專利名稱：用于euv光譜區(qū)域的熱穩(wěn)定的多層的反射鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱穩(wěn)定的、用于超紫外(EUV)光譜區(qū)域的多層的反射鏡。
用于在超紫外(EUV)光譜區(qū)域中使用的起反射作用的光學(xué)部件可通過多層的反射鏡來實(shí)現(xiàn)，該超紫外(EUV)光譜區(qū)域包括從約10nm至約50nm的波長范圍，這些多層反射鏡包括一個(gè)通常由多個(gè)薄層對構(gòu)成的周期性的層序列。一個(gè)薄層對通常包括兩個(gè)由不同材料制成的層，它們在為了使用所述部件而規(guī)定的波長范圍中應(yīng)具有盡可能不同的光學(xué)常數(shù)。至少這些材料之一對所規(guī)定的波長具有盡可能小的吸收。因此，對于多層的反射鏡的材料選擇主要取決于波長，所述光學(xué)部件應(yīng)在該波長中使用。因此，在EUV光譜區(qū)域中分別對于確定的、通常僅幾個(gè)納米寬的波長范圍存在一個(gè)最佳的材料對，它由于層材料的光學(xué)反差(Kontrast)保證了高的反射。
在從約12.5至14nm的波長范圍——該波長范圍尤其是對于用于應(yīng)用在EUV光刻中的光學(xué)系統(tǒng)的顯影意義重大——中，優(yōu)選使用由鉬及硅的材料配對組成的多層的反射鏡，因?yàn)樵谶@些材料之間在所述波長范圍中具有特別好的光學(xué)反差。通過Mo/Si(鉬-硅)多層的反射鏡例如可在波長為13.5nm的情況下實(shí)現(xiàn)70％的反射。
這種高反射對于一些應(yīng)用情況——在這些應(yīng)用中在多層的反射鏡上進(jìn)行多次反射——是特別重要的，因?yàn)樵谠撉闆r下整個(gè)光學(xué)系統(tǒng)的反射隨著反射鏡的數(shù)量指數(shù)地下降。因此，在由多個(gè)反射鏡組成的裝置中一個(gè)單個(gè)反射鏡的稍加改進(jìn)就已經(jīng)大大影響該光學(xué)系統(tǒng)的全部反射。這尤其是在用于EUV光刻的光學(xué)系統(tǒng)中是這種情況，其中考慮使用例如11個(gè)多層的反射鏡。
為了實(shí)現(xiàn)高反射，尤其是在鉬層與硅層之間的層過渡上需要盡可能平坦的邊界面。但另一方面，例如由DE 100 11 547 C2公開了鉬及硅材料在邊界面傾向于形成鉬硅化合物、尤其是MoSi2及傾向于相互擴(kuò)散。因此，尤其是在是應(yīng)用溫度高時(shí)存在這種多層的反射鏡退化的危險(xiǎn)，通過該退化將大大降低反射。除了降低反射外，由于擴(kuò)散過程及鉬硅化合物形成引起的退化還與層對厚度的降低相關(guān)聯(lián)，該厚度也被稱為周期厚度。由于周期厚度的降低，反射最大值移到一個(gè)較短的波長上。一個(gè)基于這些多層的反射鏡的光學(xué)系統(tǒng)的功能可被這種退化過程大大不利地影響或甚至完全被毀壞。
為了提高M(jìn)o/Si多層的反射鏡的熱穩(wěn)定性，由DE 100 11 547 C2公開了在鉬層與硅層之間的邊界面上分別插入一個(gè)由Mo2C組成的阻擋層。
此外，在DE 100 11 548 C2中描述了使用由MoSi2組成的阻擋層來提高熱穩(wěn)定性。
在這兩個(gè)前述的文獻(xiàn)中公開的層系統(tǒng)的特征在于至少在一個(gè)幾個(gè)小時(shí)的時(shí)間間隔上大至約500℃的熱穩(wěn)定性。但是它們與傳統(tǒng)的Mo/Si多層的反射鏡相比具有小于60％的相對小的反射率。
此外，由US 6,396,900 B1公開了在Mo/Si多層的反射鏡中插入由B4C組成的阻擋層，以便提高反射和/或熱穩(wěn)定性。盡管這些層系統(tǒng)的特征在于約70％的相對高的反射，但同時(shí)其熱穩(wěn)定性、尤其是長時(shí)間的穩(wěn)定性在約400℃或更高的溫度的情況下不能得到保證。
為了運(yùn)行用于EUV光刻的光學(xué)系統(tǒng)，尤其是設(shè)置激光等離子體源作為輻射源，它們在波長為約13.5nm時(shí)發(fā)射。因?yàn)樵贓UV光刻中由于多個(gè)反射鏡使得整個(gè)光學(xué)系統(tǒng)的反射相對小，所以這種EUV輻射源必須被以高功率驅(qū)動(dòng)，以便補(bǔ)償光學(xué)系統(tǒng)中出現(xiàn)的反射損失。在這種高功率EUV輻射源的附近，EUV多層的反射鏡可能遭受高溫度。這尤其是對于這種EUV多層的反射鏡是這種情況，該反射鏡為了射線成形例如作為所謂的集光反射鏡緊密地定位在一個(gè)EUV輻射源旁。
因此需要這樣的多層的反射鏡，它們的特征不僅在于高的、長時(shí)間的熱穩(wěn)定性而且在于高的反射。
本發(fā)明的任務(wù)在于，給出一種用于EUV光譜區(qū)域的多層的反射鏡，其特征不僅在于高的熱穩(wěn)定性、尤其是長時(shí)間的高穩(wěn)定性而且在于高的反射。
根據(jù)本發(fā)明，該任務(wù)通過根據(jù)權(quán)利要求1的多層的反射鏡來解決。本發(fā)明的有利的構(gòu)型及拓展是從屬權(quán)利要求的主題。
在本發(fā)明的用于EUV輻射的多層的反射鏡——它具有多個(gè)交替地鉬層及硅層——中，在相應(yīng)鉬層與相鄰的相應(yīng)硅層之間之間的多個(gè)邊界面上設(shè)置有一個(gè)阻擋層，該阻擋層包括硅氮化合物、優(yōu)選Si3N4或一種硅硼化合物、優(yōu)選SiB4或SiB6。
在本發(fā)明的范圍內(nèi)，邊界面的概念包括相應(yīng)鉬層與硅層之間的過渡區(qū)域，也包括這種情況，即，鉬層和硅層由于設(shè)置在其間的阻擋層不是直接地彼此相鄰。
通過由硅氮化合物或硅硼化合物組成的阻擋層，有利地減少了鉬硅化合物的形成以及在鉬層與硅層之間的邊界面上的擴(kuò)散。由此有利地改善了多層的反射鏡的熱穩(wěn)定性以及長時(shí)間的穩(wěn)定性及對輻射的穩(wěn)定性。
根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡特別適合于應(yīng)用在溫度為大于300℃的情況中、尤其是在300℃-500℃的溫度范圍中使用。就像在本申請中的所有范圍值那樣，該范圍值包括給出的邊界值。
本發(fā)明的多層的反射鏡尤其是具有在溫度大于300℃、尤其是在300℃-500℃的溫度范圍中的長時(shí)間高穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)。例如本發(fā)明的多層的反射鏡在溫度為約500℃時(shí)的100小時(shí)的運(yùn)行時(shí)間后其反射和/或周期厚度也不明顯降低。
由于其高的耐熱性，本發(fā)明的多層的反射鏡尤其是可使用在EUV輻射源、例如一個(gè)激光等離子體源的附近。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的方案中，該多層的反射鏡被加熱到高的工作溫度、例如300℃或更高、優(yōu)選甚至400℃或更高。以便降低污物在多層的反射鏡上的沉積。為此可設(shè)置一個(gè)加熱裝置，該加熱裝置優(yōu)選設(shè)置在該多層的反射鏡的一個(gè)基體上。這尤其在一個(gè)設(shè)置在一個(gè)EUV輻射源的附近的多層的反射鏡——中是有利的，因?yàn)樵摱鄬拥姆瓷溏R在該情況下可通過一個(gè)使用在EUV輻射源中的目標(biāo)材料、例如借助于一個(gè)激光射束被激勵(lì)以發(fā)射EUV輻射的鋰被污染，由此不利地影響了反射。通過將多層的反射鏡加熱到一個(gè)優(yōu)選約400℃的工作溫度，有利地降低了例如鋰在該多層的反射鏡表面上的粘附系數(shù)，使得即使在100小時(shí)或更多的工作時(shí)間之后所述反射也不會(huì)被不利地影響。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，在相應(yīng)鉬層與相應(yīng)硅層之間的所有邊界面上分別設(shè)置一個(gè)阻擋層，該阻擋層包括一種硅氮化合物、優(yōu)選Si3N4或一種硅硼化合物、優(yōu)選SiB4或SiB6。通過包括在所有邊界面上的阻擋層實(shí)現(xiàn)了該多層的反射鏡的特別高的熱穩(wěn)定性。
在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選的構(gòu)型中，在沿生長方向在一個(gè)硅層后面跟隨著一個(gè)鉬層的邊界面上分別設(shè)置一個(gè)包括一種硅氮化合物或一種硅硼化合物的阻擋層，并且在沿生長方向在一個(gè)鉬層后面跟隨著一個(gè)硅層的邊界面不設(shè)置阻擋層。
本發(fā)明的該實(shí)施形式的優(yōu)點(diǎn)在于，反射到由多層的反射鏡構(gòu)成的干涉層系統(tǒng)上的電磁輻射在該干涉層系統(tǒng)的內(nèi)部構(gòu)成一個(gè)豎立的電磁波，這些電磁波的節(jié)點(diǎn)設(shè)置在邊界面上，在該邊界面上沿著生長方向在一個(gè)硅層后面跟隨著一個(gè)鉬層。因此，這些阻擋層在本發(fā)明的該實(shí)施形式中設(shè)置在干涉層系統(tǒng)的區(qū)域中，在該區(qū)域中所述豎立的波的電場強(qiáng)度很小。因此，阻擋層內(nèi)部的吸收有利地很小。
這些阻擋層的厚度優(yōu)選在0.1nm與1.5nm之間、特別優(yōu)選在0.2nm與0.8nm之間。具有這種厚度的阻擋層適合于有效地避免邊界面上擴(kuò)散及鉬硅化合物的形成。但另一方面，這些阻擋層仍然足夠薄，因此在這些阻擋層內(nèi)部的吸收相對小。
該多層的反射鏡優(yōu)選包括40-70個(gè)層對。在此，對于一個(gè)層對應(yīng)理解為一個(gè)硅層及一個(gè)與該硅層相鄰的鉬層以及毗鄰的阻擋層。由于該光譜區(qū)域中的輻射的有限的作用深度，所述層對數(shù)量的進(jìn)一步提高僅僅對該多層的反射鏡的反射有輕微的作用。
該多層的反射鏡可例如包括一個(gè)由硅層、鉬層及阻擋層組成的周期性結(jié)構(gòu)，其中在該多層的反射鏡內(nèi)部硅層、鉬層以及阻擋層的厚度不變。通過這種周期性的多層的反射鏡可實(shí)現(xiàn)在一個(gè)預(yù)給定的波長λ的窄光譜區(qū)域中的高反射。
但在本發(fā)明的范圍內(nèi)，該多層的反射鏡也可包括一個(gè)非周期性的層序列。在該層序列的內(nèi)部，硅層和/或鉬層的厚度是變化的。通過這種非周期性的多層的反射鏡可實(shí)現(xiàn)在一個(gè)相對寬的波長范圍和/或入射角范圍中的反射，但是，對于預(yù)給定的波長最大反射小于周期性的多層的反射鏡。
在本發(fā)明的情況下，優(yōu)選在該多層的反射鏡上設(shè)置一個(gè)蓋層，蓋層在材料和/或厚度上與該多層的反射鏡的層不同，以便尤其是防氧化及污染地保護(hù)該多層的反射鏡。代替單個(gè)蓋層地，也可設(shè)置兩個(gè)或多個(gè)蓋層。
例如可設(shè)置一個(gè)或多個(gè)蓋層，它們不由鉬或硅制成。對于蓋層特別合適的材料是氧化合物、氮化合物、碳化合物或硼化合物，此外還有釕、銠、鈧及鋯。該多層的反射鏡的蓋層可尤其是由阻擋層的材料、即一種硅氮化合物或一種硅硼化合物構(gòu)成。
該多層的反射鏡的反射的改善可有利地通過以下方式實(shí)現(xiàn)，即，將該多層的反射鏡設(shè)置在一個(gè)基體上，該基體的表面粗糙度小于0.2nm。在此，對于表面粗糙度應(yīng)理解為例如表面的由曲線適配于用Cu Ka輻射測量出的X射線反射曲線確定出的rms粗糙度。
該多層的反射鏡可例如設(shè)置在一個(gè)半導(dǎo)體基體例如一個(gè)硅晶片上。有SiC構(gòu)成的基體也是特別合適的。此外，該基體可由玻璃或玻璃陶瓷制成。特別有利的是，該基體由一種具有低的熱膨脹系數(shù)的玻璃或玻璃陶瓷制成、例如ULE(超低膨脹)玻璃或微晶玻璃。由此，有利地降低了在高的工作溫度、尤其是在將該多層的反射鏡加熱到例如約400℃的工作溫度時(shí)可能產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力。
該基體例如是一個(gè)平坦的基體。此外可將該多層的反射鏡設(shè)置在一個(gè)基體的球形彎曲的表面上。此外，該基體的表面可具有非球形彎曲、例如一個(gè)拋物線形或橢圓形的彎曲。例如一個(gè)拋物線形彎曲的表面適合于從一個(gè)近似點(diǎn)狀的輻射源產(chǎn)生一個(gè)很大程度上平行的射線，而橢圓形彎曲的表面適合于將一個(gè)設(shè)置在該橢圓的一個(gè)第一焦點(diǎn)上的輻射源的射線聚焦到該橢圓的一個(gè)第二焦點(diǎn)上。
根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡可例如使用在一個(gè)EUV輻射源的用于射線導(dǎo)向和/或射線成形的部件，尤其是使用在用于射線轉(zhuǎn)向的平鏡中或使用在用于準(zhǔn)直或聚焦射線的曲面鏡中。
由于一個(gè)在光譜上的非常窄帶的反射——該反射可具有例如約0.5nm或更少的完全的半值寬度——所以根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡也適合于應(yīng)用在尤其是用于表征EUV輻射源的光譜儀中。
下面根據(jù)一些實(shí)施例結(jié)合附

圖1-6詳細(xì)說明本發(fā)明，圖中示出圖1示意性示出一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡的實(shí)施例的橫截面圖，圖2以圖表示出本發(fā)明的多層的反射鏡的三個(gè)其他的實(shí)施例的波長λ與反射R的關(guān)系并與傳統(tǒng)的Mo/Si多層的反射鏡相比較，圖3以圖表示出本發(fā)明的多層的反射鏡的三個(gè)其他的實(shí)施例的波長λ與反射R的關(guān)系并與傳統(tǒng)的Mo/Si多層的反射鏡相比較，
圖4示意性示出一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡的另一實(shí)施例的橫截面圖，圖5以圖表示出本發(fā)明的多層的反射鏡的三個(gè)其他的實(shí)施例的波長λ與反射R的關(guān)系并與傳統(tǒng)的Mo/Si多層的反射鏡相比較，圖6以圖表示出本發(fā)明的多層的反射鏡的三個(gè)其他的實(shí)施例的波長λ與反射R的關(guān)系并與傳統(tǒng)的Mo/Si多層的反射鏡相比較，及圖7示意性地以圖表示出一個(gè)裝置，其中一個(gè)本發(fā)明的多層的反射鏡的實(shí)施例用作一個(gè)EUV輻射源的集光鏡。
在附圖中，相同的或作用相同的部件用相同的附圖標(biāo)記表示。
在圖1中示出的本發(fā)明的第一實(shí)施例中，一個(gè)由交替的硅層3及鉬層4組成的多層的反射鏡1被設(shè)置在一個(gè)基體2上，其中相應(yīng)硅層3與一個(gè)鄰近的鉬層4構(gòu)成一個(gè)層對。為了簡化視圖，僅示出了四個(gè)層對。層對的優(yōu)選數(shù)量為40-70個(gè)。
在該多層的反射鏡1的內(nèi)部，在所有邊界面上、即不僅在在生長方向上一個(gè)硅層3跟隨在一個(gè)鉬層4之后的邊界面上，而且在在生長方向上一個(gè)鉬層4跟隨在一個(gè)硅層3之后的邊界面上分別包括一個(gè)由一種硅氮化合物或一種硅硼化合物組成的阻擋層5。阻擋層5的厚度優(yōu)選在約0.1nm-1nm之間、特別優(yōu)選在0.2nm-0.5nm之間。這些阻擋層5在鉬層4與硅層3之間的邊界面上不僅降低了擴(kuò)散而且降低了的鉬硅化合物的形成。由此改善了該多層的反射鏡1的尤其是在300℃-500℃的溫度范圍中的熱穩(wěn)定性。
該基體2例如可以是一個(gè)半導(dǎo)體基體，尤其是由硅或SiC制成，或一種由玻璃或玻璃陶瓷制成的基體，尤其是一種具有小的熱膨脹系數(shù)的玻璃陶瓷。優(yōu)選該基體2的表面粗糙度小于0.2nm。
多層的反射鏡1到一個(gè)基體2上的施加優(yōu)選借助于濺射(Sputtern)來實(shí)現(xiàn)，尤其是借助于DC磁控管濺射來實(shí)現(xiàn)，其中使用例如氬作為工作氣體。但在本發(fā)明的范圍內(nèi)也可考慮其他的涂層方法，尤其是電子束汽化、等離子體離子輔助汽化(PIAD-等離子體離子輔助沉積)或激光燒蝕。
該多層的反射鏡1優(yōu)選具有一個(gè)蓋層6，該蓋層不是由硅或鉬制成的。通過對蓋層6選擇一種對于氧化比較不敏感的材料，可進(jìn)一步提高該多層的反射鏡1的熱穩(wěn)定性。特別有利的是，該蓋層6象阻擋層5那樣由硅硼化合物或硅氮化合物構(gòu)成。在此情況下，制造費(fèi)用被有利地降低，因?yàn)閷τ谠撋w層6的施加無需準(zhǔn)備用其他的、不是已經(jīng)包含在通常的多層的反射鏡1中的材料進(jìn)行涂層。
圖2以圖表示出無阻擋層(曲線7)的傳統(tǒng)多層的反射鏡的波長λ與垂直入射的反射的關(guān)系，并且與根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡的三個(gè)實(shí)施例進(jìn)行比較，在本發(fā)明的實(shí)施例中，在鉬層與硅層之間的所有邊界面上分別設(shè)置了由Si3N4構(gòu)成的阻擋層，其中這些阻擋層的厚度分別為0.3nm(曲線8)、0.6nm(曲線9)及0.9nm(曲線10)。多層的反射鏡的層厚度——該層厚度以模擬為基礎(chǔ)——對于波長λ＝13.5nm時(shí)的最大反射被優(yōu)化，該多層的反射鏡的周期厚度約為6.9nm并且層對的數(shù)量分別為60。
本發(fā)明的多層的反射鏡的特征在于高的熱穩(wěn)定性，其中，由插入的阻擋層引起的反射降低與無阻擋層的傳統(tǒng)多層的反射鏡相比有利地很小。例如對于0.6nm厚度的阻擋層(曲線9)模擬的最大反射約為70％。在0.9nm厚度的阻擋層的情況下，反射與傳統(tǒng)多層的反射鏡相比降低了約10個(gè)百分點(diǎn)。甚至在該比較厚的阻擋層的情況下，最大反射也大于65％。
圖3以圖表示出無阻擋層的傳統(tǒng)多層的反射鏡(曲線11)的波長λ與垂直入射的反射的關(guān)系，并且與根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡的三個(gè)實(shí)施例進(jìn)行比較，在本發(fā)明的實(shí)施例中，在鉬層與硅層之間的所有邊界面上分別設(shè)置了由SiB4構(gòu)成的阻擋層，其中這些阻擋層的厚度分別為0.3nm(曲線12)、0.6nm(曲線13)及0.9nm(曲線14)。因?yàn)樵趫D3中示出的反射曲線由于在反射上的很小的區(qū)別，否則很難進(jìn)行區(qū)分，所以在圖3中與圖2不同地選擇標(biāo)度，該標(biāo)度僅表示反射最大值的周圍。多層的反射鏡的層厚度——該層厚度以模擬為基礎(chǔ)——為波長λ＝13.5nm時(shí)的最大反射被優(yōu)化。如在結(jié)合圖2描述的實(shí)施例中那樣，該多層的反射鏡的周期厚度約為6.9nm并且層對的數(shù)量分別為60。
由SiB4阻擋層引起的與無阻擋層的傳統(tǒng)多層的反射鏡相比的反射降低有利地比使用由硅氮化合物構(gòu)成的阻擋層的情況更低。尤其是甚至對于由SiB4構(gòu)成的、0.9nm厚度的阻擋層(曲線14)最大反射與傳統(tǒng)多層的反射鏡相比僅降低了小于3個(gè)百分點(diǎn)。
在根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡的一個(gè)在圖4中示出的實(shí)施例中，僅僅在生長方向上一個(gè)鉬層4跟隨在一個(gè)硅層3之后的邊界面上設(shè)置由硅氮化合物或硅硼化合物構(gòu)成的阻擋層5。在本發(fā)明的該實(shí)施形式中，這些阻擋層5被定位在多層內(nèi)部的這樣的部位上，這些部位與電場強(qiáng)度的節(jié)點(diǎn)相一致。在此情況下，與不具有阻擋層的傳統(tǒng)多層的反射鏡相比，所述反射僅被阻擋層5稍稍降低。
在本發(fā)明的該實(shí)施形式中，在一個(gè)鉬層4跟隨在一個(gè)硅層3之后的邊界面上的擴(kuò)散及硅化合物的形成被這些阻擋層5降低。因此這一點(diǎn)尤其是有利的，因此例如由US 6,396,900B1公開的那樣，在傳統(tǒng)Mo/Si多層的反射鏡中，在上述邊界面上的擴(kuò)散及硅化合物形成強(qiáng)于一個(gè)硅層跟隨在一個(gè)鉬層之后的邊界面。
圖5以圖表示出無阻擋層的傳統(tǒng)多層的反射鏡(曲線15)的波長λ與垂直入射的反射R的關(guān)系，并且與根據(jù)本發(fā)明的三個(gè)實(shí)施例進(jìn)行比較，其中僅僅在在生長方向上一個(gè)鉬層跟隨在一個(gè)硅層之后的邊界面上分別設(shè)置一個(gè)由Si3N4構(gòu)成的阻擋層，其中，這些阻擋層的厚度分別為0.3nm(曲線16)、0.6nm(曲線17)及0.9nm(曲線18)。該多層的反射鏡的層對分別為60個(gè)及周期厚度分別為約6.9nm。
在圖5中示出的反射曲線清楚地表明了，在所有一個(gè)鉬層跟隨在一個(gè)硅層之后的邊界面上的阻擋層的引入僅僅引起極低的反射降低。因?yàn)樵诙鄬拥姆瓷溏R的這些實(shí)施例中，由硅氮化合物構(gòu)成的阻擋層分別設(shè)置在該多層的反射鏡內(nèi)部的電場的節(jié)點(diǎn)上，所以它們對反射僅由輕微的影響。與傳統(tǒng)多層的反射鏡(曲線15)相比，即使在使用0.9nm厚度的、由Si3N4構(gòu)成的阻擋層時(shí)，所述反射也僅僅降低約一個(gè)百分點(diǎn)。
圖6以圖表示出無阻擋層(曲線19)的傳統(tǒng)多層的反射鏡的波長λ與垂直入射的反射R的關(guān)系，并且與根據(jù)本發(fā)明的多層的反射鏡的三個(gè)實(shí)施例進(jìn)行比較，其中在所有在生長方向上一個(gè)鉬層跟隨在一個(gè)硅層之后的邊界面上分別設(shè)置一個(gè)由SiB4構(gòu)成的阻擋層，其中，這些阻擋層的厚度分別為0.3nm(曲線20)、0.6nm(曲線22)及0.9nm(曲線2)。該多層的反射鏡的層對分別為60個(gè)及周期厚度分別為約6.9nm。在這些實(shí)施例中，通過由SiB4構(gòu)成的阻擋層引起的反射降低比在圖5中所示的具有Si3N4-阻擋層的情況還低。與不帶阻擋層傳統(tǒng)的多層的反射鏡(曲線19)相比，通過0.9nm厚度的、由SiB4構(gòu)成的阻擋層(曲線22)也僅使所述反射降低約0.6個(gè)百分點(diǎn)。
圖7示意性示出一個(gè)本發(fā)明的的多層的反射鏡23的實(shí)施例，它被設(shè)置在一個(gè)彎曲的、優(yōu)選非球形彎曲的基體24上。該多層的反射鏡23用作一個(gè)EUV輻射源25的集光鏡。由EUV輻射源25發(fā)射的EUV輻射26被該集光鏡例如聚焦在一個(gè)焦點(diǎn)F上。該EUV輻射源25例如是一個(gè)激光等離子體輻射源，在該激光等離子體輻射源中，目標(biāo)材料、例如鋰滴(Lithium-Troepfchen)借助于激光射線被激勵(lì)以發(fā)射EUV射線。在這種EUV輻射源中通常存在這樣的問題，即，設(shè)置在輻射源周圍的光學(xué)元件被目標(biāo)材料污染。為了解決該問題，在該多層的反射鏡23中將一個(gè)加熱裝置27設(shè)置在基體24上，用該加熱裝置將該多層的反射鏡23加熱到一個(gè)溫度，在該溫度上該EUV輻射源25的目標(biāo)材料僅具有小的粘附系數(shù)并且因此從該多層的反射鏡23的表面28上解吸。優(yōu)選該多層的反射鏡23被加熱到一個(gè)約400℃或更高的工作溫度上。尤其是在鋰-目標(biāo)的情況下，一個(gè)約400℃的溫度是有利的。
本發(fā)明不受按照實(shí)施例的描述的限制。相反，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征及這些特征的每個(gè)組合，這尤其是包括權(quán)利要求中的特征的每個(gè)組合，即使該特征或該組合本身沒有在權(quán)利要求中詳述或沒給出實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種用于EUV射線的多層的反射鏡，包括多個(gè)交替的鉬層(4)及硅層(3)，其特征在于在相應(yīng)鉬層(4)與相應(yīng)相鄰的硅層(3)之間的多個(gè)邊界面上設(shè)置阻擋層(5)，該阻擋層包括硅硼化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的多層的反射鏡，其特征在于在相應(yīng)鉬層(4)與相應(yīng)硅層(3)之間的全部邊界面上設(shè)置阻擋層(5)，該阻擋層包括一種硅硼化合物。
3.用于EUV射線的多層的反射鏡，包括多個(gè)交替的鉬層(4)及硅層(3)，其特征在于在相應(yīng)鉬層(4)與相應(yīng)相鄰的硅層(3)之間的多個(gè)邊界面上設(shè)置阻擋層(5)，該阻擋層包括硅氮化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的多層的反射鏡，其特征在于在相應(yīng)鉬層(4)與相應(yīng)硅層(3)之間的全部邊界面上設(shè)置阻擋層(5)，該阻擋層包括硅氮化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3的多層的反射鏡，其特征在于在鉬層(4)跟隨在硅層(3)之后--在該邊界面上一個(gè)上分別設(shè)置阻擋層(5)，該阻擋層包括硅硼化合物或硅氮化合物，并且在生長方向上硅層(3)跟隨在鉬層(4)之后的邊界面上總是不設(shè)置阻擋層。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的多層的反射鏡，其特征在于所述阻擋層(5)的厚度范圍在0.2nm-0.8nm之間。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的多層的反射鏡，其特征在于該多層的反射鏡(1)具有至少一個(gè)蓋層(6)，該蓋層不由硅或鉬制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的多層的反射鏡，其特征在于該蓋層(6)包括硅氮化合物或硅硼化合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的多層的反射鏡，其特征在于該蓋層(6)包括氧化合物、硅化合物、氮化合物、碳化合物或硼化合物或至少包括釕、銠、鈧或鋯中的一種。
10.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的多層的反射鏡，其特征在于該多層的反射鏡(23)被設(shè)置在基體(24)的彎曲的表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的多層的反射鏡，其特征在于該基體(24)的表面非球形地彎曲。
12.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的多層的反射鏡，其特征在于設(shè)有加熱裝置(27)，用于將該多層的反射鏡(23)加熱到300℃或更高、優(yōu)選400℃或更高的工作溫度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的多層的反射鏡，其特征在于該多層的反射鏡(23)被設(shè)置在基體(24)上，所述加熱裝置(27)也被設(shè)置在該基體上。
14.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的多層的反射鏡，其特征在于該多層的反射鏡(23)是EUV輻射源(25)的集光鏡。
15.根據(jù)以上權(quán)利要求1-14中一項(xiàng)的多層的反射鏡的應(yīng)用，用于在工作溫度為從300℃-500℃的情況下反射EUV射線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于反射EUV射線的多層的反射鏡(1)，包括多個(gè)交替的鉬層(4)及硅層(3)，在這些鉬層(4)與硅層(3)之間的多個(gè)邊界面上分別設(shè)置一個(gè)阻擋層(5)，該阻擋層包括一種硅氮化合物或硅硼化合物。通過由硅氮化合物或硅硼化合物構(gòu)成的阻擋層(5)實(shí)現(xiàn)了高的熱穩(wěn)定性，尤其是實(shí)現(xiàn)了在溫度大于300℃時(shí)的長時(shí)間的高穩(wěn)定性，同時(shí)，該多層的反射鏡的反射率高。這種多層的反射鏡(1)可尤其是用作一個(gè)EUV輻射源的可加熱的集光鏡。
文檔編號(hào)G02B1/10GK101088031SQ200580044832
公開日2007年12月12日 申請日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
發(fā)明者N·比諾特, T·費(fèi)格爾, N·凱瑟, S·尤林 申請人:弗勞恩霍弗實(shí)用研究促進(jìn)協(xié)會(huì)