專利名稱：能可靠進行防竊聽傳輸?shù)墓饫w結(jié)構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光纖傳輸系統(tǒng)，尤其是涉及能防止光信號被盜用的光纖。
發(fā)明的
背景技術：
從光纖傳輸線中進行未授權和未發(fā)現(xiàn)的光信號竊聽涉及到各種用戶。傳輸電纜即使載有非常敏感的信息，也通常要穿過很長的不安全區(qū)域。當光纖被實際切斷，并接入一竊聽裝置時，因為接收站的信號中斷，因此很容易檢測到該可能存在的不希望的接收者。不過，可以采用更高級的方法，該方法能夠在不中斷信號的情況下以非常小的功率損耗來竊取一部分信號，該非常小的功率損耗使得該竊聽不會被檢測到。一個這樣的方法涉及在光纖芯中形成折射率光柵(refractive index grating)。通常，其中寫入有光柵的光纖具有對光誘導折射率變化敏感的摻雜劑。一旦寫入，光柵使一部分穿過光纖側(cè)壁的波長信號衍射，這樣，它很容易由位于該光纖附近的光電檢測器“讀出”。通過使很短的一段光纖芯暴露在合適激光輻射下以產(chǎn)生折射率擾動帶，可以形成光柵。這對光纖的大量傳輸特性的損害并不足以被檢測到。
另一種方法簡單地說是在光纖中形成一個彎頭。這使得信號“泄漏”到光纖覆層內(nèi)，在該光纖覆層中，能夠在不被發(fā)送源或接收站檢測到的情況下對該信號進行竊聽。
發(fā)明簡介根據(jù)本發(fā)明，通過使光纖構成有高吸收的UV涂層來對付第一種侵入。這防止形成光柵所需的“寫”輻射接近光纖芯。在該實施例的一種變化形式中，在光纖中有一條或多條用于監(jiān)測信號的光通路。該附加的光通路使得監(jiān)測信號能夠以與信息信號分離的方式在光纖中傳輸，以便對于任意試圖使光纖覆層產(chǎn)生裂口的企圖都發(fā)出信號。
通過使光纖對微彎(microbending)損耗的敏感程度增加到光纖的彎曲能引起非常高的信號衰減，以便使接收站能夠檢測到該彎曲，從而解決第二種侵入。
附圖的簡要說明

圖1是一種未授權的光纖竊聽方法的示意圖；圖2是用于實現(xiàn)圖1的方案的方法和根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的預防方法的示意圖；圖3是光功率對光纖半徑的曲線圖，表示光纖內(nèi)的功率分布；圖4是光纖的折射率分布圖，該光纖設計為防止利用微彎法進行未授權的竊聽；圖5是對于5種不同光纖系數(shù)分布的彎曲損耗對彎曲半徑的曲線圖；以及圖6是光纖的示意剖視圖，該光纖根據(jù)本發(fā)明設計成防止未授權的竊聽。
發(fā)明的詳細說明從光纖中竊聽電磁輻射的方法是本領域所已知的。例如見美國專利5061032、5832156和5850302，這些文獻被本文參引。當未授權時，這些已知的電線竊聽結(jié)果在本文中可以統(tǒng)稱為光纖竊聽。這些專利所述的方法需要在將進行竊聽的光纖芯中寫入閃爍(blazed)和發(fā)出線性調(diào)頻脈沖(chirped)的折射率光柵。在很長傳輸線上載有敏感信息的光纖很容易為未授權的用戶接近物理光纖提供機會。然后能很容易的剝?nèi)ル娎|護套和將竊聽光柵寫入暴露的光纖芯中。該操作中也能很容易地除去光纖涂層。通過光纖涂層寫入光柵的方法是已知的，因此，在光纖竊聽時甚至不需要剝?nèi)ス饫w涂層。因為從主信號中竊取的功率大小可以保持得較低(但仍足夠能讀出該信號)，接收站的信號功率損耗可能在系統(tǒng)的正常極限內(nèi)，因此不能檢測到該功率損失。
光纖竊聽方法如圖1所示，其中，光纖12如圖所示有芯20和覆層21。所示的光纖部分剝?nèi)チ似胀ü饫w涂層。未授權用戶將Bragg光柵14寫入光纖的暴露部分。在芯20中傳送的信號輻射的很小部分通過光柵而從芯中衍射，并利用透鏡或棱鏡23進行檢測，以便將竊聽的光束26聚焦到光電檢測器24中。折射率匹配介質(zhì)22可以用于增加竊聽效率。
根據(jù)本發(fā)明，一種防止該形式的光纖竊聽的方法是防止形成光柵14所需的UV輻射接近光纖芯。在一個實施例中，可以通過在光纖上形成高UV吸收覆層而實現(xiàn)。如前所述，光纖涂層很容易除去。覆層則不是這樣。覆層在物理上與芯連續(xù)，兩者形成整個玻璃體，同時還有很少量的添加雜質(zhì)，該雜質(zhì)使得覆層與芯區(qū)別開。因此，當UV輻射不能透過覆層時，形成光纖竊聽所需的裝置將很難接近光纖芯。這可以通過用強不透性材料例如金屬涂覆光纖而實現(xiàn)。但是該方法不能抵抗包括除去不透性涂層的竊聽方法。除去涂層可以在不被檢測到的情況下很容易地實現(xiàn)。
實現(xiàn)本發(fā)明的預防方法的優(yōu)選方法是使覆層玻璃體中包括UV吸收中心(center)。在不除去覆層自身至少一部分的情況下將不能除去該UV吸收中心，而除去覆層自身的至少一部分將損害或削弱光纖的光引導特性，并能很容易檢測到。在一個實施例中，該吸收中心是金屬離子，例如過渡或難熔(refractory)金屬離子例如Ti、Zr、Fe、Ta、Ni、Co。金屬離子可以選擇為具有很高的吸收用于寫光柵的UV波長的能力，且吸收光信號波長的波段的能力較低，該光信號波長通常為1.3-1.6微米。
圖2表示了用于形成普通折射率光柵的方法和用于預防該方法的本發(fā)明裝置。光纖31部分如圖所示，一部分光纖涂層32被剝?nèi)ヒ员┞冻龉饫w。為了清楚，芯和覆層并沒有在圖中表示。通過光纖傳輸?shù)男盘栍眉^36表示。
光纖的剝?nèi)ゲ糠质艿接?3表示并直接穿過相位屏蔽(phase mask)34的UV激光輻射。這是普通和公知的形成光柵的方法。這導致在光纖芯中形成折射率光柵35。該光柵對應于圖1中的光柵14，是該類型光纖竊聽所必須的特征。
光柵35以虛線表示，因為在本發(fā)明的實施例中，通過UV阻擋層39來防止由UV源33發(fā)出的UV輻射接近光纖內(nèi)部或芯。
各種離子的吸收特性是公知的。還已知吸收光譜在所關心的波長之間有很大的不同。一個所關心的波長區(qū)域是用于在摻雜有鍺(germania)的光纖中形成光柵的波長區(qū)域，即200-300nm。普通的摻雜有鍺(germania)的光纖的吸收峰值為242nm。因此，為了防止采用在該波長區(qū)域內(nèi)的輻射來有效寫入光柵，吸收層在200-300nm的波長范圍內(nèi)將有相對高的吸收率。因此，優(yōu)選是該吸收層在信號波長范圍內(nèi)有較低的吸收率，該信號波長范圍通常為1300至1600nm。
下面將為摻雜劑給出滿足這些準則的實例。
實驗數(shù)據(jù)顯示，在堿-硅酸鹽玻璃中，鎳在220nm時的吸收系數(shù)為大約1.5×1010dB/km每％鎳，在330nm時為大約1.4×109dB/km。(其它金屬也可以發(fā)現(xiàn)類似吸收光譜。)因此，200nm的UV輻射在穿過1微米厚的、摻雜有1％的Ni的二氧化硅后將衰減大約10-15dB。
在信號波長1300nm至1600nm時，Ni的吸收系數(shù)為大約3.6×107dB/km每％鎳，這比阻擋波長即200nm時的吸收率低大約400倍。
因此，屏蔽層(圖2中的39)的厚度例如為1-20微米，并摻雜有0.1％至5％的Ni以有效防止寫入進行光纖竊聽所必須的光柵。摻雜水平和屏蔽層厚度可以進行折衷，屏蔽層的厚度越大允許摻雜水平越低，而摻雜水平越高允許屏蔽層的厚度越薄，并使得屏蔽層和芯之間以及屏蔽層和覆層表面之間間距更大。
UV阻擋離子的選擇準則還包括阻擋離子在高(純度)二氧化硅或純二氧化硅、基質(zhì)材料中的擴散系數(shù)。這是因為在通常情況下，使阻擋離子有效包含到光纖覆層中需要在預制階段引入該離子。盡管可以將離子擴散到拉出的光纖中以形成阻擋涂層，尤其是對于短光纖部分，但是在商業(yè)上更愿意對預制品進行處理。優(yōu)選是使包含于預制品外部處的阻擋離子在加熱(2000-2400℃)該預制品以便進行光纖拉出時緩慢擴散。普通光纖的覆層厚度為幾十微米。因此，在沒有損害的情況下，阻擋離子的擴散距離可以高達20微米，但優(yōu)選是低于10微米。普通的過渡金屬離子具有滿足該規(guī)定的擴散特性。
重要的是，UV阻擋層39可以布置在光纖覆層中的任意位置處，只要其厚度足以吸收足夠的UV輻射，以防止有效寫入光柵。對于阻擋層的位置，還要考慮在阻擋層和芯之間的間距以及將該阻擋層埋入的深度之間進行平衡，該阻擋層和芯之間的間距防止信號衰減，該阻擋層埋入的深度為能夠防止在不中斷信號的情況下除去該阻擋層。對橫過光纖直徑的不同位置處的功率進行計算，以有助于適當?shù)夭贾迷撟钃鯇?。圖3表示了在普通光纖結(jié)構中，在1550nm時光功率分布對徑向位置的曲線圖。
〖圖3中的曲線38、39之間的區(qū)別〗功率分布數(shù)據(jù)顯示，1550nm時，在離光纖中心距離大于40微米處傳輸?shù)墓夤β市∮诳偣夤β实?0-11。因此，1.3-1.6微米時衰減至少為108dB/km的阻擋層布置在離光纖中心距離大于40微米處，它所引起的在傳輸波長方向上的衰減小于0.001dB/km。另一方面，因為光纖芯通常小于10微米，因此，當芯和阻擋層之間的間距至少為10微米，或者離光纖中心的距離至少20微米時，將很容易地充分防止過多信號衰減，同時使得阻擋層有相對較大的空間以及使得阻擋層和覆層表面之間有相對較大的空間。
如上所述，制造阻擋層的優(yōu)選方法包括在拉出光纖之前將離子吸收到預制品內(nèi)。具有40mm直徑和1米長的普通預制品能夠拉成大約100km的125微米直徑的光纖。在預制品中320微米厚的UV阻擋層將在拉出的纖維中形成大約1微米厚的阻擋層。因此，在預制品階段，阻擋層的厚度為幾百微米至8mm，優(yōu)選范圍為100微米至8mm，或者甚至16mm。后者將轉(zhuǎn)變成大約50微米的阻擋層。
可以利用任意已知的預制品制備方法來將用于阻擋層的吸收離子引入預制品中。下面簡單介紹典型的制備方法。
在溶液摻雜處理中，多孔煤煙(soot)層沉積在二氧化硅管內(nèi)。見美國專利No.5123940，該專利被本文參引。用包含所需過渡金屬離子的溶液浸透該多孔煤煙層。通過干燥，使煤煙層燒結(jié)，過渡金屬離子以合適濃度包含在固結(jié)的二氧化硅層中。根據(jù)阻擋層的厚度和所希望的金屬離子濃度，該操作可以以一個步驟或以幾個步驟進行。為了掩埋阻擋層，第二層煤煙沉積在上述固結(jié)材料上，并在沒有添加金屬離子的情況下固結(jié)。制成具有阻擋層的覆層后，將芯桿插入，并進行普通的壓縮(collapse)處理。當通過該預制品拉出光纖時，該光纖包含所希望的阻擋層。
也可以用溶膠-凝膠方法來制備包含阻擋層的預制品。通過溶膠-凝膠制成的普通覆層(overclad)管的外徑例如為40mm，同時內(nèi)徑一般為24-32mm。通過將金屬鹽或金屬氫氧化物加入溶膠溶液中，能夠使過渡金屬離子很容易地包含到溶膠-凝膠中。然后使該摻雜的凝膠管燒結(jié)，并用于覆蓋在芯桿上，以便形成預制品。使二氧化硅溶膠-凝膠體內(nèi)含有雜質(zhì)可以按照用于鍺摻雜的公知方法進行。例如見美國專利No.5379364，該專利被本文參引。
如上所述，采用彎曲方法也可以實現(xiàn)未授權和不被檢測到的纖維竊聽。纖維以足夠小的彎曲半徑進行彎曲，該小彎曲半徑使得輻射能夠通過覆層而從纖維芯中泄漏。這是公知的纖維損耗機理，并可以采用多種方法來防止微彎損耗。不過，對于幾乎所有市場上有售的光纖，故意以小彎曲半徑進行彎曲都將引起光纖內(nèi)的信號損耗。
本發(fā)明的目的與通常的目的相反。這里，希望增加光纖的彎曲敏感性，這樣，任何將引起足夠大的泄漏以便在信號中檢測到該信息的彎曲都將引起在接收站中很容易檢測到的較大信號衰減。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過在離光纖芯較遠距離處引入未摻雜的外環(huán)區(qū)域，可以生成高彎曲敏感性的光纖。而且，只要該光纖纜安裝成具有較大的最小彎曲半徑，這樣的彎曲敏感性設計對傳輸性能就沒有不利影響。
圖4示意表示了彎曲敏感性光纖設計。在普通的擴散處理光纖設計中，徑向折射率(index)分布通常包括一個向上摻雜(up-doped)的芯區(qū)域，該芯區(qū)域由一個向下?lián)诫s(down-doped)的溝槽區(qū)域環(huán)繞，然后是一個向上摻雜的環(huán)區(qū)域。在所示分布中，芯、溝槽區(qū)域和環(huán)區(qū)域的延伸半徑為大約8微米。在這些區(qū)域中的折射率的特征由Δ表示，Δ通?？梢远x成(N-No)/No，其中N是某一區(qū)域的折射率，而No是未摻雜二氧化硅的折射率。在普通的擴散處理設計中，各區(qū)域的Δ分別確定為Δ1、Δ2和Δ3，該Δ值為0.003＜Δ1＜0.012-0.007＜Δ2＜-0.00020.001＜Δ3＜0.006圖中的下一個區(qū)域為未摻雜層，該區(qū)域在8微米和14微米之間延伸。根據(jù)本發(fā)明實施例的目的，通過添加一個外部的向上摻雜區(qū)域，能夠使該光纖設計的彎曲敏感性更大。在圖4中，外部的向上摻雜區(qū)域以41表示。區(qū)域41的優(yōu)選折射率范圍為0.0005＜Δ4＜0.0034，優(yōu)選的位置范圍為離光纖中心12至26微米之間。
圖5表示在外部的環(huán)區(qū)域中具有不同折射率Δ4的光纖設計中1550nm處的彎曲損耗vs彎曲半徑。五根線51-55分別給出了N＝0.0025、N＝0.0020、N＝0.0012、N＝0.0和N＝-0.0012時的數(shù)據(jù)。該圖表示當外部環(huán)的Δ值從-0.00082增加到+0.00171時，彎曲損耗增加的系數(shù)大于500。在通過使光纖彎曲而進行的光纖竊聽中，如美國專利No.4802723(該專利被本文參引)所述，彎曲光纖的曲率半徑與光纖和彎曲管之間的角度α以及光纖-管接觸點和管彎曲接頭之間的距離x有關，且R＝x/sin(α/2)。彎曲光纖長度由αR或αx/sin(α/2)表示。當x＝10mm、α＝15度或0.26弧度時，R為76.6mm，彎曲光纖長度為20mm。
通過用摻雜有具有合適折射率的GeO2的管覆蓋芯桿，可以經(jīng)濟地形成用于增加彎曲敏感性的向上摻雜層。該向上摻雜的管可以從市場上獲得，并可以通過煤煙處理或溶膠-凝膠方法制造。覆蓋后，該預制品可以拉伸而具有夾在傳輸光纖芯和外部覆層之間的彎曲敏感性層。
引起彎曲損耗的向上摻雜層優(yōu)選是位于UV阻擋層內(nèi)部，未摻雜的二氧化硅層夾在這兩層之間。因此，該向上摻雜的管作為在未摻雜覆蓋管后面的第一覆蓋管，然后再由包含有高吸收性過渡金屬離子的管覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，通過在光纖覆層中布置有裂口檢測槽道，可以對光纖結(jié)構的物理侵入發(fā)出信號。該方法很有利，例如在檢測試圖除去阻擋層和露出芯部以便寫入光柵時。
在優(yōu)選實施例中，裂口檢測通道的直徑可以在3至10微米之間，其中心位置距離光纖中心85至95微米之間。裂口檢測通道既可以有高折射率和小芯部直徑的徑向折射率分布形式，也可以有中等折射率和大芯部直徑的徑向折射率分布形式。
波長計算顯示，當裂口檢測通道包括了在1.5微米芯半徑內(nèi)的0.025Δ時，在LP01基本模式中，小于10-11的光功率泄漏到16.5微米半徑之外。該折射率分布是1.55微米的單個模式，因為該模式的截斷波長為1.25微米。
當裂口檢測通道包括了在5微米芯半徑內(nèi)的0.015Δ時，在LP01基本模式中，小于10-11的光功率泄漏到17微米半徑之外。在1.55微米時，除了LP01基本模式，該折射率分布還支持LP11和LP02高階模式，該LP11和LP02高階模式的截斷波長分別為3.2微米和2.0微米。
因此，當阻擋層的位置離上述折射率設計的裂口檢測通道的中心的距離大于17微米時，阻擋層不會有使裂口檢測芯中的輻射衰減的不利作用。不過，較大芯部直徑的徑向特征具有當光纖絞接時易于對齊的優(yōu)點。
裂口檢測通道可以很容易地通過用于覆蓋管的溶膠-凝膠方法制造。覆蓋管的凝膠體可以制成有多個平行于縱向管軸線的開口。通過干燥和部分稠化(densification)，充分稠密的GeO2摻雜桿可以布置在這些開口內(nèi)。通過使整個管完全稠化，GeO2摻雜桿將合為一體以形成裂口檢測光通道。該預制品的光纖拉出將導致裂口檢測通道環(huán)繞光纖外周。
圖6表示了利用上述三個機理的光纖設計。該圖表示了一種具有剖開的交替層的光纖橫截面(為了清楚表示)。光纖芯以61表示，通常摻雜有鍺(germania)。主覆層62是二氧化硅層，并由向上摻雜的層63環(huán)繞，以便增加光纖的彎曲敏感性。層64是二氧化硅層，并由UV阻擋層65環(huán)繞。層66是例如二氧化硅的外部覆層。在本實施例中，層66包含有裂口檢測槽道68。
圖6所示的光纖結(jié)構利用了本發(fā)明的全部三個實施例。不過，本發(fā)明的光纖可以利用這些實施例中的一個或兩個。當推薦使用裂口檢測通道以檢測試圖通過物理除去覆層部分來突破阻擋層的未授權用戶時，采用阻擋層與裂口檢測通道相結(jié)合。
在本發(fā)明的發(fā)展形式中，顯然優(yōu)選是采用比通常使用的125微米光纖更大的光纖。這部分是由于本發(fā)明的增強安全性的方法包括將層添加到基本光纖結(jié)構上。尤其是具有圖6的光纖結(jié)構時更是這樣，這時有三個添加的結(jié)構部分。裂口檢測通道尤其可以利用直徑大于125微米的光纖來實現(xiàn)。作為一個實例，200微米光纖可以有通常尺寸的芯、溝槽和環(huán)部分，即與125微米光纖中的相同，其中裂口檢測通道的中心定位成距光纖中心81.25微米處，高吸收性層的內(nèi)部半徑在離光纖中心大約40微米處。入侵者必須通過研磨平行于光纖縱向軸的光纖表面來除去高吸收性層，這樣，可以布置合適的相位屏蔽，以便在光纖芯中形成光柵。通過該光纖尺寸，研磨處理將損壞至少34％的裂口檢測通道，并將使通過這些通道傳送的光強度減小約4.7dB。
圖6中所示的光纖結(jié)構有8個添加的裂口檢測通道。顯然，可以采用更多或更少的裂口檢測通道。并希望至少有三個裂口檢測通道。
本領域技術人員可以對本發(fā)明進行各種附加變化。所有偏離本說明書中的特別教導但基本根據(jù)本發(fā)明原理的技術方案及其等效物都應當認為在如權利要求所述的本發(fā)明范圍內(nèi)，通過這些等效物使得技術向前發(fā)展。
權利要求
1.一種光纖，包括(a)一中心芯，該中心芯可由波長為λ1的信號輻射透過，并有對波長為λ2的輻射敏感的雜質(zhì)濃度，從而產(chǎn)生光誘導折射率變化；(b)環(huán)繞該芯的覆層，該覆層有折射率低于芯的折射率的區(qū)域；(c)形成于該覆層內(nèi)的阻擋層，該阻擋層能夠吸收波長為λ2的輻射。
2.根據(jù)權利要求1所述的光纖，其中該阻擋層包括金屬離子。
3.根據(jù)權利要求1所述的光纖，其中該覆層包括二氧化硅。
4.根據(jù)權利要求4所述的光纖，其中阻擋層形成于覆層內(nèi)部，這樣，一部分覆層環(huán)繞該芯，一部分覆層環(huán)繞該阻擋層。
5.根據(jù)權利要求2所述的光纖，其中該金屬離子包括Ni離子。
6.根據(jù)權利要求1所述的光纖，其中該覆層有至少一個包含在該覆層內(nèi)的附加芯區(qū)域，該附加的芯區(qū)域的折射率大于該覆層。
7.根據(jù)權利要求6所述的光纖，其中該覆層有至少三個附加的芯區(qū)域。
8.根據(jù)權利要求1所述的光纖，其中該阻擋層對波長為λ2的吸收能力高于波長為λ1的吸收能力。
9.一種光纖，包括(a)一中心芯，該中心芯可由信號輻射透過；(b)環(huán)繞該芯的覆層，該覆層有折射率低于該芯的折射率的區(qū)域；且其折射率分布能減小光纖中的微彎損失；(c)至少一個在覆層中并能增加光纖中的微彎損失的區(qū)域。
10.根據(jù)權利要求9所述的光纖，其中覆層從芯開始沿徑向看的折射率分布包括(a)一個未摻雜區(qū)域；(b)一個向上摻雜的區(qū)域；以及(c)一個未摻雜區(qū)域。
11.根據(jù)權利要求9所述的光纖，其中光纖從光纖中心沿徑向看的折射率分布包括(a)一個向上摻雜的區(qū)域；(b)一個向下?lián)诫s的區(qū)域；(c)一個向上摻雜的區(qū)域；(d)一個未摻雜區(qū)域；(e)一個向上摻雜的區(qū)域；以及(f)一個未摻雜區(qū)域。
12.根據(jù)權利要求11所述的光纖，其中區(qū)域(a)的Δ在0.003和0.012之間，區(qū)域(b)的Δ在-0.007和-0.0002之間，區(qū)域(c)的Δ在0.001和0.006之間，區(qū)域(d)的Δ在0.005和0.0034之間。
13.根據(jù)權利要求11所述的光纖，其中區(qū)域(e)離光纖中心的距離為12-26微米。
14.根據(jù)權利要求9所述的光纖，還包括形成于覆層內(nèi)的阻擋層，該阻擋層能夠吸收波長范圍在200-300nm內(nèi)的輻射。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中覆層有包含于其中的至少三個附加的芯區(qū)域，該附加的芯區(qū)域的折射率大于覆層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光纖，該光纖設置成能防止光纖信號被盜用。一種結(jié)構設計成能阻止形成光柵竊聽所需的“寫”輻射接近光纖芯。在該實施例中，光纖覆層有高吸收UV的層。在該實施例的一種變化形式中，在光纖中提供一種或多種附加的光通道，以容納監(jiān)測信號。該附加的光通道允許監(jiān)測信號在光纖中傳輸，并與信息信號分離，以便對于試圖使光纖外涂層或覆層形成裂口的企圖發(fā)出信號。侵入的第二種情況通過增加光纖對微彎損失的敏感性來解決，該光纖對微彎損失的敏感性增加到這樣的程度，即光纖的彎曲導致信號產(chǎn)生很高的衰減，這樣，接收站就檢測到該彎曲。
文檔編號G02F1/19GK1393706SQ0211915
公開日2003年1月29日 申請日期2002年5月10日 優(yōu)先權日2001年5月10日
發(fā)明者約翰·B·麥克切斯尼, 托馬斯·E·施托克特, 帕特里克·W·威斯克, 甄文輝 申請人:菲特爾美國公司