專利名稱：低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種低溫多晶矽(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)薄膜電晶體液晶顯示器，特別是一種低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著簿膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)制作技術(shù)的快速進(jìn)步，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)由于具有體積小、重量輕、消耗功率低等優(yōu)點，而大量的應(yīng)用于個人數(shù)位助理(PDA)、筆記型電腦、高畫質(zhì)彩色電視、行動電話等各式電子產(chǎn)品中。尤其低溫多晶矽(Low Temperature PolySilicon，LTPS)薄膜電晶體液晶顯示器可嵌入不同功能的積體電路(IC)于玻璃基板上，進(jìn)而減少模組工程上所使用IC的數(shù)量，換言之，模組接點減少而可靠度提升。此外，此顯示器的特點還有載體(電子或電洞)的移動度為非晶矽(amorphous silicon)的300倍、低耗電、高亮度、高解析度、輕薄短小、高品質(zhì)及完美的系統(tǒng)整合性。
請參照圖1，為一低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的基本結(jié)構(gòu)。其制作方法首先于基板10上依序形成緩沖層12與第一金屬層，接著使用第一道光罩對第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義出薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)14。再于基板10上依序沉積絕緣層16及半導(dǎo)體層18，接著使用第二道光罩以定義薄膜電晶體的主動區(qū)(island)。然后使用第三道光罩定義出光阻圖案，做為離子植入的阻絕層。接著沉積隔絕介電層(InterLayer Dielectric，ILD)20，并使用第四道光罩對隔絕介電層20進(jìn)行蝕刻程序以曝露出電晶體的部分汲極區(qū)域，以定義接觸窗。隨后沉積第二金屬層22，填充并覆蓋上述接觸窗，再使用第五道光罩，對第二金屬層22進(jìn)行蝕刻程序，以定義出電晶體的汲極結(jié)構(gòu)。接著沉積保護(hù)層24，并使用第六道光罩對保護(hù)層24進(jìn)行蝕刻程序，以曝露出部分汲極結(jié)構(gòu)。最后，形成透明導(dǎo)電層于保護(hù)層24上，接著使用第七道光罩以定義出薄膜電晶體的畫素電極26。
其中上述制程總共使用了七道光罩的手續(xù)，每使用一道光罩不僅增加成本，制程參數(shù)的調(diào)校更是耗費時間，而且每多增加一道手續(xù)就是增加可能產(chǎn)生誤差的來源。所以，若能盡量減少光罩的使用數(shù)量，對于生產(chǎn)者而言，不僅能同時達(dá)到樽節(jié)成本、縮短制程時間，對于產(chǎn)品的良率(yield)提升亦有不少助益。而由本發(fā)明提供的制作方法將可有效減少光罩的使用數(shù)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提供一種制作低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的方法。
本發(fā)明的再一目的為提供一種減少微影制程程序，即可制作低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，一種在基板上形成低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法，該方法至少包含下列步驟形成一緩沖層于該基板上形成一第一金屬層于該緩沖層上；使用一第一光罩對該第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)；形成一絕緣層于該緩沖層、該閘極結(jié)構(gòu)與該基板表面上；形成一半導(dǎo)體層于該絕緣層上，做為該薄膜電晶體的通道區(qū)域使用；對該半導(dǎo)體層進(jìn)行離子布值程序；形成一第二金屬層于該半導(dǎo)體層上；使用一第二光罩對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域與源極結(jié)構(gòu)以及汲極結(jié)構(gòu)；
形成一保護(hù)層于該基板上；使用一第三光罩對該保護(hù)層進(jìn)行微影蝕刻程序，以曝露出該汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域；形成一透明電極層于該保護(hù)層上；以及使用一第四光罩對該透明電極層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義畫素電極于該保護(hù)層表面，且電性連接至該汲極結(jié)構(gòu)。
更包含對該半導(dǎo)體層進(jìn)行準(zhǔn)分子雷射回火程序，使得該半導(dǎo)體層的非晶矽結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)為多晶矽結(jié)構(gòu)。
上述的離子布值程序更包含下列步驟涂布光阻于該半導(dǎo)體層上，并對該基板施以背面曝光程序，定義一光阻圖案以該光阻圖案為罩幕，對該基板施以離子布值；以及移除該光阻圖案。
上述的第二光罩是使用half tone光罩與slit光罩其中的一種。
在對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行微影蝕刻程序時，更包含一去光阻的程序。
本發(fā)明還可以以下述的方式實現(xiàn)一種在基板上形成低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法，該方法至少包含下列步驟形成一緩沖層于該基板上；形成一第一金屬層于該緩沖層上，并對該第一金屬層進(jìn)行第一微影蝕刻程序，以定義薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)；形成一絕緣層于該緩沖層、該閘極結(jié)構(gòu)與該基板表面上；形成一半導(dǎo)體層于該絕緣層上，做為薄膜電晶體的通道區(qū)域使用；涂布光阻于該半導(dǎo)體層，并對該基板施以背面曝光程序，定義一第一光阻圖案以該第一光阻圖案為罩幕，對該基板施以離子布值；移除該第一光阻圖案；形成一第二金屬層于該半導(dǎo)體層上，并對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行第二微影蝕刻程序，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域與源極結(jié)構(gòu)以及汲極結(jié)構(gòu)；形成一保護(hù)層于該基板上，并對該保護(hù)層進(jìn)行第三微影蝕刻程序，以曝露出該汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域；以及形成一透明電極層于該保護(hù)層表面，并對該透明電極層進(jìn)行第四微影蝕刻程序，以定義畫素電極于該保護(hù)層表面，且電性連接至該汲極結(jié)構(gòu)其中上述的第二微影蝕刻程序是在形成該第二金屬層后，先涂布光阻于該第一金屬層上表面，并利用half tone光罩與slit光罩其中一種來定義一第二光阻圖案，使得該第二光阻圖案上方對應(yīng)該閘極結(jié)構(gòu)處，具有一開口，再經(jīng)過一蝕刻程序，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域與源極結(jié)構(gòu)以及汲極結(jié)構(gòu)。
更包含對該半導(dǎo)體層進(jìn)行準(zhǔn)分子雷射回火程序，使得該半導(dǎo)體層的非晶矽結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)為多晶矽結(jié)構(gòu)。
在對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行第一微影蝕刻程序時，更包含一去光阻的程序。
一種在基板上形成低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法，該方法至少包含下列步驟形成一緩沖層于該基板上；形成一第一金屬層于該緩沖層上；使用一第一光罩對該第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)；形成一絕緣層于該緩沖層、該閘極結(jié)構(gòu)與該基板表面上；形成一非晶矽層于該絕緣層上，做為該薄膜電晶體的通道區(qū)域使用；對該非晶矽層進(jìn)行準(zhǔn)分子雷射回火程序，使得該非晶矽層轉(zhuǎn)為一多晶矽層；
涂布光阻于該多晶矽層上，并對該基板施以背面曝光程序，以定義一第一光阻圖案于該多晶矽層上；以該第一光阻圖案為罩幕，對該基板施以離子布值；移除該第一光阻圖案；形成一第二金屬層于該多晶矽層上；使用一第二光罩定義一第二光阻圖案于該第二金屬層上，其中該第二光阻圖案上方對應(yīng)該閘極結(jié)構(gòu)處，具有一開口；以該第二光阻圖案為蝕刻罩幕，對該第二金屬層與該多晶矽層進(jìn)行蝕刻程序，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域與源極結(jié)構(gòu)以及汲極結(jié)構(gòu)；移除該第二光阻圖案；形成一保護(hù)層于該基板上；使用一第三光罩對該保護(hù)層進(jìn)行微影蝕刻程序，以曝露出該汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域；形成一透明電極層于該保護(hù)層上；以及使用一第四光罩對該透明電極層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義畫素電極于該保護(hù)層表面，且電性連接至該汲極結(jié)構(gòu)。
上述的第二光罩是使用half tone光罩與slit光罩其中的一種。
對該第二金屬層與該多晶矽層進(jìn)行蝕刻程時，更包含一去光阻的程序。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，是提供一種在基板上形成低溫多晶矽(LTPS)薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)的制造方法。首先依序沉積緩沖層、第一金屬層于該基板上。接著，使用第一光罩對第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義出薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)。隨后再依序沉積絕緣層、非晶矽層于基板上，并對非晶矽層進(jìn)行準(zhǔn)分子雷射回火(ELA)程序，使得非晶矽轉(zhuǎn)為多晶矽，以做為電晶體的通道區(qū)域使用。
接著涂布光阻于多晶矽層上，并對基板施以背面曝光程序，以定義第一光阻圖案于多晶矽層上。再以第一光阻圖案為罩幕，對基板施以離子布值。然后，沉積第二金屬層于多晶矽層上，并使用第二光罩定義出第二光阻圖案于第二金屬層上。接著以第二光阻圖案為蝕刻罩幕，對第二金屬層與多晶矽層進(jìn)行蝕刻程序，以定義出主動區(qū)域、源極結(jié)構(gòu)與汲極結(jié)構(gòu)。沉積保護(hù)層于基板上，并使用第三光罩對保護(hù)層進(jìn)行微影蝕刻程序，以曝露出汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域。接著濺鍍透明電極層于保護(hù)層上，并使用第四光罩對透明電極層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義畫素電極于保護(hù)層表面，且電性連接至汲極結(jié)構(gòu)。
利用本發(fā)明制作低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器具有相當(dāng)多的優(yōu)點。首先，在進(jìn)行摻雜區(qū)的離子布植時，傳統(tǒng)的做法是以一道光罩透過微影制程的步驟，對多晶矽層進(jìn)行離子植入；而本發(fā)明的做法則是利用背面曝光的程序，在不須增加一道光罩的手續(xù)及成本下，即可達(dá)到相同的效果，更有甚者，透過背面曝光還可達(dá)到自對準(zhǔn)(self-align)的結(jié)果，可完全避免使用光罩時可能發(fā)生的偏移(shift)因而造成關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension，CD)的誤差。此外，在本發(fā)明中籍著使用第二道光罩，可同時定義出薄膜電晶體的主動區(qū)域(island)及源極、汲極結(jié)構(gòu)；相較傳統(tǒng)的做法，得分別使用兩道光罩的手續(xù)，根據(jù)本發(fā)明僅只一道光罩的制程，即可達(dá)到相同的結(jié)果。綜上所述，相較于傳統(tǒng)上制作低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的六至七道光罩的制程，縮減為僅需四道光罩即可達(dá)到相同的結(jié)構(gòu)，所節(jié)省的成本及制程時間可說是相當(dāng)巨大的。


圖1為利用傳統(tǒng)技術(shù)所形成的低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的基板截面圖；圖2為利用本發(fā)明沉積緩沖層且定義出閘極結(jié)構(gòu)的步驟的基板截面圖；圖3為利用本發(fā)明接續(xù)沉積絕緣層、半導(dǎo)體層的步驟的基板截面圖；圖4為利用本發(fā)明涂布光阻于半導(dǎo)體層的步驟的基板截面圖；圖5為利用本發(fā)明以第一光阻圖案為罩幕，定義半導(dǎo)體層摻雜區(qū)的步驟的基板截面圖；
圖6為利用本發(fā)明接續(xù)沉積第二金屬層且定義出第二光阻圖案的步驟的基板截面圖；圖7為利用本發(fā)明定義出源極結(jié)構(gòu)與汲極結(jié)構(gòu)的步驟的基板截面圖；以及圖8為利用本發(fā)明畫素電極于保護(hù)層上的步驟的基板截面圖。
圖號說明10、30基板12、32緩沖層14、34閘板結(jié)構(gòu)16、36絕緣層18、38半導(dǎo)體層20絕介電層22、43第二金屬層 24、50保護(hù)層26、52畫素電極40光阻42第一光阻圖案44第二光阻圖案46源極結(jié)構(gòu)48汲極結(jié)構(gòu)50保護(hù)層 52畫素電極具體實施方式
本發(fā)明所揭示為一種在基板上形成低溫多晶矽(LTPS)薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)的制造方法。為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述并配合圖2至圖8的圖式。有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明如下所述。
請參照圖2，根據(jù)本發(fā)明較佳實施例，首先于基板30上形成緩沖層(bufferlayer)32。上述基板30可以使用玻璃、石英、或者類似的透明絕緣材質(zhì)。至于緩沖層32則可選擇氧化物或氮化物等一般的介電材料，其作用在于避免基板30內(nèi)的雜質(zhì)因后續(xù)的較高溫制程而擴(kuò)散出來。接著，形成第一金屬層于該緩沖層32上。第一金屬層的沉積，則可藉著諸如濺鍍法等物理氣相沉積程序，來將金屬薄膜形成于基板30的表面。其中，用來構(gòu)成第一金屬層的材料，可選擇鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、鈦等金屬或合金。接著使用第一光罩對該第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)34。在較佳實施例中，可先涂布光阻材料于第一金屬層上，并使用第一光罩對光阻材料進(jìn)行曝光、顯影等程序，以定義出一光阻圖案，再以光阻圖案為蝕刻罩幕，對第一金屬層進(jìn)行蝕刻程序，如濕式蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)的乾蝕刻，以定義薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)34。如同熟悉該項技藝者所知，在定義間極結(jié)構(gòu)34的程序中，通常會同時定義基板30表面的電容儲存電極、掃描線結(jié)構(gòu)(皆未顯示于圖中)一般。
接著請參照圖3，于緩沖層32、閘極結(jié)構(gòu)34與基板30表面上沉積絕緣層36。絕緣層36的材料可采用諸如氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiNO)等適當(dāng)材料，并籍著低溫化學(xué)氣相沉積法(PECVD)來構(gòu)成。隨后，沉積半導(dǎo)體層38于絕緣層36上，并對半導(dǎo)體層38進(jìn)行準(zhǔn)分子雷射回火(ELA)程序，使得原來非晶矽的結(jié)構(gòu)結(jié)晶轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?poly-Si)的結(jié)構(gòu)，用以做為后續(xù)薄膜電晶體的通道(channel)區(qū)域使用。
請參照圖4，接著涂布光阻40于半導(dǎo)體層38上，并對基板30方以背面曝光(backside exposure)程序，以定義第一光阻圖案42于半導(dǎo)體層38上。其中背面曝光程序是以一光源自基板30底部投射而出，經(jīng)過閘極結(jié)構(gòu)34的阻擋，使得閘極結(jié)構(gòu)34上方區(qū)域的光阻不受光線的照射，達(dá)到自對準(zhǔn)(self-align)的效果。再經(jīng)一顯影程序后，受光區(qū)域的光阻則會解離成易溶于顯影劑的物質(zhì)，而定義出第一光阻圖案42(如圖5所示)。接著，請參照圖5，以第一光阻圖案42為罩幕(mask)，對基板30施以離子布植。以n型而言，選擇如磷、砷等五價的雜質(zhì)離子進(jìn)行離子植入(ion implantation)；以p型而言，選擇如硼、鎵等三價的雜質(zhì)離子。接著即可移除此第一光阻圖案42。
請參照圖6，濺鍍第二金屬層43于半導(dǎo)體層38上。接著，使用第二光罩定義出第二光阻圖案44于第二金屬層43上。在本發(fā)明的較佳實施例中，可先涂布光阻材料于第二金屬層43上，接著使用half tone光罩或slit光罩，使得第一光阻圖案44上方對應(yīng)閘極結(jié)構(gòu)34處，具有一開口區(qū)域。接著，以此第二光阻圖案44為蝕刻罩幕，分別對第二金屬層43與半導(dǎo)體層38進(jìn)行蝕刻程序，以定義出電晶體的主動區(qū)域(island)。再如圖7所示，先經(jīng)去光阻(ashing)的程序，并將動作控制在去除通道區(qū)域上方的第一金屬層43露出即停止，接著以第一光阻圖案44為蝕刻罩幕，對第二金屬層43進(jìn)行蝕刻程序，以定義出薄膜電晶體的源極結(jié)構(gòu)46與汲極結(jié)構(gòu)48。隨后即可移除第二光阻圖案44。
請參照圖8，于基板30上形成保護(hù)層50。于基板30上沉積保護(hù)層50，接著使用第三光罩對保護(hù)層50進(jìn)行微影蝕刻程序，以形成接觸孔(comtact hole)，并曝露出部分汲極結(jié)構(gòu)48表面，亦即金屬接觸區(qū)(comtact area)。在較佳實施住中，此處的保護(hù)層50可選擇由氮化矽材料來構(gòu)成。接著，再于保護(hù)層50上形成透明電極層。然后使用第四光罩對透明電極層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義畫素電極52于保護(hù)層50表面，且電性連接至該汲極結(jié)構(gòu)48。其中透明電極層的材質(zhì)可選擇透明導(dǎo)電材質(zhì)，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等，其成膜方式有乾式的電阻加熱或電子束加熱的真空蒸鍍法、離子化蒸鍍法和濺鍍法或濕式的無電電鍍法等法來制成。
總結(jié)上述，根據(jù)本發(fā)明的制作方法關(guān)于光罩的使用是如下列所述(1)使用第一光罩對第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義出薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)；(2)使用第一光罩對第二金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義出薄膜電晶體的源極結(jié)構(gòu)與汲極結(jié)構(gòu)；(3)使用第三光罩對保護(hù)層進(jìn)行微影蝕刻程序，以曝露出汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域；(4)使用第四光罩對透明電極層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義出畫素電極于保護(hù)層表面，且電性連接至汲極結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種在基板上形成低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法，該方法至少包含下列步驟形成一緩沖層于該基板上形成一第一金屬層于該緩沖層上；使用一第一光罩對該第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)；形成一絕緣層于該緩沖層、該閘極結(jié)構(gòu)與該基板表面上；形成一半導(dǎo)體層于該絕緣層上，做為該薄膜電晶體的通道區(qū)域使用；對該半導(dǎo)體層進(jìn)行離子布值程序；形成一第二金屬層于該半導(dǎo)體層上；使用一第二光罩對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域與源極結(jié)構(gòu)以及汲極結(jié)構(gòu)；形成一保護(hù)層于該基板上；使用一第三光罩對該保護(hù)層進(jìn)行微影蝕刻程序，以曝露出該汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域；形成一透明電極層于該保護(hù)層上；以及使用一第四光罩對該透明電極層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義畫素電極于該保護(hù)層表面，且電性連接至該汲極結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包含對該半導(dǎo)體層進(jìn)行準(zhǔn)分子雷射回火程序，使得該半導(dǎo)體層的非晶矽結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)為多晶矽結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，上述的離子布值程序更包含下列步驟涂布光阻于該半導(dǎo)體層上，并對該基板施以背面曝光程序，定義一光阻圖案以該光阻圖案為罩幕，對該基板施以離子布值；以及移除該光阻圖案。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，上述的第二光罩是使用half tone光罩與slit光罩其中的一種。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行微影蝕刻程序時，更包含一去光阻的程序。
6.一種在基板上形成低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法，該方法至少包含下列步驟形成一緩沖層于該基板上；形成一第一金屬層于該緩沖層上，并對該第一金屬層進(jìn)行第一微影蝕刻程序，以定義薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)；形成一絕緣層于該緩沖層、該閘板結(jié)構(gòu)與該基板表面上；形成一半導(dǎo)體層于該絕緣層上，做為薄膜電晶體的通道區(qū)域使用；涂布光阻于該半導(dǎo)體層，并對該基板施以背面曝光程序，定義一第一光阻圖案以該第一光阻圖案為罩幕，對該基板施以離子布值；移除該第一光阻圖案；形成一第二金屬層于該半導(dǎo)體層上，并對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行第二微影蝕刻程序，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域與源極結(jié)構(gòu)以及汲板結(jié)構(gòu)；形成一保護(hù)層于該基板上，并對該保護(hù)層進(jìn)行第三微影蝕刻程序，以曝露出該汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域；以及形成一透明電極層于該保護(hù)層表面，并對該透明電極層進(jìn)行第四微影蝕刻程序，以定義畫素電極于該保護(hù)層表面，且電性連接至該汲極結(jié)構(gòu)；其中上述的第二微影蝕刻程序是在形成該第二金屬層后，先涂布光阻于該第一金屬層上表面，并利用half tone光罩與slit光罩其中一種來定義一第二光阻圖案，使得該第二光阻圖案上方對應(yīng)該閘板結(jié)構(gòu)處，具有一開口，再經(jīng)過一蝕刻程序，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域與源極結(jié)構(gòu)以及汲極結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，更包含對該半導(dǎo)體層進(jìn)行準(zhǔn)分子雷射回火程序，使得該半導(dǎo)體層的非晶矽結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)為多晶矽結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行第一微影蝕刻程序時，更包含一去光阻的程序。
9.一種在基板上形成低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法，該方法至少包含下列步驟形成一緩沖層于該基板上；形成一第一金屬層于該緩沖層上；使用一第一光罩對該第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義薄膜電晶體的閘極結(jié)構(gòu)；形成一絕緣層于該緩沖層、該閘極結(jié)構(gòu)與該基板表面上；形成一非晶矽層于該絕緣層上，做為該薄膜電晶體的通道區(qū)域使用；對該非晶矽層進(jìn)行準(zhǔn)分子雷射回火程序，使得該非晶矽層轉(zhuǎn)為一多晶矽層；涂布光阻于該多晶矽層上，并對該基板施以背面曝光程序，以定義一第一光阻圖案于該多晶矽層上；以該第一光阻圖案為罩幕，對該基板施以離子布值；移除該第一光阻圖案；形成一第二金屬層于該多晶矽層上；使用一第二光罩定義一第二光阻圖案于該第二金屬層上，其中該第二光阻圖案上方對應(yīng)該閘極結(jié)構(gòu)處，具有一開口；以該第二光阻圖案為蝕刻罩幕，對該第二金屬層與該多晶矽層進(jìn)行蝕刻程序，以定義該薄膜電晶體的主動區(qū)域與源極結(jié)構(gòu)以及汲極結(jié)構(gòu)；移除該第二光阻圖案；形成一保護(hù)層于該基板上；使用一第三光罩對該保護(hù)層進(jìn)行微影蝕刻程序，以曝露出該汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域；形成一透明電極層于該保護(hù)層上；以及使用一第四光罩對該透明電極層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義畫素電極于該保護(hù)層表面，且電性連接至該汲極結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，上述的第二光罩是使用halftone光罩與slit光罩其中的一種。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，對該第二金屬層與該多晶矽層進(jìn)行蝕刻程時，更包含一去光阻的程序。
全文摘要
一種低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器的制造方法，首先依序形成緩沖層、第一金屬層于基板上。接著使用一第一光罩對第一金屬層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義出閘極結(jié)構(gòu)。再依序形成絕緣層、半導(dǎo)體層于基板上。接著對半導(dǎo)體層進(jìn)行離子布值程序。緊接著，形成第二金屬層于半導(dǎo)體層上。然后使用第二光罩對第二金屬層與半導(dǎo)體層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義出主動區(qū)域、源極結(jié)構(gòu)與汲極結(jié)構(gòu)。接著，形成保護(hù)層于基板上，再使用第三光罩對保護(hù)層進(jìn)行微影蝕刻程序，以曝露出汲極結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域。最后形成透明電極層于保護(hù)層上，并使用第四光罩對透明電極層進(jìn)行微影蝕刻程序，以定義畫素電極于保護(hù)層表面，且電性連接至汲極結(jié)構(gòu)。
文檔編號G02F1/13GK1530716SQ03119330
公開日2004年9月22日 申請日期2003年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月14日
發(fā)明者陳世龍 申請人:友達(dá)光電股份有限公司