專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，特別是涉及一種像素單元的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display，以下稱TFT-LCD)的顯示陣列型態(tài)，隨著儲存電容器(storage capacitor，Cs)架構(gòu)的不同，而形成不同的陣列型態(tài)。一般常見的儲存電容器架構(gòu)可分為兩種，分別是儲存電容器利用前一條掃描電極(Cs on gate)而形成的架構(gòu)與儲存電容器利用共通電極線(Cs on common)而形成的架構(gòu)。兩種架構(gòu)主要的差別在于儲存電容器介于像素電極與前一條掃描電極之間，或介于像素電極與共通電極線之間，即儲存電容器的參考電位為前一條掃描電極的電位，或是共通電極線的電位。
圖1表示現(xiàn)有利用前一條掃描電極(Cs on gate)的電容架構(gòu)所形成的液晶顯示陣列。液晶顯示陣列1由縱橫交錯的數(shù)據(jù)電極D1至D2以及掃描電極G1至G3所構(gòu)成。每一交錯的掃描電極與數(shù)據(jù)電極界定出一個像素單元。每一像素單元具有晶體管、液晶電容以及儲存電容器，且儲存電容器耦接于像素電極與前一條掃描電極之間。例如，數(shù)據(jù)電極D2與掃描電極G3界定出一個像素單元100，像素單元100具有晶體管TFT、液晶電容Clc以及儲存電容器Cs。如圖1所示，晶體管TFT的柵極耦接于掃描電極G3，且儲存電容器Cs耦接于像素電極PE與前一條掃描電極G2之間。位于同一列的像素單元中，晶體管耦接至相同掃描電極，且儲存電容器皆耦接于各自的像素電極與前一條掃描電極之間。
圖2表示現(xiàn)有利用共通電極線(Cs on common)的電容架構(gòu)所形成的液晶顯示陣列。液晶顯示陣列2由縱橫交錯的數(shù)據(jù)電極D1至D2以及掃描電極G1至G2所構(gòu)成。每一交錯的掃描電極與數(shù)據(jù)電極界定出一個像素單元。每一像素單元具有晶體管、液晶電容以及儲存電容器，且儲存電容器耦接于像素電極與共通電極線之間。例如，數(shù)據(jù)電極D2與掃描電極G2界定出一個像素單元200，像素單元200具有晶體管TFT、液晶電容Clc以及儲存電容器Cs。如圖2所示，晶體管TFT的柵極耦接于掃描電極G2，且儲存電容器Cs耦接像素電極PE與共通電極線com之間。在相同列上的像素單元的儲存電容器，耦接于各自的像素電極與相同的共通電極線之間。
圖3表示現(xiàn)有具有利用共通電極線(Cs on common)電容架構(gòu)的像素單元平面圖。以像素單元200為例，共通電極com配置于介于兩相鄰的掃描電極G1及G2之間，且提供共通電壓Vcom。兩相鄰的掃描電極G1及G2與兩相鄰的數(shù)據(jù)電極D1及D2界定出像素單元200。像素電極PE覆蓋于共通電極com的上方。儲存電容器Cs形成于像素電極PE與共通電極com之間。以晶體管TFT為N型為例，其柵極耦接于掃描電極G2，其漏極耦接數(shù)據(jù)電極D2，且其源極耦接像素電極PE。
在多區(qū)域垂直配向(multidomain vertical alignment，MVA)的液晶顯示裝置中，顯示陣列型態(tài)多以利用共通電極線(Cs on common)電容架構(gòu)來配置。參閱圖2，當(dāng)掃描電極G2驅(qū)動像素單元200時，晶體管TFT導(dǎo)通，數(shù)據(jù)電極D2接著傳送對應(yīng)的影像數(shù)據(jù)至像素電極PE。此時，像素電極PE具有為影像數(shù)據(jù)的電壓Vdata。而儲存電容器Cs內(nèi)所儲存的電荷為Q＝Cs×ΔV，又ΔV＝|Vdata-Vcom|。由于共通電壓Vcom一般為5V，因此，ΔV較小。相對的，儲存電容器Cs所能儲存的電荷量較小，終會導(dǎo)致像素單元的電荷量不足，使得液晶反應(yīng)時間較長，造成畫面不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明主要目的在于提供一種液晶顯示裝置，包括多條掃描電極、多條數(shù)據(jù)電極、儲存電容電極、像素單元、以及外部延伸電極。多條掃描電極以第一方向依序配置，且多條數(shù)據(jù)電極以第二方向依序配置，并與多條掃描電極相互交錯。儲存電容電極配置在二相鄰的掃描電極之間。像素單元配置于相互交錯的二相鄰的掃描電極與二相鄰的數(shù)據(jù)電極之間，且具有像素電極。外部延伸電極配置于像素單元的外部，并電連接對應(yīng)的二掃描電極的一個與儲存電容電極。
在一些實施例中，像素單元包括一輔助電極，配置在像素單元內(nèi)，且電連接儲存電容電極與該外部延伸電極所電連接的掃描電極。
本發(fā)明還提出一種液晶顯示裝置，包括多條掃描電極、多條數(shù)據(jù)電極、像素單元、以及外部延伸電極。多條掃描電極以第一方向依序配置，且多條數(shù)據(jù)電極以第二方向依序配置，并與多掃描電極相互交錯。像素單元配置于相互交錯的二相鄰的掃描電極與二相鄰的數(shù)據(jù)電極之間，且具有像素電極。外部延伸電極配置于像素單元的外部，并電連接對應(yīng)的二掃描電極的一個。其中，像素單元包括一輔助電極，電連接外部延伸電極與外部延伸電極所電連接的掃描電極。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1表示現(xiàn)有前一條掃描電極(Cs on gate)的電容架構(gòu)所形成的液晶顯示陣列。
圖2表示現(xiàn)有利用共通電極線(Cs on common)的電容架構(gòu)所形成的液晶顯示陣列。
圖3表示現(xiàn)有具有利用共通電極線(Cs on common)電容架構(gòu)的像素單元平面圖。
圖4表示本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置的像素單元的架構(gòu)平面圖。
圖5A至5C表示根據(jù)第一實施例而具有輔助電極的像素單元的架構(gòu)平面圖。
圖6表示本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置的像素單元的架構(gòu)平面圖。
簡單符號說明1、2～液晶顯示陣列；40、60～外部延伸電極；41、61～像素單元列；42、62～輔助電極；100、200、400、600～像素單元；CE～儲存電容電極Clc～液晶電容；Cs～儲存電容器；D1...Dm～數(shù)據(jù)電極；G1...G3～掃描電極；PE～像素電極；TFT～晶體管。
具體實施例方式
第一實施例圖4表示本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置的像素單元的架構(gòu)平面圖。掃描電極G1及G2以列方向(第一方向)配置。數(shù)據(jù)電極D1及Dm以行方向(第二方向)配置，且與掃描電極G1及G2交錯。掃描電極與交錯的兩相鄰數(shù)據(jù)電極界定出一個像素單元，舉例來說，掃描電極G1及G2與數(shù)據(jù)電極D1及D2界定出像素單元400。一儲存電容電極CE配置于相鄰的掃描電極G1及G2間。像素電極PE覆蓋于儲存電容電極CE上方。在本實施例中，掃描電極G1及G2與數(shù)據(jù)電極D1及Dm形成一列的多像素單元，而多列的像素單元則形成一個顯示陣列。為了方便說明，圖4僅表示一像素單元列41。
參閱圖4，像素單元400具有晶體管TFT以及儲存電容器Cs。在本實施例中，晶體管TFT以N型晶體管為例。晶體管TFT的控制電極(柵極)電連接掃描電極G2，其第一電極(漏極)電連接數(shù)據(jù)電極D2，其第二電極(源極)電連接像素電極PE。儲存電容Cs形成于該儲存電容電極CE與像素電極PE之間。在本實施例中，還具有外部延伸電極40，配置于像素單元400的外部，并電連接掃描電極G1與儲存電容電極CE。換句話說，掃描電極G1、外部延伸電極40、以及儲存電容電極CE載有相同的信號，即具有相同的電位。當(dāng)驅(qū)動像素單元400時，掃描電極G1的電位一般為負(fù)值(大約-6V)，因此，在Q＝Cs×ΔV式中的ΔV增加，使得儲存電容器Cs可儲存的電荷量增加，藉此加快液晶的反應(yīng)時間并改善閃爍的現(xiàn)象。
在此實施例中，外部延伸電極40通過在像素單元列41中位于第一個的像素單元400而電連接掃描電極G1與儲存電容電極CE。但在實際配置時，不以此為限制，可依據(jù)結(jié)構(gòu)配置應(yīng)用，而將外部延伸電極40通過在像素單元列41中位于最末的像素單元而電連接掃描電極G1與儲存電容電極CE。此外，在此實施例中，外部延伸電極40與掃描電極G1及G2為同一層的金屬。
為了增加儲存電容器Cs結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，在每一像素單元內(nèi)配置輔助電極，且輔助電極與對應(yīng)的像素電極至少部分重疊。參閱圖5A，在像素單元400中，輔助電極42可沿著像素電極PE的一邊而延伸，使得掃描電極G1與儲存電容電極CE電連接。參閱圖5B，輔助電極42還可沿著像素電極PE的兩邊而延伸，使得掃描電極G1與儲存電容電極CE電連接。或者，參閱圖5C，輔助電極42也可沿著像素電極PE的三邊而延伸。
參閱圖4以及圖5A至5C，外部延伸電極40電連接掃描電極G1與儲存電容電極CE，又輔助電極42耦接掃描電極G1與儲存電容電極CE。換句話說，輔助電極42電連接外部延伸電極40。
第二實施例
圖6表示本發(fā)明第二實施例的液晶顯示裝置的像素單元的架構(gòu)平面圖。掃描電極G1及G2以列方向(第一方向)配置。數(shù)據(jù)電極D1及Dm以行方向(第二方向)配置，且與掃描電極G1及G2交錯。掃描電極與交錯的兩相鄰數(shù)據(jù)電極界定出一個像素單元，舉例來說，掃描電極G1及G2與數(shù)據(jù)電極D1及D2界定出像素單元600。在本實施例中，掃描電極G1及G2與數(shù)據(jù)電極D1及Dm形成一列的多像素單元，而多列的像素單元則形成顯示陣列。為了方便說明，圖6僅表示一像素單元列61。
參閱圖6，在本實施例中，還具有外部延伸電極60，配置于像素單元600的外部，并電連接掃描電極G1。此外，每一像素單元內(nèi)具有輔助電極，且輔助電極與覆蓋在其上方的像素電極PE部分重疊。在像素單元600中，輔助電極62可沿著像素電極PE的至少一邊而延伸，并電連接掃描電極G1與外部延伸電極60。在圖6的實施例中，以輔助電極62沿著像素電極PE的三邊而延伸為例。
如圖6所示，像素單元600具有晶體管TFT以及儲存電容器Cs。在本實施例中，晶體管TFT以N型晶體管為例。晶體管TFT的控制電極(柵極)電連接掃描電極G2，其第一電極(漏極)電連接數(shù)據(jù)電極D2，其第二電極(源極)電連接像素電極PE。儲存電容Cs形成于輔助電極62與像素電極PE之間。由于輔助電極62與掃描電極G1電連接，輔助電極62與掃描電極G1具有相同的電位。當(dāng)驅(qū)動像素單元600時，掃描電極G1的電位一般為負(fù)值(大約-6V)，因此，在Q＝Cs×ΔV式中的ΔV增加，使得儲存電容器Cs可儲存的電荷量增加，藉此提高液晶的反應(yīng)時間并改善閃爍的現(xiàn)象。
在此實施例中，外部延伸電極60通過于像素單元列61中位于第一個的像素單元600而電連接掃描電極G1與輔助電極62。但在實際配置時，不以此為限制，可依據(jù)結(jié)構(gòu)配置應(yīng)用，而將外部延伸電極60通過于像素單元列61中位于最末的像素單元而電連接掃描電極G1與輔助電極62。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括多條掃描電極，以一第一方向依序配置；多條數(shù)據(jù)電極，以一第二方向依序配置，并與這些掃描電極相互交錯；一儲存電容電極，配置在二相鄰的這些掃描電極之間；一像素單元，配置于相互交錯的二相鄰的這些掃描電極與二相鄰的這些數(shù)據(jù)電極之間，且具有一像素電極；一外部延伸電極，配置于該像素單元的外部，并電連接對應(yīng)的這些掃描電極之一與該儲存電容電極。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，該外部延伸電極與對應(yīng)的該掃描電極為同一層金屬。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，該像素單元包括一輔助電極，配置在該像素單元之內(nèi)，電連接該儲存電容電極與該外部延伸電極所電連接的該掃描電極。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，該輔助電極沿著該像素電極至少一邊而配置。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中，該輔助電極與該像素電極至少部分重疊。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，該像素單元包括一輔助電極，配置在該像素單元之內(nèi)，電連接該外部延伸電極。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其中，該輔助電極沿著該像素電極至少一邊而配置。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其中，該輔助電極與該像素電極至少部分重疊。
9.一種液晶顯示裝置，包括多條掃描電極，以一第一方向依序配置；多條數(shù)據(jù)電極，以一第二方向依序配置，并與這些掃描電極相互交錯；一像素單元，配置于相互交錯的二相鄰的這些掃描電極與二相鄰的這些數(shù)據(jù)電極之間，且具有一像素電極；一外部延伸電極，配置于該像素單元的外部，并電連接對應(yīng)的這些掃描電極的一個；其中，該像素單元包括一輔助電極，電連接該外部延伸電極與該外部延伸電極所電連接的該掃描電極。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中，該輔助電極沿著該像素電極至少一邊而配置。
11.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中，該輔助電極與該像素電極至少部分重疊。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，包括多條掃描電極、多條數(shù)據(jù)電極、儲存電容電極、像素單元、以及外部延伸電極。多條掃描電極以第一方向依序配置，且多條數(shù)據(jù)電極以第二方向依序配置，并與多條掃描電極相互交錯。儲存電容電極配置在二相鄰的掃描電極之間。像素單元配置于相互交錯的二相鄰的掃描電極與二相鄰的數(shù)據(jù)電極之間，且具有像素電極。外部延伸電極配置于像素單元的外部，并電連接對應(yīng)的二掃描電極的一個與儲存電容電極。
文檔編號G02F1/13GK1719324SQ20051008974
公開日2006年1月11日 申請日期2005年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月5日
發(fā)明者張立勛, 鄭江崇仁, 陳世烽 申請人:友達(dá)光電股份有限公司