專利名稱：液晶顯示器及用于該液晶顯示器的面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及用于該液晶顯示器的面板。特別是，涉及為了獲得廣視角將像素分割為多個區(qū)域的垂直取向模式薄膜晶體管陣列面板及包括該薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器。
背景技術：
液晶顯示器(LCD)是使用最廣泛的平板顯示器之一。液晶顯示器包括具有諸如像素電極和共同電極這樣的場產(chǎn)生電極的兩個面板及置于其間的液晶(LC)層。液晶顯示器通過向場產(chǎn)生電極施加電壓以在液晶層產(chǎn)生電場而顯示圖像，其確定液晶層中液晶分子的取向以調(diào)節(jié)入射光的偏振。
若在液晶顯示器底板上有效區(qū)域太大以至于不能使用掩模時，則通過重復所謂分步重復工藝的分區(qū)曝光完成全部曝光。將一個分區(qū)曝光單元或區(qū)域成為一個景。由于在曝光期間產(chǎn)生轉(zhuǎn)移、旋轉(zhuǎn)、失真等，因此這些景不能被精確地對準。因此，在信號線和像素電極之間產(chǎn)生的寄生電容取決于這些景而不同，并且會引起這些景之間的亮度差，其在位于這些景之間界面的像素處被識別。因此，由于多個景之間的亮度不連續(xù)而致在液晶顯示器的屏幕上產(chǎn)生針腳缺陷。
同時，垂直取向(VA)模式液晶顯示器，其取向液晶分子，從而在不存在電場的情況下液晶分子的長軸與這些面板垂直，由于其高對比度和寬基準視角而被聚光照明，將寬基準視角定義為使得對比度等于1∶10的視角或者作為用于在多個灰度之間亮度倒轉(zhuǎn)的限制角。
垂直取向模式液晶顯示器的廣視角可以通過場產(chǎn)生電極中折疊部(cutout)和場產(chǎn)生電極上的突出部實現(xiàn)。由于折疊部和突出部可以確定液晶分子的傾斜方向，因此傾斜方向可以由多個切口部和突出部被分成多個方向，從而加寬了基準視角。
垂直取向模式液晶顯示器通常使用用于獲得高對比度的普通黑色模式。然而，其可以降低側面能見度，從而顯示的圖像當其接近側面時看上去會更加明亮且更白。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術中存在的問題。提供了一種使像素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的寄生電容變化最小化的薄膜晶體管陣列面板及具有該薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器。
為了實現(xiàn)本發(fā)明目的，在像素電極或數(shù)據(jù)線的同一層上設置具有與像素電極或數(shù)據(jù)線相鄰的邊界線的輔助整列圖案。
更具體而言，根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管陣列面板，其在絕緣基片上形成第一信號線，形成與第一信號線絕緣交叉的第二信號線。在第一信號線和第二信號線交叉限定的像素分別形成像素電極，并設置與第一信號線、第二信號線、及像素電極連接的薄膜晶體管，形成與第二信號線并排重疊并具有比第二信號線更靠近像素電極的邊界線的輔助整列圖案。
優(yōu)選地，輔助整列圖案在與像素電極相同層形成，可以與第二信號線連接。
根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器包括這種薄膜晶體管陣列面板、形成與像素電極面對的共同電極的面對面板、形成于薄膜晶體管陣列面板和面對面板之間的液晶層。
這種液晶顯示器在薄膜晶體管陣列面板和面對面板中的至少一例形成。優(yōu)選地，還包括在像素將液晶層分為多個區(qū)域的多個區(qū)域限定件。
包含在液晶層的液晶具有負介電各向異性，液晶長軸垂直于第一及第二基片取向，優(yōu)選地，區(qū)域限定件是共同電極或像素電極所具有的折疊部。區(qū)域限定件寬度為9-12微米，優(yōu)選地，區(qū)域限定件與第一信號線實際成±45度。
區(qū)域限定件可能是在共同電極或像素電極上部形成的突出部。
根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管陣列面板，其在絕緣基片上形成第一信號線，形成與第一信號線絕緣交叉的第二信號線。在第一信號線和第二信號線交叉限定的像素分別形成像素電極，并設置與第一信號線、第二信號線、及像素電極連接的薄膜晶體管，形成與像素電極連接并具有比第二信號線更靠近第二信號線的邊界線的輔助整列圖案。
輔助整列圖案由與第二信號線在同一層上形成，優(yōu)選地，輔助整列圖案與連接于像素電極的薄膜晶體管漏極連接。
根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器，其包括薄膜晶體管陣列面板、形成與像素電極面對的共同電極的面對面板、在薄膜晶體管陣列面板和面對面板之間形成的液晶層。
這種液晶顯示器在薄膜晶體管陣列面板和面對面板中的至少一側形成，優(yōu)選地，還包括在像素將液晶層分為多個區(qū)域的多個區(qū)域限定件。
包含在液晶層的液晶具有負介電各向異性，液晶長軸垂直于第一及第二基片取向，優(yōu)選地，區(qū)域限定件是共同電極或像素電極所具有的折疊部。區(qū)域限定件寬度為9-12微米，優(yōu)選地，區(qū)域限定件與第一信號線實際成±45度。
區(qū)域限定件可能是在共同電極或像素電極上部形成的突出部。
通過參照附圖將本發(fā)明的實施例進行詳細的描述，本發(fā)明將變得更加顯而易見，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器面對面板布局圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器布局圖；圖4是圖3的液晶顯示器沿著IV-IV′線的截面圖；圖5是圖3的液晶顯示器沿著V-V′線的截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的液晶顯示器結構布局圖；圖7是包括圖6所示的薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器沿著VII-VII′線的截面圖；
圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板結構布局圖；圖9是圖8的液晶顯示器沿著IX-IX′線的截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板結構布局圖；圖11是包括圖10所示的薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器沿著XI-XI′線的截面圖；圖12包括圖10所示的薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器沿著XXII-XXII′線的截面圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的液晶顯示器結構布局圖；及圖14是圖13的液晶顯示器沿著XIV-XIV′線的截面圖。
具體實施例方式
為了使本領域技術人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，現(xiàn)參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施例。但是本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式，它不局限于在此說明的實施例。
在附圖中，為了清楚，擴大了各層的厚度及區(qū)域。在全篇說明書中對相同元件附上相同的標號，應當理解的是當提到層、膜、區(qū)域、或基片等元件在別的部分“之上”時，指其直接位于別的元件之上，或者也可能有別的元件介于其間。相反，當某個元件被提到“直接”位于別的部分之上時，意味著并無別的元件介于其間。
參照
根據(jù)本發(fā)明實施例的眾多區(qū)域液晶顯示器。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板布局圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器面對面板布局圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器布局圖，圖4是圖3的液晶顯示器沿著IV-IV′線的截面圖，圖5是圖3的液晶顯示器沿著V-V′線的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器包括下側的薄膜晶體管陣列面板100、與其面對的上側面對面板200及形成于其中并包括對于兩個面板100、200垂直取向的液晶分子310的液晶層3組成。
在由玻璃等透明絕緣物質(zhì)組成的薄膜晶體管陣列面板100形成由ITO或IZO等透明導電物質(zhì)組成并具有折疊部191、192、193的像素電極190。各像素電極190與薄膜晶體管連接并接收圖像信號電壓。這時，薄膜晶體管分別與傳輸掃描信號的柵極線121和傳輸圖像信號的數(shù)據(jù)線171連接隨著掃描信號開關像素電極190。而且，在薄膜晶體管陣列面板100下面附著下部偏光板12。在這里，像素電極190為反射型液晶顯示器時，可能不是由透明物質(zhì)組成，此時也不需要下部偏光板12。
同樣，由玻璃等透明絕緣物質(zhì)組成，并在與薄膜晶體管陣列面板100面對的面對面板200形成防止在像素邊緣產(chǎn)生光泄漏的黑陣230、由紅、綠、藍濾色器240及ITO或IZO等透明導電物質(zhì)組成的基準電極270。黑陣230不僅在像素區(qū)域周圍部分形成，而且在與基準電極270折疊部271、272、273重疊的部分形成。這是為了防止由折疊部271、272、273引起的光泄漏。
更詳細說明根據(jù)第一實施例的液晶顯示器。在薄膜晶體管陣列面板100的下部絕緣基片110上形成傳輸柵極信號的多條柵極線121。柵極線121主要以橫向延伸，各柵極線121一部分形成多個柵極124。在柵極線121上柵極以突起形態(tài)形成。柵極線121具有向柵極線傳輸來自外部的柵極信號的接觸部，但是柵極線具有該接觸部時，柵極線121末端與直接形成于基片110上的柵極驅(qū)動電路輸出端連接。
在絕緣基片110上形成與柵極線121同一層的存儲電極布線。各存儲電極布線包括在像素區(qū)域邊緣與柵極線121并排延伸的存儲電極線131和從此延伸的多套存儲電極133a、133b、133c、133d。一套存儲電極133a、133b、133c、133d由縱向延伸并通過橫向延伸的存儲電極線131連接的縱向部133a、133b和與以后形成的像素電極190折疊部191、193重疊并連接縱向部133a、133b的斜線部133c、133d組成。
柵極線121及存儲電極布線131、133a、133b、133c、133d由Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cr、Ti、Ta、Mo等金屬類組成。如圖4及圖5所示，本實施例的柵極線121及存儲電極布線131、133a、133b、133c、133d由單層組成，但也可以由包括物理化學特性優(yōu)秀的Cr、Mo、Ti、Ta等金屬層和電阻率小的Al系列或Ag系列金屬層的雙重層組成。此外，由多種金屬或?qū)щ婓w制成柵極線121和存儲電極布線131、133a、133b、133c、133d。
優(yōu)選地，柵極線121和存儲電極布線131、133a、133b、133c、133d側面呈30-80°傾斜度。
在柵極線121和存儲電極布線131、133a、133b、133c、133d上形成由氮化硅等組成的柵極絕緣層140。
在柵極絕緣層140上形成多條數(shù)據(jù)線171等多個漏極175。各數(shù)據(jù)線主要以縱向延伸，并具有向各漏極175出多個分支并從數(shù)據(jù)線171擴張的源極173。位于數(shù)據(jù)線171一末端的接觸部179向數(shù)據(jù)線171傳輸來自外部的圖像信號。而且，在柵極絕緣層140上形成與柵極線121重疊的橋部金屬片172。
數(shù)據(jù)線171、漏極175也如同柵極線121由鉻和鋁等物質(zhì)組成，而且單一層或雙重層組成。
在數(shù)據(jù)線171、漏極175下面形成沿著數(shù)據(jù)線171主要以縱向延伸的多個線型半導體151。由非晶硅類組成的各線型半導體151向各柵極124、源極173及漏極175擴張并具有通道部154。
在半導體151和數(shù)據(jù)線171及漏極175之間形成分別減少兩個之間接觸電阻的多個線型歐姆接觸部件161和島狀歐姆接觸部件165。歐姆接觸部件161由硅化物或重摻雜n型雜質(zhì)的非晶硅類組成，并具有成分支延伸的接觸部件163。島狀歐姆接觸部件165以柵極124為中心與歐姆接觸部件163面對。
在數(shù)據(jù)線171及漏極175上形成平坦化特性優(yōu)秀并具有感光性的有機物質(zhì)、通過等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F等低介電常數(shù)絕緣物質(zhì)或氮化硅類組成的鈍化層180。
鈍化層180具有分別露出漏極175的至少一部分和數(shù)據(jù)線171末端部分179的多個接觸孔185、182。另外，當柵極線121末端部分也具有與外部驅(qū)動電路連接的接觸部時，多個接觸孔貫通柵極絕緣層140和鈍化層180露出柵極線121末端部分。
在鈍化層180上形成具有折疊部191、192、193的多個像素電極190等多個數(shù)據(jù)接觸部件82，形成與數(shù)據(jù)線171并排重疊的輔助整列圖案198。此時，輔助整列圖案198完全覆蓋數(shù)據(jù)線171，輔助整列圖案198邊界線比數(shù)據(jù)線171邊界線更靠近像素電極190邊界線。輔助整列圖案198如同本實施例優(yōu)選電浮動，但是可以與數(shù)據(jù)線171連接。
像素電極190、數(shù)據(jù)接觸輔助部件82及輔助整列圖案198使用像ITO或IZO等透明導電體或像鋁等光反射特性優(yōu)秀的不透明導電體形成。
在像素電極190形成的折疊部191、192、193包括在將像素電極190上下分成兩半的位置以橫向形成的橫向折疊部192和在成一半的像素電極190上下部分分別以斜線方向形成的斜線折疊部191、193。折疊部192是從像素電極190右側邊向左側邊凹進去的形態(tài)，入口以較寬地對稱擴張。因此，像素電極190對于分別上下二等分由柵極線121和數(shù)據(jù)線171交叉限定的像素區(qū)域的線(與柵極線并排的線)實際成鏡面對稱。
此時，上下斜線折疊部191、193彼此垂直，使散射場方向延四面均勻分散。
而且，在像素電極190相同層形成連接隔著柵極線121彼此相鄰的像素存儲電極133a和存儲電極線131的存儲布線連接橋194。存儲布線連接橋194通過由鈍化層180和柵極絕緣層140形成的接觸孔183、184與存儲電極133a及存儲電極線131接觸。存儲布線連接橋194與橋部金屬片172重疊，也可以電連接它們。存儲布線連接橋194具有全部電連接在下部基片110上的存儲布線的作用。這種存儲布線必要時使用于柵極線121數(shù)據(jù)線171缺陷的維修，為了這種維修照射激光時，橋部金屬片172為了輔助柵極線121和存儲布線連接橋194電連接而形成。
另外，在與薄膜晶體管陣列面板100面對的面對面板200的上部絕緣基片210形成防止像素邊緣光泄漏的黑陣。在黑陣220上形成紅、綠、藍濾色器230。在濾色器230上全面形成平坦化層250，在其上部形成具有折疊部271、272、273的基準電極270。基準電極由ITO或IZO等透明導電體形成。
共同電極270具有一套折疊部271、272、273。其包括與像素電極190折疊部191、192、193中的柵極線121呈45°的部分191、193和交替設置并與其并排的斜線部和與像素電極190邊重疊的短部分。此時短部分為縱向短部分和橫向短部分。
若整列具有所述結構的薄膜晶體管基片和面對面板并結合，并在其之間注入液晶物質(zhì)垂直取向，則形成根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器基本結構。
當整列薄膜晶體管陣列面板100和面對面板200時，像素電極190折疊部191、192、193和基準電極270折疊部271、272、273把像素區(qū)域分割為多個區(qū)域。該區(qū)域沿著位于其內(nèi)部的液晶分子平均長軸方向分為4個種類，每個區(qū)域形成長條形并具有寬度和長度。
此時，像素電極190折疊部191、192、193和共同電極270折疊部271、272、273具有分割取向液晶分子的區(qū)域限定件的作用，優(yōu)選地，其寬度為9-12微米之間。在像素電極190及共同電極270上部或下部由無機物質(zhì)或有機物質(zhì)形成突起替代作為區(qū)域限定件的折疊部271、272、273、191、192、193時，優(yōu)選地，其寬度為5-10微米之間。
在這種根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器中，電浮動輔助整列圖案198，與數(shù)據(jù)線171重疊，傳輸根據(jù)通過數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)膱D像信號的電信號，這種信號隨著圖像信號的變動而變動。此時，輔助整列圖案198設置于與像素電極190相同層，因此制造工序中在輔助整列圖案198和像素電極190之間不產(chǎn)生錯誤整列。而且，在數(shù)據(jù)線171和像素電極190之間形成的寄生電容由在具有比數(shù)據(jù)線171更靠近像素電極190的邊界線的輔助整列圖案198和像素電極190之間形成的寄生電容決定。因此，制造工序中即使在像素電極190和數(shù)據(jù)線171之間產(chǎn)生錯誤整列，也在數(shù)據(jù)線171和像素電極190之間產(chǎn)生的寄生電容維持一定量。通過它可以均勻維持像素電極190的像素電壓，防止降低可視性，除去制造工序中由錯誤整列引起的分割曝光區(qū)域之間亮度差，最小化針腳不良。
此時，輔助整列圖案198作為數(shù)據(jù)線171短線時維修斷線的修理線使用，并可以置于各像素、也以各像素為單位設置一個。
另外，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板可以具有與圖1至圖5所示的結構不同的結構，對此下面參照附圖詳細說明。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的液晶顯示器結構布局圖，圖7是包括圖6所示的薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器沿著VII-VII′線的截面圖。
如圖6及圖7所示，根據(jù)本實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板上結構大致圖1至圖5示出的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板上結構相同。即，在基片110上形成包括多條柵極線124的多條柵極線121，在其上依次形成分別包括柵極絕緣層140、多個突出部163的多個線型歐姆接觸部件151、分別包括多個突出部163的多個線型歐姆接觸部件161及多個島狀歐姆接觸部件165。在歐姆接觸部件161及柵極絕緣層140上形成包括多個源極173的多條數(shù)據(jù)線171及漏極175，在其上形成鈍化層180。形成鈍化層180及/或多個接觸孔181、185，在鈍化層180上形成多個像素電極190、多個接觸輔助部件82及輔助整列圖案198。
然而，與圖1至圖5示出的薄膜晶體管陣列面板不同，根據(jù)本實施例的薄膜晶體管陣列面板，半導體151除了薄膜晶體管所在的突出部154之外具有與數(shù)據(jù)線171、漏極175a、175b及其下部的歐姆接觸部件161、165實際相同平面形態(tài)。
而且，以縱向延伸的存儲電極133b的一部分133b′延伸到像素電極190折疊部192。
這種液晶顯示器中，薄膜晶體管陣列面板制造方法利用一個感光層圖案的光學蝕刻工序形成數(shù)據(jù)線171及漏極175和半導體層151。這種感光層圖案的對應于薄膜晶體管通道部的部分具有比對應于另外數(shù)據(jù)線及漏極的部分低的厚度。此時，感光層圖案是制作半導體151布線圖案的蝕刻掩模，其厚的部分作為制作數(shù)據(jù)線及漏極布線圖案的蝕刻掩模使用。這種制造方法用一個感光層圖案形成彼此不同的兩個薄膜，所以可以將制造費用降到最低。
而且，具有柵極124的柵極線121的一側末端部分129具有與外部電路連接的接觸部，在鈍化層180上部形成通過鈍化層180及柵極絕緣層140接觸孔181與柵極線121末端部分128連接的柵極接觸部輔助部件81。
另外，在薄膜晶體管陣列面板上設置濾色器，對此下面參照附圖詳細說明。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板結構布局圖，圖9是圖8的液晶顯示器沿著IX-IX′線的截面圖。
如圖8及圖9所示，根據(jù)本發(fā)明第三實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板上結構大致與圖1至圖5示出的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板上結構相同。
然而，在鈍化層180下部的像素依次形成紅、綠、藍濾色器230R、230G、23B。紅、綠、藍濾色器230R、230G、23B分別在數(shù)據(jù)線171上部具有邊界，并沿著像素列以縱向較長形成，而且彼此相鄰的濾色器在數(shù)據(jù)線171上部分重疊，以在數(shù)據(jù)線171上形成丘壟。此時，彼此重疊的紅、綠、藍濾色器230R、230G、23B具有遮擋從彼此相鄰的像素區(qū)域之間泄漏的光的作用。因此，在根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器用面對面板只形成共同電極270上，省略其黑陣的形成。
另外，所示實施例中在與像素電極190相同層設置輔助整列圖案，但也可以在與數(shù)據(jù)線171相同層設置輔助整列圖案，對此下面參照附圖詳細說明。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板結構布局圖，圖11是包括圖10所示的薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器沿著XI-XI′線的截面圖，圖12包括圖10所示的薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器沿著XXII-XXII′線的截面圖。
如圖10至圖12所示，根據(jù)本實施例的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板上結構大致與圖1至圖5示出的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板上結構相同。即，在基片110上形成包括多個柵極124的多條柵極線121，在其上形成依次包括柵極絕緣層140、多個突出部154的多個線型半導體151、分別包括多個突出部163的多個線型歐姆接觸部件161及多個島狀歐姆接觸部件165。在歐姆接觸部件161及柵極絕緣層140上形成包括多個源極173的多條數(shù)據(jù)線171及漏極175，在其上形成鈍化層180。形成鈍化層180及/或多個接觸孔182、185，在鈍化層180上形成多個像素電極190、多個接觸輔助部件82及輔助整列圖案198。
然而，與圖1至圖5所示的薄膜晶體管陣列面板不同，根據(jù)本實施例的薄膜晶體管陣列面板，存儲電極布線包括以橫向延伸的存儲電極線131和為了充分形成存儲電容比別的部分寬度寬的存儲電極133。而且，漏極175連接于與存儲電極133重疊形成存儲電容的存儲電容器用導電體177和與數(shù)據(jù)線171平行并具有比像素電極190邊界更靠近數(shù)據(jù)線171的邊界線的輔助整列圖案178。
根據(jù)本發(fā)明第四實施例的薄膜晶體管陣列面板，與像素電極190連接的輔助整列圖案178置于與數(shù)據(jù)線171相同層。因此，制造工序中即使產(chǎn)生錯誤整列，也在數(shù)據(jù)線170和像素電極190之間產(chǎn)生的寄生電容在數(shù)據(jù)線170和輔助整列圖案178之間形成，并維持一定電容。因此，可以得到與第一實施例相同的效果。
如上所述，第一實施例中輔助整列圖案198可以與數(shù)據(jù)線171連接，對此下面參照附圖詳細說明。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的液晶顯示器結構布局圖，圖14是圖13的液晶顯示器沿著XIV-XIV′線的截面圖。
如圖13及圖14所示，大部分結構與圖1至圖5所示結構相同。
然而，鈍化層180具有露出數(shù)據(jù)線171的接觸孔188，輔助整列圖案198通過接觸孔188與數(shù)據(jù)線171連接。
在這種結構中也得到與第一實施例相同的效果。
然而，產(chǎn)生輔助整列圖案198與上部顯示板200共同電極270短路的不良，向數(shù)據(jù)線171傳輸向共同電極270傳輸?shù)墓餐姌O電壓的弊端。為了解決這種弊端在對應于輔助整列圖案198的共同電極270上部設置短路防止圖案280。
根據(jù)這種本發(fā)明第五實施例的薄膜晶體管陣列面板，在輔助整列圖案198同樣傳輸通過數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)膱D像信號。
此時，當為了均勻維持薄膜晶體管陣列面板100和面對面板200間距形成基片間隔件時，通過利用具有位置依賴性光透射比的掩模的光學蝕刻工序進行制作布線圖案形成短路防止圖案280。
如上所述，本發(fā)明實施例中，設置與數(shù)據(jù)線或像素電極相同層形成，以維持數(shù)據(jù)線和像素電極之間一定間距的整列輔助圖案，從而即使產(chǎn)生錯誤整列，也在數(shù)據(jù)線和像素電極之間產(chǎn)生的寄生電容維持一定電容。因此，可以正常維持像素電壓，防止可視度的降低，最小化在分割曝光區(qū)域之間產(chǎn)生的亮度差。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括絕緣基片；第一信號線，形成于所述絕緣基片上；第二信號線，形成于所述絕緣基片上且與所述第一信號線絕緣交叉；像素電極，在各所述第一信號線和所述第二信號線絕緣交叉的限定的像素形成；薄膜晶體管，與所述第一信號線、所述第二信號線、和所述像素電極連接；以及輔助整列圖案，與所述第二信號線并排重疊，具有比所述第二信號線更靠近所述像素電極的邊界線。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，將所述輔助整列圖案與所述像素電極設置在同一層上。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述輔助整列圖案與所述第二信號線連接。
4.一種液晶顯示器，包括權利要求1-3中任一權利要求所述的薄膜晶體管陣列面板；面對面板，形成與所述像素電極面對的共同電極；以及液晶層，設置在所述薄膜晶體管陣列面板和所述面對面板之間。
5.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器，還包括在所述薄膜晶體管陣列面板和所述面對面板中的至少一側形成，并在所述像素將所述液晶層的液晶分子分割為多個區(qū)域的多個區(qū)域限定件。
6.根據(jù)權利要求5所述的液晶顯示器，其特征在于，包含在所述液晶層的液晶具有負介電各向異性，所述液晶其長軸對于第一及第二基片垂直取向。
7.根據(jù)權利要求5所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域限定件是所述共同電極或所述像素電極具有的折疊部。
8.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域限定件寬度為9-12微米。
9.根據(jù)權利要求5所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域限定件對于所述第一信號線實際呈±45度。
10.根據(jù)權利要求5所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域限定件是在所述共同電極或所述像素電極上部形成的突出部。
11.一種薄膜晶體管陣列面板，包括絕緣基片；第一信號線，形成于所述絕緣基片上；第二信號線，形成于所述絕緣基片上且與所述第一信號線絕緣交叉；像素電極，在各所述第一信號線和所述第二信號線絕緣交叉的限定的像素形成；薄膜晶體管，與所述第一信號線、所述第二信號線、及所述像素電極連接；以及輔助整列圖案，與所述像素電極連接，具有比所述像素電極更靠近所述第二信號線的邊界線。
12.根據(jù)權利要求11所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，將所述輔助整列圖案和所述第二信號線設置在同一層上。
13.根據(jù)權利要求11所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述輔助整列圖案與連接于所述像素電極的所述薄膜晶體管漏極連接。
14.一種液晶顯示器，包括根據(jù)權利要求11-13中任一權利要求所述的薄膜晶體管陣列面板；面對面板，形成與所述像素電極面對的共同電極；液晶層，設置在所述薄膜晶體管陣列面板和所述面對面板之間。
15.根據(jù)權利要求14所述的液晶顯示器，還包括在所述薄膜晶體管陣列面板和所述面對面板中的至少一側形成，并在所述像素把所述液晶層的液晶分子分割為多個區(qū)域的多個區(qū)域限定件。
16.根據(jù)權利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，包含在所述液晶層的液晶具有負介電各向異性，所述液晶其長軸對于第一及第二基片垂直取向。
17.根據(jù)權利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域限定件是所述共同電極或所述像素電極具有的折疊部。
18.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域限定件寬度為9-12微米。
19.根據(jù)權利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域限定件對于所述第一信號線實際呈±45度。
20.根據(jù)權利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域限定件是在所述共同電極或所述像素電極上部形成的突出部。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，其包括具有柵極的柵極線、覆蓋柵極線的柵極絕緣層、形成于柵極絕緣層上的半導體層、形成于半導體層上并具有源極的數(shù)據(jù)線、在柵極上部分別與源極面對的漏極、形成于數(shù)據(jù)線上的鈍化層、形成于鈍化層上部并與漏極電連接且具有第一折疊部的像素電極、在像素電極相同層與數(shù)據(jù)線重疊并具有比數(shù)據(jù)線更靠近像素電極的邊界線的輔助整列圖案的薄膜晶體管陣列面板；形成具有在像素電極第一折疊部一定間距處設置的第二折疊部的共同電極的共同電極面板。
文檔編號G02F1/1333GK1629705SQ20041010168
公開日2005年6月22日 申請日期2004年12月20日 優(yōu)先權日2003年12月19日
發(fā)明者金東奎 申請人:三星電子株式會社