本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

在基于ltps(lowtemperaturepolysilicontechnology，低溫多晶硅技術(shù))的顯示面板中，包括襯底基板以及形成于襯底基板上薄膜晶體管、像素界定層、隔墊物和發(fā)光結(jié)構(gòu)。其中，像素界定層和隔墊物可以分開制作，也可采用ht(halftone，半色調(diào))工藝同步制作。

在顯示面板的制作工藝中，在形成薄膜晶體管以及發(fā)光結(jié)構(gòu)中的陽極之后，才形成像素界定層和隔墊物，但由于發(fā)光結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層需形成在開口區(qū)，因此若想形成發(fā)光層，就必須對已形成的像素界定層和隔墊物進行紫外光曝光處理，以形成開口區(qū)。由于像素界定層和隔墊物均由較厚的有機樹脂材料形成，因而對其進行紫外光曝光時就需采用較大的曝光量和較長的曝光時間。但是在這種情況下，紫外光會具有較高的能量，當(dāng)紫外光穿過像素界定層和隔墊物，傳輸至位于像素界定層和隔墊物下方的薄膜晶體管中的多晶硅層時，不可避免的會對多晶硅層產(chǎn)生不良影響，進而使得薄膜晶體管出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題，影響薄膜晶體管的電學(xué)特性。若想對紫外光造成的不良影響進行修復(fù)，就需要在顯示面板制作工藝的最后一步進行較長時間的退火。但由于退火工藝為顯示面板制作工藝中額外增加的步驟，因此會導(dǎo)致制作時間的增長以及產(chǎn)能的下降。此外，退火工藝還會對樹脂材料的性能造成不良影響，同樣會影響顯示面板的性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種顯示面板及制作方法、顯示裝置，可避免紫外光對多晶硅層產(chǎn)生不良影響，進而避免薄膜晶體管出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題。

為達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明的第一方面提供了一種顯示面板，包括襯底基板、形成于所述襯底基板的薄膜晶體管、以及形成于所述薄膜晶體管背向所述襯底基板的一側(cè)的發(fā)光結(jié)構(gòu)；其中，所述薄膜晶體管包括位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述襯底基板之間的多晶硅層；所述多晶硅層與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還形成有用于阻擋紫外光的遮光層，所述遮光層在所述襯底基板的正投影覆蓋所述多晶硅層在所述襯底基板的正投影。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的第一方面所提供的顯示面板在薄膜晶體管的多晶硅層與發(fā)光結(jié)構(gòu)之間增設(shè)了一層用于阻擋紫外光的遮光層，當(dāng)后續(xù)對像素界定層和隔墊物進行紫外光曝光處理時，由于遮光層的遮擋作用，紫外光無法傳輸至薄膜晶體管的多晶硅層中，可避免紫外光對多晶硅層產(chǎn)生不良影響，進而避免薄膜晶體管出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題。此外，由于遮光層可阻擋紫外光傳輸至多晶硅層中，因而也就無需再額外的增加退火工藝，從而縮短了顯示面板的制作時間，提高了產(chǎn)能，還能避免退火工藝對顯示面板性能的不良影響。

本發(fā)明的第二方面提供了一種顯示面板的制作方法，所述顯示面板的制作方法應(yīng)用于如本發(fā)明的第一方面所述的顯示面板，所述顯示面板的制作方法包括：提供一襯底基板；在所述襯底基板形成薄膜晶體管和用于阻擋紫外光的遮光層，使所述薄膜晶體管包括多晶硅層；所述遮光層位于所述多晶硅層背向襯底基板的一側(cè)，所述遮光層在所述襯底基板的正投影覆蓋所述多晶硅層在所述襯底基板的正投影；在所述遮光層背向所述多晶硅層的一側(cè)形成發(fā)光結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明所提供的顯示面板的制作方法的有益效果與本發(fā)明的第一方面所提供的顯示面板的有益效果相同，此處不再贅述。

本發(fā)明的第三方面提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如本發(fā)明的第一方面所述的顯示面板。

本發(fā)明所提供的顯示裝置的有益效果與本發(fā)明的第一方面所提供的顯示面板的有益效果相同，此處不再贅述。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例一所提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2為本發(fā)明實施例一所提供的紫外光透過率示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例一所提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖4a為本發(fā)明實施例一所提供的顯示面板的遮光層與層間絕緣層的特性示意圖一；

圖4b為本發(fā)明實施例一所提供的顯示面板的遮光層與層間絕緣層的特性示意圖二；

圖5為本發(fā)明實施例二所提供的顯示面板的制作方法的流程圖一；

圖6為本發(fā)明實施例二所提供的顯示面板的制作方法的流程圖二。

附圖標記說明：

1-襯底基板；2-薄膜晶體管；

21-多晶硅層；22-柵極絕緣層；

23-柵極；24-源極；

25-漏極；3-發(fā)光結(jié)構(gòu)；

31-陽極；32-發(fā)光層；

33-陰極；4-遮光層；

5-像素界定層；6-隔墊物；

7-層間絕緣層；8-平坦化層；

9-緩沖層。

具體實施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，均屬于本發(fā)明保護的范圍。

實施例一

如圖1所示，本實施例提供了一種顯示面板，包括襯底基板1、形成于襯底基板1的薄膜晶體管2、以及形成于薄膜晶體管2背向襯底基板1的一側(cè)的發(fā)光結(jié)構(gòu)3。其中，薄膜晶體管2包括位于發(fā)光結(jié)構(gòu)3和襯底基板1之間的多晶硅層21。多晶硅層21與發(fā)光結(jié)構(gòu)3之間還形成有用于阻擋紫外光的遮光層4，遮光層4在襯底基板1的正投影覆蓋多晶硅層21在襯底基板1的正投影。

可以理解的是，發(fā)光結(jié)構(gòu)3具體可包括陽極31、發(fā)光層32和陰極33，其中，陽極31與薄膜晶體管2電連接。在形成發(fā)光結(jié)構(gòu)3的陽極31后，在陽極31背向薄膜晶體管2的表面形成像素界定層5和隔墊物6，通過對像素界定層5和隔墊物6進行曝光處理，形成開口區(qū)，進而在陽極31背向薄膜晶體管2的表面對應(yīng)開口區(qū)處形成發(fā)光層32，在發(fā)光層32背向陽極31的表面對應(yīng)開口區(qū)處形成陰極33。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實施例所提供的顯示面板在薄膜晶體管2的多晶硅層21與發(fā)光結(jié)構(gòu)3之間增設(shè)了一層用于阻擋紫外光的遮光層4，當(dāng)后續(xù)對像素界定層5和隔墊物6進行紫外光曝光處理時，由于遮光層4的遮擋作用，紫外光無法傳輸至薄膜晶體管2的多晶硅層21中，可避免紫外光對多晶硅層21產(chǎn)生不良影響，進而避免薄膜晶體管2出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題。此外，由于遮光層4可阻擋紫外光傳輸至多晶硅層21中，因而也就無需再額外的增加退火工藝，從而縮短了顯示面板的制作時間，提高了產(chǎn)能，還能避免了退火工藝對顯示面板性能的不良影響。

優(yōu)選的，遮光層4為非晶硅層。由于紫外光的波長較短，采用非晶硅材料制作遮光層4，可利用非晶硅材料吸收短波長光線的特性，有效的對紫外光進行遮擋，從而避免紫外光傳輸至多晶硅層21中。

結(jié)合圖2所示的不同波長的紫外光在不同厚度的非晶硅層的光線透過率可知，對于波長在400nm以下的紫外光來說，非晶硅層的厚度在范圍內(nèi)時，對紫外光的遮擋作用較強。因此，優(yōu)選的，可令非晶硅層的厚度為

請再次參見圖1，薄膜晶體管2除包括多晶硅層21外，還包括柵極絕緣層22、柵極23、源極24和漏極25。

具體的，可通過化學(xué)氣相淀積工藝將柵極絕緣層22形成在多晶硅層21背向襯底基板1的表面，使柵極絕緣層22覆蓋多晶硅層21。通過濺射工藝將柵極23形成在柵極絕緣層22背向多晶硅層21的表面。遮光層4位于柵極23與發(fā)光結(jié)構(gòu)3之間，通過濺射工藝將源極24和漏極25分別形成在遮光層4背向柵極23的表面。其中，柵極23與源極24絕緣，柵極23與漏極25絕緣，源極24或漏極25與發(fā)光結(jié)構(gòu)3的電極，即陽極31電連接，源極24和漏極25分別穿過遮光層4、柵極絕緣層22與多晶硅層21電連接。

此外，如圖3所示，顯示面板還可包括通過化學(xué)氣相淀積工藝形成于柵極絕緣層22與遮光層4之間的層間絕緣層7，層間絕緣層7覆蓋柵極23和柵極絕緣層22，源極24和漏極25分別穿過層間絕緣層7與多晶硅層21電連接。

需要說明的是，在顯示面板的實際制作工藝中，可僅利用一張掩膜板將遮光層4和層間絕緣層7采用一次構(gòu)圖工藝，例如干刻工藝形成，采用該種方式，可簡化制作流程，并降低制作成本。并且，采用干刻工藝形成的遮光層4和層間絕緣層7均具有良好的特性。例如，如圖4a所示，遮光層4和層間絕緣層7的刻蝕樣貌正常，且如圖4b所示，遮光層4和層間絕緣層7刻蝕后的圖案有較好的線性。

需要進一步說明的是，遮光層4是為了遮擋紫外光，防止紫外光傳輸至多晶硅層21中，因此，遮光層4只需設(shè)置在多晶硅層21背向襯底基板1的一側(cè)即可。當(dāng)層間絕緣層7為單層膜結(jié)構(gòu)時，遮光層4可位于層間絕緣層7背向柵極絕緣層22的表面，也可位于柵極絕緣層22朝向?qū)娱g絕緣層7的表面。當(dāng)層間絕緣層7為多層膜結(jié)構(gòu)時，遮光層4還可位于層間絕緣層7任意相鄰兩個膜層之間。

此外，顯示面板還可包括通過光刻工藝形成于遮光層4與發(fā)光結(jié)構(gòu)3的陽極31之間的平坦化層8，平坦化層8覆蓋源極24、漏極25和遮光層4，發(fā)光結(jié)構(gòu)3的陽極31穿過平坦化層8與源極24或漏極25電連接。在顯示面板中形成平坦化層8，可填充膜層表面的凹陷處，實現(xiàn)對膜層表面的平滑處理。

多晶硅層21若直接形成在襯底基板1上，襯底基板1上的雜質(zhì)可能會對多晶硅層21造成污染。因此，在形成多晶硅層21之前，可先在襯底基板1上形成一層緩沖層9，將襯底基板1與多晶硅層21隔離開，從而避免了襯底基板1的雜質(zhì)對多晶硅層21的污染。

顯示面板中的襯底基板1具體可為玻璃基板或是柔性基板，襯底基板1的類型可根據(jù)顯示面板的應(yīng)用情況進行設(shè)定。當(dāng)襯底基板1為柔性基板時，襯底基板1可由聚酰亞胺材料制成。

實施例二

本實施例提供了一種顯示面板的制作方法，該顯示面板的制作方法應(yīng)用于如實施例一所述的顯示面板。

如圖5所示，該顯示面板的制作方法具體包括：

步驟s1：提供一襯底基板。

步驟s2：在襯底基板形成薄膜晶體管和用于阻擋紫外光的遮光層，使薄膜晶體管包括多晶硅層；遮光層位于多晶硅層背向襯底基板的一側(cè)，遮光層在襯底基板的正投影覆蓋多晶硅層在襯底基板的正投影。

步驟s3：在遮光層背向多晶硅層的一側(cè)形成發(fā)光結(jié)構(gòu)。

采用本實施例所提供的顯示面板的制作方法，在制作完成多晶硅層后，在多晶硅層上方形成了一層用于阻擋紫外光的遮光層。當(dāng)后續(xù)對像素界定層和隔墊物進行紫外光曝光處理時，由于遮光層的遮擋作用，紫外光無法傳輸至薄膜晶體管的多晶硅層中，可避免紫外光對多晶硅層產(chǎn)生不良影響，進而避免薄膜晶體管出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題。此外，由于遮光層可阻擋紫外光傳輸至多晶硅層中，因而也就無需再額外的增加退火工藝，從而縮短了顯示面板的制作時間，提高了產(chǎn)能，并且避免了退火工藝對顯示面板性能的不良影響。

其中，如圖6所示，步驟s2具體可包括：

步驟s21：在襯底基板上形成多晶硅層。

步驟s22：在多晶硅層背向襯底基板的表面形成柵極絕緣層。

步驟s23：在柵極絕緣層背向多晶硅層的表面形成柵極。

步驟s24：在柵極絕緣層背向多晶硅層的表面，采用同一構(gòu)圖工藝形成層間絕緣層和用于阻擋紫外光的遮光層；其中，層間絕緣層覆蓋柵極和柵極絕緣層，遮光層位于層間絕緣層背向柵極絕緣層的表面。

優(yōu)選的，所形成的遮光層可為厚度為的非晶硅層。

采用一次構(gòu)圖工藝形成透光層和層間絕緣層，可簡化制作流程，并且，制作透光層和層間絕緣層僅需一張掩膜板，降低了制作成本。

步驟s25：在遮光層背向?qū)娱g絕緣層的表面形成源極和漏極。其中，柵極與源極絕緣，柵極與漏極絕緣，源極和漏極分別穿過遮光層、層間絕緣層、柵極絕緣層與多晶硅層電連接。

在步驟s25之后，以及步驟s3之間，顯示面板的制作方法還可包括：在遮光層背向?qū)娱g絕緣層的表面形成平坦化層，平坦化層覆蓋源極、漏極和遮光層。在遮光層背向?qū)娱g絕緣層的表面形成平坦化層，可填充膜層表面的凹陷處，實現(xiàn)對膜層表面的平滑處理。

形成平坦化層后，步驟s3具體可包括：在平坦化層背向遮光層的表面形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，使發(fā)光結(jié)構(gòu)的電極穿過平坦化層與源極或漏極電連接。

此外，在本實施例所提供的顯示面板的制作方法中，在步驟s1和步驟s2之間，顯示面板的制作方法還包括：在襯底基板上形成緩沖層。所形成的緩沖層將襯底基板與多晶硅層隔離開，從而避免了襯底基板的雜質(zhì)對多晶硅層的污染。

具體的，根據(jù)顯示面板的實際應(yīng)用情況，襯底基板可為剛性基板也可為柔性基板。當(dāng)襯底基板為剛性基板時，襯底基板可由玻璃制成，當(dāng)襯底基板為柔性基板時，襯底基板可由聚酰亞胺材料制成。

實施例三

本實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如實施例一所述的顯示面板。

由于本實施例所提供的顯示裝置包括有如實施例一所述的顯示面板，因此，該顯示裝置可避免紫外光對多晶硅層造成不良影響，進而避免薄膜晶體管出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題。并且，由于無需額外增加退火工藝，縮短了顯示裝置的制作時間，提高了產(chǎn)能。

以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。