專利名稱：表面光源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面光源裝置和具有該表面光源裝置的液晶顯示設(shè)備。更具體地講，本發(fā)明涉及一種能夠降低放電著火電壓和放電維持電壓的表面光源裝置和具有該表面光源裝置的液晶顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器(LCD)設(shè)備通過利用液晶來顯示圖像。LCD設(shè)備包括用于顯示圖像的顯示單元以及背光組件。顯示單元需要用于發(fā)光的背光組件來給顯示單元提供光。
對(duì)于傳統(tǒng)的背光組件，具有圓柱形的冷陰極熒光燈(CCFL)或具有點(diǎn)形的發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)被廣泛地使用。與白熾燈相比，CCFL的亮度高、壽命長、散熱低，而LED尺寸小、功耗低。然而，CCFL或LED都具有亮度均勻性差的問題。
因此，用CCFL或LED作為光源的背光組件，需要用來提高亮度均勻性的導(dǎo)光板以及光學(xué)構(gòu)件比如漫射構(gòu)件、棱鏡片等。因此，利用CCFL或LED的LCD設(shè)備存在很多問題比如體積大、重量重、制造成本高等。
為了克服上述問題，已經(jīng)開發(fā)了具有平板形狀的表面光源裝置。表面光源裝置包括具有放電空間的光源體和用于在放電空間中產(chǎn)生等離子體的電極。表面光源裝置的光學(xué)性能優(yōu)良、功耗低。因此，表面光源裝置用于大屏幕的LCD。
然而，對(duì)于具有外電極的表面光源裝置，隨著表面光源裝置的尺寸增大，電極之間的間隔增大。因此，需要高的放電著火電壓和高的放電維持電壓。當(dāng)放電著火電壓和放電維持電壓增大時(shí)，LCD設(shè)備的功耗增加，從而LCD設(shè)備的效率降低。此外，由于用于驅(qū)動(dòng)LCD設(shè)備的高電壓而導(dǎo)致漏電流和電磁干擾效應(yīng)會(huì)增加。
在利用汞的表面光源裝置中，汞的蒸氣壓取決于溫度，使得在低于室溫的條件下會(huì)難以發(fā)生初始放電。為了克服這個(gè)問題，在驅(qū)動(dòng)表面光源裝置的過程中提供了大量的電子。因此，需要以在表面光源裝置中容易地提供二次電子為手段來將放電著火電壓和放電維持電壓降低。
通常，金屬氧化物附于電極上，所述金屬氧化物的二次電子效率(secondary electron yield)高并且對(duì)于等離子體中的離子撞擊來說是堅(jiān)固的。當(dāng)表面光源裝置采用內(nèi)電極時(shí)，介電層和容易發(fā)射二次電子的材料順次附于電極的表面上。當(dāng)表面光源裝置采用外電極時(shí)，二次電子效率高的氧化物可附于表面光源裝置的內(nèi)表面上。
在韓國專利公開第2003-0021909號(hào)中公開了一種用于背光組件的等離子體顯示面板，其中，等離子體顯示面板包括多個(gè)電極，設(shè)置在由前玻璃基底和后玻璃基底限定的空間中；電極，被氧化膜覆蓋。雖然氧化膜附于電極上，但是大多數(shù)氧化膜的二次電子效率低(小于1)，使得電壓不會(huì)非常地有效下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種能夠降低放電著火電壓和放電維持電壓的表面光源裝置。
本發(fā)明也提供了一種包括上述表面光源裝置的LCD設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明一方面的表面光源裝置包括第一基底；電極，形成在所述第一基底的外表面上；放電輔助層，對(duì)應(yīng)于電極的位置形成在第一基底的內(nèi)表面上；熒光體層，形成在具有放電輔助層的第一基底上；第二基底，面對(duì)第一基底。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的表面光源裝置包括第一基底；電極，形成在所述第一基底外表面上；放電熒光體層，形成在第一基底的內(nèi)表面上，其中，放電熒光體層包含碳納米管、氧化物和熒光體材料；第二基底，面對(duì)第一基底。
根據(jù)本發(fā)明又一方面的液晶顯示設(shè)備具有表面光源裝置，包括第一基底、電極、放電輔助層、熒光體層和第二基底，其中，電極形成在第一基底外表面的各邊上，放電輔助層形成在第一基底內(nèi)表面的各邊上，熒光體層形成在具有放電輔助層的第一基底上，第二基底面對(duì)第一基底；液晶顯示面板，通過利用從表面光源裝置發(fā)射的光來顯示圖像；容納容器，容納表面光源裝置和液晶顯示面板。
根據(jù)本發(fā)明又一方面的液晶顯示設(shè)備具有表面光源裝置，包括第一基底、電極、放電熒光體層、第二基底，其中，電極形成在第一基底外表面的各邊上，放電熒光體層形成在第一基底內(nèi)表面上，放電熒光體層包含碳納米管、氧化物和熒光體材料，第二基底面對(duì)第一基底；液晶顯示面板，通過利用從表面光源裝置發(fā)射的光來顯示圖像；容納容器，容納表面光源裝置和液晶顯示面板。
根據(jù)本發(fā)明的包含碳納米管和氧化物的表面光源裝置，通過增加二次電子發(fā)射的量可降低放電著火電壓和放電維持電壓。因此，表面光源裝置的效率提高，使得包括該表面光源裝置的LCD設(shè)備的功耗降低，LCD設(shè)備的亮度提高。


通過參照以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其它優(yōu)點(diǎn)將變得非常明顯，在附圖中圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的表面光源裝置的局部切開的透視圖；圖2是沿著圖1中的線I-I′截取的剖視圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的表面光源裝置的局部切開的透視圖；圖4是沿著圖3中的線II-II′截取的剖視圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的表面光源裝置的局部切開的透視圖；圖6是沿著圖5中的線III-III′截取的剖視圖；圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的表面光源裝置的局部切開的透視圖；圖8是沿著圖7中的線IV-IV′截取的剖視圖；圖9是示出了具有根據(jù)本發(fā)明的表面光源裝置的LCD設(shè)備的分解透視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的最佳模式。
表面光源的第一實(shí)施例圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的表面光源裝置的局部切開的透視圖。圖2是沿著圖1中的線I-I′截取的剖視圖。圖2示出了除了圖1中的表面光源裝置的兩端處的密封構(gòu)件之外的部分。線I-I′穿過沒有分隔構(gòu)件的空間。因此，分隔構(gòu)件沒有在圖2中示出。
參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的表面光源裝置100包括光源體140和電極150。
光源體140包括第一基底110和面對(duì)第一基底110的第二基底120。第一基底110和第二基底120彼此分隔。光源體140還可包括設(shè)置在第一基底110和第二基底120之間的密封構(gòu)件130，以形成密封放電氣體的放電空間。
例如，第一基底110和第二基底120是透射可見光并阻擋紫外線的玻璃基底。密封構(gòu)件130密封第一基底110和第二基底120的邊緣部分以形成放電空間。雖然第一基底110和第二基底120可具有如圖1中所示的平板形狀，但是可選擇地，第一基底110和第二基底120中的一個(gè)具有連續(xù)形成的多個(gè)半圓柱的形狀。然后，光源體140可不包括密封構(gòu)件130，但是具有連續(xù)形成的半圓柱形狀的第一基底110和第二基底120中的一個(gè)起到密封構(gòu)件130的作用。
分隔構(gòu)件170可設(shè)置在光源體140的放電空間中。分隔構(gòu)件170中的至少一個(gè)被設(shè)置成以基本相同的間隔與另一個(gè)分隔構(gòu)件170大致平行。分隔構(gòu)件170與第一基底110和第二基底120都接觸。當(dāng)分隔構(gòu)件170與第一基底110或第二基底120同時(shí)形成時(shí)，分隔構(gòu)件170可包含與第一基底110或第二基底120的材料相同的材料。密封構(gòu)件130可包含與形成分隔構(gòu)件170的材料不同的材料?？蛇x擇地，當(dāng)密封構(gòu)件130與分隔構(gòu)件170同時(shí)形成時(shí)，密封構(gòu)件130可包含與形成分隔構(gòu)件170的材料基本相同的材料。
電極150分別形成在第一基底110的外表面的各邊上。從外部提供的放電電壓被施加到電極150，從而在放電空間中產(chǎn)生等離子體。
參照?qǐng)D2，表面光源裝置100還包括在第一基底110上的放電輔助層112。對(duì)應(yīng)于形成電極150的位置，放電輔助層112形成在第一基底110內(nèi)表面的各邊上。即，放電輔助層112面對(duì)電極150，而第一基底110位于放電輔助層112和電極150之間。
放電輔助層112包含碳納米管(carbon nanotube)和氧化物。通常，對(duì)于碳納米管，碳原子與三個(gè)碳原子結(jié)合以形成六邊形的形狀。碳納米管具有與給定的電場對(duì)應(yīng)的幾何增益因子(geometric enhancement factor)。因此，碳納米管的二次電子效率高。即，碳納米管具有如此小的直徑因此具有高的開口率。碳納米管的頂點(diǎn)也具有如此小的直徑，由于這種幾何形狀使得即使在低電壓的情況下，碳納米管的頂點(diǎn)也容易地發(fā)射電子。因此，在包含碳納米管的表面光源裝置100中，二次電子效率增大，使得放電著火電壓和放電維持電極降低，放電效率提高。因此，包含碳納米管的表面光源裝置100的功耗減小，具有該表面光源裝置100的LCD設(shè)備的亮度增大。
氧化物用作碳納米管的容器(holder)，保護(hù)碳納米管不受等離子體中離子的沖擊。氧化物可自發(fā)地發(fā)射二次電子。氧化物沒有自由電子，使得電子之間的散射效應(yīng)弱。因此，二次電子移到氧化物的表面上。當(dāng)提供充足的能量時(shí)，氧化物表面上的二次電子從表面脫離，使得二次電子效率增大。因此，當(dāng)包含氧化物的表面光源裝置100開始放電時(shí)，可用的電子數(shù)目增加，使得放電著火電壓和放電維持電壓可以更低于只包含碳納米管的表面光源的放電著火電壓和放電維持電壓。
金屬氧化物可以與碳納米管結(jié)合。金屬氧化物的例子是鎂氧化物(MgO)、鍶氧化物(SrO)、鋇氧化物(BaO)、鋁氧化物(Al2O3)等。可選擇地，非金屬氧化物比如硅氧化物(SiO2)可用作氧化物。
碳納米管和氧化物以膏(paste)狀結(jié)合。放電輔助層112還可包含粘度調(diào)節(jié)劑和粘附劑，用來增強(qiáng)碳納米管和氧化物與基底的結(jié)合強(qiáng)度。
碳納米管中的一些暴露于氧化物。暴露的碳納米管可優(yōu)選地以相同的間隔設(shè)置在氧化物上。由于電屏蔽(electrical screening)效應(yīng)導(dǎo)致間隔小于暴露的碳納米管長度的兩倍不會(huì)是優(yōu)選的。因此，間隔可優(yōu)選地不小于暴露的碳納米管長度的兩倍。更優(yōu)選地，該間隔可以是暴露的碳納米管長度的大約兩倍至三倍。
放電輔助層112沿著方向“B”以帶狀附著，方向“B”與設(shè)置電極150的方向相同。根據(jù)所需的放電著火電壓的量，放電輔助層112附著的面積可與電極150附著的面積基本相同，可選擇地，放電輔助層112附著的面積可大于或小于電極150附著的面積。
根據(jù)本實(shí)施例的表面光源裝置100包括在放電輔助層112上的熒光體層114。包含熒光體材料的熒光體層114將等離子體產(chǎn)生的紫外光轉(zhuǎn)化為可見光。熒光體層114以薄膜形形成在第一基底110上，除了其中設(shè)置有分隔構(gòu)件170的區(qū)域(參照?qǐng)D1)之外。
雖然在本實(shí)施例中熒光體層114僅附著在附著有放電輔助層112的第一基底110上，但是熒光體層114也可僅附著在沒有附著放電輔助層112的第二基底120上。可選擇地，熒光體層114可既附著在第一基底110上又附著在第二基底120上。
為了保護(hù)放電輔助層112，保護(hù)層(未示出)可形成在放電輔助層112和熒光體層114之間。
放電空間118形成在第一基底110和第二基底120之間，其中，第一基底110包括形成在其上的熒光體層114。放電空間118被圖1中的密封構(gòu)件130環(huán)繞。放電空間118包含具有汞(Hg)、氦(He)、氖(Ne)等的放電氣體。由于施加到電極150的電壓產(chǎn)生的電場，導(dǎo)致從放電輔助層112發(fā)射二次電子。二次電子激發(fā)放電空間118中的放電氣體，被激發(fā)的放電氣體轉(zhuǎn)移到基態(tài)，從而產(chǎn)生光。
根據(jù)本實(shí)施例，表面光源裝置100具有放電輔助層112，放電輔助層112包含在與電極150的位置對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面的各邊上的碳納米管和氧化物。碳納米管和氧化物的二次電子效率高，使得放電著火電壓和放電維持電壓降低。因此，表面光源裝置100的功耗減小。
表面光源的第二實(shí)施例圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的表面光源裝置的局部切開的透視圖。圖4是沿著圖3中的線II-II′截取的剖視圖。圖4示出了除了在圖3中的表面光源裝置兩端處的密封構(gòu)件之外的部分。
參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的表面光源裝置200包括光源體240、第一電極250和第二電極260。
光源體240包括第一基底210和第二基底220，其中，第二基底220位于與第一基底210對(duì)應(yīng)的位置處。光源體240還可包括位于第一基底210和第二基底220之間的密封構(gòu)件230，以形成放電空間。在光源體240的放電空間中，可設(shè)置分隔構(gòu)件270。
除了具有第二電極260的第二基底220的結(jié)構(gòu)之外，根據(jù)本發(fā)明本實(shí)施例的表面光源裝置200與第一實(shí)施例相同。因此，將省略對(duì)相同原件的進(jìn)一步解釋。
參照?qǐng)D4，根據(jù)本發(fā)明本實(shí)施例的表面光源裝置200具有形成在設(shè)置有第一電極250的第一基底210上的第一放電輔助層212和熒光體層214。
與第一實(shí)施例中的放電輔助層112相同，第一放電輔助層212包含碳納米管和氧化物。碳納米管和氧化物與第一實(shí)施例中的碳納米管和氧化物相同。碳納米管以規(guī)則的間隔暴露在氧化物上。該間隔可優(yōu)選地不小于暴露的碳納米管長度的兩倍。更優(yōu)選地，該間隔可以是暴露的碳納米管長度的大約兩倍至大約三倍。
對(duì)于具有第一輔助層212的表面光源裝置200，放電著火電壓和放電維持電壓降低，使得放電效率提高。因此，具有表面光源裝置200的LCD設(shè)備的亮度提高，功耗降低。
表面光源裝置200包括第二輔助層216，第二輔助層216在設(shè)置有第二電極260的第二基底220上。與第一基底210的第一電極250對(duì)應(yīng)的第二電極260形成在第二基底220外表面的各邊上。第二放電輔助層216形成在第二基底220內(nèi)表面的各邊上，并包含碳納米管和氧化物。因此，第二放電輔助層216起到第一放電輔助層212的作用。
雖然在本實(shí)施例中熒光體層214僅附著在其上附著有第一放電輔助層212的第一基底210上，但是熒光體層214也可附著在其上附著有第二放電輔助層216的第二基底220上。
為了保護(hù)第一放電輔助層212，保護(hù)層(未示出)可形成在第一放電輔助層212和熒光體層214之間。當(dāng)熒光體層附著在第二基底220上時(shí)，也可形成保護(hù)層來保護(hù)第二放電輔助層216。
放電空間218形成在第一基底210和第二基底220之間，使得表面光源裝置200通過放電空間218中的放電氣體來產(chǎn)生光。
根據(jù)本實(shí)施例的表面光源裝置200具有第一電極250和第二電極260，并具有分別與各電極對(duì)應(yīng)的第一放電輔助層212和第二放電輔助層216。通過第一電極250和第二電極260向表面光源裝置200施加高電壓。因此，通過施加到電極的高電壓，從第一放電輔助層212和第二放電輔助層216中的碳納米管和氧化物的混合物容易地發(fā)射二次電子。
表面光源裝置的第三實(shí)施例圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的表面光源裝置的局部切開的透視圖。圖6是沿著圖5中的線III-III′截取的剖視圖。圖6示出了除了圖5中的表面光源裝置兩端的密封構(gòu)件之外的部分。
參照?qǐng)D5，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的表面光源裝置300包括光源體340和電極350。
光源體340包括第一基底310和第二基底320，其中，第二基底320位于與第一基底310對(duì)應(yīng)的位置處。光源體340還可包括位于第一基底310和第二基底320之間的密封構(gòu)件330，以形成放電空間318。在光源體340的放電空間318中，可設(shè)置分隔構(gòu)件370。
除了第一基底310的結(jié)構(gòu)之外，根據(jù)本實(shí)施例的表面光源裝置300與第一實(shí)施例的表面光源裝置相同。因此，將省略對(duì)相同元件的任何進(jìn)一步解釋。
參照?qǐng)D6，根據(jù)本實(shí)施例的表面光源裝置300具有在設(shè)置有電極350的第一基底310上的放電熒光體層313。
放電熒光體層313包含碳納米管、氧化物和熒光體材料。碳納米管和氧化物與第一實(shí)施例中的相同。碳納米管以規(guī)則的間隔暴露在氧化物和熒光體材料上。該間隔可優(yōu)選地不小于暴露的碳納米管長度的兩倍。更優(yōu)選地，該間隔可以是暴露的碳納米管長度的大約兩倍至大約三倍。放電熒光體層313同時(shí)執(zhí)行如第一實(shí)施例中所描述的熒光體層的功能和放電輔助層的功能。因此，放電熒光體層313將放電空間318中的等離子體產(chǎn)生的紫外光轉(zhuǎn)換為可見光，降低放電著火電壓和放電維持電壓，以提高放電效率。因此，具有表面光源裝置300的LCD設(shè)備的亮度提高，功耗降低。
放電空間318形成在第一基底310和第二基底320之間，使得表面光源裝置300通過放電空間318中的放電氣體來產(chǎn)生光。
表面光源裝置的第四實(shí)施例圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的表面光源裝置的局部切開的透視圖。圖8是沿著圖7中的線IV-IV′截取的剖視圖。圖8示出了除了圖7中的表面光源裝置兩端處的密封構(gòu)件之外的部分。
參照?qǐng)D7，根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的表面光源裝置400包括光源體440、第一電極450和第二電極460。
光源體440包括第一基底410和第二基底420，其中，第二基底420位于與第一基底410對(duì)應(yīng)的位置處。光源體440還可包括位于第一基底410和第二基底420之間的密封構(gòu)件430，以形成放電空間418。在光源體440的放電空間418中，可設(shè)置分隔構(gòu)件470。
除了第二基底420的結(jié)構(gòu)之外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的表面光源裝置400與第三實(shí)施例相同。因此，將省略對(duì)相同元件的任何進(jìn)一步解釋。
參照?qǐng)D8，根據(jù)本實(shí)施例的表面光源裝置400具有在設(shè)置有第一電極450的第一基底410的內(nèi)表面上的第一放電熒光體層413。
與第三實(shí)施例中的放電熒光體層313相同，第一放電熒光體層413包含碳納米管、氧化物和熒光體材料。碳納米管和氧化物與第一實(shí)施例中的相同。碳納米管以規(guī)則的間隔暴露在氧化物上。該間隔可優(yōu)選地不小于暴露的碳納米管長度的兩倍。更優(yōu)選地，該間隔可以是暴露的碳納米管長度的大約兩倍至大約三倍。
對(duì)于具有第一放電熒光體層413的表面光源裝置400，放電著火電壓和放電維持電壓降低，使得放電效率提高。因此，具有表面光源裝置400的LCD設(shè)備的亮度提高，功耗降低。
表面光源裝置400包括在設(shè)置有第二電極460的第二基底420上的第二放電熒光體層417。第二電極460形成在第二基底420外表面的各邊上，與第一基底410的第一電極450對(duì)應(yīng)。包含碳納米管和氧化物的第二放電熒光體層417形成在第二基底420上。因此，第二放電熒光體層417起到第一放電熒光體層413的作用。
放電空間418形成在第一基底410和第二基底420之間，使得表面光源裝置400通過放電空間418中的放電氣體來產(chǎn)生光。
根據(jù)本實(shí)施例的表面光源裝置400具有第一電極450和第二電極460，并具有分別與各電極對(duì)應(yīng)的第一放電熒光體層413和第二放電熒光體層417。通過第一電極450和第二電極460向表面光源裝置400施加高壓。因此，通過施加到電極的高壓從第一放電熒光體層413和第二放電熒光體層417中的碳納米管和氧化物的混合物容易地發(fā)射二次電子。
在下文中，將參照附圖來詳細(xì)描述包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的表面光源裝置的LCD設(shè)備。
圖9是示出了具有根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的表面光源裝置的LCD設(shè)備的分解透視圖。
參照?qǐng)D9，LCD設(shè)備包括表面光源裝置100、顯示單元700和容納容器800。
表面光源裝置100包括第一基底110；第二基底120，位于與第一基底110對(duì)應(yīng)的位置處；密封構(gòu)件130，位于第一基底110和第二基底120之間，以形成放電空間；電極150，形成在第一基底110的各邊處。
應(yīng)用在本實(shí)施例中的表面光源裝置100與圖1中的相同。因此，將省略任何進(jìn)一步地描述。雖然應(yīng)用了第一實(shí)施例中的表面光源裝置，但是，明顯地，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以應(yīng)用第二實(shí)施例至第四實(shí)施例的表面光源裝置。因此，表面光源裝置可具有放電輔助層和熒光體層，其中，放電輔助層對(duì)應(yīng)于形成有電極150的位置在第一基底110的內(nèi)表面的各邊上，熒光體層在具有放電輔助層的第一基底110上。放電輔助層包含碳納米管和氧化物。此外，代替具有放電輔助層和熒光體層，表面光源裝置可具有放電熒光體層，該放電熒光體層包含形成在第一基底110內(nèi)表面上的碳納米管、氧化物和熒光體材料。
顯示單元700包括LCD面板710；數(shù)據(jù)印刷電路板(PCB)720，提供用于驅(qū)動(dòng)LCD面板710的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；柵PCB 730。數(shù)據(jù)PCB 720和柵PCB 730分別通過數(shù)據(jù)載帶封裝(TCP)和柵TCP電連接到LCD面板710。
LCD面板710包括薄膜晶體管(TFT)基底712、濾色器基底714，位于與TFT基底712對(duì)應(yīng)的位置處；液晶，設(shè)置在TFT基底712和濾色器基底714之間。
TFT基底712是TFT(未示出)和開關(guān)元件以矩陣形狀形成在其上的透明玻璃基底。數(shù)據(jù)線和柵線分別連接到TFT的源電極和柵電極，像素電極(未示出)連接到漏電極。像素電極包括透明導(dǎo)電材料。
彩色像素比如紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)像素通過薄膜工藝形成在濾色器基底714上。此外，共電極(未示出)可形成在濾色器基底714上。共電極包含透明導(dǎo)電材料。
容納容器800包括形成容納空間的底面810和多個(gè)側(cè)壁820。容納容器800固定表面光源裝置100和LCD面板710，以防止表面光源裝置100和LCD面板710的滑移。
底面810具有充足的底面面積，使得表面光源裝置100安裝在其上，并可具有與表面光源裝置100的形狀基本相同的形狀。側(cè)壁820從底面810的邊緣部分基本垂直于底面810延伸。絕緣構(gòu)件可形成在底面810上，以使電極150與底面810絕緣。
根據(jù)本實(shí)施例的LCD設(shè)備1000還包括逆變器(inverter)600和頂框架900。
逆變器600位于容納容器800的外部，以提供用于驅(qū)動(dòng)表面光源裝置100的放電電壓。逆變器600產(chǎn)生的放電電壓通過第一電源供給線630和第二電源供給線640被施加到表面光源裝置100。第一電源供給線630和第二電源供給線640可直接連接到電極150?？蛇x擇地，第一電源供給線630和第二電源供給線640也可通過分離的連接構(gòu)件(未示出)連接到電極150。
頂框架900與容納容器800組合，且環(huán)繞LCD面板710的邊緣部分。頂框架900保護(hù)LCD面板710不受從外部施加到LCD設(shè)備1000的沖擊的影響。頂框架900將LCD面板710和容納容器800組合。
LCD設(shè)備1000還可包括至少一個(gè)光學(xué)片構(gòu)件950。光學(xué)片構(gòu)件950可包括漫射板和各種光學(xué)片。光學(xué)片可包括用于漫射光的漫射片或用于提高光的亮度的棱鏡片。
LCD設(shè)備1000還可包括位于光學(xué)構(gòu)件950和表面光源裝置100之間的模制框，用于支撐光學(xué)構(gòu)件950。
雖然已經(jīng)如上描述了在第一實(shí)施例中的表面光源裝置100，但是根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備可包括第二實(shí)施例至第四實(shí)施例的表面光源裝置。
對(duì)于包含碳納米管和氧化物的表面光源裝置，通過增加二次電子發(fā)射的量，可以降低放電著火電壓和放電維持電壓。因此，表面光源裝置的效率提高，使得包括該表面光源裝置的LCD設(shè)備的功耗降低，LCD設(shè)備的亮度提高。
工業(yè)上的可用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明的表面光源裝置和具有該表面光源裝置的LCD設(shè)備包含在放電輔助層中的碳納米管和氧化物或通過與熒光體材料結(jié)合在熒光體層中的碳納米管和氧化物。因此，表面光源裝置的放電著火電壓和放電維持電壓降低，從而提高了放電效率。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不應(yīng)限于這些示例性實(shí)施例，而是在如權(quán)利要求所述的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以進(jìn)行各種改變和更改。
權(quán)利要求
1.一種表面光源裝置，包括第一基底；電極，形成在所述第一基底的外表面上；放電輔助層，對(duì)應(yīng)于所述電極的位置形成在所述第一基底的內(nèi)表面上；熒光體層，形成在具有所述放電輔助層的所述第一基底上；第二基底，面對(duì)所述第一基底。
2.如權(quán)利要求1所述的表面光源裝置，其中，所述放電輔助層包含碳納米管和氧化物。
3.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述氧化物包括從鎂氧化物、鍶氧化物、鋇氧化物、鋁氧化物及其混合物組成的組中選擇的至少一種。
4.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述氧化物為硅氧化物。
5.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述碳納米管和所述氧化物以膏狀形成。
6.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述放電輔助層還包含粘度調(diào)節(jié)劑和粘著劑。
7.如權(quán)利要求2所述的表面光源裝置，其中，所述碳納米管暴露在所述氧化物上。
8.如權(quán)利要求7所述的表面光源裝置，其中，所述碳納米管以規(guī)則的間隔暴露在所述氧化物上，所述間隔不小于暴露的碳納米管長度的兩倍。
9.如權(quán)利要求1所述的表面光源裝置，還包括在所述第一基底和所述第二基底之間設(shè)置的密封構(gòu)件，以形成密封放電氣體的放電空間。
10.如權(quán)利要求1所述的表面光源裝置，還包括在所述第二基底上的熒光體層。
11.如權(quán)利要求1所述的表面光源裝置，其中，所述電極形成在所述第一基底外表面的各邊上，所述放電輔助層對(duì)應(yīng)于所述電極的位置形成在所述第一基底內(nèi)表面的各邊上。
12.如權(quán)利要求1所述的表面光源裝置，還包括電極，形成在所述第二基底的外表面上；放電輔助層，形成在所述第二基底的內(nèi)表面上，所述放電輔助層包含碳納米管和氧化物。
13.如權(quán)利要求12所述的表面光源裝置，其中，所述電極形成在所述第二基底外表面的各邊上，所述放電輔助層形成在所述第二基底內(nèi)表面的各邊上。
14.一種表面光源裝置，包括第一基底；電極，形成在所述第一基底的外表面上；放電熒光體層，形成在所述第一基底的內(nèi)表面上，所述放電熒光體層包含碳納米管、氧化物和熒光體材料；第二基底，面對(duì)所述第一基底。
15.如權(quán)利要求14所述的表面光源裝置，其中，所述碳納米管和所述氧化物以膏狀形成。
16.如權(quán)利要求14所述的表面光源裝置，還包括在所述第一基底和所述第二基底之間設(shè)置的密封構(gòu)件，以形成密封放電氣體的放電空間。
17.如權(quán)利要求14所述的表面光源裝置，還包括在所述第二基底上的熒光體層。
18.如權(quán)利要求14所述的表面光源裝置，其中，所述電極形成在所述第一基底外表面的各邊上。
19.如權(quán)利要求14所述的表面光源裝置，還包括電極，形成在所述第二基底的外表面上；放電熒光體層，形成在所述第二基底的內(nèi)表面上，所述放電熒光體層包含碳納米管、氧化物和熒光體材料。
20.如權(quán)利要求19所述的表面光源裝置，其中，所述電極形成在所述第二基底外表面的各邊上。
21.如權(quán)利要求14所述的表面光源裝置，其中，所述碳納米管以規(guī)則的間隔暴露在所述氧化物和所述熒光體材料上，所述間隔不小于暴露的碳納米管長度的兩倍。
22.一種液晶顯示設(shè)備，包括表面光源裝置，包括第一基底、電極、放電輔助層、熒光體層和第二基底，其中，所述電極形成在所述第一基底外表面的各邊上，所述放電輔助層對(duì)應(yīng)于所述電極的位置形成在所述第一基底內(nèi)表面的各邊上，所述熒光體層形成在具有所述放電輔助層的所述第一基底上，所述第二基底面對(duì)所述第一基底；液晶顯示面板，通過利用從所述表面光源裝置發(fā)射的光來顯示圖像；容納容器，容納所述表面光源裝置和所述液晶顯示面板。
23.如權(quán)利要求22所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述放電輔助層包含碳納米管和氧化物。
24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述碳納米管和所述氧化物以膏狀形成。
25.如權(quán)利要求22所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述碳納米管以規(guī)則的間隔暴露在所述氧化物上，所述間隔不小于暴露的碳納米管長度的兩倍。
26.一種液晶顯示設(shè)備，包括表面光源裝置，包括第一基底、電極、放電熒光體層和第二基底，其中，所述電極形成在所述第一基底外表面的各邊上，所述放電熒光體層形成在所述第一基底內(nèi)表面上，所述放電熒光體層包含碳納米管、氧化物和熒光體材料，所述第二基底面對(duì)所述第一基底；液晶顯示面板，通過利用從所述表面光源裝置發(fā)射的光來顯示圖像；容納容器，容納所述表面光源裝置和所述液晶顯示面板。
27.如權(quán)利要求26所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述碳納米管以規(guī)則的間隔暴露在所述氧化物和所述熒光體材料上，所述間隔不小于暴露的碳納米管長度的兩倍。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種表面光源裝置，該裝置包括第一基底、電極、放電輔助層、熒光體層和第二基底。放電輔助層包含碳納米管和氧化物。表面光源裝置還可包括熒光體層。表面光源裝置可具有包含碳納米管、氧化物、熒光體材料的放電熒光體層來代替放電輔助層和熒光體層。利用表面光源裝置中的碳納米管和氧化物，由于碳納米管的幾何效應(yīng)和高效率的二次電子導(dǎo)致放電著火電壓和放電維持電壓可降低。因此，表面光源裝置的效率提高，使得LCD設(shè)備的功耗減小，LCD設(shè)備的亮度增大。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK1890775SQ200480036402
公開日2007年1月3日 申請(qǐng)日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月8日
發(fā)明者樸海日, 卞真燮, 李相裕 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社