320形成在對(duì)應(yīng)于TFT陣列面板100的柵極線121的區(qū)域中。參照?qǐng)D9和圖10，將描述具有在像素平坦部分排列的柱狀隔離件的LCD。
圖9是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的LCD的布局圖。圖10是沿圖9的X-X′線截取的橫截面圖。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD采用的TFT陣列面板的構(gòu)造如下所示參照?qǐng)D9和圖10，多條柵極線121和多條存儲(chǔ)電極線131形成在由諸如透明玻璃或塑料制成的絕緣基板110上。
用于傳輸選通信號(hào)的柵極線121基本上沿水平方向延伸。每條柵極線121包括多個(gè)向下突出的柵電極124、以及端部129，該端部具有相對(duì)較大的尺寸，以連接不同層或外部裝置。用于產(chǎn)生選通信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器(未示出)可安裝在附著到基板110的柔性印刷電路膜(未示出)上，或者直接安裝在基板110上。另外，柵極驅(qū)動(dòng)器可集成到基板110中。在這種情況下，柵極線121直接連接至柵極驅(qū)動(dòng)器。
存儲(chǔ)電極線131接收預(yù)定電壓。每條存儲(chǔ)電極線131均包括基本上平行于柵極線121的干線和多對(duì)從干線基本上沿垂直方向延伸的存儲(chǔ)電極133a和133b。每條存儲(chǔ)電極線131均設(shè)置在相鄰兩條柵極線121之間。存儲(chǔ)電極線131的干線更靠近兩條柵極線中的下部柵極線。每個(gè)存儲(chǔ)電極133a均具有連接至一條干線的固定端、以及自由端。每個(gè)存儲(chǔ)電極133b均具有連接至一條干線的相對(duì)較大尺寸的固定端和輕微彎曲的自由端。然而，可以理解的是，存儲(chǔ)電極線131的形狀和排列方式可以變化。
柵極線121和存儲(chǔ)電極線131由諸如Al和Al合金的含鋁(Al)金屬、諸如Ag和Ag合金的含銀(Ag)金屬、諸如Cu和Cu合金的含銅(Cu)金屬、諸如Mo和Mo合金的含鉬(Mo)金屬以及鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)制成。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)，其中包括至少兩層不同物理特性的導(dǎo)電層(未示出)。在這種結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)導(dǎo)電層之一可由低電阻金屬(例如含Al金屬、含Ag金屬、含Cu金屬等)制成，以降低柵極線121與存儲(chǔ)電極線131中的信號(hào)延遲或電壓降。另一層可由具有與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其它材料一致的良好物理、化學(xué)以及電接觸特性的材料制成。例如，含Mo金屬、Cr、Ta、Ti等可用于形成該層。這兩層的組合實(shí)例包括下部Cr層和上部Al(或Al合金)層、以及下部Al(或Al合金)層和上部Mo(或Mo合金)層。除了上面所列舉的材料，各種金屬和導(dǎo)體可用于形成柵極線121和存儲(chǔ)電極線131。
柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的所有側(cè)面都在約30°至80°的角度范圍內(nèi)相對(duì)于基板110的表面傾斜。
由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成的柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲(chǔ)電極線131上。
由氫化非晶硅(縮寫為“a-Si”)或多晶硅制成的多個(gè)線形半導(dǎo)體151形成在柵極絕緣層140上。每個(gè)線形半導(dǎo)體151基本上沿垂直方向延伸，并包括多個(gè)沿各自柵電極124延伸的突起154。線形半導(dǎo)體151靠近柵極線121和存儲(chǔ)電極線131由突起154擴(kuò)大，以將它們覆蓋。
多個(gè)線形歐姆接觸部161和島狀歐姆接觸部165形成在線形半導(dǎo)體151上。歐姆接觸部161和165可由重?fù)诫s有N型雜質(zhì)(諸如磷)的N+氫化非晶硅或硅化物制成。線形歐姆接觸部161包括多個(gè)突起163。一組突起163和島狀歐姆接觸部165設(shè)置在半導(dǎo)體151的突起154上。
線形半導(dǎo)體151以及歐姆接觸部161和165的所有側(cè)面在約30°至80°的角度范圍內(nèi)相對(duì)于基板110的表面傾斜。
多條數(shù)據(jù)線171以及多個(gè)漏電極175形成于歐姆接觸部161、165以及柵極絕緣層140上。
用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線171基本上沿垂直方向延伸，并與柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的干線交叉。這時(shí)，每對(duì)存儲(chǔ)電極133a和133b均位于兩條相鄰數(shù)據(jù)線171之間。每條數(shù)據(jù)線171均包括多個(gè)向各自柵電極124延伸的源電極173和端部179，該端部具有相對(duì)較大的尺寸，以連接至不同層或外部裝置。用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)可安裝在附著到基板110的柔性印刷電路膜(未示出)上，或者直接安裝在基板110上。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可集成到基板110中。在這種情況下，數(shù)據(jù)線171直接連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
漏電極175與數(shù)據(jù)線171分離并與置于柵電極124中心的源電極173相對(duì)。每個(gè)漏電極175均包括具有相對(duì)較大尺寸的擴(kuò)張部和棒狀端部，該端部部分地包圍形狀為逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°的“U”形的源電極173。
柵電極124、源電極173、漏電極175、以及半導(dǎo)體151的突起154形成薄膜晶體管。TFT溝道形成在源電極173與漏電極175之間的突起154中。
數(shù)據(jù)線171和漏電極175由諸如Mo、Cr、Ta、Ti或其合金的難熔金屬制成，并且可構(gòu)造成多層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括難熔金屬層(未示出)和低電阻導(dǎo)電層(未示出)。這種多層結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括由Cr、Mo、Mo合金中的一種制成的下部層和由Al或Al合金制成的上部層。另一個(gè)實(shí)例包括由Mo或Mo合金制成的下部層、由Al或Al合金制成的中間層、以及由Mo或Mo合金制成的上部層。除了上面所列舉的材料，各種金屬和導(dǎo)體也可用于形成數(shù)據(jù)線171和漏電極175。
數(shù)據(jù)線171和漏電極175的所有側(cè)面在約30°至80°的角度范圍內(nèi)相對(duì)于基板110的表面傾斜。
歐姆接觸部161和165僅存在于下層半導(dǎo)體151與上覆數(shù)據(jù)線171之間和下層半導(dǎo)體151與上覆漏電極175之間，用以減小其間的接觸電阻。線形半導(dǎo)體151的大部分都比數(shù)據(jù)線171窄，但是其一些部分的區(qū)域被擴(kuò)大，以與柵極線121或存儲(chǔ)電極線131交叉，從而防止數(shù)據(jù)線171斷開。線形半導(dǎo)體151部分地暴露在未被數(shù)據(jù)線171和漏電極175覆蓋的區(qū)域中，并且部分地暴露在源電極173與漏電極175之間。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏電極175、半導(dǎo)體151的露出部分上。鈍化層180的頂面可以被平坦化。鈍化層180可以構(gòu)造成單層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由諸如SiNx或SiO2的無機(jī)絕緣體或低介電絕緣體制成。這種情況下，有機(jī)絕緣體和低介電絕緣體的介電常數(shù)在4.0以下，并且低介電絕緣體可選自通過等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)制成的a-Si:C:O和a-Si:O:F等。有機(jī)絕緣體可具有感光度。鈍化層180也可構(gòu)造成包括下部無機(jī)絕緣體層和上部有機(jī)絕緣體層的雙層結(jié)構(gòu)。該雙層結(jié)構(gòu)保持有機(jī)層的良好絕緣特性，并且可保護(hù)半導(dǎo)體151的外露部分不被破壞。
鈍化層180設(shè)置有多個(gè)接觸孔182和185，數(shù)據(jù)線171的端部179和漏電極175的擴(kuò)張部分別通過接觸孔露出。多個(gè)接觸孔181形成在鈍化層180和柵極絕緣層140中，并且柵極線121的端部129通過接觸孔露出。多個(gè)接觸孔183a和183b形成在鈍化層180和柵極絕緣層140中，以露出與第一存儲(chǔ)電極線133a的固定端相鄰的存儲(chǔ)電極線131的干線部分和第一存儲(chǔ)電極133a自由端的直的部分。
多個(gè)像素電極191、多個(gè)跨線橋83、以及多個(gè)接觸輔助部81和82形成在鈍化層180上。它們可以由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體或者諸如Al、Ag、Cr或其合金的反射金屬制成。
像素電極191通過接觸孔185物理并電連接至漏電極175，以接收來自漏電極175的數(shù)據(jù)電壓。被提供有數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與共電極面板200的共電極270一起產(chǎn)生電場(chǎng)，從而確定介于兩個(gè)電極191與270之間的LC層3中的LC分子31的定向。根據(jù)LC分子31的定向，改變穿過LC層3的光的偏振。每組像素電極191和共電極270形成LC電容器，其可以在TFT關(guān)閉后存儲(chǔ)所施加的電壓。
像素電極191與存儲(chǔ)電極133a和133b以及存儲(chǔ)電極線131的干線重疊。為增強(qiáng)LC電容器的電壓存儲(chǔ)能力，設(shè)置了存儲(chǔ)電容器。存儲(chǔ)電容器通過將像素電極191和與其電連接的漏電極175與存儲(chǔ)電極線131重疊而實(shí)現(xiàn)。
接觸輔助部81和82分別通過接觸孔181和182連接到柵極線121的端部129和數(shù)據(jù)線171的端部179。接觸輔助部81和82補(bǔ)充了露出端部129和179與外部裝置之間的粘附力，并保護(hù)它們。
每個(gè)跨線橋83橫跨柵極線121并通過接觸孔183a和183b連接至存儲(chǔ)電極線131露出的干線和存儲(chǔ)電極133b自由端露出的突起?？缇€橋83以及具有存儲(chǔ)電極133a和133b的存儲(chǔ)電極線131可用于修復(fù)柵極線121、數(shù)據(jù)線171、或TFT產(chǎn)生的缺陷。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD所采用的共電壓面板200的構(gòu)造如下。
遮光件220，也被稱為黑色矩陣，設(shè)置在與TFT陣列面板100的基板110相對(duì)的絕緣基板210上。遮光件220包括對(duì)應(yīng)于柵極線121和數(shù)據(jù)線171的部分，其限定了與被柵極線121和數(shù)據(jù)線171所包圍的像素相對(duì)應(yīng)的開口區(qū)域。遮光件220由具有黑色顏料的有機(jī)材料制成，并防止光通過像素之間的交界泄漏。遮光件220也設(shè)置在顯示區(qū)域的周圍，以防止光從顯示區(qū)域周圍泄漏，該顯示區(qū)域是像素的集合并顯示圖像。此外，遮光件220形成在TFT上，以防止外部光進(jìn)入TFT的半導(dǎo)體151。
多個(gè)紅、綠、和藍(lán)(RGB)濾色器230形成在具有遮光件220的基板210上。在這種情況下，每個(gè)RGB濾色器230均設(shè)置在對(duì)應(yīng)于與一組RGB像素的位置。RGB濾色器230在垂直方向延伸。濾色器230之間的交界位于遮光件220上，以防止光從其間泄漏。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，相鄰濾色器230和像素的周邊彼此重疊，以防止光泄漏。
由絕緣材料制成的覆蓋層250形成在RGB濾色器230上。
由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體制成的共電極270形成在覆蓋層250上。被提供有共電壓的共電極270與被提供有數(shù)據(jù)電壓的像素電極191一起產(chǎn)生電場(chǎng)，并且確定介于兩個(gè)電極191和270之間的LC層3中的LC分子31的定向。
多個(gè)由絕緣材料制成的柱狀隔離件320形成在TFT陣列面板100和共電極面板200之間，以保持兩塊面板100、200之間的相同間距(即，盒間隙)。柱狀隔離件320靠近由柵極線121和數(shù)據(jù)線171所包圍的像素的周邊。在這種情況下，柱狀隔離件320與遮光件220重疊，而不與諸如柵極線121、數(shù)據(jù)線171、存儲(chǔ)電極線131等的信號(hào)線重疊。由圖9中的虛線限定的遮光件220的開口區(qū)域?qū)?yīng)于像素的透射區(qū)域，光可自由透射過該透射區(qū)域。在這種結(jié)構(gòu)中，柱狀隔離件320僅設(shè)置在RGB像素中的藍(lán)色像素B。
本實(shí)施例中，柱狀隔離件320未形成在柵極線121和數(shù)據(jù)線171上。相反，柱狀隔離件320形成在由柵極線121與數(shù)據(jù)線171所包圍的像素的平坦周邊。這樣，當(dāng)由于外部壓力或振動(dòng)而使柱狀隔離件320滑離其位置時(shí)，它們可以很容易地恢復(fù)到初始位置。
定向?qū)?1和21各自形成在兩個(gè)面板100和200的內(nèi)表面上，以使LC層3中的LC分子31定向，并且偏光器12和22各自附著到面板100和200的外表面。
如上所述，柱狀隔離件320可形成在被柵極線121和數(shù)據(jù)線171包圍的像素中。在這種情況下，在像素矩陣的每一行中，柱狀隔離件320僅交替形成在與從三的倍數(shù)中選取的兩個(gè)不同數(shù)字的倍數(shù)對(duì)應(yīng)的像素上。例如，在圖8中，在像素矩陣的每一行中，柱狀隔離件320交替地以六個(gè)像素的間隔和九個(gè)像素的間隔設(shè)置。
圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的橫截面圖。
圖11中的TFT陣列面板100具有與圖4和圖10中的TFT陣列面板相同或相似的部分，所以此處省略了詳細(xì)的描述。
如圖11所示，除了柱狀隔離件320形成在TFT陣列面板100上以外，本實(shí)施例的TFT陣列面板100的垂直截面與圖10中所示的基本上相同。此外，RGB濾色器230形成在鈍化層180之下。這種結(jié)構(gòu)中，濾色器230之間的交界與數(shù)據(jù)線171重疊，以防止光從交界泄漏。換句話說，濾色器230與數(shù)據(jù)線171之間的重疊部分起到了遮光件的作用。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種具有以不同間隔排列的隔離件的LCD。隔離件的排列方式可使LCD在整個(gè)顯示區(qū)域上方的兩塊面板之間保持相同的間距，從而使LCD顯示高質(zhì)量的圖像。
雖然已經(jīng)參照示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的描述，應(yīng)該理解，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，對(duì)于限定在所附權(quán)利要求中的在此公開的形式上和細(xì)節(jié)的各種更改仍應(yīng)包括在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括第一絕緣基板；第二絕緣基板，與所述第一絕緣基板相對(duì)；第一場(chǎng)致電極，形成在所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板之一上；第二場(chǎng)致電極，形成在所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板之一上，并限定多個(gè)基本上呈矩陣排列的像素；液晶層，介于所述第一基板與所述第二基板之間；以及多個(gè)隔離件，形成在所述第一基板和所述第二基板之一上，以保持所述第一基板與所述第二基板之間的間距，其中，所述隔離件交替地以第一間隔和第二間隔被設(shè)置在矩陣的每行中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述隔離件僅被設(shè)置在與從三的倍數(shù)中選取的兩個(gè)不同數(shù)字的倍數(shù)對(duì)應(yīng)的像素上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述第一間隔為六個(gè)像素的間隔，并且所述第二間隔為九個(gè)像素的間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所示的液晶顯示器，其中，相鄰行的隔離件被設(shè)置在所述矩陣的不同列中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，進(jìn)一步包括多個(gè)紅、綠、藍(lán)濾色器，形成在所述第一基板和所述第二基板之一上，其中，所述隔離件形成在與所述藍(lán)濾色器對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述液晶顯示器通過1+2點(diǎn)反轉(zhuǎn)運(yùn)轉(zhuǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，進(jìn)一步包括柵極線，形成在所述第一基板上；數(shù)據(jù)線，形成在所述第一基板上；薄膜晶體管，被連接到所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線、和所述第一場(chǎng)致電極；第一區(qū)域分隔件，形成在所述第一基板上；以及第二區(qū)域分隔件，形成在所述第二基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中，所述第一區(qū)域分隔件為形成在所述第一場(chǎng)致電極中的切割部，并且所述第二區(qū)域分隔件為形成在所述第二場(chǎng)致電極中的切割部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中，所述第一區(qū)域分隔件和所述第二區(qū)域分隔件與所述柵極線形成±45度角。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中，所述第一區(qū)域分隔件為形成在所述第一場(chǎng)致電極中的突起，并且所述第二區(qū)域分隔件為形成在所述第二場(chǎng)致電極中的突起。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述隔離件為柱狀隔離件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，進(jìn)一步包括柵極線，形成在所述第一基板上；數(shù)據(jù)線，形成在所述第一基板上；以及薄膜晶體管，被連接到所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線、和所述第一場(chǎng)致電極，其中，所述隔離件形成在與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線之一對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，進(jìn)一步包括柵極線，形成在所述第一基板上；數(shù)據(jù)線，形成在所述第一基板上；以及薄膜晶體管，被連接到所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線、和所述場(chǎng)致電極，其中，所述隔離件形成在與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線所包圍的所述像素的部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一場(chǎng)致電極為像素電極，并且所述第二場(chǎng)致電極為共電極。
15.一種液晶顯示器，包括第一絕緣基板；多條柵極線，形成在所述第一基板上；多條數(shù)據(jù)線，形成在所述第一基板上并與所述柵極線交叉，以限定呈矩陣排列的像素；多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)所述薄膜晶體管均被連接到所述柵極線中的一條和所述數(shù)據(jù)線中的一條；多個(gè)像素電極，每個(gè)所述像素電極均被連接到所述薄膜晶體管中的一個(gè)；第二絕緣基板；遮光件，形成在所述第二基板上；多個(gè)濾色器，形成在所述遮光件上；共電極，形成在所述濾色器上；以及多個(gè)隔離件，形成在所述第一基板和所述第二基板之一上，以保持所述第一基板與所述第二基板之間的相同間距，其中，所述隔離件交替地以第一間隔和第二間隔設(shè)置在所述矩陣的每行中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，所述隔離件僅設(shè)置在與從三的倍數(shù)中選取的兩個(gè)不同數(shù)字的倍數(shù)對(duì)應(yīng)的像素上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中，所述第一間隔為六個(gè)像素的間隔，并且所述第二間隔為九個(gè)像素的間隔。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所示的液晶顯示器，其中，相鄰行的隔離件被設(shè)置在所述矩陣的不同列中。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，所述隔離件形成在與所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，所述隔離件形成在與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線所包圍的所述像素的部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器(LCD)。該LCD包括第一絕緣基板；第二絕緣基板，與第一絕緣基板相對(duì)；第一場(chǎng)致電極，形成在第一基板上；第二場(chǎng)致電極，形成在第二基板上，并限定多個(gè)基本上呈矩陣排列的像素；液晶層，介于第一基板與第二基板之間；以及多個(gè)隔離件，形成在第一與第二基板之一上，以保持兩個(gè)基板之間的間距，其中，隔離件可交替地以第一間隔和第二間隔設(shè)置在矩陣的每行中。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1892309SQ200610075880
公開日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者崔圣植 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社