專利名稱：表面光源器件和具有該表面光源器件的背光單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面光源器件和具有所述表面光源器件的背光單元。本發(fā)明尤其涉及一種具有用于發(fā)射平面光的表面光源器件以及將所述表面光源器件作為光源的背光單元。
背景技術(shù)：
通常，液晶(LC)具有特殊的電和光特性。具體地說，在施加到LC的電場改變時，LC分子的排列也被改變。因此，改變了光學透射比(optical transmittance)。
液晶顯示器(LCD)器件使用LC的上述特征顯示圖像。LCD器件具有許多優(yōu)點，例如體積小、重量輕等。因此，上述LCD器件在各種領(lǐng)域中被使用，例如筆記本電腦、移動電話、電視等。
LCD器件包括液晶控制部件和光提供部件。液晶控制部件控制LC。光提供部件為所述液晶控制部件提供光。
液晶控制部件包括在第一基底(substrate)形成的像素電極、在第二基底形成的公共電極和被插入到上述像素電極和公共電極之間的液晶層。像素電極的數(shù)量根據(jù)分辨率來確定，公共電極的個數(shù)是一個。每個像素電極都與薄膜晶體管(TFT)電連接，以使得通過TFT對像素電極施加像素電壓。在上述公共電極上施加有基準電壓。上述像素電極和公共電極都包括電傳導和光透明材料。
上述光提供部件給上述液晶控制部件提供光。從上述光提供部件產(chǎn)生的光順序地穿過上述像素電極、液晶層和公共電極。因此，亮度(luminance)和亮度均勻性(uniformity)對上述LCD器件的顯示質(zhì)量具有非常大的影響。
傳統(tǒng)的光提供部件使用冷陰極熒光燈(CCFL)或發(fā)光二極管(LED)。上述CCFL具有長柱形，上述LED具有小點形狀。
CCFL具有高的亮度和長的使用壽命，并且產(chǎn)生較少的熱量。LED具有相對高的功率消耗但是具有更好的色彩再現(xiàn)性。然而，CCFL和LED都具有低的亮度均勻性。
因此，為了提高亮度均勻性，上述光提供部件需要例如導光板(LGP)、漫射元件和棱鏡片等光學部件。因此，上述LCD器件的體積和重量都會增加。
為了解決上述問題，人們開發(fā)出了一種表面光源器件。這種表面光源器件可以被分類為分隔壁-分割(partition wall-separated)類型和分隔壁-整合(partition wall-integrated)類型器件。
傳統(tǒng)的分隔壁-分割型表面光源器件包括彼此分開的第一和第二基底，以及插入在第一和第二基底之間的多個分隔壁。分隔壁基本上彼此平行地排列以限定出多個向其內(nèi)注入放電氣體的放電空間。第一和第二基底之間插入有密封部件，以將放電空間與外部隔離。第一和第二基底的內(nèi)表面形成有熒光層。用于為放電氣體提供電壓的電極被設置在第一和第二基底的邊緣部分或者被設置在第一和第二基底內(nèi)。
相反地，傳統(tǒng)的分隔壁-整合表面光源器件包括第一基底和第二基底，所述第二基底具有隨之一體形成的分隔壁部分。最外側(cè)的分隔壁部分通過密封熔接接合至第一基底，以形成多個向其內(nèi)注入放電氣體的放電空間。第一和第二基底的內(nèi)表面上形成有熒光層。為放電氣體提供電壓的電極被設置在第一和第二基底的邊緣部分或者第一和第二基底內(nèi)。
在上述傳統(tǒng)的表面光源器件中，為了將放電氣體提供至放電空間，放電空間彼此連通。舉例來說，為了在分隔壁內(nèi)提供放電氣體的通道，將分隔壁排列為蛇形或者穿過分隔壁形成孔。
然而，在傳統(tǒng)的表面光源器件中，由電極覆蓋的非發(fā)光區(qū)域的寬度和高度基本上等于那些未被電極覆蓋的發(fā)光區(qū)域。非發(fā)光區(qū)域和發(fā)光區(qū)域具有用于使表面光源器件發(fā)光的管狀電流(tubularcurrent)。通常，為了利用合適的管狀電流來使表面光源器件具有高亮度，需要第一和第二基底具有薄的厚度。當?shù)谝缓偷诙走^厚時，與具有相對較薄基底的表面光源器件相比，放電空間中的等離子體產(chǎn)生的熱量的傳輸緩慢。因此，具有厚基底的表面光源器件具有低的亮度。然而，雖然表面光源器件亮度的增加與基底厚度的減少成比例，但是基底厚度的減少是有限制的。
另外，在傳統(tǒng)的表面光源器件中，與外部相鄰的最外側(cè)的放電空間比其他的放電空間更快地冷卻，由此最外側(cè)的放電空間具有比其他放電空間低的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種通過在非發(fā)光區(qū)域中產(chǎn)生大量的次級電子而具有均勻亮度的表面光源器件。
本發(fā)明還提供了一種具有上述表面光源器件的背光單元。
根據(jù)本發(fā)明一個方面的表面光源器件可包括光源本體，所述光源本體具有被分為發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的多個放電空間。所述發(fā)光區(qū)域具有第一截面積。所述非發(fā)光區(qū)域具有大于第一截面積的第二截面積。用于對注入至放電空間的放電氣體施加電壓的電極設置在光源本體對應于非發(fā)光區(qū)域的部分。
根據(jù)一個實施方案，所述非發(fā)光區(qū)域的寬度可以大于所述發(fā)光區(qū)域。所述非發(fā)光區(qū)域的高度可以大于所述發(fā)光區(qū)域。所述非發(fā)光區(qū)域的寬度和高度可以大于所述發(fā)光區(qū)域的寬度和高度。另外，所述放電空間中最外側(cè)的放電空間具有大于所述第二截面積的第三截面積。
根據(jù)另一個實施方案，所述電極可以形成在所述光源本體的兩個外表面。輔助電極可以從所述電極的邊緣部分延伸，以使得所述電極的所述邊緣部分具有寬于所述電極的中間部分的寬度。
根據(jù)另一個實施方案，光源本體可包括第一基底；設置在所述第一基底上方的第二基底；密封部件，其插入于所述第一基底和所述第二基底的邊緣部分之間以限定內(nèi)部空間；以及排列在所述內(nèi)部空間內(nèi)以限定所述放電空間的分隔壁。空間延伸部分向上地形成在第二基底對應于非發(fā)光區(qū)域的部分，以提供具有第二截面積的非發(fā)光區(qū)域?？蛇x地，空間延伸部分可以向下地形成在第一基底對應于非發(fā)光區(qū)域的部分。另外，第二空間延伸部分形成在第一和/或第二基底的限定最外側(cè)放電空間的兩個端部，以在所述最外側(cè)放電空間中的所述非發(fā)光區(qū)域具有大于所述第二截面積的所述第三截面積。
根據(jù)另一個實施方案，光源本體包括第一基底；與分隔壁部分一體形成的第二基底，所述分隔壁部分與所述第一基底相接觸以形成放電空間。空間延伸部分向上地形成在所述第二基底對應于所述非發(fā)光區(qū)域的部分，以使所述非發(fā)光區(qū)域具有所述第二截面積?？蛇x地，空間延伸部分可以向下地形成在所述第一基底對應于所述非發(fā)光區(qū)域的部分。另外，第二空間延伸部分形成在第一和/或第二基底的限定最外側(cè)放電空間的兩個端部，以使所述最外側(cè)放電空間中的所述非發(fā)光區(qū)域有大于所述第二截面積的第三截面積。
根據(jù)本發(fā)明另一個方面的表面光源器件可包括光源本體，所述光源本體具有向其中注入放電氣體的中間放電空間和最外側(cè)放電空間。每個所述中間放電空間包括中間發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，所述非發(fā)光區(qū)域的寬度基本上等于所述中間發(fā)光區(qū)域的寬度。每個所述最外側(cè)放電空間包括具有第一截面積的最外側(cè)發(fā)光區(qū)域和具有第二截面積的最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域，所述第二截面積大于所述第一截面積。用于對所述放電氣體施加電壓的電極設置于所述光源本體。
根據(jù)本發(fā)明另一個方面的背光單元包括表面光源器件，用于接納所述表面光源器件的殼，插入到所述表面光源器件和所述殼之間的光學片，以及用于將放電電壓加載到所述表面光源器件的變換器。所述表面光源器件包括光源本體，所述光源本體具有分為發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的多個放電空間。所述發(fā)光區(qū)域具有第一截面積。所述非發(fā)光區(qū)域具有大于第一截面積的第二截面積。用于對注入至放電空間的放電氣體施加電壓的電極設置在所述光源本體對應于所述非發(fā)光區(qū)域的部分。
根據(jù)本發(fā)明，所述非發(fā)光區(qū)域具有大于所述發(fā)光區(qū)域的截面積，由此分布在所述非發(fā)光區(qū)域中的放電氣體更多。因此所述電極沒有起到暗場的作用。此外，所述表面光源器件可以具有長的壽命范圍。


通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實施方案進行詳細的描述后，本發(fā)明的上述和其它特征以及有益效果會更加清楚，其中圖1是描述根據(jù)本發(fā)明的第一個示例性實施方案的表面光源器件的立體圖；圖2是沿圖1中IIa-IIb線獲取的剖視圖；圖3是沿圖1中IIIa--IIIb線獲取的剖視圖；圖4是描述分隔壁在第一基底上排列的平面圖；圖5是描述根據(jù)本發(fā)明的第二個示例性實施方案的表面光源器件的立體圖；圖6是沿圖5中VIa-VIb線獲取的剖視圖；圖7是沿圖5中VIIa-VIIb線獲取的剖視圖；圖8是描述根據(jù)本發(fā)明的第三個示例性實施方案的表面光源器件的立體圖；圖9是沿圖8中IXa-IXb線獲取的剖視圖；圖10是沿圖8中Xa-Xb線獲取的剖視圖；圖11是描述分隔壁部分在第一基底上排列的平面圖；圖12是描述根據(jù)本發(fā)明的第四個示例性實施方案的表面光源器件的立體圖；圖13是沿圖12中XIIIa-XIIIb線獲取的剖視圖；圖14是沿圖12中XIVa--XIVb線獲取的剖視圖；圖15是描述根據(jù)本發(fā)明的第五個示例性實施方案的表面光源器件的平面圖；圖16是描述根據(jù)本發(fā)明的第六個示例性實施方案的表面光源器件的平面圖；圖17是描述根據(jù)本發(fā)明的第七個實施方案的背光單元的分解立體圖。
具體實施例方式
在下文中將參照顯示本發(fā)明實施方案的相應附圖更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以用各種不同形式來體現(xiàn)，并且不應該受這里提出的實施方案的限制。更正確地講，提供這些實施方案的目的是為了使本文公開的內(nèi)容是充分和完全的，并且向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員完全地傳遞本發(fā)明的保護范圍。在附圖中，為了清楚的目的，元件和區(qū)域的大小和相對大小可能被夸大。
應該理解，在元件或?qū)颖幻枋鰹椤拔挥谥稀?、“被連接到”或“被接合到”另一元件時，它的意思是該元件或?qū)幽軌蛑苯游挥凇⒈贿B接或接合到其它元件或?qū)?，或者可以存在介于其間的元件。相反，當元件被描述為“直接位于之上”、“被直接連接到”或“被直接接合到”另一元件時，則不存在介于其間的元件。所有相同的標號表示同一元件。如在這里所使用的那樣，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列出的術(shù)語的任意和所有組合。
應該理解，盡管在這里可以使用術(shù)語第一、第二等描述各種元件，但是這些元件不應該由這些術(shù)語來限制。上述術(shù)語僅僅是被用來使一個元件區(qū)別于另一個元件。這樣，在下面將討論的第一元件可以被稱為第二元件，而不會背離本發(fā)明的教導。
在這里為了描述的流暢，可以用與空間相關(guān)的術(shù)語，例如“在...之下”、“在...下方”、“下部的”、“在...的上方”、“上部的”或類似術(shù)語來描述圖中的一個元件或器件相對于其它元件或器件(features)的關(guān)系。應該理解的是，與空間相關(guān)的術(shù)語的意圖除了在圖中描述的方向以外，還涵蓋了在使用或操作中的器件的不同方向。例如，如果在圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在其它元件或器件下方”或“在其它元件或器件之下”的元件或器件將會朝向位于上述其它元件或器件上方。這樣，示例性術(shù)語“在...下方”能夠包含上方和下方兩個方向。另外，該器件可以朝向其它方向(如旋轉(zhuǎn)90度或其它的角度)，并且與在這里使用的與空間相關(guān)的描述用語也應具有相應的解釋。
在這里使用的術(shù)語僅僅是為了描述具體實施方案的目的，并不是限制本發(fā)明。如在這里所使用的一樣，單數(shù)形式“一”和“該”應該還包括復數(shù)的含義，除非對該內(nèi)容做了明確的相反表示。還應該認識到術(shù)語“包括”和/或“包括了(including)”在本說明書中使用時明確說明了所述的器件、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是并不排除一個或多個其它器件、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合的存在或添加。
除非有相反的限定，在這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學術(shù)語)具有和本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所通常理解相同的意思。還應該認識到，諸如在公共使用的字典中定義的術(shù)語應該被解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的上下文中具有的意思一致，并且不能以理想化或完全正式的意義解釋，除非在這里有明確的定義。
實施方案1圖1是描述根據(jù)本發(fā)明的第一個示例性實施方案的表面光源器件的立體圖，圖2是沿圖1中IIa-IIb線獲取的剖視圖，圖3是沿圖1中IIIa-IIIb線獲取的剖視圖，圖4是描述分隔壁在第一基底上排列的平面圖。
參照圖1至圖4，根據(jù)本實施方案的表面光源器件100包括光源本體110和電極150，光源本體110具有向其內(nèi)注入放電氣體的內(nèi)部空間，電極150為放電氣體提供電壓。在此，放電氣體的示例包括汞氣、氬氣、氖氣和氙氣等。
光源本體110是分隔壁-分割類型。因此，光源本體110包括第一基底111和設置在第一基底111上方的第二基底112。在第一基底111和第二基底112的邊緣部分之間插入密封部件130以限定內(nèi)部空間。分隔壁120排列在內(nèi)部空間內(nèi)以將內(nèi)部空間分割為放電空間140。
第一基底111和第二基底112包括能夠透過可見光并阻擋紫外線的玻璃。第二基底112對應于內(nèi)部空間中產(chǎn)生的光射出的出光面(light-exiting face)。
分隔壁120以第一方向排列并且基本上彼此平行，以形成具有條形形狀的放電空間140。每個分隔壁120包括與第一基底111接觸的下表面和與第二基底112接觸的上表面。分隔壁120可以排列為蛇形，以將放電氣體提供至各個放電空間140?？蛇x地，可以穿過分隔壁120形成可流過放電氣體的孔(未示出)。
電極150包括形成在第一基底111下表面下方的第一電極152和形成在第二基底112上表面上的第二電極154。第一電極152和第二電極154以基本上垂直于第一方向的第二方向排列在第一基底111和第二基底112的邊緣部分。電極150可以包括導電帶(tape)或者金屬粉末，例如銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)等。
每個放電空間140被分割為覆蓋有電極150的非發(fā)光區(qū)域144以及未覆蓋電極150的發(fā)光區(qū)域142。如上所述，由于電極150被設置在第一基底111和第二基底112的邊緣部分，因此非發(fā)光區(qū)域114對應于放電空間140的兩個邊緣空間。發(fā)光區(qū)域142對應于放電空間除了兩個邊緣部分以外的中間部分。即，發(fā)光區(qū)域142和非發(fā)光區(qū)域144可以根據(jù)電極150的位置而變化。
空間延伸部分114從第二基底112的上表面向上形成。本實施方案的空間延伸部分114具有半圓形的截面?？蛇x地，空間延伸部分114可以具有矩形截面、梯形截面、三角形截面等等。空間延伸部分114具有基本上與電極150相同的寬度。因此，空間延伸部分114在第二基底112上表面對應于非發(fā)光區(qū)域114的邊緣形成。
因此，發(fā)光區(qū)域142具有第一寬度W1和第一高度H1。非發(fā)光區(qū)域144具有寬于第一寬度Wl的第二寬度W2和高于第一高度H1的第二高度H2。非發(fā)光區(qū)域144的第二高度H2高于發(fā)光區(qū)域142的第一高度H1的高度是空間延伸部分114從第二基底112上凸出的高度。
每個分隔壁120包括發(fā)光區(qū)域142中的第一分隔壁部分122，以及非發(fā)光區(qū)域144中的第二分隔壁部分124，第二分隔壁部分124具有窄于第一分隔壁部分122的寬度。在所述優(yōu)選實施方案中，第一分隔壁部分122和第二分隔壁部分124之間的接合面基本上與所述第一方向垂直?？蛇x地，所述接合面可以是錐形形狀。當接合面具有錐形形狀時，第二分隔壁部分124的寬度由第一分隔壁部分122的寬度逐漸減小。
如上所述，由于非發(fā)光區(qū)域144具有的第二高度H2和第二寬度W2大于發(fā)光區(qū)域142的第一高度H1和第一寬度W1，因此非發(fā)光區(qū)域144具有大于發(fā)光區(qū)域142的第一截面積的第二截面積。由此，在非發(fā)光區(qū)域144中分布的放電氣體的量大于傳統(tǒng)的表面光源器件(所述表面光源器件包括截面積基本相等的非發(fā)光區(qū)域和發(fā)光區(qū)域)的非發(fā)光區(qū)域中所分布的放電氣體的量。結(jié)果，非發(fā)光區(qū)域144中可以產(chǎn)生更多的次級電子，從而使得電極150可不再起到表面光源器件100的暗場的作用。另外，可以降低非發(fā)光區(qū)域144中汞氣體的減少量，從而使表面光源器件100可以具有長的壽命范圍。
在本實施方案中，非發(fā)光區(qū)域144具有大于發(fā)光區(qū)域142的高度和寬度，由此非發(fā)光區(qū)域144具有大于發(fā)光區(qū)域142的第一截面積的第二截面積。可選地，非發(fā)光區(qū)域144可具有基本上等于發(fā)光區(qū)域142的第一高度H1的高度，以及大于發(fā)光區(qū)域142的第一寬度W1的第二寬度W2。此外，非發(fā)光區(qū)域144可具有基本上等于發(fā)光區(qū)域142的第一寬度W1的寬度，以及大于發(fā)光區(qū)域142的第一高度H1的第二高度H2。
由于第二電極154沿著空間延伸部分114形成，因此第二電極154具有對應于空間延伸部分114形狀的弓形形狀。相反，第一電極152具有平的形狀。
在此，放電空間140中最外側(cè)的放電空間僅通過密封部件130與外部隔離。因此，在最外側(cè)的放電空間與外部之間會發(fā)生熱交換，由此最外側(cè)放電空間中的放電氣體比其他放電空間140中的放電氣體冷卻得快。因此，最外側(cè)放電空間的發(fā)光效率將低于其他放電空間140。具體地說，當最外側(cè)放電空間具有相對較大的截面積時，最外側(cè)放電空間將具有較低的發(fā)光效率。
為了解決上述問題，從第一電極152和第二電極154的兩端延伸有輔助電極部分156，其以第一方向設置在最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域146上方。輔助電極部分156施加在最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域146中放電氣體上的電壓高于施加在非發(fā)光區(qū)域144中的放電氣體上的電壓。因此，最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域146可以具有提高的發(fā)光效率。
另外，輔助空間延伸部分116在第二基底112的限定最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域146的兩端向上形成。輔助空間延伸部分116的高度高于空間延伸部分114的高度。因此，最外側(cè)的放電空間所具有的第三截面積大于非發(fā)光區(qū)域144中的中間非發(fā)光區(qū)域的第二截面積，由此最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域146中分布的放電氣體的量大于中間非發(fā)光區(qū)域中放電氣體的量。結(jié)果，最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域146的亮度基本相似于中間非發(fā)光區(qū)域的亮度。
在第一基底111上形成有光反射層170。光反射層170將朝向第一基底111的光向第二基底112反射。在光反射層170上形成有第一熒光層161。在第二基底112下方形成有第二熒光層162。
實施方案2圖5是描述根據(jù)本發(fā)明的第二個示例性實施方案的表面光源器件的立體圖，圖6是沿圖5中VIa-VIb線獲取的剖視圖，圖7是沿圖5中VIIa-VIIb線獲取的剖視圖。
除了空間延伸部分的位置以外，本實施方案的表面光源器件100a包括與實施方案1中的表面光源器件基本相同的元件。因此，相同的參考標號表示相同的元件，并且在此省略對于相同元件的進一步說明。
參照圖5至圖7，空間延伸部分113在第一基底111的兩端以第一方向向下形成?？臻g延伸部分113設置在第一基底111對應于放電空間140的非發(fā)光區(qū)域144a的兩端，由此非發(fā)光區(qū)域144a具有大于發(fā)光區(qū)域142的截面積。由于空間延伸部分113設置于非發(fā)光區(qū)域144a，因此非發(fā)光區(qū)域144a相對于發(fā)光區(qū)域142來說具有更大的高度和寬度。可選地，非發(fā)光區(qū)域144a可以具有與發(fā)光區(qū)域142基本相同的寬度以及大于發(fā)光區(qū)域142的高度。
另外，輔助空間延伸部分115在第一基底111限定了最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域146a的兩端以第二方向向下形成。因此，最外側(cè)的放電空間146a具有大于中間非發(fā)光區(qū)域的截面積。
用于限定非發(fā)光區(qū)域144a的電極150a包括形成在第一基底111下方的第一電極152a，以及形成在第二基底112上的第二電極154a。由于空間延伸部分113是在第一基底111上形成的，因此第一電極152a具有空間延伸部分113的形狀相對應的弓形形狀。相反地，第二電極154a具有平的形狀。
在此，在實施方案1和2中，空間延伸部分設置在第一基底111和第二基底112中的任意一個上。空間延伸部分113可以可選地同時設置在第一基底111和第二基底112上。
實施方案3圖8是描述根據(jù)本發(fā)明的第三個示例性實施方案的表面光源器件的立體圖，圖9是沿圖8中IXa-IXb線獲取的剖視圖，圖10是沿圖8中Xa-Xb線獲取的剖視圖，圖11是描述分隔壁部分在第一基底上排列的平面圖。
參照圖8至圖11，根據(jù)本實施方案的表面光源器件200包括光源本體210和電極250，光源本體210具有向其內(nèi)注入放電氣體的放電空間，電極250為放電氣體施加電壓。
光源本體210是分隔壁-整合類型。因此，光源本體210包括第一基底211和設置在第一基底211上方并且與分隔壁部分220一體形成的第二基底212。分隔壁部分220與第一基底211相接觸以形成多個弓形的放電空間240。為了將放電氣體提供至每個放電空間240，分隔壁部分220可以以蛇形排列?？蛇x地，可以穿過分隔壁220形成可流過放電氣體的連接孔(未示出)。連接孔可具有傾斜形狀或者“S”形狀。在該實施方案中，每個分隔壁部分220具有約1毫米至約5毫米的寬度。
電極250以基本上垂直于第一方向的第二方向排列在光源本體210的邊緣部分。電極250包括形成在第一基底211下表面下方的第一電極252和形成在第二基底212上表面上的第二電極254。
每個放電空間240被分割為覆蓋有電極250的非發(fā)光區(qū)域244以及未覆蓋電極250的發(fā)光區(qū)域242。輔助電極部分256以第一方向從第一電極252和第二電極254的兩端延伸，并設置在最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域244上方。
空間延伸部分214從第二基底212的上表面的兩端向上形成?？臻g延伸部分214具有與電極250基本相同的寬度。
因此，發(fā)光區(qū)域242具有第三寬度W3和第三高度H3。非發(fā)光區(qū)域244具有寬于第三寬度W3的第四寬度W4，和高于第三高度H3的第四高度H4。具體地說，通過減小非發(fā)光區(qū)域244中的分隔壁部分220來形成非發(fā)光區(qū)域244的第四寬度W4。因此，每個分隔壁220包括發(fā)光區(qū)域242中的第一分隔壁部分222，以及非發(fā)光區(qū)域244中的第二分隔壁部分224，第二分隔壁部分224具有窄于第一分隔壁部分222的寬度。
另外，輔助空間延伸部分216在第二基底212限定最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域246的兩端向上形成。輔助空間延伸部分216的高度大于空間延伸部分214的高度。
可選地，非發(fā)光區(qū)域244可具有基本上等于發(fā)光區(qū)域242的第三高度H3的高度，以及大于發(fā)光區(qū)域242的第三寬度W3的第四寬度W4。此外，非發(fā)光區(qū)域244的寬度可以基本上等于發(fā)光區(qū)域242的第三寬度W3，并且其第四高度H4大于發(fā)光區(qū)域242的第三高度H3。
在第一基底211上形成有光反射層270。在光反射層270上形成有第一熒光層261。在第二基底212下方形成有第二熒光層262。
實施方案4圖12是描述根據(jù)本發(fā)明的第四個示例性實施方案的表面光源器件的立體圖，圖13是沿圖12中XIIIa-XIIIb線獲取的剖視圖，圖14是沿圖12中XIVa-XIVb線獲取的剖視圖。
除了空間延伸部分的位置以外，本實施方案的表面光源器件200a包括與實施方案3中的表面光源器件200基本相同的元件。因此，相同的參考標號表示相同的元件，并且在此省略對于相同元件的進一步說明。
參照圖12至圖14，空間延伸部分213在第一基底211的兩端以第一方向向下形成。由于空間延伸部分213設置于非發(fā)光區(qū)域244a，因此非發(fā)光區(qū)域244a相對于發(fā)光區(qū)域242來說具有更大的高度和寬度?？蛇x地，非發(fā)光區(qū)域244a可以具有與發(fā)光區(qū)域242基本相同的寬度以及大于發(fā)光區(qū)域242的高度。另外，輔助空間延伸部分215在第一基底211限定最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域246a的兩端以第二方向上向下形成。
用于限定非發(fā)光區(qū)域244a的電極250a包括形成在第一基底211下方的第一電極252a，以及形成在第二基底212上的第二電極254a。
在此，在實施方案3和4中，空間延伸部分設置在第一基底211和第二基底212中的任意一個上?？蛇x地，空間延伸部分可以同時設置在第一基底211和第二基底212上。
本發(fā)明的電極并不局限于實施方案中的表面光源器件。本發(fā)明的電極可以用于具有各種形狀的表面光源器件中。
實施方案5圖15是描述根據(jù)本發(fā)明的第五個示例性實施方案的表面光源器件的平面圖。
除了放電空間的形狀外，本實施方案的表面光源器件100b包括與實施方案1中的表面光源器件100基本相同的元件。因此，相同的參考標號表示相同的元件，并且在此省略對于相同元件的進一步說明。
參照圖15，本實施方案的表面光源器件100b包括用于限定中間放電空間146的中間分隔壁126，以及用于限定最外側(cè)放電空間140b的最外側(cè)分隔壁120b。
每個中間分隔壁126具有基本相同的寬度。因此，每個由中間分隔壁126限定的中間放電空間146具有基本相同的寬度。結(jié)果，每個中間放電空間146包括中間發(fā)光區(qū)域和寬度基本等于中間發(fā)光區(qū)域的中間非發(fā)光區(qū)域。
相反，每個最外側(cè)的分隔壁120b包括最外側(cè)發(fā)光區(qū)域142b中的第一分隔壁部分122b，以及最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域144b中的第二分隔壁部分124b，第二分隔壁部分124b具有窄于第一分隔壁部分122b的寬度。
也就是說，空間延伸部分設置在第二基底的兩個最外端。具體地說，實施方案1中的空間延伸部分設置在第二基底的兩端。相反，本實施方案的空間延伸部分并未設置在第二基底的兩個中間端，而是僅設置在第二基底的兩個最外端。另外，空間延伸部分形成于密封部件130的內(nèi)表面和第二分隔壁部分124b的外表面。因此，中間放電空間146不具有空間延伸部分。只有最外側(cè)的放電空間140b具有空間延伸部分。
因此，各個中間放電空間146具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，非發(fā)光區(qū)域具有與發(fā)光區(qū)域的基本相同的寬度。相反地，具有空間延伸部分的各個最外側(cè)的放電空間140b包括具有第一寬度W1的最外側(cè)發(fā)光區(qū)域142b，和具有寬于第一寬度W1的第二寬度W2的最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域144b?？蛇x地，最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域144b可以具有高于最外側(cè)發(fā)光區(qū)域142b的第一高度的第二高度。
在此，在本實施方案中示例性地描述了分隔壁-分割類型的表面光源器件100b?？蛇x地，表面光源器件100b可以對應于分隔壁-整合類型。另外，在多個實施方案中的上述結(jié)構(gòu)可以用在本實施方案的空間延伸部分中。
實施方案6圖16是描述根據(jù)本發(fā)明的第六個示例性實施方案的表面光源器件的平面圖。
除了最外側(cè)放電空間的形狀外，本實施方案的表面光源器件100c包括與實施方案5中的表面光源器件100b基本相同的元件。因此，相同的參考標號表示相同的元件，并且在此省略對于相同元件的進一步說明。
參照圖16，本實施方案中的表面光源器件100c的每個最外側(cè)分隔壁120c包括最外側(cè)發(fā)光區(qū)域142c中的第一分隔壁部分122c，以及最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域144c中的第二分隔壁部分124c，第二分隔壁部分124c的寬度小于第一分隔壁部分122b的寬度。
本實施方案的空間延伸部分未設置至密封部件130的內(nèi)表面?？臻g延伸部分僅設置至第二分隔壁部分124c的外表面。因此，各個最外側(cè)放電空間140c包括具有第一寬度W1的最外側(cè)發(fā)光區(qū)域142c，以及具有大于第一寬度W1的第二寬度W3的最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域144c。可選地，最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域144c具有的第二高度可以高于最外側(cè)發(fā)光區(qū)域142c的第一高度。
在此，在本實施方案中示例性地描述了分隔壁-分割類型的表面光源器件100c。可選地，表面光源器件100c可以對應于分隔壁-整合類型。另外，在多個實施方案中的上述結(jié)構(gòu)可以用在本實施方案的空間延伸部分中。
實施方案7
圖17是描述根據(jù)本發(fā)明的第七個實施方案的背光單元的分解立體圖。
參照圖17，根據(jù)本實施方案的背光單元1000包括圖8中的表面光源器件200、上殼1100和下殼1200、光學片900和變換器(inverter)1300。
表面光源器件200參照圖8被詳細地描述過。因此，省略了表面光源器件200的所有進一步描述。此外，也可以在背光單元1000中采用根據(jù)其他實施方案所述的其它表面光源器件。
下殼1200包括用于接納表面光源器件200的底面1210，以及從底面1210的邊緣延伸出來的側(cè)面1220。這樣，在底殼1200中形成了用于接納表面光源器件200的接納空間。
變換器1300設置在底殼1200的下面。變換器1300產(chǎn)生用于驅(qū)動表面光源器件200的放電電壓。從變換器1300產(chǎn)生的放電電壓通過第一電纜1352和第二電纜1354施加到表面光源器件200的電極250。
光學片900包括用于均勻地漫射從表面光源器件200發(fā)出的光的漫射片(未示出)和用于給上述漫射片漫射的光提供順向性(straightforwardness)的棱鏡片(未示出)。
上殼1100與底殼1200組合起來以支撐表面光源器件200和光學片900。上殼1100防止表面光源器件200與底殼1200分離。
另外，用于顯示圖像的LCD板(未示出)可以被設置到上殼1100的上方。
根據(jù)本發(fā)明，由于光源本體的空間延伸部分的緣故，非發(fā)光區(qū)域具有大于發(fā)光區(qū)域的截面積。因此，分布在非發(fā)光區(qū)域中的放電氣體的量大于分布在發(fā)光區(qū)域中的放電氣體的量，從而在非發(fā)光區(qū)域中將產(chǎn)生相對大量的次級電子。這樣，可以提高非發(fā)光區(qū)域中的發(fā)光效率，從而使電極不再起到暗場的作用，并且可使表面光源器件具有長的壽命范圍。
在描述了本發(fā)明的示例性的實施方案和它的有益效果之后，應該注意到，在不背離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以進行各種變化、代替和改變。
權(quán)利要求
1.一種表面光源器件，包括光源本體，具有其中注入有放電氣體的多個放電空間，每個所述放電空間被分為具有第一截面積的發(fā)光區(qū)域，以及具有第二截面積的非發(fā)光區(qū)域，所述第二截面積大于所述第一截面積；以及電極，設置于所述光源本體，用于對所述放電氣體施加電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中所述非發(fā)光區(qū)域具有比所述發(fā)光區(qū)域?qū)挾却蟮膶挾取?br> 3.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中所述非發(fā)光區(qū)域具有比所述發(fā)光區(qū)域高度大的高度。
4.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中所述非發(fā)光區(qū)域具有比所述發(fā)光區(qū)域的寬度和高度大的寬度和高度。
5.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中所述電極在所述光源本體的兩個外端部分形成。
6.如權(quán)利要求5所述的表面光源器件，其中從所述電極的兩端部延伸出輔助電極。
7.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中所述非發(fā)光區(qū)域中最外側(cè)的非發(fā)光區(qū)域具有大于所述第二截面積的第三截面積。
8.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中，所述光源本體包括第一基底；第二基底，設置在所述第一基底上方，并具有空間延伸部分，所述空間延伸部分使所述非發(fā)光區(qū)域具有所述第二截面積；密封部件，插入于所述第一和第二基底之間以限定與外部隔離的內(nèi)部空間；以及分隔壁，其沿著基本垂直于所述電極的方向排列在所述內(nèi)部空間內(nèi)，以限定所述放電空間。
9.如權(quán)利要求8所述的表面光源器件，其中各個所述分隔壁包括位于所述發(fā)光區(qū)域內(nèi)的第一分隔壁部分；以及位于所述非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的第二分隔壁部分，所述第二分隔壁部分具有比所述第一分隔壁部分寬度小的寬度，以使得所述非發(fā)光區(qū)域具有大于所述發(fā)光區(qū)域的寬度。
10.如權(quán)利要求8所述的表面光源器件，其中，具有比所述空間延伸部分截面積大的截面積的輔助空間延伸部分從所述第二基底的限定所述放電空間中最外側(cè)放電空間的部分延伸。
11.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中所述光源本體包括第一基底，具有空間延伸部分，所述空間延伸部分使所述非發(fā)光區(qū)域具有所述第二截面積；第二基底，設置在所述第一基底上方；密封部件，插入于所述第一基底和所述第二基底之間，以限定與外部隔離的內(nèi)部空間；以及分隔壁，其沿著基本垂直于所述電極的方向排列在所述內(nèi)部空間內(nèi)，以限定所述放電空間。
12.如權(quán)利要求11所述的表面光源器件，其中具有比所述空間延伸部分截面積大的截面積的輔助空間延伸部分從所述第一基底的限定所述放電空間中的最外側(cè)放電空間的部分延伸。
13.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中，所述光源本體包括第一基底；以及第二基底，設置在所述第一基底上方，并與分隔壁一體形成，所述分隔壁沿著基本垂直于所述電極的方向排列，以限定所述放電空間，所述第二基底具有空間延伸部分，所述空間延伸部分使所述非發(fā)光區(qū)域具有所述第二截面積。
14.如權(quán)利要求13所述的表面光源器件，其中各個所述分隔壁部分包括位于所述發(fā)光區(qū)域內(nèi)的第一分隔壁部分；以及位于所述非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的第二分隔壁部分，所述第二分隔壁部分具有比所述第一分隔壁部分寬度小的寬度，以使所述非發(fā)光區(qū)域具有比所述發(fā)光區(qū)域?qū)挾却蟮膶挾取?br> 15.如權(quán)利要求13所述的表面光源器件，其中，具有比所述空間延伸部分截面積大的截面積的輔助空間延伸部分從所述第二基底的限定所述放電空間中最外側(cè)放電空間的部分延伸。
16.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中所述光源本體包括第一基底，具有空間延伸部分，以使所述非發(fā)光區(qū)域具有所述第二截面積；以及第二基底，設置在所述第一基底上方，并與分隔壁一體形成，所述分隔壁沿著基本垂直于所述電極的方向排列，以限定所述放電空間。
17.如權(quán)利要求16所述的表面光源器件，其中，具有比所述空間延伸部分截面積大的截面積的輔助空間延伸部分從所述第一基底的限定所述放電空間中最外側(cè)放電空間的部分延伸。
18.一種表面光源器件，包括光源本體，具有向其中注入放電氣體的中間放電空間和最外側(cè)放電空間，每個所述中間放電空間分為中間發(fā)光區(qū)域和中間非發(fā)光區(qū)域，所述中間非發(fā)光區(qū)域的寬度基本上等于所述中間發(fā)光區(qū)域的寬度，每個所述最外側(cè)放電空間分為具有第一截面積的最外側(cè)發(fā)光區(qū)域和具有第二截面積的最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域，所述第二截面積大于所述第一截面積；以及電極，設置于所述光源本體，用于對所述放電氣體施加電壓。
19.如權(quán)利要求18所述的表面光源器件，其中，所述光源本體包括第一基底；第二基底，設置在所述第一基底上方；密封部件，插入于所述第一基底和所述第二基底之間以限定與外部隔離的內(nèi)部空間；以及分隔壁，沿著基本垂直于所述電極的方向排列在所述內(nèi)部空間內(nèi)，以限定所述中間放電空間和所述最外側(cè)放電空間，其中，用于限定所述最外側(cè)非發(fā)光區(qū)域的空間延伸部分形成于所述分隔壁中的最外側(cè)分隔壁的外表面。
20.如權(quán)利要求19所述的表面光源器件，其中所述空間延伸部分形成在所述密封部件的內(nèi)表面。
21.如權(quán)利要求19所述的表面光源器件，其中所述分隔壁與所述第二基底一體形成。
22.一種背光單元，包括表面光源器件，包括光源本體，所述光源本體具有向其中注入放電氣體的多個放電空間，以及設置于所述光源本體、用于對所述放電氣體施加電壓的電極，每個所述放電空間被分為具有第一截面積的發(fā)光區(qū)域，以及具有第二截面積的非發(fā)光區(qū)域，所述第二截面積大于所述第一截面積；用于容納所述表面光源器件的殼；插入到所述表面光源器件和所述殼之間的光學片；以及用于對所述表面光源器件的所述電極施加放電電壓的變換器。
全文摘要
一種表面光源器件，包括光源本體，所述光源本體具有被分為發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的多個放電空間。所述發(fā)光區(qū)域具有第一截面積。所述非發(fā)光區(qū)域具有大于第一截面積的第二截面積。用于對注入至放電空間的放電氣體施加電壓的電極設置在光源本體對應于非發(fā)光區(qū)域的部分。因此，分布在非發(fā)光區(qū)域中的放電氣體的量大于分布在發(fā)光區(qū)域中的放電氣體的量。因此，電極不會起到暗場的作用。此外，表面光源器件可以具有長的壽命。
文檔編號G02F1/1335GK1779529SQ20051012336
公開日2006年5月31日 申請日期2005年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月24日
發(fā)明者金賢淑, 樸在錫, 金吉鎬, 趙碩顯 申請人:三星康寧株式會社