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顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法、顯示面板及顯示裝置與流程

文檔序號(hào):12368534閱讀:280來源:國知局
顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法、顯示面板及顯示裝置與流程

本發(fā)明實(shí)施例涉及顯示技術(shù),尤其涉及一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法、顯示面板及顯示裝置。



背景技術(shù):

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,液晶顯示產(chǎn)品的顯示效果不斷地得到改善,從而使液晶顯示產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛。

顯示產(chǎn)品的功耗與顯示驅(qū)動(dòng)頻率成正比,為降低產(chǎn)品的功耗需要降低顯示驅(qū)動(dòng)頻率。然而,目前的顯示產(chǎn)品在降低驅(qū)動(dòng)頻率后,由于驅(qū)動(dòng)周期變長,像素的保持電壓不斷減小,顯示驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)像素的電壓保持率降低,顯示畫面容易出現(xiàn)閃爍,影響顯示效果。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法、顯示面板及顯示裝置,以提高顯示驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)像素的電壓保持率,降低顯示面板的驅(qū)動(dòng)頻率。

本發(fā)明實(shí)施例的一方面提供了一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法,所述顯示面板的一幀顯示畫面包括充電階段和保持階段;

在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均大于公共電極電壓或者均小于所述公共電極電壓,所述公共電極電壓為VCOM,所述數(shù)據(jù)線上能夠施加的最大正灰階電壓為VDH,所述數(shù)據(jù)線上能夠施加的最大負(fù)灰階電壓為VDL,VDL<VCOM<VDH;

若在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均大于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V的范圍為VCOM+(VDH-VCOM)/3≤V≤VCOM+×2(VDH-VCOM)/3;

若在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均小于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V的范圍為VCOM+2(VDL-VCOM)/3≤V≤VCOM+(VDL-VCOM)/3。

本發(fā)明實(shí)施例的另一方面還提供了一種顯示面板,所述顯示面板采用本發(fā)明任意實(shí)施例所述的顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

本發(fā)明實(shí)施例的又一方面還提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括本發(fā)明任意實(shí)施例所述的顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例通過設(shè)置在一幀顯示畫面的充電階段,同一條數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均大于公共電極電壓或者均小于所述公共電極電壓,并且若一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均大于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V的范圍為VCOM+(VDH-VCOM)/3≤V≤VCOM+2(VDH-VCOM)/3,若在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均小于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V的范圍為VCOM+2(VDL-VCOM)/3≤V≤VCOM+(VDL-VCOM)/3,降低了顯示面板的漏電流,使得像素單元的保持電壓變化減小,提高了顯示驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)像素的電壓保持率,使得顯示面板可以采用較低的驅(qū)動(dòng)頻率。

附圖說明

圖1是一種顯示面板的示意圖;

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板驅(qū)動(dòng)信號(hào)示意圖;

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的提供的一幀畫面內(nèi)像素電極電壓變化示意圖;

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管特性曲線;

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板驅(qū)動(dòng)信號(hào)示意圖;

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板像素連接示意圖;

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種顯示面板像素連接示意圖;

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明??梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

圖1是一種顯示面板的示意圖,參考圖1,顯示面板包括多條柵極線G1、G2……Gm和多條數(shù)據(jù)線S1、S2……Sn,多條柵極線G1、G2……Gm和多條數(shù)據(jù)線S1、S2……Sn限定多個(gè)像素單元110,像素單元110包括像素電極101、公共電極102和薄膜晶體管103,薄膜晶體管103的源極與數(shù)據(jù)線連接,漏極與像素電極101連接,柵極與柵極線連接。圖2是現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板驅(qū)動(dòng)信號(hào)示意圖,現(xiàn)有技術(shù)中主要采用如圖2所示的低頻間歇驅(qū)動(dòng)技術(shù)來降低畫面更新頻率,從而降低顯示面板的功耗。參考圖2,VG1、VG2……VGm-1和VGm為分別施加在柵極線G1、G2……Gm-1和Gm的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),在畫面顯示過程中,通過柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)VG1、VG2……VGm-1和VGm控制1到m行的像素單元的薄膜晶體管依次導(dǎo)通,并在導(dǎo)通期間通過數(shù)據(jù)線為各像素單元的像素電極充電,使像素電極電壓達(dá)到相應(yīng)的灰階電壓Vs。具體的,低頻間歇驅(qū)動(dòng)技術(shù)將每一幀畫面時(shí)間d分為畫面充電時(shí)間c和畫面保持時(shí)間e,在畫面充電時(shí)間c內(nèi)將整個(gè)畫面所要顯示的信息完成寫入,即對像素電極101充電,使像素電極電壓達(dá)到相應(yīng)的灰階電壓Vs;在畫面保持時(shí)間e內(nèi),柵極線和數(shù)據(jù)線都給定某一直流信號(hào)或不給信號(hào),直到下一幀信號(hào)開始,通過這種方式達(dá)到降低顯示面板功耗的目的。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一幀畫面內(nèi)像素電極電壓變化示意圖,參考圖3,Vg為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),由于漏電流的影響,在保持的時(shí)間e內(nèi),像素電極電壓Vp隨著時(shí)間不斷減小。設(shè)e時(shí)間后像素電極電壓為Vp2,充電階段結(jié)束時(shí)像素電極電壓為Vp1,則Vp2/Vp1即為電壓保持率。若保持時(shí)間e較長,則像素電極電壓保持率降低,在保持階段像素電極電壓無法滿足畫面顯示要求,容易出現(xiàn)閃爍。具體的,參考圖2,一幀顯示畫面時(shí)間d=1/S,S為顯示面板的畫面更新頻率。若顯示屏的分別率為M*N,對于一行像素單元來說,充電時(shí)間a=c/N,保持時(shí)間為d-a=1/S-c/N,充電時(shí)間一般較短,若降低顯示面板的畫面更新頻率S,畫面保持時(shí)間增大,電壓保持率降低,容易出現(xiàn)閃爍。

基于上述問題,本案從薄膜晶體管的特性出發(fā)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和仿真。圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管特性曲線,參考圖4,橫坐標(biāo)VGS為薄膜晶體管的柵極與源極之間的壓差,縱坐標(biāo)I為薄膜晶體管中的漏電流。由圖4可以看出,在柵極與源極壓差VGS一定時(shí),漏極與源極之間的壓差VDS越小,即保持階段數(shù)據(jù)線上施加的電壓與像素電極電壓的壓差越小,薄膜晶體管中通過的漏電流越小。

基于上述發(fā)明構(gòu)思,本實(shí)施例提供了一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法,圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板驅(qū)動(dòng)信號(hào)示意圖,參考圖5,所述方法包括:所述顯示面板的一幀顯示畫面包括充電階段和保持階段;

在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均大于公共電極電壓或者均小于所述公共電極電壓,所述公共電極電壓為VCOM,所述數(shù)據(jù)線上能夠施加的最大正灰階電壓為VDH,所述數(shù)據(jù)線上能夠施加的最大負(fù)灰階電壓為VDL,VDL<VCOM<VDH。

若在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均大于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V的范圍為VCOM+(VDH-VCOM)/3≤V≤VCOM+2(VDH-VCOM)/3。

若在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均小于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V的范圍為VCOM+2(VDL-VCOM)/3≤V≤VCOM+(VDL-VCOM)/3。

其中,所述公共電極電壓為零灰階對應(yīng)的電壓,灰階電壓大于公共電極電壓對應(yīng)正灰階,灰階電壓為正極性;灰階電壓小于公共電極電壓對應(yīng)負(fù)灰階,灰階電壓為負(fù)極性。所述最大正灰階電壓為最大正灰階對應(yīng)的電壓,所述最大負(fù)灰階電壓為最大負(fù)灰階對應(yīng)的電壓。參考圖5,VS1為數(shù)據(jù)線S1上的施加的電壓,VS2為數(shù)據(jù)線S2上施加的電壓,在充電階段VS1和VS2的值即為相應(yīng)的灰階電壓,在保持階段VS1和VS2的值即為相應(yīng)的保持電壓。以數(shù)據(jù)線S1為例,在第一幀顯示畫面的充電階段C1,VCOM≤VS1≤VDH,像素電極充電完成后,像素電極電壓達(dá)到VS1;在第一幀顯示畫面的保持階段E1,薄膜晶體管關(guān)閉,像素電極不再充電,數(shù)據(jù)線S1上施加的電壓變化為VCOM+(VDH-VCOM)/3≤VS1≤VCOM+2(VDH-VCOM)/3,這樣設(shè)置使得在保持階段數(shù)據(jù)線上的電壓與像素電極電壓的差值較小,即薄膜晶體管的漏極與源極的壓差較小,從而降低了薄膜晶體管中的漏電流,提高了顯示驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)像素的電壓保持率,使得顯示面板可以采用較低的驅(qū)動(dòng)頻率。以數(shù)據(jù)線S2為例,在第一幀顯示畫面的充電階段C1,VDL≤VS2≤VCOM,像素電極充電完成后,像素電極電壓達(dá)到VS2;在第一幀顯示畫面的保持階段E1,薄膜晶體管關(guān)閉,像素電極不再充電,數(shù)據(jù)線S2上施加的電壓變化為VCOM+2(VDL-VCOM)/3≤VS2≤VCOM+(VDL-VCOM)/3,這樣設(shè)置使得在保持階段數(shù)據(jù)線上的電壓與像素電極電壓的差值較小,即薄膜晶體管的漏極與源極的壓差較小,從而降低了薄膜晶體管中的漏電流,從而提高了顯示驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)像素的電壓保持率,使得顯示面板可以采用較低的驅(qū)動(dòng)頻率。

本實(shí)施例中,若在一幀顯示畫面的充電階段,同一條數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均大于公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V的范圍為VCOM+(VDH-VCOM)/3≤V≤VCOM+2(VDH-VCOM)/3,若在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓均小于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V的范圍為VCOM+2(VDL-VCOM)/3≤V≤VCOM+(VDL-VCOM)/3,這樣設(shè)置使得各像素單元的保持電壓V與像素電極上的灰階電壓的壓差的均值較小,即各薄膜晶體管源極與漏極之間的壓差均值較小,使得各薄膜晶體管中通過的漏電流均值較小,整體上提高了顯示面板各像素單元的電壓保持率,使得顯示面板可以采用較低的驅(qū)動(dòng)頻率,從而降低了顯示面板的功耗。

可選的,若在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓大于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V=VCOM+(VDH-VCOM)/2。具體的,參考圖5,以VS1為例,在第一幀顯示畫面的充電階段C1,VCOM≤VS1≤VDH,若在保持階段E1,VS1=VCOM+(VDH-VCOM)/2,為VCOM與VDH的均值,使得保持階段像素電極電壓與VCOM的差值進(jìn)一步減小,即進(jìn)一步降低了薄膜晶體管源極與漏極之間的壓差,使得薄膜晶體管中通過的漏電流更小,從而進(jìn)一步提高了顯示驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)像素的電壓保持率,使得顯示面板可以采用更低的驅(qū)動(dòng)頻率。

可選的,若在所述一幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓小于所述公共電極電壓,則在所述一幀顯示畫面的保持階段,所述數(shù)據(jù)線上施加的保持電壓V=VCOM+(VDL-VCOM)/2。具體的,參考圖5,以VS2為例,在第一幀顯示畫面的充電階段C1,VDL≤VS2≤VCOM,若在保持階段E1,VS2=VCOM+(VDL-VCOM)/2,為VCOM與VDL的均值,使得保持階段像素電極電壓與VCOM的差值進(jìn)一步減小,即進(jìn)一步降低了薄膜晶體管源極與漏極之間的壓差,使得薄膜晶體管中通過的漏電流更小,從而進(jìn)一步提高了顯示驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)像素的電壓保持率,使得顯示面板可以采用更低的驅(qū)動(dòng)頻率。

可選的,在相鄰前后兩幀顯示畫面的充電階段,同一條所述數(shù)據(jù)線上的灰階電壓與所述公共電極電壓差的極性相反。參考圖5,在第一幀顯示畫面的充電階段C1,數(shù)據(jù)線S1上施加的灰階電壓VS1與VCOM的差大于零,在第二幀顯示畫面的充電階段C2,數(shù)據(jù)線S1上的灰階電壓VS1與VCOM的差小于零,即相鄰前后兩幀顯示畫面的充電階段,數(shù)據(jù)線S1上的灰階電壓與公共電極電壓差的極性相反。具體的,若灰階電壓長時(shí)間維持正極性或負(fù)極線,液晶分子液晶可能受到破壞,因此每隔一段時(shí)間就需要切換灰階電壓的極性。通過在相鄰前后兩幀顯示畫面的充電階段,使同一條所述數(shù)據(jù)線上的灰階電壓與所述公共電極電壓差的極性相反,避免了長時(shí)間維持在某一極性而使液晶分子特性遭到破壞。

可選的,在所述一幀顯示畫面的充電階段內(nèi),相鄰兩條所述數(shù)據(jù)線上的灰階電壓與所述公共電極電壓差的極性相反。參考圖5,數(shù)據(jù)線S1和S2為相鄰的兩條數(shù)據(jù)線,在第一幀顯示畫面的充電階段內(nèi),VS1與VCOM的壓差大于零,VS2與VCOM的壓差小于零,VS1與VS2極性相反,從而達(dá)到抑制閃爍的效果。

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板像素連接示意圖,參考圖6,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓用于為同一列像素單元提供灰階信號(hào),即同一條數(shù)據(jù)線與同一列像素單元連接,顯示面板可以實(shí)現(xiàn)列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式或幀反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式,由于列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式與幀反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式的功耗較低,采用上述連接方式進(jìn)一步降低了顯示面板的功耗。另外,采用列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式使得相鄰兩列像素單元的灰階電壓極性相反,一定程度上起到了抑制閃爍的作用。例如,參考圖6,在一幀顯示畫面內(nèi),可以對與數(shù)據(jù)線S1連接的像素電壓均施加正極性灰階電壓,圖中以“+”表示,對與數(shù)據(jù)線S2連接的像素單元均施加負(fù)極性灰階信號(hào),圖中以“-”表示。

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種顯示面板像素連接示意圖,參考圖7,同一條所述數(shù)據(jù)線上施加的灰階電壓用于為與所述數(shù)據(jù)線相鄰的兩列像素單元中的一列像素單元中的奇數(shù)行像素單元和另一列像素單元中的偶數(shù)行像素單元提供灰階信號(hào)。具體的,采用上述連接方式,顯示面板可以實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式,每個(gè)像素單元的灰階電壓與自己相鄰的上下左右四個(gè)像素單元的灰階電壓保持相反的極性,進(jìn)一步抑制了閃爍。

可選的,采用本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法,所述顯示面板的顯示畫面的幀頻范圍,即畫面更新頻率可以為0.5Hz-45Hz,在保證具有較高的畫面顯示質(zhì)量的同時(shí),降低了顯示面板的功耗。另外,所述顯示面板的所述一幀顯示畫面的充電階段的時(shí)間可以為1/60s-1/30s,在降低顯示面板功耗的同時(shí),滿足了人眼對畫面切換速度的要求。所述顯示面板的所述一幀顯示畫面內(nèi),所述充電階段與所述保持階段的時(shí)間之間的比值R的范圍可以為1:5≤R≤1:1。具體的,可以根據(jù)充電時(shí)間以及顯示畫面的幀頻選擇合適的比值R,以保證在降低顯示面板功耗的同時(shí)具有較高的電壓保持率,使顯示面板具有較高的圖像顯示質(zhì)量。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板,所述顯示面板采用本發(fā)明任意實(shí)施例提供的所述的顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行驅(qū)動(dòng),例如圖1所示的顯示面板。需要說明的是,圖1中僅示例性的示出了一條數(shù)據(jù)線為同一列像素單元提供灰階信號(hào)的連接方式,并非對本發(fā)明的限定。

另外,需要說明的是,本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板,包括陣列基板,陣列基板包括薄膜晶體管,薄膜晶體管可以為低溫多晶硅(LTPS,Low Temperature Poly Silicon)薄膜晶體管,也可以是氧化物(Oxide)薄膜晶體管,還可以為非晶硅(A-Si,Amorphous Silicon)薄膜晶體管等其他類型的薄膜晶體管,本實(shí)施例對此不作特殊限定。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的示意圖,參考圖8,所述顯示裝置包括本發(fā)明任意實(shí)施例所述的顯示面板100,其中,顯示裝置可以為如圖中所示的手機(jī),也可以為電腦、電視機(jī)、智能穿戴顯示裝置等,本實(shí)施例對比不作特殊限定。此外,顯示面板100可以為液晶顯示面板,也可以為有機(jī)發(fā)光顯示面板,還可以為其他類型的顯示面板,本實(shí)施例對此亦不作特殊限定。

注意,上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解,本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例,對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明,但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下,還可以包括更多其他等效實(shí)施例,而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。

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