專利名稱：反射式液晶顯示器及周邊電路的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是與一種液晶顯示器制程技術(shù)有關(guān)，特別是有關(guān)于一種反射式低溫多晶硅液晶顯示器制程技術(shù)，以最精簡的光罩去完成包含驅(qū)動電路和液晶顯示畫素制作的技術(shù)。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是一種平面的顯示器，具有低耗電量特性，同時由于與同視窗尺寸的陰極射線管(CRT)相比，不論就占用空間或質(zhì)量而言都要小得多，且不會有一般CRT的曲面。因此已廣范應(yīng)用于各式產(chǎn)品，包括消費(fèi)性電子產(chǎn)品如掌上型計算機(jī)，電腦字典，手表，手機(jī)，尺寸較大的手提型電腦，通訊終端機(jī)，顯示板，個人桌上型電腦，甚至高解析度電視(HDTV)等都不難看到其蹤跡及其受歡迎的程度。特別是主動矩陣型薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)，由于其可視角、對比表現(xiàn)都比被動矩陣型的STN-LCD要好得多，且具有更佳的反應(yīng)時間。
TFT型的液晶顯示器，主要的構(gòu)件包括螢光管、導(dǎo)光板、偏光板、濾光板、玻璃基板、配向膜、液晶材料、以及薄膜式電晶體等等。首先液晶顯示器必須先利用背光源，也就是螢光燈管投射出光源，這些光源會先經(jīng)過一個偏光板然后再經(jīng)過液晶，這時液晶分子的排列方式進(jìn)而改變穿透液晶的光線角度。然后這些光線接下來還必須經(jīng)過前方的彩色濾光膜與另一塊偏光板。因此我們只要改變刺激液晶的電壓值就可以控制最后出現(xiàn)的光線強(qiáng)度與色彩，并進(jìn)而能在液晶面板上變化出有不同深淺的顏色組合了。
上述TFT型的液晶顯示器，由于需要使用螢光管做為背光源及擴(kuò)散膜，或至少需要側(cè)光源及導(dǎo)光板。因此如果要再進(jìn)一步降低耗電量，及使LCD顯示器厚度更薄，反射式LCD是一種不錯選擇。反射式LCD的光源，主要來自外界照射的光線，只需小的輔助光源即可，因此可以更省電，且使顯示器的厚度更薄。因此，對于使用電池的電子產(chǎn)品，且使用的場所不是刻意在暗處時，反射式LCD顯示器不啻為一最佳選擇。
以上所述的TFT-LCD而言，多以傳統(tǒng)非晶硅做為TFT-LCD的TFT的主要材料，然而今日已有使用多晶硅取代非晶硅的趨勢，并且有可能成為主流。這主要著眼于不管是電子或電洞的移動速率(mobility)，多晶硅都要比非晶硅具有更佳的移動速率。除此之外，多晶硅TFT-LCD還有一個優(yōu)點(diǎn)是形成LCD面板的驅(qū)動電路(包含nMOS電晶體或PMOS電晶體甚至于互補(bǔ)式金氧半電晶體)都可以和畫素面板的制造同時進(jìn)行。由于上述因素，多晶硅型TFT-LCD可以提供比非晶硅型TFT-LCD更佳的切換速率，更加速其吸引力。不過，上述的多晶硅型TFT-LCD仍多只限于穿透式型的TFT-LCD，如Hu所獲的美國專利第5940151號。
有鑒于此，本發(fā)明提出一種可結(jié)合多晶硅型TFT-LCD及反射型TFT-LCD的制造技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種需較少的光罩步驟(約六道光罩)且可同時進(jìn)行反射式TFT-LCD包含驅(qū)動電路制造的方法。
一種制造反射式液晶顯示器的方法，至少包含以下步驟形成一金屬層于一基板之上；形成一第一導(dǎo)電型硅層于該金屬層之上；圖案化該金屬層與該第一導(dǎo)電型硅層，以在驅(qū)動電路區(qū)內(nèi)形成一第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極預(yù)定區(qū)、一第二導(dǎo)電型TFT的源極預(yù)定區(qū)以及在畫素區(qū)內(nèi)形成一畫素TFT的源極/汲極預(yù)定區(qū)，及儲存電容預(yù)定區(qū)；形成一活性層于經(jīng)圖案化后的表面之上；形成一閘極氧化層于該活性層之上；圖案化該閘極氧化層與該活性層，以形成一第一保留區(qū)、一第二保留區(qū)、以及一第三保留區(qū)，其中該第一保留區(qū)是位于該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極區(qū)之間并部分覆蓋該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極區(qū)，該第二保留區(qū)是位于該第一導(dǎo)電型TFT的汲極與該第二導(dǎo)電型TFT的源極之間并部分覆蓋該第一導(dǎo)電型TFT的汲極與該第二導(dǎo)電型TFT的源極，該第三保留區(qū)是位于該畫素TFT的源極/汲極區(qū)之間并部分覆蓋該畫素TFT的源極/汲極區(qū)；形成一絕緣層于上述圖案化后的表面；圖案化該絕緣層，以在該畫素區(qū)之上形成復(fù)數(shù)個凸塊；形成一閘極金屬層于上述圖案化后的表面上；圖案化該閘極金屬層，以形成參考電位連接電極、該第一導(dǎo)電型TFT的閘極、該第二導(dǎo)電型TFT的閘極、該儲存電容的頂部電極，并在該畫素區(qū)的凸塊上形成一反射金屬層，該反射金屬層并連接該畫素TFT汲極及該儲存電容的頂部電極；施以輕滲雜汲極(LDD)布植，植入該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)，以經(jīng)圖案化后的該閘極金屬層為罩幕，用以在該第一導(dǎo)電型TFT的閘極兩側(cè)形成LDD區(qū)，在該畫素TFT的閘極兩側(cè)也形成LDD區(qū)；形成一光阻圖案層于除該第二保留區(qū)之外的所有區(qū)域之上；植入一第二導(dǎo)電型雜質(zhì)，以該光阻圖案層及該第二導(dǎo)電型TFT的閘極為罩幕，以形成該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極區(qū)；移除該光阻圖案層；形成一保護(hù)層于該裸露的表面上；以及圖案化該保護(hù)層，用以移除該畫素區(qū)反射金屬層上的保護(hù)層以裸露出該反射金屬層并于該驅(qū)動電路區(qū)及畫素區(qū)末端形成接觸洞。
所述的方法，其中該第一導(dǎo)電型是n型，該第二導(dǎo)電型是p型，且該畫素TFT是n型TFT。
所述的方法，其中該活性層的形成步驟還包含先形成一非晶硅層，再經(jīng)雷射結(jié)晶化以轉(zhuǎn)化為多晶硅層。
所述的方法，其中該絕緣層是為感光樹脂層。
所述的方法，還包含在圖案化該絕緣層步驟后及形成該閘極金屬層步驟之前，先施以熱回流步驟，以使該凸塊平滑化。
所述的方法，還包含在畫素TFT的源極區(qū)之上形成一第二反射凸塊區(qū)，以擴(kuò)大開口率，其中該第二反射凸塊區(qū)，是裸露該第三保留區(qū)，以保留LDD形成區(qū)域。
所述的方法，其中該畫素TFT閘極金屬與其源極/汲極距離不等距，該第一導(dǎo)電型TFT的閘極金屬與其源極/汲極距離亦不等距，該不等距是使汲極與閘極的距離大于源極與閘極的距離，以降低漏電流。
所述的的方法，其中該保護(hù)層是選自感光樹脂、氮化硅層、氧化硅層其中之一或其中任意的組合。
所述的方法，其中該保護(hù)層的形成及圖案化該保護(hù)層的步驟還包含先沉積一感光樹脂層，再以光罩對該感光樹脂照光以形成接觸洞圖案。
所述的方法，還包含在該感光樹脂層形成前先進(jìn)行退火，以活化該第二導(dǎo)電型雜質(zhì)。
所述的方法，其中該保護(hù)層的形成及圖案化該保護(hù)層的步驟還包含沉積一氮化硅層；施以退火，以活化該第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；沉積該感光樹脂層；圖案化該感光樹脂層以裸露該反射金屬層并形成接觸洞圖案；及以該感光樹脂層為罩幕，圖案化該氮化硅層以完成該接觸洞的結(jié)構(gòu)。
制程中只約需用六道光罩?jǐn)?shù)即可制造反射式液晶顯示器TFT及其驅(qū)動電路。


圖1A所示為本發(fā)明TFT-LCD一基本畫素的俯視示意圖；圖1B至圖1H所示為依據(jù)本發(fā)明的制程步驟的橫截面示意圖，其中畫素部分是沿圖1A的a-a’線剖面。
圖號對照說明100透明基板101驅(qū)動電路區(qū)102畫素區(qū)105金屬層110n+雜質(zhì)摻雜多晶硅層120n型TFT的LDD及通道的預(yù)定區(qū)域(簡稱為預(yù)定區(qū)域)120d n型TFT的汲極120s n型TFT的源極122p型TFT的源極/汲極及通道的預(yù)定區(qū)域(簡稱為預(yù)定區(qū)域)122s p型TFT的源極122s’p型TFT的源極預(yù)定區(qū)122d p型一TFT的汲極124畫素TFT的LCD及通道的預(yù)定區(qū)域(簡稱為預(yù)定區(qū)域)124s 信號線(當(dāng)作畫素TFT的源極)124d 畫素TFT的汲極124s 畫素TFT的源極125儲存電容129A 第一反射凸塊區(qū)129B 第二反射凸塊區(qū)130無摻雜非晶硅層135閘極氧化層(亦稱為電容介電層)140掃瞄線140A 第一反射凸塊區(qū)金屬層140B 第二反射凸塊區(qū)金屬層140C 儲存電容頂部電極
140d 汲極區(qū)140i 畫素TFT的閘極140L、 144L LDD預(yù)定區(qū)140n n型一TFT的閘極140p p型一TFT的閘極145 光阻圖案層160 保護(hù)層Vss 第一參考電極具體實(shí)施方式
請參考圖1A，是顯示依據(jù)本發(fā)明一畫素的俯視圖，圖1A中掃瞄線140和信號線124s垂直相交，且掃瞄線140包含畫素TFT的閘極140i，信號線124s是為畫素TFT的源極線。第一反射凸塊區(qū)金屬層140A占畫素區(qū)的大部分，連接畫素TFT的汲極124d及儲存電容頂部電極140C。第二反射凸塊區(qū)金屬層140B則橫跨信號線124s至下一畫素的閘極140i并連接的。
圖1B是顯示對應(yīng)于圖1A中的a-a’的橫截面示意圖。依據(jù)本發(fā)明的方法，畫素A中第一反射凸塊區(qū)金屬層140A由A畫素的汲極連接至儲存電容頂部電極140C的上電極板。而第二反射凸塊區(qū)金屬層140B是為了更進(jìn)一步增加開口率，而利用絕緣性材質(zhì)的復(fù)數(shù)個凸塊形成于畫素TFT的源極上，以防止當(dāng)?shù)诙瓷渫箟K區(qū)金屬層140B形成于絕緣性材質(zhì)的復(fù)數(shù)個凸塊上時與TFT的閘極124i相連接，以降低掃瞄線上阻值(因?yàn)槊娣e變大)，但第二反射凸塊區(qū)金屬層140B是與畫素上第一反射凸塊區(qū)金屬層140A彼此之間是斷開的。
有關(guān)本發(fā)明的制程步驟請參考圖1C至圖1H，其中有關(guān)畫素的部分是沿圖1A的a-a’的橫截面示意圖。
請先參見圖1C所示的橫截面示意圖。其形成步驟如下首先由下而上依序形成一金屬層105及一以n+導(dǎo)電性雜質(zhì)摻雜的多晶硅層110于一透明基板100上。接著以微影及蝕刻制程圖案化前述多晶硅層110、及金屬層105，以在驅(qū)動電路區(qū)101內(nèi)形成n型TFT的源極120s/汲極區(qū)120d、p-型TFT的源極預(yù)定區(qū)122s’以及在畫素區(qū)102內(nèi)形成畫素TFT的源極124s/汲極區(qū)124d及儲存電容125預(yù)定區(qū)。
接著，如圖1D所示，依序沉積無摻雜非晶硅層130及閘極氧化層135于所有表面上。隨后，接著實(shí)施一雷射結(jié)晶技術(shù)，用以使非晶硅層130結(jié)晶轉(zhuǎn)化成多晶硅層。緊接著再以微影及蝕刻技術(shù)選擇性地移除部分閘極氧化層135及無摻雜非晶硅層130，用以定義出n型TFT的LDD及通道的預(yù)定區(qū)域120、畫素TFT的LDD及通道的預(yù)定區(qū)域124、p-型TFT的源極/汲極區(qū)及通道的預(yù)定區(qū)域122及形成儲存電容125的電容介電層135。在此，無摻雜非晶硅層130，也可以視為電容介電層135的一部分。
仍如圖1D所示，預(yù)定區(qū)域120除了在源極120s及汲極120d之間外并部分覆蓋在源極120s及汲極120d之上，同樣地，預(yù)定區(qū)域122亦覆蓋了部分p型TFT預(yù)定區(qū)中的汲極120d及p-型TFT的汲極預(yù)定區(qū)122S’。畫素區(qū)102的預(yù)定區(qū)域124亦同；包含汲極124d及源極124s之間的區(qū)域并包含覆蓋于其上的部分。
隨后請參考圖1E，形成一感光樹脂層于所有區(qū)域之上，并圖案化，以在畫素區(qū)102內(nèi)只留下凸塊(bump)雛型。隨后，再施以使感光樹脂回流的程序，以形成第一反射凸塊區(qū)129A以及第二反射凸塊區(qū)129B，其中第一反射凸塊區(qū)129A包括有復(fù)數(shù)個凸塊，且凸塊的底部彼此相連。其中為了擴(kuò)大開口率，第二反射凸塊區(qū)129B也可以選擇性地形成復(fù)數(shù)個凸塊，并使復(fù)數(shù)個凸塊橫跨過信號線124s。在本實(shí)施例中，第一反射凸塊區(qū)129A的復(fù)數(shù)個凸塊是主要的反射區(qū)，覆蓋畫素區(qū)102的大部分區(qū)域。且形成于第一反射凸塊區(qū)129A之上的金屬層可以同時將畫素TFT的汲極區(qū)124d與儲存電容125的頂部電極相連接。請注意畫素TFT的LDD預(yù)定區(qū)此時是裸露的，以便可以進(jìn)行LDD布植，在此請注意第一反射凸塊區(qū)129A與第二反射凸塊區(qū)129B彼此之間是斷開的。
請繼續(xù)參考圖1F，緊接著，全面性地形成一閘極金屬層于上述圖案化后的表面上。再利用微影及蝕刻制程圖案化前述閘極金屬層，以形成第一參考電極VSS、n-型TFT的閘極140n于預(yù)定區(qū)域120、p-型TFT的閘極140p于預(yù)定區(qū)域122、畫素TFT的閘極140i于預(yù)定區(qū)域124、第一反射凸塊金屬層140A、及第二反射凸塊金屬層140B。其中，第一反射凸塊金屬層140A連接儲存電容125的頂部電極與畫素TFT的汲極區(qū)124d；第二反射凸塊金屬層140B形成于第二反射凸塊區(qū)129B之上。請注意第二反射凸塊金屬層140B可以連接TFT的信號線124s，因此信號線面積加大，亦可進(jìn)一步使阻值下降。
除此之外，n-型TFT的閘極140n，兩側(cè)邊各預(yù)留一適當(dāng)長度的LDD預(yù)定區(qū)140L。n-型TFT的閘極140n與其源極120s/汲極區(qū)120d可以不等距，距離源極120s距離短而與汲極120d距離較長，以抑制漏電流。位于預(yù)定區(qū)域122的p-型TFT的閘極140p其兩側(cè)邊則是預(yù)留一適當(dāng)長度的源極/汲極預(yù)定區(qū)122s及122d；同樣地，位于預(yù)定區(qū)域124的畫素TFT的閘極140i，且在畫素TFT的閘極140i汲極側(cè)邊預(yù)留一適當(dāng)長度的LCD預(yù)定區(qū)144L。畫素TFT的閘極144i與其源極區(qū)124s/汲極區(qū)124d是為不等距的，距離源極區(qū)124s的距離短而與汲極區(qū)124d距離較長，以抑制漏電流。
隨后，以圖案化的參考電極VSS、閘極140n、140p、140i、第一反射凸塊金屬層140A及第二反射凸塊金屬層140B為罩幕，植入n型導(dǎo)電型雜質(zhì)于所有裸露的表面，用以在LDD預(yù)定140L之下的復(fù)晶硅層形成n型TFT的LDD區(qū)140L、在LDD預(yù)定區(qū)144L下的復(fù)晶硅層形成畫素TFT的輕摻雜源極/汲極(LDD)區(qū)144L。
請參考圖1G，先形成一光阻圖案層145以覆蓋除了p型TFT預(yù)定區(qū)122以外的區(qū)域。隨后再以p型導(dǎo)電性雜質(zhì)進(jìn)行雜質(zhì)摻雜，以p型TFT的閘極140p及光阻圖案層145為罩幕，用以形成源極/汲極122s及122d。p型雜質(zhì)的劑量將高于所述LDDn型離子布植時的劑量。以使得經(jīng)電性補(bǔ)償后源極122s/汲極122d區(qū)仍有足夠濃度的p型雜質(zhì)。
請參考圖1H，在移除光阻圖案層145之后，接著再形成一保護(hù)層160于所有表面之上，并平坦化之。其中保護(hù)層160的形成方式，可以有以下幾種選擇例如(1)全面性地沉積氮化硅層，以覆蓋上述驅(qū)動電路及畫素區(qū)內(nèi)的所有元件，再繼續(xù)沉積以平坦化。(2)先沉積一氮化硅層，再接著沉積另一氧化硅層也可。(3)先沉積部分厚度的氮化硅層，接著，再沉積另一感光樹脂層(photosensitive resin layer)?；?4)全部純以感光樹脂為保護(hù)層的材料。在后二者包含感光樹脂的情況，感光樹脂本身即可利用照光的步驟，而形成接觸洞的圖案如圖1E所示。不需要額外光阻。不過，感光樹脂通常需要在形成后照深紫外光(UV)以去除固有的色彩以使其透明化。而在第(1)及第(2)種情況，則需以額外光阻層。再利用微影及蝕刻技術(shù)轉(zhuǎn)移光阻圖案至氮化硅層，但若是第(3)及第(4)種包含感光性樹脂時，則感光性樹脂本身即可以微影制程圖案化，而省去形成光阻層步驟。
除此之外，請注意，為活化導(dǎo)電性雜質(zhì)離子及使得n+摻雜源極/汲極形成歐姆接觸，在保護(hù)層160形成之前或之后需進(jìn)行一退火程序。以本案較佳實(shí)施例而言，如果保護(hù)層160材質(zhì)是氧化硅或氮化硅。退火時可以選擇在含氫的氣氛下進(jìn)行，以減少復(fù)晶硅表面斷鍵所可能產(chǎn)生的問題。但若保護(hù)層160材質(zhì)包含感光性樹脂，則需在感光性樹脂形成前，先進(jìn)行退火。
最后，再對保護(hù)層160進(jìn)行圖案化，以裸露出第一反射凸塊金屬層140A及第二反射凸塊金屬層140B，同時形成接觸洞圖案以預(yù)留導(dǎo)線連接插塞。
本發(fā)明以較佳實(shí)施例說明如上，而熟悉此領(lǐng)域技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動潤飾，其專利保護(hù)范圍更當(dāng)視的權(quán)利要求書范圍及其等同領(lǐng)域而定。
權(quán)利要求
1.一種制造反射式液晶顯示器的方法，其特征在于至少包含以下步驟形成一金屬層于一基板之上；形成一第一導(dǎo)電型硅層于該金屬層之上；圖案化該金屬層與該第一導(dǎo)電型硅層，以在驅(qū)動電路區(qū)內(nèi)形成一第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極預(yù)定區(qū)、一第二導(dǎo)電型TFT的源極預(yù)定區(qū)以及在畫素區(qū)內(nèi)形成一畫素TFT的源極/汲極預(yù)定區(qū)，及儲存電容預(yù)定區(qū)；形成一活性層于經(jīng)圖案化后的表面之上；形成一閘極氧化層于該活性層之上；圖案化該閘極氧化層與該活性層，以形成一第一保留區(qū)、一第二保留區(qū)、以及一第三保留區(qū)，其中該第一保留區(qū)是位于該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極區(qū)之間并部分覆蓋該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極區(qū)，該第二保留區(qū)是位于該第一導(dǎo)電型TFT的汲極與該第二導(dǎo)電型TFT的源極之間并部分覆蓋該第一導(dǎo)電型TFT的汲極與該第二導(dǎo)電型TFT的源極，該第三保留區(qū)是位于該畫素TFT的源極/汲極區(qū)之間并部分覆蓋該畫素TFT的源極/汲極區(qū)；形成一絕緣層于上述圖案化后的表面；圖案化該絕緣層，以在該畫素區(qū)之上形成復(fù)數(shù)個凸塊；形成一閘極金屬層于上述圖案化后的表面上；圖案化該閘極金屬層，以形成參考電位連接電極、該第一導(dǎo)電型TFT的閘極、該第二導(dǎo)電型TFT的閘極、該儲存電容的頂部電極，并在該畫素區(qū)的凸塊上形成一反射金屬層，該反射金屬層并連接該畫素TFT汲極及該儲存電容的頂部電極；施以輕滲雜汲極(LDD)布植，植入該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)，以經(jīng)圖案化后的該閘極金屬層為罩幕，用以在該第一導(dǎo)電型TFT的閘極兩側(cè)形成LDD區(qū)，在該畫素TFT的閘極兩側(cè)也形成LDD區(qū)；形成一光阻圖案層于除該第二保留區(qū)之外的所有區(qū)域之上；植入一第二導(dǎo)電型雜質(zhì)，以該光阻圖案層及該第二導(dǎo)電型TFT的閘極為罩幕，以形成該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極區(qū)；移除該光阻圖案層；形成一保護(hù)層于該裸露的表面上；以及圖案化該保護(hù)層，用以移除該畫素區(qū)反射金屬層上的保護(hù)層以裸露出該反射金屬層并于該驅(qū)動電路區(qū)及畫素區(qū)末端形成接觸洞。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一導(dǎo)電型是n型，該第二導(dǎo)電型是p型，且該畫素TFT是n型TFT。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該活性層的形成步驟還包含先形成一非晶硅層，再經(jīng)雷射結(jié)晶化以轉(zhuǎn)化為多晶硅層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該絕緣層是為感光樹脂層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于還包含在圖案化該絕緣層步驟后及形成該閘極金屬層步驟之前，先施以熱回流步驟，以使該凸塊平滑化。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于還包含在畫素TFT的源極區(qū)之上形成一第二反射凸塊區(qū)，以擴(kuò)大開口率，其中該第二反射凸塊區(qū)，是裸露該第三保留區(qū)，以保留LDD形成區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該畫素TFT閘極金屬與其源極/汲極距離不等距，該第一導(dǎo)電型TFT的閘極金屬與其源極/汲極距離亦不等距，該不等距是使汲極與閘極的距離大于源極與閘極的距離，以降低漏電流。
8.如權(quán)利要求1所述的的方法，其特征在于該保護(hù)層是選自感光樹脂、氮化硅層、氧化硅層其中之一或其中任意的組合。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該保護(hù)層的形成及圖案化該保護(hù)層的步驟還包含先沉積一感光樹脂層，再以光罩對該感光樹脂照光以形成接觸洞圖案。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于還包含在該感光樹脂層形成前先進(jìn)行退火，以活化該第二導(dǎo)電型雜質(zhì)。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該保護(hù)層的形成及圖案化該保護(hù)層的步驟還包含沉積一氮化硅層；施以退火，以活化該第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；沉積該感光樹脂層；圖案化該感光樹脂層以裸露該反射金屬層并形成接觸洞圖案；及以該感光樹脂層為罩幕，圖案化該氮化硅層以完成該接觸洞的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種低溫多晶硅液晶顯示器，包含P型薄膜電晶體TFT(不含淺摻雜汲極LDD)，及包含LDD的n型TFT的驅(qū)動電路及畫素TFT與儲存電容及畫素電容底部電極的制造方法。制程步驟包含先定義源極/汲極，之后形成活性層及閘極氧化層并定義之，隨后，在電晶體閘極金屬沉積前，先形成感光樹脂層，再圖案化，以形成凸塊雛型，經(jīng)回流平滑化，再將閘極金屬層與凸塊上反射金屬層同時進(jìn)行沉積及圖案化。接著，進(jìn)行LDD布植。隨后以定義P型TFT的光阻圖案為罩幕，施以源/汲極離子布植，以形成P型TFT的源極、汲極。最后，去光阻后，再形成護(hù)層及接觸洞。制程中只約需用六道光罩?jǐn)?shù)即可制造反射式液晶顯示器TFT及其驅(qū)動電路。
文檔編號G02F1/136GK1530718SQ03119439
公開日2004年9月22日 申請日期2003年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月12日
發(fā)明者陳信銘 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司