專利名稱：有源基板、顯示裝置及顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置如液晶顯示裝置等及其制造方法，其包括二維排列的多個(gè)顯示像素電極。本發(fā)明還涉及一種用于顯示裝置的有源基板。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，上述顯示裝置包括例如液晶顯示裝置、EL顯示裝置、等離子體顯示裝置等。例如，可選擇性地驅(qū)動(dòng)排列成矩陣的多個(gè)像素部分，以便在顯示屏上高密度地顯示所需的顯示圖案(圖像)。
有源驅(qū)動(dòng)技術(shù)是一種已知的選擇像素部分的技術(shù)，其中單獨(dú)分離的像素電極被排列成列和行的矩陣；開關(guān)元件與每個(gè)像素電極相連；并且選擇性地驅(qū)動(dòng)像素電極。通常使用的用于選擇性地選擇多個(gè)像素電極的開關(guān)元件的實(shí)例包括TFT(薄膜晶體管)元件、MIM(金屬-絕緣體-金屬)元件、MOS晶體管元件、二極管等。通過使用這種開關(guān)元件選擇性地驅(qū)動(dòng)像素電極，光學(xué)驅(qū)動(dòng)插入像素電極和與之相對(duì)的對(duì)置電極(counter electrode)之間的各種顯示介質(zhì)，如液晶、EL發(fā)光層、等離子體發(fā)光材料等，從而可以看到顯示圖案。這種有源驅(qū)動(dòng)技術(shù)能高對(duì)比度地顯示，并且已經(jīng)實(shí)際應(yīng)用于液晶電視、計(jì)算機(jī)終端顯示裝置等。
圖19A所示的頂視圖表示在傳統(tǒng)的有源型液晶顯示裝置中、在一對(duì)基板中作為有源矩陣基板的一個(gè)基板上基本部件的結(jié)構(gòu)。在所述基板之間插入液晶層。圖19B為沿圖19A中線X-X′作出的剖面圖。圖19C為沿圖19A申線Y-Y′作出的剖面圖。
在圖19A至19C的傳統(tǒng)有源型液晶顯示裝置中，該對(duì)基板為有源矩陣基板100和對(duì)置基板(counter substrate)，其彼此相對(duì)并且中間插入有液晶層(顯示介質(zhì))。在有源矩陣基板100中，在玻璃基板10上以預(yù)定的間隔平行設(shè)置多條在圖19A中水平延伸的柵總線1(掃描線)，同時(shí)以預(yù)定的間隔設(shè)置多條在圖19A中垂直延伸并與柵總線1相交(例如成直角)的源總線2(信號(hào)線)。因而，柵總線1和源總線2設(shè)置成柵格(矩陣)。由透明電極制成的像素電極3(圖19A中虛線所圍繞的部分)設(shè)置在由相鄰柵總線1與相連源總線2圍成的每個(gè)區(qū)域中(或者處于柵總線1與源總線2的交點(diǎn)處)。
如圖19A中所示，作為開關(guān)元件的雙柵TFT 4設(shè)置于從柵總線1伸出的部分中。TFT 4包括硅(Si)制成的半導(dǎo)體層，其通過底涂膜11設(shè)置在玻璃基板10上，如沿圖19A中線X-X′作出的圖19B的剖面圖中所示。在該半導(dǎo)體層中，設(shè)有溝道區(qū)12a、源/漏極區(qū)(例如n+Si層)12c和LDD區(qū)(例如n-Si層)12b。通過將高濃度雜質(zhì)加入溝道區(qū)12a的相對(duì)兩側(cè)形成源/漏極區(qū)12c。通過在溝道區(qū)12a與源/漏極區(qū)12c之間加入低濃度雜質(zhì)，形成LDD區(qū)12b。在溝道區(qū)12a上經(jīng)由柵極絕緣膜13設(shè)置從柵總線1伸出(分支)的柵電極1a。在整個(gè)上述結(jié)構(gòu)上，通過層間膜14和樹脂層15設(shè)置像素電極3。由聚酰亞胺(PI)制成的取向膜(alignment layer)(未示出)設(shè)置在像素電極3上。液晶層設(shè)置于取向膜(PI)上并與取向膜(PI)接觸。
如圖19A中所示，為每個(gè)柵總線1設(shè)置平行于柵總線1的由金屬層(柵金屬)制成的附加電容總線(附加電容線)5，其中該附加電容線在構(gòu)圖柵總線1的相同步驟中構(gòu)圖。在沿圖19A的線Y-Y′作出的圖19C的剖面圖中示出了附加電容部分的多層結(jié)構(gòu)。在該多層結(jié)構(gòu)中，在附加電容總線5的寬部(broad-width portion)5A下面、經(jīng)由柵極絕緣膜13設(shè)置從TFT 4的漏極區(qū)12c延伸出的半導(dǎo)體層(延伸部分12)。半導(dǎo)體層的延伸部分12通過金屬層(源金屬)6與像素電極3連接，而金屬層6在與構(gòu)圖源總線2相同的步驟中被構(gòu)圖，連接處位于貫通柵極絕緣膜13、層間膜14和樹脂層15的接觸孔部分6A處。結(jié)果，延伸部分12(一個(gè)附加電容電極)與寬部5A(另一附加電容電極)彼此面對(duì)，其間插入有柵極絕緣膜13。在延伸部分12與寬部5A之間形成附加電容。
在如此構(gòu)成的常規(guī)有源型液晶顯示裝置中，例如，當(dāng)TFT 4(開關(guān)元件)是一缺陷元件時(shí)，本應(yīng)輸入的信號(hào)電壓沒有施加到與該缺陷元件相連的像素電極3。結(jié)果，使用者看到該缺陷元件為顯示屏上的一點(diǎn)狀像素缺陷(下面稱之為點(diǎn)缺陷)。這種點(diǎn)缺陷明顯損害液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量，產(chǎn)生了生產(chǎn)產(chǎn)量的問題。
粗略地講，對(duì)于像素缺陷存在兩個(gè)主要原因。
一個(gè)原因是有缺陷的TFT 4阻止來自源總線2的圖像信號(hào)在掃描信號(hào)(來自柵總線1的信號(hào))選擇TFT 4的時(shí)間內(nèi)對(duì)像素電極3充分充電。下面將這種缺陷稱為ON缺陷。另一原因在于，當(dāng)沒有選擇有缺陷的TFT 4時(shí)，像素電極3上的電荷由于該缺陷TFT 4而泄漏。下面將這種缺陷稱作OFF缺陷。
ON缺陷由TFT 4(開關(guān)元件)的缺陷引起，而OFF缺陷可能具有兩個(gè)原因通過TFT 4(開關(guān)元件)的電泄漏；像素電極3與總線1和2之間的電泄漏。在ON缺陷或OFF缺陷的任何一種情況下，像素電極3與對(duì)置電極(未示出)之間施加的電壓都不再達(dá)到所需的顯示電壓值。從而，在常白模式(當(dāng)施加給液晶層的電壓為零時(shí)光透射率最大的顯示模式)中像素缺陷部分看起來為一個(gè)亮點(diǎn)，而常黑模式(當(dāng)施加給液晶層的電壓為零時(shí)光透射率最小的顯示模式)中像素缺陷部分看起來為一個(gè)黑點(diǎn)。
這種點(diǎn)缺陷可以按如下方法被檢查員可視地檢測(cè)出來。當(dāng)具有對(duì)置電極的對(duì)置基板附著于具有TFT 4(開關(guān)元件)的有源矩陣基板100上并且用液晶填充其間的間隙時(shí)，將預(yù)定的電信號(hào)(檢測(cè)信號(hào))施加給總線1和2，從而使檢查員可以看到點(diǎn)缺陷。不論是否選擇柵總線1，都可通過例如將源總線2與像素電極3短路來修復(fù)這種點(diǎn)缺陷。在這種情況下，使用源總線2提供的信號(hào)電壓對(duì)像素電極3充電和放電。
不過，在圖19A至19C的常規(guī)示例中，由于源總線2與像素電極3的這種配置難以執(zhí)行上述修復(fù)。因此，必須丟棄具有多個(gè)點(diǎn)缺陷的產(chǎn)品，導(dǎo)致產(chǎn)品產(chǎn)量低、制造成本高。
在日本專利申請(qǐng)公開No.4-265943中提出了一種可修復(fù)這種點(diǎn)缺陷的液晶顯示裝置。將參照?qǐng)D20A和20B描述日本專利申請(qǐng)公開No.4-265943的液晶顯示裝置。
圖20A所示的頂視圖表示在傳統(tǒng)的有源型液晶顯示裝置中、有源矩陣基板中基本部件的示意結(jié)構(gòu)，其中該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)。圖20B為表示圖20A中圓圈所包圍部分的放大視圖。需注意的是用相同的附圖標(biāo)記表示圖20A中與圖19A具有基本相同的功能和效果的部件，并且不再詳細(xì)說明。
如圖20A中所示，該有源型液晶顯示裝置包括從柵總線1朝向像素電極3的內(nèi)部突出的柵總線突出部分21；和從源總線2朝向像素電極3的內(nèi)部突出的源總線突出部分22。突出部分21與22通過絕緣膜彼此重疊。在柵總線突出部分21的端部經(jīng)由絕緣膜設(shè)置導(dǎo)體片23。盡管導(dǎo)體片23與像素電極3電連接，不過由于絕緣膜的存在，柵總線突出部分21沒有與像素電極3電連接。此外，由于絕緣膜的存在，源總線突出部分22沒有與柵總線突出部分21電連接。
對(duì)于其中檢測(cè)出點(diǎn)缺陷的像素部分，用激光器輻射柵總線突出部分21的根部以將柵總線突出部分21與柵總線1電隔離(切斷)，從而實(shí)現(xiàn)絕緣，如圖20B中虛線所圍繞的部分A中所示。然后，在虛線所圍繞的部分B中，通過激光輻射破壞源總線突出部分22與柵總線突出部分21之間的絕緣膜，從而將源總線突出部分22與柵總線突出部分21短路。另外，在虛線圍繞的部分C中，通過激光輻射破壞柵總線突出部分21與連接到像素電極3的導(dǎo)體片23之間的絕緣膜，從而將柵總線突出部分21與導(dǎo)體片23短路。通過執(zhí)行三次激光輻射，在源總線2與像素電極3之間形成電導(dǎo)通，從而使該缺陷像素具有所有像素的平均發(fā)光度，即該點(diǎn)缺陷得到修復(fù)。
日本專利申請(qǐng)公開No.4-278927公開了一種液晶顯示裝置，其中可修復(fù)由附加電容電極5B(圖21)中出現(xiàn)的針孔等缺陷產(chǎn)生的缺陷像素。下面將參照?qǐng)D21描述日本專利申請(qǐng)公開No.4-278927的有源型液晶顯示裝置。
圖21所示的頂視圖表示在另一常規(guī)有源型液晶顯示裝置中的有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，其中該有源矩陣基板是彼此相對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)。需注意的是用相同的附圖標(biāo)記表示圖21中與圖19A具有基本相同的功能和效果的部件，并且不再詳細(xì)說明。
在圖21的有源型液晶顯示裝置中，附加電容總線5靠近像素電極3設(shè)置并且平行于柵總線1。附加電容總線5的與TFT 4形成部分相對(duì)的部分通過絕緣膜與第一導(dǎo)體25的端部重疊。第一導(dǎo)體25的另一端部通過柵極絕緣膜與第二導(dǎo)體26的端部重疊，第二導(dǎo)體26的端部設(shè)置在第一導(dǎo)體25的另一端部下面。源總線2的突出部分27的端部通過柵極絕緣膜與第二導(dǎo)體26的另一端部重疊，源總線2的突出部分27的端部設(shè)置于第二導(dǎo)體26的另一端部上。面對(duì)附加電容總線5的附加電容電極5B(陰影部分)與第一導(dǎo)體25上方的像素電極3相連。
通過用激光通過玻璃基板輻射第一導(dǎo)體25的基部，第一導(dǎo)體25與第二導(dǎo)體26的重疊部分，以及第二導(dǎo)體26與源總線2的突出部分27的重疊部分，將源總線2與像素電極3短路，并且從像素電極3切斷附加電容電極5B，由此修復(fù)有缺陷的像素部分。
不過，上述日本專利申請(qǐng)公開No.4-265943的有源型液晶顯示裝置需要執(zhí)行三次激光輻射(1)用于將柵總線突出部分21與柵總線1電隔離的激光輻射(虛線所示的部分A)，以便將源總線2與像素電極3短路從而修復(fù)由缺陷TFT引起的缺陷像素部分；(2)用于將柵總線突出部分21與源總線突出部分22短路的激光輻射(虛線所示的部分B)，和(3)用于將柵總線突出部分21與像素電極3短路的激光輻射(虛線所示的部分C)。因此，難于修復(fù)由缺陷TFT引起的缺陷像素部分。此外，不能從像素電極3切斷有缺陷的TFT，因而，不能依據(jù)像素缺陷的類型執(zhí)行修復(fù)。
在上述的日本專利申請(qǐng)公開No.4-278927的有源型液晶顯示裝置中，通過執(zhí)行兩次激光輻射將源總線2與像素電極3短路并且執(zhí)行一次激光輻射從附加電容電極5B切斷像素電極，來修復(fù)附加電容電極5B的缺陷導(dǎo)致的缺陷像素部分。因此，盡管從附加電容電極5B切斷像素電極3，也難于修復(fù)由缺陷附加電容部分造成的缺陷像素部分。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種有源基板，其包括包括第一驅(qū)動(dòng)區(qū)和第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的開關(guān)元件，一信號(hào)線連接到第一驅(qū)動(dòng)區(qū)；與第二驅(qū)動(dòng)區(qū)連接的像素電極；包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料其中至少一種并與像素電極連接的第一層；包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料其中至少一種并與信號(hào)線連接的第二層；以及設(shè)置在第一層與第二層之間的絕緣膜。第一層的至少一部分與第二層的至少一部分彼此重疊，從而通過向絕緣膜施加第一能量將第一層與第二層短路。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該有源基板還包括與信號(hào)線相交的掃描線。開關(guān)元件還可以包括與掃描線連接的控制區(qū)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該有源基板還包括用于連接第二驅(qū)動(dòng)區(qū)與像素電極的第一接觸孔部分。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括用于連接第二驅(qū)動(dòng)區(qū)與第一層的第一接觸孔部分；和用于連接第一層與像素電極的第二接觸孔部分。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括附加電容線。第二驅(qū)動(dòng)區(qū)可包括從開關(guān)元件延伸出的延伸部分。延伸部分的至少一部分與附加電容線的一部分彼此相對(duì)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括用于連接第二層與信號(hào)線的第二接觸孔部分。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括用于連接第二層與信號(hào)線的第三接觸孔部分。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第二驅(qū)動(dòng)區(qū)可包括從開關(guān)元件延伸出的延伸部分。第一層可以伸出延伸部分之外。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層可以為導(dǎo)電材料層。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，絕緣膜可以為柵極絕緣膜。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，絕緣膜可以為層間膜。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括與信號(hào)線相交的掃描線。用于第二層的材料可與用于掃描線的材料相同。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層的一部分和第二層的一部分可以伸出第一層與第二層的重疊部分之外。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)元件可以為薄膜晶體管元件、MIM元件、MOS晶體管元件和二極管其中之一。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，薄膜晶體管元件可以為多晶硅薄膜晶體管。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，薄膜晶體管元件可具有頂柵結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，薄膜晶體管元件可具有底柵結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層和第二層其中至少一個(gè)可包括半導(dǎo)體硅。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層和第二層其中至少一個(gè)可由包括Ta，W，Ti，Mo，Al和Cu其中至少一種元素的金屬材料、合金材料和復(fù)合材料制成。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第二驅(qū)動(dòng)區(qū)與第一層可以彼此集成在一起。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括與像素電極連接的附加電容部分；以及第一斷開位置和第二斷開位置其中的至少一個(gè)。通過向第一斷開位置施加第二能量，可將第二驅(qū)動(dòng)區(qū)和像素電極彼此電隔離。通過向第二斷開位置施加第三能量可將附加電容部分與像素電極彼此電隔離。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括與信號(hào)線相交的掃描線。用于第一層的材料可與用于信號(hào)線的材料相同。用于第二層的材料可與用于掃描線的材料相同。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括與信號(hào)線相交的掃描線。開關(guān)元件的至少一部分可以與信號(hào)線重疊。掃描線與信號(hào)線的相交區(qū)域還可作為開關(guān)元件的柵極區(qū)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)元件可以為L(zhǎng)形。開關(guān)元件的第一部分可與信號(hào)線重疊。開關(guān)元件的第二部分可與像素電極重疊。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括用于連接第一層與像素電極的第一接觸孔部分以及用于連接第二層與信號(hào)線的第二接觸孔部分中的至少一個(gè)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，像素電極可包括具有狹縫的透明導(dǎo)電膜。第一層和第二層中至少一個(gè)的一部分可與狹縫重疊。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層的一部分可與狹縫重疊。第一層該部分的中心線與狹縫中心線之間的距離在0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第二層的一部分可與狹縫重疊。第二層該部分的中心線與狹縫的中心線之間的距離處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層和第二層中至少一個(gè)的一部分的中心線可以與狹縫的中心線重合。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，像素電極可包括多個(gè)電極。第一層和第二層中至少一個(gè)的一部分可以與多個(gè)電極中的至少一個(gè)重疊。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層的一部分可以與多個(gè)電極中的預(yù)定電極重疊。第一層該部分的中心線與該預(yù)定電極的中心線之間的距離處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第二層的一部分可以與多個(gè)電極中的預(yù)定電極重疊。第二層該部分的中心線與該預(yù)定電極的中心線之間的距離處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層和第二層中至少一個(gè)的一部分的中心線與多個(gè)電極中該預(yù)定電極的中心線重合。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示裝置，包括有源基板；面對(duì)有源基板設(shè)置的對(duì)置基板；以及設(shè)在有源基板與對(duì)置基板之間的顯示介質(zhì)。該有源基板包括包括第一驅(qū)動(dòng)區(qū)與第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的開關(guān)元件，一信號(hào)線連接到第一驅(qū)動(dòng)區(qū)；與第二驅(qū)動(dòng)區(qū)連接的像素電極；包括半導(dǎo)體材料與導(dǎo)電材料中的至少一種并與像素電極連接的第一層；包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中的至少一種并與信號(hào)線相連的第二層；以及設(shè)置在第一層與第二層之間的絕緣膜。第一層的至少一部分與第二層的至少一部分彼此重疊，從而通過向絕緣膜施加第一能量將第一層與第二層短路。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)斷定通過像素電極從顯示裝置輸出的光不正常時(shí)，可將第一層與第二層之間短路。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，顯示介質(zhì)可以為液晶、EL發(fā)光層和等離子體發(fā)光材料其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種制造顯示裝置的方法。該顯示裝置包括有源基板；面對(duì)有源基板設(shè)置的對(duì)置基板；以及設(shè)置在有源基板與對(duì)置基板之間的顯示介質(zhì)。有源基板包括包括第一驅(qū)動(dòng)區(qū)和第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的開關(guān)元件，一信號(hào)線連接到第一驅(qū)動(dòng)區(qū)；與第二驅(qū)動(dòng)區(qū)連接的像素電極；包括半導(dǎo)體材料與導(dǎo)電材料中的至少一種并與像素電極連接的第一層；包括半導(dǎo)體材料與導(dǎo)電材料中的至少一種并與信號(hào)線連接的第二層；以及設(shè)置在第一層與第二層之間的絕緣膜。第一層的至少一部分與第二層的至少一部分彼此重疊，從而通過向絕緣膜施加第一能量使第一層與第二層短路。該方法包括以下步驟判斷通過像素電極從顯示裝置輸出的光是否正常；以及當(dāng)斷定輸出的光不正常時(shí)通過向絕緣膜施加第一能量使第一層與第二層短路。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層的一部分和第二層的一部分可以伸出第一層與第二層的重疊部分之外。在短路步驟中，施加給第一層和第二層伸出重疊部分以外的部分的能量，可以大于施加給該重疊部分的能量。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一能量可以為至少一部分激光能量。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，有源基板還包括與像素電極連接的附加電容部分；以及第一斷開位置和第二斷開位置中的至少一個(gè)。通過向第一斷開位置施加第二能量可使第二驅(qū)動(dòng)區(qū)和像素電極彼此電隔離。通過向第二斷開位置施加第三能量可使附加電容部分與像素電極彼此電隔離。該方法還包括，當(dāng)斷定輸出的光不正常時(shí)，向第一斷開位置施加第二能量的步驟和向第二斷開位置施加第三能量的步驟中的至少一個(gè)步驟。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)元件可采用與掃描線驅(qū)動(dòng)部分和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分中包含的開關(guān)元件相同的材料、并在相同步驟中形成。
根據(jù)本發(fā)明，在作為彼此相對(duì)且其間夾有顯示介質(zhì)的一對(duì)基板其中之一的有源基板上，構(gòu)成開關(guān)元件驅(qū)動(dòng)區(qū)(漏電極)的半導(dǎo)體層的第一層(例如第一突出部分)或者與半導(dǎo)體層連接的導(dǎo)電材料層，通過絕緣層與連接到信號(hào)線(源總線)的導(dǎo)電材料層或者半導(dǎo)體層制成的第二層(第二突出部分)至少部分地重疊?？蛇x擇地，由通過接觸孔部分與像素電極連接并且不與開關(guān)元件連接的導(dǎo)電材料層或半導(dǎo)體層制成的第一層，通過絕緣膜與連接到信號(hào)線(源總線)的導(dǎo)電材料層或半導(dǎo)體層制成的第二層至少部分地重疊。此外，設(shè)置用于開關(guān)元件的附加電容斷開位置或漏電極斷開位置，作為修復(fù)所述類型像素缺陷的斷開位置。
有源基板與對(duì)置基板附著在一起。顯示介質(zhì)如液晶層等，夾在兩基板之間。之后，適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)信號(hào)通過柵總線和源總線施加給像素電極和對(duì)置電極，從而在顯示屏上顯示出預(yù)定的顯示圖案。通過觀察顯示屏，可人為地視覺檢查出點(diǎn)缺陷(缺陷像素)。
對(duì)于檢測(cè)出點(diǎn)缺陷的像素部分，從基板后側(cè)向第一突出部分和第二突出部分的重疊部分施加激光輻射。由此，破壞夾在第一突出部分與第二突出部分之間的絕緣膜，從而將第一突出部分與第二突出部分短路。結(jié)果，像素電極與源總線(信號(hào)線)彼此電連接。
對(duì)于附加電容中檢測(cè)出的點(diǎn)缺陷的像素部分，從基板后側(cè)向第一層與第二層的重疊部分施加激光輻射。此外，向附加電容斷開位置施加激光輻射。對(duì)于開關(guān)元件中檢測(cè)出點(diǎn)缺陷的像素部分，向第一層與第二層的重疊部分施加激光輻射。此外，向漏電極斷開位置施加激光輻射。對(duì)于附加電容和開關(guān)元件中檢測(cè)出點(diǎn)缺陷的像素部分，向第一層與第二層的重疊部分施加激光輻射。此外，向漏電極斷開位置和附加電容斷開位置施加激光輻射。
結(jié)果，破壞了夾在第一層與第二層之間的絕緣膜，從而將第一層與第二層短路。因而，像素電極與源總線(信號(hào)線)電連接。此外，依據(jù)像素缺陷的類型，從像素電極切斷具有缺陷的附加電容或開關(guān)元件。
結(jié)果，將源總線(信號(hào)線)與像素電極短路，從而源總線上的源信號(hào)直接輸入到像素電極。此外，當(dāng)斷開附加電容斷開位置時(shí)，像素電極和源總線附加電容不受缺陷的影響。當(dāng)斷開漏電極斷開位置時(shí)，像素電極和源總線開關(guān)元件不受缺陷的影響。結(jié)果，有缺陷的像素部分既沒有顯示為完全的亮點(diǎn)也沒有顯示為完全的黑點(diǎn)。因此，經(jīng)過上述修復(fù)處理的缺陷像素部分，不易于在視覺上被識(shí)別為缺陷，盡管其沒有正常工作。因而，在顯示屏方面可以說這種缺陷像素是正常像素。
本發(fā)明不需要如日本專利申請(qǐng)公開No.4-265943中所示的傳統(tǒng)技術(shù)那樣執(zhí)行三次激光輻射。在本發(fā)明中，通過執(zhí)行一次激光輻射能夠很容易地修復(fù)像素缺陷。產(chǎn)品產(chǎn)量得到提高。另外，根據(jù)本發(fā)明，可根據(jù)缺陷的類型、通過執(zhí)行更少次數(shù)的激光輻射來修復(fù)像素缺陷。產(chǎn)品產(chǎn)量得到提高。
在日本專利申請(qǐng)公開No.4-265943披露的傳統(tǒng)技術(shù)中，當(dāng)使用非晶硅TFT作為開關(guān)元件時(shí)，柵總線與源總線之間的距離以及柵總線與導(dǎo)體片之間的距離均為大約300nm。相反，在本發(fā)明中，當(dāng)使用多晶硅TFT時(shí)，通過接觸孔部分連接到源總線的第二突出部分(例如當(dāng)使用與柵線相同的金屬層時(shí)，下文中將該突出部分稱作柵金屬突出部分)和連接到構(gòu)成驅(qū)動(dòng)區(qū)(漏極區(qū))的半導(dǎo)體層的第一突出部分(例如當(dāng)使用與半導(dǎo)體層相同的層時(shí)，下文中將該突出部分稱作半導(dǎo)體層突出部分)之間的距離為大約100nm(在實(shí)施例1到3中柵極絕緣膜的厚度)。因此，可使第一突出部分與第二突出部分之間的距離較小。因而，激光輻射的功率減小?？梢种萍す夤β瘦^大時(shí)產(chǎn)生的缺陷。
隨著將要破壞的絕緣膜厚度的增大，短路所需的激光功率增大。如果激光功率增大，則激光輻射的不利影響增大，從而半導(dǎo)體層或金屬層易于在激光點(diǎn)R周圍發(fā)生分散。當(dāng)影響范圍內(nèi)設(shè)有其他元件時(shí)，會(huì)產(chǎn)生缺陷。因此，與日本專利申請(qǐng)公開No.4-265943相比，本發(fā)明可抑制激光輻射導(dǎo)致的缺陷，因?yàn)榻^緣膜的厚度更薄。
通過使第一突出部分和第二突出部分從重疊部分伸出，可提高修復(fù)時(shí)激光輻射的對(duì)準(zhǔn)精度。
假設(shè)向第一突出部分與第二突出部分的重疊部分的中間部分施加激光輻射。在這種情況下，例如，當(dāng)?shù)谝煌怀霾糠只虻诙怀霾糠钟砂雽?dǎo)體層制成時(shí)，整個(gè)激光點(diǎn)中存在半導(dǎo)體層。大部分激光功率被半導(dǎo)體層吸收。因此，向第一突出部分與第二突出部分的重疊部分的角部(包括兩個(gè)突出部分和重疊部分的角部)施加激光輻射，從而使從第一突出部分與第二突出部分的重疊部分伸出的部分被包含在激光點(diǎn)內(nèi)。結(jié)果，激光能量也施加給兩個(gè)突出部分，從而更易于以更小的功率實(shí)現(xiàn)短路。日本專利申請(qǐng)公開No.2001-264800披露了用激光將第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層的重疊部分的角部熔化和熔合，以避免激光輻射寬度的波動(dòng)導(dǎo)致的斷開。該特征與本發(fā)明的上述特征完全不同。
當(dāng)使用多晶硅作為開關(guān)元件的半導(dǎo)體層時(shí)，關(guān)斷(off)電流大于使用非晶硅的情形。因此，通常形成具有雙柵或三柵的開關(guān)元件。在這種情況下，開關(guān)元件中缺陷的發(fā)生概率增大。因此，通過在以多晶硅作為半導(dǎo)體層的開關(guān)元件中設(shè)置漏電極斷開位置，可避免開關(guān)元件中存在缺陷時(shí)影響像素電極和源總線。
根據(jù)本發(fā)明，通過從基板外部輻射能量(例如激光等)更易于修復(fù)像素缺陷。因此，可高產(chǎn)量地制造顯示裝置，導(dǎo)致顯示裝置的成本降低。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)在附加電容器或開關(guān)元件中檢測(cè)到點(diǎn)缺陷時(shí)，從基板外部向第一層與第二層的重疊部分施加激光輻射。換言之，向用于附加電容或開關(guān)元件的斷開位置施加激光輻射，以消除其影響。在這種情況下，只需進(jìn)行更少次數(shù)激光輻射。結(jié)果，易于根據(jù)缺陷的類型修復(fù)像素缺陷，從而消除缺陷的影響，并且不易于識(shí)別出點(diǎn)缺陷?？商岣弋a(chǎn)品產(chǎn)量。
因而，此處所描述的本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)有源基板，其中易于根據(jù)缺陷的類型修復(fù)像素部分的缺陷，從而不易于識(shí)別出缺陷像素，并能提高產(chǎn)品產(chǎn)量；(2)包括所述有源基板的顯示裝置；以及制造該顯示裝置的方法。
通過閱讀和理解下面參照附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得更加顯而易見。


圖1A所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的有源型液晶顯示裝置中，有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，該有源矩陣基板為彼此相對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)；圖1B為沿圖1A的線A-A′作出的剖面圖；圖2A為圖1A中箭頭Z所示的圓圈所圍繞部分的放大視圖，圖2A表示用于修復(fù)位于角部的缺陷的激光輻射的激光點(diǎn)R；圖2B表示用于修復(fù)位于中間部分的缺陷的激光輻射的激光點(diǎn)R；圖3A和3B解釋了用于修復(fù)缺陷的激光輻射的影響；圖4A所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的有源型液晶顯示裝置中，有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)；圖4B為沿圖4A中線A-A′作出的剖面圖；圖5A為沿圖4A中線X-X′作出的剖面圖；圖5B為沿圖4A中線Y-Y′作出的剖面圖；圖6A所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的有源型液晶顯示裝置中，有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)；圖6B為沿圖6A中線B-B′作出的剖面圖；圖7A所示的電路圖示意地表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板上基本部件的示例結(jié)構(gòu)；圖7B為表示圖7A的開關(guān)元件部分和源總線短路部分的剖面圖；圖8為表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有源型液晶顯示裝置的部分剖面示意圖；圖9A所示的電路圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例5的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)；圖9B為圖9A中開關(guān)元件部分和源總線短路位置的剖面圖；圖10A為示意地表示激光輻射之后圖9B的有源矩陣基板狀態(tài)的剖面圖；圖10B為在圖10A的激光輻射之后有源矩陣基板的電路圖；圖11A所示的頂視圖表示圖9A的有源矩陣基板一部分的結(jié)構(gòu)；圖11B為圖11A一部分的放大視圖；
圖12所示的電路圖示意地表示與圖9A不同的有源矩陣基板的另一示例性基本部件；圖13所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)；圖14所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)；圖15所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)；圖16A所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例7的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)；圖16B所示的電路圖示意地表示圖16A的基本部件；圖17所示的頂視圖表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例8的有源型液晶顯示裝置中所用的有源矩陣基板的示例結(jié)構(gòu)，該液晶顯示裝置具有常黑垂直取向模式；圖18所示的頂視圖表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例8的有源型液晶顯示裝置中所用的有源矩陣基板的示例結(jié)構(gòu)，該液晶顯示裝置具有常黑IPS模式；圖19A所示的頂視圖表示在常規(guī)有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)；圖19B為沿圖19A中線X-X′作出的剖面圖；圖19C為沿圖19A中線Y-Y′作出的剖面圖；圖20A所示的頂視圖表示在常規(guī)有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)；圖20B為圖20A的圓圈所圍繞部分的放大視圖；圖21所示的頂視圖表示在常規(guī)有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，其中該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括有源矩陣基板的有源型液晶顯示裝置及其制造方法。正如此處所使用的，與兩個(gè)元件有關(guān)的術(shù)語“連接”指的是兩元件的直接連接或者通過至少另一元件的兩元件的間接連接。
(實(shí)施例1)圖1A所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)。圖1B為沿圖1A的線A-A′作出的剖面圖。需注意的是，用相同的附圖標(biāo)記表示圖1A中與圖19A的傳統(tǒng)裝置的部件具有基本相同的功能和效果的部件，并且不再詳細(xì)進(jìn)行說明。圖1B的剖面圖表示與圖19B和圖19C相同的部分，不再進(jìn)行說明。
在圖1A和1B中，實(shí)施例1的有源型液晶顯示裝置包括一對(duì)基板，即有源矩陣基板110和對(duì)置基板，這一對(duì)基板彼此面對(duì)并且它們之間夾有液晶層(顯示介質(zhì))。除圖19A至19C的常規(guī)有源矩陣基板100的結(jié)構(gòu)以外，有源矩陣基板110還具有在玻璃基板10上的下述結(jié)構(gòu)。開關(guān)元件(TFT 4)具有與源總線2相連的第一區(qū)域(例如源極區(qū)12c)。開關(guān)元件(TFT 4)具有第二區(qū)域(例如漏極區(qū)12c)，從該第二區(qū)域，半導(dǎo)體層的一部分(延伸部分12)從附加電容總線5的寬部5A朝向柵總線1延伸(沿平行于源總線2的方向)。第一突出部分12A(第一層)從延伸部分12伸出。第一突出部分12A(第一層)由與延伸部分12在相同制造步驟中制造的半導(dǎo)體層制成。下面，將第一突出部分12A稱作半導(dǎo)體層突出部分12A。半導(dǎo)體層突出部分12A可以與延伸部分12和上述第二區(qū)域集成在一起。TFT 4可由與柵總線驅(qū)動(dòng)部分和源總線驅(qū)動(dòng)部分每一個(gè)中包含的開關(guān)元件相同的步驟和相同的材料形成。
此外，設(shè)置通過接觸孔部分2A與源總線2連接的第二突出部分7。第二突出部分7在與柵總線5相同的步驟中制造，并且是與柵總線5相同的導(dǎo)電材料制成的金屬層。下面將第二突出部分7稱作柵金屬突出部分7。第一突出部分(第一層)和第二突出部分(第二層)可由半導(dǎo)體(例如硅)或者導(dǎo)電材料制成。
半導(dǎo)體層突出部分12A和柵金屬突出部分7彼此部分重疊(重疊部分7a(圖2A))，如圖1B所示夾有柵極絕緣膜13。柵極絕緣膜13可以用作用于將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7絕緣的絕緣膜。也可使用另一絕緣膜。
圖2A和2B為圖1A中箭頭Z所示的圓圈所圍繞部分的放大視圖。圖2A表示用于修復(fù)位于角部的缺陷的激光輻射的激光點(diǎn)R。圖2B表示用于修復(fù)位于中間部分的缺陷的激光輻射的激光點(diǎn)R。
如圖1A和圖2A中所示，半導(dǎo)體層突出部分12A從延伸部分12的左上部朝向圖的頂部延伸預(yù)定的長(zhǎng)度，并具有平行于源總線2的10μm寬度。在頂視圖中在柵總線1與附加電容總線5之間大致中間的位置，柵金屬突出部分7從源總線2以10μm的寬度伸出。柵金屬突出部分7從源總線2的下方朝向半導(dǎo)體層突出部分12A的右側(cè)延伸(例如正交于多層結(jié)構(gòu)下層中的源總線2)。此外，半導(dǎo)體層突出部分12A和柵金屬突出部分7均從重疊部分7a伸出大約1μm。下面將描述激光點(diǎn)R的輻射位置。
現(xiàn)在，將描述用于制造上述有源矩陣基板110的方法，以及用于制造使用該基板的有源型液晶顯示裝置的方法。
參照?qǐng)D1A和1B，使用等離子CVD方法在玻璃基板10上形成厚度為100nm的SiON膜(底涂膜11)。
然后，使用等離子CVD方法形成厚度為50nm的硅(Si)層作為半導(dǎo)體層，接著通過熱處理和激光退火結(jié)晶化。將Si層構(gòu)圖成預(yù)定的形狀，從而將TFT 4的漏極區(qū)12c，延伸部分12和從延伸部分12伸出的半導(dǎo)體層突出部分12A集成在一起。延伸部分12延伸到附加電容總線5的寬部5A下面。
在此情況下，通過將P(磷)摻入硅(Si)層的N溝道區(qū)12a(圖19B)中，形成n-區(qū)12b(LDD區(qū))和n+區(qū)12c(源極區(qū)/漏極區(qū))。通過熱處理激活加入到半導(dǎo)體層的雜質(zhì)元素。需注意的是將硼摻入P溝道區(qū)。
此外，使用等離子CVD方法在包含底涂膜11和半導(dǎo)體層突出部分12A的半導(dǎo)體層上形成厚度為115nm的SiON膜作為柵極絕緣膜13。
使用濺射方法在柵極絕緣膜13上相繼形成預(yù)定形狀的膜厚度為50nm的氮化鉭膜和膜厚度為370nm的鎢膜，作為柵金屬層(柵金屬)。因而，在相同的步驟中用相同的材料形成附加電容總線5、寬部5A和柵金屬突出部分7以及柵總線1和柵電極1a(控制電極)。在這種情況下，半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7的重疊部分7a通過插入其間的柵極絕緣膜13彼此絕緣。
另外，使用CVD方法形成厚度為300nm的氮化硅膜作為層間膜14。氮化硅膜受到熱處理，使Si層氫化。在此步驟中，Si層的懸空鍵的終端為由氮化硅膜制成的層間膜14中包含的氫。
此外，形成膜厚度例如1.6μm的由有機(jī)絕緣材料制成的樹脂層15。
另外，在層間膜14與樹脂層15中形成接觸孔部分2A以連接?xùn)沤饘偻怀霾糠?與源總線2。此外，在柵極絕緣膜13、層間膜14和樹脂層15中形成接觸孔部分6A(圖19C)以連接半導(dǎo)體層中的延伸部分12與像素電極3(透明電極)。
之后，使用濺射方法形成膜厚度分別為100nm、500nm和100nm的Ti，Al和Ti層(源金屬)，并將其構(gòu)圖成預(yù)定的形狀。結(jié)果，形成用于連接像素電極3與延伸部分12的源金屬6和源總線2。如圖1B中所示，源總線2通過接觸孔部分2A與柵金屬突出部分7相連。
此外，使用濺射方法形成厚度為100nm的ITO膜作為透明電極。將ITO膜構(gòu)圖成具有列和行的矩陣形狀，產(chǎn)生各個(gè)像素電極3。
之后，將取向膜(PI；未示出)印制在源總線2、像素電極3和樹脂層15上，并沿預(yù)定方向摩擦取向膜，產(chǎn)生本發(fā)明完整的有源矩陣基板110。
球形間隔物(未示出)分布在面對(duì)有源矩陣基板110的取向膜的一側(cè)上。對(duì)置基板(未示出)安裝在球形間隔物上，從而使有源矩陣基板110與對(duì)置基板彼此附著在一起，并且彼此均勻隔開預(yù)定間隙。兩基板之間的間隙填充液晶，并且密封開口。對(duì)置電極(透明電極)形成在對(duì)置基板上。取向膜(PI；未示出)也預(yù)先印制在對(duì)置電極上，并通過與上述類似的方式被摩擦。
由此，完成了包括本發(fā)明實(shí)施例1的有源矩陣基板110的有源型液晶顯示裝置。
下面，將描述當(dāng)在本發(fā)明實(shí)施例1的有源型液晶顯示裝置中檢測(cè)出像素缺陷時(shí)執(zhí)行的修復(fù)方法。通過經(jīng)由柵總線和源總線向像素電極和對(duì)置電極施加適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)信號(hào)，在顯示屏上顯示預(yù)定的顯示圖案。通過判斷儀器(或者人)判斷通過像素電極從顯示裝置輸出的光是否正常。
當(dāng)TFT 4中發(fā)生異?；蛘咴纯偩€2與像素電極3之間發(fā)生電流泄漏時(shí)，產(chǎn)生引發(fā)顯示問題的點(diǎn)缺陷。在檢測(cè)到點(diǎn)缺陷時(shí)(即，判斷出通過像素電極從顯示裝置輸出的光不正常)，在實(shí)施例1中可如下面所述修復(fù)像素缺陷(點(diǎn)缺陷)。
具有TFT 4(TFT基板)的有源矩陣基板110被附著到對(duì)置基板(未示出)上。兩基板之間的間隙填充液晶。在這種狀態(tài)下，通過向柵總線1和源總線2施加用于檢查的預(yù)定電信號(hào)，可檢測(cè)多個(gè)像素部分中的點(diǎn)缺陷。
對(duì)于其中檢測(cè)出點(diǎn)缺陷的像素部分，通過進(jìn)行一次具有相對(duì)低的功率的激光輻射，破壞柵金屬突出部分7與半導(dǎo)體層突出部分12A之間的柵極絕緣膜13，從而使彼此垂直相交的柵金屬突出部分7與半導(dǎo)體層突出部分12A短路。在這種情況下，有源矩陣基板110(TFT基板)與對(duì)置基板(未示出)已經(jīng)附著在一起，因此，從基板110的外部(透明玻璃10的外表面，TFT 4的底面)朝向其內(nèi)部施加激光輻射。因而，通過將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路，在本發(fā)明的顯示裝置中修復(fù)點(diǎn)缺陷。
上述激光可以為例如YAG激光。激光點(diǎn)R通常是直徑為數(shù)微米的圓形，或者邊長(zhǎng)為數(shù)微米的正方形。例如在實(shí)施例1中使用5μm×5μm的正方形作為激光點(diǎn)R。
如實(shí)施例1中所示，半導(dǎo)體層突出部分12A和柵金屬突出部分7均從重疊部分7a伸出約1μm。通過用激光輻射包括突出部分的角部，可提高激光輻射期間的對(duì)準(zhǔn)精度。因此，易于用更小的功率執(zhí)行激光輻射，以將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路。
另外，如圖2A中所示(激光點(diǎn)R)，通過用激光輻射包括半導(dǎo)體層(Si層)突出部分12A和柵金屬突出部分7的端部的角部(還包括重疊部分7a)，更易于(用更少的功率)將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路。在這種情況下，施加給從半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7的重疊部分7a伸出的部分的激光能量，大于施加給重疊部分7a的能量。激光能量的至少一部分施加給柵極絕緣膜13。
相反，如圖2B中所示(激光點(diǎn)R)，當(dāng)激光輻射施加到半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7的重疊部分7a的中間部分時(shí)，大部分激光功率僅由半導(dǎo)體層突出部分12A吸收(集中)，從而難以將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路。當(dāng)向半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7的重疊部分7a的中間部分施加激光輻射時(shí)，如圖2B中所示(激光點(diǎn)R)，在與圖2A中(激光點(diǎn)R)所示將激光輻射施加給半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7的重疊部分7a的角部相同的條件(激光功率)下，并非必然能將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路。
因此，與向重疊部分7a的中間部分施加激光輻射相比，當(dāng)向重疊部分7a的角部施加激光輻射時(shí)，可用更少的功率使半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路。當(dāng)與角部相比，增大用于重疊部分7a的中間部分的激光輻射功率時(shí)，如圖2B中所示，可通過激光輻射半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7的重疊部分7a的中間部分而將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路。不過，如果過度地增大激光功率，激光輻射對(duì)輻射區(qū)以外部分的不利影響增大。在這種情況下，除半導(dǎo)體層突出部分12A和柵金屬突出部分7以外的元件易于受到不利影響。下面將參照?qǐng)D3A和3B說明這一問題。
圖3A表示受激光輻射影響的部分S1。圖3B表示當(dāng)僅增大激光功率，而部分S2上激光點(diǎn)R的尺寸與圖3A中受影響部分S1上激光點(diǎn)R的尺寸相同時(shí)，受激光輻射影響的部分S2。在圖3A或3B中用L1或L2表示的受到影響的部分中，發(fā)生Si或柵金屬的分散。如果這樣的外來元素進(jìn)入該區(qū)域，激光輻射很可能產(chǎn)生缺陷。因此，優(yōu)選用盡可能小的激光功率執(zhí)行激光輻射。還優(yōu)選將激光輻射施加給處于半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7的重疊部分7a端部處的角部(圖2A的激光點(diǎn)R)。需注意的是，如果激光輻射施加給并非上述的處于重疊部分7a端部處的角部的某一角部(例如，與激光點(diǎn)R相比更靠近源總線2的部分)，則當(dāng)輻射部分更靠近源總線2時(shí)，激光輻射的不利影響會(huì)增大。
因此，如上所述，通過將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路，源信號(hào)(圖像信號(hào))從源總線2直接輸入到像素電極3，與來與柵總線1的柵信號(hào)無關(guān)。結(jié)果，有缺陷的像素部分既沒有顯示為完全的亮點(diǎn)，也沒有顯示為完全的黑點(diǎn)。因此，受到上述修復(fù)處理(熔化處理)的缺陷像素部分，不易于在視覺上識(shí)別為缺陷，盡管其并非正常工作。換言之，這種缺陷像素處于中間顯示狀態(tài)。因此，就顯示屏而言這種缺陷像素可稱為正常像素。
如上所述，根據(jù)實(shí)施例1，可獲得具有下述特征的有源矩陣基板110。即使發(fā)生像素缺陷，與需要用更高功率執(zhí)行三次激光輻射的傳統(tǒng)技術(shù)相比，通過用更小功率執(zhí)行一次激光輻射而將源總線2與像素電極3短路易于修復(fù)缺陷像素。因而，可提高產(chǎn)品產(chǎn)量并降低制造成本。
(實(shí)施例2)在上述實(shí)施例1中，TFT 4具有頂柵結(jié)構(gòu)，其中柵金屬層(柵電極1a)通過柵極絕緣膜13設(shè)置在溝道層12a上。在實(shí)施例2中，如圖4A和4B以及圖5A和5B中所示，TFT 4具有底柵結(jié)構(gòu)，其中柵金屬層(柵電極1a)通過柵極絕緣膜13設(shè)置在溝道層12a的下面。
圖4A所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，其中該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)。圖4B為沿圖4A中線A-A’作出的剖面圖。圖5A為沿圖4A中線X-X’作出的剖面圖。圖5B是沿圖4A中線Y-Y’作出的剖面圖。
在圖4A和4B以及圖5A和5B中，有源型液晶顯示裝置中包含的有源矩陣基板120含有具有底柵結(jié)構(gòu)的TFT 4。在有源矩陣基板120中，在包含附加電容總線5和柵金屬突出部分7的金屬層?xùn)趴偩€1上經(jīng)由柵極絕緣膜13設(shè)置TFT 4中具有漏極區(qū)12c和半導(dǎo)體層突出部分12A的半導(dǎo)體層(包括延伸部分12)。有源矩陣基板120的其他部件與圖1A和1B的有源矩陣基板110相同。
此外在包含有源矩陣基板120的有源型液晶顯示裝置中，可通過在柵金屬突出部分7與半導(dǎo)體層突出部分12A的重疊部分7a的角部上執(zhí)行一次激光輻射以破壞柵極絕緣膜13，而將柵金屬突出部分7與半導(dǎo)體層突出部分12A短路，由此易于修復(fù)缺陷像素，使缺陷像素不易被識(shí)別。
(實(shí)施例3)在上述的實(shí)施例1和2中，為了修復(fù)缺陷像素，將導(dǎo)電材料(金屬)層制成的柵金屬突出部分7與半導(dǎo)體層制成的半導(dǎo)體層突出部分12A的重疊部分7a短路。在實(shí)施例3中，為了修復(fù)缺陷像素，將導(dǎo)電材料(金屬)層制成的柵金屬突出部分7與連接到半導(dǎo)體(Si)層的延伸部分12的導(dǎo)電材料層突出部分12B的重疊部分7b短路，如下面所述。
圖6A所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，其中該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)。圖6B為沿圖6A中線B-B’作出的剖面圖。
在上述實(shí)施例1中，使用與延伸部分12所包含的半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體層形成半導(dǎo)體層突出部分12A，作為與TFT 4的漏極區(qū)12c連接的第一突出部分(圖19B)。取而代之，在實(shí)施例3中，可使用除Si以外的半導(dǎo)體、金屬材料(例如Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu等)、合金材料或者以這些金屬元素為主要成分的復(fù)合材料等，形成導(dǎo)電材料層突出部分12B，作為第一突出部分。
在上述實(shí)施例1中，形成由與柵總線1相同的金屬層制成的柵金屬突出部分7，作為通過接觸孔部分2A與源總線2連接的第二突出部分。取而代之，在實(shí)施例3中，可使用除Si以外的半導(dǎo)體，金屬材料(例如Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu等)，合金材料或者以這些金屬元素為主要成分的復(fù)合材料等，形成第二突出部分7B。
第一突出部分12B和第二突出部分7B的配置和尺寸不限于圖1A，2A和4A中所示的情形，只要第一突出部分12B與延伸部分12相連，其中該延伸部分12從具有TFT 4的漏極區(qū)的半導(dǎo)體層延伸到寬部5A下面，第二突出部分7B通過接觸孔部分2A與源總線2相連，并且第一突出部分12B與第二突出部分7B彼此重疊、其間夾有柵極絕緣膜13即可。例如，第一突出部分12B可以從半導(dǎo)體層延伸部分12向下突出?？蛇x擇地，第一突出部分12B可以從半導(dǎo)體層延伸部分12的中間部分或右端部分突出，不過不從其左端部分突出，如圖1A中所示。此外，突出部分的寬度可以比圖1A中所示的更長(zhǎng)，并且從重疊部分7b突出的部分可以比圖1A中所示的更長(zhǎng)。類似地，第二突出部分7B可設(shè)置得更靠近柵總線1或附加電容總線5，不過不位于柵總線1與附加電容總線5之間的中間位置上。突出部分的寬度可以比圖1A中所示的更長(zhǎng)。重疊部分7b和從重疊部分7b突出的部分可以比圖1A中所示的更長(zhǎng)。
(實(shí)施例4)在上述實(shí)施例1至3中，通過破壞第一突出部分與第二突出部分之間的柵極絕緣膜13將它們短路。在實(shí)施例4中，通過破壞層間膜14(絕緣體)將伸出TFT 4的漏電極D(包括延伸到漏電極D的延伸部分12)的導(dǎo)電材料突出部分(第一層)12D與導(dǎo)電材料突出部分7D短路。
圖7A所示的電路圖示意地表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板上基本部件的示例結(jié)構(gòu)。圖7B為表示圖7A中開關(guān)元件部分和源總線短路部分的剖面圖。需注意的是用相同的附圖標(biāo)記表示圖7A和7B中與圖1A和1B具有基本相同的功能和效果的部件。
在圖7A中，有源矩陣基板140具有下述結(jié)構(gòu)。多條彼此平行的柵總線1與多條彼此平行的源總線2相交(例如正交)，從而將線設(shè)置成柵格。平行于每條柵總線1設(shè)置附加電容總線5。在由總線1與2圍繞的每個(gè)區(qū)域中(或者在總線1與2的每個(gè)交點(diǎn)處)設(shè)置像素電極3。像素電極3和附加電容電極(實(shí)施例1中的半導(dǎo)體層延伸部分12)與作為開關(guān)元件的TFT 4(雙柵結(jié)構(gòu))的漏電極D(實(shí)施例1中的漏極區(qū)12c)相連。柵總線1與柵電極G(實(shí)施例1中的柵極區(qū)1a)連接，而源總線2與源電極S(實(shí)施例1中的源極區(qū)12c)連接。
此外，與TFT 4的漏電極D連接的導(dǎo)電材料突出部分12D(此處由與源總線2相同的材料制成)延伸至接近于源總線2。設(shè)置經(jīng)由絕緣膜(層間膜14)與導(dǎo)電材料突出部分12D(第一突出部分)重疊的導(dǎo)電材料突出部分7D。導(dǎo)電材料突出部分7D(第二突出部分)由通過接觸孔部分2A與源總線2連接的導(dǎo)電材料(此處，與柵總線1為相同材料)制成。導(dǎo)電材料突出部分12D和導(dǎo)電材料突出部分7D的末端從其間的重疊部分伸出各自預(yù)定的量，如實(shí)施例1至3中所述。在修復(fù)缺陷像素時(shí)將重疊部分短路。具體而言，為了修復(fù)缺陷像素，用具有預(yù)定級(jí)別功率的激光輻射包括突出部分和重疊部分的角部，從而將導(dǎo)電材料突出部分7D與導(dǎo)電材料突出部分12D短路，如圖7B中虛線所示。
現(xiàn)將參照?qǐng)D8描述用于制造上述有源矩陣基板140的方法，以及使用該有源矩陣基板的有源型液晶顯示裝置150的制造方法。
參照?qǐng)D7B，使用等離子CVD方法在玻璃基板10(絕緣基板)上形成厚度為100nm的SiON(底涂層11)。
之后，使用等離子CVD方法形成厚度為50nm的半導(dǎo)體層(例如硅層)。通過激光退火(熱處理)使半導(dǎo)體層結(jié)晶化。然后，將半導(dǎo)體層構(gòu)圖成預(yù)定的形狀。
另外，使用等離子CVD方法在半導(dǎo)體層上形成厚度為115nm的SiON(柵極絕緣膜13)。
此外，使用濺射方法在柵極絕緣膜13上相繼形成作為導(dǎo)電材料的膜厚度為50nm的氮化鉭膜和膜厚度為370nm的鎢膜，并將其構(gòu)圖成預(yù)定的形狀，即導(dǎo)電材料突出部分7D和柵極區(qū)1a(7D和1a由相同材料制成)。取代氮化鉭和鎢，可使用從Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu中選取的任一元素、合金材料或者包含這些金屬元素的復(fù)合材料，以形成導(dǎo)電材料突出部分7D和柵極區(qū)1a。
通過從柵極區(qū)1a經(jīng)由柵極絕緣膜13將P(磷)摻入硅半導(dǎo)體層中，柵極區(qū)1a相對(duì)兩側(cè)上的硅半導(dǎo)體層變成n-區(qū)12b和n+區(qū)12c(源極區(qū)或漏極區(qū)12c)。結(jié)果，形成TFT 4。使用上述步驟形成N溝道。將硼(B)摻入半導(dǎo)體層中以便形成P溝道。
另外，執(zhí)行熱處理以便激活加入半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)元素。
此外，使用CVD方法形成膜厚度為950nm、具有包含氮化硅膜和氧化物膜的雙層結(jié)構(gòu)的層間膜14。
之后，在柵極絕緣膜13和層間膜14中形成到達(dá)TFT 4的漏極區(qū)12c的接觸孔部分。此外，在層間膜14中形成到達(dá)導(dǎo)電材料突出部分7D的接觸孔部分2A。
此后，相繼形成膜厚度分別為100nm、500nm和100nm的Ti，Al和Ti層(導(dǎo)電材料；導(dǎo)電材料突出部分12D和源總線2由相同材料制成)，并將其構(gòu)圖成預(yù)定的形狀，產(chǎn)生導(dǎo)電材料突出部分12D和源總線2。
導(dǎo)電材料突出部分12D與導(dǎo)電材料突出部分7D通過層間膜14彼此絕緣。例如，寬度為5μm的導(dǎo)電材料突出部分12D與寬度為7μm的導(dǎo)電材料突出部分7D彼此相交(例如正交)，它們之間夾有層間膜14。所得的重疊部分用于短路。
所構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)受到熱處理，使上述半導(dǎo)體層氫化。通過氫化步驟，半導(dǎo)體層的懸空鍵的終端為氮化硅膜等制成的層間膜14(層間)中包含的氫。
另外，在層間絕緣膜14，導(dǎo)電材料突出部分12D以及源總線2上形成有機(jī)絕緣材料制成的樹脂層15。在這種情況下，樹脂層15具有1.6μm的膜厚度。
此外，形成達(dá)到導(dǎo)電材料突出部分12D的接觸孔部分。使用濺射方法形成膜厚度為100nm的ITO膜(像素電極3)，并將其構(gòu)圖成預(yù)定的形狀(矩陣)，產(chǎn)生多個(gè)像素電極3。
之后，在像素電極3和樹脂層15上印制取向膜(PI；未示出)，并沿預(yù)定方向摩擦取向膜，產(chǎn)生本發(fā)明完整的有源矩陣基板140。
將球形間隔物(未示出)分布到面對(duì)有源矩陣基板140的取向膜的一側(cè)上。如圖8中所示，對(duì)置基板141安裝在球形間隔物上，從而使有源矩陣基板140與對(duì)置基板彼此附著在一起，彼此均勻地隔開預(yù)定的間隙。液晶層142插入兩基板之間。在對(duì)置基板上形成對(duì)置電極(透明電極)。在對(duì)置電極上也預(yù)先印制取向膜(PI；未示出)，并通過與上述方法相似的方法摩擦取向膜。
由此，完成本發(fā)明實(shí)施例4的包括有源矩陣基板140的有源型液晶顯示裝置150。
下面，將描述當(dāng)在本發(fā)明實(shí)施例4的有源型液晶顯示裝置150中檢測(cè)到像素缺陷時(shí)執(zhí)行的修復(fù)方法。
當(dāng)TFT 4中發(fā)生異?；蛘咴纯偩€2與像素電極3之間發(fā)生電流泄漏時(shí)，向包括導(dǎo)電材料突出部分12D與導(dǎo)電材料突出部分7D的重疊部分的角部施加激光輻射，使導(dǎo)電材料突出部分12D與導(dǎo)電材料突出部分7D短路。例如，如同實(shí)施例1到3中那樣執(zhí)行激光輻射，即使用產(chǎn)生5μm×5μm正方形激光點(diǎn)R的YAG激光。
需注意的是激光功率、激光輸出圖案等依賴于絕緣膜厚度和膜結(jié)構(gòu)。為了修復(fù)缺陷像素，從有源矩陣基板140的玻璃一側(cè)(TFT 4的底側(cè))執(zhí)行激光輻射，因?yàn)榫哂蠺FT 4的有源矩陣基板140已經(jīng)附著到對(duì)置基板141。
因而，當(dāng)源總線2與像素電極3短路時(shí)，源信號(hào)從源總線2直接輸入到像素電極3，與來自柵總線1的柵信號(hào)(掃描信號(hào))無關(guān)。結(jié)果，經(jīng)過修復(fù)的像素部分既沒有顯示為完全的亮點(diǎn)，也沒有顯示為完全的黑點(diǎn)。例如，當(dāng)在整個(gè)屏幕上進(jìn)行黑色顯示時(shí)，向源總線2施加黑色顯示電勢(shì)，向像素部分施加黑色顯示電壓。當(dāng)在整個(gè)屏幕上進(jìn)行白色顯示時(shí)，像素部分顯示為白色。盡管如上經(jīng)過修復(fù)的像素部分(像素電極3)沒有正常工作，不過在人的視覺中不易將經(jīng)過修復(fù)的像素識(shí)別為顯示缺陷。
(實(shí)施例5)圖9A所示的電路圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例5的有源型液晶顯示裝置中，有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)。圖9B所示的剖面圖表示圖9A中的開關(guān)元件部分和源總線短路位置。實(shí)施例5是實(shí)施例4的一種變型。需注意的是用相同的附圖標(biāo)記表示圖9A和9B中與圖7A和7B具有基本相同的功能和效果的部件。
在實(shí)施例5中，有源矩陣基板設(shè)有下述用于激光輻射的位置包括導(dǎo)電材料突出部分12D和導(dǎo)電材料突出部分7D的重疊部分的短路位置7E；漏極斷開位置P，在該位置從像素電極3電切斷漏極區(qū)；以及附加電容斷開位置Q，在該處從像素電極3電切斷附加電容部分。對(duì)于其中檢測(cè)出由附加電容部分和TFT 4的故障所致的點(diǎn)缺陷的像素部分，向?qū)щ姴牧贤怀霾糠?2D與導(dǎo)電材料突出部分7D的重疊部分施加激光輻射，并向漏電極斷開位置P和附加電容斷開位置Q施加激光輻射。圖10A和10B中表示出這些受到激光輻射的部分(虛線所包圍的)。需注意的是在圖11B中用正方形中的數(shù)字表示圖10A的剖面位置。
將參照?qǐng)D11A和11B更加詳細(xì)地描述圖9A的有源矩陣基板140的二維結(jié)構(gòu)。
圖11A所示的頂視圖表示圖9A的有源矩陣基板140的一部分的結(jié)構(gòu)。圖11B為圖11A的一部分的放大視圖。
如上所述，在圖11A和11B中，在一對(duì)絕緣基板中作為有源矩陣基板140的一個(gè)基板上，柵總線1與源總線2設(shè)置成柵格，附加電容總線5平行于柵總線1設(shè)置。在總線1與2所圍繞的每個(gè)區(qū)域中設(shè)置像素電極3。像素電極3與延伸部分12分別與TFT 4和源總線2相連。寬部5A和延伸部分12均作為彼此面對(duì)的附加電容電極。
在TFT 4中，雙柵極其中的一個(gè)設(shè)置在源總線2下面，而另一柵極設(shè)置在像素電極3下面。因而，從頂部觀察時(shí)，TFT 4為L(zhǎng)形。柵總線1與源總線2的相交部分也作為柵極區(qū)。TFT 4的漏極D通過接觸孔部分4A與導(dǎo)電材料突出部分12D連接，而TFT 4的源極S通過接觸孔部分4B與源總線2相連。TFT 4的漏極區(qū)D也直接連接到延伸部分12。因而，通過使TFT 4的一部分與源總線2重疊，形成空間，從而更加穩(wěn)定地切斷漏極斷開位置P和附加電容斷開位置Q。
導(dǎo)電材料突出部分12D通過接觸孔部分3A與像素電極3連接。導(dǎo)電材料突出部分7D通過接觸孔部分2A與源總線2相連。
導(dǎo)電材料突出部分12D與導(dǎo)電材料突出部分7D經(jīng)由層間膜14彼此重疊，產(chǎn)生短路位置7E。
附加電容斷開位置Q設(shè)置在接觸孔部分4A與延伸部分12的附加電容電極部分(面對(duì)寬部5A)之間。漏極斷開位置P設(shè)置在TFT 4的漏極區(qū)D與接觸孔部分4A之間。
當(dāng)TFT 4中發(fā)生異?；蛘邧趴偩€1(或者源總線2)與像素電極3(或附加電容電極)之間發(fā)生電流泄漏時(shí)，檢測(cè)出點(diǎn)缺陷。在這種情況下，通過向包括導(dǎo)電材料突出部分12D和導(dǎo)電材料突出部分7D的重疊部分的角部施加激光輻射，使導(dǎo)電材料突出部分12D與導(dǎo)電材料突出部分7D短路。
此外，通過激光輻射同樣地?cái)嚅_漏極斷開位置P和附加電容斷開位置Q。例如，使用產(chǎn)生5μm×5μm正方形形狀的激光點(diǎn)R的YAG激光。在激光輻射后，圖9A的電路圖變成圖10B的電路圖。圖10A為圖10B電路圖的剖面圖。
當(dāng)斷開附加電容斷開位置Q時(shí)，像素電極3和源總線2不受附加電容部分(寬部5A和延伸部分12的附加電容電極部分)缺陷的影響。當(dāng)斷開漏極斷開位置P時(shí)，像素電極3和源總線2不受TFT 4的缺陷的影響。
下面將描述通過激光輻射附加電容斷開位置Q而修復(fù)的附加電容部分的示例性缺陷。導(dǎo)電材料層的電勢(shì)(用與導(dǎo)電材料7D相同的材料制成的附加電容總線5的寬部5A)與源總線2上源信號(hào)的電勢(shì)不同。因此，當(dāng)通過延伸部分12將寬部5A和像素電極3短路時(shí)，像素變成亮點(diǎn)或黑點(diǎn)，與顯示狀態(tài)(黑色顯示，白色顯示等)無關(guān)，即使在短路位置7E處執(zhí)行短路時(shí)也是如此。在這種情況下，通過斷開附加電容斷開位置Q，可防止像素成為亮點(diǎn)或黑點(diǎn)。
下面將描述通過激光輻射漏極區(qū)斷開位置P而修復(fù)的TFT 4的示例性缺陷。導(dǎo)電材料層(與導(dǎo)電材料7D相同的材料制成的柵總線1)的電勢(shì)與源總線2上源信號(hào)的電勢(shì)不同。因此，當(dāng)通過延伸部分12將柵總線1與像素電極3短路時(shí)，像素變成亮點(diǎn)或黑點(diǎn)，與顯示狀態(tài)(黑色顯示，白色顯示等)無關(guān)，即使在短路位置7E處執(zhí)行短路時(shí)也是如此。在這種情況下，通過斷開漏極區(qū)斷開位置P，可防止像素成為亮點(diǎn)或黑點(diǎn)。
需注意的是，當(dāng)使用多晶硅薄膜晶體管作為TFT 4時(shí)，關(guān)斷電流大于使用非晶硅的情形。因此，通常形成具有雙柵或三柵的TFT 4，導(dǎo)致TFT 4中缺陷的發(fā)生概率增大。因此，當(dāng)使用多晶硅作為TFT 4中的半導(dǎo)體層時(shí)，通過在TFT 4中設(shè)置漏極區(qū)斷開位置P，可產(chǎn)生明顯的效果。
在實(shí)施例5中，開關(guān)元件4具有頂柵結(jié)構(gòu)?？蛇x擇地，開關(guān)元件4可以具有底柵結(jié)構(gòu)。開關(guān)元件4可以具有單柵結(jié)構(gòu)或者具有三個(gè)或更多個(gè)柵的結(jié)構(gòu)。
另外，在實(shí)施例5中，在最靠近像素電極3的雙柵的一部分處設(shè)置漏極斷開位置P?？蛇x擇地，如圖12中所示，可在漏極區(qū)中任何位置設(shè)置斷開位置P1(例如柵極之間的漏極區(qū))，這取決于TFT 4的缺陷狀態(tài)、TFT 4的配置等?？稍谠礃O區(qū)中設(shè)置斷開位置。
另外，在實(shí)施例5中，構(gòu)成短路位置7E的導(dǎo)電材料突出部分7D和12D可以為任何現(xiàn)有的或者新的導(dǎo)電材料層(包括延伸部分12)。
另外，在實(shí)施例5中，導(dǎo)電材料層設(shè)置在層間膜14上，樹脂層15置于導(dǎo)電材料層與像素電極3之間?？蛇x擇地，像素電極3可以設(shè)置在所插入的層間膜14上面，并且在導(dǎo)電材料層與像素電極3之間可以不設(shè)置樹脂層15。
另外，實(shí)施例5描述了短路位置7E，在此處連接到TFT 4的漏極區(qū)D的導(dǎo)電材料層突出部分12D(此處由與源總線2相同的材料制成)與連接到源總線2的導(dǎo)電材料層突出部分7D(此處由與柵總線1相同的材料制成)彼此重疊，其間夾有層間膜14；附加電容斷開位置Q，在此處電切斷附加電容電極與像素電極3；漏極區(qū)斷開位置P，在此處電切斷漏極區(qū)D與像素電極3。本發(fā)明不限于此。可以僅設(shè)置短路位置7E和附加電容斷開位置Q，并且僅在這些位置實(shí)現(xiàn)斷開?？蛇x擇地，可以僅設(shè)置短路位置7E和漏極區(qū)斷開位置P，并且僅在這些位置實(shí)現(xiàn)斷開。
(實(shí)施例6)在上述的實(shí)施例5中，通過破壞導(dǎo)電材料層突出部分12D與導(dǎo)電材料層突出部分7D之間的層間膜14(絕緣體)來將它們短路。此外，將漏極區(qū)斷開位置P和附加電容斷開位置Q中的至少一個(gè)斷開。在實(shí)施例6中，通過破壞其間的薄柵極絕緣膜13而易于使第一突出部分(半導(dǎo)體層突出分12A或?qū)щ姴牧蠈油怀霾糠?2B)與第二突出部分7(或7B)短路。在這種情況下，盡管雜散電容大于上述實(shí)施例5中使用層間膜14作為絕緣膜的情形，不過更易于實(shí)現(xiàn)短路。
參照?qǐng)D13，在實(shí)施例6中，在圖1A的有源矩陣基板110中還設(shè)置有漏極區(qū)斷開位置P1。漏極區(qū)斷開位置P1位于柵的漏極區(qū)。對(duì)于其中檢測(cè)出TFT 4的缺陷所引起的點(diǎn)缺陷的像素部分，向半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7的重疊部分施加激光輻射，同時(shí)向漏電極斷開位置P1施加激光輻射。
還通過激光輻射斷開漏極斷開位置P1。例如，使用YAG激光進(jìn)行激光輻射。激光點(diǎn)R通常是直徑為數(shù)微米的圓形或者邊長(zhǎng)為數(shù)微米的正方形。在實(shí)施例5中，例如，使用5μm×5μm的正方形作為激光點(diǎn)R。
因而，通過如上所述將半導(dǎo)體層突出部分12A與柵金屬突出部分7短路，并斷開漏極斷開位置P1，源信號(hào)(圖像信號(hào))從源總線2直接輸入像素電極3，與來自于柵總線1的柵信號(hào)無關(guān)，并且TFT 4的缺陷不會(huì)影響像素電極3或源總線2。結(jié)果，有缺陷的像素部分既不顯示為完全的亮點(diǎn)也不顯示為完全的黑點(diǎn)。因此，經(jīng)過上述修復(fù)處理(熔化處理)的缺陷像素部分，不易于在視覺上被識(shí)別為缺陷，盡管其沒有正常工作。換言之，這種缺陷像素處于中間顯示狀態(tài)。因而，就顯示屏而言，可稱這種缺陷像素為正常像素。
如上所述，根據(jù)實(shí)施例6，與需要用更高功率執(zhí)行三次激光輻射的傳統(tǒng)技術(shù)相比，即使產(chǎn)生像素缺陷，也易于通過使用更少功率執(zhí)行一次激光輻射將源總線2與像素電極3短路，來修復(fù)有缺陷的像素。因此，可提高產(chǎn)品產(chǎn)量，并降低生產(chǎn)成本。另外，通過斷開漏極斷開位置P，像素電極3、源總線2等不受TFT 4的缺陷的影響。
圖14中表示了還具有漏極區(qū)斷開位置P1的有源矩陣基板120。圖15中表示了還具有漏極區(qū)斷開位置P的有源矩陣基板130。這些有源矩陣基板120和130具有與上述類似的效果。
(實(shí)施例7)在上述實(shí)施例5中，通過破壞導(dǎo)電材料層突出部分(第一層)12D與導(dǎo)電材料層突出部分(第二層)7D之間的層間膜14，將它們短路。在實(shí)施例7中，第一層不直接連接到開關(guān)元件。通過破壞其間的絕緣膜(絕緣體)將連接到像素電極3的第一層12E與連接到源總線2的導(dǎo)電材料層突出部分(第二層)7D的重疊部分短路。
圖16A所示的頂視圖表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例7的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板中基本部件的示例結(jié)構(gòu)，其中該有源矩陣基板為彼此面對(duì)且其間夾有液晶層的一對(duì)基板中的一個(gè)。圖16A的電路圖示意地表示所述基本部件。需注意的是，用相同的附圖標(biāo)記表示圖16A中與圖9A和11A具有基本相同的功能和效果的部件，并且不再詳細(xì)說明。在圖16A中，TFT4具有單柵結(jié)構(gòu)。在圖16B中，TFT 4具有雙柵結(jié)構(gòu)。TFT 4可以具有單柵結(jié)構(gòu)或者雙柵結(jié)構(gòu)。
在圖16A和16B中，由導(dǎo)電材料層(或半導(dǎo)體層)制成的第一層12E與導(dǎo)電材料層突出部分12D分離，并單獨(dú)形成。第一層12E通過接觸孔3B與像素電極3相連，其中接觸孔3B與接觸孔3A沒有什么不同。
在包括圖16A的有源矩陣基板的有源型液晶顯示裝置中，如果TFT 4中發(fā)生異?；蛘呖偩€(柵總線1或源總線2)與像素電極3(或者附加電容電極)之間發(fā)生電流泄漏，則通過激光輻射將包括第一層12E與導(dǎo)電材料突出部分7D的重疊部分的部分(短路位置)7E短路。此外，通過激光輻射將漏極斷開位置P和附加電容斷開位置Q同樣地短路。為了修復(fù)像素缺陷，從有源矩陣基板的玻璃一側(cè)(TFT 4的底側(cè))執(zhí)行激光輻射，因?yàn)榫哂蠺FT 4的有源矩陣基板已經(jīng)附著于對(duì)置基板。
因此，當(dāng)源總線2與像素電極3短路時(shí)，源信號(hào)直接從源總線2輸入到像素電極3，與來自柵總線1的柵信號(hào)(掃描信號(hào))無關(guān)。結(jié)果，被修復(fù)的像素部分既沒有顯示為完全的亮點(diǎn)，也沒有顯示為完全的黑點(diǎn)。例如，當(dāng)在整個(gè)屏幕上進(jìn)行黑色顯示時(shí)，將黑色顯示電勢(shì)施加給源總線2，將黑色顯示電壓施加給像素部分。當(dāng)在整個(gè)屏幕上進(jìn)行白色顯示時(shí)，像素部分顯示為白色。盡管經(jīng)過上述修復(fù)的像素部分(像素電極3)沒有正常工作，但經(jīng)過修復(fù)的像素不易于被人的視覺識(shí)別為顯示缺陷。
另外，通過斷開附加電容斷開位置Q，像素電極3和源總線2不受附加電容部分的缺陷的影響。此外，通過斷開漏極斷開位置P，像素電極3、源總線2等不受TFT4的缺陷的影響。
在圖16A中，由接觸孔3B、第一層12E、導(dǎo)電材料層突出部分7D和接觸孔2A組成的修復(fù)元件，可以與作為開關(guān)元件的TFT 4分離設(shè)置。因此，這種修復(fù)元件在設(shè)計(jì)時(shí)具有高自由度，并且適于具有多種限制的設(shè)計(jì)。
在實(shí)施例7中，通過破壞第一層12E與導(dǎo)電材料層突出部分7D之間的絕緣膜而將它們短路。在實(shí)施例7中，可通過接觸孔部分形成第一層12E與像素電極3之間的連接以及導(dǎo)電材料層突出部分7D與源總線2之間的連接其中的至少一個(gè)連接。
(實(shí)施例8)在上述實(shí)施例1-7中，像素電極均勻地覆蓋像素。在實(shí)施例8中，有源矩陣基板具有以下結(jié)構(gòu)，其中在像素電極或結(jié)構(gòu)中形成一狹縫，像素電極包括多個(gè)電極(垂直取向模式，面內(nèi)切換(IPS)模式等)。通過優(yōu)化修復(fù)元件與狹縫或電極之間的位置關(guān)系，可獲得明亮的顯示。
圖17所示的頂視圖表示具有常黑垂直取向模式的有源型液晶顯示裝置的示例性有源矩陣基板。需注意的是用相同附圖標(biāo)記表示圖17中與圖16A具有基本相同的功能和效果的部件。
在圖17中，像素電極3設(shè)置有用于限定液晶層取向控制方向的狹縫3C。在狹縫3C部分，當(dāng)施加電壓時(shí)，液晶層中的液晶分子由于像素電極3的相鄰部分的電場(chǎng)而發(fā)生傾斜。因此，可控制液晶分子的取向。在這種結(jié)構(gòu)中，狹縫3C部分中的液晶分子不發(fā)生傾斜，從而使透射率較低。因此，狹縫3C部分對(duì)顯示的影響較小。
如圖17中所示，使導(dǎo)電材料層突出部分(第二層)7D的一部分與狹縫3C部分重疊，從而可將修復(fù)元件的配置導(dǎo)致的透射率減小抑制到較低水平。像素電極3由透明導(dǎo)電膜制成。導(dǎo)電材料層突出部分7D的一部分直接設(shè)置在像素電極3中設(shè)有的狹縫3C之下，與狹縫3C重疊。第一層12E的一部分(導(dǎo)電材料層突出部分)優(yōu)選延伸到狹縫3C下面，與狹縫3C重疊。連接到像素電極3的第一層12E與連接到源總線2的導(dǎo)電材料層突出部分7D的重疊部分直接設(shè)置于狹縫3C的下面。
在狹縫3C部分中，在基本上中間的部分產(chǎn)生最暗顯示。因此，優(yōu)選使狹縫3C的中心線更靠近導(dǎo)電材料層突出部分7D的重疊部分的中心線。例如，兩中心線之間的距離優(yōu)選處于0μm到3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。更優(yōu)選地，兩中心線重合。在這種情況下，可使透射率的降低最小。還優(yōu)選狹縫3C的中心線更靠近第一層12E的重疊部分的中心線。例如，兩中心線之間的距離優(yōu)選處于0μm到3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。更優(yōu)選的是，兩中心線重合。在這種情況下，可使透射率的降低最小。
在圖17中，導(dǎo)電材料層突出部分7D的一部分設(shè)置在像素電極3中設(shè)有的狹縫3C下面。本發(fā)明不限于此。導(dǎo)電材料層突出部分7D的一部分可以處于狹縫3C之上?？蛇x擇地，第一層12E和第二層7D其中至少之一設(shè)置在狹縫3C上面或下面。
圖18所示的頂視圖表示具有常黑垂直取向模式的有源型液晶顯示裝置中有源矩陣基板的一個(gè)示例。需注意的是，用相同的附圖標(biāo)記表示圖18中與圖16A具有基本相同的功能和效果的部件。
在圖18中，像素電極3包括多個(gè)能施加彼此不同的電勢(shì)的電極，即第一電極3D和第二電極3E。由第一電極3D與第二電極3E之間的面內(nèi)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層。
當(dāng)施加電壓時(shí)，通過面內(nèi)電場(chǎng)的影響來驅(qū)動(dòng)第一電極3D與第二電極3E之間的液晶分子，從而使光能夠透過。在電極之上的部分中，液晶分子的取向彼此對(duì)抗，從而使液晶分子不發(fā)生移動(dòng)。因而，顯示為黑色。在這種情況下，當(dāng)電極不透明時(shí)，不透光。
因此，如圖18中所示，第一層12E直接設(shè)置在第一電極3D的下面，與第一電極3D重疊，從而可抑制修復(fù)元件的配置引起的透射率降低。像素電極3由透明導(dǎo)電膜制成。第一層12E的一部分直接設(shè)置在設(shè)置于像素電極3中的狹縫3C的下面，與第一電極3D重疊。導(dǎo)電材料層突出部分7D(第二層)的一部分優(yōu)選延伸到第一電極3D下面，與第一電極3D重疊。連接到第一電極3D的第一層12E與連接到源總線2的導(dǎo)電材料層突出部分7D的重疊部分直接設(shè)置在第一電極3D之下。
在第一電極3D中，基本中間的部分產(chǎn)生最黑的顯示。因此，優(yōu)選第一電極3D的中心線(沿縱向延伸的中心線)更靠近第一層12E的重疊部分的中心線。例如，兩中心線之間的距離優(yōu)選處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。更優(yōu)選地，兩中心線重合。在這種情況下，可使透射率的降低最小。還優(yōu)選第一電極3D的中心線(縱向延伸的中心線)更靠近導(dǎo)電材料層突出部分7D的重疊部分的中心線。例如，兩中心線之間的距離優(yōu)選處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。更優(yōu)選地，兩中心線重合。在這種情況下，可使透射率的降低最小。
第一層12E可以設(shè)置在第二電極3E的下面(圖18中未示出)。由此，可使由于修復(fù)元件的配置導(dǎo)致的透射率的降低最小化。在這種情況下，導(dǎo)電材料層突出部分7D延伸到第一層12E的第二電極3E的下面。
在圖18中，第一層12E的一部分設(shè)置于第一電極3D的下面。本發(fā)明不限于此。第一層12E的一部分可以設(shè)置在第一電極3D之上?？蛇x擇地，第一層12E和導(dǎo)電材料層突出部分7D其中至少一個(gè)的一部分可以設(shè)置在第一電極3D的上面或下面。此處假定第一層12E和導(dǎo)電材料層突出部分7D由不透明材料制成。即使當(dāng)?shù)谝粚?2E和導(dǎo)電材料層突出部分7D由透明材料制造時(shí)，光通過第一層12E和導(dǎo)電材料層突出部分7D的透射率使得光更暗。為了實(shí)現(xiàn)更明亮的顯示，優(yōu)選第一層12E和導(dǎo)電材料層突出部分7D設(shè)置在對(duì)顯示沒有作用的部分中(狹縫部分或者多個(gè)電極)。
在實(shí)施例8的圖17和18中，開關(guān)元件(TFT 4)與半導(dǎo)體層或?qū)щ姴牧蠈又瞥傻牡谝粚?2E彼此不直接連接，而是通過像素電極3D和接觸孔部分彼此連接，如實(shí)施例7的圖16A和16B中所示。如圖9A和9B中所示，通過破壞其間的層間膜14將從TFT 4的漏極區(qū)D伸出的導(dǎo)電材料層突出部分(第一層)12D與從源總線2伸出的導(dǎo)電材料層突出部分(第二突出部分)7D短路。在這種情況下，當(dāng)顯示裝置具有垂直取向模式或IPS模式時(shí)，通過優(yōu)化修復(fù)元件與狹縫或電極之間的位置關(guān)系，可獲得更加明亮的顯示。
在上述實(shí)施例中，顯示裝置為以液晶為顯示介質(zhì)的液晶顯示裝置。本發(fā)明不限于此。本發(fā)明適用于使用EL發(fā)光層或等離子體發(fā)光材料的顯示裝置。在實(shí)施例1到8中，描述了一種使用薄膜晶體管(TFT 4)作為開關(guān)元件的有源型液晶顯示裝置。本發(fā)明不限于此。本發(fā)明適用于多種顯示裝置，如使用MIM元件、二極管元件、MOS晶體管等的液晶顯示裝置。在實(shí)施例4中，開關(guān)元件(TFT4)具有雙柵結(jié)構(gòu)和頂柵結(jié)構(gòu)。開關(guān)元件可以具有底柵結(jié)構(gòu)，或者單柵結(jié)構(gòu)或具有三個(gè)或更多個(gè)柵的結(jié)構(gòu)。
在上述實(shí)施例中，YAG激光施加于包括第一突出部分與第二突出部分的重疊部分的角部，使第一突出部分與第二突出部分短路。本發(fā)明不限于此?？赏ㄟ^輻射熱能如激光(激光束)等以及YAG激光，使第一突出部分與第二突出部分短路。
在上述實(shí)施例中，第二突出部分具有氮化鉭和鎢構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)?？蛇x擇地，可使用金屬材料(例如Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu等)、合金材料或者以這些金屬元素為主要成分的復(fù)合材料等，形成第二突出部分。簡(jiǎn)而言之，用于第二突出部分的材料為任何具有與第一突出部分結(jié)合(電連接)實(shí)現(xiàn)短路的良好相容性、以及易于有效和確定地實(shí)現(xiàn)短路的材料。
在上述實(shí)施例中，導(dǎo)電材料(源總線2和導(dǎo)電材料突出部分12D)設(shè)置在層間膜14上，并且樹脂層15置于導(dǎo)電材料與像素電極3之間。本發(fā)明不限于此。可選擇地，源總線2和導(dǎo)電材料突出部分12D可以設(shè)置在層間膜14上；并且像素電極3可以僅設(shè)置在導(dǎo)電材料突出部分12D的正上方；樹脂層15不必設(shè)置于導(dǎo)電材料突出部分12D與像素電極3之間；導(dǎo)電材料突出部分12D與像素電極3可以彼此電連接。在這種情況下，源總線2與像素電極3分隔開。另外，層間膜14由多層(例如兩層等)制成。
在圖5B中，可以僅在層間膜14中形成接觸孔部分6A；源金屬6可以直接置于層間膜14上面；并且半導(dǎo)體層延伸部分12與源金屬6可通過接觸孔部分6A彼此電連接。在這種情況下，在源金屬6上面的樹脂層15中形成新的接觸孔部分。像素電極3處于樹脂層15上。源金屬6與像素電極3通過所述新的接觸孔部分彼此電連接。因此，可以使該接觸孔部分較淺，從而可使單個(gè)接觸孔部分所占的面積較小，并且可提高上層和下層通過接觸孔部分的接觸穩(wěn)定性。
在上述實(shí)施例中，已經(jīng)描述了從延伸部分12伸出的第一突出部分和從源總線2伸出的第二突出部分。第一突出部分和第二突出部分其中至少一個(gè)不必為突出的部分。
在上述實(shí)施例中，在斷開位置P和Q，不改變線斷開部分的寬度和厚度?？蛇x擇地，考慮到寬度或厚度與當(dāng)前電容之間的關(guān)系，可減小斷開位置的寬度或厚度，從而有助于通過激光輻射的斷開。在這種情況下，有助于通過激光輻射的斷開，并且給將要斷開的部分提供了導(dǎo)向，從而可提高斷開的成功率。為了改變線寬，例如，可通過多種方式改變斷開位置的形狀。例如，可在斷開位置中形成半圓形切口?？商峁┯猩珮渲牧献鳛閿嚅_位置后側(cè)的標(biāo)記。
根據(jù)本發(fā)明，在圖像顯示裝置如液晶電視、計(jì)算機(jī)終端顯示裝置等的領(lǐng)域中，可根據(jù)像素缺陷的類型，通過執(zhí)行更少次數(shù)的激光輻射而容易地修復(fù)缺陷像素，從而不易于觀察或識(shí)別出有缺陷的像素，因此可提高產(chǎn)品產(chǎn)量。
盡管此處描述了某些優(yōu)選實(shí)施例，不過無意于將這些實(shí)施例解釋為對(duì)本發(fā)明范圍的限制，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求給出。本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀此處的說明書之后，在不偏離本發(fā)明的主旨和范圍的前提下，顯然可以想到并易于進(jìn)行多種其他變型和等效變化。此處所引用的所有專利、公開的專利申請(qǐng)以及出版物在此引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種有源基板，包括一包括第一驅(qū)動(dòng)區(qū)和第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的開關(guān)元件，一信號(hào)線連接到所述第一驅(qū)動(dòng)區(qū)；一連接到所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的像素電極；一包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中至少一種并且與所述像素電極連接的第一層；一包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中至少一種并且與所述信號(hào)線連接的第二層；以及設(shè)置在所述第一層與所述第二層之間的絕緣膜，其中，所述第一層的至少一部分與所述第二層的至少一部分彼此重疊，從而通過向所述絕緣膜施加第一能量將所述第一層與所述第二層短路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括與所述信號(hào)線相交的一掃描線，其中所述開關(guān)元件還包括與所述掃描線連接的一控制區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括一用于連接所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)與所述像素電極的第一接觸孔部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括一用于連接所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)與所述第一層的第一接觸孔部分；以及一用于連接所述第一層與所述像素電極的第二接觸孔部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括一附加電容線，其中所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)包括從所述開關(guān)元件延伸出的一延伸部分，并且所述延伸部分的至少一部分與所述附加電容線的至少一部分彼此面對(duì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源基板，還包括一用于連接所述第二層與所述信號(hào)線的第二接觸孔部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有源基板，還包括一用于連接所述第二層與所述信號(hào)線的第三接觸孔部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)包括從所述開關(guān)元件延伸出的一延伸部分；以及所述第一層從所述延伸部分突出。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有源基板，其中所述第一層為導(dǎo)電材料層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述絕緣膜為柵極絕緣膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有源基板，其中所述絕緣膜為層間膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括與所述信號(hào)線相交的一掃描線，其中用于所述第二層的材料與用于所述掃描線的材料相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述第一層的一部分和所述第二層的一部分從所述第一層和所述第二層的重疊部分突出。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述開關(guān)元件是薄膜晶體管元件、MIM元件、MOS晶體管元件和二極管中的一種元件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有源基板，其中所述薄膜晶體管元件為多晶硅薄膜晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有源基板，其中所述薄膜晶體管元件具有頂柵結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有源基板，其中所述薄膜晶體管元件具有底柵結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述第一層和所述第二層中的至少一個(gè)包括半導(dǎo)體硅。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述第一層和所述第二層中的至少一個(gè)由包括Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu其中至少一種元素的金屬材料，合金材料和復(fù)合材料制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)和所述第一層彼此集成在一起。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括一連接到所述像素電極的附加電容部分；以及第一斷開位置和第二斷開位置中的至少一個(gè)，其中通過向所述第一斷開位置施加第二能量使所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)和所述像素電極彼此電隔離，并且通過向所述第二斷開位置施加第三能量使所述附加電容部分與所述像素電極彼此電隔離。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括與所述信號(hào)線相交的一掃描線，其中用于所述第一層的材料與用于所述信號(hào)線的材料相同，并且用于所述第二層的材料與用于所述掃描線的材料相同。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括與所述信號(hào)線相交的一掃描線；其中所述開關(guān)元件的至少一部分與所述信號(hào)線重疊，并且所述掃描線與所述信號(hào)線的相交區(qū)域還作為所述開關(guān)元件的柵極區(qū)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的有源基板，其中所述開關(guān)元件為L(zhǎng)形；所述開關(guān)元件的第一部分與所述信號(hào)線重疊；并且所述開關(guān)元件的第二部分與所述像素電極重疊。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，還包括用于連接所述第一層與所述像素電極的第一接觸孔部分以及用于連接所述第二層與所述信號(hào)線的第二接觸孔部分中的至少一個(gè)。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述像素電極包括具有狹縫的一透明導(dǎo)電膜；并且所述第一層與所述第二層中至少一個(gè)的一部分與所述狹縫重疊。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有源基板，其中所述第一層的一部分與所述狹縫重疊；并且所述第一層的所述部分的中心線與所述狹縫的中心線之間的距離處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有源基板，其中所述第二層的一部分與所述狹縫重疊；并且所述第二層的所述部分的中心線與所述狹縫的中心線之間的距離處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有源基板，其中所述第一層與所述第二層中至少一個(gè)的一部分的中心線與所述狹縫的中心線重合。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源基板，其中所述像素電極包括多個(gè)電極；并且所述第一層與所述第二層中至少一個(gè)的一部分與所述多個(gè)電極中的至少一個(gè)電極重疊。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的有源基板，其中所述第一層的一部分與所述多個(gè)電極中的一預(yù)定電極重疊；并且所述第一層的所述部分的中心線與所述預(yù)定電極的中心線之間的距離處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的有源基板，其中所述第二層的一部分與所述多個(gè)電極中的一預(yù)定電極重疊；并且所述第二層的所述部分的中心線與所述預(yù)定電極的中心線之間的距離處于0μm至3μm范圍內(nèi)，包括0μm和3μm。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的有源基板，其中所述第一層與所述第二層中至少一個(gè)的一部分的中心線與所述多個(gè)電極中所述預(yù)定電極的中心線重合。
34.一種顯示裝置，包括一有源基板；一面對(duì)所述有源基板設(shè)置的對(duì)置基板；以及一設(shè)置在所述有源基板與所述對(duì)置基板之間的顯示介質(zhì)，其中所述有源基板包括一包括第一驅(qū)動(dòng)區(qū)和第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的開關(guān)元件，一信號(hào)線連接到所述第一驅(qū)動(dòng)區(qū)；一連接到所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的像素電極；一包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中的至少一種并且與所述像素電極連接的第一層；一包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中的至少一種并且與所述信號(hào)線連接的第二層；以及一設(shè)置在所述第一層與所述第二層之間的絕緣膜，其中，所述第一層的至少一部分與所述第二層的至少一部分彼此重疊，從而通過向所述絕緣膜施加第一能量將所述第一層與所述第二層短路。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的顯示裝置，其中當(dāng)斷定通過所述像素電極從所述顯示裝置輸出的光不正常時(shí)，在所述第一層與所述第二層之間造成短路。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的顯示裝置，其中所述顯示介質(zhì)是液晶、EL發(fā)光層和等離子體發(fā)光材料中的一種。
37.一種制造顯示裝置的方法，其中所述顯示裝置包括一有源基板；一面對(duì)所述有源基板設(shè)置的對(duì)置基板；以及一設(shè)置在所述有源基板與所述對(duì)置基板之間的顯示介質(zhì)，其中所述有源基板包括一包括第一驅(qū)動(dòng)區(qū)和第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的開關(guān)元件，一信號(hào)線連接到所述第一驅(qū)動(dòng)區(qū)；一連接到所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的像素電極；一包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中的至少一種并且與所述像素電極連接的第一層；一包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中的至少一種并且與所述信號(hào)線連接的第二層；以及一設(shè)置在所述第一層與所述第二層之間的絕緣膜，其中，所述第一層的至少一部分與所述第二層的至少一部分彼此重疊，從而通過向所述絕緣膜施加第一能量將所述第一層與所述第二層短路，其中所述方法包括以下步驟判斷通過所述像素電極從所述顯示裝置輸出的光是否正常；以及當(dāng)斷定所述輸出的光不正常時(shí)，通過向所述絕緣膜施加所述第一能量將所述第一層與所述第二層短路。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述第一層的一部分和所述第二層的一部分從所述第一層和所述第二層的重疊部分突出；并且在所述短路步驟中，施加到所述第一層和所述第二層的從所述重疊部分突出的部分的能量大于施加到所述重疊部分的能量。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述第一能量為激光能量的至少一部分。
40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述有源基板還包括一連接到所述像素電極的附加電容部分；以及第一斷開位置和第二斷開位置中的至少一個(gè)，其中通過向所述第一斷開位置施加第二能量使所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)和所述像素電極彼此電隔離，通過向所述第二斷開位置施加第三能量使所述附加電容部分與所述像素電極彼此電隔離，并且所述方法還包括，當(dāng)斷定所述輸出的光不正常時(shí)向所述第一斷開位置施加所述第二能量的步驟以及向所述第二斷開位置施加所述第三能量的步驟中的至少一個(gè)步驟。
41.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中使用與掃描線驅(qū)動(dòng)部分和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分中包含的開關(guān)元件相同的材料并在相同的步驟中形成所述開關(guān)元件。
全文摘要
提供一種有源基板，該基板包括包含第一驅(qū)動(dòng)區(qū)和第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的開關(guān)元件，一信號(hào)線連接到所述第一驅(qū)動(dòng)區(qū)；連接到所述第二驅(qū)動(dòng)區(qū)的像素電極；包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中的至少一種并且與像素電極連接的第一層；包括半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料中的至少一種并且與信號(hào)線連接的第二層；以及設(shè)置在第一層與第二層之間的絕緣膜。第一層的至少一部分與第二層的至少一部分彼此重疊，從而通過向所述絕緣膜施加第一能量將第一層與第二層短路。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1607448SQ20041009511
公開日2005年4月20日 申請(qǐng)日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月19日
發(fā)明者中島睦, 白木一郎, 佐佐木修, 巽宏伸, 勝瀬浩文, 井上雅之, 春日井英夫, 吉田圭介 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社