專利名稱：基板處理裝置及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及向例如半導(dǎo)體晶片或LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等基板表面供給處理液并進(jìn)行既定的基板處理、例如抗蝕劑液的涂敷和曝光后的顯影處理等的基板處理裝置及基板處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備的制造過(guò)程中，使用以下光蝕刻技術(shù)通過(guò)在半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)等基板上涂敷抗蝕劑液，使用光掩模使該抗蝕劑膜曝光，進(jìn)而顯影，由此在基板上制作所希望的抗蝕劑圖形。這樣的處理，一般使用在進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷·顯影的涂敷·顯影裝置上連接有曝光裝置的基板處理裝置來(lái)進(jìn)行。
基板處理裝置，為了確保高生產(chǎn)量同時(shí)實(shí)現(xiàn)裝置占有面積的小容量化，將對(duì)基板進(jìn)行涂敷處理、顯影處理、加熱·冷卻處理等多個(gè)不同處理的處理裝置分別單元化，組裝這些每個(gè)處理所需的數(shù)目的單元，進(jìn)而在各處理單元上設(shè)置用于運(yùn)入運(yùn)出基板的運(yùn)送機(jī)構(gòu)。
關(guān)于這樣的基板處理裝置的一個(gè)例子，參照專利文獻(xiàn)1的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖16中11是運(yùn)入運(yùn)出例如收納有25片晶片W的承載體10的承載臺(tái)11，在該承載臺(tái)11上，連接有例如3個(gè)處理塊12A、12B、12C，在第3處理塊12C上經(jīng)由接口塊12D連接有曝光裝置E。處理塊12A、12B、12C，分別在中央具備運(yùn)送機(jī)構(gòu)13A、13B、13C，并且在該周圍，第1和第2處理塊12A、12B中設(shè)有用于向晶片涂敷涂敷液的涂敷單元14A、14B，在第3處理塊12C中設(shè)有用于對(duì)曝光后的晶片進(jìn)行顯影處理的顯影單元15，在全部的處理塊12A-12C中，設(shè)有用于在涂敷單元14和顯影單元15的處理前后，對(duì)晶片進(jìn)行既定的加熱處理和冷卻處理的具備加熱單元、冷卻單元或交接單元等的擱板單元16A-16G。
在該裝置中，用交接臂17把承載臺(tái)11的承載體10內(nèi)的晶片取出，經(jīng)由擱板單元16A的交接單元運(yùn)送至第1處理塊12A，然后以既定順序依次運(yùn)送至第1和第2處理塊12A、12B的空閑的處理單元并進(jìn)行了抗蝕劑液的涂敷處理后，經(jīng)由處理塊12C、接口塊12D運(yùn)送至曝光裝置12E，在這里進(jìn)行既定的曝光處理。這之后，再次以既定順序運(yùn)送至第3處理塊12C的空閑的處理單元并進(jìn)行顯影處理。此外，在涂敷處理和顯影處理前后，在空閑的處理單元中進(jìn)行加熱處理或冷卻處理。在此，在第1處理塊12A和第2處理塊12B之間、第2處理塊12B和第3處理塊12C之間、第3處理塊12C和接口塊12D之間，分別經(jīng)由擱板單元16C、16E、16G的交接單元進(jìn)行晶片的交接。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)平2000-124124號(hào)公報(bào)(參照?qǐng)D2)發(fā)明內(nèi)容另外，在上述的基板處理裝置中，在第1-第3的處理塊12A-12C全體中進(jìn)行一連串的處理，預(yù)先依照對(duì)晶片W進(jìn)行處理的方法，確定使用的處理單元、和處理單元的運(yùn)送順序。再者，在該裝置中，作出以下運(yùn)送程序很難第n個(gè)運(yùn)入第1-第3的處理塊12A-12C的晶片Wn，被該晶片Wn的下一個(gè)運(yùn)入的第(n+1)個(gè)晶片Wn+1超過(guò)，制作后發(fā)的晶片Wn+1比先發(fā)的晶片Wn先進(jìn)行處理，所以不能進(jìn)行這樣的晶片W超越。
因此在現(xiàn)狀的裝置中，如果假定在從承載體C把處理花費(fèi)長(zhǎng)時(shí)間的群A的晶片WA交出至處理塊后，從承載體C把處理時(shí)間比群A短的群B的晶片WB交出至處理塊的情況，則如果在群A的晶片WA的交出時(shí)機(jī)連續(xù)交出群B的晶片WB，則出現(xiàn)晶片WB追上晶片WA，晶片WB直至晶片WA的處理結(jié)束為止都在處理塊內(nèi)待機(jī)的情形。這時(shí)為了不使晶片WB在處理塊內(nèi)待機(jī)，在晶片WA后交出晶片WB時(shí)，需要在比群A的晶片WA的交出時(shí)間晚的時(shí)刻交出晶片WB。這樣，如果使晶片WB在處理塊內(nèi)等待向下一個(gè)工序的單元的運(yùn)送，或延遲晶片WB的交出時(shí)機(jī)，則總計(jì)的處理時(shí)間變長(zhǎng)，處理效率降低。
本發(fā)明基于這樣的問(wèn)題，其目的在于提供一種基板處理裝置及基板處理方法，通過(guò)把第1交接臺(tái)的基板運(yùn)送至能夠最早進(jìn)行處理的處理塊中，而可以縮短總計(jì)的處理時(shí)間，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)量的提高。
因此本發(fā)明的基板處理裝置，具備承載塊，包括承載體載置部，運(yùn)入運(yùn)出收納有多片基板的基板承載體；和第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)，相對(duì)于載置在該承載體載置部上的基板承載體進(jìn)行基板的交接；第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)，與該承載塊鄰接地設(shè)置，沿橫向延伸的直線狀的運(yùn)送路運(yùn)送基板；第1交接臺(tái)，用于在第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)和第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接；多個(gè)處理塊，具備多個(gè)處理單元，用于對(duì)基板進(jìn)行既定處理；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)，在這些處理單元之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)，用于在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接，并且沿各運(yùn)送路排列地設(shè)在裝置主體上，且以處理塊為單位對(duì)基板進(jìn)行一連串的基板處理；處理塊控制部，控制第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)和各處理單元的動(dòng)作，以便基于既定的方法在這些處理塊中分別對(duì)基板進(jìn)行既定的處理，并且輸出該處理塊內(nèi)的基板的處理信息；和控制第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)的機(jī)構(gòu)，以便在基板從第1交接臺(tái)交接至第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)之前，基于來(lái)自處理塊控制部的基板的處理信息，來(lái)確定不存在基板或該處理塊內(nèi)的最后的基板最早完成最后工序的處理塊，并將第1交接臺(tái)的基板運(yùn)送至該處理塊。
在此，控制第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)的機(jī)構(gòu)，可以控制第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)，以便關(guān)于依照基板的種類而分配的基板批次，在其批次最前面的基板從第1交接臺(tái)交接至第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)之前，基于來(lái)自處理塊控制部的基板的處理信息，來(lái)確定不存在基板或在該處理塊內(nèi)進(jìn)行處理的先前的基板批次的最后的基板最早完成最后工序的處理塊，并將第1交接臺(tái)的后續(xù)批次的最前面的基板運(yùn)送至該處理塊。
在這樣的基板處理裝置中，具備第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)，相對(duì)于收納有多片基板的基板承載體進(jìn)行基板的交接；第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)，相對(duì)于該第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)經(jīng)由第1交接臺(tái)進(jìn)行基板的交接；多個(gè)處理塊，包含多個(gè)處理單元，用于對(duì)基板進(jìn)行既定處理；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)，在這些處理單元之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)，用于在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接；在相對(duì)于基板承載體內(nèi)的基板在處理塊中以處理塊為單位進(jìn)行一連串的基板處理的基板處理方法中，實(shí)施包含以下工序的基板處理方法第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)把基板承載體內(nèi)的基板運(yùn)送至第1交接臺(tái)的工序；在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)接受第1交接臺(tái)的基板之前，基于各處理塊的基板的處理信息，來(lái)確定不存在基板或該處理塊內(nèi)的最后的基板最早完成最后工序的處理塊的工序；然后第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)接受載置在第1交接臺(tái)上的基板，并將該基板運(yùn)送至確定的處理塊中的工序。
在這樣的構(gòu)成中，由于可以把第1交接臺(tái)的基板，運(yùn)送至能夠最早進(jìn)行處理的處理塊中，所以可以縮短總計(jì)的處理時(shí)間，并實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)量的提高。
在此，基板處理裝置可以構(gòu)成為，例如在運(yùn)送路中連接有承載塊的一側(cè)的相反側(cè)，連接有連接曝光裝置的接口部，也可以構(gòu)成為，在運(yùn)送路中連接有處理塊的一側(cè)的相反側(cè)，連接有連接曝光裝置的接口部。
此外，處理塊包含涂敷單元，例如用于將抗蝕劑液涂敷在基板上；顯影單元，用于對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影處理；加熱單元，用于加熱基板；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)，在這些單元之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)，用于在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接，以各處理塊為單位對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷以及/或者曝光后的顯影處理。這時(shí)，處理塊控制部可以構(gòu)成為，具備基于基板的處理方法，來(lái)選擇進(jìn)行處理的涂敷單元、顯影單元和加熱單元的裝置。
再者，各處理塊可以構(gòu)成為，包含液體處理單元，用藥液對(duì)基板進(jìn)行處理；加熱單元，用于加熱基板；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)，在這些單元之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)，用于在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接，以各處理塊為單位對(duì)基板進(jìn)行一連串的處理，這時(shí)，處理塊控制部可以構(gòu)成為，具備基于基板的處理方法，來(lái)選擇液體處理單元和加熱單元的功能。
進(jìn)而，液體處理單元，可以進(jìn)行形成涂敷膜的處理，也可以在基板上涂敷含有絕緣膜的前驅(qū)物的藥液。進(jìn)而，多個(gè)處理塊形成為平面大小相同，第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)設(shè)在沿成排的多個(gè)處理塊延伸的運(yùn)送塊上，各處理塊構(gòu)成為相對(duì)于運(yùn)送塊可以裝拆。
根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置，通過(guò)把第1交接臺(tái)的基板，運(yùn)送至能夠最早進(jìn)行處理的處理塊中，可以縮短總計(jì)的處理時(shí)間，并實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)量的提高。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的俯視圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的立體圖。
圖3是表示基板處理裝置的側(cè)剖視圖。
圖4是表示基板處理裝置的側(cè)剖視圖。
圖5是表示基板處理裝置的處理塊的內(nèi)部的立體圖。
圖6是表示設(shè)在基板處理裝置上的涂敷單元的剖視圖。
圖7是表示設(shè)在基板處理裝置上的加熱單元(PEB)的剖視圖。
圖8是表示設(shè)在基板處理裝置上的第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)的立體圖。
圖9是用于說(shuō)明本發(fā)明的基板處理裝置的控制系統(tǒng)的塊圖。
圖10是用于說(shuō)明本發(fā)明的基板處理裝置的作用的俯視圖。
圖11是表示本發(fā)明的基板處理裝置的其他實(shí)施方式的俯視圖。
圖12是表示基板處理裝置的側(cè)剖視圖。
圖13是表示基板處理裝置的側(cè)剖視圖。
圖14是表示本發(fā)明的基板處理裝置的其他實(shí)施方式的俯視圖。
圖15A是表示本發(fā)明的基板處理裝置的其他實(shí)施方式的俯視圖。
圖15B是表示本發(fā)明的基板處理裝置的其他實(shí)施方式的俯視圖。
圖16是表示現(xiàn)有的基板處理裝置的俯視圖。
圖17是表示本發(fā)明的基板處理裝置的其他實(shí)施方式的俯視圖。
符號(hào)說(shuō)明B1-承載塊；B2-運(yùn)送塊；B3-第1處理塊；B4-第2處理塊；B5-第3處理塊；B6-接口部；B7-曝光裝置；C-基板承載體；22第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)；23第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)；24第1交接臺(tái)；31第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)；32涂敷單元；33顯影單元；81系統(tǒng)控制部；82A-82C處理塊控制部；83運(yùn)送塊控制部具體實(shí)施方式
以下說(shuō)明本發(fā)明的基板處理裝置的一個(gè)實(shí)施方式。在此，圖1是表示基板處理裝置的一個(gè)實(shí)施方式的整體構(gòu)成的俯視圖，圖2是其概略立體圖。圖中B1是承載塊，用于運(yùn)入運(yùn)出收納有例如25片基板例如半導(dǎo)體晶片W的基板承載體C，該承載塊B1具備載置基板承載體C的承載體載置部21和第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22。
在該承載塊B1的例如一側(cè)，例如從承載體載置部21側(cè)觀看的左端側(cè)，設(shè)有運(yùn)送塊B2，具備在橫向、即與承載體C的排列方向大致垂直的方向上直線狀延伸的運(yùn)送路，且和承載塊B1連接。另外，承載塊B1的第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22構(gòu)成為左右、前后移動(dòng)自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，以便從基板承載體C取出基板W，并把取出的基板W交接至運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23。
在此，在承載塊B1的連接有運(yùn)送塊B2的區(qū)域附近，設(shè)置第1交接臺(tái)24，用于在承載塊B1的第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22和運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23之間進(jìn)行晶片W的交接。該交接臺(tái)24構(gòu)成為兩層，例如在把晶片W運(yùn)入運(yùn)送塊B2時(shí)使用的運(yùn)入用交接臺(tái)和在把晶片W運(yùn)出運(yùn)送塊B2時(shí)使用的運(yùn)出用交接臺(tái)。此外，交接臺(tái)24可以設(shè)置在運(yùn)送塊B2內(nèi)且第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22能夠進(jìn)入的區(qū)域，也可以是在相對(duì)于運(yùn)送塊B2運(yùn)入運(yùn)出晶片W時(shí)使用共用的交接臺(tái)的一層構(gòu)成。例如，交接臺(tái)構(gòu)成為能夠由背面支承3個(gè)基板的結(jié)構(gòu)，并且第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22和第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23的各自的臂部不干涉。
在運(yùn)送塊B2上，以沿橫向直線狀延伸的方式設(shè)置成為運(yùn)送路的導(dǎo)軌25，第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23具備例如用于保持晶片的2個(gè)臂，并且構(gòu)成為沿導(dǎo)軌25橫向移動(dòng)自如，升降自如，進(jìn)退自如，繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如。此外，運(yùn)送機(jī)構(gòu)23的臂也可以是1個(gè)。
再者，在運(yùn)送塊B2上，沿運(yùn)送路排列的多個(gè)例如3個(gè)處理塊B3、B4、B5設(shè)置成相對(duì)于成為裝置主體的運(yùn)送塊B2裝拆自如。在該例中，第1-第3處理塊B3-B5包括各部分配置布局在內(nèi)同樣地構(gòu)成。即，處理塊B3-B5形成為同一大小，并且配設(shè)在處理塊B3-B5上的處理單元的種類和個(gè)數(shù)、布局設(shè)定為同一構(gòu)成。
具體來(lái)講，以第1處理塊B3為例也參照?qǐng)D3-圖5進(jìn)行說(shuō)明，在處理塊B3的中央設(shè)置第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31，在例如從承載塊B1觀看內(nèi)側(cè)以將其包圍的例如右側(cè)，配置液體處理單元組U1，多層例如五層堆起例如3個(gè)涂敷類單元(COT)32、和2個(gè)顯影單元(DEV)33；在左側(cè)的面前側(cè)、內(nèi)側(cè)，配置多層例如在該例中分別為例如6層、10層堆起加熱·冷卻類單元等的擱板單元U2、U3。
涂敷類單元32、和顯影單元33分別是液體處理單元，涂敷類單元32含有用于例如向晶片W進(jìn)行涂敷抗蝕劑液的處理的單元、和反射防止膜形成單元，在涂敷抗蝕劑液之前或之后，在晶片表面涂敷反射防止膜形成用藥液，形成下層側(cè)反射防止膜或上層側(cè)反射防止膜，顯影單元33是例如在曝光后的基板上盛放顯影液，在既定時(shí)間保持該狀態(tài)來(lái)進(jìn)行顯影處理的單元。
擱板單元U2、U3構(gòu)成為，在運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23能夠進(jìn)入的區(qū)域堆積多個(gè)單元，例如在該例中，除了在涂敷單元和反射防止膜形成單元等中的液體處理后，用于去除涂敷液中含有的溶劑的例如3個(gè)減壓干燥單元(VD)、用于在抗蝕劑液涂敷前對(duì)晶片W進(jìn)行既定的加熱處理，或用于顯影后的加熱處理的例如4個(gè)加熱單元(LHP)、用于在抗蝕劑液涂敷后進(jìn)行晶片的加熱處理的稱為預(yù)烘焙?jiǎn)卧鹊睦缫粋€(gè)加熱單元(PAB)、加熱處理曝光后的晶片W的稱為曝光后烘焙?jiǎn)卧鹊睦?個(gè)加熱單元(PEB)、用于把晶片W調(diào)節(jié)至既定溫度的作為調(diào)溫單元的例如3個(gè)調(diào)溫單元(CPL)、用于對(duì)晶片表面進(jìn)行疏水化處理的疏水化處理單元(ADH)以外，還上下分配有用于把晶片W運(yùn)入處理塊S1的例如1個(gè)交接單元(TR S1)、和用于從處理部S1運(yùn)出晶片W的例如1個(gè)交接單元(TR S2)等。
交接單元TR A1、TR S2相當(dāng)于本發(fā)明的第2交接臺(tái)。圖3-圖5表示這些單元的布局的一個(gè)例子，但是單元的種類和數(shù)量并不局限于此，在該例中也可以使交接單元為1個(gè)，在把晶片W運(yùn)入處理塊B3時(shí)和從處理塊B3運(yùn)出晶片W時(shí)可以都使用該交接單元。再者，可以本著降低晶片溫度的目的在交接單元(TR S2)上附加調(diào)溫功能，例如，在加熱單元(PAB)中的處理后，進(jìn)行顯影處理后的加熱處理后運(yùn)出時(shí)等，可以利用該調(diào)溫功能降低晶片W的溫度。
第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31，如后面說(shuō)明的那樣，構(gòu)成為升降自如，進(jìn)退自如和繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，具有在液體處理單元組U1、和擱板單元U2、U3之間運(yùn)送基板W的作用。不過(guò)在圖2中，為了方便沒(méi)有畫(huà)出第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23。再者，第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23如已經(jīng)說(shuō)明的那樣構(gòu)成。把從第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22交接來(lái)的晶片W交接至處理塊B3的交接單元TRS1(TR S2)。
再者在該例中，在運(yùn)送塊B2的上方側(cè)和處理塊B3的設(shè)有第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31的區(qū)域的上方側(cè)，設(shè)置風(fēng)扇過(guò)濾器單元(FFU)35，由帶有旋轉(zhuǎn)翼的風(fēng)扇和ULPA過(guò)濾器或化學(xué)過(guò)濾器等構(gòu)成，把利用該風(fēng)扇過(guò)濾器單元35去除顆粒和氨成分而潔凈化了的空氣，分別供給運(yùn)送塊B2內(nèi)的下方側(cè)和設(shè)有第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31的區(qū)域的下方側(cè)。進(jìn)而在處理塊B3內(nèi)設(shè)有擱板單元U2、U3的區(qū)域的上方側(cè)、和處理塊B3內(nèi)設(shè)有液體處理單元組U1的區(qū)域的上方側(cè)，分別設(shè)置電裝品容納部36，其中，容納有連接于運(yùn)送機(jī)構(gòu)等馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)器、連接于各單元的I/O板、或控制各單元的控制部等。
在液體處理單元組U1的下方側(cè)的地面附近，設(shè)置化學(xué)單元U4，收納有顯影液或反射防止膜形成液等涂敷液等的藥液、調(diào)溫用流體、顯影液、惰性氣體等的各個(gè)箱體等，并且在擱板單元U2、U3的下方側(cè)的地面附近，設(shè)置具備用于從外部取入能源的多個(gè)能源線的第1能源單元U5。另一方面，在運(yùn)送塊B2上，設(shè)置對(duì)應(yīng)于第1能源單元U5的外部側(cè)的第2能源單元U6，構(gòu)成為在將處理塊B3壓入運(yùn)送塊B2側(cè)時(shí)，第1和第2能源單元U5、U6相互連接。
第3處理塊B5的與第1處理塊B3相反的一側(cè)經(jīng)由接口部B6與曝光裝置B7相連。再者接口部B6設(shè)定為和運(yùn)送塊B2連接于承載塊B1側(cè)的相反側(cè)連接。接口部B6具備交接機(jī)構(gòu)26，該交接機(jī)構(gòu)26構(gòu)成為例如升降自如、左右、前后移動(dòng)自如并且繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，以便在運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23和曝光裝置B7之間進(jìn)行基板W的交接。在此，在接口部B6的連接有運(yùn)送塊B2的區(qū)域附近，設(shè)置例如2層構(gòu)成的交接臺(tái)27，用于在接口部B6的交接機(jī)構(gòu)26和運(yùn)送塊B2的運(yùn)送機(jī)構(gòu)23之間進(jìn)行晶片W的交接。此外交接臺(tái)27可以設(shè)置在運(yùn)送塊B2內(nèi)部且第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23和接口部B6的交接機(jī)構(gòu)26能夠進(jìn)入的區(qū)域，可以具備用于使基板溫度一定的調(diào)溫裝置，可以為1級(jí)構(gòu)成，也可以為多級(jí)構(gòu)成。
接下來(lái)簡(jiǎn)單說(shuō)明設(shè)在處理塊B3、B4上的涂敷類單元32和加熱單元(PEB)等的構(gòu)成。首先使用圖6說(shuō)明涂敷單元或反射防止膜形成單元等的涂敷類單元32。在此，作為涂敷類單元，如后面說(shuō)明的那樣可以使用旋回涂敷式構(gòu)成，向基板上供給處理液，旋轉(zhuǎn)使液體擴(kuò)散，但是在這里以掃描式涂敷裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。
晶片W的周緣部，一部分切掉，設(shè)有表示晶片W朝向的凹口N。圖中51是基板保持部，包括吸附晶片W的背面?zhèn)炔⒈３譃榇笾滤降奈讲?1a、使吸附部51a升降自如、繞鉛直軸轉(zhuǎn)動(dòng)自如，并且在X方向可以移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)基體52，驅(qū)動(dòng)基體52其下端被移動(dòng)體53支承。
在該移動(dòng)體53的底面附近設(shè)置馬達(dá)M1驅(qū)動(dòng)的絲杠部54，通過(guò)馬達(dá)M1使絲杠部54旋轉(zhuǎn)，移動(dòng)體53被未圖示的軌道引導(dǎo)而沿圖中Y方向移動(dòng)。再者在移動(dòng)體53的上表面設(shè)置沿X方向引導(dǎo)驅(qū)動(dòng)基體52的未圖示的軌道，構(gòu)成為利用驅(qū)動(dòng)基體52和移動(dòng)體53的作用，保持于基板保持部51的晶片W可以分別向X和Y方向的任意位置移動(dòng)。利用這些移動(dòng)體53、未圖示的軌道、絲杠部54和馬達(dá)M1，使晶片W相對(duì)于涂敷液噴嘴55沿前后方向相對(duì)移動(dòng)，即、使晶片W沿圖6中的Y軸方向移動(dòng)，其中涂敷液噴嘴55設(shè)在晶片W上方側(cè)，用于供給抗蝕劑液和反射防止膜的藥液等涂敷液。
涂敷液噴嘴55構(gòu)成為，利用未圖示的驅(qū)動(dòng)帶輪和從動(dòng)帶輪、掛在這些各帶輪上的環(huán)形帶、組裝有使驅(qū)動(dòng)帶輪旋轉(zhuǎn)的馬達(dá)M2等，且沿X方向延伸的長(zhǎng)方形驅(qū)動(dòng)基體56，沿X方向移動(dòng)自如。圖中57(57a、57b)是一對(duì)液體接受部，用于接住從上方落下來(lái)的涂敷液，并防止向晶片W的外緣附近區(qū)域供給涂敷液。
在該涂敷類單元32中，如果涂敷液噴嘴55從晶片的一端面移動(dòng)至另一端面，則與該時(shí)機(jī)一致地將晶片W向與其交叉的方向間歇送出。通過(guò)反復(fù)這樣的動(dòng)作，以所謂的一筆劃的要領(lǐng)把涂敷液涂敷在晶片W上。
再者作為涂敷類單元32的下一個(gè)工序的處理單元的減壓干燥單元(VD)構(gòu)成為，例如在密閉容器內(nèi)，通過(guò)一邊減壓為既定的真空度一邊把晶片W加熱至既定溫度，使涂敷膜中的溶劑蒸發(fā)，由此形成涂敷膜。進(jìn)而顯影單元33，從供給噴嘴向晶片W的中央部沿晶片W的直徑方向的寬度供給顯影液，并且使晶片W半旋轉(zhuǎn)，由此把顯影液盛放到晶片W上，在既定時(shí)間保持這樣把顯影液在晶片W上盛放的狀態(tài)來(lái)進(jìn)行既定的顯影處理。
再者借助圖7說(shuō)明作為加熱單元的曝光后烘焙?jiǎn)卧?PEB)。在殼體6中，臺(tái)60的上面，在前方側(cè)設(shè)置冷卻板61，在后方側(cè)設(shè)置具備加熱器62a的加熱板62。冷卻板61具有以下作用在經(jīng)由具備門(mén)63a的開(kāi)口部63進(jìn)入殼體6內(nèi)的第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31、和加熱板62之間進(jìn)行晶片W的交接，并且在運(yùn)送時(shí)粗冷卻(進(jìn)行粗去熱)加熱了的晶片W。因此如圖所示，腳部61a構(gòu)成為可以沿未圖示的引導(dǎo)機(jī)構(gòu)在Y方向進(jìn)退，由此冷卻板61可以從開(kāi)口部63的側(cè)方位置移動(dòng)至加熱板62的上方位置。再者在冷卻板61的背面?zhèn)仍O(shè)置未圖示的冷卻流路。
在臺(tái)60中的第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31和冷卻板61交接晶片W的位置、以及加熱板62和冷卻板61交接晶片W的位置，分別突沒(méi)自如地設(shè)置支承銷64，在冷卻板61上，形成未圖示的狹縫，以便可以在這些支承銷64上升時(shí)打通該冷卻板61并舉起晶片W。圖中66是經(jīng)由風(fēng)扇66a連通的通氣室，圖中67是具備風(fēng)扇67a的通氣口。
在這樣的加熱單元(PEB)中，晶片W從第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31交接到冷卻板61上，然后用冷卻板61交接到加熱板62上，在此進(jìn)行既定的加熱處理。加熱處理后的晶片，從加熱板62再次接受至冷卻板61，在這里粗冷卻后，接受至第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)，運(yùn)送至下一個(gè)工序。
再者加熱單元(LHP)、(PAB)分別是只具備用于把晶片W加熱至既定溫度的加熱板的構(gòu)成，調(diào)溫單元(CPL)是只具備用于把晶片W調(diào)節(jié)至既定溫度的冷卻板的構(gòu)成。
再者，如果借助圖8說(shuō)明第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31，則該運(yùn)送機(jī)構(gòu)31具備保持晶片W的例如3個(gè)臂部71；進(jìn)退自如地支承該臂部71的基臺(tái)72；升降自如地支承該基臺(tái)72的一對(duì)導(dǎo)軌73a、73b；分別連結(jié)這些導(dǎo)軌73a、73b的上端和下端的連結(jié)部件74a、74b；為了繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如地驅(qū)動(dòng)由導(dǎo)軌73a、73b和連結(jié)部件74a、74b構(gòu)成的框體而一體安裝在導(dǎo)軌下端的連結(jié)部件74b上的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部75；和設(shè)在導(dǎo)軌上端的連結(jié)部件74a上的旋轉(zhuǎn)軸部76。
臂部71為3級(jí)構(gòu)成而分別能夠保持晶片W，臂部71的基端部沿基臺(tái)的縱長(zhǎng)方向能夠滑動(dòng)移動(dòng)。其滑動(dòng)引起的臂部71的進(jìn)退移動(dòng)，利用未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)控制。再者基臺(tái)72的升降移動(dòng)，利用未圖示的其他驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)控制。這樣臂部71繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、升降自如且進(jìn)退自如地被驅(qū)動(dòng)。
在這樣的基板處理裝置中，如圖1和圖9所示，裝置主體由系統(tǒng)控制部81控制，關(guān)于各處理塊B3-B5，對(duì)每個(gè)處理塊B3-B5分別利用處理塊控制部82(82A-82C)基于來(lái)自系統(tǒng)控制部81的指令進(jìn)行控制，利用運(yùn)送塊控制部83基于來(lái)自系統(tǒng)控制部81的指令控制運(yùn)送塊B2。系統(tǒng)控制部81，例如具備方法存儲(chǔ)部81a、存儲(chǔ)對(duì)收納于基板承載體的每個(gè)基板在處理塊B3-B5中進(jìn)行的處理的方法；方法作成部81b，進(jìn)行方法的變更和編輯等；和用于從存儲(chǔ)在方法存儲(chǔ)部中的多個(gè)方法中選擇既定方法的方法選擇部81c等。
再者，處理塊控制部82A(82B、82C)具備第1程序82a，基于從系統(tǒng)控制部81送來(lái)的既定方法，選擇該方法的處理所需的處理單元，并控制處理單元B3(B4、B5)以在既定的處理?xiàng)l件下進(jìn)行處理；和第2程序82b，掌握處理塊B3(B4、B5)內(nèi)的晶片的處理狀態(tài)，并將其輸出至系統(tǒng)控制部81。這樣在處理塊控制部82A(82B、82C)中，由于實(shí)時(shí)識(shí)別處理塊B3(B4、B5)內(nèi)的晶片的處理狀態(tài)，并通知系統(tǒng)控制部81，所以在系統(tǒng)控制部81中，可以掌握在各處理塊B3-B5中，在哪個(gè)處理單元中處理最后的晶片W，哪個(gè)處理塊B3-B5，在最后工序的處理單元中最早完成晶片W的處理。
再者，運(yùn)送塊控制部83，是控制第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)的控制機(jī)構(gòu)，存儲(chǔ)有運(yùn)送程序83a，基于來(lái)自系統(tǒng)控制部81的指令，用于在第1交接臺(tái)24、既定的處理塊B3-B5的交接單元TRS1、TRS2、和接口部B6的交接臺(tái)27之間，運(yùn)送交接至第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23的晶片W。
如果簡(jiǎn)單說(shuō)明這樣的基板處理裝置中的晶片的輸送，則借助自動(dòng)運(yùn)送機(jī)器人(或者作業(yè)者)把收納有例如25片晶片W的承載體C，從外部運(yùn)入承載塊B1的承載體載置部21。然后用第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22從這些承載體C內(nèi)取出晶片W，并交接至承載塊B1的交接臺(tái)24。該交接臺(tái)24的晶片W利用運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23，經(jīng)由例如第1處理塊B3的輸入用交接單元TRS1而交接至既定的處理塊、例如該處理塊B3，在該處理塊B3內(nèi)，利用第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31，依次運(yùn)送至既定的處理單元，在該例中，例如以塊為單位進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理。
然后，涂敷有抗蝕劑液的晶片W，經(jīng)由輸出用交接單元TRS2而交接至運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23，運(yùn)送至接口部B6的交接臺(tái)27。然后借助接口部B6的交接機(jī)構(gòu)26把晶片W運(yùn)送至曝光裝置B7，進(jìn)行既定的曝光處理。
曝光后的晶片W，再次經(jīng)由接口部B6的交接機(jī)構(gòu)26、交接臺(tái)27、運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23，然后經(jīng)由涂敷抗蝕劑液的原來(lái)的處理塊即第1處理塊B3的輸入用交接單元TRS1運(yùn)送至該處理塊B3，在此利用第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31，運(yùn)送至既定的處理單元，例如在進(jìn)行了既定的顯影處理后，經(jīng)由輸出用交接單元TRS2交接至運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23。然后經(jīng)由承載塊B1的交接臺(tái)24、第1交接機(jī)構(gòu)22返回至例如原來(lái)的承載體C內(nèi)。這樣在該例中，在第1-第3處理塊B3-B5中，分別以塊為單位進(jìn)行一個(gè)品種的涂敷膜的形成，在各個(gè)處理塊B3-B5內(nèi)完成涂敷膜的形成。
接下來(lái)參照?qǐng)D10說(shuō)明本發(fā)明的特征構(gòu)成。在這里，以運(yùn)送依照晶片種類來(lái)分配的多個(gè)基板的批次的基板的情況，在第1處理塊B3中有2片品種A的晶片WA，在第2處理塊B4中有2片品種B的晶片WB，在第3處理塊B5中有2片品種C的晶片WC，從承載體C中交出品種D的晶片WD的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。基板的批次，在同一基板承載體C內(nèi)收納進(jìn)行品種不同的處理的晶片的情況等時(shí)，可以在同一基板承載體內(nèi)分配多個(gè)批次，也可以對(duì)不同的基板承載體C分別分配。
在各處理塊B3-B5的處理塊控制部82A-82C中，掌握各處理塊B3-B5內(nèi)的晶片WA-WC的處理狀態(tài)，并將該信息實(shí)時(shí)送出至系統(tǒng)控制部81。由此在系統(tǒng)控制部81中，經(jīng)由處理塊控制部82A-82C，識(shí)別最后的晶片WA-WC前進(jìn)到哪個(gè)步驟。
另一方面，后續(xù)的批次的最前面的晶片WD從承載體C借助第1交接機(jī)構(gòu)22交出并運(yùn)送至第1交接臺(tái)24，但是運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23基于運(yùn)送塊控制部83的運(yùn)送程序被驅(qū)動(dòng)，在由運(yùn)送程序確定的時(shí)機(jī)去接受交接臺(tái)24上的晶片WD時(shí)，詢問(wèn)系統(tǒng)控制部81運(yùn)送至哪個(gè)處理塊B3-B5為宜。
在系統(tǒng)控制部81中，判斷那時(shí)的處理塊B3-B5的空閑狀態(tài)，并向運(yùn)送塊控制部83輸出指令，以便將晶片WD運(yùn)送至空閑的處理塊B3-B5。在這里所謂的空閑的處理塊B3-B5，除了先前的基板批次的最后的晶片W不存在于處理塊B3-B5的情況，還包括最后的晶片W最早完成該處理塊B3-B5的最后工序的處理塊B3-B5。
這樣，在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23從第1交接臺(tái)24交接后續(xù)的批次的最前面的晶片WD之前，基于各處理塊B3-B5內(nèi)的晶片WA-WC的處理信息，確定處理塊B3-B5內(nèi)的晶片的處理最早完成的處理塊B3-B5，并將該信息作為指令向運(yùn)送塊控制部83輸出，借助第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23，將晶片WD運(yùn)送至確定的處理塊B3-B5。在此關(guān)于晶片WD，在系統(tǒng)控制部81中存儲(chǔ)對(duì)該晶片WD進(jìn)行的處理的方法，如果確定運(yùn)送晶片WD的處理塊B3(B4、B5)，則從系統(tǒng)控制部81向該處理塊B3(B4、B5)的處理塊控制部82A(82B、82C)，送出該晶片WD的處理方法，在處理塊B3(B4、B5)中，基于該處理方法，選擇使用的處理單元，在各處理單元中以既定的處理?xiàng)l件進(jìn)行處理。
這樣關(guān)于該晶片WD后續(xù)的晶片W也同樣，運(yùn)送至既定的處理塊B3-B5，進(jìn)行既定的處理。在該情況下，在這里以運(yùn)送不同批次的最前面的批次的晶片的情況為例進(jìn)行說(shuō)明，但是運(yùn)送同一批次的晶片的情況也一樣，選擇處理塊B3-B5，進(jìn)行既定的處理。
在這里關(guān)于在各處理塊B3-B5中進(jìn)行的晶片的處理的具體例子，以例如在同一基板承載體C內(nèi)收納進(jìn)行第1處理的晶片WA、進(jìn)行第2處理的晶片WB、和進(jìn)行第3處理的晶片WC的情況為例說(shuō)明。在該例中，第1處理是對(duì)晶片在抗蝕劑膜的下層側(cè)和上層側(cè)分別形成反射防止膜的處理，第2處理是對(duì)晶片在抗蝕劑膜的上層側(cè)形成反射防止膜的處理，第3處理是對(duì)晶片在抗蝕劑膜的下層側(cè)形成反射防止膜的處理。
這時(shí)，在承載體C內(nèi)的晶片是進(jìn)行第1處理的晶片WA的情況下，如果確定運(yùn)送該晶片WA的處理塊例如第1處理塊B3，則從系統(tǒng)控制部81將晶片WA的處理方法送至該處理塊B3的處理塊控制部82A。在處理塊控制部82A中，如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，基于該處理方法選擇使用的處理單元，在各處理單元中以既定的處理?xiàng)l件進(jìn)行處理。具體來(lái)講，在該第1處理中，首先經(jīng)由交接單元TR S1運(yùn)入的晶片WA，以調(diào)溫單元(CPL)→用于形成下層側(cè)反射防止膜的涂敷類單元(COT)→加熱單元(LHP)或減壓干燥單元(VD)→調(diào)溫單元(CPL)→涂敷單元(COT)→加熱單元(PAB)或減壓干燥單元(VD)→調(diào)溫單元(CPL)→上層側(cè)反射防止膜形成單元(COT)→加熱單元(LHP)或減壓干燥單元(VD)的順序運(yùn)送，在下層側(cè)反射防止膜(Bottom-ARC)、抗蝕劑液的液膜和上層側(cè)反射防止膜(Top-ARC)從下側(cè)以該順序形成后，經(jīng)由交接單元TRS2運(yùn)出，并在曝光裝置B7中進(jìn)行曝光處理。在此涂敷液?jiǎn)卧?COT)的下一個(gè)工序，可以使用電熱板式的加熱單元(LHP、PAB)、減壓干燥單元(VD)的某一個(gè)進(jìn)行處理。
然后曝光后的晶片WA，以已經(jīng)說(shuō)明的路徑，經(jīng)由涂敷抗蝕劑液的原來(lái)的處理塊的輸入用交接單元TR S1，運(yùn)送至該處理塊S1，在此按加熱單元(PEB)→調(diào)溫單元(CPL)→顯影單元(DEV)運(yùn)送，進(jìn)行了既定的顯影處理后，由加熱單元(LHP)調(diào)節(jié)至既定溫度，并經(jīng)由交接單元TR S2運(yùn)出。這樣進(jìn)行形成下層側(cè)反射防止膜、抗蝕劑膜和上層側(cè)反射防止膜的第1處理。因此在運(yùn)送進(jìn)行第1處理的晶片WA的處理塊中，選擇上述處理單元，在各處理單元中進(jìn)行既定的處理。
再者，在承載體C內(nèi)的晶片是進(jìn)行第2處理的晶片WB的情況下，如果確定運(yùn)送該晶片WB的處理塊例如第2處理塊B4，則從系統(tǒng)控制部81將晶片WB的處理方法送至該處理塊B4的處理塊控制部82B。在處理塊控制部82B中，如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，基于該處理方法選擇使用的處理單元，在各處理單元中以既定的處理?xiàng)l件進(jìn)行處理。具體來(lái)講，在該第2處理中，例如以疏水化處理單元(ADH)→調(diào)溫單元(CPL)→涂敷單元(COT)→減壓干燥單元(VD)的順序運(yùn)送，進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理后，以加熱單元(PAB)→調(diào)溫單元(CPL)→上層側(cè)反射防止膜形成單元(COT)→減壓干燥單元(VD)→加熱單元(LHP)的順序運(yùn)送，并形成上層側(cè)反射防止膜(Top-ARC)，之后如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，運(yùn)送至曝光裝置B7，并在此進(jìn)行既定的曝光處理。
然后曝光后的晶片WB，以已經(jīng)說(shuō)明的路徑，運(yùn)送至涂敷抗蝕劑液和形成上層側(cè)反射防止膜的處理塊B4，與上述第1處理同樣，進(jìn)行了既定的顯影處理后，這樣形成抗蝕劑膜和上層側(cè)反射防止膜。因此在運(yùn)送進(jìn)行第2處理的晶片WB的處理塊中，選擇上述處理單元，在各處理單元中進(jìn)行既定的處理。
進(jìn)而，在承載體C內(nèi)的晶片是進(jìn)行第3處理的晶片WC的情況下，如果確定運(yùn)送該晶片WC的處理塊例如第3處理塊B5，則從系統(tǒng)控制部81將晶片WC的處理方法送至該處理塊B5的處理塊控制部82C。在處理塊控制部82C中，如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，基于該處理方法選擇使用的處理單元，在各處理單元中以既定的處理?xiàng)l件進(jìn)行處理。具體來(lái)講，在該第3處理中，例如以調(diào)溫單元(CPL)→下層側(cè)反射防止膜形成單元(COT)→減壓干燥單元(VD)→加熱單元(LHP)的順序運(yùn)送，形成下層側(cè)反射防止膜后，以調(diào)溫單元(CPL)→涂敷單元(COT)→減壓干燥單元(VD)→加熱單元(PAB)的順序運(yùn)送，并進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理。之后如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，運(yùn)送至曝光裝置B7，并在此進(jìn)行既定的曝光處理。
然后曝光后的晶片W，以和上述第1處理、第2處理同樣的路徑，運(yùn)送至涂敷抗蝕劑液和形成下層側(cè)反射防止膜的處理塊B5，進(jìn)行了既定的顯影處理后，這樣形成下層側(cè)反射防止膜和抗蝕劑膜。因此在運(yùn)送進(jìn)行第3處理的晶片WC的處理塊B5中，選擇上述處理單元，在各處理單元中進(jìn)行既定的處理。
這樣，在該實(shí)施方式中，在各處理塊B3-B5內(nèi)進(jìn)行不同種類的處理，但是沒(méi)有在一個(gè)處理塊中同時(shí)實(shí)施兩種不同的方法，在一種處理結(jié)束后，實(shí)行下一種處理。
在這樣的構(gòu)成中，設(shè)置運(yùn)送塊B2，利用該運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23，進(jìn)行承載塊B1和各處理塊B3-B5彼此之間、或各處理塊B3-B4和接口部B6彼此之間的晶片W的交接。再者，在各處理塊B3-B5中在每個(gè)塊中進(jìn)行并列處理。即，各處理塊B3-B5的第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)31只擔(dān)當(dāng)該處理塊B3-B5內(nèi)的晶片W的運(yùn)送即可，與現(xiàn)有技術(shù)相比，該運(yùn)送機(jī)構(gòu)31的負(fù)擔(dān)減輕。由此不易發(fā)生處理后的晶片W等待運(yùn)送機(jī)構(gòu)31進(jìn)行的運(yùn)送的情形，可以實(shí)現(xiàn)運(yùn)送時(shí)間的縮短，并且從整個(gè)裝置看可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)量的提高。
再者，由于各處理塊B3-B5裝拆自如地設(shè)在運(yùn)送塊B2(裝置主體)上，并且以多個(gè)處理塊為單位完成不同種類的一連串的處理，所以在進(jìn)行處理種類增加的情況下，通過(guò)追加與新品種對(duì)應(yīng)的處理塊就可以應(yīng)對(duì)，由該裝置進(jìn)行的處理的自由度較大。由此，如上述實(shí)施方式中說(shuō)明的那樣，可以應(yīng)對(duì)例如在同一承載體C內(nèi)搭載進(jìn)行不同種類的處理的晶片的情況等的少量多品種生產(chǎn)。
進(jìn)而，在第1-第3的各處理塊B3-B5中，每個(gè)處理塊獨(dú)立進(jìn)行一連串的處理，再者，在從基板承載體C向第1交接臺(tái)24交出晶片W，運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23去取該晶片W時(shí)，由于識(shí)別第1-第3的處理塊B3-B5內(nèi)的晶片W的處理狀態(tài)，掌握晶片W不存在或最早完成處理的處理塊，并利用第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23把晶片W運(yùn)送至該處理塊，所以可以順利進(jìn)行晶片W從第1交接臺(tái)24向處理塊的運(yùn)送。
即、在現(xiàn)有技術(shù)中，由于即使存在多個(gè)處理塊，全部處理塊也整體進(jìn)行一連串的處理，所以如現(xiàn)有技術(shù)欄中也記載的那樣，在處理時(shí)間長(zhǎng)的晶片WA后交出處理時(shí)間短的晶片WB的情況下，在某一個(gè)工序中晶片WB追上晶片WA，晶片WB的運(yùn)送不能順利進(jìn)行而使生產(chǎn)量下降，但是在本發(fā)明的構(gòu)成中，由于多個(gè)處理塊的每一個(gè)獨(dú)立進(jìn)行一連串的處理，所以根據(jù)晶片W向處理塊運(yùn)入的時(shí)機(jī)、處理的種類，對(duì)于每個(gè)處理塊來(lái)說(shuō)最后的晶片W的處理狀態(tài)不同。因此，如果掌握各處理塊內(nèi)的晶片W的處理狀態(tài)，在運(yùn)送新交出的晶片W的時(shí)機(jī)，根據(jù)處理塊的空閑狀態(tài)，來(lái)確定運(yùn)送目的地的處理塊，則可以將在第1交接臺(tái)24中的晶片W的待機(jī)時(shí)間抑制到最短，可以順利進(jìn)行晶片W向處理塊的運(yùn)送。由此，可以縮短總計(jì)的處理時(shí)間，并提高處理整體的生產(chǎn)量。
這時(shí)，例如在基板承載體C內(nèi)收納進(jìn)行種類不同的處理的晶片的情況等少量多品種的生產(chǎn)，第1種群的晶片WA的交出結(jié)束后，進(jìn)行第2種群的晶片WB的交出，其中第2品種的處理時(shí)間比第1品種處理時(shí)間短的情況下，由于預(yù)先掌握處理塊的狀態(tài)并確定運(yùn)送目的地，所以可以抑制在處理中途后發(fā)的晶片WB追上先發(fā)的晶片WA，晶片WB等待向下一個(gè)工序運(yùn)送的狀態(tài)的發(fā)生，可以抑制生產(chǎn)量的下降，較為有效。
此外，在各處理塊內(nèi)，預(yù)先準(zhǔn)備與預(yù)定的處理對(duì)應(yīng)的數(shù)量的處理單元，在該例中準(zhǔn)備涂敷類單元32、顯影類單元33、減壓干燥單元(VD)、加熱單元(PEB、PAB、LHP)、疏水化單元(ADH)、調(diào)溫單元(CPL)等，對(duì)應(yīng)于運(yùn)送到該處理塊中的晶片的處理方法，借助處理塊控制部82，選擇與該方法對(duì)應(yīng)的涂敷類單元32、顯影類單元33、加熱單元等的處理單元，設(shè)定處理?xiàng)l件以進(jìn)行既定的處理，從而可以用一個(gè)處理塊進(jìn)行不同品種的多個(gè)處理，提高在裝置中進(jìn)行處理的自由度。
再者，如果這樣自由組合處理塊內(nèi)的處理單元來(lái)進(jìn)行處理，則在系統(tǒng)控制部81和處理塊控制部82A-82C中，假如在處理塊內(nèi)，處理單元中出現(xiàn)故障等問(wèn)題時(shí)，通過(guò)存儲(chǔ)進(jìn)行運(yùn)送至代替的處理單元的控制的程序，在這樣的問(wèn)題時(shí)也可以不立即停止處理，進(jìn)行存在該問(wèn)題的處理單元的檢查或更換，從而抑制生產(chǎn)量的下降。
進(jìn)而在該例中，可以實(shí)現(xiàn)晶片的處理方法或運(yùn)送方法的作成的簡(jiǎn)易化。即、現(xiàn)有的裝置，如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，在晶片的處理方法中，與處理流一起，也指定那時(shí)使用的處理單元自身。與此相對(duì)，在本發(fā)明的手法中，由于在由系統(tǒng)控制部81管理的晶片W的處理方法中，只指定處理流，關(guān)于使用的處理單元，在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23接受第1交接臺(tái)24上的晶片W前確定即可，所以無(wú)需在處理方法中指定使用的處理單元，相應(yīng)地，處理方法或運(yùn)送方法的作成變得容易。
在該實(shí)施方式中，關(guān)于在第1-第3處理塊B3-B5中進(jìn)行不同品種的處理的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以在第1-第3處理塊B3-B5的每個(gè)中進(jìn)行相同品種的處理，在第1-第3處理塊B3-B5內(nèi)的兩個(gè)處理塊中進(jìn)行相同品種的處理，在剩余的一個(gè)處理塊中進(jìn)行不同品種的處理。再者，在第1-第3處理塊B3-B5的每個(gè)中使用相同的處理單元來(lái)進(jìn)行處理的情況下，可以在各處理塊B3-B5上只搭載需要的處理單元，在該情況下，處理塊控制部的第1程序，具備控制第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)和各處理單元的動(dòng)作的功能即可，以便在處理塊內(nèi)基于既定的方法對(duì)基板進(jìn)行既定的處理。
接下來(lái)使用圖11-圖13說(shuō)明本發(fā)明的基板處理裝置的其它例子。該例的基板處理裝置與上述例子的不同點(diǎn)，只是第1-第3處理塊B3-B5的內(nèi)部構(gòu)成。這些處理塊B3-B5形成為同樣大小，配設(shè)在各處理塊內(nèi)的處理單元的布局相同地構(gòu)成。
即、在從承載塊B1觀看的面前側(cè)設(shè)置2個(gè)液體處理單元組91A、91B，多級(jí)例如五級(jí)排列有液體處理類的處理單元，在該內(nèi)側(cè)設(shè)置2個(gè)擱板單元93A、93B，夾有第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)92，并多級(jí)例如10級(jí)和6級(jí)排列有加熱·冷卻類的處理單元，利用第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)92，在液體處理單元組93A、93B、和擱板單元93A、93B之間進(jìn)行晶片W的交接。再者，運(yùn)送塊B2側(cè)的擱板單元93A，在運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23能夠進(jìn)入的位置，具備成為交接臺(tái)的交接單元(TR S1、TR S2)，用于在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)92之間進(jìn)行晶片W的交接。
這樣在各處理塊B3-B5內(nèi)，例如與上述實(shí)施方式同樣，除了設(shè)置例如3個(gè)涂敷類單元(COT)32、2個(gè)顯影單元(DEV)33、3個(gè)減壓干燥單元(VD)、4個(gè)加熱單元(LHP)、一個(gè)預(yù)烘焙用的加熱單元(PAB)、2個(gè)曝光后烘焙用的加熱單元(PEB)、3個(gè)調(diào)溫單元(CPL)、和1個(gè)疏水化處理單元(ADH)以外，還設(shè)有2個(gè)交接單元(TR S1、TR S2)。
在該例中，與上述實(shí)施方式同樣，以多個(gè)處理塊為單位進(jìn)行并完成一連串的處理，掌握各處理塊內(nèi)的晶片W的處理狀態(tài)，并利用第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23把第1交接臺(tái)24上的晶片W運(yùn)送至最后的晶片W不存在或最后的晶片W最早完成最后工序的處理塊。
進(jìn)而，本發(fā)明的基板處理裝置，除了在運(yùn)送塊B2連接于承載塊B1側(cè)的相反側(cè)，經(jīng)由接口部B6連接曝光裝置B7的構(gòu)成以外，還可以例如圖14所示構(gòu)成為，在運(yùn)送塊B2連接于第1-第3處理塊B3-B5一側(cè)的相反側(cè)，經(jīng)由接口部B6連接曝光裝置B7。在該情況下，例如圖14所示，在接口部B6上，設(shè)置交接臺(tái)95，用于在運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23和接口部B6的交接機(jī)構(gòu)94之間進(jìn)行晶片W的交接。在此處理塊的內(nèi)部，可以如圖1所示布局，也可以如圖10所示布局。
本發(fā)明的涂敷類單元，除了上述圖6所示的裝置以外，還可以使用以下構(gòu)成載置在基板保持部上，其中該基板保持部繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如地保持晶片W，從涂敷液噴嘴向該晶片W的旋轉(zhuǎn)中心附近位置供給涂敷液，并且使晶片W旋轉(zhuǎn)，利用旋轉(zhuǎn)的離心力使涂敷液在晶片表面伸展。在該情況下，由于不需要涂敷液涂敷后的減壓干燥工序，所以最好在處理塊上，代替減壓干燥單元(VD)而搭載其它單元，例如加熱單元(LHP)。
再者在本發(fā)明中，除了曝光裝置連接于處理塊的構(gòu)成以外，也可以是把曝光裝置和處理塊分開(kāi)，而設(shè)在其它位置的構(gòu)成。在該情況下，把承載塊B1的承載體C內(nèi)的晶片W，經(jīng)由第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22、和第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23運(yùn)送至既定的處理塊，在這里進(jìn)行了例如抗蝕劑液的涂敷處理后，經(jīng)由第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23、和第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22再次返回至承載塊B1，這之后把該晶片W運(yùn)送至設(shè)在其他位置的曝光裝置并進(jìn)行既定的曝光處理。然后進(jìn)行了曝光處理的晶片W，再次經(jīng)由承載塊B1、第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22、和第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23返回至涂敷抗蝕劑液的原來(lái)的處理塊，在此進(jìn)行了既定的顯影處理后，再次利用第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23、和第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)22，返回至承載塊B1內(nèi)的原來(lái)的承載體C內(nèi)。
進(jìn)而，在本發(fā)明的基板處理裝置中，在接口部B6內(nèi)搭載加熱單元(PEB)，例如使用化學(xué)增幅型的抗蝕劑液的情況等，必須使曝光處理和其后的加熱單元(PEB)中的加熱處理之間的時(shí)間一定的情況下，可以把在曝光裝置B7中進(jìn)行了曝光處理后的晶片W，借助交接機(jī)構(gòu)26在既定時(shí)間內(nèi)優(yōu)先運(yùn)送至加熱單元(PEB)。在該情況下，例如圖15所示，在接口部B6內(nèi)，除了交接機(jī)構(gòu)26，還可以具備專用的副運(yùn)送臂96，用于進(jìn)行曝光裝置B7→加熱單元(PEB)的運(yùn)送。
在圖15所示的例子中，在交接機(jī)構(gòu)26和副運(yùn)送臂93之間，設(shè)置擱板單元U7，設(shè)有周邊曝光裝置(WEE)、緩沖盒(BUF)、調(diào)溫單元(CPL)、和加熱單元(PEB)，例如利用交接機(jī)構(gòu)26，以交接臺(tái)27→周邊曝光裝置(WEE)→緩沖盒(BUF)→調(diào)溫單元(CPL)的順序運(yùn)送晶片W，然后利用副運(yùn)送臂96以曝光裝置B7→加熱單元(PEB)的順序運(yùn)送調(diào)溫單元(CPL)的晶片W，這之后再次利用交接機(jī)構(gòu)26，以緩沖盒(BUF)→交接臺(tái)27的順序運(yùn)送加熱單元(PEB)的晶片W。再者，也可以是不設(shè)置周邊曝光裝置的構(gòu)成，在該情況下除了不進(jìn)行周邊曝光裝置中的處理以外，也如已經(jīng)說(shuō)明的那樣進(jìn)行晶片W的運(yùn)送。
進(jìn)而，在本發(fā)明的基板處理裝置中，如果是每個(gè)處理塊完成一連串的處理，經(jīng)由運(yùn)送塊B2的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23把承載塊B1內(nèi)的晶片W運(yùn)送至處理塊并進(jìn)行既定處理的構(gòu)成，則不限于上述構(gòu)成。再者，多個(gè)處理塊，如果平面大小相同，則各個(gè)處理塊，內(nèi)部處理單元的種類、個(gè)數(shù)、布局分別不同也可以。再者，如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，在多個(gè)處理塊中，可以進(jìn)行同一品種的處理，也可以進(jìn)行不同品種的處理。進(jìn)而，本發(fā)明不僅適用于運(yùn)送不同批次的最前面的晶片的情況，也適用于同一批次的后續(xù)晶片，在該情況下由于也確定空閑的處理塊B3-B5，并將晶片運(yùn)送至此，所以可以抑制等待向處理塊B3-B5運(yùn)送的狀態(tài)，可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)量的提高。
即，控制第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)的機(jī)構(gòu)(83)，控制第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)，使在基板承載體(C)中，收納由多個(gè)作為基板的晶片W構(gòu)成的第1和第2批次，在第1批次中最后的晶片在處理塊B3、B4、B5的某一個(gè)中進(jìn)行處理時(shí)，如果其他處理塊B3、B4、B5沒(méi)在進(jìn)行晶片的處理，則把第2批次中最前面的晶片W運(yùn)送至沒(méi)在進(jìn)行其處理的處理塊B3、B4、B5并在其中進(jìn)行晶片W的處理。
再者，本發(fā)明也可以是不包含曝光裝置的構(gòu)成，也可以適用于例如形成層間絕緣膜的處理或在基板上形成SOG(Spin On Glass)膜的處理。再者在本發(fā)明中，基板不限于半導(dǎo)體晶片，例如液晶顯示器用玻璃基板或光掩?；宓纫部梢浴?br> 進(jìn)而也可以是包含多個(gè)曝光裝置的構(gòu)成。圖17是用于共有曝光裝置的實(shí)施例。曝光裝置B7包含ArF曝光機(jī)、和KrF曝光機(jī)，2個(gè)曝光裝置B7之間的距離L在1000mm以上。兩個(gè)曝光裝置B7借助接口部B6與涂敷顯影裝置連接。曝光裝置B7之間確保能夠操作、維修的空間。曝光機(jī)可以同時(shí)處理，并連接具有為此的涂敷顯影的PRB的處理塊B3、B4、B5。在面向少量多品種生產(chǎn)而連接EB(電子束)曝光機(jī)作為曝光裝置B7的情況下，利用曝光機(jī)的并行處理可以實(shí)現(xiàn)TP(生產(chǎn)量)的提高。此外，在圖17中，把成批的晶片從運(yùn)送路700導(dǎo)入具有承載站CS的承載塊B1，并經(jīng)由內(nèi)設(shè)于系泊站DS的第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)23導(dǎo)入處理塊B3、B4、B5。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，具備承載塊(B1)，包括承載體載置部(21)，運(yùn)入運(yùn)出收納有多片基板的基板承載體(C)；和第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)(22)，相對(duì)于載置在該承載體載置部(21)上的基板承載體(C)進(jìn)行基板的交接；第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)，與該承載塊(B1)鄰接地設(shè)置，沿橫向延伸的直線狀的運(yùn)送路運(yùn)送基板；第1交接臺(tái)(24)，用于在上述第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)(22)和第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)之間進(jìn)行基板的交接；多個(gè)處理塊(B3、B4、B5)，具備多個(gè)處理單元(U1、U2、U3)，用于對(duì)基板進(jìn)行既定的處理；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)，在這些處理單元(U1、U2、U3)之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)(TRS1、TRS2)，用于在上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)之間進(jìn)行基板的交接；并且，沿上述運(yùn)送路排列地相對(duì)于裝置主體設(shè)置，且以處理塊(B3、B4、B5)為單位對(duì)基板進(jìn)行一連串的基板處理；處理塊控制部(82A、82B、82C)，控制上述第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)和各處理單元(U1、U2、U3)的動(dòng)作，以便基于既定的方法在這些處理塊(B3、B4、B5)中分別對(duì)基板進(jìn)行既定的處理，并且輸出該處理塊(B3、B4、B5)內(nèi)的基板的處理信息；和控制第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)的機(jī)構(gòu)(83)，在基板從第1交接臺(tái)(24)交接至第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)之前，基于來(lái)自處理塊控制部(82A、82B、82C)的基板的處理信息，來(lái)確定不存在基板或該處理塊(B3、B4、B5)內(nèi)的最后的基板最早完成最后工序的處理塊(B3、B4、B5)，將上述第1交接臺(tái)(24)的基板運(yùn)送至該處理塊(B3、B4、B5)。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，控制上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)的機(jī)構(gòu)(83)控制第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)，以使在上述基板承載體(C)中收納由多個(gè)基板構(gòu)成的第1和第2批次，在上述第1批次中最后的基板在上述處理塊(B3、B4、B5)的某一個(gè)中進(jìn)行處理時(shí)，如果其他處理塊(B3、B4、B5)沒(méi)在進(jìn)行基板的處理，則把第2批次中最前面的基板運(yùn)送至該沒(méi)在進(jìn)行處理的處理塊部，并在該處理塊部進(jìn)行基板的處理。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述運(yùn)送路中連接有承載塊(B1)的一側(cè)的相反側(cè)，連接有連接曝光裝置(B7)的接口部(B6)。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述運(yùn)送路中連接有處理塊(B3、B4、B5)的一側(cè)的相反側(cè)，連接有連接曝光裝置(B7)的接口部(B6)。
5.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理塊(B3、B4、B5)，包含涂敷單元(32)，用于在基板上涂敷抗蝕劑液；顯影單元(33)，用于對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影處理；加熱單元(PEB、LHP、PAB)，用于加熱基板；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)，在這些單元之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)(TRS1、TRS2)，用于在上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)之間進(jìn)行基板的交接；以各處理塊(B3、B4、B5)為單位對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷及/或曝光后的顯影處理。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理塊(B3、B4、B5)，包含多個(gè)涂敷單元(32)、多個(gè)顯影單元(33)、和多個(gè)加熱單元(PEB、LHP、PAB)，上述處理塊控制部(82A、82B、82C)還具備以下功能基于基板的處理方法，選擇進(jìn)行處理的涂敷單元(32)、顯影單元(33)和加熱單元(PEB、LHP、PAB)。
7.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，各處理塊(B3、B4、B5)，包含液體處理單元(U1)，用藥液對(duì)基板進(jìn)行處理；加熱單元(PEB、LHP、PAB)，用于加熱基板；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)，在這些單元之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)(TRS1、TRS2)，用于在上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)之間進(jìn)行基板的交接；以各處理塊(B3、B4、B5)為單位對(duì)基板進(jìn)行一連串的處理。
8.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理塊(B3、B4、B5)，包含多個(gè)液體處理單元(U1)、和多個(gè)加熱單元(PEB、LHP、PAB)，上述處理塊控制部(82A、82B、82C)還具備以下功能基于基板的處理方法，選擇進(jìn)行處理的液體處理單元(U1)和加熱單元(PEB、LHP、PAB)。
9.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，上述液體處理單元(U1)進(jìn)行形成涂敷膜的處理。
10.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，上述液體處理單元(U1)，在基板上涂敷含有絕緣膜的前驅(qū)物的藥液。
11.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述多個(gè)處理塊(B3、B4、B5)形成為平面大小相同。
12.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)，設(shè)在沿成排的多個(gè)處理塊(B3、B4、B5)延伸的運(yùn)送塊上，各處理塊(B3、B4、B5)構(gòu)成為相對(duì)于運(yùn)送塊可以裝拆。
13.一種基板處理方法，在基板處理裝置中，具備第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)(22)，相對(duì)于收納有多片基板的基板承載體(C)進(jìn)行基板的交接；第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)，相對(duì)于該第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)(22)經(jīng)由第1交接臺(tái)(24)進(jìn)行基板的交接；和多個(gè)處理塊(B3、B4、B5)，所述多個(gè)處理塊(B3、B4、B5)包含多個(gè)處理單元(U1、U2、U3)，用于對(duì)基板進(jìn)行既定處理；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)，在這些處理單元(U1、U2、U3)之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)(TRS1、TRS2)，用于在上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)之間進(jìn)行基板的交接，該基板處理方法對(duì)于上述基板承載體(C)內(nèi)的基板在上述處理塊(B3、B4、B5)中以處理塊(B3、B4、B5)為單位進(jìn)行一連串的基板處理，包含以下工序由第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)(22)把基板承載體(C)內(nèi)的基板運(yùn)送至第1交接臺(tái)(24)的工序；在第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)接受第1交接臺(tái)(24)的基板之前，基于各處理塊(B3、B4、B5)的基板的處理信息，來(lái)確定不存在基板或該處理塊(B3、B4、B5)內(nèi)的最后的基板最早完成最后工序的處理塊(B3、B4、B5)的工序；然后第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)接受載置在上述第1交接臺(tái)(24)上的基板，并將該基板運(yùn)送至上述被確定的處理塊(B3、B4、B5)中的工序。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理方法，其特征在于，上述處理塊(B3、B4、B5)，包含涂敷單元(32)，用于在基板上涂敷抗蝕劑液；顯影單元(33)，用于對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影處理；加熱單元(PEB、LHP、PAB)，用于加熱基板；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)，在這些單元之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)(TRS1、TRS2)，用于在上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)之間進(jìn)行基板的交接；以各處理塊(B3、B4、B5)為單位對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷及/或曝光后的顯影處理。
15.如權(quán)利要求14所述的基板處理方法，其特征在于，上述處理塊(B3、B4、B5)，包含多個(gè)涂敷單元(32)、多個(gè)顯影單元(33)、和多個(gè)加熱單元(PEB、LHP、PAB)，如果確定運(yùn)送載置在上述第1交接臺(tái)(24)上的基板的處理塊(B3、B4、B5)，則在該處理塊(B3、B4、B5)中，選擇進(jìn)行上述基板處理的涂敷單元(32)、顯影單元(33)和加熱單元(PEB、LHP、PAB)，以各處理塊(B3、B4、B5)為單位對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷及/或曝光后的顯影處理。
16.如權(quán)利要求13所述的基板處理方法，其特征在于，各處理塊(B3、B4、B5)，包含液體處理單元(U1)，用藥液對(duì)基板進(jìn)行處理；加熱單元(PEB、LHP、PAB)，用于加熱基板；第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)，在這些單元之間運(yùn)送基板；和第2交接臺(tái)(TRS1、TRS2)，用于在上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)和第3運(yùn)送機(jī)構(gòu)(31)之間進(jìn)行基板的交接；以各處理塊(B3、B4、B5)為單位對(duì)基板進(jìn)行一連串的處理。
17.如權(quán)利要求16所述的基板處理方法，其特征在于，上述處理塊(B3、B4、B5)，包含多個(gè)液體處理單元(U1)、多個(gè)加熱單元(PEB、LHP、PAB)，如果確定運(yùn)送載置在上述第1交接臺(tái)(24)上的基板的處理塊(B3、B4、B5)，則在該處理塊(B3、B4、B5)中，選擇進(jìn)行上述基板處理的液體處理單元(U1)和加熱單元(PEB、LHP、PAB)，以各處理塊(B3、B4、B5)為單位對(duì)基板進(jìn)行既定的基板處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其目的在于，通過(guò)把第1交接臺(tái)的基板運(yùn)送至能夠最早進(jìn)行處理的處理塊中，而縮短總計(jì)的處理時(shí)間?；逄幚硌b置，具備第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)(22)，向基板承載體(C)進(jìn)行晶片(W)的交接；和第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)，在多個(gè)處理塊(B3－B5)和第1運(yùn)送機(jī)構(gòu)(22)之間經(jīng)由第1交接臺(tái)(24)進(jìn)行晶片(W)的交接，并向處理塊(B3－B5)進(jìn)行晶片(W)的運(yùn)送。在該裝置中，基于來(lái)自處理塊(B3－B5)的晶片(W)的處理信息，來(lái)確定晶片(W)不存在或該處理塊內(nèi)的最后的晶片(W)最早完成最后工序的處理塊，并利用上述第2運(yùn)送機(jī)構(gòu)(23)將第1交接臺(tái)(24)的晶片(W)運(yùn)送至該處理塊，所以可以順利進(jìn)行晶片(W)向處理塊的運(yùn)送。
文檔編號(hào)G03F7/26GK1906750SQ20048004055
公開(kāi)日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2004年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月16日
發(fā)明者松岡伸明, 木村義雄, 宮田亮 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社