專利名稱：半透射型液晶顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半透射型的液晶顯示面板。特別是關于MVA(多域垂直校準Multi-domain Vertically Aligned)方式的半透射型的液晶顯示面板。
背景技術：
通常，液晶顯示裝置具有輕薄、功耗低的特點。特別是TFT(薄膜晶體管Thin Film Transistor)型液晶顯示裝置，從便攜式終端到大型電視機得到了廣泛的應用。作為液晶顯示裝置所使用的液晶顯示面板，有VA(vertically aligned)方式的液晶顯示面板。VA液晶顯示面板作為既保持大視角，響應又迅速的液晶顯示方式廣為人知。
圖4A為VA方式的液晶顯示面板的剖面示意圖。VA方式的液晶顯示面板60，在一對的基板62、64間封入電容率各向異性為負的液晶。一側的基板62上設置有像素電極61。另一側的基板64上設置有共用電極63。在兩基板62、64上的取向膜66、67均經(jīng)過垂直取向處理。在兩基板62、64的外側偏光板68、69以正交偏光鏡(crossed nicols)形式設置。
未向兩電極61、63間施加電場時，基板間的液晶分子65垂直排列。因此，通過一側偏光板的直線偏光的透射光線，保持其狀態(tài)通過液晶層后，被另一側的偏光板遮擋。因此，液晶顯示面板60為暗狀態(tài)，即，顯示為黑。
另外，向兩電極61、63間施加電場時，如圖4B所示，基板間的液晶分子65為水平排列。因此，通過一側偏光板的直線偏光的透射光線，在通過液晶層時經(jīng)過數(shù)次折射，形成橢圓偏振光的通過光，通過另一側的偏光板。因此，液晶顯示面板60為亮顯示，即，顯示為白。
該VA方式的液晶顯示面板60，在未向電極61、63間施加電場時，全部液晶分子65在取向膜66、67上以垂直、完全豎起的狀態(tài)排列。與此相對，在向電極61、63間施加電場時，不能控制各液晶分子65倒向水平方向的朝向。
因而，以這種狀態(tài)，液晶分子65將倒向各自隨機的方向，水平排列。其結果存在如下問題，顯示不均勻，即使在各像素周邊部分液晶分子取向混亂發(fā)生色彩雜波(ディスクリネ-シヨン)。
為了解決上述問題，在未向電極61、63間施加電場時，使液晶分子65與垂直軸傾斜很小的角度(プレチルト角)站立，傾斜方向在各像素間采用相同分布。因此，在向電極61、63間施加電場時，可以控制液晶分子65傾倒的方向，形成均勻的顯示狀態(tài)。
特開平11-242225號公報及特開2001-083517號公報中公開了，在未向電極間施加電場時傾斜液晶分子的MVA方式的液晶顯示面板。MVA方式的液晶顯示面板，在像素內(nèi)設置突起和溝，從而在一個像素內(nèi)形成多個晶疇(Domain)。
圖5為該MVA方式的液晶顯示面板像素構成示意圖。而且，圖6為圖5的C-C剖面圖。液晶顯示面板70為，在玻璃基板等透明的第1基板71上通過柵絕緣膜71’以矩陣狀設置掃描線72及信號線73。
由掃描線72和信號線73所包圍的區(qū)域相當于一個像素，該區(qū)域內(nèi)設置像素電極74。掃描線72和信號線73的交叉處，形成有作為與像素電極74連接的開關元件的TFT 75。像素電極74的一部分與掃描線72重疊，且與該掃描線72通過隔離絕緣膜71’相鄰，并將該部分用作保持容積。像素電極74上形成有多個后述縫隙76。對覆蓋像素電極74的取向膜77進行垂直取向處理。
在玻璃基板等透明的第2基板78上形成黑底(black matrix)以劃分出各個像素，與各個像素相對應層壓濾色鏡80。濾色鏡80為紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)中的任意一色的濾色鏡80，以與各像素對應。濾色鏡80上層壓有，由例如ITO等透明電極構成的共用電極81。共用電極81上形成有特定形狀的突起82，共用電極81及突起82用進行了垂直取向處理的取向膜83覆蓋。
第1、第2基板71、78之間夾有電容率各向異性為負的液晶層84。像素電極74和共用電極81之間未產(chǎn)生電場時，液晶分子84’由取向膜77、83控制，垂直排列。像素電極74和共用電極81之間產(chǎn)生電場時，液晶分子84’向水平方向傾斜。此時，液晶分子84’在縫隙76或突起82的限制下，向特定方向傾斜，一個像素內(nèi)可以形成多個晶疇。并且，圖6中，以模型顯示像素電極74和共用電極81之間產(chǎn)生電場的狀態(tài)。
第1基板71的外側設置有第1偏光板85。第2基板78的外側設置有第2偏光板86。第1偏光板85和第2偏光板86按照透射軸相互垂直的方式設置。根據(jù)其透射軸與傾斜時的液晶分子84’的方向的關系，設定第1、第2偏光板85、86的方向。第1、第2偏光板85、86的透射軸與液晶分子84’的傾斜方向的關系，后述詳細。在此為了方便，將第1偏光板85的透射軸按照與掃描線72的延伸方向一致的方式設置，第2偏光板86的透射軸按照與信號線73的延伸方向一致的方式設置。
像素電極74和共用電極81之間未產(chǎn)生電場時，液晶分子84’垂直排列。因此，通過第1偏光板85的直線偏光的透射光線，保持其直線偏光的狀態(tài)通過液晶層84，被第2偏光板86遮擋，成為黑顯示。而且，在像素電極74上施加一定的電壓，在像素電極74和共用電極81之間產(chǎn)生電場時，液晶分子84’向水平方向傾斜。因此，通過第1偏光板85的直線偏光的透射光，在液晶層84作用下成為橢圓偏光，通過第2偏光板86，成為白顯示。
下面，對縫隙76和突起82的形狀進行說明?？p隙76為，通過光刻(photolithograph)法等，將像素電極74的一部分去除形成的。突起82為，通過光刻法，將由例如丙烯酸樹脂構成的光刻膠保護層形成特定形狀而成。
突起82跨越多個像素，形成曲折狀(zigzag)，其直線部分，從第2基板78的法線方向觀察時，沿著相對于信號線73呈45°的方向延伸。從一側相鄰的像素伸出的突起82a，在一像素的略中央部分彎曲90°后再次延伸到一側相鄰的像素。從另一側相鄰的像素伸出突起82b與彎曲成直角的突起82a的直線部分平行設置，位于各像素的頂角附近。
縫隙76，分別形成于多個突起82的中間。其實例如圖5所示，各像素電極74上設置有3個縫隙76。突起82a和突起82b之間分別形成縫隙76。在突起82a和像素電極74的邊緣部分之間，形成縫隙76。
縫隙76a的中心線與臨近的突起82平行，處于相對信號線傾斜45°的方向上。該縫隙76a的中心線相當于縫隙76a的延伸方向。對于縫隙76b也相同，與相鄰的突起82a延伸方向平行。此外，與縫隙76b相鄰的突起82a，其延伸方向在像素內(nèi)彎曲成直角。因此，縫隙76b的延伸方向也在像素內(nèi)彎曲。
從第1、第2基板71、78的法線方向觀察，液晶分子84′設置在對于突起82及縫隙76成90°的方向上。而且，液晶分子84′相對于第1、第2基板71、78的法線方向，以突起82及縫隙76為界向著相反的方向傾斜。
在一對第1、第2基板71、78外側設置一對經(jīng)過正交偏光方式配置的第1、第2偏光板85、86。從第1、第2基板71、78的法線方向看，第1、第2偏光板85、86的透射軸和突起82方向之間的角度設定成45°。
因此，傾斜的液晶分子84’與第1、第2偏光板85、86的透射軸所成的角度為45°。傾斜的液晶分子84’與第1、第2偏光板85、86的透射軸所成角度為45°時，可以最有效的得到透過第1、第2偏光板85、86的透射光線。
上述MVA方式的液晶顯示面板70中具有如下優(yōu)點，不需要進行取向膜的研磨(rubbing)處理，且通過設置線狀的構造物76、82實現(xiàn)取向劃分。從而，可以得到寬廣的視角和高對比度。而且，由于不需要進行研磨處理，液晶顯示面板70的制造變得更加容易。而且，不存在由于研磨處理時的取向膜碎屑所導致的污染，液晶顯示面板的可靠性更高。
然而，前述MVA方式的液晶顯示面板70中，由于實際的液晶分子的傾斜狀態(tài)未達到理想的狀態(tài)，因此不能得到最佳的顯示狀態(tài)。特別是像素電極74的周邊部分，液晶分子84’在傾斜時，不只是突起82或縫隙76，還會受到像素電極74的邊緣部分的影響，因此容易發(fā)生顯示不均勻。
圖7為以模型顯示液晶分子84’的傾斜狀態(tài)的平面圖。像素電極74內(nèi)的箭頭表示液晶分子84’的傾斜方向。該箭頭的方向表示，在液晶分子傾斜時，從接近具有突起82的第2基板78的一側端部，向接近具有像素電極74的第1基板71的一側端部的方向。
按照相對于突起82或縫隙76向約90°方向傾斜，控制液晶分子84’的方向。而且，將縫隙76或突起82作為邊界，在其兩側輪廓部分上方向相反。因此，臨近的突起82和縫隙76的相向的輪廓部分上其方向相同。
像素電極74的邊緣部分上，液晶分子84’由于受到影響，而相對于邊緣向90°方向傾斜。由于像素電極74的邊緣相對于縫隙76或突起82不是平行的，因此會給液晶分子84’的傾斜狀態(tài)帶來不良影響。由該邊緣部產(chǎn)生的影響根據(jù)邊緣部附近的縫隙76和突起82的設置位置，相差很大。
例如，圖7的區(qū)域A1中，縫隙76或突起82附近的箭頭方向和邊緣部附近的箭頭方向相差約45°左右。對此，在區(qū)域A2中，縫隙76或突起82附近的箭頭方向和邊緣部附近的箭頭方向相差約135°度左右。因此，區(qū)域A2處液晶分子84’的傾斜狀態(tài)非?；靵y，因而，在區(qū)域A2中比區(qū)域A1更容易發(fā)生顯示不均勻。
如上所述，現(xiàn)有的MVA方式的液晶顯示面板70，由于像素電極74的邊緣部在各像素的一端上液晶分子84’的取向混亂。因此，其周邊部分上存在色彩雜波的問題。
為了解決這種MVA方式的液晶顯示面板上特有的發(fā)生取向不良區(qū)域的問題，特開2001-083517號公報中闡述了另一種結構。圖8為表示液晶顯示面板的橡塑的平面圖。而且，圖9A、圖9B為圖8的D-D剖面圖。圖9A表示施加電場前的狀態(tài)，圖9B表示施加電場后的狀態(tài)。而且，圖8、圖9A、圖9B中，與圖5、圖6的液晶顯示面板70相同的部分用同一符號表示。
液晶顯示面板90，在有效像素范圍外設置有輔助突起89，與用于控制液晶分子84’取向的突起82形成連續(xù)的狀態(tài)。其他結構與圖5、圖6的液晶顯示面板70的構成完全相同。根據(jù)所述MVA方式的液晶顯示面板90，減小了因為從像素電極74的邊緣部分或臨近的像素發(fā)出的電場對液晶分子84’帶來的影響。因此，可以有效抑制色彩雜波的發(fā)生。
而且，在使用液晶顯示面板的移動設備中，液晶顯示面板的開發(fā)不斷取得進展。通過同時擁有透射型和反射型的性質(zhì)的半透射型，可以減少耗電。上述半透射型的液晶顯示面板中，也適用上述MVA方式。
特開2004-069767號公報中公開了一種MVA方式的半透射型液晶顯示面板。該液晶顯示面板，在濾色鏡的反射部及透射部的共用電極上分別設置有縫隙。而且，反射部的像素電極和透射部的像素電極旁邊設置有開口區(qū)域或凸狀體，作為劃分液晶分子取向的取向裝置。
面向數(shù)碼相機或移動電話等移動設備的顯示部分中使用的小型液晶顯示面板中，今年對高精細的產(chǎn)品需求不斷提高。例如，大小在2.2英寸左右的320×240像素(QVGA)的液晶顯示面板正被廣泛使用。而且，正在開發(fā)分辨率在300ppi以上的2.2英寸左右像素數(shù)量640×480像素(VGA)的液晶顯示面板。
如上所述小型高精細的液晶顯示面板，與40英寸等電視用液晶顯示面板等相比，一個像素的尺寸更小。為使在像素中有源元件關閉后仍能保持電壓，通常形成有輔助電容。但是，當像素的尺寸變小時，存在很難確保輔助電容的容量的問題。
而且，面向移動設備的液晶顯示面板假定在野外或室內(nèi)使用。因此，多使用同時具有可以高亮度化的透射型液晶顯示面板和可以低耗電化的反射型液晶顯示面板特點的半透射型液晶顯示面板。半透射型液晶顯示面板在一個像素內(nèi)具有反射部和透射部。因此，在上述MVA方式中，形成突起或縫隙來控制液晶分子的取向時，有必要考慮突起或縫隙給顯示所帶來的影響。因此，存在突起或縫隙配置上的困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，其目的在于提供一種能夠確保足夠的輔助電容的同時，又具有良好的顯示質(zhì)量的MVA方式的半透射型液晶顯示面板。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的液晶顯示面板，包括如下部分相向設置的一對的第1、第2基板；在第1基板上，通過以矩陣狀設置的信號線及掃描線所劃分出的像素內(nèi)，形成反射部和透射部；設置在第1、第2基板間的電容率各向異性為負的液晶層；層壓于第1、第2基板間的進行了垂直取向處理的取向膜；
設置在第1、第2基板的至少一個上的取向控制部，控制液晶分子的傾斜方向；未向前述液晶層施加電場時，液晶分子垂直排列，向前述液晶層施加電場時，液晶分子向前述取向控制部所控制的方向傾倒，水平排列；在上述液晶顯示面板中，在前述反射部的第1基板上，設置輔助電容電極以形成輔助容量；前述取向控制部形成在前述反射部的第2基板上，并形成在前述透射部的第1基板上。
根據(jù)如上結構，在MVA方式的半透射型液晶顯示面板中，可以確保占據(jù)反射部大部分的輔助電容電極。因此，可以擁有足夠的輔助容量。另外，對于反射部確保大容量的輔助電容的同時，在反射部還可以對液晶分子進行取向控制。并且，在透射部和反射部的邊界附近，可以抑制產(chǎn)生液晶分子之間取向相互交叉而產(chǎn)生的色彩雜波。因此，能夠提供顯示質(zhì)量良好的MVA方式的半透射型液晶顯示面板。


圖1為透過濾色鏡顯示本發(fā)明實施例的半透射型液晶顯示面板的一個像素的平面簡圖。
圖2為圖1中A-A的剖面圖。
圖3A～3G為透過濾色鏡顯示本發(fā)明另一實施例的半透射型液晶顯示面板的一個像素的平面簡圖。
圖4A、4B為表示現(xiàn)有VA方式的液晶顯示裝置的剖面圖。
圖5為表示現(xiàn)有MVA方式的液晶顯示面板的像素平面圖。
圖6為圖5中C-C的剖面圖。
圖7為現(xiàn)有的MVA方式的液晶顯示面板中，液晶分子的傾斜狀態(tài)模型示意圖。
圖8為表示現(xiàn)有的另一MVA方式的液晶顯示面板的像素平面圖。
圖9A、9B為圖8中D-D剖面圖。
附圖中主要部分符號說明10、液晶顯示面板11、第1基板 12、柵絕緣膜13、掃描線 14、信號線 15、像素電極16、TFT 17、縫隙19、第2基板21、濾色鏡 22、共用電極23、41、突起25、液晶層 31、輔助電容電極33、層間絕緣膜34、反射電極36、切口部具體實施方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。以下所示實施例顯示了為使本發(fā)明的技術思想更加具體的液晶顯示面板的實施例。本發(fā)明并不局限于以下所述實施例。
另外，以下的實施例顯示了主要用于數(shù)碼相機、移動電話等面向移動設備的顯示部分的小型液晶顯示面板。而且，顯示了分辨率為300ppi以上的2.2英寸左右像素數(shù)量為640×480像素(VGA)的面板或320×240像素(QVGA)。因此，與40英寸等電視用液晶顯示面板等相比像素的尺寸要小很多。
圖1為透過濾色鏡顯示本發(fā)明一個實施例的半透射型液晶顯示面板的像素部分平面簡圖。而且，圖2為圖1中A-A的剖面圖。
半透射型液晶顯示面板10，在其玻璃基板等透明的第1基板11上，通過柵絕緣膜以矩陣狀設置有掃描線13和信號線14。掃描線13和信號線14所包圍的區(qū)域相當于一個像素，該區(qū)域內(nèi)設置有像素電極15。該像素通過中間部劃分為反射部和透射部。
透射部的像素電極15的中心部形成有縫隙17，該縫隙17在后面將進行詳細說明。掃描線13和信號線14的交叉部分上，形成作為與像素電極15相連接的開關元件的TFT16。反射部的幾乎整個部分上設置有，形成于第1基板11上的輔助電容電極。
TFT16的柵極(gate)G與掃描線13相連接。TFT16的源極(source)S與信號線14相連接。TFT16的漏極D通過柵絕緣膜12設置在輔助電容電極31的上部。通過將輔助電容電極31設置在幾乎整個反射部上，并保證其盡可能大，從而也可以保證漏極D足夠大。因此，可以確保在像素中的輔助電容足夠大。
TFT16的表面及柵絕緣膜12的表面上，完整連續(xù)地設置有透明的絕緣膜32及層間絕緣膜33。為了保證一定的盒間隙(cell gap)，將坑洼去除平坦地形成層間絕緣膜33的表面。而且，位于反射部的層間絕緣膜33表面為細小的凹凸狀態(tài)。從而，可以取消定向性，得到漫反射光線。
反射部的層間絕緣膜33的表面上設置有由銀、鋁等高反射率金屬制成的反射電極34。反射電極34的表面及透射部的層間絕緣膜33的表面上設置有由ITO等透明的導電材料制成的像素電極15。像素電極15的表面及縫隙17用經(jīng)過了垂直取向處理的取向膜18覆蓋。而且，反射部的像素電極15和TFT16的漏極D通過接觸孔(contact hole)35進行電氣連接。
此外，玻璃基板等透明的第2基板19上形成有黑底(black matrix)(圖未示)，以劃分出各像素。而且，第2基板19上，與各像素對應設置有紅(R)、綠(G)、藍(B)中任意一種顏色的濾色鏡21。
濾色鏡21由反射部和透射部形成為相同的厚度。反射部的濾色鏡21的一部分上，設置有不具濾色鏡21的切口部36。反射部上，入射光線在射入時和射出時兩次通過濾色鏡21。因此，通過設置不具濾色鏡21的切口部36可以使反射部的色調(diào)與透射部具有相同色調(diào)。
濾色鏡21上層壓有由例如ITO等透明電極構成的共用電極22。共用電極22上形成有特定形狀的突起23。另外，在反射部的整個部分，其濾色鏡21上層壓特定厚度的頂層(topcoat)37。頂層37上形成特定形狀的突起41。用經(jīng)過了垂直取向處理的取向膜24覆蓋共用電極22及突起23、41。
在第1、第2基板11、19間夾有電容率各向異性為負的液晶層25。在像素電極15和共用電極22之間未產(chǎn)生電場時，液晶分子由取向膜18、24控制，形成垂直排列。像素電極15和共用電極22之間產(chǎn)生電場時，液晶分子向水平方向傾斜。此時，透射部中的液晶分子由縫隙17或突起23控制，向特定方向傾斜，在一個像素內(nèi)可以形成多個晶疇。另外，在第1、第2基板11、19的外側分別設置λ/4的相位差板39、40。
下面，對縫隙17和突起23的形狀進行詳細說明。縫隙17為，通過光刻法將像素電極15的一部分去除而形成。突起23為，通過光刻法，將由例如丙烯酸樹脂等構成的光刻膠形成為特定形狀。本實施例中，突起23沿著像素電極15的延伸方向設置在矩形的透射部兩側，與信號線14相對。
縫隙17形成于透射部的像素電極15的中心部分，以使其位于突起23的中間。本實施例中，形成將較粗的“Y”字和上下翻轉的“Y”字作為一對并進行組合的形狀。而且，反射部的突起41與透射部的縫隙17相同，形成將較粗的“Y”字和上下翻轉的“Y”字作為一對并進行組合的形狀。
根據(jù)上述結構的半透射型液晶顯示面板10，與透射部的像素電極15相對的中央部分上實際上不存在突起。因此，不會發(fā)生通過透射部的像素電極15的一部分光線被突起吸收。而且，液晶分子相對于液晶顯示面板10的法線方向，向與突起23及縫隙垂直的方向傾斜。
此時，液晶分子從第2基板19的突起23向第1基板11的縫隙17傾斜。因此，在像素的端部，突起23和縫隙17交叉的部分上液晶分子的方向變小，例如成45°。因此，降低了色彩雜波，減小了顯示不均勻及亮度不均勻，透射部的顯示質(zhì)量更好。
另外，在反射部上，漏極D幾乎占據(jù)了整個區(qū)域。由于漏極D和像素電極15電位相同，因此，即使在像素電極15上設置縫隙，由于漏極的影響而不能控制取向。因此，通過在共用電極22上設置突起41，可以使液晶分子取向于特定方向。
此時，由于突起41設置在反射部的中央部分，因此，液晶分子從第2基板78的突起41向第1基板71的像素端部傾斜。即，通過在反射部中也設置取向控制裝置，從而具有MVA方式的特點。
另外，在反射部和透射部之間不存在妨礙液晶分子取向的構件，在透射部和反射部之間發(fā)生進行連續(xù)取向變化，因此，可以降低色彩雜波，減小顯示不均勻和亮度不均勻，得到顯示質(zhì)量良好的MVA方式的半透射型液晶顯示面板。并且，從防止亮度降低的觀點來看，突起23的寬度接近信號線14的寬度，在平面觀察時，從信號線14幾乎看不到的大小為佳。
縫隙17、透射部的突起23及反射部的突起41的形狀，不僅僅為本實施例中圖1所示的形狀，可以進行各種變化。例如，圖3A所示液晶顯示面板，與圖1的液晶顯示面板相比，縫隙17、突起23、突起41的形狀較細。
圖3B所示液晶顯示面板，與圖1的液晶顯示面板相比，透射部的縫隙17較細。而且，反射部的突起41在像素電極15的延伸方向上加粗、加長，而在其垂直的方向上設置成較細且短的“十”字形。
圖3C所示液晶顯示面板，將透射部的縫隙17，在一端分為兩股，成為“Y”字形，此Y形狀與將倒Y形狀，相互不連接地在像素電極15的延伸方向上以相對的形式設置。而且，反射部的突起41設置成在像素電極15的延伸方向上長，而在其垂直方向上短的“十”字形。突起41的粗細在垂直兩方向上可以相同。
圖3D所示液晶顯示面板，與圖1的液晶顯示面板相比，透射部的縫隙17較細。而且，將反射部的突起41設置成在像素電極的延伸方向加長，在其垂直方向上短的“十”字形。突起41的粗細可以與在垂直兩方向上相同。
圖3E所示液晶顯示面板，與圖3D的液晶顯示面板相比，透射部的縫隙17較細。而且，與圖3A的液晶顯示面板相比，反射部的突起41較小。
圖3F、圖3G所示液晶顯示面板，透射部的縫隙17及反射部的突起41在粗細和長度各不相同的像素電極15的延伸方向上設置成長“十”字形。圖3F與圖3G相比，在像素電極15的延伸方向上延伸的突起41的寬度更寬。而且，由透射部的突起23去除反射部和透射部的邊界，周圍包圍在“コ”形框中。
上述圖3A～圖3G中記載的半透射型液晶顯示面板中，反射部可以具有與現(xiàn)有的MVA方式相同的取向特性。而且，在反射部和透射部之間不存在妨礙液晶分子取向的構件，因此，在透射部和反射部之間發(fā)生連續(xù)的取向變化。因而降低了色彩雜波，可以得到顯示質(zhì)量良好的半透射型液晶顯示面板。
權利要求
1.一種半透射型液晶顯示面板，包括相向設置的一對第1、第2基板；在第1基板上，通過以矩陣狀設置的信號線及掃描線所劃分的像素內(nèi)，形成反射部和透射部；設置在第1、第2基板間的電容率各向異性為負的液晶層；層壓于第1、第2基板間的進行了垂直取向處理的取向膜；設置在第1、第2基板中至少一個上的取向控制部，控制液晶分子的傾斜方向；未向前述液晶層施加電場時，液晶分子垂直排列，向前述液晶層施加電場時，液晶分子向前述取向控制部所控制的方向傾倒，水平排列；上述半透射型液晶顯示面板，其特征在于在前述反射部的第1基板上，設置輔助電容電極形成輔助容量；前述取向控制部形成在前述反射部的第2基板上，形成在前述透射部的第1基板上。
2.如權利要求1所述半透射型液晶顯示面板，其特征在于形成在前述透射部的第1基板上的前述取向控制部，由形成在前述透射部的中心部的縫隙構成。
3.如權利要求1所述半透射型液晶顯示面板，其特征在于前述取向控制部，由至少具有一個分叉部分的縫隙或突起構成。
4.如權利要求1所述半透射型液晶顯示面板，其特征在于前述透射部的前述取向控制部為形成在第1基板上的像素電極上的縫隙，平面觀察前述透射部的周圍時，設置有重疊在前述信號線上的突起。
5.如權利要求1所述半透射型液晶顯示面板，其特征在于前述反射部和前述透射部中，液晶層的厚度不同。
全文摘要
一種半透射型液晶顯示面板，在由矩陣狀設置的信號線及掃描線劃分出的各個位置上具有第1基板(11)，形成有反射部和由具有縫隙(17)的像素電極(15)構成的透射部；第2基板(19)，形成有濾色片(21)、共用電極(22)及突起(23、41)；取向膜(24)，進行了在第1、第2基板(11、19)上層壓的垂直取向處理；設置在第1、第2基板間電容率各向異性為負的液晶層(25)。未向液晶層施加電場時，液晶分子垂直排列；向液晶層施加電場時，液晶分子按照前述縫隙及突起所控制的方向傾倒，并水平排列，在該半透射型液晶顯示面板中，縫隙設置在透射部像素電極的中心部，突起設置在透射部像素電極的周圍及反射部的中心部。
文檔編號G02F1/1337GK1755461SQ20051010562
公開日2006年4月5日 申請日期2005年9月28日 優(yōu)先權日2004年9月30日
發(fā)明者田中慎一郎, 中原多惠 申請人:三洋電機株式會社, 鳥取三洋電機株式會社