專利名稱：電子照相光感受器、成像方法、成像儀器及其處理用暗盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子照相光感受器和使用該光感受器的成像方法、成像儀器及其處理暗盒(process cartridge)。
背景技術(shù)：
最近，利用電子照相法的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)取得顯著進(jìn)展。確切地說，利用光記錄數(shù)據(jù)并通過將數(shù)據(jù)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)的激光打印機(jī)(printer)和數(shù)字復(fù)印機(jī)在它們的印刷質(zhì)量和可靠性上取得了顯著改進(jìn)。進(jìn)而，用在這些打印機(jī)和復(fù)印機(jī)中的技術(shù)也可應(yīng)用于能夠以高速印刷技術(shù)印刷全色圖像的激光打印機(jī)和數(shù)字復(fù)印機(jī)。由于這些原因，所以要求光感受器既可產(chǎn)生高質(zhì)量圖像，又具有高耐久性。
由于成本、生產(chǎn)力和無污染性等原因，使用有機(jī)感光材料的光感受器廣泛用于這些激光打印機(jī)和數(shù)字復(fù)印機(jī)中。有機(jī)光感受器一般分為單層類型(single-layered type)和功能獨(dú)立類型(functionally-separated type)。第一種實(shí)用的有機(jī)光感受器，PVK-TNF電荷交換復(fù)合光感受器是早先的單層類型。
Hayashi先生和Regensburger先生在1968年獨(dú)立發(fā)明了PVK/a-Se多層光感受器。Melz先生在1977年和Schlosser先生在1978年公開了一種多層光感受器，它的感光層都是由有機(jī)材料制成的，也就是有機(jī)顏料分散的層和有機(jī)小分子量材料分散的聚合物層。它們被稱為功能獨(dú)立的光感受器，因?yàn)榫哂型ㄟ^吸收光而生成電荷的電荷生成層(chargegeneration layer，CGL)和在光感受器表面上傳輸電荷和中和電荷的電荷傳輸層(charge transport layer，CTL)。
多層光感受器比單層光感受器大大提高了敏感性和耐久性。另外，由于能夠分別選擇電荷生成材料(charge generation material，CGM)和電荷傳輸材料(charge transport material，CTM)，所以大大擴(kuò)展了材料的選擇范圍。由于這些原因，所以多層光感受器目前在市場上頗為盛行。
在多層光感受器中生成靜電潛象的機(jī)理如下將光感受器充電，然后用光照射(irradiate)；光線通過CTL，在CGL中被CGM吸收，生成電荷；該電荷被注入CTL到達(dá)CGL與CTL的界面；電荷受靜電場的作用在CTL中移動(dòng)，中和光感受器表面上的電荷，形成靜電潛像。
不過，由于反復(fù)使用，有機(jī)光感受器的感光層容易被磨損，因此光感受器的電位和感光性會(huì)慢慢惡化(deteriorate)，由于其表面上的劃痕和所得圖像密度與質(zhì)量的惡化，導(dǎo)致背景污染。因此，有機(jī)光感受器的耐磨性已經(jīng)成為重要的課題。進(jìn)而，最近，隨著印刷速度的加快和成像儀器的小型化，光感受器也不得不隨之具有更小的直徑，其耐久性成為更重要的課題。
關(guān)于提高光感受器耐磨性的方法，賦予感光層以潤滑性、硬化感光層、在其中包括填充劑和使用高分子量CTM代替小分子量CTM的方法是普遍已知的。不過，當(dāng)利用這些方法防止光感受器磨損時(shí)，出現(xiàn)了其他問題。也就是說，因使用條件或環(huán)境而產(chǎn)生的氧化氣體如臭氧和NOx附著于感光層的表面，降低了其表面電阻，產(chǎn)生了所得圖像模糊等問題。
迄今為止，已經(jīng)在一定程度上避免了這樣一種問題，因?yàn)殡S著感光層的磨損，導(dǎo)致圖像模糊的材料逐漸被擦去。不過，為了滿足上述對(duì)光感受器更高敏感性與耐久性的最新需要，需要使用新的工藝。為了減少導(dǎo)致圖像模糊的材料的影響，有一種方法是為光感受器裝備加熱器，這對(duì)儀器小型化和減少電能消耗來說是一大缺點(diǎn)。另外，在感光層中包括添加劑如抗氧化劑的方法是有效的，但是由于簡單的添加劑不具有光電導(dǎo)性，而在感光層中大量包含這類添加劑則會(huì)導(dǎo)致敏感性惡化和所得光感受器剩余電位增加等問題。
另外，日本專利申請(qǐng)公開號(hào)2000-231204公開了具有二烷基氨基的芳族化合物。該化合物對(duì)反復(fù)使用后光感受器得到的圖像質(zhì)量是有效的，但是由于電荷傳輸性低，它難以滿足更高敏感性與印刷速度的需要，并且其加入量有限。
如上所述，通過賦予耐磨性或圍繞此而設(shè)計(jì)的方法減少磨損的電子照相光感受器不可避免地產(chǎn)生模糊和低分辨率的圖像，并且所得圖像難以兼?zhèn)涓吣途眯院透哔|(zhì)量。這是因?yàn)楦泄鈱拥母弑砻骐娮鑳?yōu)先防止圖像模糊，它的低表面電阻優(yōu)先防止剩余電位增加。
由于這些原因，所以需要對(duì)這樣一種電子照相光感受器，它具有抗長時(shí)間反復(fù)使用的高耐久性，防止圖像密度惡化和圖像模糊，穩(wěn)定地產(chǎn)生優(yōu)質(zhì)圖像。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供這樣的電子照相光感受器(electrophotographic photoreceptor)，它具有抗長時(shí)間反復(fù)使用的高耐久性，防止圖像密度惡化和圖像模糊，穩(wěn)定地產(chǎn)生高質(zhì)量圖像。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供使用該光感受器的成像方法、成像儀器(image forming apparatus)和處理暗盒，其中該光感受器不必交換，這能夠隨著高速印刷或光感受器直徑更小而使儀器小型化，并且即使長時(shí)間反復(fù)使用后也穩(wěn)定地產(chǎn)生高質(zhì)量圖像。
簡而言之，本發(fā)明的這些目的和下述其他目的將通過閱讀本發(fā)明的下述說明將更加容易明白。
本發(fā)明提供了電子照相光感受器，包含導(dǎo)電襯底(electroconductive substrate)；和位于導(dǎo)電襯底之上的感光層(photosensitive layer)，其中該感光層包含選自下式(1)至(22)的氨基化合物 其中R1和R2獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接(share bond connectivity)構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；n1代表1至4的整數(shù)；Ar代表取代或未取代的芳環(huán)基(aromatic ring group)； 其中R21和R22獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；l2、m2和n2獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中l(wèi)2、m2和n2不同時(shí)是0；Ar21、Ar22和Ar23獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar21和Ar22、Ar22和Ar23，以及Ar23和Ar21的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R31和R32獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k3、l3、m3和n3獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k3、l3、m3和n3不同時(shí)是0；Ar31、Ar32、Ar33和Ar34獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar31和Ar32、Ar31和Ar34，以及Ar33和Ar34的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)； 其中R41和R42獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k4、l4、m4和n4獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k4、l4、m4和n4不同時(shí)是0；Ar41、Ar42、Ar43和Ar44獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar41和Ar42、Ar41和Ar43，以及Ar43和Ar44的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)； 其中R51和R52獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k5、l5、m5和n5獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k5、l5、m5和n5不同時(shí)是0；Ar51、Ar52、Ar53和Ar54獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar51和Ar52、Ar51和Ar53，以及Ar51和Ar54的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)；X代表亞甲基、亞環(huán)己基(cyclohexylidine)、氧原子或硫原子； 其中R61和R62獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)；l6和m6獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中l(wèi)6和m6不同時(shí)是0；Ar61、Ar62和Ar63獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar61和Ar62，以及Ar61和Ar63的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)；n6代表1至4的整數(shù)； 其中R71和R72獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m7和n7獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中m7和n7不同時(shí)是0；R73和R74獨(dú)立地代表氫原子、具有1至11個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基和取代或未取代的芳環(huán)基；Ar71和Ar72獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基，其中Ar71、Ar72、Ar73和Ar74中的一個(gè)是芳族雜環(huán)基； 其中R81和R82獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m8和n8獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中m8和n8不同時(shí)是0；R83代表氫原子、具有1至11個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar81、Ar82、Ar83、Ar84和Ar85獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar81和Ar82或Ar81和Ar83任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R91和R92獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m9和n9獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中m和n不同時(shí)是0；Ar91、Ar92、Ar93、Ar94和Ar95獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar91和Ar92或Ar91和Ar93任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R101和R102獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；n10代表1至3的整數(shù)；Ar101、Ar102、Ar103和Ar104獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar101和Ar102或Ar101和Ar103任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R111和R112獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；111代表1至3的整數(shù)；Ar111和Ar112獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R113和R114獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳環(huán)基或具有下式的基團(tuán) 其中R111和R112獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m11和n11獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)；R115和R116獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基，其中R113和R114、R115和R116，以及Ar111和Ar112組合中的每一組任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)； 其中R121和R122獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；112代表1至3的整數(shù)；Ar121和Ar122獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R123和R124獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳環(huán)基或具有下式的基團(tuán) 其中R121和R122獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R123和R124不同時(shí)是氫原子；m12和n12獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)；R125和R126獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基，其中R123和R124、R125和R126，以及Ar121和Ar122中的每一組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)； 其中R131和R132獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R133和R134獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R135、R136和R137獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar131和Ar132獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R133和R134或Ar132和R134任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；Ar131和R135任選地構(gòu)成環(huán)；l13代表1至3的整數(shù)；m13代表0或1至3的整數(shù)；n13代表0或1； 其中R141和R142獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R143和R144獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R145、R146和R147獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar141和Ar142獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R143和R144或Ar142和R144任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；Ar141和R145任選地構(gòu)成環(huán)；l14代表1至3的整數(shù)；m14代表0或1至3的整數(shù)；n14代表0或1； 其中R151和R152獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；l15和m15獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中l(wèi)15和m15不同時(shí)是0；R153代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R154代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar151和Ar152獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar151和R154、Ar152和R153或Ar152和另一個(gè)Ar152任選地構(gòu)成環(huán)；n15代表0或1； 其中R161和R162獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；l16和m16獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中l(wèi)16和m16不同時(shí)是0；R163代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R164代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar161和Ar162獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar161和R164、Ar162和R163或Ar162和另一個(gè)Ar162任選地構(gòu)成環(huán)；n16代表0或1； 其中R171和R172獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k17、l17和m17獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k17、l17和m17不同時(shí)是0；R173代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar171和Ar172獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar171和R174、Ar172和R173或Ar172和另一個(gè)Ar172任選地構(gòu)成環(huán)；n17代表0或1； 其中R181和R182獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k18、l18和m18獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k18、l18和m18不同時(shí)是0；R183代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar181和Ar182代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar181和R184、Ar182和R183或Ar182和另一個(gè)Ar182任選地構(gòu)成環(huán)；n18代表0或1； 其中R191和R192獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R193和R194獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R195代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar191和Ar192獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R193和R194或Ar191和R194任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k19、l19和m19獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)；n19代表1或2；當(dāng)k19、l19和m19同時(shí)是0時(shí)，R193和R194獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且R193和R194任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R201和R202獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R203和R204獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R205代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar201和Ar202獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R203和R204或Ar201和R204任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m20代表0或1至4的整數(shù)；n20代表1或2；當(dāng)m20是0時(shí)，R203和R204獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且R203和R204任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R211和R212獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；Ar代表取代或未取代的芳環(huán)基；R213和R214獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；l21、m21和n21獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，并且不同時(shí)是0； 其中R221和R222獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；Ar221、Ar222和Ar223獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R223代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；122和m22獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，并且不同時(shí)是0；n22代表1至3的整數(shù)。
根據(jù)上述的電子照相光感受器，其中感光層的最外側(cè)部分包含填料，而且還可以包含電荷傳輸材料，選自式(23)和(24) 其中n23是0或1；R231代表氫原子、烷基或未取代的苯基；Ar231代表取代或未取代的芳基；R235代表烷基，包括取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；A代表9-蒽基、取代或未取代的咔唑基或具有下式的基團(tuán) 其中m23是1至3的整數(shù)；R232代表氫原子、烷基、烷氧基、鹵原子或具有下式的基團(tuán) 其中R233和R234獨(dú)立地代表取代或未取代的芳基；R233和R234任選地構(gòu)成環(huán)，其中當(dāng)m23不小于2時(shí)，每個(gè)R232任選地彼此相同或不同，當(dāng)n23是0時(shí)，A和R231任選地構(gòu)成環(huán)； 其中R241、R243和R244獨(dú)立地代表氫原子、氨基、烷氧基、硫代烷氧基、芳氧基、亞甲二氧基、取代或未取代的烷基、鹵原子或取代或未取代的芳基；R242代表氫原子、烷氧基、取代或未取代的烷基或鹵原子；k24、l24、m24和n24獨(dú)立地是1至4的整數(shù)，當(dāng)k24、l24、m24和n24是2至4的整數(shù)時(shí)，R241、R242、R243和R244任選地是彼此相同或不同的。
或者，根據(jù)本發(fā)明上述的電子照相光感受器，其中感光層還包含電荷傳輸聚合物材料，選自式(25)和(26) 其中R251和R252代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar251、Ar252和Ar253獨(dú)立地代表芳環(huán)基；k25是0.1至1.0的數(shù)字，j25是0至0.9的數(shù)字；n25代表重復(fù)數(shù)，是5至5000的整數(shù)；X代表二價(jià)脂族基團(tuán)、二價(jià)脂環(huán)族基團(tuán)或具有下式的二價(jià)基團(tuán) 其中R253和R254獨(dú)立地代表取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基或鹵原子；l25和m25代表0或1至4的整數(shù)；Y代表直接的鍵、直鏈亞烷基、支鏈亞烷基、環(huán)狀亞烷基、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-CO-、-CO-O-Z-O-CO-(Z代表二價(jià)脂族基團(tuán))或具有下式的基團(tuán) 其中a是1至20的整數(shù)；b是1至2000的整數(shù)；R255和R256獨(dú)立地代表取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基，其中R253、R254、R255和R256任選地是彼此相同或不同的； 其中Ar261、Ar262、Ar263、Ar264和Ar265代表取代或未取代的芳環(huán)基Z代表芳環(huán)基或-Ar266-Za-Ar266-；Ar266代表取代或未取代的芳環(huán)基，其中Za代表O、S或亞烷基；R261和R262代表直鏈亞烷基或支鏈亞烷基；m26是0或1；X同式(25)；k26是0.1至1.0的數(shù)字，l26是0至0.9的數(shù)字；n26代表重復(fù)數(shù)，是5至5000的整數(shù)。
本發(fā)明還提供了一種電子照相光感受器，包含導(dǎo)電襯底；感光層；和保護(hù)層，其中該保護(hù)層包含填料(filler)；酸值(acid value)為10至400mg KOH/g的有機(jī)化合物；和選自式(1)至(22)的化合物。
根據(jù)上述的電子照相光感受器，其中保護(hù)層還包含電荷傳輸材料。在上述電子照相光感受器中，酸值為10至400mgKOH/g的有機(jī)化合物包括聚羧酸、有機(jī)脂肪酸等，而且酸值為10至400mg KOH/g的有機(jī)化合物可以選自聚酯樹脂、丙烯酸類樹脂、包括聚酯單元和丙烯酸單元中至少一個(gè)的共聚物及其混合物。
根據(jù)上述的電子照相光感受器，其中填料包含無機(jī)顏料，該無機(jī)顏料包含金屬氧化物；所述無機(jī)顏料的pH不小于5，介電常數(shù)不小于5。
根據(jù)上述的電子照相光感受器，其中填料的平均初始粒徑為0.01至0.5μm。
根據(jù)上述的電子照相光感受器，其中保護(hù)層還包含粘合劑用樹脂，其中該粘合劑用樹脂選自聚碳酸酯樹脂、聚芳酯樹脂及其混合物。
根據(jù)上述的電子照相光感受器，其中保護(hù)層還包含抗氧化劑，其中該抗氧化劑是選自氫醌化合物和受阻胺化合物的化合物。
本發(fā)明還提供了成像方法，包含將電子照相光感受器充電；和用光照射該電子照相光感受器，在其上形成靜電潛像，其中該電子照相光感受器是如本發(fā)明所述的電子照相光感受器。
在上述成像方法中，該光照射是利用激光二極管(laser diode)或發(fā)光二極管(light emitting diode)進(jìn)行的。
本發(fā)明還提供了成像儀器，包含設(shè)計(jì)(configure)用來將電子照相光感受器充電的充電器；和用光照射該電子照相光感受器的照射器，其中該電子照相光感受器是如本發(fā)明所述的電子照相光感受器。
在上述成像儀器中，該照射器包含激光二極管或發(fā)光二極管。
本發(fā)明還提供了處理暗盒，包含電子照相光感受器；以及下列中的至少一種充電器(charger)；照射器(irradiator)；圖像顯影器(image developer)；
圖像轉(zhuǎn)移器(image transferer)；清潔器(cleaner)；和放電器(discharger)，其中該電子照相光感受器是如本發(fā)明所述的電子照相光感受器。
這些化合物為什么在反復(fù)使用后有效保持所得圖像質(zhì)量的原因目前尚不清楚。不過，據(jù)推斷結(jié)構(gòu)中取代的氨基(二烷基氨基)，即R1和R2有效地防止據(jù)認(rèn)為導(dǎo)致圖像模糊的氧化氣體。另外，還發(fā)現(xiàn)該化合物與其他CTM的組合進(jìn)一步增加了敏感性和穩(wěn)定性，使所得光感受器在反復(fù)使用后產(chǎn)生優(yōu)質(zhì)圖像。
另外，日本專利申請(qǐng)公報(bào)號(hào)60-196768和日本專利號(hào)2884353公開了一種芪(stilbene)化合物，作為具有這種二烷基氨基的化合物。不過，由于該化合物的取代的二烷基氨基在其三芳基胺結(jié)構(gòu)中的共振部分(這也是電荷傳輸部位)具有強(qiáng)烈的中介效應(yīng)(+M效應(yīng))，因此總的電離電位極小。因此，該化合物的致命缺陷是相當(dāng)難以實(shí)際應(yīng)用，因?yàn)槠渲袉斡迷摶衔镒鳛镃TM的感光層的電荷保留能力從一開始或者在反復(fù)使用后大為惡化。另外，即使將上述芪化合物象本發(fā)明那樣與其他CTM一起使用時(shí)，該化合物也比其他CTM具有小得多的電離電位，成為對(duì)抗電荷傳輸?shù)牟都课?，因此，所得光感受器具有相?dāng)?shù)偷拿舾行院拖喈?dāng)大的剩余電位。
在結(jié)合附圖考慮下列本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的說明之后，本發(fā)明的這些和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚。


在結(jié)合附圖考慮詳細(xì)說明之后，本發(fā)明的各種其他目的、特征和伴隨優(yōu)點(diǎn)將得到更加充分的認(rèn)識(shí)和更好的理解，其中同樣的參考字符始終稱呼同樣對(duì)應(yīng)的部分，其中圖1是顯示本發(fā)明光感受器實(shí)施方案中表面的橫截面的示意圖，在導(dǎo)電襯底上具有感光層；圖2是顯示本發(fā)明光感受器另一種實(shí)施方案中表面的橫截面的示意圖，在導(dǎo)電襯底上具有CGL和位于CGL之上的CTL；圖3是顯示本發(fā)明光感受器另一種實(shí)施方案中表面的橫截面的示意圖，在導(dǎo)電襯底上具有位于感光層之上的表面保護(hù)層；
圖4是顯示本發(fā)明光感受器另一種實(shí)施方案中表面的橫截面的示意圖，在導(dǎo)電襯底上具有CGL、位于CGL之上的CTL和位于CTL之上的表面保護(hù)層；圖5是顯示本發(fā)明光感受器另一種實(shí)施方案中表面的橫截面的示意圖，在導(dǎo)電襯底上具有CTL、位于CTL之上的CGL和位于CGL之上的表面保護(hù)層；圖6是顯示本發(fā)明電子照相成像方法與儀器的實(shí)施方案的示意圖；圖7是顯示本發(fā)明另一種電子照相成像方法的實(shí)施方案的示意圖；圖8是顯示用于電子照相成像儀器的本發(fā)明處理暗盒實(shí)施方案的示意圖；和圖9是顯示用于本發(fā)明光感受器CGL的酞菁粉末XD光譜的圖表。
具體實(shí)施例方式
一般而言，本發(fā)明提供這樣一種電子照相光感受器，它具有高耐久性，產(chǎn)生高質(zhì)量圖像，并且即使在反復(fù)使用后也穩(wěn)定地產(chǎn)生優(yōu)質(zhì)圖像。
另外，本發(fā)明提供使用該光感受器的成像方法、成像儀器和用于成像儀器的處理暗盒。
下面，將解釋本發(fā)明的電子照相光感受器、成像方法、成像儀器和用于成像儀器的處理暗盒的細(xì)節(jié)。
首先，將解釋上述具有式(1)至(22)的化合物的細(xì)節(jié)，它們包括在本發(fā)明的感光層內(nèi)。
在這些式(1)至(22)的說明中所提到的烷基的具體實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、丁基、己基、十一烷基等。芳環(huán)基的具體實(shí)例包括具有1至6個(gè)化合價(jià)的芳烴環(huán)基，例如苯、萘、蒽和芘；以及具有1至6個(gè)化合價(jià)的芳族雜環(huán)基，例如吡啶、喹啉、噻吩、呋喃、噁唑、噁二唑和咔唑。另外，它們的取代基的具體實(shí)例包括上述烷基的具體實(shí)例；烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基；鹵原子，例如氟原子、氯原子、溴原子和碘原子；以及芳環(huán)基。
進(jìn)而，由R1與R2的結(jié)合而構(gòu)成的、包括氮原子的雜環(huán)基的具體實(shí)例包括吡咯烷基、哌啶基、吡咯啉基等。由兩個(gè)基團(tuán)一起構(gòu)成的、包括氮原子的雜環(huán)基的具體實(shí)例包括芳族雜環(huán)基，例如N-甲基咔唑、N-乙基咔唑、N-苯基咔唑、吲哚和喹啉。
下面，式(1)至(22)的化合物的優(yōu)選實(shí)施方案將分別顯示在表1至22中，但是它們并不限于此。
表1
表2 表3 表4 表5 表66 表7 表88

表9

表10 表11 表12 表13 表14

表15

表16 表17 表18

表19

表20

表21 表22 下面，將解釋本發(fā)明光感受器的層組成。
圖1是顯示本發(fā)明光感受器實(shí)施方案中表面的橫截面的示意圖，其中在導(dǎo)電襯底31上形成包括CGM和CTM作為主要組分的感光層33。
圖2中，在導(dǎo)電襯底31上，包括CGM作為主要組分的CGL35位于包括CTM作為主要組分的CTL37之上。
圖3中，在導(dǎo)電襯底31上形成包括CGM和CTM作為主要組分的感光層33，進(jìn)一步在感光層表面上形成保護(hù)層39。在這種情況下，保護(hù)層39可以包括本發(fā)明的胺化合物。
圖4中，在導(dǎo)電襯底31上形成包括CGM作為主要組分的CGL35、位于CGL之上的包括CTM作為主要組分的CTL37和進(jìn)一步的位于CTL之上的保護(hù)層39。在這種情況下，保護(hù)層39可以包括本發(fā)明的胺化合物。
圖5中，在導(dǎo)電襯底31上形成包括CTM作為主要組分的CTL37、位于CTL之上(overlie)的包括CGM作為主要組分的CGL35和進(jìn)一步的位于CTL之上的保護(hù)層39。在這種情況下，保護(hù)層39可以包括本發(fā)明的胺化合物。
適合用作導(dǎo)電襯底31的材料包括體電阻不大于1010Ω·cm的材料。這類材料的具體實(shí)例包括塑料筒(plastic cylinders)、塑料膜或紙片，在其表面上沉積或噴鍍金屬，例如鋁、鎳、鉻、鎳鉻合金(nichrome)、銅、金、銀、鉑等，或一種金屬氧化物，例如錫的氧化物、銦的氧化物等。另外，作為襯底還可以使用金屬板，例如鋁、鋁合金、鎳和不銹鋼，以及金屬筒，其制備方法是通過諸如沖擊熨壓(ironing)或直接熨壓等方法將諸如上述金屬加工成管，然后對(duì)管表面進(jìn)行切割、超精加工(superfinishing)、拋光等處理。進(jìn)而，作為導(dǎo)電襯底31還可以使用金屬如鎳和不銹鋼的無接頭帶，這已經(jīng)公開在日本專利申請(qǐng)公開號(hào)52-36016中。
此外，作為襯底31可以使用這樣的底物，其中在上述載體(supporter)上涂有包括粘合劑用樹脂和導(dǎo)電粉末的涂層液體。這樣的導(dǎo)電粉末的具體實(shí)例包括碳黑、乙炔黑、金屬粉末，其中的金屬例如鋁、鎳、鐵、鎳鉻合金、銅、鋅、銀等，以及金屬氧化物，例如導(dǎo)電的錫的氧化物、ITO等。粘合劑用樹脂的具體實(shí)例包括已知的熱塑性樹脂、熱固性樹脂和光交聯(lián)樹脂，例如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚偏二氯乙烯、聚芳酯、酚氧樹脂、聚碳酸酯、乙酸纖維素樹脂、乙基纖維素樹脂、聚乙烯(醇)縮丁醛樹脂、聚乙烯(醇)縮甲醛樹脂、聚乙烯甲苯、聚-N-乙烯咔唑、丙烯酸樹脂、硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、密胺(三聚氰胺)樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂、醇酸樹脂等樹脂。這樣的導(dǎo)電層可以這樣形成涂覆涂層液體，其中導(dǎo)電粉末和粘合劑用樹脂分散在溶劑如四氫呋喃、二氯甲烷、甲乙酮、甲苯等溶劑中，然后干燥所涂覆的液體。
另外，作為襯底31還可以使用這樣的底物，其中利用熱收縮性樹脂管和導(dǎo)電材料在筒狀底物表面上形成導(dǎo)電樹脂膜，該樹脂管是由樹脂的組合制成的，例如聚氯乙烯、聚丙烯、聚酯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、氯化橡膠和含氟樹脂。
下面，將解釋本發(fā)明的感光層。本發(fā)明中，感光層可以是單層的或多層的。首先，為解釋方便，將先說明包括CGL35和CTL37的多層感光層。
CGL35是包括CGM作為主要組分的層。已知的CGM可以用在CGL35中。CGM的具體實(shí)例包括偶氮顏料，例如CI顏料藍(lán)25(顏色指數(shù)CI21180)、CI顏料紅41(CI21200)、CI酸性紅52(CI45100)、CI堿性紅3(CI45210)、公開在日本專利申請(qǐng)公開(JLPP)號(hào)53-95033中的具有咔唑骨架的偶氮顏料、公開在JLPP號(hào)53-133445中的具有二苯乙烯基苯骨架的偶氮顏料、公開在JLPP號(hào)53-132347中的具有三苯胺骨架的偶氮顏料、公開在JLPP號(hào)54-21728中的具有二苯并噻吩骨架的偶氮顏料、公開在JLPP號(hào)54-12742中的具有噁二唑骨架的偶氮顏料、公開在JLPP號(hào)54-22834中的具有芴酮骨架的偶氮顏料、公開在JLPP號(hào)54-17733中的具有雙芪骨架的偶氮顏料、公開在JLPP號(hào)54-2129中的具有二苯乙烯基噁二唑骨架的偶氮顏料、公開在JLPP號(hào)54-14967中的具有二苯乙烯基咔唑骨架的偶氮顏料和具有苯并蒽酮骨架的偶氮顏料；酞菁顏料，例如CI顏料藍(lán)16(CI74100)、公開在JLPP號(hào)64-17066中的Y-型氧代鈦酞菁、公開在JLPP號(hào)11-21466中的A(β)-型氧代鈦酞菁、B(α)-型氧代鈦酞菁、I-型氧代鈦酞菁、由Iijima先生等公開在日本化學(xué)會(huì)1994年出版的第67春季版1B4，04中的II-型氯代鎵酞菁、由Daimon先生等公開在日本化學(xué)會(huì)1994年出版的第67春季版1B4，05中的V-型羥基鎵酞菁和公開在美國專利號(hào)3,816,118中的X-型無金屬酞菁；靛藍(lán)顏料，例如CI甕棕5(CI73410)和CI甕染料(CI73030)；和苝系顏料，例如來自Bayer AG的Algo猩紅B和來自Bayer AG的陰丹士林猩紅R。這些材料可以單獨(dú)或組合使用。
CGL35可以這樣制備利用球磨機(jī)、超微磨碎機(jī)、砂磨機(jī)或超聲分散機(jī)將CGM以及任選的粘合劑用樹脂分散在適當(dāng)溶劑中，將該涂層液體涂覆在導(dǎo)電底物上，然后干燥所涂覆的液體。
任選用在CGL35中的粘合劑用樹脂的具體實(shí)例包括聚酰胺、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚酮、聚碳酸酯、硅酮樹脂、丙烯酸類樹脂、聚乙烯縮丁醛、聚乙烯縮甲醛、聚乙烯酮、聚苯乙烯、聚砜、聚-N-乙烯咔唑、聚丙烯酰胺、聚亞芐基乙烯(polyvinyl benzal)、聚酯、酚氧樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚苯醚、聚酰胺、聚乙烯吡啶、纖維素樹脂、酪蛋白、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮等樹脂。粘合劑用樹脂在CGL35中的含量優(yōu)選從0至500重量份、更優(yōu)選從10至300重量份每100重量份CGM。可以在CGM分散在溶劑中之前或之后加入粘合劑用樹脂。
溶劑的具體實(shí)例包括異丙醇、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、四氫呋喃、二噁烷、乙基溶纖劑、乙酸乙酯、乙酸甲酯、二氯甲烷、二氯乙烷、一氯苯、環(huán)己烷、甲苯、二甲苯、揮發(fā)油(ligroin)等溶劑。具體地，優(yōu)選使用酮型溶劑、酯型溶劑和醚型溶劑。它們可以單獨(dú)或組合使用。
CGL35包括CGM、溶劑和粘合劑用樹脂作為主要組分。其中可以包括任意添加劑，例如敏化劑、分散劑、清潔劑和硅酮油。
涂層液體可以通過這樣的涂覆方法加以涂覆例如浸涂法、噴涂法、珠涂法、噴嘴涂法、旋涂法和環(huán)涂法。CGL35的厚度優(yōu)選從0.01至5μm，更優(yōu)選從0.1至2μm。
CTL37是包括CTM作為主要組分的層。CTM分為正空穴傳輸材料(positive-hole transport material)、電子傳輸材料和聚合物CTM，下面將進(jìn)行解釋說明。
正空穴傳輸材料的具體實(shí)例包括聚-N-咔唑及其衍生物、聚-γ-咔唑乙基谷氨酸鹽(酯)及其衍生物、芘-甲醛縮合產(chǎn)物及其衍生物、聚乙烯芘、聚乙烯菲、聚硅烷、噁唑衍生物、噁二唑衍生物和具有下式(23)至(40)的化合物 其中R1代表甲基、乙基、2-羥基乙基或2-氯乙基；R2代表甲基、乙基、芐基或苯基；R3代表氫原子、氯原子、溴原子、具有1至4個(gè)碳原子的烷基、具有1至4個(gè)碳原子的烷氧基、二烷基氨基或硝基； 其中Ar代表萘環(huán)、蒽環(huán)、芘環(huán)以及它們的取代物、吡啶環(huán)、呋喃環(huán)或噻吩環(huán)；R代表烷基、苯基或芐基；
其中R1代表烷基、芐基、苯基或萘基；R2代表氫原子、具有1至3個(gè)碳原子的烷基、具有1至3個(gè)碳原子的烷氧基、二烷基氨基、二芳烷基氨基或二芳基氨基；n代表從1至4的整數(shù)，當(dāng)n不小于2時(shí)，R2可以是彼此相同或不同的；R3代表氫原子或甲氧基； 其中R1代表具有1至11個(gè)碳原子的烷基、取代或未取代的苯基或雜環(huán)基；R2和R3獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的烷基、羥基烷基、氯代烷基或取代或未取代的芳烷基，并且可以彼此結(jié)合構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R4獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的烷基、烷氧基或鹵原子； 其中R代表氫原子或鹵原子；Ar代表取代或未取代的苯基、萘基、蒽基或咔唑基； 其中R1代表氫原子、氰基、具有1至4個(gè)碳原子的烷氧基或具有1至4個(gè)碳原子的烷基；Ar代表具有下式的基團(tuán) 其中R2代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基；R3代表氫原子、鹵原子、具有1至4個(gè)碳原子的烷基、具有1至4個(gè)碳原子的烷氧基或二烷基氨基；n是1或2，并且當(dāng)n是2時(shí)，R3可以是彼此相同或不同的；R4和R5代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芐基； 其中R代表咔唑基、吡啶基、噻吩基、吲哚基、呋喃基、取代或未取代的苯基、苯乙烯基、萘基或蒽基，它們的取代基選自由二烷基氨基、烷基、烷氧基、羧基或其酯、鹵原子、氰基、芳烷基氨基、N-烷基-N-芳烷基氨基、氨基、硝基和乙酰氨基組成的組； 其中R1代表低級(jí)烷基、取代或未取代的苯基或芐基；R2和R3代表氫原子、低級(jí)烷基、低級(jí)烷氧基、鹵原子、硝基、氨基或被低級(jí)烷基或芐基取代的氨基；n是1或2； 其中R1代表氫原子、烷基、烷氧基或鹵原子；R2和R3代表取代或未取代的芳基；R4代表氫原子、低級(jí)烷基或取代或未取代的苯基；Ar代表取代或未取代的苯基或萘基； 其中n是0或1；R1代表氫原子、烷基或未取代的苯基；Ar1代表取代或未取代的芳基；R5代表烷基，包括取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；A代表9-蒽基、取代或未取代的咔唑基或具有下式的基團(tuán) 其中R2代表氫原子、烷基、烷氧基、鹵原子或具有下式的基團(tuán)；m是從1至5的整數(shù)； 其中R3和R4獨(dú)立地代表取代或未取代的芳基，R4可以構(gòu)成環(huán)，并且其中當(dāng)m不小于2時(shí)，R2可以是彼此相同或不同的，當(dāng)n是0時(shí)，A和R1可以一起構(gòu)成環(huán)； 其中R1、R2和R3代表氫原子、低級(jí)烷基、低級(jí)烷氧基、鹵原子或二烷基氨基；n是0或1； 其中R1和R2代表烷基，包括取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；A代表取代的氨基、取代或未取代的芳基或芳基； 其中X代表氫原子、低級(jí)烷基或鹵原子；R代表烷基，包括取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；A代表取代的氨基、取代或未取代的芳基或芳基； 其中R1代表低級(jí)烷基、低級(jí)烷氧基或鹵原子；R2和R3獨(dú)立地代表氫原子、低級(jí)烷基、低級(jí)烷氧基或鹵原子；l、m和n獨(dú)立地代表0或從1至4的整數(shù)； 其中R1、R3和R4代表氫原子、氨基、烷氧基、硫代烷氧基、芳氧基、亞甲二氧基、取代或未取代的烷基、鹵原子或取代或未取代的芳基；R2代表氫原子、烷氧基、取代或未取代的烷基或鹵原子，但是其中R1、R2、R3和R4都是氫原子的情況排除在外；k、l、m和n獨(dú)立地是從1至4的整數(shù)，當(dāng)k、l、m和n是從2至4的整數(shù)時(shí)，則R1、R2、R3和R4可以是彼此相同或不同的； 其中Ar代表具有18個(gè)或以下碳原子的縮合多環(huán)烴基，它可以具有取代基；R1和R2獨(dú)立地代表氫原子、鹵原子、取代或未取代的烷基、烷氧基或取代或未取代的苯基；n是1或2；A-CH＝CH-Ar-CH＝CH-A (39)其中Ar代表取代或未取代的芳族烴基；A代表 其中Ar’代表取代或未取代的芳族烴基；R1和R2代表取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基； 其中Ar代表取代或未取代的芳族烴基；R代表氫原子、取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基；n是0或1；m是1或2；當(dāng)n是0，m是1時(shí)，則Ar和R可以構(gòu)成環(huán)。
具有式(23)的化合物的具體實(shí)例包括9-乙基咔唑-3-醛-1-甲基-1-苯腙、9-乙基咔唑-3-醛-1-芐基-1-苯腙、9-乙基咔唑-3-醛-1，1-二苯腙等。
具有式(24)的化合物的具體實(shí)例包括4-二乙氨基苯乙烯基-β-醛-1-甲基-1-苯腙、4-甲氧基萘-1-醛-1-芐基-1-苯腙等。
具有式(25)的化合物的具體實(shí)例包括4-甲氧基苯甲醛-1-甲基-1-苯腙、2，4-二甲氧基苯甲醛-1-芐基-1-苯腙、4-二乙氨基苯甲醛-1，1-二苯腙、4-甲氧基苯甲醛-1-(4-甲氧基)苯腙、4-二苯氨基苯甲醛-1-芐基-1-苯腙、4-二芐氨基苯甲醛-1，1-二苯腙等。
具有式(26)的化合物的具體實(shí)例包括1，1-雙(4-二芐氨基苯基)丙烷、三(4-二乙氨基苯基)甲烷、1，1-雙(4-二芐氨基苯基)丙烷、2，2’-二甲基-4，4’-雙(二乙氨基)-三苯基甲烷等。
具有式(27)的化合物的具體實(shí)例包括9-(4-二乙氨基苯乙烯基)蒽、9-溴-10-(4-二乙氨基苯乙烯基)蒽等。
具有式(28)的化合物的具體實(shí)例包括9-(4-二甲氨基亞芐基)芴、3-(9-亞芴基)-9-乙基咔唑等。
具有式(29)的化合物的具體實(shí)例包括1，2-雙(4-二乙氨基苯乙烯基)苯、1，2-雙(2，4-二甲氧基苯乙烯基)苯等。
具有式(30)的化合物的具體實(shí)例包括3-苯乙烯基-9-乙基咔唑、3-(4-甲氧基苯乙烯基)-9-乙基咔唑等。
具有式(31)的化合物的具體實(shí)例包括4-二苯氨基芪、4-二芐氨基芪、4-二甲苯氨基芪、1-(4-二苯氨基苯乙烯基)萘、1-(4-二乙氨基苯乙烯基)萘等。
具有式(32)的化合物的具體實(shí)例包括4’-二苯氨基-α-苯基芪、4’-雙(4-甲苯基)氨基-α-苯基芪等。
具有式(33)的化合物的具體實(shí)例包括1-苯基-3-(4-二乙氨基苯乙烯基)-5-(4-二乙氨基苯基)吡唑啉等。
具有式(34)的化合物的具體實(shí)例包括2，5-雙(4-二乙氨基苯基)-1，3，4-噁二唑、2-N，N-二苯氨基-5-(4-二乙氨基苯基)-1，3，4-噁二唑、2-(4-二甲氨基苯基)-5-(4-二乙氨基苯基)-1，3，4-噁二唑等。
具有式(35)的化合物的具體實(shí)例包括2-N，N-二苯氨基-5-(N-乙基咔唑-3-基)-1，3，4-噁二唑、2-(4-二乙氨基苯基)-5-(N-乙基咔唑-3-基)-1，3，4-噁二唑等。
具有式(36)的聯(lián)苯胺化合物的具體實(shí)例包括N，N’-二苯基-N，N’-雙(3-甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺、3，3’-二甲基-N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺等。
具有式(37)的聯(lián)苯胺化合物的具體實(shí)例包括4’-甲氧基-N，N-二苯基-[1，1’-聯(lián)苯]-4-胺、4’-甲基-N，N-雙(4-甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯]-4-胺、4’-甲氧基-N，N-雙(4-甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯]-4-胺、N，N-雙(3，4-二甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯]-4-胺等。
具有式(38)的三芳基胺化合物的具體實(shí)例包括N，N-二苯基-芘-1-胺、N，N-二-對(duì)甲苯基芘-1-胺、N，N-二-對(duì)甲苯基-1-萘胺、N，N-二(對(duì)甲苯基)-1-菲胺、9，9-二甲基-2-(二-對(duì)甲苯氨基)芴、N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)-菲-9，10-二胺、N，N，N’，N’-四(3-甲基苯基)-間-苯二胺等。
具有式(39)的二烯烴芳族化合物的具體實(shí)例包括1，4-雙(4-二苯氨基苯乙烯基)苯、1，4-雙[4-二(對(duì)-甲苯基)氨基苯乙烯基]苯等。
具有式(40)的苯乙烯基芘化合物的具體實(shí)例包括1-(4-二苯氨基苯乙烯基)芘、1-[4-二(對(duì)-甲苯基)氨基苯乙烯基]芘等。
電子傳輸材料的具體實(shí)例包括氯醌、溴醌、四氰乙烯、四氰基醌二甲烷、2，4，7-三硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基呫噸酮、2，4，8-三硝基噻噸酮、2，6，8-三硝基-茚并[1，2-b]噻吩-4-酮和1，3，7-三硝基二苯并噻吩-5，5-二氧化物等。另外，優(yōu)選使用具有下式(41)、(42)和(43)的電子傳輸材料。 其中R1、R2和R3獨(dú)立地代表氫原子、鹵原子、取代或未取代的烷基、烷氧基或取代或未取代的苯基； 其中R1和R2獨(dú)立地代表氫原子、取代或未取代的烷基或取代或未取代的苯基； 其中R1、R2和R3獨(dú)立地代表氫原子、鹵原子、取代或未取代的烷基、烷氧基或取代或未取代的苯基。
這些CTM可以單獨(dú)或組合使用。
粘合劑用樹脂的具體實(shí)例包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂，例如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚偏二氯乙烯、聚芳酯、酚氧樹脂、聚碳酸酯、乙酸纖維素樹脂、乙基纖維素樹脂、聚乙烯縮丁醛樹脂、聚乙烯縮甲醛樹脂、聚乙烯甲苯、聚-N-乙烯咔唑、丙烯酸樹脂、硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、密胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂、醇酸樹脂等。
本發(fā)明中CTM和胺化合物當(dāng)以混合物加入時(shí)的含量優(yōu)選從20至300重量份、更優(yōu)選從40至150重量份每100重量份粘合劑用樹脂。鑒于所得圖像的分辨率和響應(yīng)，CTL的厚度優(yōu)選不大于25μm。厚度的下限優(yōu)選不小于5μm，盡管它取決于成像系統(tǒng)(確切地取決于電位)。
另外，本發(fā)明胺化合物的含量優(yōu)選從0.01至150重量％，基于CTM的總重量。若小于0.01重量％，則所得光感受器抗氧化氣體的耐久性惡化。若大于150重量％，則其剩余電位增加。
用于形成CTL的溶劑的具體實(shí)例包括四氫呋喃、二噁烷、甲苯、二氯甲烷、一氯苯、二氯乙烷、環(huán)己酮、甲乙酮、丙酮等溶劑。CTM在溶劑中可以單獨(dú)或者聯(lián)合使用。
作為用在本發(fā)明中的抗氧化劑，可以使用后述常規(guī)的抗氧化劑，特別是有效地使用(c)氫醌化合物和(f)受阻胺化合物。
不過，用在CTL中的抗氧化劑具有不同于后述的目的，它們用于防止本發(fā)明胺化合物的性質(zhì)改變。
因此，優(yōu)選在包括本發(fā)明胺化合物之前，在CTL涂層液體中包括抗氧化劑?？寡趸瘎┑暮繌?.1至200重量％，基于胺化合物的總重量。
CTL優(yōu)選包括聚合物CTM，它兼具粘合劑用樹脂功能和電荷傳輸功能，因?yàn)樗肅TL具有好的耐磨性。適合的電荷傳輸聚合物材料包括已知的聚合物CTM。在這些材料中，優(yōu)選使用在其主鏈和/或側(cè)鏈中具有三芳基胺結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯樹脂。具體地說，優(yōu)選使用具有下式(I)至(XI)的聚合物CTM 其中R1、R2和R3獨(dú)立地代表取代或未取代的烷基或鹵原子；R4代表氫原子或取代或未取代的烷基；R5和R6獨(dú)立地代表取代或未取代的芳基；o、p和q獨(dú)立地代表0或從1至4的整數(shù)；k是從0.1至1.0的數(shù)字，j是從0至0.9的數(shù)字；n代表重復(fù)數(shù)，是從5至5000的整數(shù)；X代表二價(jià)脂族基團(tuán)、二價(jià)脂環(huán)族基團(tuán)或具有下式的二價(jià)基團(tuán) 其中R101和R102獨(dú)立地代表取代或未取代的烷基、芳環(huán)基或鹵原子；l和m代表0或從1至4的整數(shù)；Y代表直接的鍵、直鏈亞烷基、支鏈亞烷基、環(huán)狀亞烷基、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-CO-、-CO-O-Z-O-CO-(Z代表二價(jià)脂族基團(tuán))或具有下式的基團(tuán) 其中a是從1至20的整數(shù)；b是從1至2000的整數(shù)；R103和R104獨(dú)立地代表取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基，其中R101、R102、R103和R104可以是彼此相同或不同的； 其中R7和R8代表取代或未取代的芳基；Ar1、Ar2和Ar3獨(dú)立地代表亞芳基；X、k、j和n同式(I)； 其中R9和R10代表取代或未取代的芳基；Ar4、Ar5和Ar6獨(dú)立地代表亞芳基；X、k、j和n同式(I)； 其中R11和R12代表取代或未取代的芳基；Ar7、Ar8和Ar9獨(dú)立地代表亞芳基；p是從1至5的整數(shù)；X、k、j和n同式(I)； 其中R13和R14代表取代或未取代的芳基；Ar10、Ar11和Ar12獨(dú)立地代表亞芳基；X1和X2代表取代或未取代的亞乙基或取代或未取代的亞乙烯基；X、k、j和n同式(I)； 其中R15、R16、R17和R18代表取代或未取代的芳基；Ar13、Ar14、Ar15和Ar16獨(dú)立地代表亞芳基；Y1、Y2和Y3獨(dú)立地代表直接的鍵、取代或未取代的亞烷基、取代或未取代的環(huán)亞烷基、取代或未取代的亞烷基醚基、氧原子、硫原子或亞乙烯基；X、k、j和n同式(I)； 其中R19和R20代表氫原子或取代或未取代的芳基，并且R19和R20可以構(gòu)成環(huán)；Ar17、Ar18和Ar19獨(dú)立地代表亞芳基；X、k、j和n同式(I)； 其中R21代表取代或未取代的芳基；Ar20、Ar21、Ar22和Ar23獨(dú)立地代表亞芳基；X、k、j和n同式(I)；
其中R22、R23、R24和R25代表取代或未取代的芳基；Ar24、Ar25、Ar26、Ar27和Ar28獨(dú)立地代表亞芳基；X、k、j和n同式(I)； 其中R26和R27獨(dú)立地代表取代或未取代的芳基；Ar29、Ar30和Ar31獨(dú)立地代表亞芳基；X、k、j和n同式(I)； 其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5代表取代或未取代的芳環(huán)基；Z代表芳環(huán)基或-Ar6-Za-Ar6-；Ar6代表取代或未取代的芳環(huán)基；Za代表O、S或亞烷基；R和R’代表直鏈亞烷基或支鏈亞烷基；m是0或1；X、k、j和n同式(I)。
CTL37可以這樣形成在CGL上涂覆涂層液體，其中單獨(dú)的CTM或CTM與粘合劑用樹脂溶解或分散在適當(dāng)?shù)娜軇┲?，然后干燥該液體。另外，CTL可以任選地包括兩種或多種添加劑，例如增塑劑、均化劑和抗氧化劑。
作為涂覆如此制備的涂層液體的方法，可以使用常規(guī)的涂覆方法，例如浸涂法、噴涂法、珠涂法、噴嘴涂法、旋涂法和環(huán)涂法。
下面，將描述單層感光層33?？梢允褂闷渲猩鲜鯟GM是分散在粘合劑用樹脂中的光感受器。感光層可以這樣形成涂覆涂層液體，其中CGM、CTM和粘合劑用樹脂是溶解或分散在適當(dāng)?shù)娜軇┲械?，然后干燥所涂覆的液體。另外，感光層可以任選地包括添加劑，例如增塑劑、均化劑和抗氧化劑。
適合的粘合劑用樹脂包括上面CTL37中提到的樹脂?？梢约尤肷衔腃GL37中提到的樹脂作為粘合劑用樹脂。另外，還可以優(yōu)選使用上述聚合物CTL作為粘合劑用樹脂。CGM的含量優(yōu)選從5至40重量份每100重量份粘合劑用樹脂。CTM的含量優(yōu)選從0至190重量份、更優(yōu)選從50至150重量份每100重量份粘合劑用樹脂。感光層可以這樣形成通過一種涂覆方法，例如浸涂法、噴涂法、珠涂法和環(huán)涂法，涂覆涂層液體，其中CGM、粘合劑用樹脂和CTM是溶解或分散在溶劑如四氫呋喃、二噁烷、二氯乙烷、環(huán)己烷等中。感光層的厚度優(yōu)選從5至25μm。
本發(fā)明的光感受器中，在襯底3 1與感光層之間可以形成中間涂層(undercoat)。中間涂層包括一種樹脂作為主要組分。由于感光層通常通過涂覆包括有機(jī)溶劑的液體而形成于中間涂層上，因此中間涂層中的樹脂優(yōu)選對(duì)一般的有機(jī)溶劑具有好的耐受性。這類樹脂的具體實(shí)例包括水溶性樹脂，例如聚乙烯醇樹脂、酪蛋白和聚丙烯酸鈉鹽；醇溶性樹脂，例如尼龍共聚物和甲氧甲基化尼龍樹脂；能夠形成三維網(wǎng)絡(luò)的熱固性樹脂，例如聚氨酯樹脂、密胺樹脂、醇酸-密胺樹脂、環(huán)氧樹脂等。中間涂層可以包括金屬氧化物的細(xì)粉末，例如氧化鈦、二氧化硅(silica)、氧化鋁、氧化鋯、氧化錫和氧化銦，以防止在所記錄的圖像中出現(xiàn)莫阿效應(yīng)(moiré)，減少光感受器的剩余電位(residual potential)。
中間涂層也可以這樣形成利用類似于上述用于形成感光層的適當(dāng)溶劑和適當(dāng)涂覆方法，涂覆涂層液體。在形成中間涂層時(shí)可以使用硅烷偶聯(lián)劑、鈦偶聯(lián)劑或鉻偶聯(lián)劑。另外，還優(yōu)選使用通過陽極氧化法形成的氧化鋁層和通過真空蒸發(fā)法形成的有機(jī)化合物如聚對(duì)二甲苯(parylene)層或無機(jī)化合物如SiO、SnO2、TiO2、ITO或CeO2層作為中間涂層。中間涂層的厚度優(yōu)選為0至5μm。
本發(fā)明的光感受器中，任選地形成在感光層上形成的保護(hù)層39。為了防止所得光感受器的剩余電位增加，適用于保護(hù)層39的材料包括酸值從10至400mgKOH/g的有機(jī)化合物，例如ABS樹脂、ACS樹脂、烯烴-乙烯基單體共聚物、氯化聚醚、芳基樹脂(aryl resin)、酚醛樹脂、聚縮醛、聚酰胺、聚酯樹脂、聚酰胺-酰亞胺、聚丙烯酸酯類、聚芳基砜、聚丁烯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、丙烯酸類樹脂、聚甲基戊烯、聚丙烯、聚苯醚、聚砜、聚苯乙烯、AS樹脂、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚氨酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、環(huán)氧樹脂等。這些材料中，鑒于填料的可分散性、剩余電位的減少和所得光感受器的涂層缺陷，使用聚碳酸酯樹脂和聚芳酯樹脂是優(yōu)選和有效的。這些材料可以單獨(dú)或聯(lián)合使用。另外，可選將有機(jī)脂肪酸與這些材料混合，以提高填料的可分散性，防止所得光感受器剩余電位增加。
本發(fā)明光感受器的保護(hù)層可以包括填充材料，目的是提高其耐磨性。鑒于填料的硬度，適合的填料包括無機(jī)金屬粉末，例如銅、錫、鋁和銦；金屬氧化物，例如二氧化硅、氧化錫、氧化鋅、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、氧化銦、氧化銻、氧化鉍、氧化鈣、摻雜銻的氧化錫和摻雜錫的氧化銦；金屬氟化物，例如氟化錫、氟化鈣和氟化鋁；鈦酸鉀和氮化硼，以提高所得光感受器的耐磨性。
優(yōu)選使用電絕緣性高的填料，以防止圖像模糊，特別是使用pH不小于5或介電常數(shù)不小于5的填料是很有效的，例如氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅和氧化鋯。
另外，鑒于保護(hù)層的透光度和耐磨性，填料的平均初始粒徑(primaryparticle diameter)優(yōu)選從0.01至0.5μm。若小于0.01μm，則保護(hù)層的耐磨性和填料的可分散性惡化。若大于0.5μm，則填料的沉降作用加速，在光感受器上形成色淀膜(toner filming)。
進(jìn)而，保護(hù)層可以包括本發(fā)明的胺化合物。進(jìn)而，使用上面CTL37中提到的小分子量CTM或聚合物CTM是優(yōu)選和有效的，以減少所得光感受器的剩余電位，提高所得圖像的質(zhì)量。
作為用于形成保護(hù)層的溶劑，可以使用四氫呋喃、二噁烷、甲苯、二氯甲烷、一氯苯、二氯乙烷、環(huán)己酮、甲乙酮、丙酮等溶劑，它們都是用在CTL37中的。不過，高粘度溶劑優(yōu)選用于分散過程中，高揮發(fā)性溶劑優(yōu)選用于涂覆過程中。
當(dāng)?shù)貌坏綕M足這些條件的溶劑時(shí)，則可以使用具有單一性質(zhì)的兩種或多種溶劑的混合物，它們也會(huì)提高填料的可分散性，減少所得光感受器的剩余電位。
作為形成保護(hù)層的方法，可以使用常規(guī)的涂覆方法，例如浸涂法、噴涂法、珠涂法、噴嘴涂法、旋涂法和環(huán)涂法。確切地說，從涂膜的均勻性的角度考慮，優(yōu)選使用噴涂法。
本發(fā)明的光感受器中，可以在感光層與保護(hù)層之間形成中間層(intermediate layer)。中間層包括樹脂作為主要組分。樹脂的具體實(shí)例包括聚酰胺、醇溶性尼龍、水溶性聚乙烯縮丁醛、聚乙烯縮丁醛、聚乙烯醇等?？梢酝ㄟ^上述已知的涂覆方法之一形成中間層。中間層的厚度優(yōu)選從0.05至2μm。
本發(fā)明的光感受器中，抗氧化劑、增塑劑、潤滑劑、紫外吸收劑和均化劑都可以包括在各層中，例如CGL、CTL、中間涂層、保護(hù)層和中間層，以改善環(huán)境，首要的目的是防止感光性降低和剩余電位增加。這類化合物將如下所示。
適用于光感受器各層的抗氧化劑包括下列化合物，但不限于此。
(a)酚類化合物(phenolic compound)2，6-二叔丁基對(duì)甲苯酚、丁基化羥基茴香醚、2，6-二叔丁基-4-乙基苯酚、正十八烷基-3-(4’-羥基-3’，5’-二-叔丁基苯酚)、2，2’-亞甲基-雙-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2，2’-亞甲基-雙-(4-乙基-6-叔丁基苯酚)、4，4’-硫代雙-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、4，4’-亞丁基雙-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、1，1，3-三-(2-甲基-4-羥基-5-叔丁基苯基)丁烷、1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二-叔丁基-4-羥基芐基)苯、四-[亞甲基-3-(3’，5’-二-叔丁基-4’-羥基苯基)丙酸酯]甲烷、雙[3，3’-雙(4’-羥基-3’-叔丁基苯基)丁酸]乙二醇酯、生育酚化合物等。
(b)對(duì)苯二胺化合物N-苯基-N’-異丙基-對(duì)苯二胺、N，N’-二仲丁基對(duì)苯二胺、N-苯基-N-仲丁基對(duì)苯二胺、N，N’-二異丙基對(duì)苯二胺、N，N’-二甲基-N，N’-二叔丁基對(duì)苯二胺等。
(c)氫醌化合物2，5-二-叔辛基氫醌、2，6-二-十二烷基氫醌、2-十二烷基氫醌、2-十二烷基-5-氯氫醌、2-叔辛基-5-甲基氫醌、2-(2-十八碳烯基)-5-甲基氫醌等。
(d)有機(jī)含硫化合物二月桂基-3，3’-硫代二丙酸酯、二硬脂基-3，3’-硫代二丙酸酯、二-十四烷基-3，3’-硫代二丙酸酯等。
(e)有機(jī)含磷化合物三苯膦、三(壬基苯基)膦、三(二壬基苯基)膦、三甲苯基膦(tricresylphosphine)、三(2，4-二丁基苯氧基)膦等。
適用于光感受器的各層中的增塑劑包括下列化合物，但不限于這些。
(a)磷酸酯增塑劑磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯、磷酸三辛酯、磷酸辛基二苯基酯、磷酸三氯乙基酯、磷酸甲苯基二苯基酯、磷酸三丁酯、磷酸三-2-乙基己基酯、磷酸三苯酯等。
(b)鄰苯二甲酸酯(phthalic acid ester)增塑劑鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二異丁酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二庚酯、鄰苯二甲酸二-2-乙基己基酯、鄰苯二甲酸二異辛酯、鄰苯二甲酸二正辛酯、鄰苯二甲酸二壬酯、鄰苯二甲酸二異壬酯、鄰苯二甲酸二異癸酯、鄰苯二甲酸二-十一烷基酯、鄰苯二甲酸二-十三烷基酯、鄰苯二甲酸二環(huán)己酯、鄰苯二甲酸丁基芐基酯、鄰苯二甲酸丁基月桂基酯、鄰苯二甲酸甲基油基酯、鄰苯二甲酸辛基癸基酯、富馬酸二丁酯、富馬酸二辛酯等。
(c)芳族羧酸酯增塑劑苯三酸三辛酯、苯三酸三正辛酯、鄰羥苯甲酸辛酯等。
(d)二元脂肪酸酯增塑劑己二酸二丁酯、己二酸二正己酯、己二酸二-2-乙基己基酯、己二酸二正辛酯、己二酸正辛基-正癸基酯、己二酸二異癸酯、己二酸二烷基酯、己二酸二辛酯(dicapryl adipate)、壬二酸二-2-乙基己基酯、癸二酸二甲酯、癸二酸二乙酯、癸二酸二丁酯、癸二酸二正辛酯、癸二酸二-2-乙基己基酯、癸二酸二-2-乙氧基乙基酯、琥珀酸二辛酯、琥珀酸二異癸酯、四氫鄰苯二甲酸二辛酯、四氫鄰苯二甲酸二正辛酯等。
(e)脂肪酸酯衍生物油酸丁酯、甘油一油酸酯、乙酰蓖麻油酸甲酯、季戊四醇酯、二季戊四醇六酯、甘油三乙酸酯、甘油三丁酸酯等。
(f)含氧酸酯(oxyacid ester)增塑劑乙酰蓖麻油酸甲酯、乙酰蓖麻油酸丁酯、羥乙酸丁基鄰苯二甲酰丁基酯(butylphthalylbutyl glycolate)、乙酰檸檬酸三丁酯等。
(g)環(huán)氧增塑劑環(huán)氧基化豆油、環(huán)氧基化亞麻子油、環(huán)氧硬脂酸丁酯、環(huán)氧硬脂酸癸酯、環(huán)氧硬脂酸辛酯、環(huán)氧硬脂酸芐基酯、環(huán)氧六氫鄰苯二甲酸二辛酯、環(huán)氧六氫鄰苯二甲酸二癸酯等。
(h)二元醇酯增塑劑二苯甲酸二甘醇酯、二-2-乙基丁酸三甘醇酯等。
(i)含氯增塑劑氯化石蠟、氯化聯(lián)苯、氯化脂肪酸的甲酯、甲氧基氯化脂肪酸的甲酯等。
(j)聚酯增塑劑聚己二酸丙二醇酯、聚癸二酸丙二醇酯、乙?；埘サ?。
(k)磺酸衍生物對(duì)-甲苯磺酰胺、鄰-甲苯磺酰胺、對(duì)-甲苯砜乙酰胺、鄰-甲苯砜乙酰胺、甲苯砜-N-乙酰胺、對(duì)-甲苯砜-N-環(huán)己酰胺等。
(l)檸檬酸衍生物檸檬酸三乙酯、乙酰檸檬酸三乙酯、檸檬酸三丁酯、乙酰檸檬酸三丁酯、乙酰檸檬酸三-2-乙基己基酯、乙酰檸檬酸正辛基癸基酯等。
(m)其他化合物三聯(lián)苯、部分水合的三聯(lián)苯、樟腦、2-硝基聯(lián)苯、二壬基萘、松香酸甲酯等。
適用于光感受器的各層中的潤滑劑包括下列化合物，但不限于這些。
(a)烴化合物液體鏈烷烴(paraffin)、石蠟(paraffin wax)、微蠟、小分子量聚乙烯等。
(b)脂肪酸化合物月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、花生酸、山萮酸等。
(c)脂肪酸酰胺化合物硬脂酸酰胺、棕櫚酸酰胺、油酸酰胺、亞甲基雙硬脂酰胺、亞乙基雙硬脂酰胺等。
(d)酯化合物脂肪酸的低級(jí)醇酯、脂肪酸的多元醇酯、脂肪酸的聚乙二醇酯等。
(e)醇化合物鯨蠟醇、硬脂醇、乙二醇、聚乙二醇、聚甘油等。
(f)金屬皂硬脂酸鉛、硬脂酸鎘、硬脂酸鋇、硬脂酸鈣、硬脂酸鋅、硬脂酸鎂等。
(g)天然蠟巴西棕櫚蠟、小燭樹蠟、蜂蠟、鯨蠟、蟲(白)蠟、褐煤蠟等。
(h)其他化合物硅氧烷化合物、氟化合物等。
適用于光感受器的各層中的紫外吸收劑包括下列化合物，但不限于這些。
(a)二苯甲酮化合物2-羥基二苯甲酮、2，4-二羥基二苯甲酮、2，2’，4-三羥基二苯甲酮、2，2’，4，4’-四羥基二苯甲酮、2，2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮等。
(b)水楊酸酯化合物水楊酸苯基酯、2，4-二-叔丁基苯基-3，5-二-叔丁基-4-羥基苯甲酸酯等。
(c)苯并三唑化合物(2’-羥基苯基)苯并三唑、(2’-羥基-5’-甲基苯基)苯并三唑和(2’-羥基-3’-叔丁基-5’-甲基苯基)-5-氯苯并三唑。
(d)氰基丙烯酸酯化合物乙基-2-氰基-3，3-二苯基丙烯酸酯、甲基-2-甲酯基-3-(對(duì)甲氧基)丙烯酸酯等。
(e)猝滅劑(金屬配合物)鎳(2，2’-硫代雙(4-叔辛基)酚鹽(phenolate))-正丁胺、鎳二丁基二硫代氨基甲酸酯、鈷二環(huán)己基二硫代磷酸酯等。
(f)HALS(受阻胺類)雙(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、雙(1，2，2，6，6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1-[2-{3-(3，5-二-叔丁基-4-羥基苯基)丙酰氧基}乙基]-4-{3-(3，5-二-叔丁基-4-羥基苯基)丙酰氧基}-2，2，6，6-四甲基吡啶、8-芐基-7，7，9，9-四甲基-3-辛基-1，3，8-三氮雜螺[4，5]十一烷-2，4-二酮、4-苯甲酰氧基-2，2，6，6-四甲基哌啶等。
下面，將參照附圖描述本發(fā)明的電子照相方法和儀器。
圖6是說明本發(fā)明電子照相方法和儀器的示意圖，下述改進(jìn)的實(shí)施方案也屬于本發(fā)明。
圖6中，光感受器1包括至少一個(gè)感光層，大多數(shù)表面層包括填料。光感受器1是鼓狀的，也可以是片狀或無接頭帶狀(endless band)。任意已知的充電器、例如corotron、scorotron、固態(tài)充電器和充電輥等都可以用于充電器3、預(yù)轉(zhuǎn)移充電器7、轉(zhuǎn)移充電器10、分離充電器11和預(yù)清潔充電器13。
上述充電器可以用作轉(zhuǎn)移充電裝置，通常，使用轉(zhuǎn)移充電器與分離充電器的組合是有效的。
用于成像的光照射裝置(imagewise light irradiating device)5和放電燈2的光源包括熒光燈、鎢燈、鹵燈、汞燈、鈉燈、發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、利用電發(fā)光(EL)的光源燈等。另外，為了獲得具有所需波長范圍的光，可以使用濾波器(filter)，例如銳截止濾波器、帶通濾波器、近紅外截止濾波器(near-infrared cutting filters)、二向色濾光鏡、干涉濾光器、色溫轉(zhuǎn)化濾光器燈。
上述光源不僅用于上面提到的和圖6所述的過程，而且也可以用于其他過程；例如轉(zhuǎn)移過程(transfer process)、放電過程、清潔過程、預(yù)曝光過程，它們包括光照射光感受器。
當(dāng)由顯影單元6在光感受器1上形成的色淀圖像(toner image)被轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移片9上時(shí)，不是所有色淀圖像都被轉(zhuǎn)移其上，剩余色淀顆粒殘留在光感受器1的表面上。利用毛刷14和刀片15從光感受器上除去剩余的色淀。可以僅利用清潔刷除去殘留在光感受器1上的剩余色淀。適合的清潔刷包括已知的清潔刷，例如毛刷和大毛刷(mag-fur blush)。
當(dāng)開始帶正電的光感受器暴露于成像光時(shí)，在光感受器上形成帶正電或負(fù)電的靜電潛像。
當(dāng)用帶負(fù)電的色淀顯影帶正電的潛像時(shí)，可以獲得正電圖像。相反，當(dāng)用帶正電的色淀顯影帶正電的潛像時(shí)，可以獲得負(fù)電圖像(也就是反像)。
關(guān)于顯影方法，可以使用已知的顯影方法。另外，關(guān)于放電方法，也可以使用已知的放電方法。
圖7是說明本發(fā)明電子照相儀器和方法的另一種實(shí)施方案的示意圖。光感受器21包括至少一個(gè)感光層，大多數(shù)表面層包括填料。光感受器通過輥22a和22b旋轉(zhuǎn)。反復(fù)利用充電器23進(jìn)行充電、利用成像光照射裝置24進(jìn)行成像曝光、利用顯影單元(沒有顯示)進(jìn)行顯影、利用轉(zhuǎn)移充電器25進(jìn)行轉(zhuǎn)移、利用光源26進(jìn)行預(yù)清潔、利用清潔刷27進(jìn)行清潔和利用放電光源28進(jìn)行放電。圖7中，預(yù)清潔光照射是從光感受器21襯底的側(cè)面進(jìn)行的。在這種情況下，襯底必須是透光的。
本發(fā)明的成像儀器不限于圖6和7所示的成像單元。例如，盡管在圖7中預(yù)清潔光照射是從襯底側(cè)面進(jìn)行的，不過預(yù)清潔光照射操作也可以從光感受器的感光層側(cè)面進(jìn)行。另外，光圖像照射過程和放電過程中的光照射可以從光感受器的襯底側(cè)進(jìn)行。
關(guān)于光照射過程，說明了成像照射過程、預(yù)清潔照射過程和放電光照射。另外，還可以在光感受器上先于成像光照射進(jìn)行預(yù)轉(zhuǎn)移光照射和初步光照射，以及其他已知的光照射過程。
上述成像單元可以固定安裝在復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)或打印機(jī)中。不過，成像單元可以安裝在其中作為處理暗盒。處理暗盒表示這樣一種成像單元(或裝置)，它包括光感受器、充電器、成像光照射器、圖像顯影器、圖像轉(zhuǎn)移器、清潔器和放電器。各種處理暗盒可以用在本發(fā)明中。圖8顯示處理暗盒的實(shí)施方案。在處理暗盒中，接觸充電器、成像光照射裝置、顯影輥、轉(zhuǎn)移輥和清潔刷排列在光感受器周圍。光感受器16具有至少一個(gè)感光層，大多數(shù)表面層包括填料。
經(jīng)過本發(fā)明的一般描述，參照某些具體實(shí)例可以獲得進(jìn)一步的理解，具體實(shí)例僅供舉例說明，并不意味著限制。在下列實(shí)施例的說明中，數(shù)字代表重量份比例，另有指定除外。
實(shí)施例實(shí)施例1按順序在鋁筒上涂覆中間涂層的涂層液體、產(chǎn)生電荷的涂層液體和傳輸電荷的涂層液體，它們具有下列配方，干燥，制得電子照相光感受器1，中間涂層厚3.5μm，CGL厚0.2μm，CTL厚23μm，保護(hù)層厚5μm。
中間涂層的涂層液體二氧化鈦粉末 400密胺樹脂 65
醇酸樹脂 1202-丁酮 400CGL涂層液體具有下式的芴酮雙偶氮顏料 12 聚乙烯縮丁醛 52-丁酮 200環(huán)己酮 400CTL涂層液體聚碳酸酯樹脂 10(Z polyca，Teijin Chemicals Ltd.)胺化合物實(shí)例3-410四氫呋喃 100將如此制備的光感受器配備到電子照相用處理暗盒中，將處理暗盒安裝在Ricoh Company Ltd.改進(jìn)型復(fù)印機(jī)imagio MF2200中，具有scorotron型電暈充電器，LD的圖像光源波長為655nm，其中光感受器的黑暗部分電位為800(-V)，以連續(xù)和反復(fù)生成總計(jì)100,000個(gè)副本。評(píng)價(jià)最初的圖像和生成100,000個(gè)副本之后的圖像。另外，評(píng)價(jià)光感受器的最初明亮部分電位和生成100,000個(gè)副本之后的明亮部分電位。結(jié)果如表23所示。
實(shí)施例2至36重復(fù)實(shí)施例1關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器2至36，但是使用其他胺化合物實(shí)施例代替胺化合物實(shí)施例號(hào)3-4。結(jié)果如表23至26所示。
表23

表24

表25


表26


實(shí)施例37重復(fù)實(shí)施例1關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器37，但是使用含有具有下列配方的CTL涂層液體。結(jié)果如表27所示。
CTL涂層液體聚碳酸酯樹脂 10(Z polyca，Teijin Chemicals Ltd.)胺化合物實(shí)例3-4 10具有下式的CTM9

四氫呋喃 100實(shí)施例38至83重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器38至83，但是使用其他胺化合物實(shí)施例代替胺化合物實(shí)施例號(hào)3-4。結(jié)果如表27和28所示。
表27


表28


實(shí)施例84至87重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器84至87，但是如下改變胺化合物和CTM的量。結(jié)果如表29所示。
胺化合物 1
CTM 7表29

實(shí)施例88至91重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器88至91，但是如下改變胺化合物和CTM的量。結(jié)果如表30所示。
胺化合物 5CTM 5表30

實(shí)施例92至95重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器92至95，但是改變CTM為具有下式的CTM。結(jié)果如表31所示。

表31

實(shí)施例96至99重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器96至99，但是改變CTM為具有下式的CTM。結(jié)果如表32所示。

表32

實(shí)施例100至102重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器100至102，但是改變CTM和粘合劑用樹脂為下列材料。結(jié)果如表33所示。
具有下式的聚合物CTM 19

表33

實(shí)施例103和104重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器103和104，但是改變CTM和粘合劑用樹脂為下列材料。結(jié)果如表34所示。
具有下式的聚合物CTM 19

表34

實(shí)施例105和106重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器105和106，但是改變CTM和粘合劑用樹脂為下列材料。結(jié)果如表35所示。
具有下式的聚合物CTM 19

表35

實(shí)施例107至111重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器107至111，但是改變粘合劑用樹脂為下列材料。結(jié)果如表36所示。
聚芳酯樹脂(U聚合物，Unitika Ltd.)10表36

實(shí)施例112至114重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器112至114，但是改變CGL涂層液體和CTL涂層液體為下列涂層液體。結(jié)果如表37所示。
CGL涂層液體具有圖9中粉末XD光譜的氧代鈦酞菁染料 8聚乙烯縮丁醛 52-丁酮400CTL涂層液體聚碳酸酯樹脂(C polyca)10胺化合物實(shí)例3-5 1具有下式的CTM 7

甲苯 70表36

實(shí)施例115和116重復(fù)實(shí)施例112關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)光感受器115和116，但是改變CTM為具有下式的材料。結(jié)果如表38所示。

表38

對(duì)比例1重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)對(duì)比光感受器1，但是改變胺化合物為具有下式的芪化合物。結(jié)果如表39所示

對(duì)比例2重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)對(duì)比光感受器2，但是胺化合物沒有包括在CTL涂層液體中，CTM的量變?yōu)?0重量份。結(jié)果如表39所示。
對(duì)比例3重復(fù)實(shí)施例88關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)對(duì)比光感受器3，但是改變胺化合物為具有下式的四苯基甲烷化合物。結(jié)果如表39所示。

對(duì)比例4重復(fù)實(shí)施例37關(guān)于光感受器制備和評(píng)價(jià)的操作，以制備和評(píng)價(jià)對(duì)比光感受器4，但是改變胺化合物為具有下式的受阻胺抗氧化劑。結(jié)果如表39所示。

表39

如上結(jié)果所示，發(fā)現(xiàn)包括本發(fā)明胺化合物的光感受器能夠穩(wěn)定地產(chǎn)生高質(zhì)量圖像，即使在產(chǎn)生100,000個(gè)副本之后也不增加明亮部分電位。相反，對(duì)比光感受器1、3和4從一開始即具有非常高的明亮部分電位，產(chǎn)生低密度和分辨率的圖像，產(chǎn)生10,000個(gè)副本之后的圖像不可讀，因?yàn)閳D像的色調(diào)大為惡化。另外，由于反復(fù)使用，對(duì)比光感受器2產(chǎn)生分辨率低于本發(fā)明光感受器的圖像，盡管明亮部分電位增加較小。
實(shí)施例117至122和對(duì)比例5在將光感受器1、8、11、37、84和116，以及對(duì)比光感受器2置于NOx氣體密度為50ppm的干燥器內(nèi)4天之前和之后，進(jìn)行圖像評(píng)價(jià)。結(jié)果如表40所示。
表40

如上述結(jié)果所示，發(fā)現(xiàn)當(dāng)在其表面中包括本發(fā)明胺化合物時(shí)，則光感受器大為提高抗氧化氣體的耐受性。換句話說，本發(fā)明胺化合物大大防止所得圖像分辨率的惡化。相反，發(fā)現(xiàn)對(duì)比光感受器2具有好的最初圖像質(zhì)量，但是圖像分辨率因氧化氣體而大為惡化。
本申請(qǐng)要求分別于2001年9月6日、2002年6月27日、2002年2月25日、2002年6月4日、2001年11月30日、2001年11月2日、2002年2月28日和2002年2月28日提交的日本專利申請(qǐng)?zhí)?001-271060、2002-188643、2002-048616、2002-163547、2001-367085、2001-338194、2002-054889和2002-054911的優(yōu)先權(quán)，并含有它們所涉及的主題，這些文件引用在此作為參考文獻(xiàn)。
經(jīng)過本發(fā)明的充分描述，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說很清楚的是在不背離本發(fā)明精神和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行很多改變和修飾。
權(quán)利要求
1.電子照相光感受器，包含導(dǎo)電襯底；和位于導(dǎo)電襯底之上的感光層，其中該感光層包含選自下式(1)至(22)的氨基化合物 其中R1和R2獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；n1代表1至4的整數(shù)；Ar代表取代或未取代的芳環(huán)基； 其中R21和R22獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；l2、m2和n2獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中l(wèi)2、m2和n2不同時(shí)是0；Ar21、Ar22和Ar23獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar21和Ar22、Ar22和Ar23，以及Ar23和Ar21中的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R31和R32獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k3、l3、m3和n3獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k3、l3、m3和n3不同時(shí)是0；Ar31、Ar32、Ar33和Ar34獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar31和Ar32、Ar31和Ar34，以及Ar33和Ar34中的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)； 其中R41和R42獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k4、l4、m4和n4獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k4、l4、m4和n4不同時(shí)是0；Ar41、Ar42、Ar43和Ar44獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar41和Ar42、Ar41和Ar43，以及Ar43和Ar44中的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)； 其中R51和R52獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k5、l5、m5和n5獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k5、l5、m5和n5不同時(shí)是0；Ar51、Ar52、Ar53和Ar54獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar51和Ar52、Ar51和Ar53，以及Ar51和Ar54中的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)；X代表亞甲基、亞環(huán)己基、氧原子或硫原子； 其中R61和R62獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)；l6和m6獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中l(wèi)6和m6不同時(shí)是0；Ar61、Ar62和Ar63獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar61和Ar62以及Ar61和Ar63中的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)；n6代表1至4的整數(shù)； 其中R71和R72獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m7和n7獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中m7和n7不同時(shí)是0；R73和R74獨(dú)立地代表氫原子、具有1至11個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基和取代或未取代的芳環(huán)基；Ar71和Ar72獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基，其中Ar71、Ar72、Ar73和Ar74中的一個(gè)是芳族雜環(huán)基； 其中R81和R82獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m8和n8獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中m8和n8不同時(shí)是0；R83代表氫原子、具有1至11個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar81、Ar82、Ar83、Ar84和Ar85獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar81和Ar82或Ar81和Ar83任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R91和R92獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m9和n9獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中m9和n9不同時(shí)是0；Ar91、Ar92、Ar93、Ar94和Ar95獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar91和Ar92或Ar91和Ar93任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R101和R102獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；n10代表1至3的整數(shù)；Ar101、Ar102、Ar103和Ar104獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar101和Ar102或Ar101和Ar103任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R111和R112獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；111代表1至3的整數(shù)；Ar111和Ar112獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R113和R114獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳環(huán)基或具有下式的基團(tuán) 其中R111和R112獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m11和n11獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)；R115和R116獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基，其中R113和R114、R115和R116，以及Ar111和Ar112中的每種組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)； 其中R121和R122獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；112代表1至3的整數(shù)；Ar121和Ar122獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R123和R124獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳環(huán)基或具有下式的基團(tuán) 其中R121和R122獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R123和R124不同時(shí)是氫原子；m12和n12獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)；R125和R126獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基，其中R123和R124、R125和R126，以及Ar121和Ar122中的每一組合任選地共享鍵連接構(gòu)成環(huán)； 其中R131和R132獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R133和R134獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R135、R136和R137獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar131和Ar132獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R133和R134或Ar132和R134任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；Ar131和R135任選地構(gòu)成環(huán)；l13代表1至3的整數(shù)；m13代表0或1至3的整數(shù)；n13代表0或1； 其中R141和R142獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R143和R144獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R145、R146和R147獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar141和Ar142獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R143和R144或Ar142和R144任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；Ar141和R145任選地構(gòu)成環(huán)；l14代表1至3的整數(shù)；m14代表0或1至3的整數(shù)；n14代表0或1； 其中R151和R152獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；l15和m15獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中l(wèi)15和m15不同時(shí)是0；R153代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R154代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar151和Ar152獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar151和R154、Ar152和R153或Ar152和另一個(gè)Ar152任選地構(gòu)成環(huán)；n15代表0或1； 其中R161和R162獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；l16和m16獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中l(wèi)16和m16不同時(shí)是0；R163代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R164代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar161和Ar162獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar161和R164、Ar162和R163或Ar162和另一個(gè)Ar162任選地構(gòu)成環(huán)；n16代表0或1； (17)其中R171和R172獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k17、l17和m17獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k17、l17和m17不同時(shí)是0；R173代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar171和Ar172獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar171和R174、Ar172和R173或Ar172和另一個(gè)Ar172任選地構(gòu)成環(huán)；n17代表0或1； 其中R181和R182獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k18、l18和m18獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，其中k18、l18和m18不同時(shí)是0；R183代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar181和Ar182代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar181和R184、Ar182和R183或Ar182和另一個(gè)Ar182任選地構(gòu)成環(huán)；n18代表0或1； 其中R191和R192獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R193和R194獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R195代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar191和Ar192獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R193和R194或Ar191和R194任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；k19、l19和m19獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)；n19代表1或2；當(dāng)k19、l19和m19同時(shí)是0時(shí)，R193和R194獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且R193和R194任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R201和R202獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；R203和R204獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；R205代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；Ar201和Ar202獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R203和R204或Ar201和R204任選地構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；m20代表0或1至4的整數(shù)；n20代表1或2；當(dāng)m20是0時(shí)，R203和R204獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且R203和R204任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基； 其中R211和R212獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；Ar代表取代或未取代的芳環(huán)基；R213和R214獨(dú)立地代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；l21、m21和n21獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，并且不同時(shí)是0； 其中R221和R222獨(dú)立地代表具有1至4個(gè)碳原子的烷基，并且任選地共享鍵連接構(gòu)成包括氮原子的雜環(huán)基；Ar221、Ar222和Ar223獨(dú)立地代表取代或未取代的芳環(huán)基；R223代表氫原子、具有1至4個(gè)碳原子的取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳環(huán)基；l22和m22獨(dú)立地代表0或1至3的整數(shù)，并且不同時(shí)是0；n22代表1至3的整數(shù)。
2.權(quán)利要求1的電子照相光感受器，其中感光層的最外側(cè)部分包含填料。
3.權(quán)利要求1或2的電子照相光感受器，其中感光層還包含電荷傳輸材料。
4.權(quán)利要求3的電子照相光感受器，其中電荷傳輸材料是具有下式電荷傳輸材料，選自式(23)和(24) 其中n23是0或1；R231代表氫原子、烷基或未取代的苯基；Ar231代表取代或未取代的芳基；R235代表烷基，包括取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；A代表9-蒽基、取代或未取代的咔唑基或具有下式的基團(tuán) 其中m23是1至3的整數(shù)；R232代表氫原子、烷基、烷氧基、鹵原子或具有下式的基團(tuán) 其中R233和R234獨(dú)立地代表取代或未取代的芳基；R233和R234任選地構(gòu)成環(huán)，其中當(dāng)m23不小于2時(shí)，每個(gè)R232任選地彼此相同或不同，當(dāng)n23是0時(shí)，A和R231任選地構(gòu)成環(huán)；以及 其中R241、R243和R244獨(dú)立地代表氫原子、氨基、烷氧基、硫代烷氧基、芳氧基、亞甲二氧基、取代或未取代的烷基、鹵原子或取代或未取代的芳基；R242代表氫原子、烷氧基、取代或未取代的烷基或鹵原子；k24、l24、m24和n24獨(dú)立地是1至4的整數(shù)，當(dāng)k24、l24、m24和n24是2至4的整數(shù)時(shí)，R241、R242、R243和R244任選地是彼此相同或不同的。
5.權(quán)利要求1或2的電子照相光感受器，其中感光層還包含電荷傳輸聚合物材料。
6.權(quán)利要求5的電子照相光感受器，其中電荷傳輸聚合物材料是具有下式電荷傳輸聚合物材料，選自式(25)和(26) 其中R251和R252代表取代或未取代的芳環(huán)基；Ar251、Ar252和Ar253獨(dú)立地代表芳環(huán)基；k25是0.1至1.0的數(shù)，j25是0至0.9的數(shù)；n25代表重復(fù)數(shù)，是5至5000的整數(shù)；X代表二價(jià)脂族基團(tuán)、二價(jià)脂環(huán)族基團(tuán)或具有下式的二價(jià)基團(tuán) 其中R253和R254獨(dú)立地代表取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基或鹵原子；l25和m25代表0或1至4的整數(shù)；Y代表直接的鍵、直鏈亞烷基、支鏈亞烷基、環(huán)狀亞烷基、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-CO-、-CO-O-Z-O-CO-(Z代表二價(jià)脂族基團(tuán))或具有下式的基團(tuán) 其中a是1至20的整數(shù)；b是1至2000的整數(shù)；R255和R256獨(dú)立地代表取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基，其中R253、R254、R255和R256任選地是彼此相同或不同的；以及 其中Ar261、Ar262、Ar263、Ar264和Ar265代表取代或未取代的芳環(huán)基；Z代表芳環(huán)基或-Ar266-Za-Ar266-；Ar266代表取代或未取代的芳環(huán)基，其中Za代表O、S或亞烷基；R261和R262代表直鏈亞烷基或支鏈亞烷基；m26是0或1；X同式(25)；k26是0.1至1.0的數(shù)，l26是0至0.9的數(shù)；n26代表重復(fù)數(shù)，是5至5000的整數(shù)。
7.電子照相光感受器，包含導(dǎo)電襯底；感光層；和保護(hù)層，其中該保護(hù)層包含填料；酸值為10至400mg KOH/g的有機(jī)化合物；和選自式(1)至(22)的化合物。
8.權(quán)利要求7的電子照相光感受器，其中保護(hù)層還包含電荷傳輸材料。
9.權(quán)利要求7或8的電子照相光感受器，其中酸值為10至400mgKOH/g的有機(jī)化合物是聚羧酸。
10.權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)的電子照相光感受器，其中酸值為10至400mg KOH/g的有機(jī)化合物選自聚酯樹脂、丙烯酸類樹脂、包括聚酯單元和丙烯酸單元中至少一個(gè)的共聚物及其混合物。
11.權(quán)利要求7-10中任一項(xiàng)的電子照相光感受器，其中該酸值為10至400mgKOH/g的有機(jī)化合物包含有機(jī)脂肪酸。
12.權(quán)利要求7-11中任一項(xiàng)的電子照相光感受器，其中填料包含無機(jī)顏料。
13.權(quán)利要求12的電子照相光感受器，其中無機(jī)顏料包含金屬氧化物。
14.權(quán)利要求12或13的電子照相光感受器，其中無機(jī)顏料的pH不小于5。
15.權(quán)利要求12-14中任一項(xiàng)的電子照相光感受器，其中無機(jī)顏料的介電常數(shù)不小于5。
16.權(quán)利要求7-15中任一項(xiàng)的電子照相光感受器，其中填料的平均初始粒徑為0.01至0.5μm。
17.權(quán)利要求7-16中任一項(xiàng)的電子照相光感受器，其中保護(hù)層還包含粘合劑用樹脂，其中該粘合劑用樹脂選自聚碳酸酯樹脂、聚芳酯樹脂及其混合物。
18.權(quán)利要求7-17中任一項(xiàng)的電子照相光感受器，其中保護(hù)層還包含抗氧化劑，其中該抗氧化劑是選自氫醌化合物和受阻胺類化合物的化合物。
19.成像方法，包含將電子照相光感受器充電；和用光照射該電子照相光感受器，在其上形成靜電潛像，其中該電子照相光感受器是根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)的電子照相光感受器。
20.權(quán)利要求19的成像方法，其中光照射是利用激光二極管或發(fā)光二極管進(jìn)行的。
21.成像儀器，包含設(shè)計(jì)用來將電子照相光感受器充電的充電器；和用光照射該電子照相光感受器的照射器，其中該電子照相光感受器是根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)的電子照相光感受器。
22.權(quán)利要求21的成像儀器，其中照射器包含激光二極管或發(fā)光二極管。
23.處理暗盒，包含電子照相光感受器；以及下列中的至少一種充電器；照射器；圖像顯影器；圖像轉(zhuǎn)移器；清潔器；和放電器，其中該電子照相光感受器是根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)的電子照相光感受器。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子照相光感受器和使用該光感受器的成像方法、成像儀器及其處理暗盒，其中電子照相光感受器中，包括至少一個(gè)導(dǎo)電襯底；以及位于該導(dǎo)電襯底之上的感光層，其中該感光層包含選自式(1)至(22)的氨基化合物，式(1)至(22)如說明書所述。
文檔編號(hào)G03G5/06GK1405640SQ02131849
公開日2003年3月26日 申請(qǐng)日期2002年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月6日
發(fā)明者池上孝彰, 鈴木康夫, 島田知幸, 田元望, 紙英利 申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光