專利名稱：顯示裝置的基板及其修補(bǔ)方法、顯示裝置的修補(bǔ)方法和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置的基板及其修補(bǔ)方法，一種顯示裝置的修補(bǔ)方法和一種液晶顯示裝置，更具體地說，涉及一種適合在直視式液晶顯示裝置，例如諸如液晶投影儀之類的液晶彩色電視機(jī)和投射式液晶顯示裝置中使用的顯示裝置的基板，及其修補(bǔ)方法，一種顯示裝置的修補(bǔ)方法和一種液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為液晶顯示裝置的例子，存在彩色液晶顯示裝置，它包括有源矩陣(此下文稱之為“AM”)基板、CF基板和液晶層，在有源矩陣基板上形成許多開關(guān)設(shè)備，如薄膜晶體管(此下文稱之為“TFT”)，CF基板依次疊加了許多彩色的濾色(此下文稱之為“CF”)層和共用電極，而且液晶層插入兩個(gè)基板之間。AM基板包括許多以矩陣形式排列的像素電極，CF基板包括與像素電極相對的共用電極，利用兩個(gè)電極之間的場強(qiáng)控制液晶的準(zhǔn)直。
在常用的液晶顯示裝置中，在導(dǎo)電雜質(zhì)浸入形成在AM基板上的像素電極和形成在CF基板上的共用電極之間的情況下，會(huì)產(chǎn)生電短路(此下文稱之為“垂直泄漏”)，像素電極和共用電極之間的電勢差為零，以此使該部分的液晶分子是不定向的。這樣將產(chǎn)生像素缺陷，如常白色類型的裝置(在不施加電壓時(shí)顯示白色)中的亮點(diǎn)，常黑色類型的裝置(在不施加電壓時(shí)顯示黑色)中的黑斑。這種垂直泄漏是由在TFT過程、CF過程和液晶過程中粘附的導(dǎo)電雜質(zhì)引起的，為了發(fā)現(xiàn)垂直泄漏，就必須在TFT和CF屏相互固定的情況下進(jìn)行照明檢查。而且，產(chǎn)生垂直泄漏的概率已經(jīng)隨著與近些年來已經(jīng)需求的大尺寸的顯示裝置相關(guān)的像素尺寸的增加而增大，并隨著實(shí)現(xiàn)高速響應(yīng)的液晶層間隔(cell gap)的減小而增大。由于垂直泄漏產(chǎn)生的概率增大，面板的成品率已經(jīng)下降了。
通過將MVA(多域垂直準(zhǔn)直)型的液晶顯示模式的像素結(jié)構(gòu)作為例舉，根據(jù)附圖描述常用液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。
MVA型顯示裝置使用設(shè)置在CF基板上的帶狀元件(準(zhǔn)直控制突起)和設(shè)置在AM基板上像素電極中的開口(狹縫)，帶狀元件和開口交替地分布在這些基板表面上，并通過使用上述元件和狹縫作為劃分垂直準(zhǔn)直型液晶準(zhǔn)直的邊界產(chǎn)生具有相互相差180度的導(dǎo)向偶極子(director)方向的液晶準(zhǔn)直，其中具有相互相差180度的導(dǎo)向偶極子方向的許多域設(shè)置在單個(gè)顯示像素區(qū)域中，以能提供均勻視角特性(例如，參見JP-P No.11-242225)。如上所述，MVA型顯示裝置的像素電極設(shè)有許多用于限制液晶分子準(zhǔn)直的狹縫，例如，如圖1-2所示，為了在像素中設(shè)置連續(xù)的電極圖案，就設(shè)置了電極狹縫之間的電極連接部(像素電極連接部)12。通常，像素電極連接部12設(shè)置在像素電極9周圍，靠近數(shù)據(jù)信號(hào)用布線(信號(hào)線)4的準(zhǔn)直缺陷(旋錯(cuò))和光泄漏通過稱之為黑色矩陣的遮光膜被遮蔽，遮光膜設(shè)置在CF基板上用于緩解孔徑比的減小。但是，常用MVA型像素電極的結(jié)構(gòu)已經(jīng)不能修補(bǔ)發(fā)生垂直泄漏的像素，由此產(chǎn)生像素單位的缺陷，因此需要改進(jìn)。
還有另一方面的MVA型顯示裝置，其中用于控制準(zhǔn)直的突起設(shè)置在AM基板上，而狹縫設(shè)置在CF基板上的電極中。在此情況下，如圖4-2所示，例如，CF基板上的對置電極(共用電極)設(shè)有狹縫，對置的電極與相鄰像素相連。因此，為了切除遭受垂直泄漏的部分，就必須切除具有該部分的像素電極的周圍面積。因此，還存在使將被去除部分最小化和使遭受垂直泄漏的部分為細(xì)小缺陷的余地，該細(xì)小缺陷難于被識(shí)別為缺陷。
就修補(bǔ)像素缺陷的常用技術(shù)而言，目前已經(jīng)公開一些液晶顯示裝置，它們能夠通過使狹縫部分形成在像素電極中而克服垂直泄漏的產(chǎn)生(例如，參見JP-P No.2000-221527，JP-P No.2004-93654和JP-P No.2001-83522)。但是，在JP-P No.2000-221527，JP-P No.2004-93654中的液晶顯示裝置使用了設(shè)置在遮光膜外面部分上的狹縫，其中在遮光膜外面部分上原來不存在狹縫，而且像素電極被切斷，導(dǎo)致狹縫區(qū)域的擴(kuò)大。因此，這些液晶顯示裝置容許進(jìn)一步改進(jìn)以保持顯示質(zhì)量而不會(huì)誘發(fā)準(zhǔn)直缺陷。此外，還可能在切除可能引發(fā)線缺陷的缺陷部分過程中切斷數(shù)據(jù)信號(hào)線，因此，這些顯示裝置容許進(jìn)一步改進(jìn)。
而且，對于JP-P No.2000-221527和JP-P No.2001-83522的液晶顯示裝置，在靠近輔助電容產(chǎn)生缺陷的情況下，如果切除該部分的像素電極，那么也要切除組成輔助電容的像素電極。因此，這些器件已經(jīng)允許改進(jìn)以使輔助電容有效地工作，從而即使在修補(bǔ)之后也能保證顯示裝置的質(zhì)量。
而且，在JP-P No.2000-221527，JP-P No.2004-93654和JP-PNo.2001-83522中的液晶顯示裝置使用了一種通過靠近晶體管的接觸孔將漏電極電勢提供給像素電極的結(jié)構(gòu)，因此它們已經(jīng)允許改進(jìn)以能在晶體管和輔助電容線之間產(chǎn)生垂直泄漏的情況下部分修補(bǔ)像素電極。而且，它們已經(jīng)允許改進(jìn)以能充分地克服除了垂直泄漏外的缺陷模式，如漏極提取電極和輔助電容線(Cs)之間的電氣短路(以下稱之為“D-Cs泄漏”)，和數(shù)據(jù)信號(hào)線與形成在輔助電容線上的電容電極之間的電氣短路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是針對上述情形而提出的，其目的是提供一種顯示裝置的基板及其修補(bǔ)方法，一種包括該用于顯示裝置的基板的顯示裝置的修補(bǔ)方法和一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置能夠使經(jīng)受由粘附導(dǎo)電雜質(zhì)引起的垂直缺陷的部分產(chǎn)生細(xì)微的缺陷，這是一種難于識(shí)別的缺陷，保持高顯示質(zhì)量，提高成品率并克服缺陷模式，如D-Cs泄漏和數(shù)據(jù)信號(hào)線與形成在輔助電容線上的電容電極之間的電氣短路。
本申請的發(fā)明人已經(jīng)對各種有關(guān)用于能夠修補(bǔ)由垂直泄漏引起的像素缺陷的顯示裝置的基板進(jìn)行了研究，并已經(jīng)注意到即使發(fā)生垂直泄漏，也能夠通過在電極中設(shè)置電極狹縫和使用修補(bǔ)用的電極狹縫的電連接部修補(bǔ)像素缺陷。即，他們已經(jīng)注意到在有源矩陣基板的情況下，例如，通過構(gòu)建像素電極具有像素電極狹縫的電連接部(連接電極狹縫之間的部分)以使像素電極能被劃分為小于單個(gè)像素的電極，遭受垂直泄漏的像素電極能在上述連接部分被切除以能實(shí)現(xiàn)垂直泄漏的修補(bǔ)。由于這樣的垂直泄漏是由各種處理過程，如TFT處理過程、CF處理過程和液晶處理過程引起的，因此必須在TFT基板和CF基板相互連接的情況下進(jìn)行照明檢查，以便發(fā)現(xiàn)垂直泄漏，而且還必須從基板的后表面切除電極狹縫之間的連接部(像素電極的連接部)。通過使用激光照射進(jìn)行這樣的修補(bǔ)。但是，如果試圖在傳統(tǒng)液晶顯示裝置中切除電極狹縫12之間連接部具有遭受垂直泄漏部分的像素電極9，以能修補(bǔ)如圖1-2所示的部分，這些連接部12就必須使用激光照射從AM基板的后表面進(jìn)行切除(此下文稱之為“激光切除”)，因此金屬線可能與該連接部12一同被切除。鑒于上述存在的情形，本申請的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)電極狹縫12之間的連接部能夠位于沒有布置金屬線的遮光區(qū)域的外部，以便即使在缺陷部分通過激光照射從AM基板的后表面的像素電極9中切除時(shí)，也不會(huì)切除信號(hào)線和掃描線，以此能夠切除缺陷部分，并且形成細(xì)微的缺陷而不會(huì)影響相鄰的像素。雖然將電極狹縫之間的連接部重新布置在遮光區(qū)域外部會(huì)引起有關(guān)連接部周圍液晶分子的準(zhǔn)直缺陷，但是像素的顯示質(zhì)量不會(huì)受到顯著的影響。而且，在切除電極狹縫12之間的連接部時(shí)，電極狹縫的形狀就接近于MVA型器件的原來像素電極狹縫的所期望的形狀等，因此，正常工作的像素電極的顯示質(zhì)量在修補(bǔ)后幾乎不會(huì)受到任何影響。所以，本發(fā)明人已經(jīng)完全解決了上述問題。
此外，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通過由不與相鄰像素的遮光部件相連的遮光部件形成遮光區(qū)域，或者通過在電極狹縫之間連接部所在的位置標(biāo)記有遮光部件的形狀，即使在連接部放置在遮光區(qū)域中時(shí)，也能夠在視覺上識(shí)別該連接部的位置，以此能夠執(zhí)行修補(bǔ)和獲得相似的效果，從而實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
而且，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板也充分地克服了D-Cs泄漏和故障模式，如信號(hào)線與形成在輔助電容線上的電容電極之間的電氣短路，以及垂直泄漏。
顧名思義，本發(fā)明提供一種用于顯示裝置的基板，包括有源矩陣基板和對置基板，該對置基板和插入在其與有源矩陣基板之間的顯示介質(zhì)層相對，所述的有源矩陣基板包括以矩陣形式排列在顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極，所述的對置基板包括與顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極相對的共用電極，其中所述的用于顯示裝置的基板包括形成在像素電極和共用電極其中之一上的電極狹縫；和至少其中一個(gè)所述電極狹縫的電連接部設(shè)置在遮光區(qū)域的外部。
而且，本發(fā)明提供一種用于顯示裝置的基板，包括有源矩陣基板和對置基板，該對置基板和插入在與有源矩陣基板之間的顯示介質(zhì)層相對，所述的有源矩陣基板包括以矩陣形式排列在顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極，所述的對置基板包括與顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極相對的共用電極，其中所述的用于顯示裝置的基板包括形成在像素電極和共用電極其中之一上的電極狹縫；和至少其中一個(gè)所述電極狹縫的電連接部設(shè)置在由不與相鄰像素的遮光部件相連的遮光部件形成的遮光區(qū)域中。
而且，本發(fā)明提供一種用于顯示裝置的基板，包括有源矩陣基板和對置基板，該對置基板和插入在與有源矩陣基板之間的顯示介質(zhì)層相對，所述的有源矩陣基板包括以矩陣形式排列在顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極，所述的對置基板包括與顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極相對的共用電極，其中所述的顯示裝置的基板包括形成在像素電極和共用電極其中之一上的電極狹縫；和至少其中一個(gè)所述電極狹縫的電連接部設(shè)置在遮光區(qū)域和至少一個(gè)用遮光部件的形狀標(biāo)記的連接部所在的位置中。
圖1-1示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明的用于顯示裝置的基板上的像素電極形狀的截面圖。
圖1-2示意性地圖示用于常用MVA型液晶顯示裝置中的根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板上的像素電極形狀的截面圖。
圖2示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3示意性地圖示包含在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示裝置100中的有源矩陣基板上的像素電極形狀的平面圖。
圖4-1示意性地圖示包含在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示裝置中CF基板上的對置電極形狀的平面圖。
圖4-2示意性地圖示包含在常用液晶顯示裝置中CF基板上的對置電極形狀的平面圖。
圖5示意性地圖示用于根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
圖6示意性地圖示用于根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
圖7A，7B示意性地圖示用于根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
圖8A，8B示意性地圖示用于根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖；和8C示意性地圖示沿線A-A截面的8A，8B的用于顯示裝置的基板的剖視圖。
圖9示意性地圖示用于根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
圖10示意性地圖示用于根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
標(biāo)記和標(biāo)號(hào)的說明1掃描信號(hào)線(柵極線)2輔助電容線3TFT器件(開關(guān)器件)4，4a，4b數(shù)據(jù)信號(hào)線(源線)5，5’漏極提取線6輔助電容形成電極7夾層絕緣膜8，8’接觸孔9像素電極10玻璃11像素電極狹縫12，13，13’電極狹縫之間的連接部(電極狹縫的電連接部)20CF(濾色)基板21CF層22用于控制準(zhǔn)直的突起(用于垂直準(zhǔn)直的突起)23對置電極(共用電極)
24對置電極區(qū)域25電極狹縫之間的連接部(電極狹縫的電連接部)26根據(jù)第三實(shí)施例修補(bǔ)的部分27根據(jù)第四實(shí)施例的遮光膜28黑色矩陣29根據(jù)第五實(shí)施例的突起(標(biāo)記)30AM(有源)基板31修補(bǔ)用的熔化部(線34的交叉部)32接觸結(jié)構(gòu)(接觸孔)33電極34接觸孔之間的線35接觸孔8’的像素電極周圍發(fā)明的詳細(xì)描述用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板是一種用于顯示裝置上的基板，包括相互相對的有源矩陣基板和對置基板，顯示介質(zhì)層插入對置基板和有源矩陣基板之間，其中所述的有源矩陣基板包括以矩陣形式排列在顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極，所述的對置基板包括與顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極相對的共用電極。應(yīng)用了用于該顯示裝置的基板的顯示裝置最好是一種使用顯示系統(tǒng)的液晶顯示裝置，該顯示系統(tǒng)利用在像素電極和共用電極其中之一內(nèi)形成的電極狹縫劃分液晶分子的準(zhǔn)直，并且，例如最好是一種MVA型的液晶顯示裝置。而且，用于該顯示裝置的基板的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以是一種點(diǎn)反演型系統(tǒng)或線反演型系統(tǒng)等。而且，該顯示裝置可以是反射型或反射/透明型顯示裝置，以及透明型顯示裝置。此外，用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板適用于諸如電泳顯示裝置之類的包括像素電極的顯示裝置，以及液晶顯示裝置。用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板用作包含在上述顯示裝置中的有源矩陣基板或?qū)χ没?。有源矩陣基板可以是TFT(薄膜晶體管)陣列基板等，對置基板，例如，可以是濾色基板等。
上述用于顯示裝置的基板包括在像素電極和共用電極其中之一上形成的電極狹縫，最好是，電極狹縫的電連接部(電極狹縫之間的連接部)所形成的尺寸要使由電極狹縫劃分的電極彼此能用激光進(jìn)行單獨(dú)切割。在用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板是有源矩陣基板的情況下，電極狹縫形成在像素電極中，而在用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板是對置基板的情況下，電極狹縫形成在共用電極(對置電極)中。
上述電極狹縫的電連接部有三種方案(1)一種方案是電連接部設(shè)置在遮光區(qū)域的外部，(2)一種方案是電連接部設(shè)置在由不與相鄰像素的遮光部件相連的遮光部件形成的遮光區(qū)域中，和(3)一種方案是電連接部設(shè)置在遮光區(qū)域和至少一個(gè)用遮光部件的形狀標(biāo)記連接部所在的位置中。用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板可在該基板中包括根據(jù)上述方案(1)至(3)中任一所述的電極狹縫的電連接部，也可在該基板中包括根據(jù)兩種或多種方案所述的電極狹縫的電連接部。因此，在本發(fā)明中，在單個(gè)像素中，可存在根據(jù)上述方案(2)的不與相鄰像素相連的遮光部件和設(shè)置在根據(jù)上述方案(3)的電極狹縫的電連接部所在位置上的標(biāo)記。而且，在本發(fā)明中，電極狹縫的電連接部可位于遮光區(qū)域的內(nèi)部和外部中。
而且，該遮光區(qū)域沒有特別的限制，可以是遮蔽透射光的任何區(qū)域。例如，遮光區(qū)域最好是由至少下面其中一個(gè)的遮光部件形成(a)形成在有源矩陣基板上的金屬線，(b)形成在有源矩陣基板和對置基板其中之一上的黑色矩陣，(c)疊加在有源矩陣基板和對置基板其中之一上的許多顏色的濾色器。根據(jù)本發(fā)明，遮光區(qū)域可以形成在用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板上。此外，在用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板是有源矩陣基板的情況下，遮光區(qū)域可形成在對置基板上，而在用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板是對置基板的情況下，遮光區(qū)域可形成在有源矩陣基板上。
對于上述方案(1)，電極狹縫之間的連接部設(shè)置在遮光區(qū)域的外部。因此，即使在切除缺陷部的情況下，也不切除信號(hào)線和掃描線。這樣就能切除缺陷部，產(chǎn)生細(xì)微的缺陷而不會(huì)影響相鄰像素，而且顯著地減小了修補(bǔ)后對正常工作的像素電極的顯示質(zhì)量的影響。優(yōu)選的是，如圖1-1所示，在上述用于顯示裝置的基板是有源矩陣基板的情況下，電極狹縫之間的連接部設(shè)置在基板上沒有形成金屬線的區(qū)域中。
對于上述方案(2)，電極狹縫之間的連接部設(shè)置在不與相鄰像素的遮光部件相連的遮光部件的下面。更具體地說，如圖6所示，例如，設(shè)置在沒有分布金屬線區(qū)域中的電極狹縫之間的連接部設(shè)置在遮光部件，如黑色矩陣的下面。對于該方案，它能夠防止光泄漏等問題。此外，遮光部件(遮光部分)可以是金屬線、黑色矩陣和濾色器中許多顏色的疊加等。而且，對于上述方案(2)，設(shè)置電極狹縫之間連接部的遮光區(qū)域可由不與相鄰像素相連的遮光部件形成。通常，在該基板上，設(shè)有不與相鄰像素相連的遮光部件和與相鄰像素相連的遮光部件。在此情況下，不與相鄰像素相連的遮光部件和與相鄰像素相連的遮光部件可由相同材料或不同的材料形成。
對于上述方案(3)，電極狹縫之間的連接部所在的位置用遮光部件的形狀進(jìn)行標(biāo)記。因此，即使在電極狹縫之間的連接部設(shè)置在遮光區(qū)域中時(shí)，也能夠識(shí)別遮光部件下面的將被修補(bǔ)的部分。用遮光部件的形狀所做的標(biāo)記沒有特別的限制，可以是用作將被修補(bǔ)部分的可視標(biāo)記的任何標(biāo)記。例如，該標(biāo)記可以是三角形突起，矩形開口或突起等，或離散的球形圖案等，以及如圖7中標(biāo)記29所示的三角形開口。而且，表示電極狹縫之間的連接部所在位置的標(biāo)記可以形成在阻擋電極狹縫的電連接部的遮光部件上，或者可由其它部件形成。作為使用由其它部件形成的標(biāo)記的例子，CF基板上的BM(黑色矩陣)用于阻擋信號(hào)線，位于該遮光部件(BM)中的電極狹縫之間的連接部的位置用AM基板上的數(shù)據(jù)信號(hào)線的形狀進(jìn)行標(biāo)記。
在這些方案中，上述方案(1)特別是優(yōu)選的方案。
下文中將描述用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的基板的較佳方案。
上述用于顯示裝置的基板最好是有源矩陣基板，包括在其中形成電極狹縫的像素電極。這種有源矩陣基板的構(gòu)成最好在絕緣基板上包括掃描信號(hào)線、信號(hào)線、開關(guān)器件和輔助電容線，還包括夾層絕緣膜和像素電極，其中開關(guān)器件設(shè)置在掃描線和信號(hào)線的交叉點(diǎn)上，并包括與掃描線連接的柵電極、與信號(hào)線連接的源電極和與像素電極連接的漏極提取電極，該夾層絕緣膜包括許多接觸孔，這些接觸孔與許多位于絕緣層插入在其中的輔助電容線上的電容電極相連接，并將開關(guān)器件的漏極提取電極與像素電極相連接，而且電極狹縫形成在該接觸孔之間從而使它們能夠跨過輔助電容線。
對于上述方案，夾層絕緣膜設(shè)置在信號(hào)線、掃描信號(hào)線和開關(guān)器件上，接觸孔設(shè)置在該夾層絕緣膜上，像素電極設(shè)置在夾層絕緣膜的上方。在本發(fā)明中，優(yōu)選地，信號(hào)線和像素電極之間的夾層絕緣膜形成的厚度要充分地厚，以便即使在信號(hào)線和像素電極重疊時(shí)也能抑制電容的增大。這樣就允許使用信號(hào)線和像素電極重疊的一種結(jié)構(gòu)，以此能夠減小掩蓋像素電極周圍的準(zhǔn)直缺陷用的遮光膜區(qū)域(遮光區(qū)域)對于上述方案，像素電極通過接觸孔連接從每個(gè)像素的開關(guān)器件延伸的漏極提取電極，它能夠提供漏極電勢給像素電極。優(yōu)選地，在單個(gè)像素中具有許多漏極提取電極。進(jìn)一步優(yōu)選地，漏極提取電極直接連接在夾層絕緣膜下面的電容電極。即，例如，如圖1-1所示，開關(guān)器件3(例如，TFT器件)使用分支漏極提取電極5直接連接至夾層絕緣膜下面的輔助電容電極6。因此，在開關(guān)器件3和輔助電容線2之間產(chǎn)生垂直泄漏的情況下，即使遭受泄漏的部分的像素電極被分離，其余的像素電極也能夠用于顯示。
對于上述方案，接觸孔與許多位于絕緣層插入在其中的輔助電容線上的各個(gè)電容電極相連接，并將開關(guān)器件的漏極提取電極與像素電極相連接。即，對于上述方案，在輔助電容線上形成許多電容電極，與像素電極連接的接觸孔設(shè)置在各個(gè)電容電極上。對于上述方案，像素電極中的電極狹縫的設(shè)置要使它們能夠跨過許多(兩個(gè)以上)接觸孔的至少兩個(gè)接觸孔之間的輔助電容線。在本申請中，術(shù)語“以上”包括本數(shù)。而且，優(yōu)選地，與上述接觸孔連接的電容電極彼此之間是獨(dú)立的。對于這樣的方案，即使與一個(gè)接觸孔連接的像素電極區(qū)域由于垂直泄漏而被切除，其它電容電極也能發(fā)揮作用，以此充分地抑制了修補(bǔ)后由于輔助電容的原因而導(dǎo)致液晶顯示質(zhì)量的下降。
對于本發(fā)明，在設(shè)有電極狹縫的像素電極部分中由于導(dǎo)電雜質(zhì)等產(chǎn)生電氣短路，由此導(dǎo)致像素缺陷的情況下，電極狹縫的電連接部采用一種如激光照射的方法進(jìn)行切除以能使遭受電氣短路的區(qū)域與其它區(qū)域相分離從而修補(bǔ)像素缺陷。結(jié)果是，在修補(bǔ)后，遭受電氣短路的像素電極與其它像素電極斷開連接。這種修補(bǔ)與接觸孔連接的像素電極與其它像素電極斷開連接的像素缺陷后的方案也可以是本發(fā)明的一種優(yōu)選方案。
根據(jù)上述方案的用于顯示裝置的基板優(yōu)選被構(gòu)造成電極狹縫的電連接部存在于漏極提取電極上。在此情況下，例如，在通過接觸孔與漏極提取電極相連接的像素電極區(qū)域中產(chǎn)生垂直泄漏因此必須切除該區(qū)域的情況下，只有電極狹縫之間的連接部需要通過激光照射進(jìn)行切斷，以便切除遭受該缺陷的像素電極，而不需要單獨(dú)激光切除漏極提取電極、以及電極狹縫之間的連接部。這樣就能簡化像素缺陷的修補(bǔ)。
根據(jù)上述方案的用于顯示裝置的基板優(yōu)選被構(gòu)造成使靠近電極狹縫的許多信號(hào)線并行分布，各個(gè)信號(hào)線局部相互連接。在將被激光切除的電極狹縫之間的連接部靠近信號(hào)線存在時(shí)，在激光切除過程中信號(hào)線可與電極狹縫之間的連接部一起切除。因此，希望采取對策以能保證在線路被切除的情況下數(shù)據(jù)信號(hào)的另一條通道。例如，如圖8所示，最好是靠近將被修補(bǔ)部分的數(shù)據(jù)信號(hào)線4(信號(hào)線)并行分布，各自的數(shù)據(jù)信號(hào)線4局部相互連接，以便即使在激光切除過程中切除數(shù)據(jù)信號(hào)線4的一個(gè)線4b，數(shù)據(jù)信號(hào)也能夠通過其它的線4a形成回路。對于在用激光照射進(jìn)行切除部分的信號(hào)線的數(shù)量沒有特別的限制，可以是超過一個(gè)的任何數(shù)量。如圖8所示，可設(shè)置兩個(gè)信號(hào)線，也可設(shè)置至少兩個(gè)信號(hào)線。
而且，根據(jù)上述方案的用于顯示裝置的基板的構(gòu)成最好包括修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，用于將相鄰像素的漏極電勢提供給設(shè)有電極狹縫的像素電極。例如，該修補(bǔ)結(jié)構(gòu)可以是一種包括像素連接電極、修補(bǔ)電極部和接觸孔的結(jié)構(gòu)，該像素連接電極通過絕緣層橋接相鄰的像素，修補(bǔ)電極部設(shè)置在層上的相鄰像素中，接觸孔連接像素電極并設(shè)置在修補(bǔ)電極部上。通常，在與接觸孔連接的像素電極中產(chǎn)生垂直泄漏的情況下，其中接觸孔是提供漏極電勢給像素電極的源，如果該部分被切除，那么將不會(huì)有信號(hào)提供至其余像素電極，會(huì)導(dǎo)致在全部像素上產(chǎn)生缺陷。在此情況下，例如，如圖9所示，通過設(shè)置修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，如相互連接相鄰像素的接觸結(jié)構(gòu)32，用于提供相鄰像素的漏極電勢，在與接觸孔8連接的像素電極發(fā)生故障的情況下，該像素電極能夠通過激光切割進(jìn)行分離，然后與接觸孔8a連接的電極33和線34之間的交叉部31能夠通過激光照射形成導(dǎo)電，以便將實(shí)質(zhì)上正常的漏極電勢提供給其余的像素電極以對它們進(jìn)行操作，由此充分地抑制顯示質(zhì)量的下降，其中線34位于相鄰像素電極的電極33之間以使它交叉電極33。
優(yōu)選方案是，上述用于顯示裝置的基板是一個(gè)包括設(shè)有電極狹縫的共用電極的對置基板。而且，優(yōu)選的是，上述對置基板是濾色(CF)基板。優(yōu)選的是，上述電極狹縫形成在遮光區(qū)域的外部。如上所述，通過在遮光區(qū)域的外部的共用電極(對置電極)中設(shè)置狹縫圖案，能將共用電極劃分為更狹窄的區(qū)域。在此情況下，優(yōu)選的是電極狹縫之間的連接部(切分部)也設(shè)置在遮光區(qū)域的外部。
可根據(jù)上述方案(1)至(3)設(shè)置上述電極狹縫的電連接部，例如，它們的設(shè)置最好能夠如圖4-1所示包圍電極區(qū)域24。在此情況下，如果電極區(qū)域24中產(chǎn)生垂直泄漏時(shí)，遭受垂直泄漏的部分就能夠通過激光切割狹縫連接部25進(jìn)行切除，在狹縫連接部25周圍能夠使該部分成為最小的獨(dú)立電極。在此情況下，激光的輸出和波長隨CF的薄膜的厚度和薄膜的質(zhì)量而變化，必須為確定執(zhí)行切除進(jìn)行調(diào)整。
在上述方案中，濾色層如常用方式形成在CF基板上時(shí)，紅色濾色層上的電極圖案將不會(huì)吸收紅外激光的能量，由此能夠使用紅外激光修補(bǔ)電極，而其它濾色層(綠色和藍(lán)色等)將會(huì)吸收紅外激光的能量，因此可以進(jìn)行切除。所以希望對此采取對策，例如，為了遮蔽在激光切割修補(bǔ)后的光泄漏，通過將遮光金屬放置在與CF基板相對的基板(AM基板)上。通過使用這種根據(jù)倫琴(roentgen)應(yīng)用所使用的單色型顯示裝置或具有CF-on-TFT(TFT陣列上的濾色)結(jié)構(gòu)的顯示裝置方案的用于顯示裝置的基板，就能夠執(zhí)行激光切除而不會(huì)產(chǎn)生問題，其中CF-on-TFT結(jié)構(gòu)在TFT基板上具有CF圖案(例如，正如JP-P No.2001-147555中所述的)。
本發(fā)明還提供一種在用于顯示裝置的基板中產(chǎn)生短路的顯示裝置的修補(bǔ)方法，其中，在有源矩陣基板和對置基板上的電極之間產(chǎn)生電氣短路的情況下，產(chǎn)生故障的部分從至少其中一個(gè)基板的后表面用激光照射進(jìn)行切除。通常，垂直泄漏是由TFT處理、CF處理和液晶處理期間粘附的導(dǎo)電雜質(zhì)引起的，為了發(fā)現(xiàn)垂直泄漏，就必須在有源矩陣基板和對置基板相互連接情況下進(jìn)行照明檢查。因此，在上述修補(bǔ)方法中，激光照射是從任何其中這些基板中的一個(gè)的后表面，即從玻璃表面?zhèn)仁┘拥摹?br>
優(yōu)選的是，這種激光照射作用于設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的用于顯示裝置的基板中的電極狹縫之間的連接部上，并通過使用用于切除缺陷部的激光照射切斷缺陷部周圍的電極狹縫之間的連接部，產(chǎn)生垂直泄漏的部分就會(huì)形成難于識(shí)別為一種缺陷的細(xì)微缺陷，由此抑制顯示裝置顯示質(zhì)量的下降，并提高合格率。
優(yōu)選的是，在顯示裝置的修補(bǔ)方法中，其中使用釔鋁石榴石(YAG)激光的基波(波長為1064nm)，釔鋁石榴石激光是一種能夠比紫外線波更容易穿透玻璃的紅外照射光(IR)。
本發(fā)明還提供一種用于顯示裝置的基板中電氣短路的修補(bǔ)方法，其中，如果漏極提取電極和輔助電容線之間發(fā)生電氣短路，產(chǎn)生故障的部分就從有源矩陣基板的像素電極側(cè)用激光照射進(jìn)行切除。用作這種修補(bǔ)方法的用于顯示裝置的基板是有源矩陣基板。通常，在漏極提取電極和輔助電容線之間產(chǎn)生電氣短路(D-Cs泄漏)的情況下，在已經(jīng)完成有源矩陣基板的構(gòu)圖時(shí)，該缺陷部能從視覺上進(jìn)行識(shí)別，因此，在上述修補(bǔ)方法中，激光照射是從有源矩陣基板的像素電極側(cè)，即與玻璃表面正對的表面?zhèn)仁┘拥摹?br>
對用激光進(jìn)行照射的部分沒有特別的限制，可以是能夠分離缺陷部的任何部分。例如，如圖10所示，可切除接觸孔8’上或其周圍的像素電極的周圍面積35，并且可用激光照射進(jìn)行切除與接觸孔8’連接的漏極提取線5’，其中D-Cs泄漏在接觸孔8’中可以進(jìn)行視覺觀察。但是，更希望切除根據(jù)本發(fā)明的用于顯示裝置的基板中電極狹縫之間的連接部，例如，圖10中電極狹縫13之間的連接部，因?yàn)檫@樣就能充分地抑制準(zhǔn)直缺陷。在上述用于顯示裝置的基板的修補(bǔ)方法中，優(yōu)選的是使用釔鋁石榴石(YAG)激光的四次諧波分量(波長為266nm)。
而且，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包括用于顯示裝置的基板，其中所述液晶顯示裝置通過電極狹縫劃分液晶分子的準(zhǔn)直。
上述液晶顯示裝置優(yōu)選的是MVA型液晶顯示裝置。但是，對該液晶顯示裝置沒有特別的限制，可以是通過形成在像素電極中的電極狹縫劃分液晶分子準(zhǔn)直的任何液晶顯示裝置。而且，用于液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以是點(diǎn)反演型系統(tǒng)或線反演型系統(tǒng)。此外，顯示裝置可以是反射型或反射/透射型顯示裝置，以及透射型顯示裝置。
液晶顯示裝置使用上述用于顯示裝置的基板作為有源矩陣基板或?qū)χ没逡允谷毕荩绱怪比毕?、D-Cs泄漏或形成在輔助電容線上的電容電極與信號(hào)線之間的電氣短路成為細(xì)微的缺陷，其很難識(shí)別為一種缺陷，以此抑制顯示質(zhì)量的下降，并提高產(chǎn)品的合格率，如上所述構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的用于顯示裝置的基板，因此能夠使由粘附導(dǎo)電雜質(zhì)引起的垂直泄漏的部分產(chǎn)生細(xì)微的缺陷，其很難識(shí)別為一種缺陷，同時(shí)保持優(yōu)越的顯示質(zhì)量并提高產(chǎn)品的合格率。此外，根據(jù)本發(fā)明的用于顯示裝置的基板還能夠克服缺陷模式，如、D-Cs泄漏或形成在輔助電容線上的電容電極與信號(hào)線之間的電氣短路，因此能夠適用于液晶顯示屏和大屏幕液晶電視等，它們需要性能優(yōu)越的屏幕質(zhì)量。
優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。雖然下面的實(shí)施例是有關(guān)透射型液晶顯示裝置進(jìn)行描述的，但是本發(fā)明并不僅局限于這些實(shí)施例。
(第一實(shí)施例)圖2示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3示意性地圖示包含在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示裝置100中有源矩陣基板上的像素電極形狀的平面圖。
液晶顯示裝置100包括一對對置基板和設(shè)置在濾色基板20上的塑料隔條或圓柱型樹脂元件等，其中塑料隔條用作隔片(未圖示)以保持基板之間的空間恒定不變。液晶顯示裝置100是有源矩陣型液晶顯示裝置，并包括濾色基板20和有源矩陣基板30，有源矩陣基板30包括開關(guān)器件，如TFT等。
下文中，將描述有源矩陣基板30(AM基板)30的制造方法。
金屬，如Ti/Al/Ti疊層膜通過濺射沉積在透明基板10上，使用照相平版印刷術(shù)方法形成抗蝕劑圖案，使用蝕刻氣體，如基于氯的氣體進(jìn)行干刻蝕，然后去除抗蝕劑以能同時(shí)形成掃描信號(hào)線(柵極線，掃描線)1和輔助電容線2。然后，由氮化硅(SiNx)等形成的柵極絕緣膜、由非晶硅等形成的有源半導(dǎo)體層和由攙雜了磷的非晶硅等形成的低阻半導(dǎo)體層使用化學(xué)氣相淀積(CVD)進(jìn)行沉積。然后，金屬，如Ti/Al等通過濺射進(jìn)行沉積，使用照相平版印刷術(shù)方法形成抗蝕劑圖案，使用蝕刻氣體，如基于氯的氣體進(jìn)行干刻蝕，然后去除抗蝕劑以能同時(shí)形成數(shù)據(jù)信號(hào)線(源極線，信號(hào)線)4、漏極提取線5和輔助電容形成電極(輔助電容電極)6。此外，輔助電容由厚度大約為4000埃的柵極絕緣膜形成，該柵極絕緣膜夾在輔助電容線2和輔助電容形成電極6之間。然后，低阻半導(dǎo)體膜通過使用了基于氯的氣體的干蝕刻被分離為源極和漏極以能形成TFT器件3。接著，由丙烯酸感光樹脂形成的夾層絕緣膜7通過旋涂施加在其上面，然后使用照相平版印刷術(shù)方法形成用于建立漏極提取線5和像素電極9之間電連接的接觸孔8。夾層絕緣膜7的厚度大約為3微米。而且，像素電極9和準(zhǔn)直膜(未圖示)依次地形成。此外，本實(shí)施例是一個(gè)MVA(多域垂直準(zhǔn)直)型液晶顯示裝置的實(shí)施例，由ITO等形成的像素電極9設(shè)有狹縫圖案11。更具體地說，通過濺射沉積成膜，使用照相平版印刷術(shù)方法形成抗蝕劑圖案，然后它通過使用氯化鐵等制成的蝕刻液體進(jìn)行蝕刻以能形成如圖3所示的像素電極圖案。如上所述，提供有源矩陣基板30。
另一方面，濾色基板(CF基板)20包括透明基板10上的由三種原色(紅、綠和藍(lán))彩色層和黑色矩陣(BM)28等構(gòu)成的濾色層21，對置電極(共用電極)23，準(zhǔn)直膜(未圖示)和用于控制準(zhǔn)直的突起22。包含炭微粒分散在其中的負(fù)極型丙烯酸感光樹脂液體通過旋施加用于透明基板10上，然后經(jīng)過干燥形成黑色感光樹脂層。然后，黑色感光樹脂層通過光掩模進(jìn)行曝光，然后它經(jīng)過顯影形成黑色矩陣層(BM)。此時(shí)，形成BM以使在分別形成第一彩色層(例如，紅色層)、第二彩色層(例如，綠色層)和第三彩色層(例如，藍(lán)色層)的區(qū)域中形成用于第一彩色層的開口、用于第二彩色層的開口和用于第三彩色層的開口。
然后，包含分散在其中的色素的負(fù)極型丙烯酸感光樹脂液體施加至第一彩色層的開口上，接著對其進(jìn)行干燥、通過光掩模進(jìn)行曝光，并經(jīng)過顯影形成第一彩色層(紅色層)。然后，同樣形成第二彩色層(例如，綠色層)和第三彩色層(例如，藍(lán)色層)，因此完成了濾色層21的形成工程。接著，通過濺射形成由ITO等制成的透明電極(對置電極)23。隨后，通過旋涂將正極型苯酚酚醛感光樹脂施加至其上面，然后對其進(jìn)行干燥、通過光掩模進(jìn)行曝光，并經(jīng)過顯影形成垂直準(zhǔn)直的突起22。如上所述，設(shè)置濾色基板20。
在本實(shí)施例中，如圖3所示，用于MVA系統(tǒng)的電極狹縫之間的連接部(電極狹縫的電連接部)13位于金屬線(數(shù)據(jù)信號(hào)線)4的外部。因此，即使在缺陷部通過來自AM基板30的后表面的激光照射而從像素電極9進(jìn)行切除時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)線4也不會(huì)被切斷。這樣就能切除缺陷部，而不會(huì)影響相鄰像素，以使該缺陷部只有細(xì)微的缺陷。此外，雖然電極狹縫13之間的連接部重新定位于金屬線4的外部會(huì)使電極狹縫13之間的連接部周圍產(chǎn)生不好的準(zhǔn)直，但是所有像素的顯示質(zhì)量不會(huì)因此受到影響。而且，在切除根據(jù)本發(fā)明的電極狹縫13之間的連接部時(shí)，電極狹縫的形狀就接近于MVA系統(tǒng)的原來像素電極狹縫的形狀，以此在修補(bǔ)后對正常工作的像素電極的顯示質(zhì)量產(chǎn)生極小的影響。
(第二實(shí)施例)圖4-1示意性地圖示包含在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示裝置中CF基板上的對置電極形狀的平面圖。在本實(shí)施例中，將描述本發(fā)明適用于一種垂直準(zhǔn)直22用的突起設(shè)置在位于MVA型液晶顯示裝置的AM基板上的電極上和與AM基板正對的CF基板上的電極23設(shè)有狹縫11的結(jié)構(gòu)。
在圖4-1中，顯示的是根據(jù)本實(shí)施例的CF基板上的對置電極23的圖案，本實(shí)施例能夠切除產(chǎn)生垂直泄漏的部分。在圖4-1中，狹縫25之間的連接部設(shè)置成環(huán)繞電極區(qū)域24，如果電極區(qū)域24中產(chǎn)生垂直泄漏，產(chǎn)生垂直泄漏的部分就通過激光切除狹縫25之間的連接部進(jìn)行分離，以使該部分形成最小的獨(dú)立電極。在此情況下，激光的輸出和波長根據(jù)CF的膜厚度和膜質(zhì)量而改變，必須為了確保實(shí)現(xiàn)切除而進(jìn)行調(diào)節(jié)。
通過使用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠執(zhí)行激光切除修補(bǔ)而不會(huì)產(chǎn)生倫琴應(yīng)用所使用的單色型顯示裝置或具有CF-on-TFT結(jié)構(gòu)(TFT陣列上的濾色器)的顯示裝置中存在的問題，CF-on-TFT結(jié)構(gòu)在TFT基板上具有CF圖案。
但是，在按照常用方式在CF基板上形成彩色層時(shí)，紅色層將不會(huì)吸收紅外線的能量，以此能夠通過使用紅外激光而修補(bǔ)紅色層上的電極圖案，而其它彩色層(綠色和藍(lán)色等)將會(huì)吸收紅外激光的能量，因此要被切除。所以，希望對此采取對策，例如，為了遮蔽在激光切割修補(bǔ)后的光泄漏，通過將遮光金屬放置在對置基板上。
(第三實(shí)施例)圖5示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
在修補(bǔ)垂直缺陷時(shí)，在TFT基板和CF基板相互連接情況下，使用基板后表面的激光照射切除內(nèi)部電極連接部，因此，在連接部和基板之間存在金屬線時(shí)，金屬線可以與連接部一起進(jìn)行切除。因此，本發(fā)明的特征在于該連接部形成在金屬線的外部。在本實(shí)施例中，如圖5所示，在包括位于輔助電線2上的許多獨(dú)立接觸孔8，8’的像素結(jié)構(gòu)中，獨(dú)立接觸孔8，8’用于將漏極電勢提供給像素電極9，其中相應(yīng)的接觸孔8，8’連接漏極提取電極5’，如果在與接觸孔8’連接的像素電極區(qū)域中產(chǎn)生垂直泄漏，與接觸孔8’連接的漏極提取電極5’和電極狹縫13’之間的連接部就通過激光切除進(jìn)行切割。通過將電極狹縫13’之間的連接部設(shè)置在將被切除的金屬線的部分26上，該部分在產(chǎn)生垂直泄漏的情況下如上所述需要進(jìn)行切除，就能夠減輕使用激光照射進(jìn)行切除的工作。因此，電極狹縫13之間的連接部能被放置在修補(bǔ)垂直泄漏時(shí)而被切除的金屬線上。
(第四實(shí)施例)圖6示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的用于顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
在修補(bǔ)垂直缺陷時(shí)，在TFT基板和CF基板相互連接情況下，使用基板后表面的激光照射切除內(nèi)部電極連接部，因此，在連接部與遮光部件，如黑色矩陣(BM)或金屬線重疊時(shí)，經(jīng)過激光切除修補(bǔ)的部分將不可見。因此，雖然第一至第三實(shí)施例使用了內(nèi)部電極連接部沒有放置在遮光部件的下面的結(jié)構(gòu)，但是不與相鄰像素的遮光部件相連的遮光部件27可放置在將被切除的部分上面，以能防止如圖6所示的光泄漏。
(第五實(shí)施例)圖7A和7B示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的用于顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
雖然在第四實(shí)施例中已經(jīng)描述電極狹縫13之間連接部可以放置在不與相鄰像素相連的遮光部件(圖6中27)的下面，但是電極狹縫13之間的連接部可以放置在與相鄰像素的遮光部件相連的遮光部件(例如，黑色矩陣28)的下面，可以將遮光部件中將被修補(bǔ)部分的標(biāo)記29放置在如圖7所示的遮光部件下面與遮光部件重疊，該標(biāo)記29能夠容易地識(shí)別將被修補(bǔ)的部分。雖然在圖7中顯示的是三角形標(biāo)記29作為標(biāo)記29的舉例圖案，但是將被修補(bǔ)部分的標(biāo)記可以是其它的圖案，如矩形圖案，與遮光部件無關(guān)的圖案。
(第六實(shí)施例)圖8A和8B示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的用于顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。8C示意性地圖示(a)和(b)中沿線A-A截面的用于顯示裝置的基板的剖視圖。
在電極狹縫13之間具有連接部時(shí)，即，靠近信號(hào)線(例如，數(shù)據(jù)信號(hào)線4)的用激光照射進(jìn)行切除的部分，在激光切除過程中信號(hào)線可與電極狹縫13之間的連接部一起切除。因此，如圖8A和8B所示，靠近將被修補(bǔ)部分的數(shù)據(jù)信號(hào)線4被并置和局部相互連接。因此，如果在激光切除過程中切除數(shù)據(jù)信號(hào)線4的一個(gè)線4b，數(shù)據(jù)信號(hào)會(huì)通過其它線4b形成回路。雖然在圖8中靠近由激光照射進(jìn)行切除的部分設(shè)置兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線4，但是可設(shè)置兩個(gè)以上數(shù)據(jù)信號(hào)線4。
(第七實(shí)施例)圖9示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的用于顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。
在與接觸孔連接的像素電極中產(chǎn)生垂直泄漏的情況下，其中接觸孔是漏極電勢的源，如果切除缺陷部，那么其余像素電極將不會(huì)供給信號(hào)，因此使整個(gè)像素產(chǎn)生缺陷。因此，如圖9所示，例如，形成將相鄰像素進(jìn)行相互連接的接觸結(jié)構(gòu)32。所以，在產(chǎn)生缺陷的情況下，為了將漏極電勢提供給像素電極9，該電極9作為用激光切除分離連接接觸孔8的像素電極9的結(jié)果而設(shè)置成離散的，位于相鄰電極33之間以使其與之交叉的線34的交叉部31和連接接觸孔8a的電極33使用激光照射形成導(dǎo)通。接觸孔8a下面的電極33和接觸孔之間的線34通過絕緣層相互交叉。對于上述修補(bǔ)方法，在接觸孔8產(chǎn)生故障的情況下，其余像素電極可從相鄰像素供給實(shí)質(zhì)上正常的漏極電勢，由此而發(fā)揮其功能。圖9是本發(fā)明的一個(gè)例子，它能夠使用任何其它的結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)能夠從相鄰像素提供漏極電勢，并不會(huì)由于布置了這些結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生顯示質(zhì)量的降低。
(第八實(shí)施例)圖10示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的用于顯示裝置的基板上的像素電極形狀的平面圖。在本實(shí)施例中，將描述一種D-Cs泄漏的修補(bǔ)方法。
D-Cs泄漏是一種漏極電極和輔助電容線之間產(chǎn)生的缺陷模式，因此，能識(shí)別該缺陷部，并用激光從膜表面?zhèn)?像素電極側(cè))進(jìn)行修補(bǔ)，在完成有源矩陣基板的構(gòu)圖時(shí)，作為一種修補(bǔ)它們的方法，如圖10所示，接觸孔8’上或其周圍的像素電極的周圍面積35和連接該接觸孔8’的漏極提取線5’用激光照射進(jìn)行切除，其中D-Cs泄漏在接觸孔8’中可用視覺進(jìn)行觀察。用于修補(bǔ)的激光，例如，可以是YAG激光等的四次諧波分量(其波長為266nm)。雖然在圖10中電極的周圍面積被切斷成將被修補(bǔ)部分35的形狀，但是更希望切除電極狹縫13之間的連接部，因?yàn)檫@樣將不會(huì)產(chǎn)生準(zhǔn)直缺陷。
(其它實(shí)施例)雖然在第一至第八實(shí)施例中，已經(jīng)將MVA系統(tǒng)作為舉例，但是本發(fā)明也可適用于其它顯示系統(tǒng)，這些顯示系統(tǒng)使用電極狹縫劃分液晶分子的準(zhǔn)直。而且，本發(fā)明適用于其它的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，如點(diǎn)反演型系統(tǒng)或線反演型系統(tǒng)。
該非臨時(shí)申請根據(jù)35U.S.C 119(a)要求2004年5月28日在日本提出的專利申請No.2004-160115的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此做參考引用。
權(quán)利要求
1.一種用于顯示裝置的基板，包括相互相對的有源矩陣基板和對置基板，顯示介質(zhì)層插入對置基板和有源矩陣基板之間，所述有源矩陣基板包括以矩陣形式排列在顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極，而且所述對置基板包括與顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極相對的共用電極，其中上述用于顯示裝置的基板包括在像素電極和共用電極其中之一上形成的電極狹縫；而且上述電極狹縫的至少其中一個(gè)電連接部設(shè)置在遮光區(qū)域的外部。
2.如權(quán)利要求1所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由形成在有源矩陣基板上的金屬線形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由形成在有源矩陣基板和對置基板其中之一上的黑色矩陣形成的。
4.如權(quán)利要求1所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由疊加在有源矩陣基板和對置基板其中之一上形成的濾色器中的許多顏色形成的。
5.如權(quán)利要求1所述的用于顯示裝置的基板，其中上述顯示裝置的基板是包括設(shè)有電極狹縫的像素電極的有源矩陣基板，其中所述有源矩陣基板在絕緣基板上包括掃描線、信號(hào)線、開關(guān)器件和輔助電容線，還包括夾層絕緣膜和像素電極；其中所述開關(guān)器件設(shè)置在掃描線和信號(hào)線的交叉點(diǎn)上，并包括與掃描線連接的柵電極，與信號(hào)線連接的源電極，和與像素電極連接的漏極提取電極；所述夾層絕緣膜包括許多接觸孔，這些接觸孔與許多位于絕緣層插入在其中的輔助電容線上的電容電極相連接，并將開關(guān)器件的漏極提取電極與像素電極相連接；和電極狹縫形成在所述接觸孔之間從而使它們能夠跨過輔助電容線。
6.如權(quán)利要求5所述的用于顯示裝置的基板，其中與接觸孔連接的像素電極相互不連接。
7.如權(quán)利要求5所述的用于顯示裝置的基板，其中在單個(gè)像素中設(shè)有許多漏極提取電極。
8.如權(quán)利要求5所述的用于顯示裝置的基板，其中所述漏極提取電極直接連接至夾層絕緣膜下面的電容電極。
9.如權(quán)利要求5所述的用于顯示裝置的基板，其中所述電極狹縫的電連接部存在于漏極提取電極上。
10.如權(quán)利要求5所述的用于顯示裝置的基板，其中靠近電極狹縫的許多信號(hào)線并行分布，而且相應(yīng)的信號(hào)線局部相互連接。
11.如權(quán)利要求5所述的用于顯示裝置的基板，其中設(shè)置修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，用于將來自相鄰像素的漏極電勢提供給設(shè)有電極狹縫的像素電極。
12.如權(quán)利要求1所述的用于顯示裝置的基板，其中上述用于顯示裝置的基板是一個(gè)包括設(shè)有電極狹縫的共用電極的對置基板。
13.如權(quán)利要求12所述的用于顯示裝置的基板，其中上述電極狹縫形成在遮光區(qū)域的外部。
14.一種修補(bǔ)在如權(quán)利要求1所述用于顯示裝置的基板中產(chǎn)生電短路的顯示裝置的修補(bǔ)方法，其中，在有源矩陣基板和對置基板上的電極之間產(chǎn)生電短路的情況下，產(chǎn)生故障的部分從至少其中一個(gè)基板的后表面用激光照射進(jìn)行切除。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置的修補(bǔ)方法，其中使用釔鋁石榴石激光的基波。
16.一種修補(bǔ)如權(quán)利要求5所述的用于顯示裝置的基板中電短路的方法，其中，在漏極提取電極和輔助電容線之間發(fā)生電短路的情況下，產(chǎn)生故障的部分從有源矩陣基板的像素電極側(cè)用激光照射進(jìn)行切除。
17.如權(quán)利要求16所述的用于顯示裝置的基板的修補(bǔ)方法，其中使用釔鋁石榴石激光的四次諧波。
18.一種包括如權(quán)利要求1所述用于顯示裝置的基板的液晶顯示裝置，其中所述液晶顯示裝置通過電極狹縫劃分液晶分子的準(zhǔn)直。
19.一種用于顯示裝置的基板，包括相互相對的有源矩陣基板和對置基板，顯示介質(zhì)層插入對置基板和有源矩陣基板之間，所述的有源矩陣基板包括以矩陣形式排列在顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極，所述的對置基板包括與顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極相對的共用電極，其中上述用于顯示裝置的基板包括在像素電極和共用電極其中之一上形成的電極狹縫；而且上述電極狹縫的至少其中一個(gè)電連接部設(shè)置在遮光區(qū)域中，該遮光區(qū)域是由不與相鄰像素的遮光部件相連的遮光部件形成。
20.如權(quán)利要求19所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由形成在有源矩陣基板上的金屬線形成。
21.如權(quán)利要求19所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由形成在有源矩陣基板和對置基板其中之一上的黑色矩陣形成。
22.如權(quán)利要求19所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由疊加在有源矩陣基板和對置基板其中之一上形成的濾色器中的許多顏色形成的。
23.如權(quán)利要求19所述的用于顯示裝置的基板，其中所述用于顯示裝置的基板是有源矩陣基板，所述有源矩陣基板包括設(shè)有電極狹縫的像素電極，其中所述有源矩陣基板在絕緣基板上包括掃描線、信號(hào)線、開關(guān)器件和輔助電容線，還包括夾層絕緣膜和像素電極；其中所述開關(guān)器件設(shè)置在掃描線和信號(hào)線的交叉點(diǎn)上，并包括與掃描線連接的柵電極，與信號(hào)線連接的源電極，和與像素電極連接的漏極提取電極；所述夾層絕緣膜包括許多接觸孔，這些接觸孔與許多位于絕緣層插入在其中的輔助電容線上的電容電極相連接，并將開關(guān)器件的漏極提取電極與像素電極相連接；而且電極狹縫形成在所述接觸孔之間，從而使它們能夠跨過輔助電容線。
24.如權(quán)利要求23所述的用于顯示裝置的基板，其中與接觸孔連接的像素電極相互不連接。
25.如權(quán)利要求23所述的用于顯示裝置的基板，其中在單個(gè)像素中設(shè)有許多漏極提取電極。
26.如權(quán)利要求23所述的用于顯示裝置的基板，其中所述漏極提取電極直接連接至夾層絕緣膜下面的電容電極。
27.如權(quán)利要求23所述的用于顯示裝置的基板，其中所述電極狹縫的電連接部存在于漏極提取電極上。
28.如權(quán)利要求23所述的用于顯示裝置的基板，其中靠近電極狹縫的許多信號(hào)線并行分布，并且相應(yīng)的信號(hào)線局部相互連接。
29.如權(quán)利要求23所述的用于顯示裝置的基板，其中設(shè)置修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，用于將相鄰像素的漏極電勢提供給設(shè)有電極狹縫的像素電極。
30.如權(quán)利要求19所述的用于顯示裝置的基板，其中上述用于顯示裝置的基板是一個(gè)包括共用電極的對置基板，所述共用電極設(shè)有電極狹縫。
31.如權(quán)利要求30所述的用于顯示裝置的基板，其中上述電極狹縫形成在遮光區(qū)域的外部。
32.一種修補(bǔ)在如權(quán)利要求19所述的用于顯示裝置的基板中產(chǎn)生電短路的顯示裝置的修補(bǔ)方法，其中，在有源矩陣基板和對置基板上的電極之間產(chǎn)生電短路的情況下，產(chǎn)生故障的部分從至少其中一個(gè)基板的后表面?zhèn)扔眉す庹丈溥M(jìn)行切除。
33.如權(quán)利要求32所述的顯示裝置的修補(bǔ)方法，其中使用釔鋁石榴石激光的基波。
34.一種修補(bǔ)如權(quán)利要求23所述的用于顯示裝置的基板中電短路的方法，其中，在漏極提取電極和輔助電容線之間發(fā)生電短路的情況下，產(chǎn)生故障的部分從有源矩陣基板的像素電極側(cè)用激光照射進(jìn)行切除。
35.如權(quán)利要求34所述的用于顯示裝置的基板的修補(bǔ)方法，其中使用釔鋁石榴石激光的四次諧波。
36.一種包括如權(quán)利要求19所述用于顯示裝置的基板的液晶顯示裝置，其中所述液晶顯示裝置通過電極狹縫劃分液晶分子的準(zhǔn)直。
37.一種用于顯示裝置的基板，包括相互相對的有源矩陣基板和對置基板，顯示介質(zhì)層插入對置基板和有源矩陣基板之間，所述的有源矩陣基板包括以矩陣形式排列在顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極，而且所述的對置基板包括與顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極相對的共用電極，其中上述用于顯示裝置的基板包括在像素電極和共用電極其中之一上形成的電極狹縫；而且上述電極狹縫的至少其中一個(gè)電連接部設(shè)置在遮光區(qū)域中，而且至少一個(gè)電連接部所在的位置用遮光部件的形狀進(jìn)行標(biāo)記。。
38.如權(quán)利要求37所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由形成在有源矩陣基板上的金屬線形成。
39.如權(quán)利要求37所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由形成在有源矩陣基板和對置基板其中之一上的黑色矩陣形成。
40.如權(quán)利要求37所述的用于顯示裝置的基板，其中所述遮光區(qū)域是由疊加在有源矩陣基板和對置基板其中之一上形成的濾色器中的許多顏色形成的。
41.如權(quán)利要求37所述的用于顯示裝置的基板，其中所述用于顯示裝置的基板是有源矩陣基板，所述有源矩陣基板包括設(shè)有電極狹縫的像素電極，其中所述有源矩陣基板在絕緣基板上包括掃描線、信號(hào)線、開關(guān)器件和輔助電容線，還包括夾層絕緣膜和像素電極；其中所述開關(guān)器件設(shè)置在掃描線和信號(hào)線的交叉點(diǎn)上，并包括與掃描線連接的柵電極，與信號(hào)線連接的源電極，和與像素電極連接的漏極提取電極；所述夾層絕緣膜包括許多接觸孔，這些接觸孔與許多位于絕緣層插入在其中的輔助電容線上的電容電極相連接，并將開關(guān)器件的漏極提取電極與像素電極相連接；而且電極狹縫形成在所述接觸孔之間從而使它們能夠跨過輔助電容線。
42.如權(quán)利要求41所述的用于顯示裝置的基板，其中與接觸孔連接的像素電極相互不連接。
43.如權(quán)利要求41所述的用于顯示裝置的基板，其中在單個(gè)像素中設(shè)有許多漏極提取電極。
44.如權(quán)利要求41所述的用于顯示裝置的基板，其中所述漏極提取電極直接連接至夾層絕緣膜下面的電容電極。
45.如權(quán)利要求41所述的用于顯示裝置的基板，其中所述電極狹縫的電連接部存在于漏極提取電極上。
46.如權(quán)利要求41所述的用于顯示裝置的基板，其中靠近電極狹縫的許多信號(hào)線并行分布，并且相應(yīng)的信號(hào)線局部相互連接。
47.如權(quán)利要求41所述的用于顯示裝置的基板，其中設(shè)置修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，用于將來自相鄰像素的漏極電勢提供給設(shè)有電極狹縫的像素電極。
48.如權(quán)利要求37所述的用于顯示裝置的基板，其中上述用于顯示裝置的基板是一個(gè)包括共用電極的對置基板，所述共用電極設(shè)有電極狹縫。
49.如權(quán)利要求48所述的用于顯示裝置的基板，其中所述電極狹縫形成在遮光區(qū)域的外部。
50.一種修補(bǔ)在如權(quán)利要求37所述用于顯示裝置的基板中產(chǎn)生短路的顯示裝置的修補(bǔ)方法，其中，在有源矩陣基板和對置基板上的電極之間產(chǎn)生電短路的情況下，產(chǎn)生故障的部分從至少其中一個(gè)基板的后表面?zhèn)扔眉す庹丈溥M(jìn)行切除。
51.如權(quán)利要求50所述的顯示裝置的修補(bǔ)方法，其中使用釔鋁石榴石激光的基波。
52.一種修補(bǔ)如權(quán)利要求41所述的用于顯示裝置的基板中電短路的方法，其中，在漏極提取電極和輔助電容線之間發(fā)生電短路的情況下，產(chǎn)生故障的部分從有源矩陣基板的像素電極側(cè)用激光照射進(jìn)行切除。
53.如權(quán)利要求52所述的用于顯示裝置的基板的修補(bǔ)方法，其中使用釔鋁石榴石激光的四次諧波。
54.一種包括如權(quán)利要求37所述用于顯示裝置的基板的液晶顯示裝置，其中所述液晶顯示裝置通過電極狹縫劃分液晶分子的準(zhǔn)直。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于顯示裝置的基板，包括相互相對的有源矩陣基板和對置基板，顯示介質(zhì)層插入對置基板和有源矩陣基板之間，所述的有源矩陣基板包括以矩陣形式排列在顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極，而且所述的對置基板包括與顯示介質(zhì)層側(cè)上的像素電極相對的共用電極，其中上述用于顯示裝置的基板包括在像素電極和共用電極其中之一上形成的電極狹縫；和上述電極狹縫的至少其中一個(gè)電連接部設(shè)置在遮光區(qū)域的外部。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK1957385SQ20058001675
公開日2007年5月2日 申請日期2005年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月28日
發(fā)明者中川英俊, 津幡俊英, 長島伸悅, 久田祐子 申請人:夏普株式會(huì)社