本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)和時(shí)序控制器架構(gòu)。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置具有自發(fā)光，驅(qū)動電壓低，發(fā)光效率高，響應(yīng)時(shí)間短，使用溫度范圍寬等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

oled顯示裝置安裝驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型oled(pmoled)和有源矩陣型oled(amoled)兩大類，其中，amoled具有呈陣列式排布的子像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用于高清晰度的大尺寸顯示裝置。

參見圖1至3，圖1為現(xiàn)有的oled像素架構(gòu)示意圖，此架構(gòu)為包括薄膜晶體管t1，t2，t3及電容c的3t1c架構(gòu)，圖2為現(xiàn)有數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)示意圖，圖3為現(xiàn)有補(bǔ)償驅(qū)動時(shí)序示意圖。顯示裝置的時(shí)序控制器獲得圖像數(shù)據(jù)后，經(jīng)處理后以微型低壓差分信號形式發(fā)送至數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片，再由數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片驅(qū)動像素顯示圖像。如圖2所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片包括順序連接的微型低壓差分信號接收器(minilvdsreceiver)，移位寄存器(shiftregister)，鎖存器(latch)，電平轉(zhuǎn)換器(l/s)，數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)，以及運(yùn)算放大器(opbuf)；微型低壓差分信號接收器接收來自時(shí)序控制器的微型低壓差分信號(minilvds)，包括時(shí)鐘信號(miniclk)及數(shù)據(jù)信號(minidata)；移位寄存器用于存儲數(shù)據(jù)信號；鎖存器用于存儲一條掃描線上的數(shù)據(jù)；電平轉(zhuǎn)換器用于轉(zhuǎn)換電壓至適合于驅(qū)動晶體管；數(shù)模轉(zhuǎn)換器把數(shù)字信號數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成用以驅(qū)動液晶顯示灰階的電壓；運(yùn)算放大器用于提升驅(qū)動能力。圖3中，cpv信號為列的時(shí)鐘脈沖信號，oe為輸出使能信號，g1和g1為第一和第二級行掃描信號；de_in為外部輸入數(shù)據(jù)使能信號，data_in為外部輸入數(shù)據(jù)信號；de_com為時(shí)序控制器數(shù)據(jù)使能信號，data1和data2為數(shù)據(jù)控制器數(shù)據(jù)信號；stb為數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片控制信號。

為了實(shí)現(xiàn)對t1驅(qū)動晶體管的閾值電壓vth偏移的補(bǔ)償，需要給t1驅(qū)動晶體管的柵極給兩次不同的數(shù)據(jù)信號vdata(vdata1，vdata2)，現(xiàn)有的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的微型低壓差分信號(minilvds)的頻率較低，若要滿足對t1驅(qū)動晶體管vth的補(bǔ)償功能，需要通過先降低幀率(framerate)后再提高miniclk(在驅(qū)動芯片的規(guī)格內(nèi))的方法進(jìn)行補(bǔ)償，這樣的方法不能滿足量產(chǎn)的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)，滿足高刷新頻率和高解析度的補(bǔ)償需求。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種適合amoled補(bǔ)償?shù)臅r(shí)序控制器架構(gòu)，滿足高刷新頻率和高解析度的補(bǔ)償需求。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)，包括：順序連接的第一微型低壓差分信號接收器，第一移位寄存器及第一鎖存器；順序連接的第二微型低壓差分信號接收器，第二移位寄存器及第二鎖存器；該第一鎖存器及第二鎖存器分別連接轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器順序連接電平轉(zhuǎn)換器，數(shù)模轉(zhuǎn)換器以及運(yùn)算放大器；工作時(shí)，來自時(shí)序控制器的第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)分別自該第一微型低壓差分信號接收器和第二微型低壓差分信號接收器輸入，經(jīng)處理后的該第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)分別進(jìn)入該第一鎖存器及第二鎖存器，經(jīng)由輸入該轉(zhuǎn)換器的控制信號的控制，使該第一鎖存器和第二鎖存器中的數(shù)據(jù)先后輸出到該電平轉(zhuǎn)換器。

其中，當(dāng)該控制信號為高電位時(shí)，使該第一鎖存器的數(shù)據(jù)輸出到該電平轉(zhuǎn)換器；當(dāng)該控制信號為低電位時(shí)，使該第二鎖存器的數(shù)據(jù)輸出到該電平轉(zhuǎn)換器。

其中，工作時(shí)，該第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)分別輸入到該第一微型低壓差分信號接收器和第二微型低壓差分信號接收器，然后分別存儲于該第一移位寄存器和第二移位寄存器中；在該第一移位寄存器和第二移位寄存器相應(yīng)的信號的控制下，使該第一移位寄存器和第二移位寄存器的數(shù)據(jù)分別輸入該第一鎖存器及第二鎖存器中。

其中，該數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)設(shè)置于amoled顯示面板上。

本發(fā)明還提供了一種適合amoled補(bǔ)償?shù)臅r(shí)序控制器架構(gòu)，包括：第一數(shù)據(jù)輸入模塊，第一數(shù)據(jù)映射模塊，第二數(shù)據(jù)輸入模塊，第二數(shù)據(jù)映射模塊，以及存儲補(bǔ)償數(shù)據(jù)的存儲器；圖像數(shù)據(jù)自輸入端口輸入該第一數(shù)據(jù)輸入模塊和第二數(shù)據(jù)輸入模塊，該第一數(shù)據(jù)映射模塊根據(jù)該存儲器中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第一數(shù)據(jù)輸入模塊中的數(shù)據(jù)生成第一數(shù)據(jù)，該第二數(shù)據(jù)映射模塊根據(jù)該存儲器中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第二數(shù)據(jù)輸入模塊中的數(shù)據(jù)生成第二數(shù)據(jù)，該第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)分別自第一輸出端口和第二輸出端口以微型低壓差分信號的形式輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的第一微型低壓差分信號接收器和第二微型低壓差分信號接收器。

其中，該存儲器包括閃存和ddr內(nèi)存。

其中，該第一數(shù)據(jù)映射模塊根據(jù)該閃存中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第一數(shù)據(jù)輸入模塊中的數(shù)據(jù)生成該第一數(shù)據(jù)。

其中，該第二數(shù)據(jù)映射模塊根據(jù)該ddr內(nèi)存中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第二數(shù)據(jù)輸入模塊中的數(shù)據(jù)生成該第二數(shù)據(jù)。

其中，該第一數(shù)據(jù)映射模塊提前讀取該閃存中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第一數(shù)據(jù)輸入模塊中的數(shù)據(jù)生成該第一數(shù)據(jù)。

其中，該時(shí)序控制器架構(gòu)設(shè)置于amoled顯示面板上。

綜上，本發(fā)明的適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)和時(shí)序控制器架構(gòu)，可以滿足高刷新頻率和高解析度的補(bǔ)償需求。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的oled像素架構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有補(bǔ)償驅(qū)動時(shí)序示意圖；

圖4為本發(fā)明的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)一較佳實(shí)施例示意圖；

圖5為本發(fā)明的時(shí)序控制器架構(gòu)一較佳實(shí)施例示意圖；

圖6為本發(fā)明的補(bǔ)償驅(qū)動時(shí)序示意圖。

具體實(shí)施方式

參見圖4，其為本發(fā)明適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)一較佳實(shí)施例的架構(gòu)示意圖，該數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)可驅(qū)動的像素架構(gòu)可參見圖1。本發(fā)明適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)主要包括：順序連接的微型低壓差分信號接收器(minilvdsreceiver1)11，移位寄存器(shiftregister1)21及鎖存器(latch1)31；順序連接的微型低壓差分信號接收器(minilvdsreceiver2)12，移位寄存器(shiftregister2)22及鎖存器(latch2)32；鎖存器(latch1)31及鎖存器(latch2)32分別連接轉(zhuǎn)換器(switch)41，轉(zhuǎn)換器(switch)41順序連接電平轉(zhuǎn)換器(l/s)51，數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)61以及運(yùn)算放大器(opbuf)71；工作時(shí)，通過輸入轉(zhuǎn)換器(switch)41的控制信號data_sw的控制，分別使鎖存器(latch1)31和鎖存器(latch2)32中的數(shù)據(jù)輸出到電平轉(zhuǎn)換器(l/s)51。當(dāng)data_sw控制信號為高電位h時(shí)，使鎖存器31的數(shù)據(jù)(data)輸出到電平轉(zhuǎn)換器51；當(dāng)data_sw控制信號為低電位l時(shí)，使鎖存器32的data輸出到電平轉(zhuǎn)換器51；接下來，電平轉(zhuǎn)換器51的數(shù)據(jù)再順序經(jīng)數(shù)模轉(zhuǎn)換器61和運(yùn)算放大器71處理后輸出，用于驅(qū)動oled像素。

該較佳實(shí)施例中除轉(zhuǎn)換器41的其他模塊的功能可參考對圖1的說明。本發(fā)明適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)通過同時(shí)輸入兩路minilvds的數(shù)據(jù)到微型低壓差分信號接收器11和12，minilvds信號來自相應(yīng)的時(shí)序控制器，每路minilvds信號包括時(shí)鐘信號miniclk數(shù)據(jù)信號minidata，然后分別存儲于移位寄存器21和22中；在兩移位寄存器21和22相應(yīng)的兩個(gè)stb信號——stb1和stb2的分別控制下，使移位寄存器21和22的數(shù)據(jù)分別進(jìn)入鎖存器31及鎖存器32中，再根據(jù)data_sw控制信號和stb1，stb2的控制，達(dá)到滿足補(bǔ)償需求的目的。

參見圖5，其為本發(fā)明的時(shí)序控制器架構(gòu)一較佳實(shí)施例示意圖。本發(fā)明的時(shí)序控制器架構(gòu)主要包括：第一數(shù)據(jù)輸入模塊(data1com)10，第一數(shù)據(jù)映射模塊(data1map)20，第二數(shù)據(jù)輸入模塊(data2com)30，第二數(shù)據(jù)映射模塊(data2map)40，以及存儲補(bǔ)償數(shù)據(jù)的存儲器；圖像數(shù)據(jù)自輸入端口(rx)70輸入該第一數(shù)據(jù)輸入模塊10和第二數(shù)據(jù)輸入模塊30，該第一數(shù)據(jù)映射模塊20根據(jù)該存儲器中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第一數(shù)據(jù)輸入模塊10中的數(shù)據(jù)生成第一數(shù)據(jù)，該第二數(shù)據(jù)映射模塊40根據(jù)該存儲器中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第二數(shù)據(jù)輸入模塊30中的數(shù)據(jù)生成第二數(shù)據(jù)，該第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)分別自第一輸出端口(tx1)80和第二輸出端口(tx1)90以微型低壓差分信號的形式輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的第一微型低壓差分信號接收器和第二微型低壓差分信號接收器。

在該較佳實(shí)施例中，存儲器包括閃存(flash)50和ddr內(nèi)存60。第一數(shù)據(jù)映射模塊20根據(jù)該閃存50中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第一數(shù)據(jù)輸入模塊10中的數(shù)據(jù)生成該第一數(shù)據(jù)。第二數(shù)據(jù)映射模塊40根據(jù)該ddr內(nèi)存60中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第二數(shù)據(jù)輸入模塊30中的數(shù)據(jù)生成該第二數(shù)據(jù)。根據(jù)最終驅(qū)動像素的信號vdata1和vdata2的先后順序，該第一數(shù)據(jù)映射模塊可以提前讀取該閃存50中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)以及該第一數(shù)據(jù)輸入模塊10中的數(shù)據(jù)生成該第一數(shù)據(jù)。

本發(fā)明的適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)和時(shí)序控制器架構(gòu)可以設(shè)置于amoled顯示面板上。

參見圖6，其為本發(fā)明的補(bǔ)償驅(qū)動時(shí)序示意圖，可結(jié)合圖4及圖5理解。圖6中，cpv信號為列的時(shí)鐘脈沖信號，oe為輸出使能信號，g1和g1為第一和第二級行掃描信號；de_in為外部輸入數(shù)據(jù)使能信號，data_in為外部輸入數(shù)據(jù)信號；de_en1，de_en2為時(shí)序控制器數(shù)據(jù)使能信號，data1和data2為數(shù)據(jù)控制器數(shù)據(jù)信號；stb1，stb2和data_sw為數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片控制信號。

本發(fā)明提出了適合3t補(bǔ)償?shù)尿?qū)動芯片的架構(gòu)，該驅(qū)動架構(gòu)通過可以降低miniclk的頻率，可以滿足高刷新頻率和高解析度的補(bǔ)償需求；當(dāng)data_sw控制信號為h時(shí)，使latch1的data輸出到l/s；當(dāng)data_sw控制信號為l時(shí)，使latch1的data輸出到l/s；該架構(gòu)通過同時(shí)輸入兩路minilvds的數(shù)據(jù)，在兩個(gè)stb信號的控制下,使data進(jìn)入兩路latch中，根據(jù)data_sw控制信號和stb1,stb2的控制，達(dá)到滿足補(bǔ)償需求的目的。

本發(fā)明還提出了適合3t像素補(bǔ)償?shù)尿?qū)動時(shí)序控制器(tcon)的架構(gòu)和驅(qū)動時(shí)序。data1的補(bǔ)償可以提前通過讀取flash的補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行補(bǔ)償數(shù)據(jù)的處理，data2的補(bǔ)償數(shù)據(jù)需要搭配輸入數(shù)據(jù)和ddr內(nèi)存中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行處理；在一條數(shù)據(jù)線打開的時(shí)間內(nèi)，在data_sw為h時(shí)，先把data1的數(shù)據(jù)輸出給dataline，在data_sw為l時(shí)，再把data2的數(shù)據(jù)輸出給dataline；達(dá)到補(bǔ)償?shù)哪康摹?/p>

綜上，本發(fā)明的適合amoled補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)驅(qū)動芯片架構(gòu)和時(shí)序控制器架構(gòu)，可以滿足高刷新頻率和高解析度的補(bǔ)償需求。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。