本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

AMOLED(Active Matrix Organic Lighting Emission Display，有源矩陣有機發(fā)光二極體)顯示裝置的基本結(jié)構(gòu)是OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)，每一OLED由薄且透明具半導(dǎo)體特性的銦錫氧化物(ITO)以及正極和負極構(gòu)成，銦錫氧化物位于正極和負極之間，該銦錫氧化物構(gòu)成有機材料發(fā)光層，有機材料發(fā)光層結(jié)構(gòu)中包括：空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時，正極空穴與陰極電荷就會在有機材料發(fā)光層中結(jié)合，產(chǎn)生光亮，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍RGB三原色，構(gòu)成基本色彩。OLED的特性是自主發(fā)光，OLED無需背光，因此可視度和亮度均高，其次是電壓需求低且省電效率高，具有響應(yīng)快、重量輕、厚度薄，構(gòu)造簡單以及成本低等優(yōu)點，是平板顯示技術(shù)將來的發(fā)展方向之一。

AMOLED還包括像素驅(qū)動電路，像素驅(qū)動電路用于驅(qū)動OLED發(fā)光，像素驅(qū)動電路通常由多個TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)和電容組成，分別用于像素電路的補償或數(shù)據(jù)存儲等。

目前顯示屏朝著更輕薄，更高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)的趨勢發(fā)展。高PPI使得顯示的圖案更加精細，為了獲得高PPI的產(chǎn)品，必須壓縮像素的版圖。壓縮像素的版圖可通過提升工藝能力、減少像素驅(qū)動電路中的TFT或電容數(shù)量等方式實現(xiàn)。提升工藝能力需要更新生產(chǎn)設(shè)備，生產(chǎn)設(shè)備價格高昂，更新代價較高。而由于TFT和電容數(shù)量較多，且各TFT和電容分別執(zhí)行電路中的功能，如減少部分TFT和電容，則容易使得電路功能受限，因此，通過減少TFT和電容來實現(xiàn)提高PPI，難度很大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置。

一種有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置，包括：掃描線、電源數(shù)據(jù)復(fù)用線和像素電路，所述像素電路具有第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端、第四輸入端和第五輸入端，所述第一輸入端與所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線連接，所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線用于分別與第一電源以及數(shù)據(jù)信號輸出端連接，所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線還用于在第一時序內(nèi)向所述第一輸入端輸出數(shù)據(jù)信號，在第二時序內(nèi)向所述第一輸入端輸出電源信號，所述第二輸入端用于連接至第二電源，所述第三輸入端與所述掃描線連接，所述第四輸入端用于連接參考電壓電源，所述第五輸入端用于連接發(fā)光控制端。

在一個實施例中，所述像素電路包括驅(qū)動電路和有機發(fā)光二極管D1，所述驅(qū)動電路具有所述第一輸入端、所述第三輸入端、所述第四輸入端和所述第五輸入端，所述驅(qū)動電路還具有驅(qū)動輸出端，所述驅(qū)動輸出端與所述有機發(fā)光二極管D1的正極連接，所述有機發(fā)光二極管D1的負極與所述第二輸入端連接。

在一個實施例中，所述驅(qū)動電路包括電容C1、晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4和晶體管T5，所述晶體管T1的源極與所述第一輸入端連接，所述晶體管T1的柵極與所述第三輸入端連接，所述晶體管T1的漏極與電容C1的第一端連接，所述晶體管T5的柵極與所述第三輸入端連接，所述晶體管T5的源極與所述電容C1的第二端連接，所述晶體管T5的漏極與所述第四輸入端連接，所述晶體管T3的源極與所述第一輸入端連接，所述晶體管T3的柵極與所述第五輸入端連接，所述晶體管T3的漏極分別與所述晶體管T2的源極以及所述晶體管T4的源極連接，所述晶體管T2的柵極與所述第五輸入端連接，所述晶體管T2的漏極與所述電容C1的第一端連接，所述晶體管T4的柵極與所述電容C1的第二端連接，所述晶體管T4的漏極與所述驅(qū)動輸出端連接。

在一個實施例中，還包括控制模塊，所述控制模塊分別與所述掃描線和所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線連接。

在一個實施例中，所述發(fā)光控制端與所述控制模塊連接。

在一個實施例中，所述晶體管T1、所述晶體管T2、所述晶體管T3、所述晶體管T4和所述晶體管T5為N溝道薄膜晶體管。

在一個實施例中，所述晶體管T1、所述晶體管T2、所述晶體管T3、所述晶體管T4和所述晶體管T5為P溝道薄膜晶體管。

在一個實施例中，還包括所述第一電源和所述數(shù)據(jù)信號輸出端，所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線與所述第一電源以及所述數(shù)據(jù)信號輸出端連接。

在一個實施例中，還包括發(fā)光控制端，所述第五輸入端與所述發(fā)光控制端連接。

在一個實施例中，還包括參考電壓電源，所述第四輸入端與所述參考電壓電源連接。

上述有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置，電源數(shù)據(jù)復(fù)用線由數(shù)據(jù)線與電源線復(fù)用而成，且連接至第一電源和數(shù)據(jù)信號輸出端，電源數(shù)據(jù)復(fù)用線在不同的時序內(nèi)向像素電路輸出數(shù)據(jù)信號和電源信號，從而實現(xiàn)通過一條線對像素電路輸出數(shù)據(jù)信號和電源信號，進而減少有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置中的線路，使得顯示像素之間的間隙更小，有效減少像素版圖的面積，提高PPI，進而使得顯示效果更佳。

附圖說明

圖1為一個實施例的有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置的像素電路原理圖；

圖2為一個實施例的有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置的內(nèi)部電路布局示意圖；

圖3為一個實施例的有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動時序圖；

圖4A為傳統(tǒng)的AMOLED的像素版圖布局示意圖；

圖4B為一個實施例的有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置的像素版圖布局示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實施方式。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。

例如，一種有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置，包括：掃描線、電源數(shù)據(jù)復(fù)用線和像素電路，所述像素電路具有第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端、第四輸入端和第五輸入端，所述第一輸入端與所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線連接，所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線用于分別與第一電源以及數(shù)據(jù)信號輸出端連接，所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線還用于在第一時序內(nèi)向所述第一輸入端輸出數(shù)據(jù)信號，在第二時序內(nèi)向所述第一輸入端輸出電源信號，所述第二輸入端用于連接至第二電源，所述第三輸入端與所述掃描線連接，所述第四輸入端用于連接參考電壓電源，所述第五輸入端用于連接發(fā)光控制端。

本實施例中，電源數(shù)據(jù)復(fù)用線由數(shù)據(jù)線與電源線復(fù)用而成，且連接至第一電源和數(shù)據(jù)信號輸出端，電源數(shù)據(jù)復(fù)用線在不同的時序內(nèi)向像素電路輸出數(shù)據(jù)信號和電源信號，從而實現(xiàn)通過一條線對像素電路輸出數(shù)據(jù)信號和電源信號，進而減少有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置中的線路，使得顯示像素之間的間隙更小，有效減少像素版圖的面積，提高PPI，進而使得顯示效果更佳。

如圖1所示，其為一實施例的一種有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置，包括：掃描線SN、電源數(shù)據(jù)復(fù)用線ELVDD&DATA和像素電路，所述像素電路具有第一輸入端S₁、第二輸入端S₂、第三輸入端S₃、第四輸入端S₄和第五輸入端S₅，所述第一輸入端S₁與所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線ELVDD&DATA連接，所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線ELVDD&DATA用于連接至第一電源和數(shù)據(jù)信號輸出端，所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線ELVDD&DATA還用于在第一時序內(nèi)向所述第一輸入端S₁輸出數(shù)據(jù)信號，在第二時序內(nèi)向所述第一輸入端S₁輸出電源信號，所述第二輸入端S₂用于連接至第二電源ELVSS，所述第三輸入端S₃與所述掃描線SN連接，所述第四輸入端S₄用于連接參考電壓電源V_ref，所述第五輸入端S₅用于連接發(fā)光控制端EM。

例如，所述有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置還包括第一電源、第二電源、參考電壓電源、數(shù)據(jù)信號輸出端和發(fā)光控制端，例如，所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線與第一電源以及數(shù)據(jù)信號輸出端連接，例如，所述像素電路的所述第一輸入端S1通過所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線與第一電源以及數(shù)據(jù)信號輸出端連接，例如，所述第二輸入端S₂與所述第二電源連接，例如，所述第四輸入端S₄與參考電壓電源連接，例如，所述第五輸入端S₅與所述發(fā)光控制端連接。

例如，該第一輸入端為電源信號以及數(shù)據(jù)信號輸入端，例如，該第一輸入端用于向像素電路輸入電源信號和數(shù)據(jù)信號，該電源信號即為第一電源輸出的信號，例如，該第一電源為ELVDD電源，該ELVDD電源用于提供ELVDD電源信號，例如，該數(shù)據(jù)信號輸出端用于提供數(shù)據(jù)信號，例如，該數(shù)據(jù)信號為DATA信號，例如，該數(shù)據(jù)信號輸出端包括數(shù)據(jù)信號模塊，例如，該數(shù)據(jù)信號輸出端包括數(shù)據(jù)信號電路，該數(shù)據(jù)信號模塊或所述數(shù)據(jù)信號電路用于提供DATA信號，應(yīng)該理解的是，ELVDD電源信號以及DATA信號在像素電路中的表現(xiàn)形式為電壓，例如，ELVDD電源用于向像素電路提供ELVDD電壓，數(shù)據(jù)信號模塊或數(shù)據(jù)信號電路用于向像素電路提供DATA電壓。

例如，所述第二輸入端為第二電源輸入端，例如，第二電源為ELVSS電源，該ELVSS電源用于向像素電路提供ELVSS電壓，例如，所述第三輸入端為掃描信號輸入端，例如，該掃描線為SCAN線，例如，該掃描線用于向像素電路提供掃描信號，該掃描信號即為SCAN信號，例如，所述第四輸入端為參考電壓輸入端，例如，該參考電壓電源用于向像素電路提供參考電壓V_ref，例如，所述第五輸入端為發(fā)光輸入端，例如，該發(fā)光控制端用于向所述像素電路提供發(fā)光信號，該發(fā)光信號用于驅(qū)動像素電路發(fā)光。

例如，有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置還包括控制模塊，該控制模塊可以是控制芯片也可以是控制電路，用于控制第一電源以及數(shù)據(jù)信號輸出端在不同時序內(nèi)通過電源數(shù)據(jù)復(fù)用線向第一輸入端輸出ELVDD電源信號或者DATA信號，第一輸入端通過電源數(shù)據(jù)復(fù)用線與第一電源以及數(shù)據(jù)信號輸出端連接，在不同的時序內(nèi)，接收電源數(shù)據(jù)復(fù)用線輸出的ELVDD電源信號或者DATA信號，進而驅(qū)動像素電路中的有機發(fā)光二極管發(fā)光，從而實現(xiàn)通過一條線對像素電路輸出數(shù)據(jù)信號和電源信號，使得像素電路無需分別連接DATA線以及ELVDD電源線，由此像素的版圖可減少一條金屬線以及減少匹配該金屬線的連接孔，有效縮小金屬線之間的必要間隙，使得顯示像素之間的間隙更小，有效減少像素版圖的面積，使得像素版圖面積減小20％，有效提高PPI，進而使得顯示效果更佳。

例如，如圖2所示，有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置包括若干掃描線210、若干電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220和若干像素電路230，每一所述像素電路230連接一掃描線210和一電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220，例如，每一掃描線210連接多個像素電路230，且每一電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220連接多個像素電路230，例如，若干所述像素電路230呈矩形陣列分布設(shè)置，例如，每一掃描線210連接同一行上的多個像素電路230，例如，每一電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220連接同一列上的多個像素電路230。

例如，請參見圖2，有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置包括控制模塊(圖未示)，所述控制模塊分別與所述掃描線210和所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220連接，例如，該控制模塊為控制電路，例如，該控制模塊為控制芯片，控制模塊用于通過掃描線210向像素電路230輸入SCAN信號(SN₁、SN₂、SN₃……SN_n)，通過電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220向像素電路230輸入DATA信號(d₁、d₂、d₃……d_n)，本實施例中，控制模塊包括了數(shù)據(jù)信號輸出端，該控制模塊還用于切換電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220的輸入信號，例如，在第一時序內(nèi)，控制模塊向電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220輸入DATA信號，以使得像素電路230接收到DATA信號，在第二時序內(nèi)，控制模塊將電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220切換連接至第一電源，該第一電源向電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220輸入ELVDD電源信號，以使得像素電路230接收到ELVDD電源信號，控制模塊分別通過多個掃描線210以及多個電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220，向各像素電路230輸入SCAN信號以及DATA信號，使得各像素電路230接收到SCAN信號以及DATA信號，進而發(fā)光顯示。

例如，請再次參見圖2，有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置包括若干分時驅(qū)動電路240，該分時驅(qū)動電路240與電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220以及控制模塊連接，所述控制模塊用于通過分時驅(qū)動電路240向電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220輸入DATA信號或ELVDD電源信號，該分時驅(qū)動電路240用于提供時序，使得控制模塊在不同時序內(nèi)向電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220輸入DATA信號或ELVDD電源信號，例如，控制模塊用于通過分時驅(qū)動電路240在第一時序內(nèi)向所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220輸入DATA信號，在第二時序內(nèi)向所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線220輸入ELVDD電源信號。

例如，該控制模塊包括發(fā)光控制端，例如，所述發(fā)光控制端與所述控制模塊連接，例如，該控制模塊還用于在第二時序內(nèi)向像素電路輸入發(fā)光信號。

為了實現(xiàn)發(fā)光顯示，例如，每一像素電路中包括一個有機發(fā)光二極管，在一個實施例中，所述像素電路包括驅(qū)動電路和有機發(fā)光二極管D1，所述驅(qū)動電路具有所述第一輸入端、所述第三輸入端、所述第四輸入端和所述第五輸入端，所述驅(qū)動電路具有驅(qū)動輸出端，所述驅(qū)動輸出端與所述有機發(fā)光二極管D1的正極連接，所述有機發(fā)光二極管D1的負極與所述第二輸入端連接。

例如，該有機發(fā)光二極管D1為像素OLED，該像素OLED用于在導(dǎo)通后發(fā)光。

例如，該驅(qū)動電路包括充放電電路、充電電容和發(fā)光電路，該充電電容的兩端分別與充放電電路連接，充電電容的一端與發(fā)光電路連接，發(fā)光電路與有機發(fā)光二極管D1連接，所述充電電容的第一端通過所述充放電電路與第一輸入端連接，所述充電電容的第二端通過所述充放電電路與第三輸入端以及第四輸入端連接，所述發(fā)光電路通過第一輸入端與電源數(shù)據(jù)復(fù)用線連接，且發(fā)光電路通過第五輸入端與所述發(fā)光控制端連接，所述發(fā)光電路與所述有機發(fā)光二極管D1的正極連接，所述有機發(fā)光二極管D1的負極與通過第二輸入端與所述第二電源連接。

例如，所述控制模塊用于在第一時序內(nèi)，通過所述掃描線向所述充電電路輸入SCAN信號，使得充電電路導(dǎo)通，所述控制模塊還用于在第一時序內(nèi)，通過所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線向充電電路輸入DATA信號，對所述充電電容充電；所述控制模塊用于在第二時序內(nèi)，通過所述發(fā)光控制端向所述發(fā)光電路輸入發(fā)光信號，使得所述發(fā)光電路導(dǎo)通，所述控制模塊還用于在第二時序內(nèi)，通過所述電源數(shù)據(jù)復(fù)用線向所述發(fā)光電路輸入ELVDD電源信號，并通過所述充電電容耦合，使得所述有機發(fā)光二極管D1導(dǎo)通，發(fā)光。

在一個實施例中，如圖1所示，所述驅(qū)動電路包括電容C1、晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4和晶體管T5，所述晶體管T1的源極與所述第一輸入端連接，所述晶體管T1的柵極與所述第三輸入端連接，所述晶體管T1的漏極與電容C1的第一端連接，所述晶體管T5的柵極與所述第三輸入端連接，所述晶體管T5的源極與所述電容C1的第二端連接，所述晶體管T5的漏極與所述第四輸入端連接，所述晶體管T3的源極與所述第一輸入端連接，所述晶體管T3的柵極與所述第五輸入端連接，所述晶體管T3的漏極與所述晶體管T2的源極以及所述晶體管T4的源極連接，所述晶體管T2的柵極與所述第五輸入端連接，所述晶體管T2的漏極與所述電容C1的第一端連接，所述晶體管T4的柵極與所述電容C1的第二端連接，所述晶體管T4的漏極與所述驅(qū)動輸出端連接。

在本實施例中，晶體管T1和晶體管T5組成充放電電路，晶體管T2、晶體管T3和晶體管T4組成發(fā)光電路。

具體地，請參見圖1，所述晶體管T1的源極與所述第一輸入端S₁連接，而第一輸入端S₁與電源數(shù)據(jù)復(fù)用線ELVDD&DATA連接，則晶體管T1的源極與電源數(shù)據(jù)復(fù)用線ELVDD&DATA連接，以此類推，所述晶體管T5的柵極與所述掃描線SN連接，所述晶體管T5的漏極與參考電壓電源V_ref連接，所述晶體管T3的源極與電源數(shù)據(jù)復(fù)用線ELVDD&DATA連接，所述晶體管T2的柵極與發(fā)光控制端EM連接，所述晶體管T4的漏極與所述有機發(fā)光二極管D1的正極連接，有機發(fā)光二極管D1的負極與第二電源ELVSS連接。

具體地，一幀時間frame包括第一時序和第二時序，第一時序為數(shù)據(jù)寫入階段，第二時序為發(fā)光階段，請一并參考圖1和圖3，在第一時序內(nèi)，控制模塊通過掃描線向像素電路輸入SCAN信號(SN₁、SN₂、SN₃……SN_n)，該SCAN信號為低電平，晶體管T1和晶體管T5低電平導(dǎo)通，晶體管T1導(dǎo)通，則電源數(shù)據(jù)復(fù)用線至電容C1的第一端A₁的線路通路，晶體管T5導(dǎo)通，則參考電壓電源至電容C1的第二端A₂的線路通路，在第一時序內(nèi)，控制模塊通過電源數(shù)據(jù)復(fù)用線向像素電路輸入DATA信號(d₁、d₂、d₃……d_n)，即C1第一端A₁的電壓V_A1＝V_data，C1第二端A₂的電壓為參考電壓V_ref，即V_A2＝V_ref，則此時，電容C1的電壓V_c1＝V_data-V_ref。應(yīng)該理解的是，有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置包括多個像素電路，控制模塊在第一時序內(nèi)分別向多個像素電路輸入SCAN信號，并分別輸入DATA信號。

在第二時序內(nèi)，控制模塊通過掃描線向像素電路輸入高電平，晶體管T1和晶體管T5關(guān)斷，電容C1的第二端A₂懸空，晶體管T4導(dǎo)通，控制模塊通過發(fā)光控制端向像素電路輸入發(fā)光信號EM，該發(fā)光信號EM為低電平，晶體管T2和晶體管T3低電平導(dǎo)通，電源數(shù)據(jù)復(fù)用線連接至電容C1的第一端A₁，控制模塊將電源數(shù)據(jù)復(fù)用線切換連接至第一電源，第一電源為像素電路提供ELVDD電源信號，電容C1的第一端A₁的電壓V_A1＝V_ELVDD，電容C1通過耦合效應(yīng)，此時，電容C1的第二端A₂的電壓V_A2＝V_ELVDD-(V_data-V_ref)，有機發(fā)光二極管D1導(dǎo)通，有機發(fā)光二極管D1發(fā)光。

具體地，由驅(qū)動電流計算公式：I＝(β/2)*(V_gs-V_th)²可得，有機發(fā)光二極管D1發(fā)光時，V_gs＝(V_A1-V_A2)＝(V_data-V_ref)，有機發(fā)光二極管D1驅(qū)動電流即為I_OLED＝(β/2)*(V_data-V_ref-V_th)²。

值得一提的是，晶體管T1、所述晶體管T2、所述晶體管T3、所述晶體管T4和所述晶體管T5分別用于在SCAN信號和發(fā)光信號EM的低電平下導(dǎo)通，因此，晶體管T1、所述晶體管T2、所述晶體管T3、所述晶體管T4和所述晶體管T5可以是N溝道薄膜晶體管，也可以是P溝道薄膜晶體管，在一個實施例中，所述晶體管T1、所述晶體管T2、所述晶體管T3、所述晶體管T4和所述晶體管T5為N溝道薄膜晶體管，在另外的實施例中，所述晶體管T1、所述晶體管T2、所述晶體管T3、所述晶體管T4和所述晶體管T5為P溝道薄膜晶體管。值得一提的是，上述N溝道薄膜晶體管和P溝道薄膜晶體管均能夠?qū)崿F(xiàn)在SCAN信號和發(fā)光信號EM觸發(fā)下導(dǎo)通，從而使得有機發(fā)光二極管D1導(dǎo)通，發(fā)光。

上述實施例中，電源數(shù)據(jù)復(fù)用線由數(shù)據(jù)線與電源線復(fù)用而成，且連接至第一電源和數(shù)據(jù)信號輸出端，電源數(shù)據(jù)復(fù)用線在不同的時序內(nèi)向像素電路輸出數(shù)據(jù)信號和電源信號，從而實現(xiàn)通過一條線對像素電路輸出數(shù)據(jù)信號和電源信號，由此像素的版圖可減少一條金屬線以及減少匹配該金屬線的連接孔，傳統(tǒng)的AMOLED像素版圖如圖4A所示，傳統(tǒng)的中包括像素電路411、DATA線412和ELVDD線413，DATA線412和ELVDD線413均與像素電路411連接，其中，DATA線412和ELVDD線413都需要占用空間，而上述實施例中，有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置的像素版圖如圖4B所示，包括電源數(shù)據(jù)復(fù)用線420和像素電路430，電源數(shù)據(jù)復(fù)用線與像素電路430連接，由于DATA線和ELVDD線整合為一條電源數(shù)據(jù)復(fù)用線420，減少了像素版圖中金屬線的數(shù)量，有效減小金屬線占用的空間，使得顯示像素之間的間隙更小，有效減少像素版圖的面積，使得像素版圖面積減小20％，從而有效提高PPI，進而使得顯示效果更佳。

以上所述實施例的各技術(shù)特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。