專利名稱：蝕刻系統(tǒng)及其純水添加裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種純水添加裝置和使用該純水添加裝置的蝕刻系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin-Film Transistor Liquid-CrystalDisplay，TFT-LCD)前段制程中，對(duì)于氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)膜的蝕刻一般使用草酸作為蝕刻液。蝕刻過(guò)程中為了保證草酸的濃度，需使用一純水添加裝置定時(shí)定量添加純水。另外，一般還需在反應(yīng)腔中通入潔凈干氣體。
請(qǐng)參閱圖1，是一現(xiàn)有技術(shù)的蝕刻系統(tǒng)1，其包括一蝕刻反應(yīng)腔11、一藥品承裝箱12、一藥品輸送管道14和一純水添加裝置(未標(biāo)示)，該純水添加裝置包括一純水輸入管道13和一位于其上的定時(shí)控制器131。該藥品承裝箱12內(nèi)承裝液體化學(xué)藥品(圖未示)，該化學(xué)藥品由泵(圖未示)經(jīng)藥品輸送管道14進(jìn)入反應(yīng)腔11后參與反應(yīng)。隨著化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行，反應(yīng)腔11中要排除酸氣，同時(shí)水會(huì)以蒸氣形式隨之被帶離，從而使化學(xué)藥品濃度升高，該純水輸入管道13即通過(guò)定時(shí)控制器131定時(shí)補(bǔ)充反應(yīng)腔11內(nèi)的水份。該蝕刻系統(tǒng)1的缺陷在于該蝕刻系統(tǒng)1反應(yīng)腔11中的酸氣易流入下一反應(yīng)腔，另外，前一反應(yīng)腔中基板表面殘留的化學(xué)藥品也可帶入下一反應(yīng)腔，所以需要另一潔凈干氣體輸入管道阻絕酸氣和吹掉停留在基板上的化學(xué)藥品。
請(qǐng)參閱圖2，為另一現(xiàn)有技術(shù)的蝕刻系統(tǒng)2，其包括一蝕刻反應(yīng)腔21、一藥品承裝箱22、一藥品輸送管道26和一純水添加裝置(未標(biāo)示)，該純水添加裝置包括一純水輸入管道23和一位于其上的定時(shí)控制器231與一潔凈干氣體輸入管道24和一位于其上的定時(shí)控制器241以及一主管道25。該蝕刻系統(tǒng)2中主管道25的末端部份空氣流動(dòng)較強(qiáng)烈，導(dǎo)致蝕刻化學(xué)藥品的溶解率低，當(dāng)水分子被帶離，此處會(huì)造成蝕刻化學(xué)藥品結(jié)晶，進(jìn)而影響機(jī)構(gòu)動(dòng)作，為解決此問(wèn)題，該蝕刻系統(tǒng)2由純水輸入管道23通過(guò)定時(shí)控制器231定時(shí)輸入水分來(lái)溶解結(jié)晶的化學(xué)藥品。該蝕刻系統(tǒng)2的缺陷在于該純水輸入管道23內(nèi)的純水是室溫，而反應(yīng)腔21內(nèi)反應(yīng)液溫度要高于室溫，室溫純水進(jìn)入反應(yīng)腔后會(huì)產(chǎn)生溫度波動(dòng)，從而影響蝕刻效果。

實(shí)用新型內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)純水添加裝置所提供的純水溫度較低的缺陷，本實(shí)用新型提供一種可添加熱純水的純水添加裝置。
為克服現(xiàn)有技術(shù)蝕刻系統(tǒng)蝕刻效果不佳的缺陷，本實(shí)用新型還提供一種蝕刻效果較佳的蝕刻系統(tǒng)。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是提供一純水添加裝置，其包括一潔凈干氣體輸入管道和一純水輸入管道，該潔凈干氣體輸入管道和該純水輸入管道的開(kāi)合分別由位于其上的計(jì)時(shí)控制器控制，其中，該純水輸入管道一部分經(jīng)過(guò)一加熱器加熱。
本實(shí)用新型的蝕刻系統(tǒng)包括一反應(yīng)腔、一承裝箱和一純水添加裝置，該反應(yīng)腔與該承裝箱相連，該純水添加裝置包括一潔凈干氣體輸入管道和一純水輸入管道，兩者均與反應(yīng)腔相連，該潔凈干氣體輸入管道和該純水輸入管道的開(kāi)合分別由位于其上的計(jì)時(shí)控制器控制；其中，該純水輸入管道一部分經(jīng)過(guò)一加熱器加熱。
相較現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型蝕刻系統(tǒng)的純水添加裝置所添加的純水是熱純水，其溫度與反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)液溫度相近，避免了反應(yīng)腔內(nèi)溫度波動(dòng)，提高蝕刻反應(yīng)質(zhì)量，進(jìn)而得到較佳的蝕刻效果。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)蝕刻系統(tǒng)的平面示意圖。
圖2是另一現(xiàn)有技術(shù)蝕刻系統(tǒng)的平面示意圖。
圖3是本實(shí)用新型蝕刻系統(tǒng)第一實(shí)施方式的平面示意圖。
圖4是本實(shí)用新型蝕刻系統(tǒng)第二實(shí)施方式的平面示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖3，為本實(shí)用新型蝕刻系統(tǒng)第一實(shí)施方式的平面示意圖。本實(shí)用新型蝕刻系統(tǒng)3包括一反應(yīng)腔31、一承裝箱32和一純水添加裝置(未標(biāo)示)，該反應(yīng)腔31與承載箱32通過(guò)一管道38連接，承載箱32內(nèi)的化學(xué)藥品33由一泵(圖未示)通過(guò)管道38送入反應(yīng)腔31。該純水添加裝置包括一潔凈干氣體輸入管道35和一純水輸入管道36，兩者匯合于一主管道37，該潔凈干氣體輸入管道35和純水輸入管道36的開(kāi)合分別由位于其上的計(jì)時(shí)控制器351、361控制，但是兩者不會(huì)同時(shí)開(kāi)啟。該純水輸入管道36一部分經(jīng)過(guò)一加熱器34加熱。該加熱器34位于承裝箱32內(nèi)，也可以設(shè)置在承載箱32外部周圍，其是用來(lái)加熱蝕刻用的液體化學(xué)藥品33，該化學(xué)藥品33一般為草酸。
請(qǐng)參閱圖4，是本實(shí)用新型蝕刻系統(tǒng)第二實(shí)施方式的平面示意圖。本實(shí)用新型蝕刻系統(tǒng)4包括一反應(yīng)腔41、一承裝箱42和一純水添加裝置(未標(biāo)示)，該反應(yīng)腔41與承載箱42通過(guò)一管道48連接，承載箱42內(nèi)的化學(xué)藥品43由一泵(圖未示)通過(guò)管道48送入反應(yīng)腔41。該純水添加裝置包括一潔凈干氣體輸入管道45和一純水輸入管道46，兩者分別連入反應(yīng)腔41，該潔凈干氣體輸入管道45和純水輸入管道46的開(kāi)合分別由位于其上的計(jì)時(shí)控制器451、461控制。該純水輸入管道46一部分經(jīng)過(guò)一加熱器44加熱。該加熱器44位于承裝箱42內(nèi)，也可以設(shè)置在承載箱42外部周圍，其是用來(lái)加熱蝕刻用的液體化學(xué)藥品43，該化學(xué)藥品43一般為草酸。
該蝕刻系統(tǒng)3、4的純水添加裝置所添加的純水為熱純水，在其流入反應(yīng)腔31、41之前經(jīng)加熱器34、44加熱，由于該加熱器34、44也用于加熱化學(xué)藥品32、42，即保證該純水溫度與進(jìn)入反應(yīng)腔31、41內(nèi)的化學(xué)藥品33、43溫度相近，避免了反應(yīng)腔31、41內(nèi)的溫度波動(dòng)，提高蝕刻反應(yīng)質(zhì)量，進(jìn)而得到較佳的蝕刻效果，另外，本實(shí)用新型的純水添加系統(tǒng)3、4也可用來(lái)調(diào)節(jié)反應(yīng)液濃度和溶解結(jié)晶的蝕刻化學(xué)藥品33、43。
權(quán)利要求1.一純水添加裝置，其包括一潔凈干氣體輸入管道和一純水輸入管道，該潔凈干氣體輸入管道和該純水輸入管道上個(gè)包含一計(jì)時(shí)控制器，其特征在于該純水添加裝置進(jìn)一步包括一加熱器。
2.如權(quán)利要求1所述的純水添加裝置，其特征在于該純水添加裝置進(jìn)一步包括一主管道，該主管道分別與該潔凈干氣體輸入管道和該純水輸入管道相連通。
3.一蝕刻系統(tǒng)，其包括一反應(yīng)腔、一承裝箱和一純水添加裝置，該反應(yīng)腔與該承裝箱相連，該純水添加裝置包括一潔凈干氣體輸入管道和一純水輸入管道，該潔凈干氣體輸入管道和該純水輸入管道上個(gè)包含一計(jì)時(shí)控制器，其特征在于該添加裝置進(jìn)一步包括一加熱器。
4.如權(quán)利要求3所述的蝕刻系統(tǒng)，其特征在于該純水添加裝置進(jìn)一步包括一主管道，該主管道分別與該潔凈干氣體輸入管道和該純水輸入管道相連通。
5.如權(quán)利要求3所述的蝕刻系統(tǒng)，其特征在于該潔凈干氣體輸入管道與該純水輸入管道分別與該反映腔相連。
6.如權(quán)利要求3所述的蝕刻系統(tǒng)，其特征在于該加熱器設(shè)置在該承裝箱內(nèi)。
7.如權(quán)利要求3所述的蝕刻系統(tǒng)，其特征在于該加熱器設(shè)置在該承裝箱外部周圍。
8.如權(quán)利要求3所述的蝕刻系統(tǒng)，其特征在于該承裝箱內(nèi)承裝蝕刻用的液態(tài)化學(xué)藥品。
9.如權(quán)利要求7所述的蝕刻系統(tǒng)，其特征在于該液態(tài)化學(xué)藥品是草酸。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一純水添加裝置，其包括一潔凈干氣體輸入管道和一純水輸入管道，該潔凈干氣體輸入管道和該純水輸入管道的開(kāi)合分別由位于其上的計(jì)時(shí)控制器控制，該純水輸入管道一部分經(jīng)過(guò)一加熱器加熱。本實(shí)用新型還公開(kāi)一蝕刻系統(tǒng)，其包括一反應(yīng)腔、一承裝箱和一上述純水添加裝置，該反應(yīng)腔與該承裝箱相連，該純水添加裝置的潔凈干氣體輸入管道和純水輸入管道均與反應(yīng)腔相連。
文檔編號(hào)G02F1/136GK2715199SQ200420043389
公開(kāi)日2005年8月3日 申請(qǐng)日期2004年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月3日
發(fā)明者歐振憲, 黃昌桂, 高勝洲, 黃榮龍, 陳青楓, 黃志鴻 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司