專利名稱：顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由薄膜晶體管構(gòu)成的有源矩陣型顯示器件的驅(qū)動(dòng)電路。具體地說，本發(fā)明涉及有源矩陣型顯示器件的驅(qū)動(dòng)電路，其中采用源極跟隨器作為模擬緩沖器，從而它們的特性變化得到了抑制。
背景技術(shù)：
有源矩陣型顯示器件是這樣一種顯示器件，其中象素排列在矩陣的交點(diǎn)，每個(gè)象素與一個(gè)開關(guān)元件相連，通過開關(guān)元件的導(dǎo)通/截止來控制圖象信息。這種類型的顯示器件采用液晶、等離子體或其它材料或狀態(tài)作為顯示媒體，它們的光學(xué)特性(反射率、折射率、透射率、發(fā)光強(qiáng)度等)都可以通過電來加以改變。在本發(fā)明中，特別是采用具有柵極、源極和漏極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(三端元件)作為開關(guān)元件。
在以下對(duì)本發(fā)明的描述中，矩陣的一行是指這樣一種結(jié)構(gòu)，其中與所述行平行放置的信號(hào)線(柵極線)與所述行的晶體管的柵極電極相連。一列是指這樣一種結(jié)構(gòu)，其中與所述列平行放置的信號(hào)線(源極線)與所述列的晶體管的源極(或漏極)電極相連。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線的電路稱為柵極驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)源極線的電路稱為源極驅(qū)動(dòng)電路。
在柵極驅(qū)動(dòng)電路中，對(duì)應(yīng)于垂直方向上柵極線的數(shù)目的移位寄存器的級(jí)成直線排列并相互串聯(lián)，產(chǎn)生有源矩陣型顯示器件的垂直掃描時(shí)序信號(hào)。以這種方式，有源矩陣型顯示器件的薄膜晶體管通過柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行開關(guān)操作。
在源極驅(qū)動(dòng)電路中，對(duì)應(yīng)于水平方向上源極線的數(shù)目的移位寄存器的級(jí)成直線排列并相互串聯(lián)，產(chǎn)生有源矩陣型顯示器件的顯示圖象數(shù)據(jù)的水平圖象數(shù)據(jù)。模擬開關(guān)通過與水平掃描信號(hào)同步的閂鎖脈沖導(dǎo)通/截止。以這種方式，通過源極驅(qū)動(dòng)電路，電流提供給有源矩陣型顯示器件的薄膜晶體管，控制液晶單元的定向。
圖9示意性地表示一種常規(guī)的有源矩陣型顯示器件。有兩種多晶硅薄膜晶體管制造工藝高溫工藝和低溫工藝。在高溫工藝中，多晶硅淀積在形成在石英基片上的絕緣膜上，并且形成作為柵極絕緣膜的加熱氧化的SiO2。然后，形成柵極電極，植入N型或P型離子，并形成源極和漏極電極。于是，多晶硅薄膜晶體管便制造出來了。
在低溫工藝中，硅通過兩種方法結(jié)晶固相生長(zhǎng)和激光熱處理。用固相生長(zhǎng)法，例如通過將形成在玻璃基底上的絕緣膜上的非晶硅膜進(jìn)行600℃和20小時(shí)的熱處理，得到多晶硅膜。用激光熱處理法，通過將激光施加在玻璃基底表面的非晶硅上，從而只對(duì)膜表面部分在高溫下進(jìn)行熱處理，得到多晶硅膜。
一般通過以上一種或兩種方法得到晶膜。
然后通過等離子體CVD形成作為柵極絕緣膜的SiO2膜。這之后，形成柵極電極，植入N型或P型離子，并形成源極和漏極電極。于是，多晶硅薄膜晶體管便制造出來了。
源極驅(qū)動(dòng)電路通過對(duì)有源矩陣型顯示器件的有源矩陣板進(jìn)行垂直掃描向其提供圖象數(shù)據(jù)，該電路包括移位寄存器、薄膜晶體管構(gòu)成的模擬開關(guān)、電容器構(gòu)成的模擬存儲(chǔ)器和薄膜晶體管構(gòu)成的模擬緩沖器模擬緩沖器是需要的，因?yàn)橛捎谠礃O線的大的承載容量，模擬存儲(chǔ)器不能直接驅(qū)動(dòng)有源矩陣型顯示器件的薄膜晶體管。
模擬緩沖器的薄膜晶體管具有源極跟隨器的結(jié)構(gòu)。如圖6A和6B所示，對(duì)每根數(shù)據(jù)保持控制信號(hào)線提供一個(gè)單一的薄膜晶體管，這樣來制造薄膜晶體管，以便它們以有規(guī)律的間隔來排列。
圖6A表示采用N溝道薄膜晶體管的一個(gè)例子。另外，也可以采用P溝道薄膜晶體管(參見圖6b)或兩種類型的晶體管。
構(gòu)成常規(guī)的有源矩陣型顯示器件源極驅(qū)動(dòng)電路的模擬緩沖器具有以下問題。
每個(gè)模擬緩沖器具有單個(gè)結(jié)構(gòu)為源極跟隨器的薄膜晶體管。當(dāng)薄膜晶體管制造工藝中如上所述用激光熱處理作為結(jié)晶手段時(shí)，玻璃基底上的硅膜用寬度為L(zhǎng)的帶狀激光照射，同時(shí)沿X軸方向即水平方向(參見圖7A)對(duì)其掃描，以便使硅結(jié)晶，因?yàn)椴淮嬖谌绱舜蟪叽绲募す馄骺梢砸淮握丈浯竺娣e的基底。
當(dāng)激光每次以恒定的長(zhǎng)度沿X軸方向移動(dòng)而進(jìn)行照射時(shí)，會(huì)出現(xiàn)照射重疊問題。由于帶狀激光的寬度L不必與源極跟隨器的間隔d一致(參見圖7B)，所以激光的照射量根據(jù)激光結(jié)晶步驟中的硅膜的位置而變化。
因此，從上述硅膜生產(chǎn)出來薄膜晶體管中會(huì)出現(xiàn)位置變化即特性變化，一個(gè)薄膜晶體管到另一個(gè)之間的閾值電壓Vth在VthL至VthH的范圍內(nèi)變化，這取決于X軸上的位置X(參見圖8)。在激光束相互重疊的位置，閾值電壓Vth具有小的值，而在激光束不重疊的位置，具有大的值。結(jié)果，源極跟隨器的輸出電壓的幅度發(fā)生了變化，這直接導(dǎo)致施加到液晶器件的電壓的變化。
圖11表示普通白色液晶器件的施加電壓與透射率特性之間的關(guān)系?？梢岳斫?，閾值電壓Vth的變化量ΔVth引起了相應(yīng)的透射率的變化，它將在被顯示的圖象中反映出來。
如上所述，根據(jù)其位置源極驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓發(fā)生了不希望的變化，這導(dǎo)致了有源矩陣型顯示器件的象素顯示不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是減小有源矩陣型顯示器件中的象素顯示不均勻。
與常規(guī)的器件不同，其中對(duì)每根數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)保持控制信號(hào)提供一個(gè)單一的模擬緩沖器，本發(fā)明的特征在于數(shù)據(jù)保持控制信號(hào)與并聯(lián)在一起的多個(gè)源極跟隨器相連。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)最佳實(shí)施例，并聯(lián)的源極跟隨器是這樣一種組合，其中包括為了結(jié)晶由激光照射的至少一個(gè)源極跟隨器和由激光照射兩次的至少一個(gè)源極跟隨器。
結(jié)晶用的激光照射的寬度L最好大于源極跟隨器的間隔d，并等于間隔d乘以不小于3的整數(shù)n。此外，本發(fā)明的特征在于2至n-1個(gè)源極跟隨器并聯(lián)在一起。通過把照射不同次數(shù)的源極跟隨器加以組合，可以抑制薄膜晶體管的閾值電壓的變化。
雖然以上提到了源極跟隨器的間隔和激光照射的寬度，但是術(shù)語“源極跟隨器的間隔”也可以用另一術(shù)語“象素間隔”代替，因?yàn)橐话銇碚f它們是等同的。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的有源矩陣型顯示器件的模擬緩沖器的電路圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的有源矩陣型顯示器件的模擬緩沖器的電路圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的有源矩陣型顯示器件的模擬緩沖器的電路圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的有源矩陣型顯示器件的模擬緩沖器的電路圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的有源矩陣型顯示器件的模擬緩沖器的電路圖；圖6A和6B是用于常規(guī)的有源矩陣型顯示器件的模擬緩沖器的例子的電路圖；圖7A和7B示意性地表示在常規(guī)的模擬緩沖器的制造步驟中的激光照射；圖8表示用于常規(guī)的模擬緩沖器中的薄膜晶體管的閾值電壓Vth與薄膜晶體管制造工藝中激光照射位置X之間的關(guān)系；圖9示意性地表示常規(guī)的有源矩陣型顯示器件；
圖10A-10F表示互補(bǔ)反相器電路的制造工藝；以及圖11表示普通白色液晶器件的施加電壓與透射率特性之間的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式
首先參照?qǐng)D10A-10F描述用于本發(fā)明的薄膜晶體管的制造工藝。
通過實(shí)施例來描述互補(bǔ)反相器電路。通過在氧氣氛中的濺射，在玻璃基底上(低堿玻璃、石英玻璃等；例如Corning 7059)形成厚度為1,000-3,000的二氧化硅膜作為底層氧化膜。為了提高生產(chǎn)率，可以用通過等離子體CVD分解和淀積TEOS得到的膜。
然后，通過等離子體CVD或LPCVD淀積厚度為300-5,000最好是500-1,000的非晶硅膜，并通過留在550℃至600℃的還原氣氛中4-48小時(shí)進(jìn)行結(jié)晶。上述步驟以后，通過進(jìn)行激光照射(波長(zhǎng)308或248nm)提高結(jié)晶度。如此結(jié)晶的硅膜形成島狀區(qū)域1和2。通過濺射在上面形成700-1,500的二氧化硅膜3。
接著，通過電子束發(fā)射或?yàn)R射，形成1,000至3μm的鋁膜(包括重量百分比為1％的Si或重量百分比為0.1-0.3％的Sc)。然后通過旋轉(zhuǎn)涂覆形成光刻膠(例如由Tokyo Ohka Kogyo有限公司生產(chǎn)的OFPR800/30cp)。通過光刻膠形成之前的陽(yáng)極氧化形成厚度為100-1,000的氧化鋁膜，以便提供與光刻膠的良好的粘附性，并且在接下來的陽(yáng)極氧化步驟中通過抑制來自光刻膠的漏電流僅在側(cè)面形成多孔的陽(yáng)極氧化膜。使光刻膠和鋁膜形成圖樣，即一起蝕刻，形成柵極電極4和5，以及掩模6和7(參見圖10A)。
在所得結(jié)構(gòu)上通過向它提供電解液中的電流進(jìn)行陽(yáng)極氧化，形成厚度在3,000-6,000之間例如5,000的陽(yáng)極氧化膜8和9?？梢赃M(jìn)行陽(yáng)極氧化，例如用檸檬酸、草酸、磷酸、鉻酸、硫酸等的3％至20％的酸水溶液，并對(duì)柵極施加10-30V的恒定電壓。在本實(shí)施例中，通過施加10V的電壓，在30℃的草酸中持續(xù)20-40分鐘進(jìn)行陽(yáng)極氧化。陽(yáng)極氧化膜8和9的厚度受陽(yáng)極氧化的時(shí)間控制(參見圖10B)。
去除掩模6和7以后，柵極電極4和5再次施加電解液中的電流。這次用包括酒石酸、硼酸和硝酸的乙二醇溶液(總量為3％至10％)。當(dāng)溶液的溫度大約為10℃即低于室溫時(shí)，得到優(yōu)異的氧化膜。結(jié)果，在柵極電極4和5的上面和側(cè)面形成了阻擋型陽(yáng)極氧化膜10和11。陽(yáng)極氧化膜10和11的厚度正比于施加電壓。例如，施加電壓為150V，陽(yáng)極氧化膜的厚度為2,000。陽(yáng)極氧化膜10和11的厚度由所需的偏置確定。最好厚度小于3,000，因?yàn)樾枰笥?50V的高電壓來產(chǎn)生比3,000厚的陽(yáng)極氧化膜，這將對(duì)薄膜晶體管產(chǎn)生不利的影響。在本實(shí)施例中，電壓增至80-150V，適合的電壓是根據(jù)陽(yáng)極氧化膜10和11的所需的厚度選擇的。
應(yīng)注意的是，阻擋型陽(yáng)極氧化膜10和11形成在多孔的陽(yáng)極氧化膜8和9以及柵極4和5之間，而不是形成在多孔的陽(yáng)極氧化膜8和9的外面，但形成阻擋型的陽(yáng)極氧化膜10和11的步驟稍后進(jìn)行。
然后，通過干蝕刻(或濕蝕刻)對(duì)絕緣膜3進(jìn)行蝕刻。蝕刻深度可以任意確定；即可以在底層有源層1和2暴露之前一直進(jìn)行蝕刻，或者可以中途停止蝕刻。考慮到生產(chǎn)率、產(chǎn)量和一致性，希望在到達(dá)有源層1和2之前一直進(jìn)行蝕刻。在這種情況下，具有初始厚度的絕緣膜12和13留在絕緣膜(柵極絕緣膜3)部分中，上面覆蓋著陽(yáng)極氧化膜8和9或柵極電極4和5(參見圖10C)。
然后去除陽(yáng)極氧化膜8和9。蝕刻劑最好是磷酸型溶液，例如磷酸、乙酸和硝酸的混合酸。用磷酸型蝕刻劑，多孔的陽(yáng)極氧化膜8和9的蝕刻速率是阻擋型陽(yáng)極氧化膜10和11的蝕刻速率的10倍以上。因此，用磷酸型蝕刻劑，阻擋型陽(yáng)極氧化膜10和11基本不被蝕刻。因此，阻擋型陽(yáng)極氧化膜內(nèi)的柵極電極得到了保護(hù)。
通過將加速N型或P型雜質(zhì)離子植入上述結(jié)構(gòu)的有源層1和2形成源極和漏極。更具體地說，首先對(duì)左邊的覆蓋了掩模14的薄膜晶體管區(qū)通過離子摻雜法摻入相對(duì)低速(典型的加速電壓5-30kV)的磷離子。在本實(shí)施例中，加速電壓設(shè)為20kV。用磷化氫(PH3)作為摻雜氣體。劑量為5×1014至5×1015cm-2。在這一步驟中，磷離子不能滲入絕緣膜13，它們只植入表面暴露的有源區(qū)2的那些部分中，以形成N溝道薄膜晶體管的漏極15和源極16(參見圖10D)。
接下來，也是通過離子摻雜法摻入相對(duì)高速(典型的加速電壓60-120kV)的磷離子。在本實(shí)施例中，加速電壓設(shè)為90kV，并且劑量為1×1013至5×1014cm-2。在這一步驟中，磷離子滲入絕緣膜13，到達(dá)底層部分。然而，由于劑量小，形成了低濃度的N溝道區(qū)17和18(參見圖10E)。
磷摻雜完成以后，去除掩模14。以與上述類似的方式，此次將N溝道薄膜晶體管區(qū)掩蔽，在P溝道薄膜晶體管區(qū)中形成源極19、漏極20和低濃度的P型區(qū)21和22。通過用KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm；脈寬20nsec)照射使雜質(zhì)離子植入有源區(qū)1和2。
最后，通過CVD在作為中間層絕緣膜23的整個(gè)表面上形成厚度為3,000-6,000的二氧化硅膜。形成薄膜晶體管的源極和漏極的接觸孔之后，形成鋁引線和電極24-26。此外，在200℃至400℃下進(jìn)行氫熱處理。這樣采用薄膜晶體管的互補(bǔ)反相器電路便制成了(參見圖10F)。
雖然以上描述是針對(duì)反相器電路的，但是用類似方式也能制造其它電路。此外，雖然以上描述是針對(duì)共面薄膜晶體管的，但是也可用于其它類型的薄膜晶體管，如反參差(inverse-stagger)型薄膜晶體管。
下面描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1表示本發(fā)明的第一實(shí)施例。在本實(shí)施例中，源極跟隨器以間隔d排列，激光照射寬度L等于3d。兩個(gè)源極跟隨器相互并聯(lián)。用(1，m)代表源極跟隨器矩陣，激光首先施加在源極跟隨器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)和(p+2，q+1)上。
然后移動(dòng)激光，以便照射源極跟隨器(p+2，q)、(p+3，q)、(p+4，q)、(p+2，q+1)、(p+3，q+1)和(p+4，q+1)。實(shí)際上，第一次激光照射之后，移動(dòng)安裝在X-Y平臺(tái)上的基底，然后進(jìn)行第二次照射。
此外，對(duì)源極跟隨器(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)和(p+6，q+1)進(jìn)行下一次激光照射。
以上述方式，用激光對(duì)源極跟隨器(p，q)、(p，q+1)、(p+2，q)、(p+2，q+1)、(p+4，q)、(p+4，q+1)、(p+6，q)和(p+6，q+1)照射兩次。于是它們具有圖8所示的閾值電壓VthL。
另一方面，用激光對(duì)源極跟隨器(p+1，q)、(p+1，q+1)、(p+3，q)、(p+3，q+1)、(p+5，q)和(p+5，q+1)只照射一次。于是它們具有閾值電壓VthH。
通過相互并聯(lián)源極跟隨器(p，q)和(p+1，q)，源極跟隨器(p+2，q)和(p+3，q)，源極跟隨器(p+4，q)和(p+5，q)，源極跟隨器(p+1，q+1)和(p+2，q+1)，以及源極跟隨器(p+3，q+1)和(p+4，q+1)，如圖1所示，源極跟隨器的特性均衡了，于是減小了由激光照射引起的特性變化。換句話說，在每個(gè)組合的源極跟隨器中，一個(gè)源極跟隨器具有較高的結(jié)晶度TFT，而另一個(gè)則具有較低的結(jié)晶度TFT。
圖2表示本發(fā)明的第二實(shí)施例。在本實(shí)施例中，源極跟隨器以間隔d排列，激光照射寬度L等于4d。三個(gè)源極跟隨器相互并聯(lián)。
激光首先施加在源極跟隨器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p+3，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)、(p+3，q+1)、(p，q+2)、(p+1，q+2)、(p+2，q+2)和(p+3，q+2)上。
然后移動(dòng)激光，以便照射源極跟隨器(p+3，q)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+3，q+1)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)、(p+6，q+1)、(p+3，q+2)、(p+4，q+2)、(p+5，q+2)和(p+6，q+2)。
由于用激光對(duì)源極跟隨器(p，q)、(p，q+1)、(p，q+2)、(p+3，q)、(p+3，q+1)、(p+3，q+2)、(p+6，q)、(p+6，q+1)和(p+6，q+2)照射兩次，所以它們具有閾值電壓VthL(參見圖8)。
由于用激光對(duì)源極跟隨器(p+1，q)、(p+2，q)、(p+1，q+1、(p+2，q+1)、(p+1，q+2)、(p+2，q+2)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)、(p+4，q+2)和(p+5，q+2)只照射一次，所以它們具有閾值電壓VthH(參見圖8)。
通過分別相互并聯(lián)源極跟隨器(p，q)、(p+1，q)和(p+2，q，源極跟隨器(p+3，q)、(p+4，q)和(p+5，q)，源極跟隨器(p+1，q+1)、(p+2，q+1)和(p+3，q+1)，源極跟隨器(p+4，q+1)、(p+5，q+1)和(p+6，q+1)，以及源極跟隨器(p+2，q+2)、(p+3，q+2)和(p+4，q+2)，如圖2所示，每種組合的三個(gè)源極跟隨器中的一個(gè)用激光照射兩次，其余兩個(gè)源極跟隨器只照射一次。通過以上述方式組合源極跟隨器，使每組的源極跟隨器都一致，因此消除了由激光照射引起的特性變化。
圖3表示本發(fā)明的第三實(shí)施例。在本實(shí)施例中，源極跟隨器以間隔d排列，激光照射寬度L等于4d。兩個(gè)源極跟隨器相互并聯(lián)，形成一個(gè)模擬緩沖器，其中相鄰緩沖器的一個(gè)源極跟隨器位于二者之間。
激光首先施加在源極跟隨器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p+3，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)和(p+3，q+1)上。
然后移動(dòng)激光，以便照射源極跟隨器(p+3，q)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+3，q+1)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)和(p+6，q+1)。
由于用激光對(duì)源極跟隨器(p，q)、(p，q+1)、(p+3，q)、(p+3，q+1)、(p+6，q)和(p+6，q+1)照射兩次，所以它們具有閾值電壓VthL(參見圖8)。
由于用激光對(duì)源極跟隨器(P+1，q)、(p+2，q)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+4，q+1)、和(p+5，q+1)只照射一次，所以它們具有閾值電壓VthH(參見圖8)。
通過相互并聯(lián)源極跟隨器(p，q)和(p+2，q)，源極跟隨器(p+1，q)和(p+3，q)，源極跟隨器(p+4，q)和(p+6，q)，源極跟隨器(p，q+1)和(p+2，q+1)，源極跟隨器(p+1，q+1)和(p+3，q+1)，以及源極跟隨器(p+4，q+1)和(p+6，q+1)，如圖3所示，每種組合的兩個(gè)源極跟隨器中的一個(gè)用激光照射兩次，另一個(gè)源極跟隨器只照射一次。通過以上述方式組合源極跟隨器，使每組的源極跟隨器都一致，因此消除了由激光照射引起的特性變化。
圖4表示本發(fā)明的第四實(shí)施例。在本實(shí)施例中，源極跟隨器以間隔d排列，激光照射寬度L等于4d。以傾斜方向放置的兩個(gè)源極跟隨器相互并聯(lián)。
激光首先施加在源極跟隨器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p+3，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)和(p+3，q+1)上。
然后移動(dòng)激光，以便照射源極跟隨器(p+3，q)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+3，q+1)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)和(p+6，q+1)。
通過相互并聯(lián)源極跟隨器(p，q)和(p+1，q+1)，源極跟隨器(p+1，q)和(p+2，q+1)，源極跟隨器(p+2，q)和(p+3，q+1)，源極跟隨器(p+3，q)和(p+4，q+1)，源極跟隨器(p+4，q)和(p+5，q+1)，以及源極跟隨器(p+5，q)和(p+6，q+1)，如圖4所示，源極跟隨器的特性均衡了，于是減小了由激光照射引起的特性變化。
圖5表示本發(fā)明的第五實(shí)施例。在本實(shí)施例中，源極跟隨器以間隔d排列，激光照射寬度L等于4d。以傾斜方向放置的三個(gè)源極跟隨器相互并聯(lián)。
激光首先施加在源極跟隨器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p+3，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)、(p+3，q+1)、(p，q+2)、(p+1，q+2)、(p+2，q+2)和(p+3，q+2)上。
然后移動(dòng)激光，以便照射源極跟隨器(p+3，q)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+3，q+1)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)、(p+6，q+1)、(p+3，q+2)、(p+4，q+2)、(p+5，q+2)和(p+6，q+2)。
由于用激光對(duì)源極跟隨器(p，q)、(p，q+1)、(p，q+2)、(p+3，q)、(p+3，q+1)、(p+3，q+2)、(p+6，q)、(p+6，q+1)和(p+6，q+2)照射兩次，它們具有閾值電壓VthL(參見圖8)。
由于用激光對(duì)源極跟隨器(p+1，q)、(p+2，q)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)、(p+1，q+2)、(p+2，q+2)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)、(p+4，q+2)和(p+5，q+2)只照射一次，它們具有閾值電壓VthH(參見圖8)。
通過相互并聯(lián)源極跟隨器(p，q)、(p+1，q+1)和(p+2，q+2)，源極跟隨器(p+1，q)、(p+2，q+1)和(p+3，q+2)，源極跟隨器(p+2，q)、(p+3，q+1)和(p+4，q+2)，源極跟隨器(p+3，q、(p+4，q+1)和(p+5，q+2)，以及源極跟隨器(p+4，q)、(p+5，q+1)和(p+6，q+2)，如圖5所示，每種組合的三個(gè)源極跟隨器中的一個(gè)用激光照射兩次，其余兩個(gè)源極跟隨器只照射一次。通過以上述方式組合源極跟隨器，使每組的源極跟隨器都一致，因此消除了由激光照射引起的特性變化。
如上所述，通過并聯(lián)采用薄膜晶體管的源極跟隨器，本發(fā)明可以抑制由于激光照射區(qū)的重疊引起的閾值電壓Vth的變化，從而減小了象素顯示的不均勻度。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的最佳實(shí)施例，但是應(yīng)懂得，本發(fā)明不限于這些具體實(shí)施例。本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以進(jìn)行各種修改。例如可以用其它具有相同功能的元件如運(yùn)算放大器代替源極跟隨器。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件，包括第一列線和靠近第一列線的第二列線，第一列線和第二列線的每一列線都從源極驅(qū)動(dòng)電路沿第一方向延伸；一條行線，從柵極驅(qū)動(dòng)電路沿第二方向延伸，至少第一電路元件和第二電路元件與第一列線電連接，其中第一電路元件與第二電路元件并聯(lián)連接；至少第三電路元件和第四電路元件與第二列線電連接，其中第三電路元件與第四電路元件并聯(lián)連接，以及其中第二電路元件和第三電路元件沿著第一方向定位。
2.一種顯示器件，包括第一列線和靠近第一列線的第二列線，第一列線和第二列線的每一列線都從源極驅(qū)動(dòng)電路沿第一方向延伸；一條行線，從柵極驅(qū)動(dòng)電路沿第二方向延伸，至少第一電路元件和第二電路元件與第一列線電連接，其中第一電路元件與第二電路元件并聯(lián)連接；至少第三電路元件和第四電路元件與第二列線電連接，其中第三電路元件與第四電路元件并聯(lián)連接，其中第一電路元件曾有的激光照射次數(shù)不同于第二電路元件曾有的激光照射次數(shù)，以及其中第三電路元件曾有的激光照射次數(shù)不同于第四電路元件曾有的激光照射次數(shù)。
3.一種顯示器件，包括第一列線和靠近第一列線的第二列線，第一列線和第二列線的每一列線都從源極驅(qū)動(dòng)電路沿第一方向延伸；一條行線，從柵極驅(qū)動(dòng)電路沿第二方向延伸，至少第一電路元件和第二電路元件與第一列線電連接，其中第一電路元件與第二電路元件并聯(lián)連接；至少第三電路元件和第四電路元件與第二列線電連接，其中第三電路元件與第四電路元件并聯(lián)連接，其中第二電路元件和第三電路元件沿著第一方向定位，其中第一電路元件曾有的激光照射次數(shù)不同于第二電路元件曾有的激光照射次數(shù)，以及其中第三電路元件曾有的激光照射次數(shù)不同于第四電路元件曾有的激光照射次數(shù)。
4.一種顯示器件，包括第一列線和靠近第一列線的第二列線，第一列線和第二列線的每一列線都從源極驅(qū)動(dòng)電路沿第一方向延伸；一條行線，從柵極驅(qū)動(dòng)電路沿第二方向延伸，至少第一電路元件和第二電路元件與第一列線電連接，其中第一電路元件與第二電路元件并聯(lián)連接；至少第三電路元件和第四電路元件與第二列線電連接，其中第三電路元件與第四電路元件并聯(lián)連接，其中第一電路元件曾有的激光照射次數(shù)是一次，而第二電路元件曾有的激光照射次數(shù)是兩次，以及其中第三電路元件曾有的激光照射次數(shù)是兩次，而第四電路元件曾有的激光照射次數(shù)是一次。
5.一種顯示器件，包括第一列線和靠近第一列線的第二列線，第一列線和第二列線的每一列線都從源極驅(qū)動(dòng)電路沿第一方向延伸；一條行線，從柵極驅(qū)動(dòng)電路沿第二方向延伸，至少第一電路元件和第二電路元件與第一列線電連接，其中第一電路元件與第二電路元件并聯(lián)連接；至少第三電路元件和第四電路元件與第二列線電連接，其中第三電路元件與第四電路元件并聯(lián)連接，其中第二電路元件和第三電路元件沿著第一方向定位，其中第一電路元件曾有的激光照射次數(shù)是一次，而第二電路元件曾有的激光照射次數(shù)是兩次，以及其中第三電路元件曾有的激光照射次數(shù)是兩次，而第四電路元件曾有的激光照射次數(shù)是一次。
6.如權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的顯示器件，其特征在于，所述第一至第四電路元件中的每一個(gè)都包括一個(gè)源極跟隨器。
7.如權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的顯示器件，其特征在于，所述第一至第四電路元件中的每一個(gè)都包括一個(gè)薄膜晶體管。
8.如權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的顯示器件，其特征在于，所述第一電路元件和所述第二電路元件都沿第二方向定位。
9.如權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的顯示器件，其特征在于，所述第三電路元件和所述第四電路元件都沿第二方向定位。
10.如權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的顯示器件，其特征在于，所述顯示器件是液晶顯示器件。
全文摘要
每根數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)保持控制信號(hào)提供給并聯(lián)在一起的多個(gè)源極跟隨器。并聯(lián)的源極跟隨器是至少一個(gè)只用激光照射一次的第一跟隨器和至少一個(gè)照射兩次的第二跟隨器的組合。用于結(jié)晶的激光照射的寬度等于源極跟隨器的間隔乘以一個(gè)不小于3的整數(shù)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1567405SQ20041005579
公開日2005年1月19日 申請(qǐng)日期1995年4月22日 優(yōu)先權(quán)日1994年4月22日
發(fā)明者小山潤(rùn), 河崎祐司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所