專利名稱：圖案形成方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法及曝光用掩模裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖案形成方法，具體地說，涉及半導(dǎo)體裝置的制造過程中的光刻工序中，微細(xì)圖案即柵格圖案和任意形狀的圖案共存的光刻膠圖案的形成方法。
背景技術(shù)：
最近，光刻技術(shù)的發(fā)展導(dǎo)致半導(dǎo)體電路圖案的微細(xì)化，這主要是曝光光源的短波長(zhǎng)化引起的。但是，由于曝光裝置的價(jià)格昂貴，多方面進(jìn)行著通過短波長(zhǎng)化以外的方法來進(jìn)行圖案的微細(xì)化的研討。例如，隨著掃描型曝光技術(shù)的透鏡的大口徑化、變形照明技術(shù)、超分辨掩模技術(shù)等的發(fā)展，現(xiàn)在有維持曝光波長(zhǎng)的同時(shí)微細(xì)化加工尺寸的傾向，從0.18μm(180nm)世代以來，出現(xiàn)了所謂加工尺寸低于曝光波長(zhǎng)(KrF受激準(zhǔn)分子激光248nm)的逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象。
作為形成曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)以下的微細(xì)圖案的技術(shù)，半色調(diào)相位移動(dòng)掩模、相位移動(dòng)掩模、變形照明技術(shù)的利用已經(jīng)是眾所周知。采用掩模的技術(shù)是，例如，在掩模上制作使曝光波長(zhǎng)的光相位反相的部分，提高光干涉效應(yīng)成像面中的光學(xué)強(qiáng)度的對(duì)比度的采用特殊掩模的技術(shù)。
另外，變形照明技術(shù)中采用照明形狀，相對(duì)于在掩模上設(shè)計(jì)的復(fù)雜電路圖案的尺寸及二維形狀，優(yōu)化可穩(wěn)定形成所有的圖案的照明形狀，照射掩模面，提高成像面中所有的圖案的光學(xué)強(qiáng)度對(duì)比度。
例如，當(dāng)存在包含有由微細(xì)的線和空隙交互重復(fù)的格子形狀的圖案(柵格圖案(重復(fù)圖案))以及與該柵格圖案部分連接且比上述柵格圖案的加工尺寸大的圖案(通常圖案)的微細(xì)電路圖案時(shí)，對(duì)該微細(xì)電路圖案優(yōu)化可獲得良好的光學(xué)對(duì)比度的照明形狀。
作為典型的例，有將照明光學(xué)系統(tǒng)的中央圓形地遮光的環(huán)形照明，該環(huán)形照明中，可采用優(yōu)化外側(cè)的外輪廓半徑(外徑R1)和內(nèi)輪廓半徑(內(nèi)徑R2)的方法。另外，四眼照明也可以優(yōu)化4個(gè)開口部分的大小。
另外，如專利文獻(xiàn)1所述，通過將僅僅比曝光波長(zhǎng)細(xì)的布線部分用相位移動(dòng)掩模形成而其他部分用通常的掩模形成的2次曝光來形成微細(xì)電路圖案的方法已經(jīng)實(shí)用化。
另外，作為公開通過2次曝光等的多次曝光來進(jìn)行微細(xì)電路圖案的形成的文獻(xiàn)，有專利文獻(xiàn)2或?qū)＠墨I(xiàn)3。專利文獻(xiàn)2公開了，采用與通常的縮小投影曝光機(jī)不同的裝置的2個(gè)光束，進(jìn)行二光束干涉曝光，加工微細(xì)圖案的技術(shù)。另外，專利文獻(xiàn)1、3、6、7、8、9中公開了通常曝光和微細(xì)孤立布線圖案(柵極圖案)或微細(xì)周期圖案曝光不介由顯影工序進(jìn)行，此時(shí)，采用相位反相的100％透射部鄰接的Rebenson(レベンソン)型相位移動(dòng)掩模(Alternative Phase ShiftMask)，進(jìn)行上述微細(xì)孤立布線圖案或周期圖案曝光的方法。另外，專利文獻(xiàn)4、專利文獻(xiàn)5中公開了，用2燈照明形成周期圖案，在通常圖案中通過使周期圖案中的一部分布線以外曝光并消除，形成孤立圖案的方法。
美國(guó)專利第5858580號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]美國(guó)專利第5415835號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]特開2000-349010號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)4]國(guó)際公開第99/65066號(hào)手冊(cè)[專利文獻(xiàn)5]特開2000-21718號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)6]美國(guó)專利第6228539號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)7]美國(guó)專利第6258493號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)8]美國(guó)專利第6566023號(hào)公報(bào) 美國(guó)特開專利2004-197680號(hào)公報(bào)表示光學(xué)的分辨力的瑞利(Rayleigh)式用以下式(1)表示。
R＝k1·(λ/NA)...(1)另外，上述式(1)中，R是圖案分辨率，λ是曝光波長(zhǎng)，NA是透鏡數(shù)值孔徑，k1是過程因子。
這里，假定對(duì)微細(xì)電路圖案用的光刻膠圖案來形成圖案，它包含有過程因子k1低于「0.3」的柵格圖案和具有微細(xì)的孤立空隙等的任意圖案且過程因子k1為「0.5」等級(jí)的通常圖案。該微細(xì)電路圖案用的光刻膠圖案中，也有要求柵格圖案和通常圖案連續(xù)地連接的圖案的情況。
前述的傳統(tǒng)技術(shù)中，無論如何優(yōu)化照明形狀，也難以穩(wěn)定分辨上述微細(xì)電路圖案。例如，ArF波長(zhǎng)(193nm)情況下NA為「0.85」時(shí)，柵格圖案在65nmL/S的場(chǎng)合過程因子k1成為「0.28」。該場(chǎng)合，即使采用具有過程因子k1低于「0.3」的特性的相位移動(dòng)掩模技術(shù)，也難以高精度加工該微細(xì)柵格圖案和過程因子k1為「0.5」等級(jí)的任意電路圖案即通常圖案所組成的微細(xì)電路圖案。
這是因?yàn)?，采用適合于柵格圖案的相位移動(dòng)掩模時(shí)，由于圖案的任意性，必然地發(fā)生與產(chǎn)生的相位移動(dòng)掩模的原理有關(guān)的相位不匹配，因而在通常圖案?jìng)?cè)發(fā)生非期望的不需要圖案殘存的缺陷。為了避免，一般使用負(fù)片型光刻膠，但是在ArF波長(zhǎng)中沒有分辨特性好的光刻膠材料，即使有也會(huì)在電路的構(gòu)成上必然地產(chǎn)生同相位間的分辨力不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供可高精度形成包含過程因子k1低于「0.3」的柵格圖案和過程因子k1為「0.5」等級(jí)的通常圖案的微細(xì)電路圖案的圖案形成方法。
本發(fā)明的權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，是對(duì)于規(guī)定的基板上形成的光刻膠的圖案形成方法，上述光刻膠具有相互鄰接的圖案形成對(duì)象的第1及第2區(qū)域，該方法包括(a)采用2燈照明，實(shí)質(zhì)地對(duì)上述光刻膠的上述第1區(qū)域進(jìn)行通過具有線和空隙交互重復(fù)的格子圖案即柵格圖案的第1曝光用掩模所執(zhí)行的第1曝光處理的步驟，(b)實(shí)質(zhì)地對(duì)上述光刻膠的上述第2區(qū)域進(jìn)行通過具有除上述柵格圖案以外的圖案即通常圖案的第2曝光用掩模所執(zhí)行的第2曝光處理的步驟，上述通常圖案的至少一部分包含與上述柵格圖案連接的連接用圖案，(c)還包括對(duì)上述步驟(a)、(b)后的上述光刻膠進(jìn)行顯影處理的步驟。
本發(fā)明的一個(gè)方面所述的圖案形成方法，通過2燈照明的第1曝光處理對(duì)形成重復(fù)圖案的光刻膠的第1區(qū)域?qū)嵸|(zhì)地進(jìn)行曝光處理，通過第2曝光處理對(duì)形成通常圖案的第2區(qū)域?qū)嵸|(zhì)地進(jìn)行曝光處理，從而，可執(zhí)行分別適合于重復(fù)圖案及通常圖案形成對(duì)象的第1及第2區(qū)域的曝光處理，因而，可高精度獲得經(jīng)由連接用圖案相互連接的重復(fù)圖案及通常圖案組成的光刻膠圖案。
本發(fā)明的另一方面所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，由于采用權(quán)利要求1～權(quán)利要求11所述的圖案形成方法之一來對(duì)光刻膠形成圖案，因而可對(duì)圖案形成對(duì)象物高精度形成圖案。
本發(fā)明的另一方面所述的曝光用掩模裝置，在采用第1曝光用掩模的第1曝光處理時(shí)，除了上述邊界附近區(qū)域外的第2掩模部被完全遮蔽，在采用第2曝光用掩模的第2曝光處理時(shí)，除了上述邊界附近區(qū)域外的第1掩模部被完全遮蔽。
結(jié)果，重復(fù)圖案的大部分中，由于上述第2曝光處理時(shí)產(chǎn)生光透射的區(qū)域不存在，因而可高精度獲得重復(fù)圖案，通常圖案的大部分中，由于上述第1曝光處理時(shí)產(chǎn)生光透射的區(qū)域不存在，因而可高精度獲得通常圖案。


本發(fā)明的實(shí)施例1的圖案形成方法的流程圖。
最終加工目的的光刻膠圖案的平面形狀的說明圖。
第1曝光處理采用的2燈照明用的照明系統(tǒng)光圈的構(gòu)造的說明圖[圖4]說明第1曝光處理中的光學(xué)干涉條件用的說明圖。
第1曝光處理中采用的HT掩模的平面形狀的說明圖。
第2曝光處理中采用2/3環(huán)形照明用的照明系統(tǒng)光圈的構(gòu)造的說明圖。
第2曝光處理中用采用的HT掩模的平面形狀的說明圖。
第1曝光處理相對(duì)于第2曝光處理在右下斜方向上掩模的重合錯(cuò)位時(shí)的光刻膠圖案形成狀態(tài)的說明圖。
第1曝光處理相對(duì)于第2曝光處理在左下斜方向上掩模的重合錯(cuò)位時(shí)的光刻膠圖案形成狀態(tài)的說明圖。
僅僅以柵格圖案為對(duì)象的假想光刻膠圖案的平面構(gòu)造的說明圖。
考慮圖10所示前端部后退現(xiàn)象時(shí)假定的光刻膠圖案的平面構(gòu)造的說明圖。
實(shí)施例2的第2曝光處理采用的HT掩模的平面構(gòu)造的說明圖。
實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。
實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。
實(shí)施例2的圖案形成方法的光刻膠圖案形成例的說明圖。
用于獲得圖15所示光刻膠圖案的第1曝光處理用的HT掩模的說明圖。
用于獲得圖15所示光刻膠圖案的第2曝光處理用的HT掩模的說明圖。
以圖15所示光刻膠圖案作為期望的圖案，由實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。
實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。
實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。
實(shí)施例3的第1曝光處理采用的三色調(diào)掩模的平面構(gòu)造的說明圖。
實(shí)施例3的第2曝光處理采用的三色調(diào)掩模的平面構(gòu)造的說明圖。
實(shí)施例3的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的平面構(gòu)造的說明圖。
實(shí)施例3的第2形態(tài)中的第2曝光處理采用的三色調(diào)掩模的說明圖。
實(shí)施例3的第3形態(tài)中的第1曝光處理采用的三色調(diào)掩模的說明圖。
實(shí)施例3的第1形態(tài)的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的連接部區(qū)域的光學(xué)模擬結(jié)果的說明圖。
實(shí)施例3的第2形態(tài)的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的連接部區(qū)域的光學(xué)模擬結(jié)果的說明圖。
實(shí)施例3的第3形態(tài)的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的連接部區(qū)域的光學(xué)模擬結(jié)果的說明圖。
實(shí)施例3的第4形態(tài)中的第1曝光處理采用的三色調(diào)掩模的說明圖。
對(duì)實(shí)施例4的多枚晶片進(jìn)行曝光方法的流程圖。
第2曝光處理采用的其他照明系統(tǒng)光圈的構(gòu)造的說明圖。
符號(hào)說明1～4、6HT掩模11～14 線圖案
15～19三色調(diào)掩模15a～19a HT掩模部15b～19b 完全遮光部21任意圖案22、24焊點(diǎn)圖案23布線圖案41、43、44、46、51～55、81～85遮光圖案56、86縮小遮光圖案42、45透射圖案100 柵格圖案101 通常圖案具體實(shí)施方式
實(shí)施例1(全部工序)圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的圖案形成方法的流程圖。以下，參照該圖說明實(shí)施例1的圖案形成方法的概要。
首先，步驟S1中，在規(guī)定基板上涂敷光刻膠。這里所述的規(guī)定基板是指，在硅晶片上形成有多晶硅、鎢、氧化硅膜、氮化硅膜、鋁等的被圖案形成膜的基板或基板本身。
另外，作為光刻膠的涂敷內(nèi)容，例如，可考慮在上述規(guī)定的基板上將有機(jī)反射防止膜以膜厚78nm左右成膜，在該有機(jī)反射防止膜上涂敷膜厚180nm左右的甲基丙酸烯化學(xué)放大正片型光刻膠等。
圖2是最終加工目的的光刻膠圖案(期望圖案)的平面形狀的說明圖。
如該圖所示，期望圖案通過形成了柵格圖案100的柵格圖案形成區(qū)域A1(第1區(qū)域)和形成了通常圖案101的通常圖案形成區(qū)域A2(第2區(qū)域)相互鄰接且分離地形成，且在兩區(qū)域A1、A2的鄰接區(qū)域即連接部區(qū)域A3中，呈現(xiàn)柵格圖案100的一部分和通常圖案101的一部分相連的平面形狀。
圖2中，作為柵格圖案100，表示了格子狀排列的線圖案11～14，作為通常圖案101，表示了任意配置的圖案21～24(21任意圖案，22、24焊點(diǎn)圖案，23布線圖案)，線圖案12和布線圖案23連接，線圖案14和焊點(diǎn)圖案24連接。另外，本說明書中，「通常圖案」是指柵格圖案以外的圖案。
然后，步驟S2中，進(jìn)行曝光前的加熱處理(軟焙燒)。該軟焙燒例如在溫度110℃左右進(jìn)行60秒左右。
接著，步驟S3中，僅僅將柵格圖案形成區(qū)域A1作為實(shí)質(zhì)的曝光對(duì)象執(zhí)行第1曝光處理。該第1曝光處理中，曝光光源采用ArF受激準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)。另外，第1曝光處理的詳細(xì)情況將后述。
接著，步驟S4中，僅僅將通常圖案形成區(qū)域A2作為實(shí)質(zhì)的曝光對(duì)象執(zhí)行第2曝光處理。該第2曝光處理中，曝光光源采用ArF受激準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)。另外，第2曝光處理的詳細(xì)情況將后述。
步驟S5中，進(jìn)行曝光后的加熱處理(PEB(Post Exposure Bake)或曝光后焙燒)。該加熱處理例如在溫度125℃左右進(jìn)行60秒左右。
然后，步驟S6中，進(jìn)行顯影處理，對(duì)光刻膠形成圖案。顯影處理中，作為顯影液，可使用氫氧化四甲基銨的2.38wt％水溶液。結(jié)果，上述期望的圖案形成在光刻膠上。另外，顯影后為了使水分干燥，例如在115℃左右的溫度下進(jìn)行約60秒加熱處理。
(第1曝光處理)第1曝光處理中使用的放射線，例如有ArF受激準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)。第1曝光處理的照明部件采用2燈照明。
圖3是第1曝光處理采用的2燈照明用的照明系統(tǒng)光圈的構(gòu)造的說明圖。如該圖所示，照明系統(tǒng)光圈31設(shè)有2個(gè)開口部32，因而通過使用采用照明系統(tǒng)光圈31的2燈照明，可實(shí)現(xiàn)0次衍射光和1次衍射光的2光束干涉曝光。另外，2個(gè)開口部32沿柵格圖案的線、空隙的重復(fù)方向配置。即，如圖2，柵格圖案100的線、空隙的重復(fù)方向?yàn)閳D中的縱方向(橫條紋形式)的場(chǎng)合，如圖3所示，開口部32上下配置。
圖4是第1曝光處理中的光學(xué)干涉條件說明用的說明圖。以下，參照?qǐng)D4，說明(λ/P)的確定方法。圖4中表示，曝光光36入射到在玻璃基板33上形成有形成柵格圖案100的遮光圖案34的HT(半色調(diào)相位移動(dòng))掩模35并衍射的情況。另外，圖4中曝光光36衍射后的狀態(tài)用曝光光37表示。
在該狀況下，曝光光36和曝光光37的光路差Δ通過下式(2)表示。
Δ＝d1+d2＝P·(sinθi+sinθd)＝λ…(2)上述式(2)中，P是柵格圖案的節(jié)距，θi是入射角，θd是衍射角。另外，如上所述，λ是曝光波長(zhǎng)，根據(jù)該式(2)，(λ/P)＝sinθi+sinθd時(shí)成為理想的光學(xué)干涉條件。
這里，λ＝193nm，NA＝0.85，P＝130nm(空隙和線以節(jié)距65nm排列的柵格圖案)及iNA＝0.81的條件時(shí)，σin及σout采用上述式(2)獲得的(λ/P)，可通過以下的式(3)、式(4)獲得。另外，iNA是曝光機(jī)的照明數(shù)值孔徑，NA是投影透鏡的數(shù)值孔徑。
σin＝((λ/P)-NA)/NA…(3)σout＝iNA/NA…(4)結(jié)果，可獲得σin為「0.75」，σout為「0.95」，設(shè)定圖3所示開口部32的σin及σout。
另外，若增大圖3所示2燈照明用的照明系統(tǒng)光圈31的開口部32的圓弧的切出角度，則雖然對(duì)比度劣化，但是照度提高。從而，該切出角度可通過兩者的折衷關(guān)系選擇最佳值。
另外，圖3所示開口部32的形狀是一例，只要滿足上述光學(xué)干涉條件，也可以是其他形狀。
圖5是第1曝光處理中采用的HT掩模的平面形狀的說明圖。如該圖所示，第1曝光用掩模即HT掩模1形成為，與柵格圖案形成區(qū)域A1對(duì)應(yīng)的柵格圖案用掩模部M1(第1掩模部)中，遮光圖案41和透射圖案42交互形成，與通常圖案形成區(qū)域A2對(duì)應(yīng)的通常圖案用掩模部M2(第2掩模部)的整個(gè)面由遮光圖案43形成。上述遮光圖案41是用于圖2的線圖案11～14的形成的圖案。另外，HT掩模1中的遮光圖案41、43的透射率是6％。
以下，說明HT(半色調(diào)相位移動(dòng))掩模。HT掩模由使對(duì)曝光有貢獻(xiàn)的強(qiáng)度的光透射的透射部(與透射圖案42相當(dāng))和具有6％左右的透射率并使透射光的相位反相的遮光部(與遮光圖案41相當(dāng))構(gòu)成。通過采用使用這樣的HT掩模的曝光技術(shù)，可提高成像面的對(duì)比度。
這樣，通過在上述的2燈照明下的采用HT掩模1的曝光，僅僅將柵格圖案形成區(qū)域A1作為實(shí)質(zhì)的曝光對(duì)象進(jìn)行了第1曝光處理。
(第2曝光處理)圖6是第2曝光處理中采用的2/3環(huán)形照明用的照明系統(tǒng)光圈的構(gòu)造的說明圖。如該圖所示，由于照明系統(tǒng)光圈38具有環(huán)形狀的開口部39，從中心到開口部39的內(nèi)徑R1和從中心到開口部39的外徑R2的比設(shè)定成2∶3，因而通過采用該照明系統(tǒng)光圈38，可實(shí)現(xiàn)2/3環(huán)形照明。數(shù)值孔徑NA設(shè)定成「0.85」。另外，第2曝光處理中的的曝光條件分別對(duì)光照射量、焦點(diǎn)位置等進(jìn)行優(yōu)化。
圖7是第2曝光處理中采用的HT掩模的平面形狀的說明圖。如該圖所示，第2曝光用掩模即HT掩模2，柵格圖案用掩模部M1在整個(gè)面形成遮光圖案55，通常圖案用掩模部M2形成遮光圖案51～54。通常圖案用掩模部M2中未形成遮光圖案51～54的區(qū)域成為透射區(qū)域。另外，遮光圖案51～54是用于形成圖2所示通常圖案101的圖案21～24的圖案。
這樣，通過在上述2/3環(huán)形照明下的采用HT掩模2的曝光，僅僅將通常圖案形成區(qū)域A2作為實(shí)質(zhì)的曝光對(duì)象進(jìn)行了第2曝光處理。
從而，實(shí)施例1中，通過采用由第1曝光用掩模即HT掩模1和第2曝光用掩模即HT掩模2構(gòu)成的曝光用掩模裝置，可以對(duì)光刻膠進(jìn)行由柵格圖案100及通常圖案101組成的高精度的圖案形成。
(效果)如上所述，通過實(shí)施例1的圖案形成方法，可獲得圖2所示期望圖案。用電子顯微鏡觀察實(shí)施例1的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案時(shí)，與圖2所示期望圖案同樣，確認(rèn)分辨出包含65nmL/S的柵格圖案并與通常圖案即周邊電路圖案連續(xù)的圖案。
以上，實(shí)施例1的圖案形成方法中，柵格圖案形成用的第1曝光處理，僅僅將柵格圖案形成區(qū)域A1作為實(shí)質(zhì)的曝光對(duì)象，使用適合于微細(xì)的(例如，過程因子k1為0.3以下)圖案曝光的2燈照明。而且，通常圖案形成用的第2曝光處理，僅僅將通常圖案形成區(qū)域A2作為實(shí)質(zhì)的曝光對(duì)象，使用適合于通常圖案曝光的環(huán)形照明等的各向同性照明。即，通過2次曝光處理進(jìn)行最佳曝光處理，以獲得圖2所示期望圖案。
從而，可高精度地獲得過程因子k1的值為0.3以下級(jí)別的柵格圖案和過程因子k1為0.5級(jí)別的通常圖案共存的電路圖案用的光刻膠圖案。
從而，由于可形成高精度的柵格圖案和通常圖案分離形成且連接的電路圖案，因而可設(shè)計(jì)具有各種各樣圖案形狀的電路圖案。
另外，實(shí)施例1的圖案形成方法中，通過在第1曝光處理時(shí)在通常圖案用掩模部M2的整個(gè)面設(shè)置遮光圖案43，第2曝光處理時(shí)在柵格圖案用掩模部M1的整個(gè)面設(shè)置遮光圖案55，在第1曝光處理時(shí)僅僅對(duì)柵格圖案形成區(qū)域A1進(jìn)行曝光，在第2曝光處理時(shí)僅僅對(duì)通常圖案形成區(qū)域A2進(jìn)行曝光，從而，可分別對(duì)柵格圖案形成區(qū)域A1及通常圖案形成區(qū)域A2形成的柵格圖案100及通常圖案101進(jìn)行最佳的曝光。
另外，實(shí)施例1的圖案形成方法由于使用既存的曝光裝置等，因而，例如在第1及第2曝光處理實(shí)施時(shí)沒有必要另外導(dǎo)入新的曝光裝置等，可有效防止制造成本的增大。
另外，第1曝光處理和第2曝光處理的順序也可以與上述相反。即，可在第2曝光處理后進(jìn)行第1曝光處理。
另外，上述實(shí)施例1中談到第2曝光處理通過1次曝光工序?qū)饪棠z曝光通常圖案的情況。但是，也可以通過由2次以上的部分曝光工序組成的第2曝光處理，來對(duì)光刻膠曝光通常圖案。該部分曝光工序的次數(shù)例如可根據(jù)通常圖案的形狀任意選擇。
另外，第2曝光處理中執(zhí)行多次部分曝光工序時(shí)，當(dāng)然在各部分曝光工序中可優(yōu)化光照射量及曝光焦點(diǎn)位置。另外，如上所述，第1曝光處理中也可優(yōu)化光照射量及曝光焦點(diǎn)位置。
從而，第2曝光處理以多個(gè)部分曝光工序?qū)崿F(xiàn)時(shí)，由于可對(duì)各部分曝光工序中形成的各圖案設(shè)定適當(dāng)?shù)钠毓鈼l件，因而可提高整個(gè)圖案的分辨率，以獲得如圖2所示的期望圖案。
(變形例)另外，實(shí)施例1中說明了具有線、空隙的重復(fù)方向僅僅為1個(gè)方向的柵格圖案和通常圖案的圖案的形成方法。作為變形例，假定柵格圖案(線、空隙)的重復(fù)方向存在2個(gè)方向(相互正交的第1及第2重復(fù)方向)時(shí)，即，作為柵格圖案，線、空隙沿上述第1重復(fù)方向交互重復(fù)的第1部分柵格圖案和線、空隙沿上述第2重復(fù)方向交互重復(fù)的第2部分柵格圖案區(qū)域分離并各自存在時(shí)的曝光。
該場(chǎng)合，通過使圖3所示的2燈照明的光圈90度旋轉(zhuǎn)來變更上述第1及第2部分柵格圖案形成時(shí)的2燈照明的照明條件的方法是有效的。即，考慮通過以下的工序?qū)饪棠z進(jìn)行的圖案形成方法。
首先，作為柵格圖案用的第1曝光處理的第1步驟，采用具有第1部分柵格圖案的第1部分柵格圖案用掩模，在2個(gè)開口部32沿上述第1重復(fù)方向配置的2燈照明的光圈實(shí)現(xiàn)的第1照明條件下，執(zhí)行曝光處理。
接著，作為柵格圖案用的第1曝光處理的第2步驟，采用具有第2部分柵格圖案的第2部分柵格圖案用掩模，在2個(gè)開口部32沿上述第2重復(fù)方向配置的2燈照明的光圈實(shí)現(xiàn)的第2照明條件下，執(zhí)行曝光處理。
作為第2曝光處理的步驟，采用具有與柵格圖案的連接部分的通常圖案的曝光用掩模，在使用環(huán)形照明等的各向同性照明的第3照明條件下，執(zhí)行曝光處理。
最后，在上述第1曝光處理的第1及第2步驟以及第2曝光處理的步驟后，使光刻膠顯影。
這樣，由于通過對(duì)第1及第2部分柵格圖案在2燈照明的光圈內(nèi)容改變的不同照明條件下進(jìn)行曝光，可設(shè)定第1及第2曝光處理的最佳照明條件，因而，具有可實(shí)現(xiàn)精確形成包含在縱橫雙方上過程因子k1的值為0.3以下的柵格圖案(第1及第2部分柵格圖案)的微細(xì)圖案的效果。
實(shí)施例2(前提)實(shí)施例1的圖案形成方法最終獲得的柵格圖案比第1曝光處理后的光刻膠圖案進(jìn)行了更細(xì)的加工，光刻膠形狀也呈現(xiàn)垂直性的劣化。這考慮為第2曝光處理時(shí)中的半色調(diào)透射光(透射遮光圖案55的光)的灰霧的影響。另外，與其伴隨，由于第1曝光處理時(shí)的掩模和第2曝光處理時(shí)的掩模的合成光學(xué)像的對(duì)比度劣化，因而呈現(xiàn)線邊緣粗糙度(布線的直線性)的劣化。實(shí)施例2實(shí)現(xiàn)上述劣化的改善。
(全部工序)全部工序除了步驟S4的第2曝光處理內(nèi)容外，與圖1所示實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
(各個(gè)問題的檢討)圖8是第1曝光處理相對(duì)于第2曝光處理在右下斜方向上掩模的重合錯(cuò)位時(shí)的光刻膠圖案形成狀態(tài)的說明圖。如該圖所示，柵格圖案100和通常圖案101之間形成不需要圖案10，該不需要圖案10將線圖案11～14和布線圖案23、24連接。此時(shí)，若線圖案11和線圖案12(布線圖案23)設(shè)定成不同電位，則產(chǎn)生不同電位間發(fā)生短路的缺陷。
圖9是第1曝光處理相對(duì)于第2曝光處理在左下斜方向上掩模的重合錯(cuò)位時(shí)的光刻膠圖案形成狀態(tài)的說明圖。如該圖所示，產(chǎn)生本來不必要連接的線圖案13和焊點(diǎn)圖案24連接在一起的缺陷。
圖10是僅僅以柵格圖案為對(duì)象的假想光刻膠圖案的平面構(gòu)造的說明圖。如該圖所示的假想光刻膠圖案25，是假定采用圖5所示HT掩模1進(jìn)行第1曝光處理后進(jìn)行顯影處理獲得的光刻膠圖案。如圖5所示，由于圖案形狀導(dǎo)致的光學(xué)原理，假想光刻膠圖案25與掩模尺寸相比，后退了與圖5的透射圖案42對(duì)應(yīng)的柵格圖案前端部(產(chǎn)生前端部后退現(xiàn)象)，留下了后退殘存圖案26。
圖11是考慮圖10所示前端部后退現(xiàn)象時(shí)假定的光刻膠圖案的平面構(gòu)造的說明圖。如該圖所示，由于后退殘存圖案26，產(chǎn)生如下缺陷，即線圖案11、12間，12、13間，13、14間連接，在線圖案11～13的兩端過度形成不需要的電氣連接圖案27、27，而且，不需要的電氣連接圖案27還連接布線圖案23及焊點(diǎn)圖案24。這樣，即使沒有圖8及圖9所示掩模的重合錯(cuò)位，圖10所示的前端部后退現(xiàn)象產(chǎn)生時(shí)也會(huì)產(chǎn)生缺陷。
(第2曝光處理)實(shí)施例2中，考慮上述各個(gè)問題，實(shí)現(xiàn)第2曝光處理中采用的HT掩模的改善。
圖12是實(shí)施例2的第2曝光處理中采用的HT掩模的平面構(gòu)造的說明圖。
如圖所示，第2曝光用掩模即HT掩模4中，柵格圖案用掩模部M1中，與圖7所示HT掩模2的遮光圖案55相比，形成從兩端縮短規(guī)定量C的縮小遮光圖案56。即，在除去從柵格圖案用掩模部M1、通常圖案用掩模部M2的邊界線LB2向柵格圖案用掩模部M1側(cè)延伸規(guī)定量C(第1規(guī)定量)而形成的延長(zhǎng)區(qū)域E1(第1延長(zhǎng)區(qū)域)和從端部線LB5向內(nèi)側(cè)延伸規(guī)定量C(第2規(guī)定量)而形成的延長(zhǎng)區(qū)域E2(第2延長(zhǎng)區(qū)域)外的柵格圖案用掩模部M1的區(qū)域中設(shè)置縮小遮光圖案56。
從而，延長(zhǎng)區(qū)域E2成為透射區(qū)域。另外，為了明確縮小遮光圖案56的大小，用虛線表示假想的線圖案11v～14v。端部線LB5與假想線圖案11v～14v的端部位置相當(dāng)。
另一方面，HT掩模4的遮光圖案53與圖7所示HT掩模2的遮光圖案53相比，在延長(zhǎng)區(qū)域E1中，過度形成了沿柵格圖案用掩模部M1(的內(nèi)側(cè))方向延伸的遮光圖案延長(zhǎng)部53c，遮光圖案54與圖7所示HT掩模2的遮光圖案54相比，在延長(zhǎng)區(qū)域E1中，過度形成了沿柵格圖案用掩模部M1方向延伸的遮光圖案延長(zhǎng)部54c。即，在延長(zhǎng)區(qū)域E1設(shè)有成為通常圖案101的連接圖案的遮光圖案53及遮光圖案54的延長(zhǎng)部分用的遮光圖案53c、54c。
這樣，實(shí)施例2中，第2曝光處理中采用的HT掩模4中，遮光圖案53由相互連接形成的遮光圖案主要部53m(與HT掩模2的遮光圖案53相當(dāng))及遮光圖案延長(zhǎng)部53c組成，遮光圖案54由相互連接形成的遮光圖案主要部54m(與HT掩模2的遮光圖案54相當(dāng))及遮光圖案延長(zhǎng)部54c組成。
另外，規(guī)定量C設(shè)定成基于上述前端部后退現(xiàn)象產(chǎn)生的后退量和重合錯(cuò)位的余裕度的量(例如，上述后退量和重合錯(cuò)位的余裕度的單純的和)。
另一方面，遮光圖案延長(zhǎng)部53c及54c的布線寬度LW如下確定。例如，柵格圖案的線尺寸為65nm時(shí)，若將重合余裕15nm(圖12所示平面構(gòu)造的上下方向)和尺寸精度余裕10nm(加工尺寸偏差的余裕)以單純的和相加，則連接用圖案的延長(zhǎng)部分即遮光圖案53c及54c的布線寬度LW成為115nm。余裕度可以以單純的和計(jì)算，也可以以平方和的平方根求出。這里持有規(guī)定余裕的粗布線的尺寸可考慮為不是掩模的設(shè)計(jì)尺寸，而是曝光·顯影后的結(jié)果得出的光刻膠圖案尺寸。
這樣，取代實(shí)施例1的HT掩模2而采用HT掩模4進(jìn)行第2曝光處理的方法就是實(shí)施例2的圖案形成方法。
(效果)圖13是實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。圖13中，表示了前述的前端部后退現(xiàn)象產(chǎn)生后退量dc1(＜0)的情況。
如前述，HT掩模4中，從邊界線LB2向柵格圖案用掩模部M1側(cè)形成縮小規(guī)定量C的縮小遮光圖案56及延長(zhǎng)規(guī)定量C的遮光圖案延長(zhǎng)部53c及54c，因而，不位于遮光圖案延長(zhǎng)部53c及54c下的不需要的電氣連接圖案27(參照?qǐng)D11)全部被第2曝光處理時(shí)的曝光消除。
結(jié)果，如圖13所示，由于從柵格圖案形成區(qū)域A1和通常圖案形成區(qū)域A2的邊界即邊界線LB1向柵格圖案形成區(qū)域A1側(cè)延伸后退量dc1而形成布線圖案延長(zhǎng)部23c及24c，因而，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部23c，布線圖案23和線圖案12連接，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部24c，焊點(diǎn)圖案24和線圖案14連接，從而即使是產(chǎn)生上述前端部后退現(xiàn)象的場(chǎng)合，也可獲得電氣連接關(guān)系中與圖2等價(jià)的圖案。
圖14是通過實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。圖14中說明產(chǎn)生前述的右斜方向的掩模重合錯(cuò)位現(xiàn)象，上述錯(cuò)位現(xiàn)象中的右方向(線圖案11的形成方向(第1方向))的錯(cuò)位以錯(cuò)位量dc2(＜C)產(chǎn)生的情況。
如前述，由于HT掩模4形成縮小遮光圖案56及遮光圖案延長(zhǎng)部53c及54c，因而不位于遮光圖案延長(zhǎng)部53c及54c下的不需要圖案10(參照?qǐng)D8)全部被第2曝光處理時(shí)的曝光消除。
結(jié)果，如圖14所示，由于形成從邊界線LB1以錯(cuò)位量dc2向柵格圖案形成區(qū)域A1側(cè)延伸的布線圖案延長(zhǎng)部23c及24c，因而，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部23c，布線圖案23和線圖案12連接，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部24c，焊點(diǎn)圖案24和線圖案14連接，從而，即使產(chǎn)生右斜方向的掩模重合錯(cuò)位現(xiàn)象，也可在電氣的連接關(guān)系中獲得與圖2等價(jià)的圖案。
而且，由于遮光圖案延長(zhǎng)部53c及54c的布線寬度LW考慮了重合余裕及尺寸精度余裕，而形成為比線圖案11～14的形成寬度更寬，因而即使產(chǎn)生上下方向(第2方向)的重合錯(cuò)位，線圖案12和布線圖案延長(zhǎng)部23c以及線圖案14和布線圖案延長(zhǎng)部24c也都可以可靠地連接。
這樣，實(shí)施例2的圖案形成方法，通過采用圖12所示HT掩模4進(jìn)行第2曝光處理，即使產(chǎn)生前端部后退現(xiàn)象、掩模重合錯(cuò)位等的影響，也可形成無缺陷的光刻膠圖案。
圖15是實(shí)施例2的圖案形成方法形成的光刻膠圖案形成例的說明圖。如圖所示，作為期望的圖案，線圖案61～69組成的柵格圖案102和圖案71～75組成的通常圖案103相互鄰接而形成，布線圖案71和線圖案63連接，布線圖案73和線圖案66連接，布線圖案75和線圖案68連接。
圖16是為了獲得圖15所示光刻膠圖案60的第1曝光處理用的HT掩模的說明圖。如該圖所示，第1曝光用掩模即HT掩模3，在柵格圖案用掩模部M1中，交互形成遮光圖案44及透射圖案45，而在通常圖案用掩模部M2中，形成遮蔽整個(gè)面的遮光圖案46。
圖17是為了獲得圖15所示光刻膠圖案60的第2曝光處理用的HT掩模的說明圖。如該圖所示，第2曝光用掩模即HT掩模6，在柵格圖案用掩模部M1中，形成將從柵格圖案用掩模部M1的兩端分別以規(guī)定量C縮小的整個(gè)區(qū)域遮蔽的縮小遮光圖案86，在通常圖案用掩模部M2中，形成遮光圖案81～85。
遮光圖案81、83及85，從柵格圖案用掩模部M1和通常圖案用掩模部M2的邊界線LB2向柵格圖案用掩模部M1方向延伸規(guī)定量C而分別過度形成遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c。此時(shí)，遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c的布線寬度LW以如前述的考慮了重合余裕和尺寸精度余裕的形成寬度形成。
圖18是將圖15所示光刻膠圖案60作為期望的圖案，通過實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。圖18中表示了前述前端部后退現(xiàn)象以后退量dc1(＜C)產(chǎn)生的情況。
如前述，HT掩模6由于形成從邊界線LB2向柵格圖案用掩模部M1側(cè)以規(guī)定量C縮小的縮小遮光圖案86及以規(guī)定量C延長(zhǎng)的遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c，因而，不位于遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c下的不需要的電氣連接圖案(如圖11的不需要的電氣連接圖案27，由前端部后退現(xiàn)象產(chǎn)生的圖案)全部被第2曝光處理時(shí)的曝光消除。
結(jié)果，如圖18所示，由于形成從柵格圖案形成區(qū)域A1和通常圖案形成區(qū)域A2的邊界即邊界線LB1向柵格圖案形成區(qū)域A1側(cè)延伸后退量dc1的布線圖案延長(zhǎng)部71c、73c及75c，因而，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部71c，布線圖案71和線圖案63連接，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部73c，布線圖案73和線圖案66連接，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部75c，布線圖案75和線圖案68連接。從而，即使產(chǎn)生上述先端部后退現(xiàn)象，也可獲得電氣的連接關(guān)系中與圖15的光刻膠圖案60等價(jià)的圖案。
圖19是實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。圖19中，表示了由右斜方向的掩模重合錯(cuò)位現(xiàn)象所產(chǎn)生的右方向的錯(cuò)位以錯(cuò)位量dc2(＜C)產(chǎn)生的情況。
如前述，HT掩模6由于形成縮小遮光圖案86及遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c，因而不位于遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c下的不需要圖案(與圖8的不需要圖案10相當(dāng)?shù)膱D案)全部被第2曝光處理時(shí)的曝光消除。
結(jié)果，如圖19所示，由于形成從邊界線LB1向柵格圖案形成區(qū)域A1側(cè)延伸錯(cuò)位量dc2的布線圖案延長(zhǎng)部71c、73c及75c，因而，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部71c，布線圖案71和線圖案63連接，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部73c，布線圖案73和線圖案66連接，經(jīng)由布線圖案延長(zhǎng)部75c，布線圖案75和線圖案68連接。從而，即使產(chǎn)生上述右斜方向的掩模重合錯(cuò)位現(xiàn)象，也可獲得電氣的連接關(guān)系中與圖15所示光刻膠圖案60等價(jià)的圖案。
而且，遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c的布線寬度LW考慮了重合余裕及尺寸精度余裕，形成為比線圖案61～69的形成寬度寬，因而即使產(chǎn)生上下方向的重合錯(cuò)位，線圖案63和布線圖案延長(zhǎng)部71c，線圖案66和布線圖案延長(zhǎng)部73c，線圖案68和布線圖案延長(zhǎng)部75c都可以分別可靠地連接。
圖20是實(shí)施例2的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的說明圖。圖20中，表示了左斜方向的掩模重合錯(cuò)位現(xiàn)象導(dǎo)致的左方向的錯(cuò)位以錯(cuò)位量dc3(＜C)產(chǎn)生的情況。
如前述，HT掩模6由于形成縮小遮光圖案86及遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c，因而不位于遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c下的不需要圖案(線圖案61、62、64、65、67、69是從邊界線LB1過度延伸形成的圖案)全部被第2曝光處理時(shí)的曝光消除。
而且，遮光圖案延長(zhǎng)部81c、83c及85c的布線寬度LW考慮了重合余裕及尺寸精度余裕，形成為比線圖案61～69的形成寬度寬，因而即使產(chǎn)生上下方向的重合錯(cuò)位，線圖案63和布線圖案71，線圖案66和布線圖案73，線圖案68和布線圖案75都可分別可靠地連接。
這樣，實(shí)施例2中，采用由第1曝光用掩模即HT掩模1、3和第2曝光用掩模即HT掩模4、6所構(gòu)成的曝光用掩模裝置，可對(duì)光刻膠高精度地形成由柵格圖案及通常圖案組成的圖案。
實(shí)施例3(前提)實(shí)施例2的圖案形成方法最終獲得的柵格圖案與實(shí)施例1同樣，比第1曝光處理后的光刻膠圖案進(jìn)行了更細(xì)的加工，光刻膠形狀也呈現(xiàn)垂直性的劣化。這考慮為是第2曝光處理中采用的第2枚HT掩模6的半色調(diào)透射光的灰霧的影響。另外，與其伴隨，由于第1枚(第1曝光處理時(shí))和第2枚(第2曝光處理時(shí))掩模的合成光學(xué)像的對(duì)比度劣化，因而呈現(xiàn)線邊緣粗糙度(布線的直線性)的劣化。實(shí)施例3實(shí)現(xiàn)上述劣化的改善。
(全部工序)全部工序除了步驟S3的第1曝光處理的內(nèi)容及步驟S4的第2曝光處理的內(nèi)容，與圖1所示實(shí)施例1同樣進(jìn)行。
(第1曝光處理)圖21是實(shí)施例3的第1曝光處理中采用的三色調(diào)(tritone)掩模15的平面構(gòu)造的說明圖。
如該圖所示，第1曝光用掩模即三色調(diào)掩模15的圖案形狀本身與圖5所示實(shí)施例1及實(shí)施例2的第1曝光處理用的HT掩模1相同。即，三色調(diào)掩模15的遮光圖案41、透射圖案42及遮光圖案43，與HT掩模1的遮光圖案41、透射圖案42及遮光圖案43呈現(xiàn)同一形狀。
但是，三色調(diào)掩模15由非完全遮光部即HT掩模部15a和完全遮光部15b的合成形成這一點(diǎn)不同于HT掩模1。
HT掩模部15a形成為遮光圖案41的整個(gè)形成區(qū)域的同時(shí)，而且，也從遮光圖案43和遮光圖案41的邊界線LB3延伸移動(dòng)量ΔD1，形成為遮光圖案43的一部分。
另一方面，完全遮光部15b在遮光圖案43的整個(gè)形成區(qū)域中，形成為除了HT掩模部15a的形成區(qū)域以外的區(qū)域。即，完全遮光部15b是在通常圖案用掩模部M2中，形成于除了柵格圖案用掩模部M1和通常圖案用掩模部M2間的邊界線LB2的附近區(qū)域(邊界附近區(qū)域)的整個(gè)區(qū)域。
HT掩模部15a與HT掩模1同樣，是由使對(duì)曝光有貢獻(xiàn)的強(qiáng)度的光透射的透射部(與透射圖案42相當(dāng))和具有6％左右的透射率且使光的相位反相的遮光部(與遮光圖案41相當(dāng))構(gòu)成的掩模部分。另一方面，完全遮光部15b是在與HT掩模相當(dāng)?shù)恼诠獠可线M(jìn)一步用Cr覆蓋來完全遮蔽光的掩模部分。
(第2曝光處理)圖22是實(shí)施例3的第2曝光處理中采用的三色調(diào)掩模16的平面構(gòu)造的說明圖。
如該圖所示，第2曝光用掩模即三色調(diào)掩模16的圖案形狀本身與圖12所示實(shí)施例2的第2曝光處理用的HT掩模4相同。即，三色調(diào)掩模16的遮光圖案51～54及56，與HT掩模4的遮光圖案51～54及56呈現(xiàn)同一形狀。
但是，三色調(diào)掩模16由非完全遮光部即HT掩模部16a和完全遮光部16b的合成形成這一點(diǎn)不同于HT掩模4。
HT掩模部16a形成為遮光圖案51～54的整個(gè)形成區(qū)域的同時(shí)，還從縮小遮光圖案56和遮光圖案延長(zhǎng)部53c和遮光圖案延長(zhǎng)部54c的邊界線LB4延伸移動(dòng)量ΔD2，形成為縮小遮光圖案56的一部分。
另一方面，完全遮光部16b，在縮小遮光圖案56的整個(gè)形成區(qū)域中，形成為除了HT掩模部16a的形成區(qū)域以外的區(qū)域。即，完全遮光部16b，在柵格圖案用掩模部M1中，形成為除了邊界線LB2的附近區(qū)域以外的整個(gè)區(qū)域。
(效果)圖23是實(shí)施例3的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案的平面構(gòu)造的說明圖。該圖23相當(dāng)于電子顯微鏡的觀察結(jié)果的示意圖。
如該圖所示，可明白65nmL/S的柵格圖案100及通常圖案101高精度形成的同時(shí)，線圖案12和布線圖案23以及線圖案14和焊點(diǎn)圖案24的連接良好。即，實(shí)施例3的圖案形成方法獲得的光刻膠圖案與實(shí)施例1及實(shí)施例2的方法獲得的光刻膠圖案一樣，呈現(xiàn)無尺寸細(xì)小、形狀劣化、直線性劣化的良好圖案形狀。
以下，參照?qǐng)D23，說明實(shí)施例3的效果。如圖23所示，對(duì)與線圖案11～14的大部分區(qū)域相當(dāng)?shù)膮^(qū)域EX1(圖23中位于距離邊界線LB4為移動(dòng)量ΔD2以上右側(cè)的區(qū)域)，進(jìn)行采用HT掩模部15a的第1曝光處理，進(jìn)行采用完全遮光部16b的第2曝光處理，因而，區(qū)域EX1中第2曝光處理時(shí)產(chǎn)生光透射的區(qū)域不存在。從而，通過避免半色調(diào)透射光的灰霧的影響，可高精度獲得區(qū)域EX1中的線圖案11～14。
另一方面，對(duì)與圖案21～24的大部分的區(qū)域相當(dāng)?shù)膮^(qū)域EX2(位于距離圖23中邊界線LB3為移動(dòng)量ΔD1以上左側(cè)的區(qū)域)，進(jìn)行采用完全遮光部15b的第1曝光處理，進(jìn)行采用HT掩模部16a的第2曝光處理，因而，區(qū)域EX2中第1曝光處理時(shí)產(chǎn)生光透射的區(qū)域不存在。從而，通過避免半色調(diào)透射光的灰霧的影響，可高精度獲得區(qū)域EX2中的圖案21～24。
對(duì)區(qū)域EX1、EX2間的柵格圖案100和通常圖案101之間的連接部區(qū)域相當(dāng)?shù)膮^(qū)域EX3，進(jìn)行采用HT掩模部15a的第1曝光處理，進(jìn)行采用HT掩模部16a的第2曝光處理，因而，區(qū)域EX3中，遮光部中也被2次光透射。該區(qū)域EX3中的效果將后述。
(第1形態(tài))第1曝光處理及第2曝光處理的方法也可考慮其他變形。首先，將包含運(yùn)用了采用圖21所示三色調(diào)掩模15的第1曝光處理和采用圖22所示三色調(diào)掩模16的第2曝光處理的上述第1及第2曝光處理的圖案形成方法作為第1形態(tài)。
(第2形態(tài))第2形態(tài)中，第1曝光處理與第1形態(tài)同樣采用圖21所示三色調(diào)掩模15。
圖24是實(shí)施例3的第2形態(tài)中的第2曝光處理中采用的三色調(diào)掩模的說明圖。如該圖所示，第2曝光用掩模即三色調(diào)掩模18的圖案形狀本身與第1形態(tài)同樣，與圖12所示實(shí)施例2的第2曝光處理用的HT掩模4相同。
但是，三色調(diào)掩模18由非完全遮光部即HT掩模部18a和完全遮光部18b的合成形成這一點(diǎn)不同于HT掩模4。
完全遮光部18b形成為縮小遮光圖案56的整個(gè)形成區(qū)域的同時(shí)，而且，從縮小遮光圖案56與遮光圖案53、遮光圖案54的邊界線LB4延伸移動(dòng)量ΔD4，形成為遮光圖案53、54的一部分。即，完全遮光部18b，形成為柵格圖案用掩模部M1的整個(gè)區(qū)域及邊界線LB2的附近區(qū)域的遮光圖案。
另一方面，HT掩模部18a在遮光圖案51～54的整個(gè)形成區(qū)域中，形成為除了完全遮光部18b以外的區(qū)域。
結(jié)果，根據(jù)第2形態(tài)，對(duì)圖23所示區(qū)域EX3，進(jìn)行采用HT掩模部15a的第1曝光處理，及采用完全遮光部18b的第2曝光處理，因而，區(qū)域EX3中也與區(qū)域EX1同樣，在第2曝光處理時(shí)不存在產(chǎn)生光透射的區(qū)域。另外，最好移動(dòng)量ΔD4設(shè)定成稍微比(移動(dòng)量ΔD1+規(guī)定量C)長(zhǎng)，以可靠地避免區(qū)域EX3中的2次透射。
(第3形態(tài))圖25是實(shí)施例3的第3形態(tài)中的第1曝光處理中采用的三色調(diào)掩模的說明圖。如該圖所示，第1曝光用掩模即三色調(diào)掩模17的圖案形狀本身與第1及第2形態(tài)同樣，與圖5所示實(shí)施例1及實(shí)施例2的第1曝光處理用的HT掩模1相同。
但是，三色調(diào)掩模17由非完全遮光部即HT掩模部17a和完全遮光部17b的合成形成這一點(diǎn)不同于HT掩模1。
完全遮光部17b形成為遮光圖案43的整個(gè)形成區(qū)域的同時(shí)，還從遮光圖案41和遮光圖案43的邊界線LB3延伸移動(dòng)量ΔD3，形成遮光圖案41的一部分。即，完全遮光部17b形成為通常圖案用掩模部M2的整個(gè)區(qū)域及邊界線LB2的附近區(qū)域的遮光圖案。
另一方面，HT掩模部17a在遮光圖案41的整個(gè)形成區(qū)域中，形成為除了完全遮光部17b以外的區(qū)域。
第3形態(tài)中，第2曝光處理與第1形態(tài)同樣采用圖22所示的三色調(diào)掩模16。
結(jié)果，由于對(duì)圖23所示區(qū)域EX3進(jìn)行采用完全遮光部17b的第1曝光處理，及采用完全遮光部16b的第2曝光處理，因而，區(qū)域EX3中也與區(qū)域EX2同樣，在第1曝光處理時(shí)不存在產(chǎn)生光透射的區(qū)域。另外，最好移動(dòng)量ΔD3設(shè)定得稍微比(移動(dòng)量ΔD2+規(guī)定量C)長(zhǎng)，以可靠地避免區(qū)域EX3中的2次透射。
(連接部區(qū)域的形成精度)圖26～圖28是實(shí)施例3的第1～第3形態(tài)的圖案形成方法分別獲得的光刻膠圖案的連接部區(qū)域(與圖23的區(qū)域EX3相當(dāng))的光學(xué)模擬結(jié)果的說明圖。
如圖所示，圖26所示的模擬結(jié)果(第1形態(tài))中，布線圖案延長(zhǎng)部23c及24c相當(dāng)?shù)倪B接處76的布線寬度不會(huì)前端細(xì)，獲得與柵格圖案區(qū)域A11中的線圖案的形成寬度同等程度的穩(wěn)定形狀，相對(duì)地，圖27及圖28所示的模擬結(jié)果(第2及第3形態(tài))中，與布線圖案延長(zhǎng)部23c及24c相當(dāng)?shù)倪B接處77、78的布線寬度前端細(xì)，成為不穩(wěn)定形狀。
根據(jù)上述模擬結(jié)果，可明白對(duì)于柵格圖案100和通常圖案101的連接部區(qū)域(圖23的區(qū)域EX3相當(dāng)區(qū)域)，在第1曝光處理及第2曝光處理都采用HT掩模部，即，第1及第2曝光處理中邊界線LB2的附近區(qū)域都采用HT掩模部的第1形態(tài)是最佳的。這是因?yàn)?，?duì)連接部區(qū)域的微細(xì)圖案，在第1及第2曝光處理雙方都采用HT掩?？色@得更高的光學(xué)像對(duì)比度。
另外，區(qū)域EX1及區(qū)域EX2實(shí)質(zhì)上在第1～第3形態(tài)中以相同內(nèi)容進(jìn)行第1及第2曝光處理，因而不產(chǎn)生優(yōu)劣。另外，雖然完全遮光部的透射率比具有6％左右的透射率的上述遮光部小就有效，但是最好是完全遮光(透射率0％)。
(第4形態(tài))圖29是實(shí)施例3的第4形態(tài)中的第1曝光處理中采用的三色調(diào)掩模的說明圖。如圖所示，第1曝光用掩模即三色調(diào)掩模19中的非完全遮光部即HT掩模部19a和完全遮光部19b的關(guān)系，與第1形態(tài)中采用的三色調(diào)掩模15的HT掩模部15a和完全遮光部15b相同。
三色調(diào)掩模19與三色調(diào)掩模15的不同在于，HT掩模部19a的遮光圖案41的形成寬度在邊界線LB3附近區(qū)域向兩側(cè)加寬總計(jì)6nm左右，形成71nm左右。即，邊界線LB2的附近區(qū)域中，過度設(shè)置了從遮光圖案41的一個(gè)側(cè)面向透射圖案42內(nèi)延伸3nm左右形成的遮光圖案延長(zhǎng)部41d，這一點(diǎn)與三色調(diào)掩模16不同。另外，其他構(gòu)成與三色調(diào)掩模15和同樣，其說明省略。
第4形態(tài)中第2曝光處理與第1形態(tài)同樣，采用圖22所示三色調(diào)掩模16。
這樣，根據(jù)實(shí)施例3的第4形態(tài)的圖案形成方法，在第1及第2曝光處理中采用三色調(diào)掩模19及三色調(diào)掩模15。從而，可獲得與第1形態(tài)同樣的效果。
而且，第4形態(tài)中，通過部分地加寬與通常圖案101的連接部區(qū)域附近的遮光圖案41的形成寬度，具有可與通常圖案101進(jìn)行穩(wěn)定連接的效果。
這樣，實(shí)施例3中，采用由第1曝光用掩模即HT掩模15、17、19和第2曝光用掩模即HT掩模16、18構(gòu)成的曝光用掩模裝置，可對(duì)光刻膠高精度地形成由柵格圖案及通常圖案組成的圖案。
(對(duì)實(shí)施例1的應(yīng)用)考慮在實(shí)施例1中適用上述第1～第4形態(tài)。該場(chǎng)合，線圖案11～14的大部分的區(qū)域相當(dāng)?shù)膮^(qū)域EX1中，由于第2曝光處理時(shí)產(chǎn)生光透射的區(qū)域不存在，從而，通過避免半色調(diào)透射光的灰霧的影響，可高精度獲得區(qū)域EX1中的線圖案11～14。
另一方面，圖案21～24的大部分區(qū)域相當(dāng)?shù)膮^(qū)域EX2中，由于第1曝光處理時(shí)產(chǎn)生光透射的區(qū)域不存在，從而，通過避免半色調(diào)透射光的灰霧的影響，可高精度獲得區(qū)域EX2中的線圖案21～24。
另外，實(shí)施例1中，對(duì)于第1及第2曝光處理中連接部區(qū)域(圖2的連接部區(qū)域A3相當(dāng)?shù)膮^(qū)域)，雖然與第1形態(tài)同樣都采用了HT掩模部，但是與實(shí)施例2同樣，獲得更高的光學(xué)像對(duì)比度的可能性高。
實(shí)施例4圖30是實(shí)施例4的對(duì)多枚晶片進(jìn)行曝光方法的流程圖。全部工序與圖1所示實(shí)施例1同樣進(jìn)行，不同點(diǎn)在于對(duì)多枚晶片(各晶片的規(guī)定基板)進(jìn)行，并以圖30所示流程進(jìn)行步驟S3、S4的處理。
另外，本實(shí)施例中，為了便于說明，舉例說明采用HT掩模1的第1曝光處理及采用HT掩模4的第2曝光處理。
參照?qǐng)D30，步驟S11中，對(duì)第1枚曝光對(duì)象晶片(的規(guī)定基板)執(zhí)行采用HT掩模1的第1曝光處理，在步驟S12中，HT掩模1交換成HT掩模4，對(duì)上述第一枚曝光對(duì)象的晶片執(zhí)行采用HT掩模4的第2曝光處理。
步驟S13中，確認(rèn)未曝光的晶片的有無，若存在(是)則轉(zhuǎn)移到步驟S14，若不存在(否)則曝光處理結(jié)束。
步驟S14中，進(jìn)行成為新曝光對(duì)象的晶片的更換。即，未曝光的晶片中的一枚作為第2枚曝光對(duì)象晶片安裝到曝光裝置。
步驟S15中，步驟S12采用的HT掩模4不進(jìn)行掩模交換而連續(xù)地使用，對(duì)第2枚曝光對(duì)象的晶片(的規(guī)定基板)執(zhí)行第2曝光處理。然后，步驟S16中，HT掩模4交換成HT掩模1，對(duì)上述第2枚曝光對(duì)象的晶片執(zhí)行采用HT掩模1的第1曝光處理。
步驟S17中，確認(rèn)未曝光的晶片的有無，若存在(是)則轉(zhuǎn)移到步驟S18，若不存在(否)則曝光處理結(jié)束。
步驟S18中，進(jìn)行成為新曝光對(duì)象的晶片的更換。即，未曝光的晶片中的一枚作為第3枚曝光對(duì)象晶片安裝到曝光裝置，返回步驟S11。
返回步驟S11后，步驟S16采用的HT掩模1不進(jìn)行掩模交換而連續(xù)使用，對(duì)第3枚曝光對(duì)象的晶片(的規(guī)定基板)執(zhí)行第1曝光處理。然后，步驟S12中，HT掩模1交換成HT掩模4，對(duì)上述第3枚曝光對(duì)象的晶片執(zhí)行采用HT掩模4的第2曝光處理。
以下，重復(fù)步驟S11～S18，直到步驟S13或步驟S17中確認(rèn)未曝光的晶片消失。
這樣，實(shí)施例4的曝光方法中，通過對(duì)連續(xù)曝光的2枚晶片連續(xù)進(jìn)行第1曝光處理及第2曝光處理中的一個(gè)，可以將掩模交換2次的曝光處理(第1及第2曝光處理)以1次完成，因而可具有縮短掩模交換需要的處理時(shí)間的效果，結(jié)果，可縮短多枚晶片的圖案形成方法的合計(jì)處理時(shí)間。
另外，考慮第1及第2曝光處理由多個(gè)掩模的多個(gè)曝光工序構(gòu)成的情況。例如，第2曝光處理以第1～第3部分曝光工序(順序不同)進(jìn)行的場(chǎng)合，步驟S12執(zhí)行時(shí)以第1～第3順序執(zhí)行部分曝光工序，步驟S15執(zhí)行時(shí)以第3～第1順序執(zhí)行部分曝光工序，從而，部分曝光工序間的掩模交換需要的處理時(shí)間可縮短第3部分曝光工序中的掩模交換所需時(shí)間的量。
半導(dǎo)體裝置的制造方法的應(yīng)用另外，通過采用實(shí)施例1～實(shí)施例3所示圖案形成方法(包含綜合了實(shí)施例4的曝光方法的情況)，可適用于半導(dǎo)體裝置的制造方法。
即，包含在半導(dǎo)體基板上或半導(dǎo)體基板內(nèi)存在的圖案形成對(duì)象物上涂敷光刻膠的第1步驟、對(duì)上述光刻膠用實(shí)施例1～實(shí)施例3的任一個(gè)圖案形成方法形成圖案的第2步驟、形成圖案的上述光刻膠作為掩模使圖案形成對(duì)象物形成圖案的第3步驟的所有半導(dǎo)體裝置的制造方法可作為本發(fā)明的圖案形成方法的應(yīng)用技術(shù)進(jìn)行應(yīng)用。
結(jié)果，具有可對(duì)圖案形成對(duì)象物高精度地形成經(jīng)由連接用圖案相互連接的柵格圖案及通常圖案形成的圖案的效果。
其他上述實(shí)施例1～實(shí)施例3中，說明了采用成為第1及第2曝光處理對(duì)象的光刻膠的正片型的光刻膠材料，可獲得凸?fàn)畹臇鸥駡D案及通常圖案的示例。
取代正片型的光刻膠而使用化學(xué)放大負(fù)片型光刻膠，對(duì)于溝渠型的布線圖案的形成，具有與實(shí)施例1～實(shí)施例3同樣的效果。
圖31是第2曝光處理中采用的其他照明系統(tǒng)光圈的構(gòu)造的說明圖。如圖所示，照明系統(tǒng)光圈48具有4個(gè)圓形的開口部49。用該照明系統(tǒng)光圈48實(shí)現(xiàn)4燈照明。
這樣，實(shí)施例1～實(shí)施例4所述的第2曝光處理的照明，也可以用4燈照明取代2/3環(huán)形照明(參照?qǐng)D6)。
權(quán)利要求
1.一種圖案形成方法，是對(duì)于規(guī)定的基板上形成的光刻膠的圖案形成方法，上述光刻膠具有相互鄰接的圖案形成對(duì)象的第1及第2區(qū)域，該方法包括(a)采用2燈照明，實(shí)質(zhì)地對(duì)上述光刻膠的上述第1區(qū)域進(jìn)行通過具有線和空隙交互重復(fù)的圖案即重復(fù)圖案的第1曝光用掩模所執(zhí)行的第1曝光處理的步驟，(b)實(shí)質(zhì)地對(duì)上述光刻膠的上述第2區(qū)域進(jìn)行通過具有除上述重復(fù)圖案以外的圖案即通常圖案的第2曝光用掩模所執(zhí)行的第2曝光處理的步驟，上述通常圖案的至少一部分包含與上述重復(fù)圖案連接的連接用圖案，(c)還包括對(duì)上述步驟(a)、(b)后的上述光刻膠進(jìn)行顯影處理的步驟。
2.權(quán)利要求1的圖案形成方法，其特征在于，上述第1及第2曝光用掩模分別具有與上述光刻膠的上述第1及第2區(qū)域?qū)?yīng)的第1及第2掩模部，上述第1曝光用掩模中，上述第1掩模部設(shè)有上述重復(fù)圖案形成用的圖案，上述第2掩模部整個(gè)面設(shè)有遮光區(qū)域，上述第2曝光用掩模中，上述第2掩模部設(shè)有上述通常圖案形成用的圖案，上述第1掩模部整個(gè)面設(shè)有遮光區(qū)域。
3.權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，上述第1及第2曝光用掩模分別具有與上述光刻膠的上述第1及第2區(qū)域?qū)?yīng)的第1及第2掩模部，上述第1曝光用掩模中，上述第1掩模部設(shè)有上述重復(fù)圖案形成用的圖案，上述第2掩模部整個(gè)面設(shè)有遮光區(qū)域，上述第2曝光用掩模中，上述第2掩模部設(shè)有上述通常圖案形成用的圖案，上述第1掩模部，在從上述第1及第2掩模部間的邊界線及上述重復(fù)圖案形成用的圖案的端部位置相當(dāng)?shù)亩瞬烤€分別向內(nèi)側(cè)延伸第1及第2規(guī)定量的第1及第2延長(zhǎng)區(qū)域中，上述第1延長(zhǎng)區(qū)域設(shè)有上述通常圖案的上述連接用圖案的延長(zhǎng)部，上述第1及第2延長(zhǎng)區(qū)域以外的區(qū)域整個(gè)面設(shè)有遮光區(qū)域。
4.權(quán)利要求3所述的圖案形成方法，其特征在于，上述重復(fù)圖案的上述線形成方向規(guī)定為第1方向，與上述第1方向垂直的方向規(guī)定為第2方向，上述第1及第2規(guī)定量，包含考慮了上述重復(fù)圖案中的上述空隙形成用的圖案的前端部后退量及上述步驟(a)、(b)間上述第1及第2曝光用掩模沿上述第1方向的重合錯(cuò)位量的量。
5.權(quán)利要求4所述的圖案形成方法，其特征在于，上述連接用圖案的延長(zhǎng)部的形成寬度，設(shè)定成在上述重復(fù)圖案的上述線用的圖案形成寬度上，附加考慮了上述步驟(a)、(b)間的上述第1及第2曝光用掩模沿上述第2方向的重合錯(cuò)位量及尺寸精度裕量的量后的形成寬度。
6.權(quán)利要求3至權(quán)利要求5中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，上述第1及第2曝光用掩模分別包含具有透射部、使光僅以規(guī)定比例透射且透射時(shí)相位反相的半色調(diào)相位移動(dòng)掩模部以及透射率比上述規(guī)定比例小的遮光部的掩模，上述第1曝光用掩模的上述第2掩模部中，除上述第1及第2掩模部的邊界附近區(qū)域以外的區(qū)域至少形成上述遮光部，上述第2曝光用掩模的上述第1掩模部中，除上述邊界附近區(qū)域以外的區(qū)域至少形成上述遮光部。
7.權(quán)利要求6所述的圖案形成方法，其特征在于，上述第1及第2曝光用掩模都在上述邊界附近區(qū)域形成上述半色調(diào)相位移動(dòng)掩模部。
8.權(quán)利要求7所述的圖案形成方法，其特征在于，上述第1曝光用掩模設(shè)定成對(duì)于上述第1掩模部的上述線對(duì)應(yīng)的圖案，局部地?cái)U(kuò)大上述第2掩模部附近的區(qū)域的形成寬度。
9.權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，上述規(guī)定的基板包含分類成晶片單位的多個(gè)基板，上述步驟(a)、(b)對(duì)上述多個(gè)基板交錯(cuò)地執(zhí)行執(zhí)行順序。
10.權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其特征在于，上述光刻膠包含正片型光刻膠。
11.權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，上述重復(fù)圖案包含，線、空隙沿第1重復(fù)方向重復(fù)的第1部分重復(fù)圖案和線、空隙沿與上述第1重復(fù)方向垂直的第2重復(fù)方向重復(fù)的第2部分重復(fù)圖案，上述第1曝光用掩模包含具有上述第1及第2部分重復(fù)圖案的第1及第2部分重復(fù)圖案用掩模，上述步驟(a)包含，(a-1)采用沿上述第1重復(fù)方向配置2燈的2燈照明的第1照明條件下，對(duì)上述光刻膠進(jìn)行通過上述第1部分重復(fù)圖案用掩模所執(zhí)行的曝光處理的步驟；(a-2)采用沿上述第2重復(fù)方向配置2燈的2燈照明的第2照明條件下，對(duì)上述光刻膠進(jìn)行通過上述第2部分重復(fù)圖案用掩模所執(zhí)行的曝光處理的步驟。
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備(a)在半導(dǎo)體基板上或半導(dǎo)體基板內(nèi)存在的圖案形成對(duì)象物上形成光刻膠的步驟；(b)用權(quán)利要求1～權(quán)利要求11所述的圖案形成方法中任一項(xiàng)所述的圖案形成方法，使上述光刻膠形成圖案的步驟；(c)以形成圖案的上述光刻膠作為掩模在上述圖案形成對(duì)象物形成圖案的步驟。
13.一種曝光用掩模裝置，具備第1曝光用掩模，由鄰接形成的第1及第2掩模部構(gòu)成，在上述第1掩模部具有線和空隙交互重復(fù)的圖案即重復(fù)圖案；第2曝光用掩模，由與上述第1曝光用掩模的第1及第2掩模部等價(jià)的第1及第2掩模部構(gòu)成，在上述第2掩模部具有除上述重復(fù)圖案以外的圖案即通常圖案，上述通常圖案的至少一部分包含與上述重復(fù)圖案連接的連接用圖案，上述第1曝光用掩模中，上述第2掩模部整個(gè)面設(shè)有遮光區(qū)域，上述第2曝光用掩模中，上述第1掩模部的至少一部分設(shè)有遮光區(qū)域，上述第1及第2曝光用掩模分別包含具有透射部、使光僅以規(guī)定比例透射且透射時(shí)相位反相的半色調(diào)相位移動(dòng)掩模部以及透射率比上述規(guī)定比例小的遮光部的掩模，上述第1曝光用掩模的上述第2掩模部中，除上述第1及第2掩模部的邊界附近區(qū)域以外的區(qū)域至少形成上述遮光部，上述第2曝光用掩模的上述第1掩模部中，除上述邊界附近區(qū)域以外的區(qū)域至少形成上述遮光部。
14.權(quán)利要求13所述的曝光用掩模裝置，其特征在于，上述第1及第2曝光用掩模都在上述邊界附近區(qū)域形成上述半色調(diào)相位移動(dòng)掩模部。
15.權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的曝光用掩模裝置，其特征在于，上述重復(fù)圖案的線形成方向規(guī)定為第1方向，與上述第1方向垂直的方向規(guī)定為第2方向，上述第2曝光用掩模中，上述第1掩模部，在從上述第1及第2掩模部間的邊界線及上述重復(fù)圖案形成用的圖案的端部位置相當(dāng)?shù)亩瞬烤€分別向內(nèi)側(cè)延伸第1及第2規(guī)定量的第1及第2延長(zhǎng)區(qū)域中，上述第1延長(zhǎng)區(qū)域設(shè)有上述通常圖案的上述連接用圖案的延長(zhǎng)部，上述第1及第2邊界延長(zhǎng)區(qū)域以外的區(qū)域整個(gè)面設(shè)有上述遮光區(qū)域。上述第1及第2規(guī)定量，包含考慮了上述重復(fù)圖案中的上述空隙形成用的圖案的前端部后退量及采用上述第1及第2曝光用掩模曝光時(shí)沿上述第1方向的重合錯(cuò)位量的量，上述連接用圖案的延長(zhǎng)部的形成寬度，設(shè)定成在上述重復(fù)圖案的線用圖案的形成寬度上，附加考慮了采用上述第1及第2曝光用掩模曝光時(shí)沿上述第2方向的重合錯(cuò)位量及尺寸精度裕量的量后的形成寬度。
全文摘要
本發(fā)明獲得可高精度形成包含柵格圖案和通常圖案的光刻膠圖案的圖案形成方法。首先，采用2燈照明，僅僅將柵格圖案形成區(qū)域作為實(shí)質(zhì)的曝光對(duì)象，執(zhí)行第1曝光處理。接著，僅僅將通常圖案形成區(qū)域作為實(shí)質(zhì)的曝光對(duì)象，執(zhí)行第2曝光處理。然后，進(jìn)行顯影處理，獲得光刻膠圖案。上述第1曝光處理用的掩模中，通常圖案形成區(qū)域?qū)?yīng)的通常圖案用掩模部在整個(gè)面用遮光圖案形成，第2曝光處理用的掩模中，柵格圖案形成區(qū)域?qū)?yīng)的柵格圖案用掩模部在整個(gè)面用遮光圖案形成。
文檔編號(hào)G03F1/70GK1790167SQ20051011884
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月27日
發(fā)明者石橋健夫, 齊藤隆幸, 伊藤麻矢, 中尾修治 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技