專利名稱：：電光裝置、其制造方法和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在外圍電路中使用與構(gòu)成掃描線或數(shù)據(jù)線不同的導(dǎo)電層，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)外圍電路時(shí)的自由度的提高等的電光裝置及其制造方法以及在顯示部分中使用該電光裝置的電子設(shè)備。一般地說，電光裝置例如把液晶用做電光物質(zhì)進(jìn)行規(guī)定的顯示的液晶裝置的構(gòu)成是把液晶夾持在一對(duì)基板之間。其中，例如用3端式開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)象素電極的有源矩陣式的液晶裝置的構(gòu)成如下。就是說，在一對(duì)基板之內(nèi)，在一方的基板上把多條掃描線和數(shù)據(jù)線設(shè)置為彼此進(jìn)行交叉，同時(shí)，在每一個(gè)交叉部分上都設(shè)置以被稱之為薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，以下，叫做‘TFT’)為代表的3端式開關(guān)器件和象素電極的對(duì)。在這里，TFT是這樣一種器件當(dāng)供給到與交叉部分對(duì)應(yīng)的掃描線上的掃描信號(hào)變成為有效電平時(shí)就變成為ON，把正在加在對(duì)應(yīng)的掃描線上的圖象信號(hào)供給象素電極。此外，在另一方的基板上，設(shè)置與象素電極相向的透明的相向電極。另一方面，驅(qū)動(dòng)這些掃描線或數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)電路，由掃描線驅(qū)動(dòng)電路、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、采樣電路等構(gòu)成。其中，掃描線驅(qū)動(dòng)電路，是以規(guī)定的定時(shí)供給掃描信號(hào)的電路，而數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路則是以規(guī)定的定時(shí)供給采樣信號(hào)的電路，此外，采樣電路用在每一條數(shù)據(jù)線上都具備的采樣開關(guān)，把通過圖象信號(hào)線供給的圖象信號(hào)，根據(jù)采樣信號(hào)進(jìn)行采樣后供給給數(shù)據(jù)線的電路。此外，人們還開發(fā)出了在一方的基板上把這些驅(qū)動(dòng)電路本身設(shè)置到排列象素電極的區(qū)域的周邊上的外圍電路內(nèi)置式的電光裝置。在這種類型的電光裝置中，從使制造工藝高效率化等的觀點(diǎn)來看，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的有源器件可以用與連接到象素電極上的開關(guān)器件共通的工藝形成。例如，在上邊所說的液晶裝置中，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的器件就是與連接到象素電極上的開關(guān)器件用同一工藝形成的TFT。這樣的外圍電路內(nèi)置式的電光裝置，與外加驅(qū)動(dòng)電路的類型的電光裝置比較，在裝置整體的小型化和降低價(jià)格方面是有利的。然而，在近些年來，不限于電光裝置，在所有的顯示裝置中，例如，就象XGA(1024×768點(diǎn))或SXGA(1365×1024點(diǎn))、UXGA(1600×1200點(diǎn))等那樣，高精細(xì)化的要求日益高漲起來。但是，當(dāng)企圖在高精細(xì)化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)裝置的小型化時(shí)，就與之對(duì)應(yīng)地要求掃描線的排列節(jié)距和數(shù)據(jù)線的排列節(jié)距變得非常狹窄的技術(shù)。就是說，由于掃描線驅(qū)動(dòng)電路，是向每一條掃描線供給掃描信號(hào)的電路，構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路的單位電路(鎖存電路)等，就必須要收納于掃描線的排列節(jié)距之內(nèi)。同樣，由于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路是對(duì)設(shè)置在每一條掃描線上的采樣開關(guān)按照順序供給采樣信號(hào)的電路，故構(gòu)成數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的單位電路等，必須收納于數(shù)據(jù)線的排列節(jié)距或其整數(shù)倍的節(jié)距內(nèi)。如上所述，當(dāng)企圖在外圍電路內(nèi)置式的電光裝置中進(jìn)行高精細(xì)化和小型化時(shí)，由于必須把掃描線驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路中的單位電路形成為收納于極其有限的空間內(nèi)，故存在著其設(shè)計(jì)將變得非常困難的問題。本發(fā)明就是有鑒于上邊所說的問題而發(fā)明的。目的是提供實(shí)現(xiàn)外圍電路中的設(shè)計(jì)自由度的提高等的電光裝置及其制造方法以及在顯示部分中使用該電光裝置的電子設(shè)備。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)的發(fā)明1的電光裝置，其特征是具備多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉部分對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開關(guān)器件和象素電極的對(duì)；把上述開關(guān)器件和與之對(duì)應(yīng)的象素電極之間電連接起來的中間導(dǎo)電膜；包含由與構(gòu)成上述中間導(dǎo)電膜的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的布線，具備用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路。倘采用該構(gòu)成，則雖然在排列象素電極的區(qū)域(顯示區(qū)域)中，開關(guān)器件和象素電極之間的連接可以使用中間導(dǎo)電膜，但是，結(jié)果變成為在外圍電路中也可以使用由與該中間導(dǎo)電膜為同一導(dǎo)電層構(gòu)成的布線。就是說，在本發(fā)明中，把本來在顯示區(qū)域中使用的中間導(dǎo)電膜，也用做外圍電路的布線的一部分。為此，由于結(jié)果就變成為在外圍電路中，要增加新的布線層，故結(jié)果變成為與將該層的增加相對(duì)應(yīng)地提高設(shè)計(jì)的自由度。于是，在本發(fā)明中，理想的構(gòu)成是，上述中間導(dǎo)電膜通過與開關(guān)器件的電極對(duì)應(yīng)地設(shè)置的第1接觸孔進(jìn)行電連接，另一方面，上述象素電極通過第2接觸孔進(jìn)行電連接。在該構(gòu)成的情況下，開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電極通過第2接觸孔電連接到中間導(dǎo)電膜上。為此，中間導(dǎo)電膜，由于在把象素電極連接到開關(guān)器件的另一端上時(shí)起著勢(shì)壘膜的作用，故可以減少在接觸孔經(jīng)過長距離的情況下產(chǎn)生的不合格。此外，在本發(fā)明中，理想的是作成為這樣的構(gòu)成每一個(gè)象素電極都具有一端連接到上述象素電極上，另一端進(jìn)行共通連接的存儲(chǔ)電容，上述中間導(dǎo)電膜形成構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的電極的一部分。倘采用該構(gòu)成，雖然借助于存儲(chǔ)電容可以改善象素電極的電壓保持特性，但是結(jié)果卻變成為這時(shí)中間導(dǎo)電膜作為構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電極的一部分發(fā)揮作用。再有，在本發(fā)明中，也可以作成為這樣的構(gòu)成上述中間導(dǎo)電膜具有遮光性，在上述象素電極中透過或反射的光的一部分，由該中間導(dǎo)電膜進(jìn)行控制。倘采用該構(gòu)成，則在光的透過或反射區(qū)域之內(nèi)，在由中間導(dǎo)電膜控制的部分中，由于至少可以省略專用的遮光膜，故構(gòu)成得以與該省略相對(duì)應(yīng)地簡(jiǎn)化。同樣，為了實(shí)現(xiàn)上邊所說的目的，本申請(qǐng)的發(fā)明2的電光裝置，是一種其構(gòu)成為按照順序形成第1、第2、第3導(dǎo)電層，上述第3導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層比是低電阻的層的電光裝置，其特征是具備由第1導(dǎo)電層構(gòu)成的多條掃描線；由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成，并形成為對(duì)于上述多條掃描線彼此進(jìn)行交叉的多條數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉部分對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開關(guān)器件和象素電極的對(duì)；由第2導(dǎo)電層構(gòu)成，把上述開關(guān)器件和對(duì)應(yīng)的象素電極之間電連接起來的中間導(dǎo)電膜；分別具備由上述第1、第2和第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路。倘采用該構(gòu)成，則在顯示區(qū)域中，開關(guān)器件和象素電極之間的連接可以使用中間導(dǎo)電膜，但是，結(jié)果變成為在外圍電路中也可以使用由與該中間導(dǎo)電膜為同一導(dǎo)電層構(gòu)成的布線。就是說，在本發(fā)明中，把本來在顯示區(qū)域中使用的中間導(dǎo)電膜，在外圍電路中也用做布線的一部分。為此，由于結(jié)果就變成為在外圍電路中，要增加一層的量的新的布線層，故結(jié)果變成為與將該層的增加量相對(duì)應(yīng)地提高設(shè)計(jì)的自由度。于是，在本發(fā)明中，理想的構(gòu)成是，上述中間導(dǎo)電膜通過與開關(guān)器件的電極對(duì)應(yīng)地設(shè)置的第1接觸孔進(jìn)行電連接，另一方面，上述象素電極通過第2接觸孔進(jìn)行電連接。在該構(gòu)成的情況下，開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電極通過第2接觸孔電連接到中間導(dǎo)電膜上。為此，中間導(dǎo)電膜，由于在把象素電極連接到開關(guān)器件的另一端上時(shí)起著勢(shì)壘膜的作用，故可以減少在接觸孔經(jīng)過長距離的情況下產(chǎn)生的不合格。然而，在本發(fā)明中，由于第3導(dǎo)電層與第1導(dǎo)電層比是低電阻的，故理想的是，用第3導(dǎo)電層形成全部布線。但是，由于外圍電路必然具有布線的交叉部分或分枝部分等，故要用第3導(dǎo)電層形成全部布線是不可能的。于是，在本發(fā)明中，在必須使用由例如高電阻的第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線的情況下，上述外圍電路的構(gòu)成，理想的是具有使由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線與由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線并聯(lián)連接的并聯(lián)布線。這樣一來，當(dāng)使用使由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線與由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線并聯(lián)連接的并聯(lián)布線時(shí)，與單獨(dú)使用由第1或第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線的情況下比較，可以把其布線電阻抑制得更低。作為應(yīng)該使用這樣的并聯(lián)布線的部分，例如，可以考慮既是從由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線分枝出來分枝布線，又是與該布線不同的布線進(jìn)行交叉的部分。這是因?yàn)檫@樣的分枝布線，雖然應(yīng)該是由本身就是低電阻的第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，但是，既是從由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線分枝出來分枝布線，又是與該布線不同的布線進(jìn)行交叉的部分，不可能用同一個(gè)第3導(dǎo)電層形成的緣故。此外，上述外圍電路，具備由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成，與h(設(shè)h為2以上的整數(shù))條的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)地供給圖象信號(hào)的h條的圖象信號(hào)線、和與上述每一條數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)地設(shè)置向上述h條圖象信號(hào)線供給的圖象信號(hào)之內(nèi)，根據(jù)規(guī)定的采樣信號(hào)對(duì)對(duì)應(yīng)的信號(hào)進(jìn)行采樣，供給對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的采樣開關(guān)的情況下，作為應(yīng)該使用并聯(lián)布線的部分，可以考慮從上述圖象信號(hào)線分枝出來的上述采樣開關(guān)的布線的至少一部分。這是因?yàn)檫@樣的布線，由于是供給加到象素電極上的圖象信號(hào)的布線，故雖然應(yīng)該是由本身就是低電阻的第3導(dǎo)電層構(gòu)成的，但是由于要與別的圖象信號(hào)線交叉，故不可能由同一個(gè)第3導(dǎo)電層形成的緣故。在本發(fā)明中，在要形成并聯(lián)布線的情況下，可以考慮以下2種構(gòu)成。第1構(gòu)成在上述并聯(lián)布線之內(nèi)由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，使在該并聯(lián)布線之內(nèi)由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線分別露出來的第3和第4接觸孔之間導(dǎo)通，把由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線設(shè)置在與上述第3或第4接觸孔一致的位置上，并電連接到使由第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線露出來的第5接觸孔上；第2構(gòu)成在上述并聯(lián)布線之內(nèi)由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，使在該并聯(lián)布線之內(nèi)由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線分別露出來的第3和第4接觸孔之間導(dǎo)通，把由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線設(shè)置在與上述第3及第4接觸孔不同的位置上，并電連接到使由第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線露出來的第6接觸孔上。于是，在給第2導(dǎo)電層加上有由撓曲等形成的應(yīng)力的情況下，當(dāng)設(shè)置使得由第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線露出來的那種接觸孔時(shí)，有時(shí)候會(huì)發(fā)生裂紋，但是，在第2構(gòu)成的情況下，由于可以不設(shè)置使第2導(dǎo)電層露出來的接觸孔，故可以減少因裂紋的產(chǎn)生所伴生的不合格。再有，在第1或第2構(gòu)成中，理想的是，在上述并聯(lián)布線之內(nèi)，由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，即便是在在上述第1或第2接觸孔之間設(shè)置的一個(gè)或多個(gè)接觸孔中，也與由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線導(dǎo)通。借助于此，在并聯(lián)布線的情況下，結(jié)果變成為即便是在第3和第4接觸孔以外的接觸孔中也進(jìn)行并聯(lián)連接。在本發(fā)明中，上述外圍電路也可以構(gòu)成為在其一部分的區(qū)域中具備由上述第1、第2、第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線。倘采用該構(gòu)成，由于可以在同一區(qū)域內(nèi)布置不同的3層布線，故可以實(shí)現(xiàn)空間的縮小化。此外，在本發(fā)明中，理想的構(gòu)成是，一端連接到上述象素電極上的一方，在每一個(gè)象素電極上都具備共通連接的存儲(chǔ)電容，上述中間導(dǎo)電膜成為構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的電極的一部分。倘采用這樣的構(gòu)成，雖然可以用存儲(chǔ)電容改善象素電極中的電壓保持特性，但是，這時(shí)結(jié)果變成為中間導(dǎo)電膜作為構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電極的一部分發(fā)揮作用。這樣的存儲(chǔ)電容理想的構(gòu)成是，具有第1電容，其構(gòu)成為借助于上述開關(guān)器件的電極和由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的電容線夾持上述開關(guān)器件的柵極氧化膜；第2電容，其構(gòu)成為借助于上述中間導(dǎo)電膜和上述電容線夾持第1層間絕緣膜。倘采用該構(gòu)成，由于結(jié)果變成為存儲(chǔ)電容具有第1電容和第2電容，故與單一電容的構(gòu)成比較，可以增大電容。在本發(fā)明中，第1導(dǎo)電層，理想的是由多晶硅構(gòu)成。這是因?yàn)槿粲媒饘俦∧せ蚪饘俟杌镄纬蓲呙杈€，則在之后的高溫工藝中會(huì)招致發(fā)生剝離等的缺憾的緣故。此外，在本發(fā)明中，上述第3導(dǎo)電層，理想的是用鋁構(gòu)成。借助于此，第3導(dǎo)電層的低電阻化將變得容易起來。此外，在本發(fā)明中，上述第2導(dǎo)電層，理想的是由材料熔點(diǎn)比構(gòu)成上述第3導(dǎo)電層的材料熔點(diǎn)還高的材料構(gòu)成。這是因?yàn)楸仨毞乐挂蛐纬闪说?導(dǎo)電層后的高溫工藝而產(chǎn)生熔融或剝離的緣故。另外，作為這樣的高熔點(diǎn)的材料，除多晶硅外，可以舉出Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)或Pb(鉛)的單體或它們的合金、金屬硅化物等。其次，為了實(shí)現(xiàn)上邊所說的目的，本申請(qǐng)的發(fā)明3的電光裝置。其特征是具備多條的掃描線和多條的數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉部分對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開關(guān)器件和象素電極的對(duì)；把上述開關(guān)器件和對(duì)應(yīng)的象素電極之間電連接起來的中間導(dǎo)電膜；用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路；由與構(gòu)成連接到上述外圍電路上的中間導(dǎo)電膜的導(dǎo)電層同一導(dǎo)電層構(gòu)成的布線。在本發(fā)明中，用與在開關(guān)器件與象素電極之間的連接中使用的中間導(dǎo)電膜同一的導(dǎo)電層形成連接到外圍電路上的布線。為此，由于可以作為新的布線層利用，故將會(huì)提高設(shè)計(jì)的自由度。在這里，在本發(fā)明中，其特征是上述布線，對(duì)于與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層同一的導(dǎo)電層構(gòu)成的象素信號(hào)線在下層進(jìn)行交叉。在該構(gòu)成的情況下，對(duì)于象素信號(hào)線進(jìn)行交叉的布線，可以把與中間導(dǎo)電膜同一的導(dǎo)電層作為布線利用。此外，上述象素信號(hào)線的特征是配設(shè)多條象素信號(hào)線，與各條象素信號(hào)線對(duì)應(yīng)地連接上述布線，各個(gè)布線的大小大體上是相同的。倘采用該構(gòu)成，則可以使連接到象素信號(hào)上的各條布線的電阻值相等，可以防止因各條布線的電阻差產(chǎn)生的象素信號(hào)的不均一，可以進(jìn)行良好的顯示。此外，在本發(fā)明中，其特征是具有由與構(gòu)成上述布線的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的的第1導(dǎo)電層，和由與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成，且在與上述第1導(dǎo)電層離開的位置上形成的第2導(dǎo)電層，由與上述開關(guān)器件的半導(dǎo)體層同一層構(gòu)成的第3導(dǎo)電層，通過接觸孔電連接到上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層上。倘采用該構(gòu)成，就可以把由與開關(guān)器件的半導(dǎo)體層同一層構(gòu)成的第3導(dǎo)電層形成為旁路。此外，在本發(fā)明中，上述布線的特征是通過接觸孔電連接到上述第3導(dǎo)電層上。倘采用該構(gòu)成，由于布線與第3導(dǎo)電層并聯(lián)地連接，故可以把布線作成為電阻。此外，在本發(fā)明中，上述第3導(dǎo)電層的特征是由多晶硅構(gòu)成。倘采用該構(gòu)成，即便是用高熔點(diǎn)金屬形成布線，由于布線通過接觸孔電連接到多晶硅的第3導(dǎo)電層上，故也不會(huì)在布線上產(chǎn)生裂紋。第3導(dǎo)電層雖然可以通過接觸孔電連接到第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層上，但是，由于是用多晶硅形成的，故在多晶硅上不會(huì)產(chǎn)生裂紋。此外，在本發(fā)明中，把上述布線和上述第3導(dǎo)電層電連接起來的接觸孔的特征是至少具有3個(gè)。倘采用該構(gòu)成，由于在布線與第3導(dǎo)電層之間可以形成冗長布線，故可以防止在布線或第3導(dǎo)電層上發(fā)生裂紋等引起的布線與第3導(dǎo)電層之間進(jìn)行短路。此外，在本發(fā)明中，其特征是在上述第1導(dǎo)電層與上述第2導(dǎo)電層之間，配置由與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的圖象信號(hào)線。倘采用該構(gòu)成，則可以配置由與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的圖象信號(hào)線而不會(huì)與第1導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層進(jìn)行干涉。此外，本申請(qǐng)的電子設(shè)備，由于具備上邊所說的電光裝置，故結(jié)果變成為特別是會(huì)提高外圍電路的設(shè)計(jì)時(shí)的自由度。其次，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)的發(fā)明4的電光裝置的制造方法，是一種與多條掃描線和與該多條掃描線之間的交叉部分對(duì)應(yīng)地具備開關(guān)器件和象素電極的對(duì)的電光裝置的制造方法，其特征是具備在上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線應(yīng)該進(jìn)行交叉的部分上形成開關(guān)器件的工序；分別由同一導(dǎo)電層形成連接到上述開關(guān)器件上的中間導(dǎo)電膜，和在用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路中使用的布線的工序；形成連接到上述中間導(dǎo)電膜上的象素電極的工序。倘采用該制造方法，由于與上述發(fā)明1同樣，在外圍電路上增加了新的布線層，故可以與該增加的層的量相對(duì)應(yīng)地提高設(shè)計(jì)的自由度。此外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)的發(fā)明5的電光裝置的制造方法，是一種與多條掃描線和與該多條掃描線之間的交叉部分對(duì)應(yīng)地具備開關(guān)器件和象素電極的對(duì)的電光裝置的制造方法，其特征是具有在分別由第1導(dǎo)電層形成了上述掃描線和在用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路中使用的布線之后，而且是在上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線應(yīng)該交叉的部分上形成了開關(guān)器件之后，由第2導(dǎo)電層分別形成在上述中間導(dǎo)電膜和上述外圍電路中使用的布線的工序；由第3導(dǎo)電層分別形成在在上述數(shù)據(jù)線和上述外圍電路中使用的布線的工序；形成連接到上述中間導(dǎo)電膜上的象素電極的工序。倘采用該制造方法，與上述發(fā)明2同樣，結(jié)果變成為在外圍電路上增加了新的布線層，故可以與該增加的層的量相對(duì)應(yīng)地提高設(shè)計(jì)的自由度。圖1(a)的透視圖示出了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的電光裝置的液晶面板的構(gòu)成，圖1(b)是圖1(a)的A-A’線剖面圖。圖2的框圖示出了同上液晶面板的電氣方面的構(gòu)成。圖3示出了同上液晶面板的顯示區(qū)域中的等效電路。圖4是用來說明同上液晶面板的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖5是用來說明同上液晶面板的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖6的平面圖示出了同上液晶面板的顯示區(qū)域中的象素的詳細(xì)構(gòu)成。圖7(a)是圖6中的B-B’線的剖面圖，圖7(B)是圖5中的C-C’線的剖面圖，圖7(c)的等效電路示出了同上液晶面板中的存儲(chǔ)電容的構(gòu)成。圖8(a)的平面圖示出了同上液晶面板的采樣電路附近的構(gòu)成，圖8(b)是其D-D’線剖面圖。圖9(a)的平面圖示出了同上液晶面板的掃描線驅(qū)動(dòng)電路的一部分構(gòu)成，圖9(b)是其電氣方面的構(gòu)成。圖10(1)～(3)的剖面圖分別示出了液晶面板中的器件基板的制造工藝。圖11(4)～(6)的剖面圖分別示出了液晶面板中的器件基板的制造工藝。圖12(7)～(9)的剖面圖分別示出了液晶面板中的器件基板的制造工藝。圖13(10)～(12)的剖面圖分別示出了液晶面板中的器件基板的制造工藝。圖14(13)和(14)的剖面圖分別示出了液晶面板中的器件基板的制造工藝。圖15(a)和(b)的剖面圖分別示出了本發(fā)明的變形例的電光裝置的策源地了附近的構(gòu)成。圖16的平面圖示出了作為使用實(shí)施形態(tài)的電光裝置的電子設(shè)備的一個(gè)例子的投影儀的構(gòu)成。圖17的透視圖示出了作為同上電子設(shè)備的一個(gè)例子的個(gè)人計(jì)算機(jī)的構(gòu)成。圖18的透視圖示出了同上電子設(shè)備的移動(dòng)電話的構(gòu)成。以下，參看附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。<電光裝置的概略構(gòu)成>首先，對(duì)本實(shí)施形態(tài)的電光裝置進(jìn)行說明。該電光裝置，作為電光材料使用液晶，借助于該電光上的變化進(jìn)行規(guī)定的顯示。圖1(a)的透視圖示出了該電光裝置之內(nèi)除去了外部電路之外的液晶面板100的構(gòu)成，圖1(b)是圖1(a)中的A-A’線剖面圖。如這些圖所示，液晶面板100的構(gòu)成為使已形成了各種器件或象素電極118等的器件基板101和設(shè)置有相向電極108等的相向基板102用具有襯墊(未畫出來)的密封材料104保持恒定間隙地使電極形成面彼此相向地粘貼起來，同時(shí)，向該間隙內(nèi)作為電光物質(zhì)封入例如TN(TwistedNematic，扭曲向列)式液晶105。在這里，器件基板101雖然可以使用玻璃或半導(dǎo)體、石英等，但相向基板則可以使用玻璃。另外，在把不透明的基板用做器件基板101的情況下，結(jié)果變成為不是用做透過式而是用做反射式。此外，密封材料104，雖然可以沿著相向基板102的周邊形成，但是，為了封入液晶105，一部分要形成開口。為此，在封入了液晶105之后，該開口部分要用密封材料106密封上。其次，在既是器件基板101的相向面又是密封材料104的外側(cè)一邊的區(qū)域104a上，形成后邊要講的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，變成為輸出采樣信號(hào)的構(gòu)成。此外，也可以形成為在要在該一邊上形成密封材料104的附近的區(qū)域上，形成圖象信號(hào)線或采樣電路等。另一方面，在該一邊的外周部分上，形成多個(gè)裝配端子107，變成為從外部電路(未畫出來)輸入各種信號(hào)的構(gòu)成。此外，在與該一邊相鄰的2邊的區(qū)域130a上，分別形成掃描線驅(qū)動(dòng)電路，變成為從兩側(cè)驅(qū)動(dòng)掃描線的構(gòu)成。另外，只要供往掃描線的掃描信號(hào)的延遲沒有問題，也可以是在一側(cè)僅僅形成1個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成。然后，在剩下的一邊的區(qū)域160a上，也可以形成后邊要講的預(yù)充電電路，再在外側(cè)形成在2個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路中共用的布線等。另一方面，在相向基板102上設(shè)置的相向電極108，在與器件基板101之間的粘貼部分中的4個(gè)拐角之內(nèi)，至少在一個(gè)地方，變成為用導(dǎo)通材料與器件基板101電連接的構(gòu)成。此外，雖然沒有特別地畫出來，在相向基板102上，在與象素電極108相向的區(qū)域上，根據(jù)需要可以設(shè)置著色層(濾色片)。但是，如后邊要講的多板式的投影儀所示，在應(yīng)用于色光調(diào)制的情況下，就沒有必要在相向基板102上形成著色層。另外，以往，在相向基板102中，為了與最上層的設(shè)置與否無關(guān)地防止由光的漏泄形成對(duì)比度的降低，雖然在與象素電極118相向的區(qū)域以外的部分上設(shè)置有遮光膜，但是在本實(shí)施形態(tài)中，就如后邊要講的那樣，由于在器件基板101一側(cè)象素部分處的遮光區(qū)域受到限制，故省略了在相向基板102上設(shè)置的遮光膜。此外，在器件基板101和相向基板102的相向面上，如后述那樣，設(shè)置被進(jìn)行研磨處理以使得液晶105中的分子的長軸方向在兩個(gè)基板間大約連續(xù)地扭曲90度的配向膜(在圖1中被省略)，同時(shí)，在其背面一側(cè)則分別設(shè)置有與配向方向?qū)?yīng)的偏振片(未畫出來)。另外，在圖1(b)中，雖然使相向電極108或象素電極118、裝配端子107等具有厚度，但是，這不過是為了表明形成位置的一種方便的舉措，實(shí)際上對(duì)于基板來說該厚度薄到了可以充分地忽略的程度。<電氣方面的構(gòu)成>其次說明上邊所說的液晶面板100之內(nèi)器件基板101的電器方面的構(gòu)成。圖2是示出了其構(gòu)成的概略圖。如該圖所示，在器件基板101上，為了輸入來自外部電路的各種信號(hào)，設(shè)置有多個(gè)裝配端子107。變成為通過這些裝配端子107輸入進(jìn)來的信號(hào)，可以通過各種布線供給各個(gè)部分的構(gòu)成。于是，決定簡(jiǎn)單地對(duì)這些信號(hào)進(jìn)行說明。第1，VID1～VID6，如圖4所示，把與象點(diǎn)時(shí)鐘DCLK同步地供給的1個(gè)系統(tǒng)的圖象信號(hào)VID分配給6個(gè)系統(tǒng)的同時(shí)，在時(shí)間軸上伸長到6倍，并通過6條象素信號(hào)線122供給給采樣電路150。另外，該象素信號(hào)VID1～VID6，可以借助于外部電路進(jìn)行適當(dāng)?shù)臉O性反轉(zhuǎn)。在這里，本實(shí)施形態(tài)中的所謂極性反轉(zhuǎn)，指的是以加在相向電極108上的電壓LCcom為基準(zhǔn)使正極性和負(fù)極性電壓電平交互地進(jìn)行反轉(zhuǎn)，但究竟是否進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)，一般地說，要根據(jù)向數(shù)據(jù)線上施加象素信的施加方式究竟是①掃描線單位的極性反轉(zhuǎn)，②數(shù)據(jù)線單位的極性反轉(zhuǎn)，③象素單位的極性反轉(zhuǎn)，還是④幀單位的極性反轉(zhuǎn)來決定，其反轉(zhuǎn)周期被設(shè)定為1個(gè)水平掃描期間、象點(diǎn)時(shí)鐘DCLK或1個(gè)垂直掃描期間的周期。但是，在本實(shí)施形態(tài)中，雖然是為了便于說明起見，以①掃描線單位的極性反轉(zhuǎn)的情況為例進(jìn)行的說明，但是，并不是要把本發(fā)明限定于此。第2，VssY和VssX，分別是掃描線驅(qū)動(dòng)電路130和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中的電源的低位一側(cè)電壓(接地電壓)。此外，VddY和VddX分別是掃描線驅(qū)動(dòng)電路130和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中的電的高位一側(cè)電壓。這些之內(nèi)，電源的低位一側(cè)VssY由于已變成為后邊要講的存儲(chǔ)電容的接地電位，故也通過電容線175供給給各個(gè)象素。第3，LCcom，是加到相向電極108上的電壓信號(hào)。為此，供給電壓信號(hào)的2個(gè)電極109，分別設(shè)置在相當(dāng)于相向基板102之間的粘貼時(shí)使用的密封材料104(參看圖1)的拐角的地點(diǎn)上。因此，當(dāng)器件基板101實(shí)際上被粘貼到相向基板102上時(shí)，就變成為電極109和相向電極108通過導(dǎo)通材料進(jìn)行連接，把電壓信號(hào)LCcom加到相向電極108上的構(gòu)成。另外，信號(hào)LCcom，是對(duì)于時(shí)間軸恒定的電壓，外部電路變成為以該信號(hào)LCcom為基準(zhǔn)，把圖象信號(hào)VID1～VID6中的每一個(gè)水平掃描期間分成高位一側(cè)和低位一側(cè)，進(jìn)行交流驅(qū)動(dòng)的構(gòu)成。此外，可以設(shè)置電極109的地點(diǎn)，雖然在本實(shí)施形態(tài)中是2個(gè)地方，由于設(shè)置該電極109的理由是通過導(dǎo)通材料給相向電極108施加信號(hào)LCcom，故可以設(shè)置電極109的地點(diǎn)只要至少有1個(gè)地方就足夠了。為此，可以設(shè)置電極109的地點(diǎn)，1個(gè)地方也行，3個(gè)地方以上也行。第4，如圖4所示，DY是在1個(gè)垂直有效掃描期間的最初供給的傳送開始脈沖，CLY是在掃描線驅(qū)動(dòng)電路130中使用的時(shí)鐘信號(hào)。另外CLYinv是使時(shí)鐘信號(hào)CLY進(jìn)行了電平反轉(zhuǎn)的時(shí)鐘信號(hào)。第5，如圖4所示，DX是在1個(gè)水平有效掃描期間的最初供給的傳送開始脈沖，CLX是在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中使用的時(shí)鐘信號(hào)。另外CLXinv是使時(shí)鐘信號(hào)CLX進(jìn)行了電平反轉(zhuǎn)的時(shí)鐘信號(hào)。此外，ENB1、ENB2，如后所述，是為了把在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中的移位寄存器的各個(gè)輸出信號(hào)調(diào)節(jié)為規(guī)定的脈沖寬度而使用的允許信號(hào)。此外，NRG是預(yù)充電控制信號(hào)，NRS是預(yù)充電電壓信號(hào)，詳細(xì)情況將在后邊講述。在器件基板101的顯示區(qū)域100a中，多條掃描線112沿著行(Y)方向平行地排列，此外，多條數(shù)據(jù)線114則沿著列(X0方向平行地排列，與它們的交叉部分對(duì)應(yīng)地設(shè)置象素。詳細(xì)地說，如圖3所示，在掃描線112和數(shù)據(jù)線114交叉的部分上，把作為用來控制象素的開關(guān)器件的TFT116的柵極連接到掃描線112上，而把TFT116的源極連接到數(shù)據(jù)線114上，同時(shí)，把TFT116的漏極連接到矩形形狀的透明的象素電極118上。如上所述，在液晶面板100中，由于把液晶105夾持在器件基板101與相向基板102之間的電極形成面之間，故結(jié)果變成為各個(gè)象素的液晶電容由象素電極118、相向電極108和夾持在這兩個(gè)電極間的液晶105構(gòu)成。在這里。為了便于說明起見，設(shè)掃描線112的總條數(shù)為‘m’，設(shè)數(shù)據(jù)線114的總條數(shù)為‘6n’(m、n分別為整數(shù))，象素結(jié)果變成為與掃描線112和數(shù)據(jù)線114之間的各個(gè)交叉部分對(duì)應(yīng)地m行×6n列的矩陣狀。此外，在顯示區(qū)域100a上，除此之外對(duì)于每一個(gè)象素還設(shè)置有用來防止液晶電容的漏泄的存儲(chǔ)電容119。該存儲(chǔ)電容119的一端，連接到象素電極118(TF116的漏極)上，而其另一端則借助于電容線進(jìn)行共通連接。為此，存儲(chǔ)電容119，由于變成為與液晶電容電并聯(lián)，故液晶電容的保持特性得以改善，結(jié)果就變成為可以實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度的顯示。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，雖然變成為把電源的低位一側(cè)電壓VssY加到電容線175上的構(gòu)成，但是，在這里由于只要加上在時(shí)間上恒定的電壓即可，故也可以是加上電源的高位一側(cè)電壓VddY或電壓Lccom等的構(gòu)成。此外，關(guān)于具備存儲(chǔ)電容119的象素的詳細(xì)構(gòu)成，決定在后邊講述。在這里，再次返回到圖2進(jìn)行說明。掃描線驅(qū)動(dòng)電路130，是在每一個(gè)水平掃描期間1H內(nèi)把按照順序變成為有效電平的掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm，在1個(gè)垂直掃描期間內(nèi)向各條掃描線112輸出的電路。至于詳細(xì)的構(gòu)成，由于與本發(fā)明沒有直接關(guān)連，故予以省略，但是可以由移位寄存器和多個(gè)邏輯電路(或否定邏輯電路)構(gòu)成。其中，移位寄存器，如圖3所示，使在1個(gè)垂直掃描期間的最初供給的傳送開始脈沖DY，每當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CLY(和反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)CLYinv)的電平進(jìn)行遷移時(shí)(在上升邊和下降邊的雙方處)就依次進(jìn)行移位，變成為G1’、G2’、G3’、…、Gm’輸出，各個(gè)邏輯電路，在信號(hào)G1’、G2’、G3’、…、Gm’之內(nèi)，求相鄰的信號(hào)間的邏輯積信號(hào)，變成為掃描信號(hào)G1、G2、G3、…、Gm輸出。此外，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140，是在一個(gè)水平有效掃描期間內(nèi)輸出將依次變成為有效電平的采樣信號(hào)S1、S2、…、Sn的電路。至于詳細(xì)的構(gòu)成，由于與本發(fā)明沒有直接關(guān)連故予以省略，但是可以由移位寄存器和多個(gè)邏輯電路(或否定邏輯電路)構(gòu)成。其中，移位寄存器，如圖4所示，使在1個(gè)水平掃描期間的最初供給的傳送開始脈沖DX，每當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CLX(和反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)CLXinv)的電平進(jìn)行遷移時(shí)(在上升邊和下降邊的雙方處)就依次進(jìn)行移位，變成為S1’、S2’、S3’、…、Sn’輸出，各個(gè)邏輯電路，在用允許信號(hào)ENB1或ENB2，使信號(hào)S1’、S2’、S3’、…、Sn的脈沖寬度在期間SMPa內(nèi)變窄以便使得相鄰的脈沖彼此間不進(jìn)行重疊地變成為采樣信號(hào)S1、S2、S3、…、Sn輸出。接著，采樣電路150，由設(shè)置在每一條數(shù)據(jù)線114上的采樣開關(guān)151構(gòu)成。另一方面，每6條數(shù)據(jù)線114形成為一個(gè)塊，在圖2中，從左開始數(shù)，屬于第j(j為1、2、3、…、n)塊的6條數(shù)據(jù)線114之內(nèi)，連接到位于最左的數(shù)據(jù)線114的一端上的采樣開關(guān)151的構(gòu)成為，在采樣信號(hào)Sj變成為有效期間內(nèi)，對(duì)通過圖象信號(hào)線122供給的圖象信VID1進(jìn)行采樣，供給給該數(shù)據(jù)線114。此外，同樣，屬于第i(i為1、2、3、…、n)塊的6條數(shù)據(jù)線114之內(nèi)，連接到位于第2號(hào)最左的數(shù)據(jù)線114的一端上的采樣開關(guān)151的構(gòu)成為，在采樣信號(hào)Sj變成為有效期間內(nèi)，對(duì)通過圖象信號(hào)線122供給的圖象信VID1進(jìn)行采樣，供給給該數(shù)據(jù)線114。以下同樣，在屬于第j塊的6條數(shù)據(jù)線114之內(nèi)，連接到位于第3、4、5、6號(hào)數(shù)據(jù)線114的一端上的采樣開關(guān)151中每一個(gè)的構(gòu)成為，在采樣信號(hào)Sj變成為有效期間內(nèi)，對(duì)通過圖象信號(hào)線122供給的圖象信VID3、VDl4、VID5、VID6中的每一個(gè)進(jìn)行采樣，供給給該數(shù)據(jù)線114。就是說，其構(gòu)成為當(dāng)采樣信號(hào)Sj變成為有效電平時(shí)，屬于第I塊的6條數(shù)據(jù)線中的每一條同時(shí)分別對(duì)圖象信號(hào)VID1～VID6進(jìn)行采樣。另一方面，在顯示區(qū)域100a夾持在中間，在與數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140相反的一側(cè)，具備預(yù)充電電路160。該預(yù)充電電路160，由在每一條數(shù)據(jù)線114上設(shè)置的預(yù)充電開關(guān)161構(gòu)成，各個(gè)預(yù)充電開關(guān)161的構(gòu)成為在通過預(yù)充電控制線163供給的預(yù)充電控制信號(hào)NRG已變成為有效電平的情況下，向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線114預(yù)充電通過預(yù)充電信號(hào)線165供給的預(yù)充電電壓信號(hào)NRS。在這里，預(yù)充電控制信號(hào)NRG，如圖5所示，是在1個(gè)水平回掃期間之內(nèi)，在從其時(shí)間上的前后端隔絕的期間內(nèi)變成為有效電平的信號(hào)。此外，預(yù)充電電壓信號(hào)NRS，如同圖所示，是在每一個(gè)水平掃描期間1H內(nèi)，以電壓DCcom為基準(zhǔn)用電壓Vg+、Vg-進(jìn)行電平反轉(zhuǎn)的信號(hào)。另一方面，電壓DCcom，如上所述，是施加到相向電極108上的時(shí)間上恒定的電壓，是圖象信號(hào)VID1～VID6的振幅中心電壓。此外，電壓Vg+、Vg-是對(duì)電壓LCcom的實(shí)效值變成為彼此同一(絕對(duì)值相等)的電壓，與電壓LCcom比，分別是高位一側(cè)電壓和低位一側(cè)電壓。在這里，在本實(shí)施形態(tài)是在未加電壓的狀態(tài)下進(jìn)行白色顯示的常態(tài)白色模式的情況下，把為了在正極一側(cè)、負(fù)極一側(cè)進(jìn)行黑色顯示而應(yīng)當(dāng)加上的象素電壓設(shè)為Vb+、Vb-時(shí)，電壓Vg+被設(shè)定為電壓Vb+與電壓DCcom之間的中間電壓，而電壓Vg-則被設(shè)定為電壓Vb-與電壓DCcom之間的中間電壓。就是說，電壓Vg+、Vg-分別相當(dāng)于正極一側(cè)、負(fù)極一側(cè)的寫入中的中間(灰色)電壓。倘采用這樣的構(gòu)成的預(yù)充電電路160，則在比在供給采樣信號(hào)S1、S2、S3、…、Sn的1個(gè)水平有效顯示期間之前的1個(gè)水平回掃期間內(nèi)，由于各條數(shù)據(jù)線114被預(yù)先充電為電壓Vg+、Vg-，故結(jié)果變成為在緊接在在其后邊的1個(gè)水平有效顯示期間內(nèi)可以減輕把圖象信號(hào)VID1～VID6采樣到數(shù)據(jù)線114上時(shí)的負(fù)載。另外，這些掃描線驅(qū)動(dòng)電路130或數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140、采樣電路150、預(yù)充電電路160等，由于與制造完成后用來判別有無缺陷的檢查電路一起，在顯示區(qū)域100a的外圍形成，故被稱之為外圍電路。但是，對(duì)于檢查電路，由于與本申請(qǐng)沒有直接關(guān)連，故其說明予以省略。<電光裝置的動(dòng)作>其次，對(duì)上邊所說的構(gòu)成的電光裝置的動(dòng)作進(jìn)行說明。首先，把注意力集中于掃描信號(hào)G1變成為有效電平的1個(gè)水平掃描期間1H。另外，在該1個(gè)水平掃描期間1H內(nèi)，若為了便于說明起見設(shè)進(jìn)行正極一側(cè)的寫入，則圖象信號(hào)VID1～VID6對(duì)于要加到相向電極108上的電壓DCcom將變成為高位一側(cè)。此外，在此之前，預(yù)充電控制信號(hào)NRG，如圖5所示，在從其回掃期間的前后端隔絕的期間內(nèi)將變成為有效電平。這時(shí)，預(yù)充電電壓信號(hào)NRS將與正極一側(cè)的寫入對(duì)應(yīng)地變成為電壓Vg+。為此，結(jié)果就變成為在該期間內(nèi)所有的數(shù)據(jù)線114都被預(yù)充電至電壓Vg+。其次，當(dāng)1個(gè)水平回掃期間結(jié)束，變成為1個(gè)水平有效顯示期間時(shí)，在其最初傳送開始信號(hào)DX，如圖5所示，被供給給數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140。該傳送開始信號(hào)DX，就變成為每當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CLX的電平進(jìn)行遷移時(shí)就依次進(jìn)行移位的信號(hào)S1’、S2’、S3’、…、Sn’輸出。接著，該信號(hào)S1’、S2’、S3’、…、Sn的各個(gè)脈沖寬度，在期間SMPa內(nèi)變窄以便使得相鄰的脈沖彼此間不進(jìn)行重疊地變成為采樣信號(hào)S1、S2、S3、…、Sn輸出。另一方面，1個(gè)系統(tǒng)的圖象信號(hào)VID，借助于外部電路，如圖4所示，在分配給6個(gè)系統(tǒng)的同時(shí)，在時(shí)間軸上伸長到6倍，供給給液晶面板100。在這里，當(dāng)在掃描信號(hào)G1變成為有效電平的期間內(nèi)采樣信號(hào)S1變成為有效電平時(shí)，在圖2中從上邊開始數(shù)，第1條的TFT116全都將變成為ON，同時(shí)，圖象信號(hào)VID1～VID6，分別被采樣到屬于從左開始第1個(gè)塊的6條數(shù)據(jù)線114上。這樣一來，結(jié)果就變成為被采樣的圖象信號(hào)VID1～VID6，借助于與該第1條掃描線112和該6條數(shù)據(jù)線114進(jìn)行交叉的象素TFT116，分別被加到對(duì)應(yīng)的象素電極118上。之后，當(dāng)采樣信號(hào)S2變成為有效電平時(shí)，這回，圖象信號(hào)VID1～VID6，分別被采樣到屬于第2個(gè)塊的6條數(shù)據(jù)線114上，這些圖象信號(hào)VID1～VID6，借助于與該第1條掃描線112和該6條數(shù)據(jù)線114進(jìn)行交叉的象素TFT116，分別被加到對(duì)應(yīng)的象素電極118上。以下，與此同樣，當(dāng)采樣信號(hào)S3、S4、…、Sn變成為有效電平時(shí)，圖象信號(hào)VID1～VID6，分別被采樣到屬于第3個(gè)、第4個(gè)、…、第n個(gè)塊的6條數(shù)據(jù)線114上，這些圖象信號(hào)VID1～VID6，借助于與相應(yīng)的第1條掃描線112和相應(yīng)的第6條數(shù)據(jù)線114進(jìn)行交叉的象素TFT116，分別被加到對(duì)應(yīng)的象素電極118上。借助于此，結(jié)果就變成為完成了對(duì)第1行的所有的象素的寫入。接著，對(duì)掃描信號(hào)G2變成為有效電平的期間進(jìn)行說明。在本實(shí)施形態(tài)中，如上所述，由于進(jìn)行掃描線單位的極性反轉(zhuǎn)，故結(jié)果變成為在該1個(gè)水平掃描期間內(nèi)進(jìn)行負(fù)極一側(cè)的寫入。為此，圖象信號(hào)VID1～VID6對(duì)于要加到相向電極108上的電壓DCcom將變成為低位一側(cè)。在此之前，由于預(yù)充電控制信號(hào)NRG的電壓將變成為Vg-，故結(jié)果將變成為在預(yù)充電控制信號(hào)NRG已變成為有效電平的情況下，所有的數(shù)據(jù)線114都被預(yù)充電至電壓Vg-。至于其它的動(dòng)作是同樣的，采樣信號(hào)S1、S2、S3、…、Sn依次變成為有效電平，結(jié)果變成為完成了對(duì)第2行的所有的象素的寫入。以下同樣地，掃描信號(hào)G3、G4、…、Gm變成為有效，結(jié)果變成為進(jìn)行第3行、第4行、…、第m行的象素的寫入。借助于此，結(jié)果變成為對(duì)于第奇數(shù)行的象素來說進(jìn)行正極一側(cè)的寫入，對(duì)于偶數(shù)行來說進(jìn)行負(fù)極一側(cè)的寫入，在該1個(gè)垂直掃描期間內(nèi)完成從第1行到第m行的所有的象素的寫入。接著，雖然對(duì)于其次的1個(gè)垂直掃描期間，也可以進(jìn)行同樣的寫入，但是，這時(shí)要改換對(duì)各行的象素的寫入極性。就是說，在其次的1個(gè)垂直掃描期間內(nèi)，結(jié)果變成為對(duì)于第奇數(shù)行的象素來說進(jìn)行負(fù)極一側(cè)的寫入，對(duì)于偶數(shù)行來說進(jìn)行正極一側(cè)的寫入。如上所述，由于對(duì)于每1個(gè)垂直掃描期間都改換寫入極性，故加在液晶105上的直流成分消失，因而其劣化得以防止。此外，在這樣的動(dòng)作的情況下，與對(duì)每次一條地驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線114的方式比較，由于借助于各個(gè)采樣開關(guān)151使對(duì)圖象信號(hào)進(jìn)行采用的時(shí)間變成為6倍，故可以充分地確保各個(gè)象素中的寫入時(shí)間。為此，結(jié)果變成為可以得到高對(duì)比度。此外數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140中的移位寄存器的級(jí)數(shù)，和時(shí)鐘信號(hào)CLX的頻率，由于可以分別降低到1/6，故結(jié)果變成為可以減少級(jí)數(shù)的同時(shí)，還可以實(shí)現(xiàn)低功耗化。此外，采樣信號(hào)S1、S2、…、Sn的有效期間變窄為比時(shí)鐘信號(hào)CLX的半個(gè)周期還窄，被限制在期間SMPa內(nèi)，故可以事前防止相鄰的采樣信號(hào)間的重疊。為此，可以防止應(yīng)該被采用到屬于某一塊的6條數(shù)據(jù)線114上的圖象信號(hào)VID1～VID6，也同時(shí)被采樣到屬于與之相鄰的塊的6條數(shù)據(jù)線114上的事態(tài)的發(fā)生，因而可以進(jìn)行高品位的顯示。<象素的詳細(xì)構(gòu)成>其次，參看圖6和圖7，說明象素的細(xì)節(jié)。圖6的平面圖示出了象素部分的詳細(xì)構(gòu)成，圖7(a)是圖6中的B-B’的剖面圖。另外，在圖6中，對(duì)于作為最上導(dǎo)電層的象素電極118來說，為了便于理解說明，決定用虛線僅僅表明其輪廓。首先，如圖7(a)所示，在作為器件基板101的基材的基板10上，通過基底絕緣膜40設(shè)置由多晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層30，其表面已被用熱氧化形成的絕緣膜32被覆起來。另一方面，如圖6所示，數(shù)據(jù)線114在Y方向上延伸，掃描線112在X方向上延伸。此外，電容線175雖然與掃描線112靠近地被設(shè)置為平行，但是在與數(shù)據(jù)線114進(jìn)行交叉的部分處，則使得與數(shù)據(jù)線114進(jìn)行重疊那樣地被形成為向前一級(jí)一側(cè)(在圖6中為上側(cè))突出出來。在這里，半導(dǎo)體層30被形成為使得從數(shù)據(jù)線114與電容線175進(jìn)行交叉的部分開始，向電容線175的延伸方向(在圖6中為右方向)、數(shù)據(jù)線114的下層的電容線175的突出方向(同圖，上方向)及其相反的方向(同圖，下方向)的合計(jì)3個(gè)方向上延伸，大致上成T形狀，而且還被這些布線被覆起來。再有，在半導(dǎo)體層30之內(nèi)，與掃描線112重疊的部分，變成為溝道區(qū)域30a。換句話說，在掃描線112之內(nèi)與半導(dǎo)體層30交叉的部分，可以用做柵極電極116G。另外，含有柵極電極116G的掃描線112和電容線175，如后所述，可以用例如多晶硅等形成。此外，在半導(dǎo)體層30中，在溝道區(qū)域30a的源極一側(cè)，設(shè)置低濃度(英譯用1ightlydoped(輕摻雜)表現(xiàn))源極區(qū)域30b、高濃度(英譯用heavilydoped(重?fù)诫s)表現(xiàn))源極區(qū)域116S，而在漏極一側(cè)則設(shè)置低濃度漏極區(qū)域30c、高濃度漏極區(qū)域116D，變成為所謂的LDD(LightlyDopedDrain，輕摻雜漏極)構(gòu)造。其中，高濃度源極區(qū)域116S，借助于對(duì)絕緣膜32、第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42進(jìn)行開孔的接觸孔52，連接到由鋁等構(gòu)成的數(shù)據(jù)線114上。另一方面，高濃度漏極區(qū)域116D，則借助于對(duì)絕緣膜32、第1層間絕緣膜41進(jìn)行開孔的接觸孔51，連接到由高熔點(diǎn)金屬或多晶硅等等構(gòu)成的中間導(dǎo)電膜181的一端上。另一方面，該中間導(dǎo)電膜181的另一端，借助于對(duì)第1層間絕緣膜41和第3層間絕緣膜43進(jìn)行開孔的接觸孔53，連接到象素電極118上。就是說，象素電極118，通過中間導(dǎo)電膜181連接到TFT116的高濃度漏極區(qū)域116D上。在這里，之所以作成為不直接地把象素電極118連接到高濃度漏極區(qū)域116D上，而是通過中間導(dǎo)電膜181間接地進(jìn)行連接的構(gòu)成，是出于以下的理由。就是說，象素電極118，由于是用來給液晶電容加上電壓的電極，故可以在接近液晶105的部分上形成，相反，半導(dǎo)體層30則可以在離液晶105遠(yuǎn)的部分上形成。再有，在半導(dǎo)體層30與象素電極118之間，如本實(shí)施形態(tài)所示，若TFT116是平面式，由于掃描線112或數(shù)據(jù)線114等的布線層可以通過層間絕緣膜進(jìn)行疊層，故半導(dǎo)體層30與象素電極118之間的距離必然增大。為此，在使象素電極118直接連接到高濃度漏極區(qū)域116D上的構(gòu)成的情況下，就必須用例如干法刻蝕形成具有比較深的深度的接觸孔。但是，在形成具有這樣的深度的接觸孔時(shí)，若過剩地進(jìn)行刻蝕，則將會(huì)發(fā)生捅破半導(dǎo)體層30這樣的缺憾。特別是在半導(dǎo)體層30與絕緣膜之間的選擇比沒有什大的差別，再加上半導(dǎo)體層30的膜厚與應(yīng)該進(jìn)行刻蝕的絕緣膜的厚度比較極其之薄這樣的事情，使得要設(shè)置這樣的接觸孔更加困難。于是，第1，在與高濃度漏極區(qū)域116D的對(duì)應(yīng)位置上設(shè)置接觸孔116D，對(duì)絕緣膜32和第1層間絕緣膜41進(jìn)行開孔，第2，形成通過該接觸孔進(jìn)行電連接的中間導(dǎo)電膜181，使該中間導(dǎo)電膜181作為高濃度漏極區(qū)域116D的勢(shì)壘膜發(fā)揮作用。借助于此，在象素電極118形成前在開接觸孔53時(shí)，采用把中間導(dǎo)電膜181用做刻蝕阻擋層的辦法，防止因過刻蝕引起的半導(dǎo)體層30的捅破。該中間導(dǎo)電膜181，特別是如圖6所示，在相鄰的數(shù)據(jù)線114之間，在大體上被覆電容線175的同時(shí)，其一部分搭接到掃描線112上(但是電絕緣)。此外，未形成象素電極118的區(qū)域，在Y方向上被數(shù)據(jù)線114被覆起來，在X方向上則被掃描線112和中間導(dǎo)電膜181被覆起來。在這里，作為中間導(dǎo)電膜181，既可以使用多晶硅，也可以使用Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)或Pb(鉛)的單體或它們的合金、金屬硅化物等。因此，在象素部分處的遮光區(qū)域，由于完全由數(shù)據(jù)線114、掃描線112和中間導(dǎo)電膜118控制，故可以省略在相向基板102上另外設(shè)置的遮光膜。除此之外，半導(dǎo)體層30，由于已被數(shù)據(jù)線114、掃描線112、電容線175和中間導(dǎo)電膜被覆起來，故結(jié)果變成為可以防止來自基板的上側(cè)的光進(jìn)入到TFT116。此外，也可以在既是半導(dǎo)體層30的下側(cè)，又是基板10和基底絕緣膜40之間形成遮光膜。借助于此，由于可以防止來自基板的下側(cè)的光進(jìn)入到TFT116，故可以防止因光折射而引起的TFT116的特性變化。其次，用圖6和圖7(a)，再加上圖7(b)和圖7(c)，說明存儲(chǔ)電容119的詳細(xì)構(gòu)成。在這里，圖7(b)是圖6中的C-C’線的剖面圖，圖7(c)則示出了存儲(chǔ)電容119的等效電路。首先，在半導(dǎo)體層30之內(nèi)，借助于高濃度的摻雜使與高濃度漏極區(qū)域116D相鄰的區(qū)域30f低電阻化，從平面上看，在電容線175的下層，變成為大體上的L形狀。另一方面，中間導(dǎo)電膜181，則被形成為與電容線175之間中間存在著第1層間絕緣膜41，而且，如上所述，在X方向上把電容線175被覆起來。因此，存儲(chǔ)電容119，如圖7(b)或圖7(c)所示，變成為使2個(gè)電容并聯(lián)化的電容。詳細(xì)地說，存儲(chǔ)電容119，用把區(qū)域30f當(dāng)作一方的電極，把電容線175當(dāng)作另一方的電極，把在半導(dǎo)體層30的表面上形成的絕緣膜32夾持起來構(gòu)成的第1電容，和把中間導(dǎo)電膜181當(dāng)作一方的電極，把電容線175當(dāng)作另一方的電極，把第1層間絕緣膜41夾持起來構(gòu)成的第2電容之間的并聯(lián)構(gòu)成。為此，存儲(chǔ)電容119，由于與由單一的電容構(gòu)成的情況比較電容增加，故結(jié)果變成為可以改善液晶電容的保持特性，可以實(shí)現(xiàn)顯示的高品位化。另外，在最上層(就是說，與液晶108接連的面)的整個(gè)面上，形成由聚酰亞胺等的有機(jī)膜構(gòu)成的配向膜61，在與相向基板102粘貼在一起之前施行研磨處理。<外圍電路的詳細(xì)構(gòu)成>其次，以采樣電路150的一部分區(qū)域、掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的一部分區(qū)域?yàn)槔謩e說明外圍電路的詳情。另外，構(gòu)成外圍電路的有源器件或布線，如在后邊的制造工藝中要詳述的那樣，可以用共通工藝形成顯示區(qū)域中的TFT116和掃描線112(和電容線175)、中間導(dǎo)電膜181、數(shù)據(jù)線114。其中，在顯示區(qū)域101a中，由于布線以掃描線112(和電容線175)、中間導(dǎo)電膜181、數(shù)據(jù)線114的順序形成，故在以下的說明中，決定把外圍電路中的布線內(nèi)由與構(gòu)成掃描線112的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的布線叫做第1層布線，把由與構(gòu)成中間導(dǎo)電膜181的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的的布線叫做第2層布線，把由與構(gòu)成數(shù)據(jù)線114的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的布線叫做第3層布線。另外，構(gòu)成中間導(dǎo)電膜181的導(dǎo)電層，由于在現(xiàn)有技術(shù)中，在外圍電路區(qū)域這沒有使用，故結(jié)果變成為本實(shí)施形態(tài)中的第3層布線相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)的電光裝置中的第2層布線。如上所述，若在外圍電路中使用從第1層到第3層的3層的布線，則設(shè)計(jì)外圍電路時(shí)的自由度，與只使用2層布線的現(xiàn)有技術(shù)比，顯著地提高。此外采用如下所述那樣地使用第2層布線的辦法，就可以實(shí)現(xiàn)布線電阻的斤秒年個(gè)第毫和電路形成區(qū)域的縮小。<采樣電路的附近區(qū)域>首先，參看圖8(a)和圖8(b)說明采樣電路150的一部分區(qū)域。另外，在這里，決定以從左開始與第j個(gè)塊對(duì)應(yīng)地輸出的采樣信號(hào)Sj，與從6條圖象信號(hào)線122到屬于該塊的6條數(shù)據(jù)線114為止的路徑之間的關(guān)系為中心進(jìn)行說明。另外，j與圖2的說明同樣，是用來使塊一般化地進(jìn)行說明的量，在本實(shí)施形態(tài)中，是從‘1’到‘n’為止的任意的整數(shù)。圖8(a)的平面圖示出了該區(qū)域的詳細(xì)構(gòu)成。首先，從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路114輸出的采樣信號(hào)Sj由第3層布線391、下層布線191、第3層布線393和6條第1層布線412這樣的路徑供給。在這里，各條布線間通過接觸孔進(jìn)行連接，此外，第1層布線412原狀不變地變成為構(gòu)成采樣開關(guān)151的TFT的柵極電極。另一方面，圖象信號(hào)VID1～VID6之內(nèi)，圖象信號(hào)VID1用其次的路徑供往采樣開關(guān)151。就是說，圖象信號(hào)VID1通過第3層布線122、下層布線193、第3層布線395、下層布線195和第3層布線397這樣的路徑供往構(gòu)成采樣開關(guān)151的源極區(qū)域。至于其它的圖象信號(hào)VID2～VID6，也通過同樣的路徑供往構(gòu)成各個(gè)采樣開關(guān)151的TFT的漏極區(qū)域。于是，在構(gòu)成各個(gè)采樣開關(guān)151的TFT的漏極區(qū)域上，分別連接有第3層布線114。如上所述，在采樣電路150的各條布線上，雖然作為原則使用第3層布線，但是，與該第3層布線進(jìn)行交叉的部分和用做柵極電極的部分，作為例外可以使用下層布線。在這里，參看圖8(b)說明圖8(a)中的D-D’線的剖面構(gòu)造。如該圖所示，從供給圖象信號(hào)VID1的圖象信號(hào)線122分枝出來，與其它的圖象信號(hào)線122在下層進(jìn)行交叉的布線193，變成為使第1層布線112b與第2層布線181b并聯(lián)連接的并聯(lián)布線。詳細(xì)地說，布線181b通過在其兩端在第1形成絕緣膜1上形成開孔的接觸孔551、561，與布線112b進(jìn)行并聯(lián)連接。此外供給圖象信號(hào)VID1的圖象信號(hào)線122，通過設(shè)置在與接觸孔551同一位置上的接觸孔552，與布線181b進(jìn)行連接，而布線395則通過設(shè)置在與接觸孔561同一位置上的接觸孔562，與布線181b連接。另外，對(duì)于從供給圖象信號(hào)VDI1之外的其它的圖象信號(hào)VID2～VID6的圖象信號(hào)線122分枝出來的布線193，同樣，也成為使第1層布線112b與第2層布線181b進(jìn)行并聯(lián)連接的并聯(lián)布線。再有，除去從圖象信號(hào)線122分枝、交叉的布線193之外，對(duì)于用來與供給采樣信號(hào)Sj的布線393進(jìn)行交叉的布線195，同樣，也變成為使第1層布線112c與第2層布線181c進(jìn)行并聯(lián)連接的并聯(lián)布線。在這里，在采樣電路150中，布線193、195使用第1層布線和第2層布線之間的并聯(lián)布線的理由如下。就是說，圖象信號(hào)VID2～VID6，由于是最終要加在象素電極118上且直接控制顯示狀態(tài)的模擬信號(hào)，故其供給路徑，理想的是不論多少低一點(diǎn)的低電阻。為此，對(duì)于圖象信號(hào)線122來說，雖然可以使用由鋁構(gòu)成的第3層，但是，對(duì)于從這里分枝出來的布線來說，無論如何一部分也要使用第3層以外的層。為此，在現(xiàn)有技術(shù)中，該部分使用的是由構(gòu)成掃描線112的導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，就是說使用第1層布線。但是，第1層，如上所述，由于是多晶硅等，故與構(gòu)成第3層的鋁等比較，是電阻高得多的高電阻。為此，哪怕是第1層布線非常短，由電阻值產(chǎn)生的影響也將大到不能忽視。于是，在本實(shí)施形態(tài)中，在圖象信號(hào)VID2～VID6的供給路徑之內(nèi)，在必須使用由第3層構(gòu)成的布線的部分中，在外圍電路區(qū)域中也使用原本在顯示區(qū)域中使用的第2層的同時(shí)，還要使由該第2層構(gòu)成的布線與第1層布線進(jìn)行并聯(lián)連接。為此，該部分的電阻值，與由單一層的布線構(gòu)成的情況進(jìn)行比較，結(jié)果變成為可以降低到大約一半左右。因此，在本實(shí)施形態(tài)中，圖象信號(hào)VID2～VID6除去可以防止供給路徑中的波形鈍化或電壓降低等之外，由于被供給到數(shù)據(jù)線114上，故良好的顯示成為可能。另外，從圖象信號(hào)線122分枝出來的并聯(lián)布線193，如圖8(a)所示，連接到圖象信號(hào)VID2～VID6中的每一個(gè)上，變成為大體上同一長度和同一寬度。這是因?yàn)樵诒緦?shí)施形態(tài)中，布線193盡管由第1層布線112b與第2層布線181b之間的并聯(lián)連接構(gòu)成，其布線電阻已經(jīng)降低，但是若與第3層布線比較，電阻值依然大，故是一種用來使布線193的電阻值在遍及圖象信號(hào)VID2～VID6中的每一個(gè)的范圍內(nèi)彼此相等的舉措。此外，雖然從圖象信號(hào)VID2～VID6偏離開來，但是對(duì)于為了使采樣信號(hào)Sj與圖象信號(hào)線12進(jìn)行交叉而供給的布線191，也同樣地變成為使第1層布線與第2層布線進(jìn)行并聯(lián)連接。這是因?yàn)閺姆乐挂虿蓸有盘?hào)Sj的波形鈍化等引起的延遲的觀點(diǎn)來看，對(duì)于采樣信號(hào)Sj的供給路徑也要求多少要低一點(diǎn)的低電阻的緣故。如上所述，在本實(shí)施形態(tài)中，采樣電路150的各種布線，作為原則可以使用低電阻的第3層布線，而必須與第3層布線進(jìn)行教交叉的部分，則可以使用第1層布線與第2層布線之間的并聯(lián)布線。在這里，從全體外圍電路來看，如上所述那些應(yīng)該使用并聯(lián)布線的部分，除去采樣電路150中的布線191、193、195之外，還有許多。例如，在圖2中的預(yù)充電控制線163，雖然必須對(duì)構(gòu)成各個(gè)預(yù)充電開關(guān)161的TFT的柵極電極進(jìn)行分枝，但是在分枝后，仍存在著必須與預(yù)充電電壓信號(hào)線165進(jìn)行交叉的部分。此外，電容線175，在顯示區(qū)域100a內(nèi)，雖然是與掃描線112相同的第1層布線，但是在除此之外的區(qū)域內(nèi)出于要從裝配端子引繞出來進(jìn)行共通連接的關(guān)系，必須用第3層布線構(gòu)成。對(duì)于這樣的電容線175、預(yù)充電控制線163、預(yù)充電電壓信號(hào)線165，如圖2所示，存在著必須進(jìn)行交叉的部分。再有，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路130中，在構(gòu)成移位寄存器的單位電路中，與電源電壓VddY、VssY一起，還必須供給時(shí)鐘信號(hào)CLY和反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)CLYinv。為此，對(duì)于從時(shí)鐘信號(hào)CLY和反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)CLYinv分枝出來的布線來說，至少存在著必須與供給電源電壓VddY、VssY進(jìn)行交叉的部分。同樣，對(duì)于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140來說，必須對(duì)構(gòu)成移位寄存器的單位電路供給時(shí)鐘信號(hào)CLY和反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)CLYinv，對(duì)各個(gè)邏輯電路供給ENB1、ENB2。為此對(duì)于從時(shí)鐘信號(hào)CLY和反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)CLYinv的基干布線分枝出來的布線和從允許信號(hào)ENB1、ENB2的基干布線分枝出來的布線來說，存在著至少必須與供給電源電壓VddY、VssY的布線進(jìn)行交叉的部分。如上所述，采用把使第1層布線和第2層布線進(jìn)行并聯(lián)連接的并聯(lián)布線用做必須與第3層布線進(jìn)行交叉的部分的辦法，就可以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的部分的低電阻化。<掃描線驅(qū)動(dòng)電路的一部分區(qū)域>接著，參看圖9(a)和圖9(b)說明掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的一部分區(qū)域。在這里，圖9(a)的平面圖示出了掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的一部分區(qū)域的構(gòu)成，圖9(b)則示出了其等效電路。另外，圖中所示的區(qū)域，是在構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的移位寄存器之內(nèi)，部分地抽出用來根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)CLY和反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)CLYinv傳送傳送開始脈沖DY的電路的區(qū)域。如圖9(a)所示，掃描線驅(qū)動(dòng)電路130可以使用第1層、第2層、第3層布線。這樣一來，雖然作為原則在該區(qū)域中也可以使用第3層布線，但是作為例外，在與第3層布線進(jìn)行交叉的部分和作為柵極電極使用的部分，使用第1層布線，而在從一方的TFT的源極電極到另一方的TFT的漏極電極的布線的一部分，則使用第2層布線181d。特別是在區(qū)域132中，中間存在著層間絕緣膜(未畫出來)地彼此進(jìn)行疊層形成第1層布線112d、第2層布線181d和第3層布線114d。在這里，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路130中，與上邊所說的采樣電路150不同，單獨(dú)使用第2層布線181d，同時(shí)在同一區(qū)域內(nèi)形成3層的布線，其理由如下。就是說，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路130，由于要分別對(duì)6條數(shù)據(jù)線114中的每一條供給采樣信號(hào)S1、S2、…、Sn，故對(duì)于構(gòu)成數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路130的移位寄存器的單位電路或邏輯電路來說，只要能收納于圖8(a)中的數(shù)據(jù)線節(jié)距的6倍的節(jié)距內(nèi)即可。對(duì)此，掃描線驅(qū)動(dòng)電路130，由于必須分別對(duì)m條掃描線112中的每一條供給掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm，故對(duì)于構(gòu)成掃描線線驅(qū)動(dòng)電路140的移位寄存器的單位電路或邏輯電路來說，必須收納于與圖9(a0中的掃描線節(jié)距等倍的節(jié)距內(nèi)。就是說，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的情況下，與數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140比較，必須在更為狹窄的區(qū)域內(nèi)形成其單位電路或邏輯電連接。在這里假定在不使用第2層布線181d而僅僅用第1層和第3層形成3個(gè)布線的情況下，雖然必須用第1層形成1個(gè)布線，用第3層形成剩下的2個(gè)布線，但是在這種情況下，在同一區(qū)域中，要只使2個(gè)重疊起來形成第3層布線是不可能的。為此，由于只能在不同的區(qū)域內(nèi)并排地形成第3層布線，故結(jié)果就變成為需要與與之相對(duì)應(yīng)的寬度寬的區(qū)域。因此，在這樣的構(gòu)成的情況下，結(jié)果就變成為與必須在更為狹窄的區(qū)域內(nèi)形成構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的單位電路或邏輯電連接的要求反其道而行之。對(duì)此，在本實(shí)施形態(tài)的情況下，采用單獨(dú)使用第2層布線181d，在同一區(qū)域132中，使第1層布線112d、第2層布線181d和第3層布線114d(出于通過層間絕緣膜進(jìn)行絕緣的考慮)彼此重疊地形成的辦法，結(jié)果就變成為可以減小電路形成所需要的區(qū)域的寬度。另外，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路130中，既是不要求電路形成所需要的區(qū)域的寬度狹窄的部分，又是必須與第3層布線進(jìn)行交叉的部分，當(dāng)然也可以使用第1層布線與第2層布線之間的并聯(lián)布線。<制造工藝>其次，以器件基板101的顯示區(qū)域和外圍電路區(qū)域?yàn)橹行?，?duì)本實(shí)施形態(tài)的電光裝置的制造工藝，進(jìn)行說明。另外，作為在此所說的外圍電路區(qū)域，在圖8(b)中例示的是從某一條圖象信號(hào)線122分枝出來，與別的圖象信號(hào)線122進(jìn)行交叉的布線193的附近區(qū)域。首先，如圖10(1)所示，例如在石英基板、玻璃基板、硅基板等的基板10的表面上，形成基底絕緣膜40。詳細(xì)地說，基底絕緣膜40。例如用常壓法或減壓CVD(ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相淀積)法等，由NSG(非摻雜硅玻璃)或PSG(磷硅玻璃)、BSP(硼硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等的高絕緣性的玻璃，或氧化硅膜、氮化硅膜等，以大約50～1500nm的厚度，理想的是以大約600～800nm的厚度形成。接著，采用在基底絕緣膜40的整個(gè)上表面上，用減壓CVD法等，以大約100nm的厚度形成無定形硅層，借助于熱處理等使之進(jìn)行固相生長的部分，形成多晶硅層。這時(shí)，在要形成N溝型的TFT的情況下，采用很少量地離子注入Sb(銻)或As(砷)、P(磷)等的辦法摻進(jìn)V族元素的雜質(zhì)，而在要形成p溝型TFT的情況下，則同樣，借助于離子注入等摻進(jìn)很少一點(diǎn)的Al(鋁)或B(硼)、Ga(鎵)等的III族元素。接著，如同圖(2)所示，借助于光刻或刻蝕等使多晶硅層圖形化，島狀地形成顯示區(qū)域中的TFT116的半導(dǎo)體層30。另外，這時(shí)，在全體外圍電路中對(duì)于構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路130、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140、采樣電路150、預(yù)充電電路160的TFT的半導(dǎo)體層，也同樣地形成。此外，在TFT116的半導(dǎo)體層30之內(nèi)，對(duì)于要形成電容線175的區(qū)域30f來說，也可以以高濃度摻進(jìn)P(磷)等的雜質(zhì)，預(yù)先使之低電阻化。此外，如圖10(3)所示，熱氧化處理半導(dǎo)體層30的表面，在該半導(dǎo)體層30的表面上形成柵極絕緣膜32。借助于該工序，半導(dǎo)體層30最終變成為厚度約30～150nm，理想的是變成為35～45nm的厚度，而柵極絕緣膜32的厚度則變成為60～150nm，理想的是變成為約30nm的厚度。其次，在柵極絕緣膜32和基底絕緣膜40的上表面上，用減壓CVD法等淀積多晶硅層。接著，如圖11(4)所示，借助于光刻或刻蝕等使該多晶硅層圖形化在顯示區(qū)域中形成兼用做TFT116的柵極電極的掃描線112，在存儲(chǔ)電容119中形成成為另一方的電極的電容線175，此外，在外圍電路區(qū)域內(nèi)形成并聯(lián)布線193之內(nèi)的一方的布線112b。就是說，在全體外圍電路中，包括柵極電極在內(nèi)形成第1層布線。接著，如圖11(5)所示，向半導(dǎo)體層30內(nèi)摻進(jìn)合適的雜質(zhì)。詳細(xì)地說，在要把顯示區(qū)域中的TFT116作成為N溝型的情況下，在源、漏區(qū)域之內(nèi)，對(duì)與溝道區(qū)域30a相鄰的區(qū)域，以本身就是掃描線112的一部分的柵極電極為擴(kuò)散掩模，以低濃度摻雜P等的V族元素的雜質(zhì)。同時(shí)，對(duì)于全體外圍電路中的n溝型TFT，也同樣地以本身就是第1層布線的一部分的柵極電極為擴(kuò)散掩模，以低濃度進(jìn)行摻雜。接著，形成比柵極電極寬度還寬的光刻膠，以之為掩模，以高濃度同樣地?fù)诫sP等的V族元素的雜質(zhì)。借助于此，N溝型TFT，在溝道區(qū)域30a的源極一側(cè)，設(shè)置低濃度源極區(qū)域30b、高濃度源極區(qū)域116S，而在漏極一側(cè)，設(shè)置低濃度漏極區(qū)域30c、高濃度漏極區(qū)域116D，變成為LDD構(gòu)造。另外，雖然未畫出來，但是在用光刻膠把這些n型TFT的半導(dǎo)體層30掩蓋起來之后，對(duì)于全體外圍電路中的p溝型TFT也是一樣，對(duì)于與溝道區(qū)域相鄰的區(qū)域，以本身就是第1層布線的一部分的柵極電極為掩模摻進(jìn)例如B(硼)等的III族元素的雜質(zhì)形成低濃度區(qū)域，接著，以寬度比該柵極電極還寬的光刻膠為掩模，同樣地?fù)竭M(jìn)B(硼)等的III族元素的雜質(zhì)，形成高濃度區(qū)域。此外，也可以不把各個(gè)溝道型TFT形成為LDD構(gòu)造，而是作成為補(bǔ)償(offset)構(gòu)造的TFT，此外，還可以作成為僅僅是自對(duì)準(zhǔn)型(自整合型)的TFT。其次，如圖11(6)所示，用例如CVD法等淀積第1層間絕緣膜41，使得把掃描線112、第1層布線112b、半導(dǎo)體層30、基底絕緣膜40等被覆起來。另外，作為第1層間絕緣膜41的材質(zhì)，與基底絕緣膜40同樣，可以舉出NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等。此外，如圖12(7)所示，借助于干法刻蝕等，在顯示區(qū)域中形成接觸孔51，在外圍電路區(qū)域中形成分別用來與第1層布線112b進(jìn)行連接的接觸孔551、561。說得詳細(xì)點(diǎn)，接觸孔51在與TFT116的高濃度漏極區(qū)域116D對(duì)應(yīng)的位置上，被形成為使得對(duì)第1層間絕緣膜41和柵極絕緣膜32進(jìn)行開孔，而接觸孔551、561，在第1層布線112b的兩端位置上，分別被形成為使得對(duì)第1層間絕緣膜41開孔。另外，在全體外圍電路中，在要使第1層布線與第2層布線實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通的情況下，可以與該導(dǎo)通部分對(duì)應(yīng)起來同樣地形成接觸孔(未畫出來)。其次，在第2層間絕緣膜41上邊，用濺射法等，以大約50～500nm的厚度，理想的是以約200nm的厚度淀積由高熔點(diǎn)金屬、金屬硅化物或多晶硅等構(gòu)成的導(dǎo)電層。不言而喻，導(dǎo)電層也可以多層地形成高熔點(diǎn)金屬、金屬硅化物或多晶硅。借助于此，就可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層的應(yīng)力緩和或接觸孔的低電阻化。接著，該導(dǎo)電層，如同圖(8)所示，借助于光刻或刻蝕等圖形化，在顯示區(qū)域中形成為連接到TFT116的高濃度漏極區(qū)域116D上的中間導(dǎo)電膜181，而在外圍電路區(qū)域中，則形成并聯(lián)布線之內(nèi)另一方的布線181b。就是說，在全體外圍電路中形成第2層布線。接著，如同圖(9)所示，用CVD法等把第2層間絕緣膜42淀積為約500～1500nm的厚度，使得把中間導(dǎo)電膜181、第2層布線18b、第1層間絕緣膜41被覆起來。另外，作為第2層間絕緣膜42的材質(zhì)，與基底絕緣膜40或第1層間絕緣膜41同樣，可以舉出NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等。其次，如圖13(10)所示，在顯示區(qū)域中形成接觸孔52，在外圍電路區(qū)域中形成分別用來與第2層布線181b進(jìn)行連接的接觸孔552、562。說得詳細(xì)點(diǎn)，接觸孔52在與TFT116的高濃度源極區(qū)域116S對(duì)應(yīng)的位置上，被形成為使得對(duì)第2層間絕緣膜42、第1層間絕緣膜41和柵極絕緣膜32進(jìn)行開孔，而接觸孔552、562，在第2層布線181b的兩端位置上，分別被形成為使得對(duì)第2層間絕緣膜42開孔。另外，在全體外圍電路中，在要使第2層布線與第3層布線實(shí)現(xiàn)道通的情況下，可以與該導(dǎo)通部分對(duì)應(yīng)起來同樣地形成接觸孔(未畫出來)。此外，在已經(jīng)形成了接觸孔52、552、562的第2層間絕緣膜42上邊，用濺射法等，以大約50～500nm的厚度，淀積由鋁等低電阻金屬構(gòu)成的導(dǎo)電層。接著，如同圖(11)所示，借助于光刻或刻蝕等圖形化，在顯示區(qū)域中，把該導(dǎo)電層，形成為兼用做TFT116的源極電極的數(shù)據(jù)線114，而在外圍電路區(qū)域中則把該導(dǎo)電層形成為布線391和圖象信號(hào)線122。就是說，在全體外圍電路中形成第3層布線。接著，如同圖(12)所示，用CVD法等把第3層間絕緣膜43淀積為約500～1500nm的厚度，使得把數(shù)據(jù)線114、圖象信號(hào)線122等的第3層布線被覆起來。另外，作為第2層布線的材質(zhì)，與基底絕緣膜40或第1層間絕緣膜41、第2層間絕緣膜42同樣，可以舉出NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等。其次，如圖14(13)所示，用干法刻蝕等，在中間導(dǎo)電膜181中的規(guī)定的位置上把接觸孔53形成為使得對(duì)第3層間絕緣膜43和第2層間絕緣膜42進(jìn)行開孔。接著，在已經(jīng)形成了接觸孔53的第3層間絕緣膜42的表面上，用濺射法等把IT0等的透明導(dǎo)電膜形成為約50～200nm的厚度之后，用光刻或刻蝕等圖形化為規(guī)定的形狀，如同圖(14)所示，形成象素電極118。對(duì)于之后的工序雖然省略了圖示，但是要把聚酰亞胺等的有機(jī)溶液涂敷、燒結(jié)到在基板10中成為相向面的象素電極118和第3層間絕緣膜43的整個(gè)面上。借助于此，形成配向膜61。另外，對(duì)該配向膜61要在規(guī)定的方向上進(jìn)行研磨處理。然后，這樣地形成的器件基板101，和在旋轉(zhuǎn)大約90度的方向上進(jìn)行了研磨處理的相向基板102，在用密封材料104粘貼起來之后，封入液晶105并進(jìn)行密封，變成為圖1所示的那樣的電光裝置。另外，在器件基板101中，雖然在整個(gè)面上都要形成配向膜61，但在液晶密封后借助于等離子體處理，在外圍電路區(qū)域中，要除去在從相向基板102突出出來的部分上形成的配向膜。為此，外圍電路區(qū)域中的最上層，變成為第3層間絕緣膜而不是配向膜61。倘采用這樣的制造方法，則在顯示區(qū)域中，把與過去作為對(duì)TFT116的高濃度漏極區(qū)域116D的勢(shì)壘膜使用的中間導(dǎo)電膜181同一層的導(dǎo)電膜用做外圍電路中的第2層布線成為可能，而無須追加特別的工藝。此外，采用使用3層布線的辦法，還可以顯著地提高外圍電路的設(shè)計(jì)中的自由度。除此之外，采用與第1層布線一起并聯(lián)連接的辦法，可以實(shí)現(xiàn)該布線的低電阻化，此外，采用單獨(dú)使用第2層布線的辦法，可以在同一區(qū)域中形成3層布線。<實(shí)施例>另外，在上邊所說的實(shí)施形態(tài)中，在第3層布線連接到第1層布線和第2層布線之間的并聯(lián)布線上的情況下，該第3層布線就變成為連接到第2層布線上的構(gòu)成。例如，在圖8(b)中，圖象信號(hào)線122，就變成為連接到并聯(lián)布線183之內(nèi)第2層布線181b上的構(gòu)成。如上所述，在第2層的導(dǎo)電層由易于發(fā)生應(yīng)力(易于撓曲)的高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的情況下，當(dāng)在這樣的高熔點(diǎn)金屬的布線181b上形成用來進(jìn)行連接的接觸孔的開孔552、562時(shí)，就有可能會(huì)因開孔所伴生的應(yīng)力集中而在第2層間絕緣膜42上發(fā)生裂紋。此外，當(dāng)用接觸孔552、562，使第2層布線181b露出來時(shí)，就變成為因雜質(zhì)從該布線181b發(fā)散出來而成為不合格的原因。于是，在把第3層布線連接到第1層布線112b與第2層布線181b之間的并聯(lián)布線193的一端上的情況下，例如，如圖15(a)所示，人們認(rèn)為理想的是，通過若干內(nèi)側(cè)的接觸孔571、581連接到第1層布線112b上使之變成為并聯(lián)布線193，同時(shí)，通過外側(cè)的接觸孔572或582把第3層布線連接到第1層布線112b上。在該構(gòu)成的情況下，在形成了第2層間絕緣膜42之后，第2層布線181b不會(huì)露出來。為此，由于不會(huì)發(fā)生因接觸孔的開孔而伴生的應(yīng)力集中，故結(jié)果變成為可以防止在第2層間絕緣膜42上的裂紋的產(chǎn)生，還可以防止雜質(zhì)從該布線181b發(fā)散出來。再有，并聯(lián)布線193的構(gòu)成，雖然是僅僅在第1布線112b和第2布線181b的兩端實(shí)現(xiàn)連接，但是如圖15(b)所示，也可以在兩端以外的1個(gè)以上的地點(diǎn)設(shè)置接觸孔58、59，在該地點(diǎn)也進(jìn)行連接，變成為使兩端的連接更為確實(shí)的構(gòu)成。另外，即便是在象這樣地通過兩端以外的1個(gè)以上的接觸孔來實(shí)現(xiàn)第1布線112b與第2布線181b之間的連接的構(gòu)成中，也可以通過外側(cè)的接觸孔把第3層布線連接到第1層布線112b上。<其它>此外，在上邊所說的實(shí)施形態(tài)中，雖然其構(gòu)成為把6條數(shù)據(jù)線114匯總成1個(gè)塊，同時(shí)采樣已變換成6個(gè)系統(tǒng)的圖象信號(hào)VID1～VID6，供往屬于1個(gè)塊的6條數(shù)據(jù)線114，但是，變換數(shù)和同時(shí)施加的數(shù)據(jù)線條數(shù)(就是說構(gòu)成1個(gè)塊的數(shù)據(jù)線條數(shù))并不限于‘6’。例如，如果采樣電路150中的采樣開關(guān)151的應(yīng)答速度足夠地高，則也可以構(gòu)成為在一條圖象信號(hào)線中并行傳送，使得對(duì)每一條數(shù)據(jù)線114按照象點(diǎn)順序進(jìn)行采樣而無須把圖象信號(hào)變換成并行。另外，若是這樣的構(gòu)成的話，由于必須以與數(shù)據(jù)線節(jié)距等倍來形成構(gòu)成數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路140的移位寄存器或邏輯電路，故與掃描線驅(qū)動(dòng)電路130同樣，說不定必須單獨(dú)使用第2層布線。此外，也可以作成為這樣的構(gòu)成使變換或同時(shí)施加的數(shù)據(jù)線的條數(shù)變成為‘3’或‘12’、‘24’等，同時(shí)把進(jìn)行了3系統(tǒng)變換、12系統(tǒng)變換、24系統(tǒng)變換等的圖象信號(hào)供往3條、12條、24條等的數(shù)據(jù)線。另外作為變換數(shù)或同時(shí)施加的數(shù)據(jù)線條數(shù)，出于與彩色圖象信號(hào)由3原色的信號(hào)構(gòu)成之間的關(guān)系考慮，理想的是，作成為3的倍數(shù)，在簡(jiǎn)化控制和電路等方面是理想的。但是，就如后述的投影儀那樣，在僅僅是光調(diào)制的用途的情況下，就不需要作成為3的倍數(shù)。此外還可以作成為這樣的構(gòu)成不是同時(shí)控制多個(gè)采樣開關(guān)，而是使已進(jìn)行了并行變換的圖象信號(hào)VID1～VID6按照順序進(jìn)行移位后供給，按照順序地控制采樣開關(guān)151。此外，在上邊所說的實(shí)施形態(tài)中，是一種從上往下對(duì)掃描線112進(jìn)行掃描，同時(shí)從左向右對(duì)塊進(jìn)行選擇的構(gòu)成，但是既可以用與上述相反的方向進(jìn)行選擇的構(gòu)成，也可以是使得可以根據(jù)用途選擇任何一種方向的構(gòu)成。再有，在上邊所說的實(shí)施形態(tài)中，雖然在器件基板101是形成的是平面型的TFT116等，但是在本發(fā)明中，并不限于此。例如，也可以用背柵型構(gòu)成TFT116。此外，也可以用半導(dǎo)體基板構(gòu)成器件基板101，同時(shí)，在這里形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管來取代TFT116。再有，還可以使用SOI(SiliconOnInsulator，絕緣體上邊的硅)，在藍(lán)寶石、石英、玻璃等的絕緣性基板上形成硅單晶，在其上邊制作各種器件，制作成器件基板101。但是在器件基板101不具有透明性的情況下，則必須用鋁形成象素電極118，或另外形成反射層等，使液晶面板100變成為反射式使用。此外，在上邊所說的實(shí)施形態(tài)中，作為液晶雖然使用的是TN型的液晶，但是也可以使用BTN(Bi-stableTwistedNematic，雙穩(wěn)定扭曲向列)型、強(qiáng)介電型等的具有存儲(chǔ)性的雙穩(wěn)定型或高分子色散型，以及使在分子的長軸方向和短軸方向上具有可見光的吸收性的染料(賓)溶解到恒定的分子排列的液晶(主)中，使染料分子排列成與液晶分子平行的賓主式等的液晶。此外，既可以作成為在不加電壓時(shí)，液晶分子在對(duì)于兩個(gè)基板垂直的方向上排列。而在加上電壓時(shí)，液晶分子排列在對(duì)于兩個(gè)基板水平的方向上的垂直配向(homeotoropic)的構(gòu)成，也可以作成為在不加電壓時(shí)，液晶分子在對(duì)于兩個(gè)基板平行的方向上排列。而在加上電壓時(shí)，液晶分子排列在對(duì)于兩個(gè)基板垂直的方向上的平行(水平)配向(homogeneous配向)的構(gòu)成。如上所述，在本發(fā)明中，作為液晶或配向方式，可以使用種種的方式。除此之外，作為電光裝置，除去液晶裝置之外，還可以在使用電致發(fā)光(EL)、等離子體發(fā)光或電子發(fā)射等產(chǎn)生的熒光等，借助于其電光效應(yīng)進(jìn)行顯示的種種的電光裝置中使用。這時(shí)，作為電光物質(zhì)，將是EL、反射鏡裝置、氣體、熒光體等。另外，在作為電光物質(zhì)使用EL的情況下，在器件基板101中，由于結(jié)果變成為EL存在于象素電極118與透明導(dǎo)電膜的相向電極108之間，故不再需要相向基板102。如上所述，本發(fā)明可以在具有與上邊所說的構(gòu)成類似的構(gòu)成的所有的電光裝置中使用。<電子設(shè)備>其次對(duì)使用上邊所說的實(shí)施形態(tài)的電光裝置的若干電子設(shè)備進(jìn)行說明。<其1投影儀>首先，對(duì)把上邊所說的液晶面板100用做光閥的投影儀進(jìn)行說明。圖16的平面圖示出了該投影儀的構(gòu)成。如該圖所示，在投影儀2100內(nèi)部，設(shè)置有由鹵素?zé)襞莸鹊陌咨庠礃?gòu)成的燈泡單元2102。從該燈泡單元2102射出的投射光，用配置在內(nèi)部的3塊反光鏡2106和2塊分色鏡2108分離成RGB這3原色，與各色對(duì)應(yīng)的光閥100R、100G和100B的構(gòu)成，與上邊所說的實(shí)施形態(tài)的液晶面板100是同樣的，分別用從輸入圖象信號(hào)的處理電路(未畫出來)供給的R、G、B的原色信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此外B色的光，與別的R色或G色的光比較，由于光路長，為防止其損耗可以通過由入射透鏡2122、中繼透鏡2123和出射透鏡2124構(gòu)成的中繼透鏡系統(tǒng)2121導(dǎo)入。分別用光閥110R、100G、100B進(jìn)行了調(diào)制的光，從3個(gè)方向向分色鏡2112入射。然后，在該分色鏡2112中，R色和B色的光向90度折射，而G色的光直線行進(jìn)。因此，結(jié)果就變成為在合成了各色的圖象之后，用透鏡2114向屏幕2120上投射彩色圖象。另外，由于與R、G、B的各個(gè)原色對(duì)應(yīng)的光，借助于分色鏡2108，向光閥100R、100G、100B入射，故沒有必要如上所述那樣地設(shè)置濾色片。此外，相對(duì)于光閥100R、100B的透過象在用分色鏡2112反射之后才進(jìn)行投射，由于光閥100G的透過象保持原狀不變地進(jìn)行投射，故變成為使由光閥100R、100B形成的顯示象對(duì)于由光閥100G形成的顯示象進(jìn)行左右反轉(zhuǎn)的構(gòu)成。<其2便攜式計(jì)算機(jī)>其次，對(duì)把上邊所說的液晶面板100應(yīng)用于便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)的例子進(jìn)行說明。圖17的透視圖示出了該個(gè)人計(jì)算機(jī)的構(gòu)成。在圖中，計(jì)算機(jī)2200具備具有鍵盤2202的主機(jī)部分2204、作為顯示部分使用的液晶面板100。另外，在該液晶面板100的背面上，設(shè)有用來提高觀看性的背光源單元(未畫出來)。<其3移動(dòng)電話>此外對(duì)把上邊所說的液晶面板100應(yīng)用于移動(dòng)電話的顯示部分的例子進(jìn)行說明。圖18的透視圖示出了該移動(dòng)電話的構(gòu)成。在圖中，移動(dòng)電話2300，除去多個(gè)操作按鍵2300之外，與受話口2304、送話口2306一起，具有上邊所說的液晶面板100。另外，在該液晶面板100的背面也設(shè)有用來提高觀看性的背光源單元(未畫出來)。另外，作為電子設(shè)備，除參看圖16、圖17和圖18說明的設(shè)備之外，還可以舉出液晶電視、取景器式監(jiān)視直視式的錄象機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)(pager)、電子筆記本、便攜計(jì)算器、文字處理器、工作站、電視電話、POS終端、數(shù)字靜物攝象機(jī)、具備觸摸式面板的設(shè)備等等。對(duì)于這些各種的電子設(shè)備，實(shí)施形態(tài)和實(shí)施例的電光裝置理所當(dāng)然地可以使用。如上所述，倘采用本發(fā)明，由于可以使用由與在顯示區(qū)域中的開關(guān)器件的另一端與象素電極之間的連接中使用的中間導(dǎo)電膜同一的層構(gòu)成的的布線，故可以提高在設(shè)計(jì)外圍電路時(shí)的自由度。權(quán)利要求1.一種電光裝置，其特征是具備多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉部分對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開關(guān)器件和象素電極的對(duì)；把上述開關(guān)器件和與之對(duì)應(yīng)的象素電極之間電連接起來的中間導(dǎo)電膜；包含由與構(gòu)成上述中間導(dǎo)電膜的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的布線，用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路。2.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征是上述中間導(dǎo)電膜通過與開關(guān)器件的電極對(duì)應(yīng)地設(shè)置的第1接觸孔進(jìn)行電連接，上述象素電極通過第2接觸孔進(jìn)行電連接。3.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征是每一個(gè)象素電極都具有一端連接到上述象素電極上，另一端共通連接的存儲(chǔ)電容，上述中間導(dǎo)電膜，形成構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的電極的一部分。4.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征是上述中間導(dǎo)電膜具有遮光性，在透過上述象素電極或被象素電極反射的光的一部分，由該中間導(dǎo)電膜進(jìn)行控制。5.一種其構(gòu)成為按照順序形成第1、第2、第3導(dǎo)電層，上述第3導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層比是低電阻的層的電光裝置，其特征是具備由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的多條掃描線；由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成，并形成為對(duì)于上述多條掃描線彼此進(jìn)行交叉的多條數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉部分對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開關(guān)器件和象素電極的對(duì)；由第2導(dǎo)電層構(gòu)成，把上述開關(guān)器件和對(duì)應(yīng)的象素電極之間電連接起來的中間導(dǎo)電膜；分別具備由上述第1、第2和第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路。6.權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征是上述中間導(dǎo)電膜通過與開關(guān)器件的電極對(duì)應(yīng)地設(shè)置的第1接觸孔進(jìn)行電連接，上述象素電極通過第2接觸孔進(jìn)行電連接。7.權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征是上述外圍電路，具有使由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線與由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線并聯(lián)電連接的并聯(lián)布線。8.權(quán)利要求7所述的電光裝置，其特征是上述并聯(lián)布線，是從由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線分枝出來的分枝布線，在與和該布線不同的布線進(jìn)行交叉的部分中使用。9.權(quán)利要求7所述的電光裝置，其特征是上述外圍電路，具備由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成，與h(設(shè)h為2以上的整數(shù))條的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)地供給圖象信號(hào)的h條的圖象信號(hào)線；與上述每一條數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)地設(shè)置，向上述h條圖象信號(hào)線供給的圖象信號(hào)之內(nèi)，根據(jù)規(guī)定的采樣信號(hào)對(duì)對(duì)應(yīng)的信號(hào)進(jìn)行采樣，供給對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的采樣開關(guān)，上述并聯(lián)布線，在從上述圖象信號(hào)線分枝出來到達(dá)上述采樣開關(guān)的布線的至少一部分中使用。10.權(quán)利要求7所述的電光裝置，其特征是在上述并聯(lián)布線之內(nèi)，由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，使在該并聯(lián)布線之內(nèi)由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線分別露出來的第3和第4接觸孔之間導(dǎo)通，把由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線設(shè)置在與上述第3或第4接觸孔一致的位置上，并電連接到使由第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線露出來的第5接觸孔上。11.權(quán)利要求7所述的電光裝置，其特征是在上述并聯(lián)布線之內(nèi)，由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，使在該并聯(lián)布線之內(nèi)由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線分別露出來的第3和第4接觸孔之間導(dǎo)通，把由上述第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線設(shè)置在與上述第3及第4接觸孔不同的位置上，并電連接到使由第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線露出來的第6接觸孔上。12.權(quán)利要求10或11所述的電光裝置，其特征是在上述并聯(lián)布線之內(nèi)，由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的布線，即便是在在上述第3及第4接觸孔之間設(shè)置的一個(gè)或多個(gè)接觸孔中，也與由上述第1導(dǎo)電層構(gòu)成的布線導(dǎo)通。13.權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征是上述外圍電路，在其一部分的區(qū)域中具備由上述第1、第2、第3導(dǎo)電層構(gòu)成的布線。14.權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征是每一個(gè)象素電極都具有一端連接到上述象素電極上，而另一端共通連接的存儲(chǔ)電容，上述中間導(dǎo)電膜，形成構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的電極的一部分。15.權(quán)利要求14所述的電光裝置，其特征是上述存儲(chǔ)電容，具有第1電容，其構(gòu)成為借助于上述開關(guān)器件的電極和由上述第2導(dǎo)電層構(gòu)成的電容線夾持上述開關(guān)器件的柵極氧化膜；第2電容，其構(gòu)成為借助于上述中間導(dǎo)電膜和上述電容線夾持層間絕緣膜。16.權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征是上述中間導(dǎo)電膜具有遮光性；透過上述象素電極或被該象素電極反射的光的一部分，由該中間導(dǎo)電膜進(jìn)行控制。17.權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征是上述第1導(dǎo)電層，由多晶硅構(gòu)成。18.權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征是上述第3導(dǎo)電層，用鋁構(gòu)成。19.權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征是上述第2導(dǎo)電層，由材料熔點(diǎn)比構(gòu)成上述第3導(dǎo)電層的材料熔點(diǎn)還高的材料構(gòu)成。20.一種電光裝置，其特征是具備多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉部分對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開關(guān)器件和象素電極的對(duì)；把上述開關(guān)器件和對(duì)應(yīng)的象素電極之間電連接起來的中間導(dǎo)電膜；用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路；由與構(gòu)成連接到上述外圍電路上的上述中間導(dǎo)電膜的導(dǎo)電層同一導(dǎo)電層構(gòu)成的布線。21.權(quán)利要求20所述的電光裝置，其特征是上述布線，對(duì)于用與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的圖象信號(hào)線，在下層進(jìn)行交叉。22.權(quán)利要求21所述的電光裝置，其特征是上述圖象信號(hào)線，配設(shè)多條圖象信號(hào)線，與各條圖象信號(hào)線對(duì)應(yīng)地連接上述布線，各個(gè)布線的大小大體上是相同的。23.權(quán)利要求20所述的電光裝置，其特征是具有由與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的的第1導(dǎo)電層，和由與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成，且在與上述第1導(dǎo)電層離開的位置上形成的第2導(dǎo)電層，由與上述開關(guān)器件的半導(dǎo)體層同一層構(gòu)成的第3導(dǎo)電層，通過接觸孔電連接到上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層上。24.權(quán)利要求23所述的電光裝置，其特征是上述布線，通過接觸孔電連接到上述第3導(dǎo)電層上。25.權(quán)利要求24所述的電光裝置，其特征是上述第3導(dǎo)電層，由多晶硅構(gòu)成。26.權(quán)利要求24所述的電光裝置，其特征是把上述布線和上述第3導(dǎo)電層電連接起來的接觸孔，至少具有3個(gè)。27.權(quán)利要求23所述的電光裝置，其特征是在上述第1導(dǎo)電層與上述第2導(dǎo)電層之間，配置由與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層同一層構(gòu)成的圖象信號(hào)線。28.一種電子設(shè)備，其特征是具備權(quán)利要求1到權(quán)利要求27中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的電光裝置。29.一種與多條掃描線和與該多條掃描線之間的交叉部分對(duì)應(yīng)地具備開關(guān)器件和象素電極的對(duì)的電光裝置的制造方法，其特征是具備下述工序在上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線應(yīng)該進(jìn)行交叉的部分上形成開關(guān)器件的工序；分別由同一導(dǎo)電層形成連接到上述開關(guān)器件上的中間導(dǎo)電膜，和在用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路中使用的布線的工序；形成連接到上述中間導(dǎo)電膜上的象素電極的工序。30.一種與多條掃描線和與該多條掃描線之間的交叉部分對(duì)應(yīng)地具備開關(guān)器件和象素電極的對(duì)的電光裝置的制造方法，其特征是在分別由第1導(dǎo)電層形成了上述掃描線和在用來驅(qū)動(dòng)上述每一個(gè)開關(guān)器件的外圍電路中使用的布線之后，而且是在上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線應(yīng)該交叉的部分上形成了開關(guān)器件之后，具有下述工序由第2導(dǎo)電層分別形成在連接到上述開關(guān)器件上的中間導(dǎo)電膜和上述外圍電路中使用的布線的工序；由第3導(dǎo)電層分別形成在上述數(shù)據(jù)線和上述外圍電路中使用的布線的工序；形成連接到上述中間導(dǎo)電膜上的象素電極的工序。全文摘要6條圖象信號(hào)線122是第3層布線。使從某一條圖象信號(hào)線122分枝出來并與別的圖象信號(hào)線122進(jìn)行交叉的布線193,與第1層布線112b和第2層布線181b并聯(lián)連接起來使用。布線112b是由與掃描線同一層構(gòu)成的布線,布線181b是由TFT的勢(shì)壘膜同一層構(gòu)成的的布線,借助于進(jìn)行并聯(lián)連接就可以實(shí)現(xiàn)低電阻化。單獨(dú)使用第2層布線,提高設(shè)計(jì)時(shí)的自由度,或降低外圍電路的布線電阻。文檔編號(hào)G02F1/1345GK1333526SQ0111962公開日2002年1月30日申請(qǐng)日期2001年5月18日優(yōu)先權(quán)日2000年5月19日發(fā)明者村出正夫申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社