專利名稱：可抵減透鏡像差影響的微影方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體組件制造(semiconductor device manufacturing)，特別涉及一種可抵減透鏡像差影響(lens aberration)的微影方法。
背景技術(shù)：
集成電路(ICs)的制造，是利用位于晶圓上不同層內(nèi)的半導(dǎo)體組件間的接觸而完成。故為達成不同層內(nèi)的半導(dǎo)體組件間的良好電性接觸，在每一層組件的制造過程中除了須對當(dāng)層組件位置做準確的對準外，也需準確的對準前一層(previous underlying layer)組件的位置，當(dāng)與前一層組件間的層迭失誤(overlaperrors)情形出現(xiàn)時，便會造成不期望的開口(openings)或短路(shorts)情形而造成產(chǎn)品的損失。
在單一層組件的對準，通常藉由對準標(biāo)記(alignment marks)的使用來達成，例如位于硅晶圓上外側(cè)非晶方(chip)上的全面對準標(biāo)記(global alignment marks)，以及標(biāo)記在晶方(chip)間的切口(kerf)上的局部對準標(biāo)記(local alignment marks)。而不同層組件之間的對準，通常是藉由位于晶方內(nèi)產(chǎn)品區(qū)域的外圍切口(kerf)附近的層迭目標(biāo)(overlay targets)的使用來確認層迭的對準與否，例如一般常用的盒形層迭目標(biāo)(box in box overlay targets)。
當(dāng)前述的全面對準標(biāo)記、局部對準標(biāo)記以及層迭目標(biāo)皆已妥善的對準時，便可假設(shè)在晶方內(nèi)產(chǎn)品區(qū)域(product field)上的組件在微影程序后所轉(zhuǎn)移的組件圖案可位于適當(dāng)?shù)奈恢?。然而，在半?dǎo)體實際制程中，可發(fā)現(xiàn)有全面對準標(biāo)記、局部對準標(biāo)記以及層迭目標(biāo)皆已妥善的對準后，而在產(chǎn)品區(qū)域上發(fā)現(xiàn)如轉(zhuǎn)移后組件圖形的不對稱(asymmetry)、關(guān)鍵尺寸(critical diameter；CD)均一性不佳甚至誤對準(misalignment)等因組件圖形變形問題所導(dǎo)致的層迭失誤(overlap errors)的情形發(fā)生。
造成上述層迭失誤情形原因之一起因于配備在微影設(shè)備中投影光學(xué)系統(tǒng)中的投影透鏡(projection lens)所產(chǎn)生的透鏡像差影響(effects oflens aberrations)，而常見的透鏡像差例如為球面像差(spherical)、亂視(astigmatism)、慧形像差(coma)、像場彎曲(field curvature)及扭曲(distortion)等情形。
一般常見的微影設(shè)備例如圖1中所概要顯示的掃描式步進機(step-scanner)，在本文中將簡稱為掃描機(scanner)5。在使用掃描機5的微影程序中，首先將由光源產(chǎn)生器(未顯示)所產(chǎn)生的光線L經(jīng)過遮光板10所形成的狹縫景域(slit field)S后，穿過配置在光罩平臺14上的光罩12，并經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)16內(nèi)的投影透鏡(projection lens；未顯示)聚焦成像于配置在晶圓平臺20上的晶圓18，并在微影程序中同步地移動光罩平臺14與晶圓平臺20，利用上述光線L掃描光罩12，以將光罩12上的圖案步進地轉(zhuǎn)移至晶圓18上，而完成此微影程序。而光罩平臺14與晶圓平臺20的移動方向則視實際的投影光學(xué)系統(tǒng)16內(nèi)配置情形，可為同向地也可為反向地移動。
而在如圖2a-圖2d中所顯示的采用習(xí)知微影方法制備溝槽型動態(tài)隨機存取內(nèi)存(trench-type DRAM)的部份程序中，在此所使用的微影設(shè)備例如圖1所示的掃描機5。首先提供一如圖2a所示的第一光罩12a，并將其配置在光罩平臺14(未顯示)上。此第一光罩12a內(nèi)具有位于角落處的層迭目標(biāo)(overlay targets)100以及如光罩上第一區(qū)域105內(nèi)的特定的轉(zhuǎn)移圖案(pattern)。而第一區(qū)域105內(nèi)特定的轉(zhuǎn)移圖案為在此僅以為不透光區(qū)110所圍繞的復(fù)數(shù)個外型為等尺寸且兩兩對稱的長方形圖案透光區(qū)120表示。而此透光區(qū)120的長方形圖案具有一平行于x方向的短邊與一平行于y方向的長邊。
請參照圖2b，提供一晶圓，在此以晶圓18a表示，其上具有一定位標(biāo)記130以顯示相對位置之用，在此僅以如八寸晶圓上的一缺口(notch)表示，也可以一如六寸晶圓上的一平邊(未顯示)表示，但不于此加以限定。在此晶圓18a上至少涂布有一光阻層133，也可視情況，更可涂布如抗反射層(BARC)等具有增進微影效果的涂層。接著將晶圓18a配置在晶圓平臺20上，并使晶圓18a的定位標(biāo)記平行于第2b圖內(nèi)的y方向，并于完成當(dāng)層的對準后，施行一微影程序，經(jīng)由光罩平臺14(未顯示)與晶圓平臺20沿平行于第一光罩12a上的長方形圖案透光區(qū)120長邊的掃描方向135，同向地或反向地移動將第一光罩12a上的透光區(qū)120內(nèi)長方形圖案轉(zhuǎn)移至晶圓18a上。在經(jīng)過一顯影程序及一蝕刻程序后，可得到如圖2b內(nèi)所示的位于晶圓18a上第一區(qū)域140內(nèi)的轉(zhuǎn)移后第一圖案120’，因透鏡像差影響(lens aberrations)導(dǎo)致其關(guān)鍵尺寸(CD，短邊)表現(xiàn)不佳，略大于第一光罩12a上長方形圖案的透光區(qū)120，且兩鄰近的第一圖案120’間圖形不對稱。接著配合后續(xù)的半導(dǎo)體制程，而在此等第一圖案120’內(nèi)完成如溝槽型電容器的制備。
接著請參照圖2c，接著替換光罩平臺14(未顯示)上的光罩為一第二光罩12b，此第二光罩12b具有位于角落處的層迭目標(biāo)(overlay targets)100’以及如光罩上第二區(qū)域150內(nèi)的特定的轉(zhuǎn)移圖案(pattern)。而第二區(qū)域150內(nèi)特定的轉(zhuǎn)移圖案在此僅以為不透光區(qū)160所環(huán)繞的復(fù)數(shù)個等尺寸的長方形圖案透光區(qū)170，而透光區(qū)170的長方形圖案具有一x方向的長邊與一y方向的短邊。
請參照圖2d，接著提供一前述的晶圓18a，并在先前的第一圖案120’內(nèi)已具有一制備好的溝槽型電容器，而在18a上至少涂布有一光阻層183，也可視情況，更可涂布如抗反射層(BARC)等可增進微影效果的涂層。
接著將晶圓18a配置在晶圓平臺20上，并使晶圓18a的定位標(biāo)記130平行于第2d圖內(nèi)的y軸后，施行一微影程序，經(jīng)由光罩平臺14與晶圓平臺20沿第二光罩12b內(nèi)長方形圖案透光區(qū)170短邊的掃描方向165，同向地或反向地移動以完成此微影程序，以將第二光罩12b上透光區(qū)170的長方形圖案轉(zhuǎn)移到目標(biāo)晶圓18a上。接著施行一顯影程序及一蝕刻程序，以在晶圓18a上形成復(fù)數(shù)個轉(zhuǎn)移后的第二圖案170’，此等第二圖案170’并與先前位于晶圓18a上的第一圖案120’層迭。并配合后續(xù)的半導(dǎo)體制程，而于此轉(zhuǎn)移后第二圖案170’內(nèi)完成如接受離子值布的主動區(qū)域的制備。
由于其前層(underlying)的第一圖案120’受到透鏡像差影響(lensaberrations)，其關(guān)鍵尺寸(CD，短邊)表現(xiàn)不佳且兩鄰近的第一圖案120’間不對稱(asymmertry)，進而造成后續(xù)層迭于第一圖案120’上的第二圖案170’與第一圖案120’間層迭區(qū)域D的層迭面積不固定，而形成制程上的層迭失誤(overlaperrors)，而有損于組件的電性表現(xiàn)，影響組件的電性表現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的就是可在曝光程序中抵減透鏡像差影響(effects of lens aberrations)的曝光方法，可改善轉(zhuǎn)移后圖形受到透鏡像差影響(effects of lens aberrations)所產(chǎn)生的組件圖形不對稱及組件圖形的關(guān)鍵尺寸的偏差等問題，更可減低后續(xù)組件層迭時不同層間組件之間層迭失誤(overlap errors)的情形。
本發(fā)明的另一目的在于提出一種可抵減透鏡像差影響的微影方法，其包括下列步驟提供一微影設(shè)備，其內(nèi)配置有一第一光罩，該第一光罩上具有至少一第一長方形圖案；提供一晶圓，并藉由該微影設(shè)備，對該晶圓施行一微影程序，其中該第一光罩沿平行在該第一長方形圖案的短邊方向移動，而該晶圓也同步地沿平行在該第一光罩的移動方向移動，以轉(zhuǎn)移該第一長方形圖案在該晶圓上；替換該微影設(shè)備中的光罩為一第二光罩，且該第二光罩上具有至少一第二長方形圖案；以及藉由該微影設(shè)備，施行一微影程序，其中該第二光罩沿平行在該第二長方形圖案的短邊方向移動，而該晶圓在旋轉(zhuǎn)正負90度后，也同步地沿平行在該第二光罩的移動方向移動，以轉(zhuǎn)移該第二長方形圖案在該晶圓上。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該微影設(shè)備為一掃描式步進機。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該第一長方形圖案為一溝槽型電容的圖案。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該第二長方形圖案為一主動區(qū)域的圖案。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該晶圓具有一定位標(biāo)記以顯示相對位置。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該定位標(biāo)記是一缺角(notch)。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于轉(zhuǎn)移第一長方形圖案的過程中，該晶圓的該定位標(biāo)記是平行于該第一光罩的移動方向。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于轉(zhuǎn)移第二長方形圖案的過程中，該晶圓的該定位標(biāo)記是垂直于該第二光罩的移動方向。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該晶圓的移動方向與該第一光罩與第二光罩的移動方向為同向或反向。
一種可抵減透鏡像差影響的微影方法，包括提供一微影設(shè)備，其內(nèi)配置有一第一光罩，該第一光罩上具有至少一第一長方形圖案的透光區(qū)；提供一晶圓，在該晶圓上至少涂布有一光阻層；藉由該微影設(shè)備，施行一微影程序，其中該第一光罩沿平行于該第一長方形圖案的短邊方向移動，而至少涂布有一光阻層的該晶圓也同步地沿平行于該第一光罩的移動方向移動，以轉(zhuǎn)移該第一長方形圖案在該晶圓上；施行一顯影程序及蝕刻程序，以在該晶圓上形成一轉(zhuǎn)移后的第一圖案，而該第一圖案具有一長軸方向與一短軸方向，其中該長軸方向垂直于該晶圓的移動方向；替換該微影設(shè)備中的一光罩為一第二光罩，且該第二光罩上具有至少一第二長方形圖案的透光區(qū)；提供一具有該第一圖案的晶圓，且該晶圓上至少涂布一光阻層；
藉由該微影設(shè)備，施行一微影程序，其中該第二光罩沿平行于該第二長方形圖案的短邊方向移動，且具有該第一圖案的晶圓在旋轉(zhuǎn)正負90度后，也同步地沿該第二光罩的同向或反向移動，以轉(zhuǎn)移該第二長方形圖案在該晶圓上；以及施行一顯影程序及蝕刻程序，以在該晶圓上形成一轉(zhuǎn)移后的第二圖案并層迭(overlap)在先前的第一圖案上，其中該第二圖案也具有一長軸方向與一短軸方向，而此長軸方向與先前該第一圖案的短軸方向互為垂直。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該微影設(shè)備為一掃描式步進機。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該第一圖案為一溝槽型電容圖案。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該第二圖案為一主動區(qū)域圖案。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該晶圓具有一定位標(biāo)記以顯示相對位置。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該定位標(biāo)記系一缺角(notch)。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于轉(zhuǎn)移第一長方形圖案的過程中，該晶圓的該定位標(biāo)記系平行于該第一光罩的移動方向。
可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于轉(zhuǎn)移第二長方形圖案的過程中，該晶圓的該定位標(biāo)記系垂直于該第二光罩的移動方向。
本發(fā)明是將兩道光罩上欲轉(zhuǎn)移的長方形圖案的短邊平行于微影程序中的掃描方向，并配合晶圓的定位標(biāo)記的轉(zhuǎn)動(在連續(xù)兩次微影程序中相差正負90度)，以形成具有正交結(jié)構(gòu)的兩組件層的微影圖案轉(zhuǎn)移，并藉由微影掃描程序中的均化效應(yīng)，以抵減透鏡像差影響所造成的轉(zhuǎn)移后圖形不對稱及關(guān)鍵尺寸表現(xiàn)不佳等情形，進而改善兩組件層間的層迭失誤(overlap errors)情形，并改善了組件的電性表現(xiàn)。
本發(fā)明的微影方法，在相同的微影條件下，具有抵減透鏡像差影響(lensaberrations)的功效，可改善兩鄰近圖案的關(guān)鍵尺寸差異值并提升其對稱性，可進而減少后續(xù)制程上的層迭失誤(overlap errors)情形，具有提升層迭圖形準確性的功效。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1是概要顯示一種掃描式步進機圖；圖2a-圖2d是采用習(xí)知微影方法制備溝槽型動態(tài)隨機存取內(nèi)存(trench-typeDRAM)的部份程序；圖3a-圖3e是本發(fā)明的微影方法制備溝槽型動態(tài)隨機存取內(nèi)存(trench-typeDRAM)的部份程序；圖4是本發(fā)明一微影效果的比較。
實施方式圖3a-圖3e是采用本發(fā)明的方法制備溝槽型動態(tài)隨機存取內(nèi)存(trench-type DRAM)的部份程序，以詳細說明本發(fā)明的較佳實施例。
首先提供一微影設(shè)備，在本實施例中則以圖1所示的掃描機5的使用為例，其內(nèi)配置有一如圖3a所示的第一光罩120a。在此第一光罩120a可經(jīng)過重新制作，得到如圖3a中角落處具有層迭目標(biāo)(overlay targets)100以及如光罩上第一區(qū)域205內(nèi)特定的轉(zhuǎn)移圖案(pattern)。而第一區(qū)域205內(nèi)的轉(zhuǎn)移圖案在此僅以為不透光區(qū)210圍繞的復(fù)數(shù)個外型為等尺寸且兩兩對稱的長方形圖案的透光區(qū)220表示。而此透光區(qū)220的長方形圖案具有平行于y方向的一短邊與平行于x方向的一長邊。
此外，第一光罩120a可不需經(jīng)重新制作，可僅修改如圖2a中的第一光罩12a，將其旋轉(zhuǎn)正/負90度后，在第一光罩120a上新增層迭目標(biāo)200以作為新的層迭對準目標(biāo)，而形成如圖3b所示的與圖3a中的第一光罩120具有相同配置的第一光罩12a。
請參照圖3c，接著提供一晶圓，在此以晶圓18b表示，其上具有一定位標(biāo)記230以顯示相對位置之用，在此僅以如八寸晶圓上的一缺口表示，也可以一如六寸晶圓上的一平邊(未顯示)表示，但不于此加以限定。在此晶圓18b上至少涂布有一光阻層233，也可視情況，更可涂布如抗反射層(BARC)等具有增進微影效果的涂層。
接著將晶圓18b旋轉(zhuǎn)負90度后(也可為正90度，視實際配置而定)置于晶圓平臺20上，并使晶圓18b的定位標(biāo)記230平行于圖3c內(nèi)的x方向，并施行一微影程序，經(jīng)由光罩平臺14(未顯示)與晶圓平臺20沿平行于第一光罩120上長方形圖案透光區(qū)220短邊的掃描方向235，同向地或反向地移動以完成此微影程序，并將第一光罩上透光區(qū)220內(nèi)的長方形圖案轉(zhuǎn)移到晶圓18b上。接著施行一顯影程序及一蝕刻程序以在晶圓18b上形成復(fù)數(shù)個轉(zhuǎn)移后的第一圖案220’，而此第一圖案220’具有一長軸方向與一短軸方向。在此第一光罩上的長方形圖案透光區(qū)220可視為一第一長方形圖案，其功用例如制備一溝槽型電容的圖案，并配合后續(xù)的半導(dǎo)體制程，在經(jīng)由此第一長方形圖案轉(zhuǎn)移后而得到的第一圖案220’內(nèi)完成一溝槽型電容器的制備。
在此，可發(fā)現(xiàn)如上述的微影方法(晶圓18b移動方向平行于透光區(qū)220的短邊掃描方向235，但其定位標(biāo)記230垂直于晶圓18b的移動方向)，可藉由掃描過程中均化效應(yīng)(averaging effects)將第一光罩120a上長方形圖案的透光區(qū)220在微影程序中受透鏡像差影響(effects of lens aberrations)抵減掉(trade-off)，以在晶圓18b第一區(qū)域240內(nèi)得到兩關(guān)鍵尺寸(CD，短邊)表現(xiàn)相當(dāng)?shù)牡谝粓D案220’，且兩鄰近的第一圖案220’間圖形較對稱，具有抵減因透鏡像差影響(lensaberrations)的效果。
接著請參照圖3d，接著將掃描機5內(nèi)的光罩替換為一第二光罩120b，此第二光罩120b內(nèi)具有位于角落處的層迭目標(biāo)(overlay targets)100’以及如光罩上第二區(qū)域250內(nèi)的特定的轉(zhuǎn)移圖案(pattern)。而第二區(qū)域250內(nèi)特定的轉(zhuǎn)移圖案在此僅以為不透光區(qū)260所環(huán)繞的復(fù)數(shù)個等尺寸的長方形圖案透光區(qū)270，而透光區(qū)270的長方形圖案具有一x方向的長邊與一y方向的短邊。
請參照圖3e，接著提供一先前的晶圓18b，并在晶圓18b內(nèi)的第一圖案220’內(nèi)已具有一制備好的溝槽型電容器，而在18b上至少涂布有一光阻層283，也可視情況，更可涂布如抗反射層(BARC)等可增進微影效果的涂層。
接著將晶圓18b置于晶圓平臺20上，并使晶圓18b的定位標(biāo)記230平行于y軸后，施行一微影程序，經(jīng)由光罩平臺14(未顯示)與晶圓平臺20沿第二光罩120b內(nèi)長方形圖案透光區(qū)270短邊的掃描方向265，同向地或反向地移動以完成此微影程序，而將第二光罩120b上透光區(qū)270的長方形圖案轉(zhuǎn)移到目標(biāo)晶圓18b上。接著施行一顯影程序及一蝕刻程序以在晶圓18b上形成復(fù)數(shù)個轉(zhuǎn)移后的第二圖案270’，此等第二圖案270’具有一長軸方向與一短軸方向，并層迭于先前在晶圓18b上的第一圖案220’，此第二圖案270’的長軸方向并正交于第一圖案220’的長軸方向。在此第二光罩120b上的長方形圖案透光區(qū)270可視為一第二長方形圖案，并配合后續(xù)的半導(dǎo)體制程，在此等經(jīng)由第二長方形圖案轉(zhuǎn)移后所得到的第二圖案270’內(nèi)完成如主動區(qū)域的制備。
在此，由于其前層(underlying)的第一圖案220’已藉由本發(fā)明的方法達到抵減透鏡像差影響(lens aberrations)的功效，其關(guān)鍵尺寸(CD，短邊)部份表現(xiàn)相當(dāng)，兩鄰近的第一圖案220’間圖形較對稱，且在后續(xù)轉(zhuǎn)移第二圖案270’的微影程序中所微影方法(晶圓18b移動方向平行于透光區(qū)270的短邊掃描方向265，但其定位標(biāo)記230平行于晶圓18b的移動方向)，已藉由掃描過程中的均化效應(yīng)(averaging effects)將第二光罩120b上長方形圖案的透光區(qū)270在微影程序中受透鏡像差影響(effects of lens aberrations)抵減掉(trade-off)，以在晶圓18b第二區(qū)域270內(nèi)得到關(guān)鍵尺寸(CD，短邊)表現(xiàn)相當(dāng)?shù)牡诙D案270’已具有抵減因透鏡像差影響(lens aberrations)的效果，故層迭在第一圖案220’上的第二圖案270’與第一圖案220’間層迭區(qū)域D’間層迭面積表現(xiàn)更趨一致，較佳于如圖2d所示受透鏡像差影響(lens aberrations)的層迭區(qū)域D(D’＜D)，可改善制程上的層迭失誤(overlap errors)情形，進而改善組件的電性表現(xiàn)。
值得注意的，本發(fā)明是將兩道光罩上欲轉(zhuǎn)移的長方形圖案的短邊平行于微影程序中的掃描方向，并配合晶圓的定位標(biāo)記的轉(zhuǎn)動(在連續(xù)兩次微影程序中相差正負90度)，以形成具有正交結(jié)構(gòu)的兩組件層的微影圖案轉(zhuǎn)移，并藉由微影掃描程序中的均化效應(yīng)，以抵減透鏡像差影響所造成的轉(zhuǎn)移后圖形不對稱及關(guān)鍵尺寸表現(xiàn)不佳等情形，進而改善兩組件層間的層迭失誤(overlap errors)情形，并改善了組件的電性表現(xiàn)。
本發(fā)明的微影方法，并非限定使用在制備溝槽型動態(tài)隨機存取內(nèi)存(trench-type DRAM)的程序中，舉凡利用兩次微影程序，以將位于兩獨立光罩上且具有至少一正交且具層迭關(guān)系的長方形圖案轉(zhuǎn)移至晶圓上的半導(dǎo)體制程，皆可適用本發(fā)明的可抵減透鏡像差影響的微影方法，以得到較佳的微影效果。
微影效果比較請參照圖4，使用本發(fā)明的微影方法(如圖3c所示)與習(xí)知的微影方法(如圖2b所示)中，對于前述的第一光罩內(nèi)(分別為12a與120a)內(nèi)長方形圖案的透光區(qū)(分別為120與220)，在固定各項微影條件后，并經(jīng)適當(dāng)微影程序后所得到的兩鄰近第一圖案(分別為120’與220’)其沿狹縫景域(slit field)S內(nèi)12個取樣點所得到的關(guān)鍵尺寸(CD，短邊，目標(biāo)值為155nm)差異值，將上述12個取樣點所得的關(guān)鍵尺寸差異值平均后，采用習(xí)知微影方法所得到的兩鄰近第一圖案的關(guān)鍵尺寸差異均值為9.26nm，而采用本發(fā)明的微影方法所得到的兩鄰近第一圖案的差異均值則為6.11nm。以業(yè)界常見標(biāo)準的關(guān)鍵尺寸5％的制程裕度(processwindow)判斷(在此約為7.75nm)，本發(fā)明的微影方法，在相同的微影條件下，具有抵減透鏡像差影響(lens aberrations)的功效，可改善兩鄰近圖案的關(guān)鍵尺寸差異值并提升其對稱性，可進而減少后續(xù)制程上的層迭失誤(overlap errors)情形，具有提升層迭圖形準確性的功效。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視專利要求范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于提供一微影設(shè)備，其內(nèi)配置有一第一光罩，該第一光罩上具有至少一第一長方形圖案；提供一晶圓，并藉由該微影設(shè)備，對該晶圓施行一微影程序，其中該第一光罩沿平行在該第一長方形圖案的短邊方向移動，而該晶圓也同步地沿平行在該第一光罩的移動方向移動，以轉(zhuǎn)移該第一長方形圖案在該晶圓上；替換該微影設(shè)備中的光罩為一第二光罩，且該第二光罩上具有至少一第二長方形圖案；以及藉由該微影設(shè)備，施行一微影程序，其中該第二光罩沿平行在該第二長方形圖案的短邊方向移動，而該晶圓在旋轉(zhuǎn)正負90度后，也同步地沿平行在該第二光罩的移動方向移動，以轉(zhuǎn)移該第二長方形圖案在該晶圓上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該微影設(shè)備為一掃描式步進機。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該第一長方形圖案為一溝槽型電容的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該第二長方形圖案為一主動區(qū)域的圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該晶圓具有一定位標(biāo)記以顯示相對位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該定位標(biāo)記是一缺角(notch)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于轉(zhuǎn)移第一長方形圖案的過程中，該晶圓的該定位標(biāo)記是平行于該第一光罩的移動方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于轉(zhuǎn)移第二長方形圖案的過程中，該晶圓的該定位標(biāo)記是垂直于該第二光罩的移動方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該晶圓的移動方向與該第一光罩與第二光罩的移動方向為同向或反向。
10.一種可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于提供一微影設(shè)備，其內(nèi)配置有一第一光罩，該第一光罩上具有至少一第一長方形圖案的透光區(qū)；提供一晶圓，在該晶圓上至少涂布有一光阻層；藉由該微影設(shè)備，施行一微影程序，其中該第一光罩沿平行于該第一長方形圖案的短邊方向移動，而至少涂布有一光阻層的該晶圓也同步地沿平行于該第一光罩的移動方向移動，以轉(zhuǎn)移該第一長方形圖案在該晶圓上；施行一顯影程序及蝕刻程序，以在該晶圓上形成一轉(zhuǎn)移后的第一圖案，而該第一圖案具有一長軸方向與一短軸方向，其中該長軸方向垂直于該晶圓的移動方向；替換該微影設(shè)備中的一光罩為一第二光罩，且該第二光罩上具有至少一第二長方形圖案的透光區(qū)；提供一具有該第一圖案的晶圓，且該晶圓上至少涂布一光阻層；藉由該微影設(shè)備，施行一微影程序，其中該第二光罩沿平行于該第二長方形圖案的短邊方向移動，且具有該第一圖案的晶圓在旋轉(zhuǎn)正負90度后，也同步地沿該第二光罩的同向或反向移動，以轉(zhuǎn)移該第二長方形圖案在該晶圓上；以及施行一顯影程序及蝕刻程序，以在該晶圓上形成一轉(zhuǎn)移后的第二圖案并層迭(overlap)在先前的第一圖案上，其中該第二圖案也具有一長軸方向與一短軸方向，而此長軸方向與先前該第一圖案的短軸方向互為垂直。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該微影設(shè)備為一掃描式步進機。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該第一圖案為一溝槽型電容圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該第二圖案為一主動區(qū)域圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該晶圓具有一定位標(biāo)記以顯示相對位置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于該定位標(biāo)記是一缺角(notch)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于轉(zhuǎn)移第一長方形圖案的過程中，該晶圓的該定位標(biāo)記是平行于該第一光罩的移動方向。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的可抵減透鏡像差影響的微影方法，其特征在于轉(zhuǎn)移第二長方形圖案的過程中，該晶圓的該定位標(biāo)記是垂直于該第二光罩的移動方向。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可抵減透鏡像差影響的微影方法，包括提供一微影設(shè)備，其內(nèi)配置有一第一光罩，其上具有至少一第一長方形圖案；提供一晶圓，并藉由此微影設(shè)備，對上述晶圓施行一微影程序，其中第一光罩沿平行在其上第一長方形圖案的短邊方向移動，而此晶圓也同步地沿平行在第一光罩的移動方向移動，以轉(zhuǎn)移上述第一長方形圖案在晶圓上；替換微影設(shè)備中的光罩為一第二光罩，且其上具有至少一第二長方形圖案；以及藉由此微影設(shè)備，施行一微影程序，其中第二光罩沿平行在該第二長方形圖案的短邊方向移動，而晶圓在旋轉(zhuǎn)正負90度后，也同步地沿平行在該第二光罩的移動方向移動，以轉(zhuǎn)移該第二長方形圖案在該晶圓上。
文檔編號G03F7/22GK1519654SQ03100750
公開日2004年8月11日 申請日期2003年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月21日
發(fā)明者廖俊誠, 吳元薰 申請人:南亞科技股份有限公司