專利名稱：干涉圖形化的制作方法
背景技術(shù)：
本公開(kāi)涉及襯底的干涉圖形化。
當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)波列(例如電磁輻射)相長(zhǎng)地和/或相消地相加形成交替的強(qiáng)度增強(qiáng)和強(qiáng)度降低的區(qū)域時(shí)，產(chǎn)生干涉圖形?？梢允褂酶缮婀饪淘谝r底上以接近所述波列的二分之一波長(zhǎng)的節(jié)距來(lái)印刷特征。


圖1示出了干涉圖形掃描光刻系統(tǒng)的一種實(shí)現(xiàn)。
圖2示出了供在干涉圖形掃描光刻系統(tǒng)中使用的空間濾波器。
圖3示出了圖2的空間濾波器的剖視圖。
圖4示出了在襯底的干涉光刻圖形化中的一個(gè)階段。
圖5到7示出了在圖4的襯底干涉光刻圖形化中的后續(xù)階段。
圖8示出了干涉圖形掃描光刻系統(tǒng)的另一種實(shí)現(xiàn)。
圖9到10示出了在襯底的干涉光刻圖形化中的階段。
圖11示出了干涉圖形掃描光刻系統(tǒng)的另一種實(shí)現(xiàn)。
圖12示出了在襯底的干涉光刻圖形化中的一個(gè)階段。
圖中相同的參考符號(hào)指示相同的元件。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了干涉圖形掃描光刻系統(tǒng)100。系統(tǒng)100包括環(huán)境外殼105、準(zhǔn)直的電磁輻射源110、干涉光學(xué)裝置115、空間濾波器120、襯底工作臺(tái)(substrate stage)125、工作臺(tái)控制系統(tǒng)130，以及對(duì)準(zhǔn)控制135。
可將外殼105用于在襯底上印刷特征。外殼105能夠提供環(huán)境穩(wěn)定性和針對(duì)空氣傳播的粒子和其他印刷缺陷來(lái)源的保護(hù)。外殼105可以是潔凈室或要被放置在潔凈室內(nèi)部的專用環(huán)境系統(tǒng)。源110、干涉光學(xué)裝置115、空間濾波器120、晶片工作臺(tái)125、工作臺(tái)控制系統(tǒng)130以及對(duì)準(zhǔn)控制135的全部或一個(gè)子集可以被外殼105所包圍。例如，對(duì)準(zhǔn)控制135可以在外殼105外部，而源110、干涉光學(xué)裝置115、空間濾波器120、襯底工作臺(tái)125、工作臺(tái)控制系統(tǒng)130則可以被外殼105包圍。
準(zhǔn)直的電磁輻射源110可以是激光器、弧光燈、同步加速器，或者其他單獨(dú)地或與光學(xué)元件協(xié)同地產(chǎn)生準(zhǔn)直的電磁輻射的設(shè)備。
干涉光學(xué)裝置115使用兩個(gè)或更多個(gè)干涉電磁波列提供襯底的干涉圖形化。所述波列能夠在期望部位(location)干涉形成干涉圖形。干涉圖形可以包括一個(gè)或更多個(gè)干涉條紋。這些干涉條紋可以具有基本相同的取向(例如在期望部位的平行條紋組)，或者條紋可以具有不同的取向(例如在期望部位的垂直條紋組)。
所述波列能夠沿光路138離開(kāi)干涉光學(xué)裝置115?？梢允褂脕?lái)自源110的電磁發(fā)射產(chǎn)生所述波列。例如，干涉光學(xué)裝置115可以包括分束器和兩個(gè)相對(duì)的反射器。分束器可以將從源110發(fā)射的束分為一對(duì)束，所述這一對(duì)束隨后在從反射器發(fā)射之后干涉，從而在襯底上產(chǎn)生線(line)和間隙(space)的干涉圖形。
干涉光學(xué)裝置115包括位置傳感器140和光學(xué)裝置位置控制器(positioner)145。位置傳感器140能夠傳感干涉光學(xué)裝置115中的光學(xué)元件的位置(position)。位置傳感器140也能夠檢測(cè)干涉光學(xué)裝置115形成的干涉圖形，以及被所述干涉圖形照射的襯底的位置(例如使用晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)。光學(xué)裝置位置控制器145使干涉光學(xué)裝置115中的光學(xué)元件可以運(yùn)動(dòng)，以便部分地基于傳感器140所傳感的位置來(lái)改變襯底的照射。照射上的這種改變的一個(gè)實(shí)施例是光路138沿方向D的移動(dòng)，這將在下面進(jìn)一步討論。照射上的這種改變的另一個(gè)實(shí)施例是也在下面被進(jìn)一步討論的由一個(gè)或更多個(gè)波列的相移導(dǎo)致的干涉圖形的改變。光學(xué)裝置位置控制器145可以是電動(dòng)機(jī)或其他位移設(shè)備，例如包括壓電元件的設(shè)備。
空間濾波器120在空間上限定了被來(lái)自干涉光學(xué)裝置115的波列照射區(qū)域。圖2和圖3更為詳細(xì)地示出了空間濾波器120。濾波器120包括第一部分205和第二部分210。部分205、210被一對(duì)橋215、220聯(lián)結(jié)。部分205、210和橋215、220能夠削減從干涉光學(xué)裝置115發(fā)射的電磁輻射的傳輸。部分205、210和橋215、220一起限定了內(nèi)孔闌225?？臻g濾波器120能夠通過(guò)孔闌225傳輸照射，并阻礙或阻擋同一照射通過(guò)部分205、210和橋215、220的傳輸，以便在空間上限定被照射區(qū)域。
內(nèi)孔闌225可以具有寬度w和長(zhǎng)度L。對(duì)于所示的相對(duì)于干涉波列的取向，寬度w通常小于長(zhǎng)度L。例如，寬度w可以允許一定數(shù)量的干涉條紋(例如在10和50000個(gè)干涉條紋之間)照射下面的襯底。可以選擇長(zhǎng)度L，以便照射襯底的所述寬度的某個(gè)部分。相對(duì)較大的長(zhǎng)度L允許同時(shí)印刷襯底的較大部分，提高了吞吐量。例如，可以選擇長(zhǎng)度L以使晶片(例如，300毫米晶片)的整個(gè)寬度被照射。因此可以選擇尺寸L和w，以便通過(guò)孔闌225提供襯底相對(duì)較大的均勻照射區(qū)域。
圖1示出了包括卡盤150的襯底工作臺(tái)125?？ūP150可工作來(lái)固定襯底供光刻處理。卡盤150可以是真空卡盤，所述真空卡盤使用真空來(lái)固定襯底。工作臺(tái)125以及卡盤150可通過(guò)工作臺(tái)控制系統(tǒng)130來(lái)移動(dòng)，以便將被固定襯底的適當(dāng)部分呈現(xiàn)給干涉條紋的適當(dāng)部分。例如，工作臺(tái)125沿方向D可移動(dòng)，如下面進(jìn)一步討論的那樣。
工作臺(tái)控制系統(tǒng)130包括位置傳感器155和工作臺(tái)位置控制器160。位置傳感器155可以傳感工作臺(tái)125的位置。位置傳感器155可以包括許多傳感元件中的任何一種，包括干涉換能器、線性可變差分換能器、壓電換能器，以及電阻換能器。工作臺(tái)位置控制器160使工作臺(tái)125可以運(yùn)動(dòng)，以便改變被固定的襯底相對(duì)于空間濾波器120的位置。工作臺(tái)位置控制器160可以是電動(dòng)機(jī)或其他位移設(shè)備。
對(duì)準(zhǔn)控制135是用于調(diào)節(jié)工作臺(tái)125和干涉光學(xué)裝置115中的光學(xué)元件的運(yùn)動(dòng)和位置的控制系統(tǒng)。對(duì)準(zhǔn)控制135從傳感器140、155接收有關(guān)干涉光學(xué)裝置115中的光學(xué)元件的位置、工作臺(tái)125的位置以及固定在工作臺(tái)125上的襯底的位置的信息。反過(guò)來(lái)，對(duì)準(zhǔn)控制135基于接收到的位置信息，給位置控制器145、160提供控制信號(hào)。對(duì)準(zhǔn)控制135可以是閉環(huán)控制系統(tǒng)。
在工作中，無(wú)論干涉圖形化系統(tǒng)中的任何位移，對(duì)準(zhǔn)控制135保證將被固定的襯底維持在相對(duì)于干涉圖形基本恒定的位置。圖4到7示出了對(duì)準(zhǔn)控制135利用線和間隙的干涉圖形提供的定位的示例性實(shí)現(xiàn)。
特別地，圖4示出了襯底400的干涉光刻圖形化中的第一階段。襯底400可以是正被處理以形成至少一個(gè)集成電路器件的晶片，所述集成電路器件例如微處理器、芯片組器件或存儲(chǔ)器器件。襯底400可以包括由硅、砷化鎵或磷化銦制成的半導(dǎo)體部分。
襯底400包括抗蝕劑層405和抗蝕劑支撐物410。抗蝕劑層405是對(duì)由源110(圖1)發(fā)射的電磁輻射敏感的材料。例如，抗蝕劑層405可以是正或負(fù)光致刻蝕劑?？刮g劑支撐物410是能夠在物理地支撐抗蝕劑層405的材料。例如，抗蝕劑支撐物410可以是基底晶片或額外的自身受所述基底晶片支撐的層?？刮g劑支撐物410可以包括預(yù)先存在的特征。
在襯底400的圖形化期間，源110和干涉光學(xué)裝置115(圖1)發(fā)射能夠生成干涉圖形415的電磁輻射。干涉圖形415包括透過(guò)部分420(以實(shí)線顯示)和非透過(guò)部分425(以虛線顯示)。透過(guò)部分420通過(guò)孔闌225，以照射襯底400的工作部分430。非透過(guò)部分425被空間濾波器120(圖1)阻擋或衰減。干涉圖形415的線和間隙基本上平行于孔闌225的長(zhǎng)度L。
干涉圖形415包括一系列強(qiáng)度峰435、440、445、450、455、460，在所述強(qiáng)度峰處，兩個(gè)或更多個(gè)波列相長(zhǎng)地干涉。強(qiáng)度峰可以由一批線狀干涉條紋產(chǎn)生。這些條紋可以垂直于頁(yè)平面或者以相對(duì)于頁(yè)平面的角度來(lái)定向?？梢允褂貌械牟ㄩL(zhǎng)和數(shù)量、干涉波列的相位、系統(tǒng)100的幾何形狀以及波列相對(duì)于襯底400的角度來(lái)定制強(qiáng)度峰435、440、445、450、455、460的幾何形狀、角度和節(jié)距。在圖4中所示的處理階段，強(qiáng)度峰435、455、460在非透過(guò)部分425中，因此不照射襯底400。在另一方面，強(qiáng)度峰440、445、450在透過(guò)部分420以內(nèi)，因此照射襯底400。如上所述，透過(guò)部分420可以包括比所示出的明顯更多的干涉條紋，因而更多的強(qiáng)度峰。但是為了說(shuō)明清晰的目的，限制了在透過(guò)部分420中的強(qiáng)度峰的數(shù)量。
在強(qiáng)度峰440、445、450照射襯底400的同時(shí)，峰440、445、450也對(duì)抗蝕劑層405中的線465、470、475進(jìn)行曝光。線465、470、475被非曝光間隙480、485分隔。如線465、470、475的不同像素密度所代表的那樣，線465、470、475的曝光是非均勻的。特別地，線465比線470接收了更多的曝光，并且線475比線470接收了更少的曝光。曝光上的這些差別是工作臺(tái)125和干涉圖形415受對(duì)準(zhǔn)控制135(圖1)調(diào)節(jié)的移動(dòng)和定位的結(jié)果。
特別地，無(wú)論工作部分430橫過(guò)襯底400的位移如何，對(duì)準(zhǔn)控制135保證將襯底400和干涉圖形415被維持在彼此相對(duì)基本恒定的位置。襯底400和干涉圖形415沿相同的方向D橫過(guò)孔闌225一起平移。方向D可以基本上垂直于孔闌225，并且垂直形成強(qiáng)度峰435、440、445、450、455、460的條紋，以使峰435、440、445、450、455、460和曝光線465、470、475一起橫穿工作部分430，而不對(duì)居間的間隙進(jìn)行曝光，例如間隙480、485。
當(dāng)曝光線(exposed line)465、470、475橫穿工作部分430時(shí)，它們的曝光增加了。圖5示出了襯底400的干涉光刻圖形化中的第二個(gè)后續(xù)階段。線狀強(qiáng)度峰440已經(jīng)移動(dòng)到工作部分430的邊緣，并且部分不再照射襯底400。線465、470、475的曝光已經(jīng)增加，如增加的像素密度所代表的那樣。被間隙510與線475分隔的新線505在其進(jìn)入工作部分430時(shí)被線性強(qiáng)度峰455曝光。強(qiáng)度峰435、440、445、450、455、460以及干涉圖形415的剩下部分的移動(dòng)由光路138橫過(guò)空間濾波器120的移動(dòng)來(lái)完成。
圖6示出了襯底400的干涉光刻圖形化中的第三個(gè)更后續(xù)的階段。線性強(qiáng)度峰440已經(jīng)完全移動(dòng)到工作區(qū)域430外部，并且不照射襯底400。線465、470、475的曝光已經(jīng)增加。線505已經(jīng)完全移動(dòng)到工作部分430中，并且正在被線性強(qiáng)度峰455曝光。
圖7示出了襯底400的干涉光刻圖形化中的第四個(gè)更為后續(xù)的階段?？刮g劑層405包括一系列曝光線705，并且新的線在工作部分430中被干涉圖形415持續(xù)地曝光。
圖8示出了用于干涉光刻圖形化的系統(tǒng)的另一種實(shí)現(xiàn)。特別地，系統(tǒng)800另外包括節(jié)距控制805、干涉圖形節(jié)距傳感器810，以及特征檢測(cè)器815。特征檢測(cè)器815檢測(cè)襯底上預(yù)先存在的特征的位置。被檢測(cè)的預(yù)先存在的特征可以包括晶片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或其他先前被圖形化的特征。特征檢測(cè)器815可以是依靠模式識(shí)別或來(lái)自重復(fù)性預(yù)先存在特征的衍射來(lái)檢測(cè)特征的位置的光學(xué)系統(tǒng)。
節(jié)距傳感器810檢測(cè)干涉圖形415的節(jié)距。例如，節(jié)距傳感器810可以包括一個(gè)或更多個(gè)光電檢測(cè)器，所述光電寄存器被小的孔闌覆蓋，并被定位在和工作臺(tái)125上的襯底相同的平面內(nèi)。當(dāng)干涉圖形415位移時(shí)，干涉圖形415可以橫過(guò)節(jié)距傳感器的孔闌并產(chǎn)生一系列表示干涉圖形415節(jié)距的強(qiáng)度變化。
節(jié)距控制805調(diào)節(jié)襯底上利用干涉圖形415印刷的特征的節(jié)距。節(jié)距控制805可以使用許多不同方法中的任何一種來(lái)調(diào)節(jié)節(jié)距。例如，節(jié)距控制805可以使用干涉圖形415和工作臺(tái)125的位移速度上的差別來(lái)調(diào)節(jié)印刷特征的節(jié)距。當(dāng)位移速度上的這種差別較小時(shí)(例如當(dāng)干涉圖形相對(duì)于第一部位的位置在工作部分430中恒定在干涉圖形的節(jié)距以內(nèi)時(shí)，如當(dāng)干涉圖形的位置恒定在干涉圖形節(jié)距的1％以內(nèi)時(shí))，可以調(diào)節(jié)使用所述干涉圖形印刷的特征的節(jié)距。作為調(diào)節(jié)節(jié)距的方法的另一個(gè)實(shí)施例，節(jié)距控制805可以給光學(xué)裝置位置控制器145提供信號(hào)，以便改變干涉光學(xué)裝置115中的光學(xué)元件的位置(或位置改變的速率)。
節(jié)距控制805可以以從傳感器140、155、810、815接收到的信息作為這些調(diào)節(jié)的基礎(chǔ)。節(jié)距控制805可以是閉環(huán)控制系統(tǒng)。節(jié)距控制805所提供的節(jié)距調(diào)節(jié)可被用來(lái)調(diào)整新近被圖形化的特征的節(jié)距，以防止與其他特征重合不良(misregistration)，或者獲得在襯底非均勻的節(jié)距。圖9和10示出了由節(jié)距控制805提供的調(diào)節(jié)的示例性實(shí)現(xiàn)。
特別地，圖9示出了處于干涉光刻圖形化中第一階段的襯底900。襯底900包括抗蝕劑層905、圖形化層910和圖形化支撐物915?？刮g劑層905是對(duì)由源110(圖8)發(fā)射的電磁輻射敏感的材料。圖形化層910直接地(如圖所示)或經(jīng)由居間的層間接地(未示出)支撐抗蝕劑層905。圖形化層910是襯底900的一部分，圖形化層910包括預(yù)先存在的特征。預(yù)先存在的特征可以形成微電子器件的全部或一部分。例如，圖形層910可以包括例如二氧化硅或氮化硅的電絕緣體、例如p或n摻雜硅的半導(dǎo)體材料，或者例如銅或鋁的導(dǎo)電材料。
如圖所示，圖形化層910包括一系列被間隙930分隔的槽(trench)925。槽925具有節(jié)距935。節(jié)距935是槽925和間隙930在垂直于其取向的方向上的寬度之和。
在工作中，干涉光刻圖形化系統(tǒng)800(圖8)使用干涉圖形415對(duì)一系列線940進(jìn)行曝光。曝光線940被一系列間隙945分隔。曝光線940可以具有節(jié)距950，節(jié)距950等于線940的寬度和間隙945的寬度之和。
節(jié)距控制805可以從節(jié)距傳感器810接收有關(guān)干涉圖形415的節(jié)距的信息。節(jié)距控制805可以從特征檢測(cè)器815接收有關(guān)預(yù)先存在的特征的節(jié)距935的信息。節(jié)距控制805可以使用來(lái)自位置傳感器140、155的其他信息來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)，以調(diào)節(jié)利用干涉圖形415印刷的線的節(jié)距950。
在曝光過(guò)程期間的某個(gè)點(diǎn)，曝光線節(jié)距950可以大于或小于特征節(jié)距935。由于節(jié)距上這樣的差別，在溝槽925和線940之間最終可能出現(xiàn)重合誤差。例如，在圖9中，節(jié)距935大于節(jié)距950。盡管曝光線940可能和對(duì)應(yīng)的溝槽925重合，后續(xù)曝光的線(未示出)可能不與對(duì)應(yīng)的溝槽925重合。這種潛在的重合失調(diào)在圖9中被特定溝槽925’的中心和干涉圖形415的非透過(guò)部分425中的特定強(qiáng)度峰955的中心之間的間隔距離S示出。在橫過(guò)襯底900的較大跨度上，這樣的重合失調(diào)可能妨礙不同層中特征的準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)。
圖10示出了利用節(jié)距控制805(圖8)對(duì)襯底900的干涉圖形化的調(diào)節(jié)。特別地，在線940曝光期間，節(jié)距控制805可以動(dòng)態(tài)地控制干涉圖形415的節(jié)距1005。節(jié)距1005是干涉圖形415在垂直于干涉圖形415的強(qiáng)度峰的方向上的空間周期。節(jié)距控制805可以利用干涉圖形415和襯底900的位移速度上的微小差別或利用由光學(xué)裝置位置控制器145(圖8)完成的對(duì)干涉光學(xué)裝置115中的光學(xué)元件的定位的改變來(lái)控制節(jié)距1005。
圖10還示出了另一種位移干涉圖形415的方法。特別地，通過(guò)改變一個(gè)或更多個(gè)干涉形成干涉圖形415的波列的相位而非通過(guò)光路138的位移來(lái)使干涉圖形415發(fā)生位移。這種對(duì)相位的改變可被用來(lái)使強(qiáng)度峰以和上面針對(duì)圖4到7討論的相同的方式橫過(guò)工作部分430發(fā)生位移。這種對(duì)相位的改變可以由光學(xué)裝置位置控制器145在對(duì)準(zhǔn)控制135的指揮下完成。
因此，橫過(guò)襯底900，可以調(diào)節(jié)使用干涉光刻形成的特征的節(jié)距和部位。例如，干涉圖形節(jié)距1005的控制可被用來(lái)維持橫過(guò)相對(duì)較寬襯底的線940的恒定節(jié)距950，而相位改變可被用于將所述恒定節(jié)距和印刷之前預(yù)先存在的特征對(duì)準(zhǔn)。干涉圖形節(jié)距1005的控制也可被用來(lái)改變橫過(guò)襯底的不同位置處的線940的節(jié)距950。又例如，可以控制節(jié)距1005和印刷部位，以便防止預(yù)先存在的特征和使用干涉光刻形成的特征之間的重合失調(diào)錯(cuò)誤。
圖11示出了用于干涉光刻圖形化的系統(tǒng)的另一個(gè)實(shí)現(xiàn)。具體來(lái)說(shuō)，系統(tǒng)1100包括空間濾波器位置控制器1105?？臻g濾波器位置控制器1105包括一個(gè)或更多個(gè)傳感元件和位移器件，用于沿方向D2平移空間濾波器120。例如，位置控制器1105可以包括以下裝置中的任何一種干涉換能器、線性可變差分換能器、電阻換能器、壓電換能器、電動(dòng)機(jī)和包括壓電位移元件的器件。
空間濾波器位置控制器1105平移空間濾波器120，以便將襯底的適當(dāng)部分暴露給干涉圖形415的適當(dāng)部分。在此平移期間，節(jié)距控制805可以調(diào)節(jié)線和間隙的干涉圖形的節(jié)距。因此，這種調(diào)節(jié)調(diào)整新近被圖形化的特征的節(jié)距，以防止與預(yù)先存在的特征的重合失調(diào)。
圖12示出了帶有節(jié)距控制805的節(jié)距調(diào)節(jié)的空間濾波器120的平移。具體來(lái)說(shuō)，在系統(tǒng)1100工作期間，空間濾波器120被沿方向D2平移。節(jié)距控制805調(diào)節(jié)干涉光學(xué)裝置115中的光學(xué)元件的定位，以改變干涉圖形節(jié)距1005。
以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的許多實(shí)現(xiàn)。盡管如此，應(yīng)該理解本發(fā)明可以作出各種修改。特征檢測(cè)器815可以在干涉光學(xué)裝置115的外部。在印刷中可以使用不同的干涉圖形。例如，可以使用正交的一對(duì)干涉條紋組來(lái)印刷接觸體(contact)陣列。先前印刷在襯底上的特征不需要是線和間隙。例如，先前印刷的特征可以包括通路(via)或其他元件。不需要貫穿整個(gè)襯底執(zhí)行干涉圖形化。例如，空間濾波器120可以包括交替地打開(kāi)和關(guān)閉孔闌225的開(kāi)關(guān)元件?？臻g225的長(zhǎng)度L不需要貫穿整個(gè)襯底，并且它們可在印刷期間修改，以便選擇性地在不同部位印刷不同特征。兩個(gè)空間濾波器可以串聯(lián)使用，并且可以使其可相對(duì)彼此移動(dòng)。干涉圖形自身可以被修改(例如通過(guò)打開(kāi)或關(guān)閉圖形，或通過(guò)改變干涉圖形中的線和間隙的相對(duì)寬度)，以便選擇性地在襯底上不同部位印刷不同的特征。可以使用其他的傳感、檢測(cè)和位移系統(tǒng)和技術(shù)?？梢愿淖兏缮鎴D形化系統(tǒng)內(nèi)傳感和檢測(cè)元件的定位。例如，空間濾波器120可以包括節(jié)距傳感器810?？梢詧D形化各種襯底，包括除半導(dǎo)體晶片以外的襯底。襯底可以包括其他特征和/或?qū)印＠?，襯底可以包括聚合物抗反射涂層(頂層ARC)。因此，其他的實(shí)現(xiàn)在所附的權(quán)利要求書(shū)的范圍以內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，包括干涉圖形發(fā)生器，所述干涉圖形發(fā)生器在第一部位產(chǎn)生包括干涉條紋的干涉圖形；空間濾波器，所述空間濾波器至少部分地限制在所述第一部位被所述干涉圖形實(shí)際照射的區(qū)域；以及位置控制器，所述位置控制器使所述被實(shí)際照射區(qū)域沿和所述干涉條紋相交的方向橫過(guò)所述第一部位發(fā)生位移，并且無(wú)論所述位移如何，維持所述干涉圖形相對(duì)于所述第一部位的基本恒定的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述干涉圖形發(fā)生器產(chǎn)生在所述第一部位照射襯底的干涉圖形；所述空間濾波器限制被所述干涉圖形實(shí)際照射的所述襯底的所述區(qū)域；以及所述位置控制器使所述被實(shí)際照射區(qū)域沿和所述干涉條紋相交的方向橫過(guò)所述襯底發(fā)生位移，并且無(wú)論所述位移如何，維持所述干涉圖形相對(duì)于所述襯底基本恒定的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述位置控制器維持所述干涉圖形相對(duì)于所述第一部位的所述位置恒定在所述被照射區(qū)域中的所述干涉圖形的節(jié)距以內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述位置控制器維持所述干涉圖形相對(duì)于所述第一部位的所述位置恒定在所述被照射區(qū)域中的所述干涉圖形的所述節(jié)距的1％以內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述位置控制器包括第一位置控制器，所述第一位置控制器使所述干涉圖形沿方向D相對(duì)于所述空間濾波器發(fā)生位移；以及第二位置控制器，所述第二位置控制器使所述襯底沿方向D相對(duì)于所述空間濾波器發(fā)生位移。
6.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述位置控制器包括空間濾波器位置控制器，以使所述空間濾波器相對(duì)于所述干涉圖形和所述襯底發(fā)生位移。
7.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括節(jié)距控制器，所述節(jié)距控制器控制所述干涉圖形的節(jié)距。
8.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述空間濾波器包括具有第一尺寸和第二尺寸的孔闌，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，并且被取向?yàn)樵试S形成所述干涉圖形的兩個(gè)或更多個(gè)波前以基本均勻的角度照射所述襯底。
9.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述位置控制器包括閉環(huán)控制系統(tǒng)，用于維持所述干涉圖形相對(duì)于所述第一部位的所述基本恒定的位置。
10.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述位置控制器使所述被實(shí)際照射區(qū)域沿基本垂直于所述干涉條紋的方向橫過(guò)所述第一部位發(fā)生位移。
11.一種方法，包括產(chǎn)生干涉圖形來(lái)照射襯底，所述干涉圖形包括干涉條紋；限制所述襯底上被所述干涉圖形實(shí)際照射的區(qū)域；使所述被照射區(qū)域沿和所述干涉條紋相交的方向橫過(guò)所述襯底發(fā)生位移；以及無(wú)論所述被照射區(qū)域的所述位移如何，維持所述干涉圖形相對(duì)于所述襯底基本恒定的位置。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，使所述被照射區(qū)域發(fā)生位移的操作包括移動(dòng)形成所述干涉圖形的波前的相位。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，維持所述基本恒定的位置的操作包括維持所述干涉圖形相對(duì)于所述襯底的所述位置恒定在所述干涉圖形的節(jié)距以內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，維持所述基本恒定的位置的操作包括維持所述干涉圖形相對(duì)于所述襯底的所述位置恒定在所述干涉圖形的所述節(jié)距的1％以內(nèi)。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述被照射區(qū)域橫過(guò)所述襯底的位移之后，控制所述干涉圖形的所述節(jié)距。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述控制所述節(jié)距的操作包括使用所述干涉圖形的節(jié)距在閉環(huán)中調(diào)節(jié)所述節(jié)距。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，限制所述干涉圖形的所述區(qū)域的操作包括將空間濾波器插入所述干涉圖形的光路，以便至少部分地限定所述被照射區(qū)域。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，使所述被照射區(qū)域發(fā)生位移的操作包括使所述干涉圖形和所述襯底相對(duì)于所述空間濾波器發(fā)生位移。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，使所述干涉圖形發(fā)生位移的操作包括移動(dòng)形成所述干涉圖形的波前的相位。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，維持所述干涉圖形相對(duì)于所述襯底的所述基本恒定的位置的操作包括以不同于所述襯底的速度平移所述干涉圖形，同時(shí)維持所述干涉圖形相對(duì)于所述襯底的所述位置恒定在所述被照射區(qū)域中的所述干涉圖形的節(jié)距的1％以內(nèi)。
21.一種方法，包括產(chǎn)生干涉圖形來(lái)照射襯底；限制所述襯底上被所述干涉圖形實(shí)際照射的區(qū)域；使所述被實(shí)際照射區(qū)域橫過(guò)所述襯底發(fā)生位移；以及控制橫過(guò)所述襯底的所述干涉圖形的節(jié)距。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述干涉圖形包括干涉條紋；并且使所述被照射區(qū)域發(fā)生位移的操作包括使所述被照射區(qū)域沿和所述干涉條紋相交的方向橫過(guò)所述襯底發(fā)生位移。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述方法還包括傳感所述襯底的預(yù)先存在的特征的位置；并且控制所述節(jié)距的操作包括使用預(yù)先存在的特征的所述被傳感的位置在閉環(huán)中調(diào)節(jié)所述節(jié)距。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述方法還包括傳感所述干涉圖形的所述節(jié)距；以及使用所述控制信號(hào)的操作包括使用所述干涉圖形的所述被傳感的節(jié)距來(lái)調(diào)節(jié)所述節(jié)距。
25.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，控制所述干涉圖形的所述節(jié)距的操作包括使所述襯底和所述干涉圖形以不同的速度發(fā)生位移。
26.一種系統(tǒng)，包括干涉圖形發(fā)生器，所述干涉圖形發(fā)生器產(chǎn)生干涉圖形來(lái)照射第一部位；空間濾波器，空間濾波器至少部分地限制在所述第一部位被所述干涉圖形實(shí)際照射的區(qū)域；以及節(jié)距控制器，節(jié)距控制器控制所述干涉圖形的節(jié)距，以便在所述被照射區(qū)域中獲得期望的節(jié)距。
27.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，還包括位置控制器，所述位置控制器使所述被照射區(qū)域橫過(guò)所述第一部位發(fā)生位移。
28.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其中所述干涉圖形包括干涉條紋；并且所述位置控制器包括用于使所述被照射區(qū)域沿和所述干涉條紋相交的方向橫過(guò)所述第一部位發(fā)生位移的位置控制器。
29.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其中，所述節(jié)距控制器包括控制環(huán)，以在所述被照射區(qū)域橫過(guò)所述襯底發(fā)生位移時(shí)動(dòng)態(tài)地控制所述節(jié)距。
30.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中，所述節(jié)距控制器控制所述干涉圖形的所述節(jié)距，以便在所述被照射區(qū)域中獲得基本恒定的節(jié)距。
全文摘要
襯底的干涉圖形化?？梢援a(chǎn)生包括干涉條紋的干涉圖形來(lái)照射襯底，襯底上被所述干涉圖形實(shí)際照射的區(qū)域可以被限制，被照射區(qū)域可以沿和所述干涉條紋相交的方向橫過(guò)所述襯底來(lái)位移，并且無(wú)論所述被照射區(qū)域的位移如何，可以維持所述干涉圖形相對(duì)于所述襯底的基本恒定的位置。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1902552SQ200480039697
公開(kāi)日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2004年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月3日
發(fā)明者加里·艾倫 申請(qǐng)人:英特爾公司