專利名稱：半穿透半反射式液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種液晶顯示裝置，特別是關(guān)于一種半穿透半反射式液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置因具有低輻射性、體積輕薄短小及耗電低等特點(diǎn)，所以在使用上日漸廣泛，并且隨著相關(guān)技術(shù)的成熟及創(chuàng)新，其種類也日益繁多。
根據(jù)液晶顯示裝置所利用光源的不同，其可分為穿透式液晶顯示裝置與反射式液晶顯示裝置。穿透式液晶顯示裝置須在液晶顯示面板背面設(shè)置一背光源以實(shí)現(xiàn)圖像顯示，但是背光源的耗能約占整個(gè)穿透式液晶顯示裝置耗能的一半，故穿透式液晶顯示裝置的耗能較大。反射式液晶顯示裝置能解決穿透式液晶顯示裝置耗能大的缺點(diǎn)，但是在光線較微弱的環(huán)境下很難實(shí)現(xiàn)圖像顯示。半穿透半反射式液晶顯示裝置能解決以上的問題。
請(qǐng)參閱圖1，是2002年12月10日公告的美國(guó)專利第6,493,051號(hào)所揭示的半穿透半反射式液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置1包括兩相對(duì)的透明上基板10與下基板20、一液晶層30夾于該上基板10與下基板20之間、一背光源裝置40設(shè)置在該下基板20相對(duì)上基板10的另一側(cè)。
一透明公共電極11設(shè)置在該上基板10的內(nèi)表面，一上延遲片14及一上偏光板15依次設(shè)置在該上基板10的外側(cè)表面。一像素電極21設(shè)置在該下基板20的內(nèi)側(cè)表面，其中該像素電極21包括穿透電極22與反射電極23，一下延遲片24、一下偏光板25及一反射膜26依次設(shè)置在該下基板20的外側(cè)表面，其中該反射膜26對(duì)應(yīng)像素電極21的穿透電極22區(qū)域設(shè)有一開口區(qū)域27。
該液晶顯示裝置1實(shí)現(xiàn)顯示工作時(shí)，背光源裝置40發(fā)出的一部分光41經(jīng)過開口區(qū)域27、穿透電極22和液晶層30出射，實(shí)現(xiàn)穿透顯示；外界光(圖未示)從上基板10入射至反射電極23被反射，再經(jīng)過液晶層30出射，實(shí)現(xiàn)反射顯示。
但是，該液晶顯示裝置1實(shí)現(xiàn)顯示工作時(shí)，背光源裝置40發(fā)出的另一部分光42入射至反射電極23或反射膜26上，被該反射電極23或反射膜26上反射至背光源裝置40，不能實(shí)現(xiàn)穿透顯示，因此該背光源裝置40的另一部分光42被耗費(fèi)，該液晶顯示裝置1的光利用率不高；該液晶顯示裝置1為了光的反射，在下基板20的外側(cè)表面使用反射膜26及在下基板20的內(nèi)側(cè)表面反射電極23，因此使該液晶顯示裝置1結(jié)構(gòu)復(fù)雜；該像素電極21的穿透電極22與反射電極23的材料不同，需不同制程條件下在不同制程步驟形成在下基板20上，因此使該液晶顯示裝置1制程復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置光利用率低、結(jié)構(gòu)復(fù)雜及制程復(fù)雜的缺陷，本發(fā)明提供一種光利用率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單及制程簡(jiǎn)單的半穿透半反射式液晶顯示裝置。
本發(fā)明還提供一種光利用率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單及制程簡(jiǎn)單的半穿透半反射式液晶顯示裝置。
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括第一基板、第二基板、一液晶層、一公共電極和一透明像素電極，該液晶層夾于該第一基板與該第二基板之間，該公共電極設(shè)置在第一基板的內(nèi)表面，該透明像素電極設(shè)置在第二基板的內(nèi)表面，其中第二基板的外表面設(shè)置有一反射組件，該反射組件上設(shè)置一開口。
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，包括第一基板、第二基板、一液晶層、一公共電極和一透明像素電極，該液晶層夾于該第一基板與該第二基板之間，該公共電極設(shè)置在第一基板的內(nèi)表面，該透明像素電極設(shè)置在第二基板的內(nèi)表面，其中第二基板的外表面設(shè)置有一偏光半反射組件。
和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的半穿透半反射式液晶顯示裝置具有如下優(yōu)點(diǎn)由于液晶顯示裝置的背光源裝置發(fā)出的大部分光可經(jīng)過反射組件的開口或者偏光半反射組件，均可用于穿透顯示，因此該液晶顯示裝置的光利用率高；該液晶顯示裝置僅搭配使用透明像素電極與反射組件或偏光半反射組件，以實(shí)現(xiàn)反射顯示，因此使該液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；該透明像素電極使用相同的透明材料，可在相同制程條件下一次形成在基板上，因此使該液晶顯示裝置制程簡(jiǎn)單。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第四實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2，是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置100包括兩相對(duì)的透明上基板110與下基板120，一液晶層130夾于該上基板110與下基板120之間，一背光源裝置140設(shè)置在下基板120相對(duì)上基板110的另一側(cè)。
一透明公共電極111設(shè)置在該上基板110的內(nèi)表面，一上延遲片114及一上偏光板115依次設(shè)置在該上基板110的外側(cè)表面。一像素電極121設(shè)置在該下基板120的內(nèi)側(cè)表面，一下延遲片124、一反射膜126及一下偏光板125依次設(shè)置在該下基板120的外側(cè)表面，其中該反射膜126設(shè)有一開口區(qū)域127。
該公共電極111與像素電極121的材料為氧化銦錫(Indium TinOxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)；該上延遲片114與下延遲片124為四分之一波片；該反射膜126為介電反射膜或高反射金屬膜，介電反射膜可使用氧化銦錫、二氧化鈦(TiO2)依次交錯(cuò)壓著而制成的薄膜，高反射金屬膜可使用金屬鋁；該反射膜126的開口區(qū)域127可使用透明樹脂材料填充。
該液晶顯示裝置100實(shí)現(xiàn)顯示工作時(shí)，背光源裝置140發(fā)出的大部分光141、142經(jīng)過開口區(qū)域127、像素電極121和液晶層130出射，實(shí)現(xiàn)穿透顯示；外界光(圖未示)從上基板110入射至反射膜126被反射，再經(jīng)過液晶層130出射，實(shí)現(xiàn)反射顯示。
由于液晶顯示裝置100的背光源裝置40發(fā)出的大部分光141、142均可用于穿透顯示，因此該液晶顯示裝置100的光利用率高；且該液晶顯示裝置100僅搭配使用透明像素電極121與反射膜126，以實(shí)現(xiàn)反射顯示，因此使該液晶顯示裝置100結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；該透明像素電極121使用相同的透明材料，可在相同制程條件下一次形成在下基板120上，因此使該液晶顯示裝置100制程簡(jiǎn)單。
請(qǐng)參閱圖3，是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置200包括兩相對(duì)的透明上基板210與下基板220，一液晶層230夾于該上基板210與下基板220之間，一背光源裝置240設(shè)置在下基板220相對(duì)上基板210的另一側(cè)。
一透明公共電極211設(shè)置在該上基板210的內(nèi)表面，一上延遲片214及一上偏光板215依次設(shè)置在該上基板210的外側(cè)表面。一像素電極221設(shè)置在該下基板220的內(nèi)側(cè)表面，一反射延遲膜226及一下偏光板225依次設(shè)置在該下基板220的外側(cè)表面，其中該反射延遲膜226設(shè)有一開口區(qū)域227。
該反射延遲膜226包括一金屬膜和延遲層，該延遲層可通過納米微影制程或者自我組成(Self Assembly)納米技術(shù)形成在金屬膜表面，該延遲層可對(duì)光有四分之一波長(zhǎng)的延遲。該反射延遲膜226的開口區(qū)域227可使用透明樹脂材料填充。
請(qǐng)參閱圖4，是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置300與本發(fā)明的液晶顯示裝置200結(jié)構(gòu)大致相同，其區(qū)別在于該液晶顯示裝置300還包括一彩色濾光片316，該彩色濾光片316設(shè)置在上基板310的內(nèi)表面，其包括第一部分317與第二部分318，該彩色濾光片316的第一部分317為與反射延遲膜326對(duì)應(yīng)的區(qū)域，第二部分318為與開口區(qū)域327對(duì)應(yīng)的區(qū)域，其中第一部分317上設(shè)有多個(gè)小孔319。
請(qǐng)參閱圖5，是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第四實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置400與本發(fā)明的液晶顯示裝置200結(jié)構(gòu)大致相同，其區(qū)別在于該液晶顯示裝置400還包括一彩色濾光片416，該彩色濾光片416設(shè)置在上基板410的內(nèi)表面，其包括第一部分417與第二部分418，該彩色濾光片416的第一部分417為與反射延遲膜426對(duì)應(yīng)的區(qū)域，第二部分418為與開口區(qū)域427對(duì)應(yīng)的區(qū)域，其中第二部分418的厚度大致為第一部分417厚度的二倍。
請(qǐng)參閱圖6，是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置500與本發(fā)明的液晶顯示裝置200結(jié)構(gòu)大致相同，其區(qū)別在于該液晶顯示裝置500還包括一彩色濾光片516，該彩色濾光片516設(shè)置在上基板510的內(nèi)表面，其包括第一部分517與第二部分518，該彩色濾光片516的第一部分517為與反射延遲膜526對(duì)應(yīng)的區(qū)域，第二部分518為與開口區(qū)域527對(duì)應(yīng)的區(qū)域，其中第二部分518的著色濃度大致為第一部分517著色濃度的二倍。
本發(fā)明第一實(shí)施方式中，該反射膜126可以通過低溫蒸鍍方式直接鍍?cè)谠撓缕獍?25的部分區(qū)域上，形成一偏光半反射組件；當(dāng)然，也可以通過納米微影制程或者自我組成納米技術(shù)在金屬膜表面上再形成一延遲層。本發(fā)明第二實(shí)施方式中，該金屬膜可以通過低溫蒸鍍方式直接鍍?cè)谠撓缕獍?25的部分區(qū)域上，然后該延遲層通過納米微影制程或者自我組成納米技術(shù)形成在金屬膜表面，形成一偏光半反射相位延遲組件。
本發(fā)明第三、四、五實(shí)施方式中，由于外界光(圖未示)需二次經(jīng)過彩色濾光片，背光源裝置發(fā)出的光一次經(jīng)過彩色濾光片，因此通過在彩色濾光片第一部分上設(shè)置小孔、第二部分的厚度大致為第一部分厚度的二倍或第二部分的著色濃度大致為第一部分著色濃度的二倍等方式，可使用在顯示的出射光的色度一致，有提高液晶顯示裝置顯示品質(zhì)的功效。
本發(fā)明第一、二實(shí)施方式中，由于液晶顯示裝置的背光源裝置發(fā)出的大部分光均可用于穿透顯示，因此該液晶顯示裝置的光利用率高；且該液晶顯示裝置搭配使用透明像素電極與反射膜或反射延遲膜，以實(shí)現(xiàn)反射顯示，因此使該液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；該透明像素電極使用相同的透明材料，可在相同制程條件下一次形成在下基板上，因此使該液晶顯示裝置制程簡(jiǎn)單。
權(quán)利要求
1.一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，包括第一基板、第二基板、一液晶層、一公共電極和一透明像素電極，該液晶層夾于該第一基板與該第二基板之間，該公共電極設(shè)置在第一基板的內(nèi)表面，該透明像素電極設(shè)置在第二基板的內(nèi)表面，其特征在于第二基板的外表面設(shè)置有一反射組件，該反射組件上設(shè)置一開口。
2.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該反射組件是一介電反射膜。
3.如權(quán)利要求2所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該反射組件與第二基板之間還設(shè)置有一四分之一波片。
4.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該反射組件是一高反射金屬膜。
5.如權(quán)利要求4所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該反射組件與第二基板之間還設(shè)置有一四分之一波片。
6.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該反射組件包括一金屬膜和一覆蓋該金屬膜的延遲層。
7.如權(quán)利要求6所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該延遲層通過納米微影制程形成于該金屬膜上。
8.如權(quán)利要求6所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該延遲層通過自我組成納米技術(shù)形成于該金屬膜上。
9.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該第一基板上還設(shè)置一彩色濾光片。
10.如權(quán)利要求9所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該彩色濾光片對(duì)應(yīng)反射組件的區(qū)域設(shè)置多個(gè)小孔。
11.如權(quán)利要求9所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該彩色濾光片對(duì)應(yīng)開口部分的厚度是該彩色濾光片對(duì)應(yīng)反射組件部分厚度的二倍。
12.如權(quán)利要求9所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該彩色濾光片對(duì)應(yīng)開口部分的著色濃度是該彩色濾光片對(duì)應(yīng)反射組件部分著色濃度的二倍。
13.一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，包括第一基板、第二基板、一液晶層、一公共電極和一透明像素電極，該液晶層夾于該第一基板與該第二基板之間，該公共電極設(shè)置在第一基板的內(nèi)表面，該透明像素電極設(shè)置在第二基板的內(nèi)表面，其特征在于第二基板的外表面設(shè)置有一偏光半反射組件。
14.如權(quán)利要求13所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該偏光半反射組件包括一偏光片及一反射膜。
15.如權(quán)利要求14所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該反射膜是通過低溫蒸鍍方式鍍于該偏光板的部分區(qū)域上。
16.如權(quán)利要求15所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該反射膜上還設(shè)置有一延遲層。
17.如權(quán)利要求16所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該延遲層通過納米微影制程形成在該反射膜上。
18.如權(quán)利要求16所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該延遲層通過自我組成納米技術(shù)形成在該反射膜上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括第一基板、第二基板、一液晶層、一公共電極和一透明像素電極，該液晶層夾于該第一基板與該第二基板之間，該公共電極設(shè)置在第一基板的內(nèi)表面，該透明像素電極設(shè)置在第二基板的內(nèi)表面，其中第二基板的外表面設(shè)置有一反射組件，該反射組件上設(shè)置一開口。
文檔編號(hào)G02B1/10GK1749821SQ20041005156
公開日2006年3月22日 申請(qǐng)日期2004年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月17日
發(fā)明者張仁淙 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司