專利名稱：基板處理方法和基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在半導(dǎo)體晶片和液晶顯示器(LCD)用基板(基底)上形成既定的電路圖案的光刻法中使用的基板處理方法和基板處理裝置。
背景技術(shù)：
基板處理裝置例如在美國專利6,444,029B1號(hào)公報(bào)中公開的。參照圖1對現(xiàn)有裝置內(nèi)的主傳送機(jī)構(gòu)和半導(dǎo)體晶片的活動(dòng)進(jìn)行說明。兩個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)15A、15B在來的路上按盒子載物臺(tái)11->TRS1->CPL1->涂敷部件(COT)->TRS2->LHP1->CPL2->接口部1B的順序協(xié)同地傳送晶片W。接著，主傳送機(jī)構(gòu)15A、15B反轉(zhuǎn)后改變方向，在回去的路上按接口部1B->PEB->CPL3->顯影部件(DEV)->LHP2->TRS3->TRS4->盒子載物臺(tái)11的順序協(xié)同地傳送晶片W。TRS1、TRS4是用于在輔助傳送機(jī)構(gòu)(未圖示)和主傳送機(jī)構(gòu)15A之間進(jìn)行晶片交付的交付部件。TRS2、TRS3是用于在主傳送機(jī)構(gòu)15A、15B相互之間進(jìn)行晶片交付的交付部件。
一個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)15A在處理部1A內(nèi)沿TRS1->CPL1->涂敷部件(COT)->TRS2->TRS3->TRS4->TRS1的循環(huán)路徑移動(dòng)。主傳送機(jī)構(gòu)15A繞該循環(huán)路徑一周稱為“主傳送機(jī)構(gòu)15A的1次循環(huán)移動(dòng)”。另一個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)15B在處理部1A內(nèi)沿TRS2->LHP1->CPL2->PER->CPL3->顯影部件(DEV)->LHP2->TRS3->TRS2的循環(huán)路徑移動(dòng)。主傳送機(jī)構(gòu)15B繞該循環(huán)路徑一周稱為“主傳送機(jī)構(gòu)15B的1次循環(huán)移動(dòng)”。這些主傳送機(jī)構(gòu)15A、15B的循環(huán)移動(dòng)中的動(dòng)作由控制部的既定程序控制，在循環(huán)路徑內(nèi)不后退地反復(fù)前進(jìn)和停止。
另外，主傳送機(jī)構(gòu)15A、15B具備對于處理部件用于使晶片W出入處理部件的上下2個(gè)臂。例如，主傳送機(jī)構(gòu)15A從TRS1接收第n個(gè)晶片Wn后向下一個(gè)工序的CPL1傳送，1次循環(huán)移動(dòng)循環(huán)路徑直至TRS1后返回，從TRS1接收下一個(gè)第(n+1)個(gè)晶片W(n+1)。
這樣，在一個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)15A每1次循環(huán)移動(dòng)中，晶片W就通過TRS1一個(gè)一個(gè)地從盒子部11被送入處理部1A內(nèi)。而且，在主傳送機(jī)構(gòu)15A每1次循環(huán)移動(dòng)中，晶片W通過TRS4一個(gè)一個(gè)地從處理部1A向盒子部11被送出。
另一方面，在另一個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)15B每1次循環(huán)移動(dòng)中，晶片W一個(gè)一個(gè)地通過CPL1被交付給接口部1B。而且，在主傳送機(jī)構(gòu)15B每一次循環(huán)移動(dòng)中，通過PEB部件從接口部1B一個(gè)一個(gè)地接收晶片W。通過順次反復(fù)這些動(dòng)作，對所有批量的晶片W進(jìn)行規(guī)定的處理。
例如，通過涂敷部件(COT)，在晶片W上旋涂抗蝕劑。這時(shí)，通過泵將槽內(nèi)的抗蝕液(resist solution)壓送給供給管路，通過供給管路將抗蝕液提供給噴嘴。于是，在停止向晶片W供給抗蝕液時(shí)，抗蝕液在噴嘴和供給管路內(nèi)長期滯留，抗蝕液的特性改變(主要是溶劑揮發(fā)，抗蝕劑的粘性變化)。因此，在先行批量和后續(xù)批量之間，即不給晶片W涂敷抗蝕劑期間，進(jìn)行從噴嘴和供給路內(nèi)排出滯留的抗蝕液的所謂虛分配(Dummy Dispense)。在顯影部件(DEV)中也同樣實(shí)施虛分配。
另外，如上所述，主傳送機(jī)構(gòu)15A、15B在循環(huán)路徑內(nèi)不后退地僅作前進(jìn)和停止的動(dòng)作。于是，在涂敷部件(COT)中實(shí)施虛分配時(shí)，在虛分配結(jié)束之前的期間內(nèi)，主傳送機(jī)構(gòu)15A在涂敷部件(COT)處停止，變成等待狀態(tài)。與此相同地，在顯影部件(DEV)中實(shí)施虛分配的情況下，另一個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)15B在顯影部件(DEV)處停止，變成等待狀態(tài)。
在涂敷部件(COT)中，以在先行批量A(1個(gè)批量晶片25枚)和后續(xù)批量B之間進(jìn)行虛分配的情況為例進(jìn)行洗明。在完成對先行批量A的最后的晶片A25的抗蝕液涂敷時(shí)，主傳送機(jī)構(gòu)15A用一個(gè)臂從前一工序的CPL1中取出后續(xù)批量B的開頭晶片B01，用另一個(gè)臂從涂敷部件(COT)中取出晶片A25。
另一方面，先行批量A的晶片A24進(jìn)入涂敷部件(COT)的下一工序TRS2中。該晶片A24通過另一個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)15B被傳送給下一工序LHP1，因此，在從TRS2中取出晶片A24之后，主傳送機(jī)構(gòu)15A用另一個(gè)臂將晶片A25交付給TRS2。
接著，主傳送機(jī)構(gòu)15A的一個(gè)臂準(zhǔn)備將晶片B01交付給涂敷部件。其中，在涂敷部件(COT)處進(jìn)行虛分配的情況下，因?yàn)椴荒軐⒕珺01送入涂敷部件(COT)處，所以主傳送機(jī)構(gòu)15A處于持有晶片B01的等待狀態(tài)。由此，通過主傳送機(jī)構(gòu)15A的晶片B01的傳送停滯。
即使假定主傳送機(jī)構(gòu)15A在虛分配之前將晶片B01送入涂敷部件(COT)，結(jié)果，在實(shí)施虛分配期間以及在晶片B01上涂敷抗蝕液期間，主傳送機(jī)構(gòu)15A也是停止的。這樣，主傳送機(jī)構(gòu)15A的停止時(shí)間會(huì)由于在涂敷部件(COT)處進(jìn)行虛分配的所需時(shí)間而變得過長。在顯影部件(DEV)中進(jìn)行虛分配的情況下，主傳送機(jī)構(gòu)15B中也發(fā)生同樣的問題。因此，整體來看，處理部1A內(nèi)主傳送機(jī)構(gòu)15A、15B相互之間的晶片W交付不平滑，變成阻礙處理能力提高的主要原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種基板處理方法和基板處理裝置，即使在液體處理部件(抗蝕液涂敷部件、顯影部件、BARC涂敷部件等)中進(jìn)行虛分配時(shí)，也能在多個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)相互之間平滑地交付基板，使處理能力提高。
本發(fā)明的基板處理方法是通過交付機(jī)構(gòu)以每個(gè)既定循環(huán)時(shí)間的定時(shí)將基板一個(gè)一個(gè)地從盒子部交付給處理部，上述盒子部具有容納構(gòu)成批量的多個(gè)基板的盒子，上述處理部包含多個(gè)液體處理部件和基板傳送機(jī)構(gòu)，通過上述基板傳送機(jī)構(gòu)沿上述處理部的循環(huán)路徑順序地(in sequence)傳送基板，對基板順序地(in sequence)進(jìn)行多個(gè)處理，將處理后的基板從上述處理部傳送到上述盒子部中，在先行批量基板處理和后續(xù)批量基板處理之間的時(shí)間內(nèi)，在至少一個(gè)上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配，其特征在于，(i)通過上述交付機(jī)構(gòu)將上述先行批量最末尾的基板從上述盒子部交付給上述處理部之后，使上述后續(xù)批量開頭的基板的交付僅停止上述循環(huán)時(shí)間的整數(shù)倍的期間，(ii)在上述基板交付停止期間內(nèi)，在上述液體處理部件中進(jìn)行既定的虛分配時(shí)間的虛分配，(iii)在上述虛分配之后，通過上述交付機(jī)構(gòu)將上述后續(xù)批量開頭的基板交付給上述處理部。
本發(fā)明的基板處理方法還包括(iv)分別制作用于控制上述交付機(jī)構(gòu)、上述基板傳送機(jī)構(gòu)和上述液體處理部件的各個(gè)動(dòng)作的配方和規(guī)定初始條件的配方，將制作好的上述配方存儲(chǔ)起來，(v)從存儲(chǔ)的上述配方中選擇需要的配方，(vi)根據(jù)所選的上述配方分別設(shè)定上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間，(vii)根據(jù)上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間求出上述基板交付停止期間，(viii)分別用上述基板交付停止期間、上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間控制上述交付機(jī)構(gòu)、上述基板傳送機(jī)構(gòu)和上述液體處理部件的動(dòng)作，由此在上述基板交付停止期間內(nèi)，在至少1個(gè)上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配。
本發(fā)明的基板處理裝置，其特征在于，具有盒子部，使容納構(gòu)成批量的多個(gè)基板的盒子出入；處理部，對基板順序地(in sequence)進(jìn)行多個(gè)處理；多個(gè)液體處理部件，設(shè)在上述處理部中，用既定的處理液處理基板；交付機(jī)構(gòu)，從上述盒子部的盒子中取出基板，將該基板交付給上述處理部；基板傳送機(jī)構(gòu)，交付來自上述交付機(jī)構(gòu)的基板，在上述處理部內(nèi)順序地(insequence)傳送基板，將基板送給上述盒子部；循環(huán)路徑，設(shè)在上述處理部內(nèi)，上述基板傳送機(jī)構(gòu)在其上循環(huán)移動(dòng)；控制部，制作分別規(guī)定上述交付機(jī)構(gòu)、上述基板傳送機(jī)構(gòu)和上述液體處理部件的動(dòng)作的配方(recipe)，根據(jù)上述配方求出循環(huán)時(shí)間和虛分配時(shí)間，根據(jù)上述配方、上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間求出基板交付停止時(shí)間，在該基板交付停止期間內(nèi)停止從上述盒子部向上述處理部交付后續(xù)批量的基板，在該基板交付停止期間內(nèi)，在上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配，之后，通過上述交付機(jī)構(gòu)使上述后續(xù)批量的基板交付給上述處理部。
上述控制部具有配方制作部，制作分別規(guī)定上述交付機(jī)構(gòu)、上述基板傳送機(jī)構(gòu)和上述液體處理部件的動(dòng)作的配方；配方存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)由上述配方制作部制作的配方；配方選擇部，選擇并調(diào)用存儲(chǔ)在上述配方存儲(chǔ)部的配方；循環(huán)時(shí)間計(jì)算部，根據(jù)上述配方算出上述循環(huán)時(shí)間；虛分配計(jì)算部，根據(jù)上述配方算出上述虛分配時(shí)間；交付停止期間計(jì)算部，根據(jù)上述配方、上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間算出上述基板交付停止期間；計(jì)數(shù)部，計(jì)數(shù)處理完的基板個(gè)數(shù)；虛分配判斷部，根據(jù)上述處理基板計(jì)數(shù)數(shù)和上述交付停止期間決定虛分配的執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)。
在本發(fā)明中，僅在既定期間停止從盒子部向處理部交付基板，在停止期間內(nèi)，因?yàn)樵谝后w處理部件處執(zhí)行虛分配，所以基板不滯留在循環(huán)路徑中。因此，例如避免從了加熱裝置中取出基板延遲、抗蝕膜在加熱裝置內(nèi)的過度烘焙。
這里所謂“循環(huán)時(shí)間”，指的是不管是否持有基板，基板傳送機(jī)構(gòu)(主傳送機(jī)構(gòu))繞循環(huán)路徑一周直至返回出發(fā)點(diǎn)的時(shí)間。換言之，“循環(huán)時(shí)間”在持有基板的情況下，是從盒子內(nèi)的第n個(gè)基板從交付機(jī)構(gòu)交付給基板傳送機(jī)構(gòu)開始直至下一個(gè)的盒子內(nèi)的第(n+1)個(gè)基板從交付機(jī)構(gòu)交付給基板傳送機(jī)構(gòu)為止的時(shí)間。
所謂“虛分配時(shí)間”指的是液體處理部件中從噴嘴將處理液排出廢棄的時(shí)間和噴嘴移動(dòng)時(shí)間的總和。
所謂“順序(正確)地(in sequence)處理基板”指的是按照既定配方所規(guī)定的順序先對基板進(jìn)行先行處理，之后進(jìn)行后續(xù)處理。這意味著不含不符合既定處理配方所規(guī)定順序的基板處理，例如不含在處理部內(nèi)先行處理和后續(xù)處理的順序顛倒的情況。
所謂“順序(正確)地(in sequence)地傳送基板”指的是基板傳送機(jī)構(gòu)按照既定配方所規(guī)定的順序在循環(huán)路徑內(nèi)反復(fù)前進(jìn)和停止，順向傳送基板。這意味著不含不符合既定傳送配方所規(guī)定的順序的基板傳送，例如不含基板傳送機(jī)構(gòu)在循環(huán)路徑內(nèi)后退逆向傳送基板的情況。
“基板交付停止期間”指的是停止從盒子部向處理部交付基板的期間。換言之，該期間是交付機(jī)構(gòu)不向基板傳送機(jī)構(gòu)交付基板的期間，也可以說是在基板傳送機(jī)構(gòu)不持有基板的狀態(tài)下，沿循環(huán)路徑移動(dòng)循環(huán)時(shí)間的整數(shù)倍時(shí)間的空循環(huán)傳送期間。該期間(空循環(huán)次數(shù))根據(jù)由既定配方提供的循環(huán)時(shí)間和虛分配時(shí)間來算出。例如，循環(huán)時(shí)間為A秒、虛分配時(shí)間為B秒時(shí)，首先，求出滿足不等式A×x＜B關(guān)系的整數(shù)x(包含0)。然后，在整數(shù)x上加1，求出(x+1)。該整數(shù)(x+1)相當(dāng)于晶片交付停止次數(shù)。將循環(huán)時(shí)間整數(shù)(x+1)倍時(shí)變成基板交付停止期間。
操作者根據(jù)存儲(chǔ)配方預(yù)測虛分配時(shí)間，可根據(jù)該預(yù)測的虛分配時(shí)間確定基板交付停止期間。
虛分配的執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)使用批量間間隔(Interval betweenlots)、批量間時(shí)間間隔(Time interval between lots)、最低處理個(gè)數(shù)(Minimumwafer count)中的任一個(gè)來控制。而且，可將虛分配的執(zhí)行定時(shí)作為處理配方變更時(shí)間。
從上次虛分配之后開始計(jì)數(shù)基板的連續(xù)處理個(gè)數(shù)，根據(jù)計(jì)數(shù)數(shù)，可判斷是否進(jìn)行下次的虛分配。在這種情況下，基板的連續(xù)處理個(gè)數(shù)的計(jì)數(shù)可在處理部或盒子部處進(jìn)行。
從上次虛分配之后開始計(jì)數(shù)基板的連續(xù)處理時(shí)間，根據(jù)該計(jì)數(shù)時(shí)間，可判斷是否進(jìn)行下次的虛分配。
檢測先行批量的最末尾的基板是否還在上述處理部內(nèi)，根據(jù)檢測結(jié)果判斷是否進(jìn)行下次的虛分配。
而且，為了檢測先行批量的最末尾的基板和后續(xù)批量的開頭的基板位于哪個(gè)工序中，計(jì)數(shù)上述處理部中實(shí)際流動(dòng)的基板，可根據(jù)計(jì)數(shù)結(jié)果判斷是否進(jìn)行下次的虛分配。
為了不使虛分配時(shí)排放的液體的霧氣或蒸汽對基板造成惡劣影響，優(yōu)選在基板不位于涂敷部件和顯影部件中時(shí)執(zhí)行虛分配。


圖1是現(xiàn)有裝置內(nèi)的基板的傳送路徑的平面模式圖；圖2是顯示基板處理裝置的概要的平面圖；圖3是顯示基板處理裝置的概要的透視圖；圖4是基板處理裝置的擱板部件部分的側(cè)面模式圖；圖5是本發(fā)明裝置內(nèi)的基板的傳送路徑的平面模式圖；圖6是基板處理裝置的涂敷裝置部分的截面模式圖；圖7是基板控制裝置的控制部和各部分的控制器的控制方框圖；圖8是控制部的配方存儲(chǔ)部的概念圖；圖9模式地示出了虛分配的執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)的時(shí)序圖；圖10A是顯示本發(fā)明方法的實(shí)施例(插入1次虛分配)的圖表，圖10B是顯示本發(fā)明方法的另一個(gè)實(shí)施例(插入2次虛分配)的圖表；圖11A、11B是在計(jì)算機(jī)向控制器發(fā)出虛分配執(zhí)行指令之前在計(jì)算機(jī)內(nèi)部預(yù)先進(jìn)行軟件處理的控制流程圖；圖12是用于說明與虛分配有關(guān)的主要功能的方框概念圖；圖13是一例虛分配配方編輯畫面的模式圖；圖14是一例虛分配動(dòng)作順序設(shè)定畫面的模式圖。
具體實(shí)施例方式
首先，參照圖2、3對實(shí)施上述本發(fā)明的基板處理方法的基板處理裝置的一例的概要進(jìn)行說明。如圖2、3所示，基板處理裝置具有盒子站21，輔助傳送機(jī)構(gòu)24，2個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B，處理部S1，第一接口部S2，第二接口部S3，和控制部6。盒子站21具有載置部22，在該載置部22中沿Y軸以等縱向間距最多載置4個(gè)盒子C。盒子C是有可開閉的蓋的密閉容納型，其中例如最多容納13個(gè)12英寸大小的晶片W。
從載置部22看，設(shè)有設(shè)置在前方壁面上的開閉部23和、用于通過開閉部23從盒子C中取出晶片W的輔助傳送機(jī)構(gòu)24。輔助傳送機(jī)構(gòu)24構(gòu)成為臂可升降自由、前后左右自由移動(dòng)且繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)，根據(jù)來自控制部6的指令由控制器40(參考圖6)控制驅(qū)動(dòng)。
被框體包圍周圍的處理部S1連接到盒子站21內(nèi)側(cè)，在處理部S1中設(shè)置成從面前側(cè)開始順次多級化加熱·冷卻系統(tǒng)的部件的3個(gè)擱板部件25(25A、25B、25C)和后述用于液體處理部件間晶片W交付的2個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)26(26A、26B)交互配列。主傳送機(jī)構(gòu)26(26A、26B)例如分別具有2個(gè)臂27，該臂27構(gòu)成為能自由升降、前后左右自由移動(dòng)且繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)，根據(jù)來自控制部6的指令由控制器40(參考圖6)控制驅(qū)動(dòng)。
從盒子站21側(cè)面看，擱板部件25(25A、25B、25C)和主傳送機(jī)構(gòu)26(26A、26B)配列成前后一列，在各個(gè)連接部位G上形成未圖示的晶片傳送用開口部，因此，在該處理部S1內(nèi)，晶片W能從一端側(cè)的擱板部件25A自由移動(dòng)至另一端側(cè)的擱板部件25C。
主傳送機(jī)構(gòu)26(26A、26B)放置在由從盒子站21看配置在前后方向上的擱板部件25(25A、25B、25C)側(cè)的一個(gè)面、例如右側(cè)的液體處理裝置側(cè)的一個(gè)面、和形成左側(cè)的一個(gè)面的背面部分所構(gòu)成的分隔壁包圍的空間內(nèi)。
在主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B的擱板部件25A、25B、25C不連接的部位例如前述的右側(cè)面部分上，設(shè)置涂敷裝置4A和顯影裝置4B等將液體處理裝置多級化的液體處理部件28A、28B。如圖3所示，這些液體處理部件28A、28B中，容納涂敷裝置4A等的處理容器29層積成多個(gè)級(例如5級)，在該處理容器29的基板傳送裝置側(cè)的側(cè)面上，形成傳送口29a，以便在晶片W出入時(shí)臂27可進(jìn)入，在傳送口29a中設(shè)置未圖示的閘板。
如圖4所示，擱板部件25(25A、25B、25C)具有多個(gè)交付部件TRS1、TRS2、TRS3、TRS4，多個(gè)加熱部件LHP1、LHP2和多個(gè)冷卻部件CPL1、CPL2、CPL3。交付部件TRS1～TRS4分別具備用于進(jìn)行晶片交付的交付臺(tái)。加熱部件LHP1、LHP2在涂敷抗蝕劑后或涂敷顯影液后對晶片進(jìn)行加熱。冷卻部件CPL1、CPL2、CPL3在涂敷抗蝕劑前后或在顯影處理前對晶片進(jìn)行冷卻處理。加熱部件(PEB)等例如分割為上下10級。這里，TRS1、TRS4用于在盒子站21和處理部S1之間交付晶片，TRS2、TRS3用于在2個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B彼此之間交付晶片。
在本實(shí)施例中，交付部件TRS1、TRS2、TRS3、TRS4、加熱部件LHP1、LHP2、冷卻部件CPL1、CPL2、CPL3、加熱部件PEB和加熱部件相當(dāng)于“處理部件”。交付部件TRS1、TRS4、加熱部件PEB、輔助傳送機(jī)構(gòu)24相當(dāng)于“交付機(jī)構(gòu)”。交付部件TRS1～TRS4不僅進(jìn)行基板的交付，而且兼用于基板的加熱·冷卻。
在這種處理部S1中，曝光裝置S4通過第一接口部S2和第二接口部S3連接到擱板部件25C的內(nèi)側(cè)。第一接口部S2構(gòu)成為升降自由且繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)，如后述，具有輔助傳送機(jī)構(gòu)31，對于處理部S1的擱板部件25C的CPL2和PEB進(jìn)行晶片的交付；擱板部件32A，周邊曝光裝置、和用于一次容納送入曝光裝置S4的晶片的輸入用緩沖盒子、和用于一次容納從曝光裝置S4送出的晶片的輸出用緩沖盒子配置成多級；擱板部件32B，晶片的交付部件和高精度調(diào)溫部件配置成多級。
在第二接口部S3中設(shè)置有在大致水平方向上自由移動(dòng)、升降自由且繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成的輔助傳送機(jī)構(gòu)33，由此，對于第一接口S1的交付部件和高精度調(diào)溫部件、曝光裝置S4的輸入臺(tái)34和輸出臺(tái)35進(jìn)行晶片的交付。
下面，對處理部S1內(nèi)主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B的動(dòng)作進(jìn)行說明。如圖5所示，2個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B這樣移動(dòng)以TRS1->CPL1->涂敷單元(COT)->TRS2->LHP1->CPL2的順序從盒子站21向第一接口部S2傳送晶片W，之后，以PEB->CPL3->顯影單元(DEV)->LHP2->TRS3->TRS4的順序從第一接口部S2向盒子站21傳送晶片。此外，在處理部S1和第一接口部S2之間，通過CPL2和PEB進(jìn)行晶片W的交付。
如圖5中虛線所示，一個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)26A以TRS1->CPL1->COT->TRS2->TRS3->TRS4->TRS1的順序傳送晶片W，另一個(gè)主傳送機(jī)構(gòu)26B以TRS2->LHP1->CPL2->PEB->CPL3->DEV->LHP2->TRS3->TRS2的順序傳送晶片W。因此，如圖4所示，TRS1、TRS4配置在擱板部件25A中，TRS2、TRS3配置在擱板部件25B中，CPL2和PEB配置在擱板部件25C中，CPL1配置在擱板部件25A或擱板部件25B中，LHP1、LHP2配置在擱板部件25B或擱板部件25C中。
對本裝置內(nèi)晶片的流動(dòng)進(jìn)行說明。首先，將容納來自外部的晶片W的盒子C送入盒子站21時(shí)，和開閉部23一起卸下盒子C的蓋，通過輔助傳送機(jī)構(gòu)24取出晶片W。接著，通過作為擱板部件25A的一個(gè)部分的交付部件(TRS1)將晶片W從輔助傳送機(jī)構(gòu)24交付給主傳送機(jī)構(gòu)26A，之后，通過主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B以TRS1->CPL1->COT->TRS2->LHP1->CPL2的順序傳送晶片，經(jīng)CPL2將涂敷有抗蝕液的晶片送給第一接口部S2。
晶片在第一接口部S2內(nèi)，通過輔助傳送機(jī)構(gòu)31以輸入用緩沖盒子->周邊曝光裝置->高精度調(diào)溫部件的順序傳送，經(jīng)擱板部件32B的交付部件傳送給第二接口部S3，通過第二接口部S3的輔助傳送機(jī)構(gòu)33經(jīng)曝光裝置S4的輸入臺(tái)34傳送給曝光裝置S4，進(jìn)行曝光。
曝光后，晶片經(jīng)第二接口部S3->第一接口部S2并經(jīng)處理部S1的PEB傳送至處理部S1，以PEB->CPL3->DEV->LHP2->TRS3->TRS4的順序傳送。
第一主傳送機(jī)構(gòu)26A通過TRS1將批量的第n個(gè)晶片Wn傳送給下一工序的CPL1，接著，以COT->TRS2->TRS3->TRS4->TS1的順序通過，再次返回TRS1(1個(gè)循環(huán))，通過TRS1將下面的第(n+1)個(gè)晶片Wn+1傳送給CPL1。在該1個(gè)循環(huán)期間，第二主傳送機(jī)構(gòu)26B將TRS2的晶片傳送給下一工序的LHP1，接著，以CPL2->PEB->CPL3->DEV->LHP2->TRS3->TRS2的路徑在1個(gè)循環(huán)時(shí)間之后返回TRS2，通過TRS2將下一個(gè)晶片傳送給LHP1。
對圖6所示的涂敷裝置4A的情況進(jìn)行說明。旋壓卡盤41可通過包含電動(dòng)機(jī)和升降部的驅(qū)動(dòng)部42大致繞垂直軸旋轉(zhuǎn)，并且可升降。在旋壓卡盤41的周圍設(shè)置有包圍從晶片W跨越旋壓卡盤41的部分、并且形成橫亙下方側(cè)四周的凹部的液體接收杯43，在液體接收杯43的底面上連接排氣管44和排水管45。
在液體接收杯43的上方側(cè)設(shè)置抗蝕液的供給噴嘴46，該供給噴嘴46通過未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)在晶片W的中央部上方和上述液體接收杯43外側(cè)的等待部48之間移動(dòng)。供給噴嘴46通過安裝有用于向噴嘴46壓送抗蝕液的泵P和閥V的供給管路49與作為抗蝕液供給源的抗蝕液槽50連通。
在等待部48中設(shè)置用于儲(chǔ)存作為清洗液的沖淡劑的清洗槽51。該清洗槽51具有向該清洗槽51內(nèi)提供清洗液的清洗液供給管52，和用于排泄清洗槽內(nèi)的清洗液等的排出管53。
在該等待部48中，在虛分配時(shí)，從供給噴嘴46向清洗槽51內(nèi)排出抗蝕液，該排出的抗蝕液從排出管53排放，在供給噴嘴46等待時(shí)，將噴嘴46浸漬到裝滿清洗液的清洗槽51內(nèi)，清洗噴嘴46。
這樣，主傳送機(jī)構(gòu)26A將晶片W送入涂敷裝置4A，移載到旋壓卡盤41上。接著，在晶片W上旋涂抗蝕劑。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)部42和閥V、泵P的動(dòng)作由控制器40控制。驅(qū)動(dòng)部42和閥V的開關(guān)、泵P動(dòng)作的開始、停止時(shí)間、旋壓卡盤41的旋轉(zhuǎn)次數(shù)、抗蝕液的排出量等諸條件由后述的控制部6設(shè)定，從控制部6指示給控制器40A。
下面，參照圖7對控制部6進(jìn)行說明。
控制部6制作和管理各處理部件的配方，同時(shí)根據(jù)它們的配方控制各處理部件。控制部6具有配方制作部61，配方存儲(chǔ)部62，配方選擇部63，循環(huán)時(shí)間計(jì)算部64，虛分配時(shí)間計(jì)算部65，交付停止次數(shù)計(jì)算部66，計(jì)數(shù)部67，虛分配判斷部68。這些各個(gè)部61～68通過系統(tǒng)總線B1相互連接。
而且，為了給主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B，輔助傳送機(jī)構(gòu)24，涂敷裝置4A和顯影裝置4B，設(shè)在擱板部件25A～25C中的CPL、LHP、PEB等加熱冷卻系統(tǒng)部件54發(fā)送控制信號(hào)，控制部6與各控制器260、240、40A、40B、540連接。
在配方制作部61中，可輸入將抗蝕劑的種類和顯影液的種類、加熱溫度和時(shí)間、冷卻溫度和時(shí)間、抗蝕液的涂敷時(shí)間、顯影時(shí)間、虛分配的定時(shí)、1個(gè)批量的晶片個(gè)數(shù)等處理?xiàng)l件組合起來的處理配方。配方制作部61包含圖13、14所示的多個(gè)配方編輯畫面。用配方制作部61制作的各配方存儲(chǔ)在配方存儲(chǔ)部62中。
如圖8所示，配方存儲(chǔ)部62存儲(chǔ)處理配方71、晶片傳送配方72、泵配方73、虛分配配方74等。
在配方選擇部63中，操作人員根據(jù)要完成的處理，基于在操作畫面上輸入的數(shù)據(jù)，從處理配方71、傳送配方72、泵配方73、虛分配配方74中進(jìn)行選擇。
在本實(shí)施例中，循環(huán)時(shí)間計(jì)算部64能計(jì)算向涂敷部件COT傳送晶片的主傳送機(jī)構(gòu)26A的循環(huán)時(shí)間。這里所謂“循環(huán)時(shí)間”指的是從將盒子站21的盒子C內(nèi)第n個(gè)晶片交付給主傳送機(jī)構(gòu)26A開始到將下一個(gè)第(n+1)個(gè)晶片交付給主傳送機(jī)構(gòu)26A為止的時(shí)間。具體地說，指的是主傳送機(jī)構(gòu)26A接收通過輔助傳送機(jī)構(gòu)24從盒子C交付給處理部S1的TRS1的第n個(gè)晶片，晶片以既定路徑在處理部S1內(nèi)移動(dòng)，直至主傳送機(jī)構(gòu)26A再次在TRS1中接收從盒子站21交付給TRS1的第(n+1)個(gè)晶片的時(shí)間。該循環(huán)時(shí)間根據(jù)由配方選擇部63選擇的處理配方71和傳送配方72算出。循環(huán)時(shí)間例如為30秒。
虛分配時(shí)間計(jì)算部65能計(jì)算涂敷裝置的虛分配時(shí)間。虛分配時(shí)間根據(jù)由配方選擇部63選擇的泵配方73和虛分配配方74算出。虛分配時(shí)間例如為20秒(或40秒)。
晶片交付停止次數(shù)計(jì)算部66具有這樣的功能在液體處理部件中，在先行批量和后續(xù)批量之間進(jìn)行虛分配的情況下，在處于盒子站21中的先行批量的最后的晶片A25交付給主傳送機(jī)構(gòu)26A后，計(jì)算停止向基板傳送裝置交付后續(xù)批量的最初的晶片B01的期間次數(shù)。
在本實(shí)施例中，“晶片交付停止期間(循環(huán)次數(shù))”指的是停止從盒子站21向TRS1交付晶片的期間(循環(huán)次數(shù))。該晶片交付停止期間(循環(huán)次數(shù))根據(jù)由既定配方提供的循環(huán)時(shí)間和虛分配時(shí)間來算出。例如循環(huán)時(shí)間為A秒、虛分配時(shí)間為B秒時(shí)，首先求出滿足不等式A×x＜B關(guān)系的整數(shù)x(包含0)。接著，在整數(shù)x上加1求出(x+1)。該(x+1)次為晶片交付停止次數(shù)，即主傳送機(jī)構(gòu)26A不傳送晶片的晶片交付停止期間。
顯示具體的數(shù)值來說明。循環(huán)時(shí)間A為30秒、虛分配時(shí)間B為20秒時(shí)，循環(huán)時(shí)間A比虛分配時(shí)間B長，因此，不等式A×x＜B的關(guān)系不成立。這樣，x＝0，晶片交付停止次數(shù)(x+1)為1次。晶片交付停止次數(shù)為1次的情況下，主傳送機(jī)構(gòu)26A的晶片傳送配方變成如圖10A所示。圖中，標(biāo)號(hào)DD所示的是虛分配。循環(huán)時(shí)間A和虛分配時(shí)間B是相同的時(shí)間(A＝B)時(shí)，不等式A×x＜B的關(guān)系不成立，因此，晶片交付停止次數(shù)為1次。
循環(huán)時(shí)間A為30秒、虛分配時(shí)間B為40秒時(shí)，循環(huán)時(shí)間A比虛分配時(shí)間B短，因此，不等式A×x＜B的關(guān)系成立。這樣，x＝1，晶片交付停止次數(shù)(x+1)為2次。晶片交付停止次數(shù)為2次的情況下，主傳送機(jī)構(gòu)26A的晶片傳送配方變成如圖10B所示。
計(jì)數(shù)部67具有計(jì)數(shù)處理部S1中晶片的處理個(gè)數(shù)的功能。例如，在從盒子站21的輔助傳送機(jī)構(gòu)24向處理部S1的TRS1交付晶片時(shí)，通過計(jì)數(shù)部67進(jìn)行計(jì)數(shù)。而且，虛分配判斷部68具有例如基于由計(jì)數(shù)部67計(jì)數(shù)的晶片個(gè)數(shù)判斷是否進(jìn)行虛分配的功能。
下面，對用本實(shí)施例的基板處理裝置形成抗蝕劑圖案的情況進(jìn)行說明。
首先，在形成抗蝕劑圖案之前，操作人員通過配方選擇部63選擇將要形成的膜的處理配方71、傳送配方72、泵配方73和虛分配配方74。這里，目標(biāo)配方如果例如是在先行批量A和后續(xù)批量B之間通過涂敷裝置4A進(jìn)行虛分配的配方時(shí)，在循環(huán)時(shí)間計(jì)算部64中，通過先行批量A的處理配方71和傳送配方72，計(jì)算向涂敷裝置4A傳送晶片的主傳送機(jī)構(gòu)26A的循環(huán)時(shí)間，而且，在虛分配時(shí)間計(jì)算部65中，通過先行批量A的泵配方73和虛分配配方74計(jì)算涂敷裝置4A的虛分配時(shí)間B。
接著，在交付停止次數(shù)計(jì)算部66中，通過主傳送機(jī)構(gòu)26A的循環(huán)時(shí)間A和虛分配時(shí)間B，分別計(jì)算停止從盒子站21向處理部S1的TRS1交付晶片的次數(shù)(x+1)和晶片交付停止期間(sec)。例如，在盒子站21的交付臂24的控制器240中，在先行批量A的最后的晶片A25交付給TRS1之后，將從盒子C中取出晶片的動(dòng)作停止上述計(jì)算出的停止次數(shù)，取出該后續(xù)批量B的最初的晶片B01，向TRS1輸出交付指令。
接著，控制部6向各個(gè)部分輸出先行批量A的開始指令。例如，通過計(jì)數(shù)部67計(jì)算在通過盒子站21的輔助傳送機(jī)構(gòu)24向處理部S1的TRS1交付晶片時(shí)的晶片個(gè)數(shù)，同時(shí)通過主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B傳送晶片并進(jìn)行既定的處理，基于上述計(jì)數(shù)數(shù)判斷是否進(jìn)行虛分配。
在本實(shí)施例中，在計(jì)數(shù)了預(yù)先設(shè)定的個(gè)數(shù)時(shí)，例如，在計(jì)數(shù)了先行批量A的最后的晶片A25時(shí)，判定為進(jìn)行虛分配。在判定為不進(jìn)行虛分配時(shí)，通過主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B經(jīng)由已述路徑傳送晶片并進(jìn)行既定處理。
在判定為進(jìn)行虛分配時(shí)，通過控制部6向涂敷裝置4A的泵P和閥V輸出指令，在從涂敷裝置4A取出晶片A25時(shí)，閥V打開，泵P動(dòng)作，進(jìn)行虛分配。在先行批量A的最后的晶片A25被計(jì)數(shù)時(shí)，根據(jù)來自控制部6的指令，盒子站21的輔助傳送機(jī)構(gòu)24停止取出所計(jì)算個(gè)數(shù)的晶片，從而僅在既定期間停止向處理部S1的TRS1交付晶片的動(dòng)作。
輔助傳送機(jī)構(gòu)24向TRS1傳送后續(xù)批量B的最初的晶片B01，主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B將其送入處理部S1。另外，執(zhí)行虛分配，停止通過盒子站21的輔助傳送機(jī)構(gòu)24取出后續(xù)批量B的最初的晶片B01時(shí)，將計(jì)數(shù)數(shù)復(fù)位。在將后續(xù)批量B的最初的晶片B01傳送給處理部S1的TRS1時(shí)，開始下次計(jì)數(shù)。
在先行批量A的最后的晶片A25和后續(xù)批量B的最初的晶片B01之間，將從盒子站21利用輔助傳送機(jī)構(gòu)24向處理部S1的TRS1交付晶片的動(dòng)作停止進(jìn)行既定次數(shù)，其間進(jìn)行虛分配。
如圖9所示，涂敷裝置4A中，在先行批量A的處理和后續(xù)批量B的處理之間設(shè)置不傳送晶片的期間，在此期間內(nèi)，執(zhí)行虛分配。因此，涂敷裝置4A中，在虛分配結(jié)束之前，基板不滯留在處理部內(nèi)。即，不出現(xiàn)基板在加熱部件中等待的狀態(tài)，可避免抗蝕膜的過度烘焙。
例如，循環(huán)時(shí)間為30秒、虛分配時(shí)間為20秒時(shí)，晶片交付停止次數(shù)(x+1)為1次。這時(shí)，在晶片A25和晶片B01之間，如圖10A所示，出現(xiàn)不傳送1個(gè)晶片的空閑時(shí)間。在結(jié)束通過涂敷裝置4A在晶片A25上涂敷抗蝕劑、晶片A25被傳送到作為涂敷裝置4A的下一工序的TRS2中時(shí)，晶片B01被傳送給涂敷轉(zhuǎn)置4A的前一工序的CPL1。在這種狀態(tài)下，雖然在涂敷裝置4A中進(jìn)行虛分配，但因?yàn)樘摲峙鋾r(shí)間為20秒、循環(huán)時(shí)間為30秒，因此，從虛分配結(jié)束開始，通過主傳送機(jī)構(gòu)26A向涂敷裝置4A傳送CPL1的晶片B01。因此，將晶片B01不等待而立即交付給涂敷裝置4A，因此，虛分配期間，不停止通過基板傳送裝置傳送晶片，可進(jìn)行平滑的傳送，實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)量的提高。
在循環(huán)時(shí)間為30秒、虛分配時(shí)間為40秒時(shí)，晶片交付停止次數(shù)(x+1)為2次。這時(shí)，在晶片A25和晶片B01之間，如圖10B所示，出現(xiàn)2次不傳送晶片的空閑傳送時(shí)間。
這里，根據(jù)目標(biāo)膜的種類，存在進(jìn)行虛分配的涂敷裝置的下一工序?yàn)榧訜峋募訜嵫b置的情況。根據(jù)現(xiàn)有方法傳送晶片的情況下，必須等到虛分配結(jié)束，才能將晶片加熱裝置中取出。因此，現(xiàn)有方法中，從加熱裝置中取出晶片延遲了虛分配時(shí)間那么長，使抗蝕膜被過度烘焙。過度烘焙的抗蝕膜厚度變小，結(jié)果，圖案線寬就會(huì)改變。
但是，在本發(fā)明方法中，在涂敷裝置4A中執(zhí)行虛分配的情況下，因?yàn)橥Ｖ箯暮凶诱?1的輔助傳送機(jī)構(gòu)24向主傳送機(jī)構(gòu)26A交付晶片W，所以抗蝕膜沒有在加熱裝置中被過度烘焙。
下面，參照圖11A、11B對在控制部6內(nèi)部進(jìn)行軟件處理的控制流程進(jìn)行說明。
首先，注冊“配方指定抗蝕劑”作為控制項(xiàng)。在控制項(xiàng)“配方指定抗蝕劑”的順序設(shè)定時(shí)，用“對象抗蝕劑”選擇按鈕選擇對象抗蝕劑，針對其中顯示的全部抗蝕劑分別設(shè)定動(dòng)作順序?？稍O(shè)定項(xiàng)目(動(dòng)作條件)如1)～5)。
1)PJ間隔2)最低處理個(gè)數(shù)3)執(zhí)行定時(shí)(PJ開頭/PJ執(zhí)行后)4)PJ間時(shí)間間隔5)處理配方變更條件(通過系統(tǒng)參數(shù)設(shè)定有效/無效)在注冊配方指定抗蝕劑時(shí)，項(xiàng)目1)的PJ間隔必須要設(shè)定。項(xiàng)目4)的PJ間時(shí)間間隔僅在執(zhí)行定時(shí)為PJ開頭時(shí)可以設(shè)定。
控制項(xiàng)“配方指定抗蝕劑”的注冊結(jié)束時(shí)，在控制部6的內(nèi)部開始PJ處理編程(工序S1)。通過PJ處理編程，首先判定“執(zhí)行定時(shí)”是否是PJ開頭(工序S2)。工序S2判定為YES時(shí)，在從PJ開頭晶片的載體(盒子)中取出前(工序S3)，在配方注冊后，判定是否為最初的PJ(工序S4)。在工序S2判定為NO時(shí)，進(jìn)入后述的工序S21～S26。
工序S4判定為YES時(shí)，在PJ開頭執(zhí)行虛分配(工序S5)。工序S4判定為NO時(shí)，判定“處理配方變更條件虛分配”是有效還是無效(工序S6)。
進(jìn)一步，判定使用的配方與之前在PJ中使用的配方是否不同(工序S7)。工序S7判定為YES時(shí)，在PJ開頭執(zhí)行虛分配，因此，控制晶片的送入間隔(工序S8)。工序S7判定為NO時(shí)，進(jìn)一步判定是否設(shè)定了“PJ間時(shí)間間隔”(工序S9)。
工序S9判定為YES時(shí)，判定是否滿足設(shè)定的“PJ間時(shí)間間隔”(工序S10)。工序S10判定為YES時(shí)，分別向主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B發(fā)送控制信號(hào)，通過控制兩個(gè)傳送機(jī)構(gòu)26A、26B的動(dòng)作，調(diào)節(jié)晶片的送入間隔，以便可在PJ開頭執(zhí)行虛分配(工序S11)。
工序S9、10判定為NO時(shí)，判定是否滿足設(shè)定的“PJ間隔”(工序S12)。工序S12判定YES時(shí)，判定是否設(shè)定了“最低處理個(gè)數(shù)”(工序S13)。
工序S13判定為YES時(shí)，判定是否滿足設(shè)定的“最低處理個(gè)數(shù)”(工序S14)。
工序S14判定為YES時(shí)，分別向主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B發(fā)送控制信號(hào)，通過控制兩個(gè)傳送機(jī)構(gòu)26A、26B的動(dòng)作，調(diào)節(jié)晶片的送入間隔，以便可在PJ開頭執(zhí)行虛分配(工序S15)。工序S12、S14判定為NO時(shí)，不執(zhí)行虛分配(工序S16)。
于是，在上述的工序S2判定為NO時(shí)，從對象模塊中送入PJ最后晶片后(工序S21)，判定是否滿足設(shè)定的“PJ間隔“(工序S22)。工序S22判定為YES時(shí)，判定是否設(shè)定了“最低處理個(gè)數(shù)”(工序S23)。接著，工序S23判定為YES時(shí)，判定是否滿足設(shè)定的“最低處理個(gè)數(shù)”(工序S24)。接著，工序S24判定為YES時(shí)，分別向主傳送機(jī)構(gòu)26A、26B發(fā)送控制信號(hào)，控制兩個(gè)傳送機(jī)構(gòu)26A、26B的動(dòng)作。由此，調(diào)節(jié)通過兩個(gè)傳送機(jī)構(gòu)26A、26B送入晶片的間隔，以便在PJ開頭執(zhí)行虛分配(工序S25)。工序S22、S24判定為NO時(shí)，不執(zhí)行虛分配(工序S26)。
如圖12所示，作為與虛分配配方有關(guān)的功能，有(1)配方編輯和(2)注冊·清除等2個(gè)功能。首先，在輸入操作面板中選擇虛分配配方畫面，顯示“配方一覽表”。在進(jìn)行配方編輯時(shí)，在“配方一覽表”畫面中點(diǎn)擊重新制作按鈕或編輯按鈕，顯示配方編輯畫面，在既定的編輯操作后點(diǎn)擊完成按鈕或放棄完成按鈕，結(jié)束畫面。在進(jìn)行登記·清除時(shí)，在“配方一覽表”畫面上點(diǎn)擊注冊按鈕、清除按鈕、自動(dòng)注冊按鈕或自動(dòng)注冊清除按鈕中的任一個(gè)按鈕。
下面，對虛分配配方的概要進(jìn)行說明。
操作者在一個(gè)虛分配配方中能在每個(gè)模塊的控制項(xiàng)中設(shè)定“虛分配動(dòng)作條件”、“動(dòng)作順序”“泵配方”。而且，對于模塊和控制項(xiàng)來說，僅在需要重新制作配方時(shí)僅僅需要的部分才自動(dòng)地被設(shè)定成所需配方。操作者不能追加·消除模塊或控制項(xiàng)。對于配方指定抗蝕劑(或配方指定顯影液)，可對每個(gè)抗蝕劑(或顯影液)設(shè)定動(dòng)作順序和泵配方。
在各個(gè)模塊中有效的控制項(xiàng)如表1所示按以下基準(zhǔn)(i)(ii)(iii)設(shè)定。
(i)分配構(gòu)成參數(shù)中為“Yes”的所有分配。
(ii)多種抗蝕劑1～抗蝕劑N(或噴嘴1～噴嘴N)中的任一個(gè)若處于(i)中，則追加“配方指定抗蝕劑(或配方指定顯影液)”。
(iii)多個(gè)虛分配條件設(shè)定功能選項(xiàng)有效時(shí)，在每個(gè)抗蝕劑(或顯影液)中追加所謂“抗蝕劑名priority1”“抗蝕劑名priority2”……“抗蝕劑名priorityN”(N由選項(xiàng)決定)名稱的項(xiàng)。
在控制項(xiàng)為配方指定抗蝕劑(或配方指定顯影液)時(shí)，將PJ條件(ProcessJob condition＝Lot condition)、最低處理個(gè)數(shù)(Minimum wafer count)、執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)和PJ間時(shí)間間隔(Time interval between PJ)作為可設(shè)定的動(dòng)作條件。在多個(gè)虛分配條件設(shè)定功能的選項(xiàng)有效時(shí)，控制項(xiàng)為抗蝕劑priorityN時(shí)，將時(shí)間條件(Time interval)和處理中的執(zhí)行可否(Dispense duringprocess/Not)作為可設(shè)定的動(dòng)作條件。進(jìn)一步，在控制項(xiàng)為上述以外時(shí)，如表1所示，將時(shí)間條件(Time interval)、個(gè)數(shù)條件(Processed wafercount)、處理中的執(zhí)行可否(Dispense during process/Not)作為可設(shè)定的動(dòng)作條件。另外，在配方指定抗蝕劑(或配方指定顯影液)的情況下，可為每個(gè)抗蝕劑設(shè)定動(dòng)作順序和泵配方。
下面，對分別作為控制部的配方制作部61、配方存儲(chǔ)部62、配方選擇部63的畫面構(gòu)成的概要進(jìn)行說明。
虛分配配方一覽畫面(未圖示)是用于配方存儲(chǔ)部62的畫面，在其中顯示編輯、重新制作、注冊、清除、自動(dòng)注冊、自動(dòng)注冊清除、刪除、完成等多個(gè)選擇按鈕。若選擇該一覽畫面的“編輯“按鈕，則如圖13所示在輸入操作面板中顯示“虛分配配方編輯畫面”。
該虛分配配方編輯畫面是用于配方制作部61的畫面，其中顯示(1)選擇模塊顯示欄、(2)配方指定抗蝕劑一覽、(3)選擇模塊選擇按鈕、(4)裝置構(gòu)成圖選擇按鈕、(5)PJ間隔選擇按鈕、(6)時(shí)間條件選擇按鈕、(7)個(gè)數(shù)條件選擇按鈕、(8)PJ間隔選擇按鈕、(9)不使用最低處理個(gè)數(shù)的選擇按鈕、(10)執(zhí)行定時(shí)PJ開頭選擇按鈕、(11)PJ間時(shí)間間隔(30see)選擇按鈕、(12)順序設(shè)定按鈕、(13)完成按鈕、(14)放棄完成按鈕、(15)保存按鈕、(16)標(biāo)題信息按鈕、(17)復(fù)制按鈕、(18)有效/無效按鈕、(19)有無效項(xiàng)顯示按鈕、及其它的按鈕。
圖13中的顯示欄(1)和(2)是為了使操作者容易理解畫面用的，操作者不能隨便追加·刪除這些顯示。按鈕(3)用于切換在顯示欄(1)中顯示的選擇模塊。若選擇畫面的按鈕(4)，則切換為裝置構(gòu)成圖的畫面。裝置構(gòu)成圖畫面(未圖示)是用于配方制作部61的畫面，操作者在切換選擇模塊時(shí)利用它。
圖13中的(5)～(12)的按鈕群用于編輯虛分配動(dòng)作條件。其中(5)～(7)的按鈕群和(8)～(11)的按鈕群擇一切換地進(jìn)行畫面顯示。在配方指定抗蝕劑以外的控制項(xiàng)中有游標(biāo)時(shí)在畫面上顯示前者，在配方指定抗蝕劑(或配方指定顯影液)中有游標(biāo)時(shí)在畫面上顯示后者。
在選擇這些按鈕(5)～(12)時(shí)，分別在畫面上顯示表2中No.1～8所示的功能。例如若選擇按鈕(12)，則呈現(xiàn)圖14所示的虛分配動(dòng)作順序設(shè)定畫面。在該畫面中，可進(jìn)行步驟的刪除·插入和有效·無效的切換，以及可為每個(gè)抗蝕劑系統(tǒng)單獨(dú)地設(shè)定虛分配時(shí)間(sec)等。在該畫面的No.1欄中顯示虛分配系統(tǒng)編號(hào)，在No.2欄中顯示環(huán)路條件，在No.3欄中顯示虛分配時(shí)間(sec)，在No.4欄中顯示虛分配系統(tǒng)編號(hào)，在No.5欄中一并顯示虛分配系統(tǒng)編號(hào)、虛分配名稱、泵配方名稱。
例如，若選擇圖14所示畫面的No.4功能按鈕，則呈現(xiàn)虛分配選擇畫面(未圖示)。該虛分配選擇畫面是用于配方選擇部63的，用于分別選擇設(shè)定抗蝕劑噴嘴和溶劑噴嘴。
若選擇虛分配動(dòng)作順序設(shè)定畫面的No.5功能按鈕，則呈現(xiàn)泵配方選擇畫面(未圖示)。該泵配方選擇畫面是用于配方選擇部63的，用于分別選擇設(shè)定虛分配量和泵。
圖13中的(13)～(19)的按鈕群是功能按鈕群。若選擇這些功能按鈕(13)～(19)，則分別在畫面上呈現(xiàn)表3中No.1～7所示的功能。例如若選擇按鈕(17)，則顯示復(fù)制畫面(未圖示)。復(fù)制畫面是用于配方制作部61的，其中具有與復(fù)制源相同的控制項(xiàng)的模塊作為復(fù)制目標(biāo)的選擇支而被顯示，復(fù)制源的控制項(xiàng)相同的模塊可作為復(fù)制目標(biāo)的控制項(xiàng)而進(jìn)行復(fù)制。
選項(xiàng)畫面(未圖示)在對1種抗蝕劑設(shè)定多個(gè)虛分配條件時(shí)使用。例如，在選項(xiàng)畫面上為每個(gè)配方指定抗蝕劑顯示“抗蝕劑名”“虛分配時(shí)間條件”“處理中的執(zhí)行可否”。從選項(xiàng)畫面中調(diào)用虛分配動(dòng)作順序設(shè)定畫面(未圖示)，設(shè)定多重虛分配條件。
如上所述，在本發(fā)明的方法中，判斷為涂敷裝置4A中進(jìn)行虛分配時(shí)，或者預(yù)測為進(jìn)行虛分配時(shí)，停止從盒子站21向處理部S1的TRS1交付后續(xù)批量的最初的晶片B01，在先行批量和后續(xù)批量之間空出用于虛分配的既定時(shí)間間隔。
是否進(jìn)行虛分配的判斷也包含操作人員根據(jù)存儲(chǔ)的上述配方預(yù)測的情況，可計(jì)數(shù)晶片的處理個(gè)數(shù)來進(jìn)行，也可計(jì)數(shù)處理時(shí)間來進(jìn)行。
也可以是控制部6對先行批量的最末尾的晶片A25處于哪個(gè)工序中進(jìn)行位置檢測，根據(jù)位置檢測結(jié)果，判斷是否進(jìn)行虛分配。
進(jìn)一步，可通過直接計(jì)數(shù)晶片數(shù)量來識(shí)別先行批量最末尾的晶片A25和后續(xù)批量開頭的晶片B01。也可以在控制部6處確認(rèn)晶片處于哪個(gè)工序中。晶片的計(jì)數(shù)場所不限于處理部S1的TRS1，也可以是盒子站21的盒子C。
這里，作為在液體處理裝置中進(jìn)行虛分配的定時(shí)，是每次處理設(shè)定的批量數(shù)時(shí)，處理配方變更時(shí)，先行批量和后續(xù)批量開始之前的時(shí)間空閑大于既定間隔時(shí)，每個(gè)設(shè)定的時(shí)間，每次處理設(shè)定的個(gè)數(shù)(例如100個(gè))時(shí)。
進(jìn)行虛分配的對象不限于涂敷裝置4A，也包含顯影裝置4B和粘附部件。在顯影裝置4B中進(jìn)行虛分配時(shí)，第一接口部S2的輔助傳送機(jī)構(gòu)31相當(dāng)于本發(fā)明的交付機(jī)構(gòu)，第一接口部S2的輸出用緩沖盒子相當(dāng)于本發(fā)明的盒子，處理部S1的PEB相當(dāng)于本發(fā)明的交付部。
虛分配是由共用的基板傳送裝置傳送的多個(gè)部件的情況下，采用最長的時(shí)間作為虛分配時(shí)間，由該虛分配時(shí)間和主傳送機(jī)構(gòu)的循環(huán)時(shí)間決定晶片的交付停止期間(空傳送循環(huán)次數(shù))。
操作者可將循環(huán)時(shí)間和虛分配時(shí)間直接輸入到配方制作部61中。操作者可預(yù)測液體處理裝置的虛分配時(shí)間，決定向主傳送機(jī)構(gòu)交付后續(xù)批量的最初的基板的停止期間。
進(jìn)一步，主傳送機(jī)構(gòu)可從盒子中直接取出晶片。在這種情況下，虛分配時(shí)控制主傳送機(jī)構(gòu)的動(dòng)作，停止取出后續(xù)批量的最初的晶片。主傳送機(jī)構(gòu)不限于2個(gè)，也可以是3個(gè)以上，也可以是1個(gè)。
根據(jù)本發(fā)明，在液體處理裝置中進(jìn)行虛分配時(shí)，因?yàn)閮H將從盒子部向處理部交付基板停止既定期間，所以基板不滯留在處理部內(nèi)，例如避免了抗蝕膜在加熱裝置中被過度烘焙。
權(quán)利要求
1.一種基板處理方法，通過交付機(jī)構(gòu)以每個(gè)既定循環(huán)時(shí)間的定時(shí)將基板一個(gè)一個(gè)地從盒子部交付給處理部，上述盒子部具有容納構(gòu)成批量的多個(gè)基板的盒子，上述處理部包含多個(gè)液體處理部件和基板傳送機(jī)構(gòu)，通過上述基板傳送機(jī)構(gòu)沿上述處理部的循環(huán)路徑順序地(in sequence)傳送基板，對基板順序地(in sequence)進(jìn)行多個(gè)處理，將處理后的基板從上述處理部傳送到上述盒子部中，在先行批量基板處理和后續(xù)批量基板處理之間的時(shí)間內(nèi)，在至少一個(gè)上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配，其特征在于，通過上述交付機(jī)構(gòu)將上述先行批量最末尾的基板從上述盒子部交付給上述處理部之后，使上述后續(xù)批量開頭的基板的交付僅停止上述循環(huán)時(shí)間的整數(shù)倍的期間，在上述基板交付停止期間內(nèi)，在上述液體處理部件中進(jìn)行既定的虛分配時(shí)間的虛分配，在上述虛分配之后，通過上述交付機(jī)構(gòu)將上述后續(xù)批量開頭的基板交付給上述處理部。
2.在權(quán)利要求1的方法中，進(jìn)一步分別制作用于控制上述交付機(jī)構(gòu)、上述基板傳送機(jī)構(gòu)和上述液體處理部件的各個(gè)動(dòng)作的配方和規(guī)定初始條件的配方，將制作好的上述配方存儲(chǔ)起來，從存儲(chǔ)的上述配方中選擇必要的配方，根據(jù)所選的上述配方分別設(shè)定上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間，根據(jù)上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間求出上述基板交付停止期間，分別用上述基板交付停止期間、上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間控制上述交付機(jī)構(gòu)、上述基板傳送機(jī)構(gòu)和上述液體處理部件的動(dòng)作，由此在上述基板交付停止期間內(nèi)，在至少1個(gè)上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配。
3.在權(quán)利要求2的方法中，根據(jù)存儲(chǔ)的上述配方預(yù)測上述虛分配時(shí)間，根據(jù)該預(yù)測的虛分配時(shí)間和上述循環(huán)時(shí)間決定上述基板交付停止期間。
4.在權(quán)利要求2的方法中，進(jìn)一步計(jì)數(shù)處理過的基板數(shù)量，根據(jù)上述處理基板計(jì)數(shù)數(shù)和上述配方，決定上述虛分配的執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)，在決定的執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)中，在上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配。
5.在權(quán)利要求4的方法中，從上次虛分配后開始計(jì)數(shù)基板的連續(xù)處理個(gè)數(shù)，根據(jù)該計(jì)數(shù)個(gè)數(shù)判斷是否進(jìn)行下次的虛分配。
6.在權(quán)利要求5的方法中，上述基板的連續(xù)處理個(gè)數(shù)的計(jì)數(shù)在上述處理部或盒子部中進(jìn)行。
7.在權(quán)利要求4的方法中，從上次虛分配后開始計(jì)數(shù)基板的連續(xù)處理時(shí)間，根據(jù)該計(jì)數(shù)時(shí)間判斷是否進(jìn)行下次的虛分配。
8.在權(quán)利要求1的方法中，進(jìn)一步，檢測先行批量最末尾的基板是否處于上述處理部內(nèi)，根據(jù)該檢測結(jié)果，判斷是否進(jìn)行下次的虛分配。
9.在權(quán)利要求8的方法中，為了檢測先行批量最末尾的基板和后續(xù)批量開頭的基板處于哪個(gè)工序中，計(jì)數(shù)在上述處理部中實(shí)際流動(dòng)的基板，根據(jù)該計(jì)數(shù)結(jié)果，判斷是否進(jìn)行下次的虛分配。
10.在權(quán)利要求2的方法中，進(jìn)一步，從存儲(chǔ)的上述配方中選擇并調(diào)用批量間時(shí)間間隔(Time interval betweenlots)，根據(jù)上述批量間時(shí)間間隔和上述配方，決定上述虛分配的執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)，在上述執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)，在上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配。
11.在權(quán)利要求2的方法中，進(jìn)一步，從存儲(chǔ)的上述配方中選擇并調(diào)用最低處理個(gè)數(shù)(Minimum wafer count)，根據(jù)上述最低處理個(gè)數(shù)和上述配方，決定上述虛分配的執(zhí)行定時(shí)(ExecutionTiming)，在上述執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)中，在上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配。
12.在權(quán)利要求2的方法中，進(jìn)一步，從存儲(chǔ)的上述配方中選擇并調(diào)用處理配方變更時(shí)間，根據(jù)上述處理配方變更時(shí)間和上述配方，決定上述虛分配的執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)，在上述執(zhí)行定時(shí)中(Execution Timing)，在上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配。
13.在權(quán)利要求1的方法中，上述循環(huán)時(shí)間是從將上述盒子內(nèi)的第n個(gè)基板從上述交付機(jī)構(gòu)交付給上述基板傳送機(jī)構(gòu)開始到將下一個(gè)的盒子內(nèi)的第(n+1)個(gè)基板從上述交付機(jī)構(gòu)交付給上述基板傳送機(jī)構(gòu)為止的時(shí)間。
14.在權(quán)利要求1的方法中，上述循環(huán)時(shí)間是上述基板傳送機(jī)構(gòu)繞上述循環(huán)路徑一周的時(shí)間。
15.一種基板處理裝置，其特征在于，具有盒子部，使容納構(gòu)成批量的多個(gè)基板的盒子出入；處理部，對基板順序地(in sequence)進(jìn)行多個(gè)處理；多個(gè)液體處理部件，設(shè)在上述處理部中，用既定的處理液處理基板；交付機(jī)構(gòu)，從上述盒子部的盒子中取出基板，將該基板交付給上述處理部；基板傳送機(jī)構(gòu)，交付來自交付機(jī)構(gòu)的基板，在上述處理部內(nèi)順序地(insequence)傳送基板，將基板送給上述盒子部；循環(huán)路徑，設(shè)在上述處理部內(nèi)，使上述基板傳送機(jī)構(gòu)循環(huán)移動(dòng)；控制部，制作分別規(guī)定上述交付機(jī)構(gòu)、上述基板傳送機(jī)構(gòu)和上述液體處理部件的動(dòng)作的配方，根據(jù)上述配方求出循環(huán)時(shí)間和虛分配時(shí)間，根據(jù)上述配方、上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間求出基板交付停止時(shí)間，在該基板交付停止期間內(nèi)停止從上述盒子部向上述處理部交付后續(xù)批量的基板，在該基板交付停止期間內(nèi)，在上述液體處理部件中進(jìn)行虛分配，之后，通過上述交付機(jī)構(gòu)使上述后續(xù)批量的基板交付給上述處理部。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的裝置，上述控制部具有配方制作部，制作分別規(guī)定上述交付機(jī)構(gòu)、上述基板傳送機(jī)構(gòu)和上述液體處理部件的動(dòng)作的配方；配方存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)由上述配方制作部制作的配方；配方選擇部，選擇并調(diào)用存儲(chǔ)在上述配方存儲(chǔ)部的配方；循環(huán)時(shí)間計(jì)算部，根據(jù)上述配方算出上述循環(huán)時(shí)間；虛分配計(jì)算部，根據(jù)上述配方算出上述虛分配時(shí)間；交付停止期間計(jì)算部，根據(jù)上述配方、上述循環(huán)時(shí)間和上述虛分配時(shí)間算出上述基板交付停止期間；計(jì)數(shù)部，計(jì)數(shù)處理完的基板個(gè)數(shù)；虛分配判斷部，根據(jù)上述處理基板計(jì)數(shù)數(shù)和上述交付停止期間決定虛分配的執(zhí)行定時(shí)(Execution Timing)。
17.在權(quán)利要求16的裝置中，上述虛分配判斷部根據(jù)上述配方求出批量間時(shí)間間隔(Time interval between lots)，根據(jù)該批量間時(shí)間間隔決定虛分配的執(zhí)行定時(shí)。
18.在權(quán)利要求16的方法中，上述虛分配判斷部根據(jù)上述配方求出最低處理個(gè)數(shù)(Minimum wafer count)，根據(jù)該最低處理個(gè)數(shù)決定虛分配的執(zhí)行定時(shí)。
19.在權(quán)利要求16的方法中，上述虛分配判斷部根據(jù)上述配方求出處理配方變更時(shí)間，根據(jù)該處理配方變更時(shí)間決定虛分配的執(zhí)行定時(shí)。
20.在權(quán)利要求16的方法中，上述虛分配判斷部從上次虛分配之后開始計(jì)數(shù)基板的連續(xù)處理個(gè)數(shù)，根據(jù)該計(jì)數(shù)個(gè)數(shù)判斷是否進(jìn)行虛分配。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基板處理方法，在通過交付機(jī)構(gòu)將先行批量最末尾的基板從盒子部交付給處理部之后，將后續(xù)批量開頭的基板的交付僅停止循環(huán)時(shí)間的整數(shù)倍的期間，在基板交付停止期間內(nèi)在液體處理部件處進(jìn)行規(guī)定的虛分配時(shí)間的虛分配，之后，通過交付機(jī)構(gòu)將后續(xù)批量開頭的基板交付給處理部。
文檔編號(hào)G03F7/16GK1456939SQ0314291
公開日2003年11月19日 申請日期2003年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月1日
發(fā)明者宮田亮 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社