專利名稱：光掩模及視頻器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及圖案轉(zhuǎn)印中所用的光掩模及使用了該光掩模的視頻器件的制造方法。
背景技術：
以往，在半導體器件以及攝像器件、顯示器件等視頻器件(videodevice視頻設備)的制造工序中，有利用縮小投影曝光裝置等曝光裝置經(jīng)由光掩模(photomask)照射曝光光，在器件基板上的感光性材料上進行圖案轉(zhuǎn)印的工序。作為此時所使用的光掩模，一般采用的是在矩形的玻璃等透光性基板上具有遮光性膜圖案的構(gòu)成。作為遮光性膜圖案，有以鉻為主體的圖案、以鉬硅化物為主體的圖案等。
在上述的曝光裝置中，通常是將光掩模的表面(遮光性膜圖案面)朝向下進行配置，從光掩模的背面(玻璃面)照射曝光光來進行圖案的轉(zhuǎn)印。因此，如果光掩模表面的反射率高，則由于在被轉(zhuǎn)印面和光掩模之間會因多重反射而產(chǎn)生雜散光，進而發(fā)生使成像圖像質(zhì)量低下之類的問題，故需要進行控制以使遮光性膜表面為低反射。例如，在采用以鉻為主體的光掩模時，由于鉻膜的反射率在曝光光(200nm～500nm)附近高達40％～50％左右，故通過在其上形成氧化鉻系列的防反射膜，可以使反射率抑制在約15％左右。此外，玻璃面的反射率在8％附近。進而，為了減少光掩模和照明系統(tǒng)之間的多重反射，有時也用在基板側(cè)形成了防反射膜的雙面防反射型的光掩模。
此外，光掩模通常具有設置在中央部的、形成了在被轉(zhuǎn)印體上進行轉(zhuǎn)印的圖案的轉(zhuǎn)印區(qū)域和設置在其周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域。在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域形成了例如用于通過人眼進行識別的光掩模的產(chǎn)品名、或者例如用于通過日本專利公開特開2000-99619號公報所記載那樣的光掩模識別方法來識別光掩模的條形碼等表示產(chǎn)品識別信息的遮光膜圖案。而且，在使用這樣的光掩模來實施轉(zhuǎn)印圖案之際，使用不使曝光光照射到非轉(zhuǎn)印區(qū)域的遮斷曝光光的遮簾(blind)。作為這樣的遮簾，有配置在光掩模背面正上方的、在與光掩模圖案同一面上結(jié)成實像的成像式遮簾。
但是，盡管在曝光裝置中設置有遮簾，但由于曝光裝置內(nèi)的雜散光的影響，存在如上述那樣的形成在光掩模周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的表示產(chǎn)品識別信息的遮光膜圖案等非器件圖案(non-device pattern)，在被轉(zhuǎn)印面上進行析像(解像)之類的問題。
此外，在制造攝像元件或顯示裝置等視頻器件之際，為了轉(zhuǎn)印如像素圖案那樣的單純的重復圖案，不需要的非器件圖案的像將進行析像。其結(jié)果是，由于像素圖案的圖案線寬誤差與該非器件圖案形狀的傾向相一致，而有可能在其映像(視頻圖像)上發(fā)生非器件圖案狀的光斑，故特別成為問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述問題點而完成的，其目的在于提供一種可以防止形成于光掩模的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的非器件圖案在被轉(zhuǎn)印面上進行析像的光掩模。
進而，本發(fā)明的目的還在于提供一種可以防止在映像上發(fā)生光掩模的非器件圖案狀的光斑的視頻器件的制造方法。
為了達成上述目的，本發(fā)明的技術方案具有如下那樣的構(gòu)成。
(構(gòu)成1)光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，至少在與形成上述非器件圖案的位置相對向的透光性基板背面，設置了用于減少從該透光性基板背面的周邊部入射的曝光光的透過的減少光透過部件。
(構(gòu)成2)上述構(gòu)成1所記載的光掩模，其特征在于上述減少光透過部件由具有減少曝光光的透過作用的薄膜或者膠片構(gòu)成。
(構(gòu)成3)上述構(gòu)成1所記載的光掩模，其特征在于上述減少光透過部件是通過基板面粗糙化處理形成的減少光透過部件。
(構(gòu)成4)光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，實施有減少對于從上述透光性基板的背面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部的反射率差的部件，以使得該非器件圖案不在被轉(zhuǎn)印面上析像。
(構(gòu)成5)上述構(gòu)成4所記載的光掩模，其特征在于為了減少對于從透光性基板背面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差，而調(diào)整對于上述曝光光的上述圖案部或者非圖案部的遮光性膜的反射率。
(構(gòu)成6)光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，該非器件圖案其圖案部以及非圖案部，由對于從光掩模表面入射的曝光光圖案部和非圖案部的反射率不同，但對于從光掩模背面入射的曝光光則不會產(chǎn)生圖案部和非圖案部的實質(zhì)性的反射率差、這樣的遮光性膜的組合而形成。
(構(gòu)成7)光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，實施有減少對于從上述光掩模表面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差的部件，以使得該非器件圖案不在被轉(zhuǎn)印面上進行析像。
(構(gòu)成8)上述構(gòu)成7所記載的光掩模，其特征在于為了減少對于從上述光掩模表面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部的反射率差，而調(diào)整對于上述曝光光的上述圖案部或者非圖案部的遮光性膜的反射率。
(構(gòu)成9)光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，在上述非器件圖案上或者形成有非器件圖案的區(qū)域上形成有不在被轉(zhuǎn)印面上實質(zhì)地進行析像這樣的微細圖案。
(構(gòu)成10)視頻器件的制造方法，其特征在于具有使用構(gòu)成1至構(gòu)成9中任意一項所記載的光掩模來進行圖案轉(zhuǎn)印的工序。
這里，在本發(fā)明的遮光性膜圖案中，可以使用以鉻為主體的圖案、以鉬硅化物為主體的圖案等。此外，在光掩模上，可以使用表面具有防反射膜的2層或者多層構(gòu)造的膜層、或者在背面也形成有防反射膜的雙面防反射型的構(gòu)成。
上述透光性基板可以使用合成石英玻璃等玻璃基板。
另外，在本發(fā)明中，所謂非器件圖案，包括光掩模的產(chǎn)品名稱或產(chǎn)品代碼，或者用于產(chǎn)品識別的條形碼等產(chǎn)品識別圖案以及定位標志等各種對位標志。


圖1所示是涉及本發(fā)明實施例1的光掩模圖，(a)為平面圖，(b)為背面圖，(c)為截面圖；圖2所示是涉及本發(fā)明實施例1的光掩模制造工序圖；圖3所示是涉及本發(fā)明實施例5的光掩模截面圖；圖4所示是涉及本發(fā)明實施例5的光掩模制造工序圖；圖5所示是涉及本發(fā)明實施例6的光掩模截面圖；圖6所示是涉及本發(fā)明實施例6的光掩模制造工序圖；圖7所示是涉及本發(fā)明實施例7的光掩模圖，(a)為平面圖，(b)為部分放大圖；圖8所示是曝光裝置的原理構(gòu)成圖。
具體實施例方式
下面將說明本發(fā)明的最佳實施形態(tài)。
涉及本發(fā)明第1實施形態(tài)的光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，至少在與形成上述非器件圖案的位置相對向的透光性基板背面設置了減少從該透光性基板背面的周邊部入射的曝光光的透過的減少光透過部件。
根據(jù)上述構(gòu)成，就可以減少從光掩模周邊部的背面入射的曝光光。由此，從光掩模周邊部的背面入射的曝光光用非器件圖案面來進行反射，該反射光成為雜散光，從而就可以防止非器件圖案在被轉(zhuǎn)印面上進行析像。
即，例如，在使用了具有成像式遮簾的曝光裝置的情況下，如圖8所示的那樣，由于在光掩模23和遮簾21之間存在有光學系統(tǒng)22，故從光掩模23的背面入射并經(jīng)過反射的光就成為雜散光，再次到達光掩模?？梢哉J為，如果該雜散光作為傾斜光也到達基板周邊部而到達非器件圖案，則析像了該非器件圖案的光將反復進行反射并到達被轉(zhuǎn)印體27的被轉(zhuǎn)印面，析像在被轉(zhuǎn)印面上。為此，在與光掩模背面、至少在與形成了非器件圖案的位置相對的位置上設置減少光透過性部件，以遮斷來自光掩模周邊部的光。由此，就可以防止光到達非器件圖案，故可以防止析像了非器件圖案的光成為雜散光。此外，圖8所示是曝光裝置的原理構(gòu)成圖，圖中，24是光掩模中的透明基板，25是光掩模中的遮光性膜圖案，25是保護光掩模表面的薄膜(pellicle)。
這里，所謂減少光透過部件是指對于從通常透光性基板背面(光掩模背面)入射的曝光光，具有減少透過作用的部件，最好是與通常的情況(沒有設置減少光透過部件的情況)相比通過8成(80％)以下的光。借助于該減少光透過部件，使曝光光進行吸收、反射或者散射中的某一個，或者它們2種以上的情況，所以從光掩模周邊部中的背面入射的曝光光的透過就被減少。
作為上述減少光透過部件，可以列舉具有使曝光光的透過減少之作用，即具有吸收、反射以及散射曝光光或者它們2種以上作用的薄膜或者膠片(包括片狀材料)，或者通過激光等的照射而改變了性質(zhì)(例如表面粗糙化)的基板面等。作為上述薄膜，可以列舉如涂敷膜、蒸鍍膜、濺射膜等，此外，作為材料，只要是具有上述作用的材料即可，例如可列舉金屬、金屬氧化物、氮化物、碳化物、氟化物等金屬化合物以及它們的混合物、石墨、有機樹脂等。
在上述第1實施形態(tài)中，在一個光掩模上形成了上述非器件圖案之中多種非器件圖案的情況下，可以對于全部或者僅對于所選擇的非器件圖案設置減少光透過部件。此外，在對于某非器件圖案部分地產(chǎn)生問題的情況下，可以對該非器件圖案的一部分設置減少光透過部件。
另外，上述的第1實施形態(tài)中的產(chǎn)品識別圖案等非器件圖案當然可以從光掩模表面進行識別。
其次，涉及本發(fā)明第2實施形態(tài)的光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，實施有減少對于從上述光透過性基板的背面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差的部件，以使得該非器件圖案不在被轉(zhuǎn)印面上進行析像。
根據(jù)上述構(gòu)成，即使是從光掩模的背面直接入射、或者來自被轉(zhuǎn)印面的反射光從光掩模周邊部的背面入射，并反射了該光，也可以減少該反射光在非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差。由此，就可以減少其到達了被轉(zhuǎn)印面時析像非器件圖案的可能性。
這里，所謂的上述非器件圖案的圖案部和非圖案部，在通過遮光性膜圖案的抽出圖案而形成了非器件圖案的情況下，將抽出圖案部設為圖案部，將其周邊的基板部設為非圖案部。另一方面，在利用遮光性膜圖案的剩余圖案而形成了非器件圖案的情況下，則將剩余圖案部設為圖案部，將其周邊的基板部設為非圖案部。
在本第2實施形態(tài)中，通過實施減少上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差的部件，相對于以往的光掩模就可以減少圖案部和非圖案部處的反射率差。最好是相對于以往的光掩模反射率差在8成以下。所謂的以往的光掩模，包括在表面具有防反射膜的2層或者多層構(gòu)造的構(gòu)成、或者在背面也形成有防反射膜的雙面防反射型的構(gòu)成。因曝光裝置的種類以及光掩模的種類不同，其對非器件圖案的被轉(zhuǎn)印面的析像問題的程度不同。因而，可以在依照曝光裝置和光掩模的種類產(chǎn)生了問題的情況下采用本發(fā)明。
此外，在本第2實施形態(tài)中，也可以在一個光掩模上形成了上述非器件圖案之中多種非器件圖案的情況下，對于全部或者僅對于形成了所選擇的非器件圖案的區(qū)域?qū)嵤p少反射率差的部件。此外，在相對于某非器件圖案部分地產(chǎn)生問題的情況下，可以對該非器件圖案的一部分區(qū)域?qū)嵤p少反射率差的部件。
作為這樣的減少反射率差的手段，作為例子可舉出如下面那樣的方法。
即，為了減少對于從透光性基板背面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差而調(diào)整對于曝光光的上述圖案部或者非圖案部的遮光性膜的反射率的方法。具體言之就是，通過在厚度方向部分地蝕刻圖案部或者非圖案部的遮光性膜使之具有透光性，由此設定成非圖案部或者圖案部的反射率接近透光性基板的反射率這樣的膜厚的方法。在上述的情況下，產(chǎn)品識別圖案等非器件圖案可以從光掩模表面或者背面來進行識別。
其次，涉及本發(fā)明第3實施形態(tài)的光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，該非器件圖案其圖案部以及非圖案部，由對于從光掩模表面入射的曝光光圖案部和非圖案部的反射率不同，但對于從光掩模背面入射的曝光光則不會產(chǎn)生圖案部和非圖案部的實質(zhì)性的反射率差、這樣的遮光性膜的組合而形成。
根據(jù)上述構(gòu)成，即使是從光掩模的背面入射的曝光光在非器件圖案面反射，由于其反射光不會產(chǎn)生非器件圖案的圖案部和非圖案部的實質(zhì)性的反射率差，故在到達了被轉(zhuǎn)印面時沒有析像非器件圖案的可能性。此外，相對于從光掩模表面入射的曝光光，非器件圖案的圖案部和非圖案部的反射率不同。但是，在光掩模的通常使用方法中，由于從光掩模背面入射的光是壓倒性的，故在本實施形態(tài)中，非器件圖案難以在被轉(zhuǎn)印面進行析像。而相對于從光掩模表面入射的曝光光，非器件圖案的圖案部和非圖案部的反射率差，優(yōu)選的是能夠從光掩模表面通過目視來識別產(chǎn)品識別圖案等非器件圖案的程度。
具體言之，本實施形態(tài)的光掩模就是在厚度方向部分地進行形成非器件圖案之際的遮光膜的蝕刻。由此，與在背面如抽出圖案那樣曝光基板的情況相比，實質(zhì)上沒有圖案部和非圖案部的反射率差而不能作為圖案識別出來，在表面則以能夠通過目視來識別非器件圖案的程度產(chǎn)生反射率差。在上述情況下，就可以從光掩模表面來識別出產(chǎn)品識別圖案等非器件圖案。
另外，涉及本發(fā)明第4實施形態(tài)的光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，實施有減少對于從上述光掩模表面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差的部件，以使得該非器件圖案不在被轉(zhuǎn)印面上進行析像。
根據(jù)上述構(gòu)成，由于非器件圖案的圖案部和非圖案部的反射率差被減少，故即使來自被轉(zhuǎn)印面的反射光照射到光掩模表面的周邊部并反射了該光，也可以減少該反射光到達了被轉(zhuǎn)印面時析像非器件圖案的可能性。
這里，與上述的第2、第3實施形態(tài)同樣，所謂非器件圖案的圖案部和非圖案部，在利用遮光性膜圖案的抽出圖案形成了非器件圖案的情況下，以抽出圖案部作為圖案部，以其周邊的基板部作為非圖案部，在利用遮光性膜圖案的剩余圖案形成了非器件圖案的情況下，則以剩余圖案部作為圖案部，以其周邊的基板部作為非圖案部。
在本第4實施形態(tài)中，實施減少對于從光掩模表面入射的曝光光非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差的部件。由此，較之以往的光掩模非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差就被減少。最好是相對于以往的光掩模，反射率差在8成以下。所謂的以往的光掩模，與上述實施形態(tài)的情況同樣，包括表面具有防反射膜的2層或者多層構(gòu)造的構(gòu)成、或者在背面也形成有防反射膜的雙面防反射型的構(gòu)成。由于因曝光裝置的種類以及光掩模的種類不同，其對非器件圖案的被轉(zhuǎn)印面的析像問題的程度不同。因而，可以在依照曝光裝置和光掩模的種類產(chǎn)生了問題的情況下采用本發(fā)明。
此外，在本第4實施形態(tài)中，也可以在一個光掩模上形成了上述非器件圖案之中多種非器件圖案的情況下，對于全部或者僅對于形成了所選擇的非器件圖案的區(qū)域?qū)嵤p少反射率差的部件。此外，在相對于某非器件圖案部分地產(chǎn)生了問題時，可以對該非器件圖案的一部分區(qū)域?qū)嵤p少反射率差的部件。
作為本實施形態(tài)中的減少反射率差的手段，作為例子可舉出如下面這樣的方法。
即，為了減少對于從光掩模表面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差而調(diào)整對于曝光光的上述圖案部或者非圖案部的遮光性膜的反射率的方法。具體言之，就是與上述第2實施形態(tài)的情況同樣，通過在厚度方向部分地蝕刻圖案部或者非圖案部的遮光性膜使之具有透光性，由此設定成非圖案部或者圖案部的反射率接近透光性基板的反射率這樣的膜厚的方法。在上述的情況下，可以從光掩模表面或者背面來識別產(chǎn)品識別圖案等非器件圖案。
進而，涉及本發(fā)明第5實施形態(tài)的光掩模的特征在于在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模中，上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，在上述非器件圖案上或者形成了非器件圖案的區(qū)域上形成不在被轉(zhuǎn)印面上實質(zhì)地進行析像這樣的微細圖案。
根據(jù)上述構(gòu)成，借助于形成在上述非器件圖案上或者形成了非器件圖案的區(qū)域的、不在被轉(zhuǎn)印面上實質(zhì)地進行析像這樣的(例如，利用曝光光的析像界限以下的)微細圖案，與沒有形成該微細圖案的以往的光掩模相比，就可以減少非器件圖案的透過率或者反射率。進而，即使在非器件圖案的部分所發(fā)生的反射光到達了被轉(zhuǎn)印面，由于上述微細圖案不在被轉(zhuǎn)印面上實質(zhì)地進行析像，故可以防止重疊了微細圖案的非器件圖案析像在被轉(zhuǎn)印面上。
具體言之，在上述非器件圖案的圖案部是遮光性膜的抽出圖案的情況下，在非器件圖案、或者非器件圖案及其周邊部形成微細圖案。此外，在上述非器件圖案的圖案部是遮光性膜的剩余圖案的情況下，則考慮將該剩余圖案蝕刻成微細圖案狀。
微細圖案的形狀可以適當?shù)剡x擇條帶狀、網(wǎng)格狀等，其尺寸可以依照所要求的透過特性或者反射特性，在不在被轉(zhuǎn)印面上實質(zhì)地進行析像這樣的尺寸范圍內(nèi)適當?shù)剡M行確定。
本發(fā)明的光掩?？梢詢?yōu)選適用于具有使用光掩模進行圖案轉(zhuǎn)印工序的視頻器件的制造中。作為視頻器件，可以具體地列舉出如CCD、CMOS、VMIS等固體攝像裝置等的攝像器件，或者液晶顯示裝置、等離子顯示裝置、EL顯示裝置、LED顯示裝置、DMD顯示裝置等的顯示器件。
下面，利用實施例對本發(fā)明進一步詳細地進行說明。
(實施例1)圖1所示是涉及實施例1的光掩模。圖1(a)是水平地朝向本實施例的光掩模時的平面圖，圖1(b)是從光掩模背面觀看實施例1的圖，圖1(c)是圖1(a)以及圖1(b)的虛線A-A’部分的截面圖。
如圖1所示那樣，本實施例的光掩模1具有轉(zhuǎn)印區(qū)域2和其周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域3。在光掩模表面4中，在由合成石英玻璃等構(gòu)成的透明基板6的表面的轉(zhuǎn)印區(qū)域2上形成由遮光性膜圖案組成的器件圖案7，在透明基板6的表面的非轉(zhuǎn)印區(qū)域3上具有在遮光性膜上以抽出圖案形成的作為非器件圖案的產(chǎn)品識別圖案8。此外，在對應上述非轉(zhuǎn)印區(qū)域3的光掩模背面5上，使用例如由MEK(甲基乙基甲酮)和微粒子的氧化鋅(ZnO)組成的防反射涂料，通過噴墨印刷而形成有作為減少光透過部件的減少光透過薄膜9。
下面，一邊參照圖2的制造工序圖一邊說明本實施例的光掩模1的制造方法。
在透明基板6上形成順次形成了鉻膜、氧化鉻膜的遮光性膜10，并準備在其上涂布了抗蝕劑膜11的、帶抗蝕劑膜光掩模空白12(參照圖2(1))。
然后，在抗蝕劑膜11上，描繪轉(zhuǎn)印區(qū)域內(nèi)的器件圖案以及在非轉(zhuǎn)印區(qū)域上描繪產(chǎn)品識別圖案，進行顯像后形成抗蝕劑圖案11’，并沿該抗蝕劑圖案11’蝕刻遮光性膜10(參照圖2(2))。
其次，進行抗蝕劑圖案的剝離、清洗，獲得在透明基板6表面形成了器件圖案7以及產(chǎn)品識別圖案8的、減少光透過部件形成前的光掩模13(參照圖2(3))。
接著，使用可非接觸地進行印刷的噴墨打印機在光掩模背面，對應于非轉(zhuǎn)印區(qū)域3的部分涂布上述防反射涂料并使之干燥(參照圖2(4))。
這樣形成的減少光透過薄膜9對于曝光光(波長230～370nm)的透過率小于等于5％。
通過使用本實施例的光掩模1在被轉(zhuǎn)印面進行圖案轉(zhuǎn)印，就可以防止從光掩模背面照射的曝光光到達形成于光掩模周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的非器件圖案。
(實施例2)實施例2是在對應于光掩模的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的透明基板的背面，通過粘合劑粘貼形成由諸如聚酯組成的防反射薄膜作為光遮斷膜。
下面說明本實施例的光掩模制造方法。
首先，與實施例1同樣地獲得在透明基板表面形成了器件圖案以及產(chǎn)品識別圖案的、光遮斷膜形成前的光掩模。
其次，在該光掩模的背面利用粘合劑粘貼預先切除了對應于轉(zhuǎn)印區(qū)域的部分的上述防反射薄膜(厚度50μm)，在透明基板背面的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上形成光遮斷膜。
這樣形成的光遮斷膜對于曝光光(波長230～370nm)的透過率小于等于2％。
通過使用本實施例的光掩模來進行圖案轉(zhuǎn)印，就可以防止從光掩模背面照射的曝光光到達形成于光掩模周邊部非轉(zhuǎn)印區(qū)域的非器件圖案。
(實施例3)實施例3是在對應于光掩模的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的透明基板的背面，通過蒸鍍形成由諸如氧化鉻構(gòu)成的低反射膜作為光遮斷膜。
下面說明本實施例的光掩模的制造方法。
首先，與實施例1同樣地獲得在透明基板表面形成了器件圖案以及產(chǎn)品識別圖案的、光遮斷膜形成前的光掩模。
其次，在該光掩模的背面全體蒸鍍氧化鉻，并在其上涂布抗蝕劑膜。接著，在抗蝕劑膜上描畫對應于轉(zhuǎn)印區(qū)域的全區(qū)域，進行顯像并形成抗蝕劑圖案，沿該抗蝕劑圖案蝕刻轉(zhuǎn)印區(qū)域的氧化鉻膜。接著，進行抗蝕劑圖案的剝離、清洗，在透明基板背面的非轉(zhuǎn)印區(qū)域形成光透過膜。
這樣形成的光遮斷膜對于曝光光(波長230～370nm)的透過率小于等于12％。
通過使用本實施例的光掩模來進行圖案轉(zhuǎn)印，就可以防止從光掩模背面照射的曝光光到達形成于光掩模周邊部非轉(zhuǎn)印區(qū)域的非器件圖案。
(實施例4)實施例4是在對應于光掩模的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的透明基板的背面，作為減少光透過部件通過照射激光光來實施用于獲得使光散射的作用的加工來進行形成，下面說明本實施例的光掩模制造方法。
首先，與實施例1同樣地獲得在透明基板表面形成了器件圖案以及產(chǎn)品識別圖案的光掩模。
其次，使用二氧化碳激光器粗糙化玻璃面，對該光掩模背面的非轉(zhuǎn)印區(qū)域?qū)嵤┦蛊毓夤馍⑸涞募庸ぁ?br> 在如此形成的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的加工面，對于曝光光(波長230～370nm)的透過率小于等于30％。
通過使用本實施例的光掩模來進行圖案轉(zhuǎn)印，就可以防止從光掩模背面照射的曝光光到達形成于光掩模周邊部非轉(zhuǎn)印區(qū)域的非器件圖案。
(實施例5)圖3所示是涉及實施例5的光掩模的截面圖。本實施例的光掩模14是通過在厚度方向部分地蝕刻光掩模周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域3的遮光性膜全面使之具有透過性，而設定成與基板的反射率實質(zhì)上相同這樣的膜厚的光掩模。
使用圖4的制造工序圖來說明本實施例的光掩模制造方法。
首先，獲得與實施例1的減少光透過部件形成前的光掩模同樣的光掩模13’(參照圖4(1))。
其次，在上述光掩模13’的表面涂布抗蝕劑膜15(參照圖4(2))，實施曝光以形成只覆蓋轉(zhuǎn)印區(qū)域2的抗蝕劑圖案，進行顯像并形成抗蝕劑圖案15’(參照圖4(3))。
接著，在使用蝕刻液在厚度方向部分地對露出的非轉(zhuǎn)印區(qū)域3的遮光性膜實施了蝕刻后(參照圖4(4))，進行抗蝕劑圖案的剝離、清洗，獲得本實施例的光掩模14。
對于從這樣形成的非轉(zhuǎn)印區(qū)域3的遮光性膜的背面入射的曝光光的反射率是15％，為接近于基板的8％附近的值。
此外，在本實施例中，對于從非轉(zhuǎn)印區(qū)域3的遮光性膜的表面照射的曝光光的反射率也同樣地是15％。
通過使用本實施例的光掩模來進行圖案轉(zhuǎn)印，即使從光掩模背面以及表面照射的曝光光在非器件圖案上進行了反射，由于非器件圖案的圖案部和非圖案部的反射率差被減少，所以也可以不使非器件圖案在被轉(zhuǎn)印面上進行析像。
(實施例6)圖5所示是涉及實施例6的光掩模的截面圖。本實施例的光掩模16在形成產(chǎn)品識別圖案8之際，在厚度方向部分地蝕刻產(chǎn)品識別圖案8的圖案部。由此，與在背面如抽出圖案那樣曝光基板的情況相比，實質(zhì)地就沒有圖案部和非圖案部的反射率差而不能作為圖案識別出來，在表面以可以通過目視來識別非器件圖案的程度產(chǎn)生反射率差。
使用圖6的制造工序圖來說明本實施例的光掩模16的制造方法。
在透明基板6上形成順次形成了鉻膜、氧化鉻膜的遮光性膜10，并準備在其上涂布了抗蝕劑膜17的、帶抗蝕劑膜光掩?？瞻?2(參照圖6(1))。
其次，在抗蝕劑膜17上，描繪轉(zhuǎn)印區(qū)域內(nèi)的器件圖案7，進行顯像并形成抗蝕劑圖案17’，沿該抗蝕劑圖案17’蝕刻遮光性膜10(參照圖6(2))。
接著，進行抗蝕劑圖案的剝離、清洗，獲得形成了器件圖案7的產(chǎn)品識別圖形成前的光掩模18(參照圖6(3))。
接著，在上述光掩模18的表面涂布抗蝕劑膜19(參照圖6(4))，實施曝光以形成只產(chǎn)品識別圖案的圖案部進行曝光的抗蝕劑圖案，進行顯像并形成抗蝕劑圖案19’(參照圖6(5))。
接著，使用蝕刻液在厚度方向部分地對露出的非轉(zhuǎn)印區(qū)域3的上述圖案部的遮光性膜實施蝕刻(例如，沿抗蝕劑圖案在厚度方向部分地蝕刻膜厚1000的遮光性膜)(參照圖6(5))。
最后，進行抗蝕劑圖案的剝離、清洗，獲得本實施例的光掩模16。
這樣形成的產(chǎn)品識別圖案8不能從光掩模的背面作為圖案進行識別。
從而，通過使用本實施例的光掩模16來進行圖案轉(zhuǎn)印，即使從光掩模背面照射的曝光光在產(chǎn)品識別圖案8上進行了反射也不存在被作為圖案進行析像的可能性。
(實施例7)圖7(a)所示是涉及實施例7的光掩模的平面圖，圖7(b)為被圖7(a)所示的虛線B包圍的區(qū)域的部分放大圖。
本實施例的光掩模18是在光掩模的周邊部非轉(zhuǎn)印區(qū)域3的產(chǎn)品識別圖案8上形成了利用曝光光的析像界限以下的微細圖案19的光掩模。
本實施例的光掩模18通過在產(chǎn)品識別圖案描繪之際也實施利用曝光光的析像界限以下的微細圖案的描繪，由此就可以形成形成了微細圖案的產(chǎn)品識別圖案。
這樣重疊微細圖案地形成的產(chǎn)品識別圖案即使是對從表面或者背面的任一面所照射的曝光光，也難以被作為圖案進行析像。
從而，通過使用該本實施例的光掩模來進行圖案轉(zhuǎn)印，即使從光掩模背面以及表面照射的曝光光在產(chǎn)品識別圖案上進行了反射，也能夠使其不在被轉(zhuǎn)印面上作為產(chǎn)品識別圖案得以析像。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性由于本發(fā)明可以防止形成于光掩模周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的產(chǎn)品識別圖案等非器件圖案在被轉(zhuǎn)印體上進行析像，故可以適用于能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的圖案轉(zhuǎn)印的光掩模。
此外，由于本發(fā)明可以防止在視頻器件的制造中所使用的形成于光掩模周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域的產(chǎn)品識別圖案等非器件圖案在被轉(zhuǎn)印體上進行析像，其結(jié)果，就可以適用于能夠防止在映像上發(fā)生非器件圖案狀的光斑的視頻器件的制造方法。
權利要求
1.一種在透光性基板表面上形成了遮光性膜圖案的光掩模，其特征在于上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，至少在與形成有上述非器件圖案的位置相對向的透光性基板背面，設置了減少從該透光性基板背面的周邊部入射的曝光光的透過的減少光透過部件。
2.根據(jù)權利要求1所記載的光掩模，其特征在于上述減少光透過部件由具有減少曝光光的透過作用的薄膜或者膠片構(gòu)成。
3.根據(jù)權利要求1所記載的光掩模，其特征在于上述減少光透過部件是通過基板面的粗糙化處理而形成的。
4.一種在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模，其特征在于上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，實施有減少對于從上述透光性基板的背面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差的部件，以使得該非器件圖案不在被轉(zhuǎn)印面上進行析像。
5.根據(jù)權利要求4所記載的光掩模，其特征在于為了減少對于從上述透光性基板背面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差，而調(diào)整對于上述曝光光的上述圖案部或者非圖案部的遮光性膜的反射率。
6.一種在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模，其特征在于上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，該非器件圖案其圖案部以及非圖案部，由對于從光掩模表面入射的曝光光圖案部和非圖案部的反射率不同，但對于從光掩模背面入射的曝光光則不會產(chǎn)生圖案部和非圖案部的實質(zhì)性的反射率差、這樣的遮光性膜的組合而形成。
7.一種在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模，其特征在于上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，實施有減少對于從上述光掩模表面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差的部件，以使得該非器件圖案不在被轉(zhuǎn)印面上進行析像。
8.根據(jù)權利要求7所記載的光掩模，其特征在于為了減少對于從上述光掩模表面入射的曝光光的、上述非器件圖案的圖案部和非圖案部處的反射率差，而調(diào)整對于上述曝光光的上述圖案部或者非圖案部的遮光性膜的反射率。
9.一種在透光性基板表面形成了遮光性膜圖案的光掩模，其特征在于上述光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的非器件圖案，在上述非器件圖案上或者形成有非器件圖案的區(qū)域上形成有不在被轉(zhuǎn)印面上實質(zhì)地進行析像這樣的微細圖案。
10.一種視頻器件的制造方法，其特征在于具有使用權利要求1至9中任意一項所記載的光掩模來進行圖案轉(zhuǎn)印的工序。
全文摘要
一種在透光性基板表面的轉(zhuǎn)印區(qū)域上形成了由遮光性膜圖案構(gòu)成的器件圖案的光掩模，該光掩模在周邊部的非轉(zhuǎn)印區(qū)域上具有由遮光性膜圖案構(gòu)成的產(chǎn)品識別圖案等非器件圖案，至少在與形成了該非器件圖案的位置相對的透光性基板背面，作為減少從該透光性基板背面的周邊部入射的曝光光的透過的光透射減少部件設置有減少光透射薄膜。
文檔編號G03F1/38GK1802605SQ200480015759
公開日2006年7月12日 申請日期2004年10月25日 優(yōu)先權日2003年10月30日
發(fā)明者巖永義德 申請人:Hoya株式會社