專利名稱：導光板制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種導光板制造方法。
背景技術：
近年來，隨著液晶顯示器的彩色化及大型化，其應用領域更為廣泛，如筆記本式計算機、各種臺式計算機、液晶電視等。因液晶顯示器是一種被動組件，其本身不能發(fā)光，因而需利用一光源是統作為液晶顯示器的光源，如背光模組(Backlight Module)，其中，導光板是背光模組中重要組件，用于引導自光源發(fā)出光束的傳輸方向，將線光源或點光源轉換成面光源出射。
為提高光線出射的均勻性，一般在導光板表面設置多個網點，以使光線散射以提高導光板出射光束的均勻性，進而提升背光模組的整體性能。而為使出射光線在更精細的尺度上均勻，可在導光板上設置更微細的網點，甚至于極微細的可對光線產生衍射作用的網點。
目前，導光板的制造方法多為射出成型，將粉料加入射出成型機的加熱料筒內，變成熔融狀態(tài)后在高壓下通過噴嘴注入到閉合的模腔內。熔融物料于模具內冷卻，從而固化定型成為導光板。
然而，射出成型技術通常只能達到數十微米尺寸，其無法制作具有上述極微細網點的導光板。

發(fā)明內容為了克服現有技術中導光板制造方法無法制造極精細網點的缺陷，本發(fā)明提供一種可制造精細網點的導光板制造方法。
本發(fā)明解決技術問題所采用的技術方案是提供一種導光板制造方法，其包括以下步驟形成具有一預定圖案的掩膜；利用該掩膜形成一壓印模板；提供導光板基板，使用壓印模板對導光板基板進行壓印，形成導光板。
相較于現有技術，本發(fā)明提供的導光板制造方法的優(yōu)點在于其采用壓印方法加工導光板基板，當使用具有高精度的壓印模板時，可以制作具有極微細網點的導光板。

圖1是本發(fā)明導光板制造方法第一實施方式的流程圖。
圖2是本發(fā)明導光板制造方法第二實施方式的流程圖。
圖3是本發(fā)明導光板制造方法第三實施方式的流程圖。
具體實施方式
請參閱圖1，是本發(fā)明導光板制造方法第一實施方式的流程圖。該導光板制造方法包括以下步驟形成具有一預定圖案的掩膜(掩膜形成步驟11)；使用該掩膜對一硅基板進行微影成像制程，使硅基板上形成與掩膜圖案相應的圖案(硅基板微影步驟12)；使用該具有特定圖案的硅基板制作一鎳壓印模板(鎳模板形成步驟13)；提供導光板基板，使用鎳壓印模板對導光板基板進行納米壓印，以形成導光板(納米壓印步驟14)。
掩膜(Photo Mask)是半導體工業(yè)中的一種常用器件，通常由二氧化硅基板上鍍鉻膜，再使用電子束曝光形成預定的透光部分。于半導體制程中，通常使用多個掩膜對一半導體基板先后進行掩膜(微影成像)制程，一次掩膜制程即將該掩膜上的圖案轉移到欲處理的半導體基板上，經過多個掩膜制程后，該基板即形成一多層結構。
本發(fā)明導光板制造方法的掩膜形成步驟11及微影成像步驟12采用上述半導體業(yè)的常用技術，微影成像步驟12是施加在一硅基板上，經微影成像步驟12后，該硅基板上形成與掩膜相應的凹陷圖案。鎳壓印模板形成步驟13是將金屬鎳沉積于該硅基板上，從而形成具有與該硅基板上的凹陷圖案相應的壓印圖案的鎳壓印模板。
導光板形成步驟14是采用納米壓印(Nano Imprinting)技術，該技術由Chou.SY等人在1995年Appl.Phys.Lett.Vol.67 P3114中提出。該技術可以制造具有幾十納米尺寸結構的器件。導光板形成步驟14使用鎳壓印模板對一導光板基板進行納米壓印，該導光板基板材料為樹脂，經納米壓印后形成具有微細網點的導光板。
由于采用納米壓印技術，該導光板制造方法可以制造網點尺寸為幾十納米的導光板，且以鎳為模板材料可以使壓印模板有長的壽命。
請參閱圖2，是本發(fā)明導光板制造方法第二實施方式的流程圖。該導光板制造方法包括以下步驟形成具有一預定圖案的掩膜(掩膜形成步驟21)；使用該掩膜利用LIGA(Lithography Electroforming Micro Molding，微光刻電鑄模造)技術制作一鎳壓印模板(鎳壓印模板形成步驟23)；提供導光板基板，使用鎳壓印模板對導光板基板進行納米壓印，以形成導光板(納米壓印步驟24)。
第二實施方式與第一實施方式的不同之處在于其利用LIGA技術制作鎳壓印模板，因此制程較簡單、制造費用較低。LIGA技術是德國微結構技術研究院(Institute for Microstructure Technology)結合半導體制造技術提出的一種微結構模具制程。在利用LIGA技術制作鎳壓印模板的步驟中，鎳壓印模板的形成是使用NiP作為電極電鍍，其厚度在500微米到2000微米之間。
請參閱圖3，是本發(fā)明導光板制造方法第三實施方式的流程圖。該導光板制造方法包括以下步驟形成具有一預定圖案的掩膜(掩膜形成步驟31)；使用該掩膜對一硅基板進行微影成像制程，使硅基板上形成與掩膜圖案相應的圖案(硅基板成像步驟32)；提供導光板基板，以硅基板為壓印模板對導光板基板進行納米壓印，以形成導光板(納米壓印步驟34)。
由于第三實施方式直接使用硅基板作為壓印模板，因此與第一實施方式比較，由于其省略一個步驟而更為簡單，且微影制程可以在硅基板上形成較深的圖案，但以硅為壓印模板材料與鎳相比容易在納米壓印中出現破損(Crack)，因此其后續(xù)壓印制程的可靠性下降。
除了采用納米壓印外，上述三實施方式均可采用熱壓印(HotEmbossing)技術進行壓印，但是，由于熱壓印技術非針對納米尺寸的專門制程，其制作的導光板的細節(jié)較的于納米壓印稍差。
權利要求
1.一種導光板制造方法，其包括形成具有一預定圖案的掩膜；利用該掩膜形成一壓印模板；提供導光板基板，使用壓印模板對導光板基板進行壓印，形成導光板。
2.如權利要求1所述的導光板制造方法，其特征在于該壓印為納米壓印。
3.如權利要求2所述的導光板制造方法，其特征在于利用該掩膜形成一壓印模板為一鎳壓印模板制造方法。
4.如權利要求3所述的導光板制造方法，其特征在于該鎳壓印模板制造方法包括使用該掩膜通過微影成像于一硅基板上制作圖案，再使用該具有特定圖案的硅基板制作一鎳壓印模板。
5.如權利要求3所述的導光板制造方法，其特征在于該鎳壓印模板制造方法采用微光刻電鑄模造制程。
6.如權利要求2所述的導光板制造方法，其特征在于利用該掩膜形成一壓印模板的步驟是一硅壓印模板制造方法。
7.如權利要求6所述的導光板制造方法，其特征在于該硅壓印模板制造方法為微影成像方法。
8.如權利要求1所述的導光板制造方法，其特征在于該壓印為熱壓印。
9.如權利要求8所述的導光板制造方法，其特征在于利用該掩膜形成一壓印模板為一鎳壓印模板制造方法。
10.如權利要求9所述的導光板制造方法，其特征在于該鎳壓印模板制造方法包括使用該掩膜通過微影成像于一硅基板上制作圖案，再使用該具有特定圖案的硅基板制作一鎳壓印模板。
11.如權利要求9所述的導光板制造方法，其特征在于該鎳壓印模板制造方法采用微光刻電鑄模造制程。
12.如權利要求8所述的導光板制造方法，其特征在于利用該掩膜形成一壓印模板的步驟為一硅壓印模板制造方法。
13.如權利要求12所述的導光板制造方法，其特征在于該硅壓印模板制造方法為微影成像方法。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種導光板制造方法，其包括以下步驟形成具有一預定圖案的掩膜；利用該掩膜形成一壓印模板；提供導光板基板，使用壓印模板對導光板基板進行壓印，形成導光板。由于其采用壓印方法加工導光板基板，當使用具有高精度的壓印模板時，可以制作具有極微細網點的導光板。
文檔編號G02F1/13GK1786744SQ20041007744
公開日2006年6月14日 申請日期2004年12月11日 優(yōu)先權日2004年12月11日
發(fā)明者陳杰良 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司