技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種具有降低的數(shù)據(jù)信號失真的顯示裝置。

背景技術(shù)：

在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，薄膜晶體管(TFT)通常設(shè)置在每個子像素中以調(diào)整每個子像素的亮度。TFT根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)信號調(diào)整每個子像素的亮度。

然而，在顯示裝置中，數(shù)據(jù)信號在被傳輸?shù)阶酉袼貢r可能失真，因此，子像素的實(shí)際亮度可能不同于預(yù)期的亮度。在這種情況下，圖像會不同于所預(yù)期地顯示在顯示裝置上。因此，顯示圖像可能是低質(zhì)量圖像。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，顯示裝置包括在第一方向上延伸的數(shù)據(jù)線。主掃描線與數(shù)據(jù)線基本平行地設(shè)置。子掃描線在穿過主掃描線的第二方向上延伸，其中，子掃描線與主掃描線電連接。驅(qū)動電壓線在第一方向上延伸并且設(shè)置在數(shù)據(jù)線與主掃描線之間。屏蔽層設(shè)置在與其上設(shè)置有驅(qū)動電壓線的層不同的層上，屏蔽層與驅(qū)動電壓線電連接。屏蔽層與數(shù)據(jù)線和主掃描線中的至少一條疊置。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線、主掃描線和驅(qū)動電壓線設(shè)置在同一層上。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，屏蔽層設(shè)置在其上設(shè)置有子掃描線的層上。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，子掃描線設(shè)置在數(shù)據(jù)線、主掃描線和驅(qū)動電壓線下方。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，顯示裝置還包括具有第一存儲電容器極板和第二存儲電容器極板的存儲電容器，第二存儲電容器極板與第一存儲電容器極板疊置并且設(shè)置在第一存儲電容器極板上方。屏蔽層是第二存儲電容器極板的一部分。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，第二存儲電容器極板設(shè)置在數(shù)據(jù)線、主掃描線和驅(qū)動電壓線下方。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，屏蔽層與數(shù)據(jù)線和主掃描線中的每條疊置。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，兩個子像素彼此鄰近地設(shè)置成關(guān)于平行于第一方向的軸對稱地相對。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，屏蔽層整體地形成在兩個鄰近的子像素中。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，顯示裝置包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域在顯示區(qū)域的外周邊中不包括有角的部分。數(shù)據(jù)線、主掃描線、子掃描線和驅(qū)動電壓線設(shè)置在顯示區(qū)域中。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，顯示裝置包括圓形的、卵形的、或橢圓形的顯示區(qū)域。數(shù)據(jù)線、主掃描線、子掃描線和驅(qū)動電壓線設(shè)置在顯示區(qū)域中。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，顯示裝置包括設(shè)置在第一層上的子掃描線，子掃描線在第二方向上延伸。屏蔽層設(shè)置在第二層上。主掃描線設(shè)置在第三層上，主掃描線在穿過第二方向的第一方向上延伸。子掃描線和主掃描線電連接。第二層設(shè)置在第一層和第三層之間。數(shù)據(jù)線設(shè)置在第三層上并且在第一方向上延伸。驅(qū)動電壓線設(shè)置在第三層上并且在第一方向上延伸。屏蔽層與驅(qū)動電壓線電連接。屏蔽層與數(shù)據(jù)線和主掃描線中的至少一條疊置。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，屏蔽層與數(shù)據(jù)線和主掃描線疊置。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，顯示裝置還包括電容器，其中，電容器包括設(shè)置在第一層上的第一電容器極板和設(shè)置在第二層上的第二電容器極板，其中，第二電容器極板電連接到屏蔽層。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，第二電容器極板和驅(qū)動電壓線通過形 成在第三層中的接觸孔電連接。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，屏蔽層是第二電容器極板的一部分。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，屏蔽層具有L形狀。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線設(shè)置在主掃描線和驅(qū)動電壓線之間。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，顯示裝置包括設(shè)置在第一層上的子掃描線，子掃描線在第二方向上延伸。屏蔽層設(shè)置在第一層上。電容器包括設(shè)置在第一層上的第一電容器極板和設(shè)置在第二層上的第二電容器極板。主掃描線設(shè)置在第三層上，主掃描線在穿過第二方向的第一方向上延伸。子掃描線和主掃描線電連接。第二層設(shè)置在第一層和第三層之間。數(shù)據(jù)線設(shè)置在第三層上并且在第一方向上延伸。驅(qū)動電壓線設(shè)置在第三層上并且在第一方向上延伸。屏蔽層電連接到驅(qū)動電壓線。屏蔽層與數(shù)據(jù)線或主掃描線疊置。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，屏蔽層與數(shù)據(jù)線和主掃描線疊置。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其他特征和方面將變得更加明顯且更易于理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出顯示裝置的一部分的圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出圖1的顯示裝置的一部分的圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出圖1的顯示裝置的一部分的圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出圖1的顯示裝置的子像素的等效電路圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出圖4的子像素中的多個薄膜晶體管(TFT)、電容器和其他元件的位置的布局圖；

圖6至圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例而依據(jù)設(shè)置有圖5的多個TFT和電容器的組件的層來示出圖5的多個TFT和電容器的組件的布局圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出包括在顯示裝置的兩個子像素中的多個TFT和電容器的位置的布局圖；以及

圖11至圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例而依據(jù)設(shè)置有包括在顯 示裝置的子像素中的多個TFT和電容器的組件的層來示出包括在顯示裝置的子像素中的多個TFT和電容器的組件的布局圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同形式來實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)該被解釋為受限于這里闡述的示例性實(shí)施例。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”可以包括一個或更多個相關(guān)列出項(xiàng)的任意組合和全部組合。

貫穿說明書，同樣的附圖標(biāo)號可以表示同樣的元件。因此，可以省略對其重復(fù)的描述。

將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱為“形成在”另一層、區(qū)域或組件“上”時，該層、區(qū)域或組件可以直接形成在所述另一層、區(qū)域或組件上，或者可以存在中間層、區(qū)域或組件。為了便于解釋，可以夸大附圖中組件的尺寸。因此，因?yàn)闉榱吮阌诮忉尶梢匀我馐境龈綀D中組件的尺寸和厚度，所以本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例不限于此。

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出顯示裝置的一部分的圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出圖1的顯示裝置的一部分的圖。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置包括設(shè)置在基底Sub上的多條第一數(shù)據(jù)線DL1、多條第二數(shù)據(jù)線DL2、多條主掃描線MSL、多條子掃描線SSL、多個第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1、多個第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2、多個掃描線焊盤SLP和多條驅(qū)動電壓線。

基底Sub可以通過使用諸如玻璃、金屬或塑料的各種材料形成?；譙ub包括顯示區(qū)域DA和在平面圖中圍繞顯示區(qū)域DA的第一外圍區(qū)域PA1。在圖1和圖2中，顯示區(qū)域DA是圓形形狀的而第一外圍區(qū)域PA1是環(huán)形形狀的并且在平面圖中圍繞顯示區(qū)域DA。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，顯示區(qū)域DA可以是圓形的、橢圓形的等。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第一外圍區(qū)域PA1沿顯示區(qū)域DA的外周邊設(shè)置。如圖1和圖2中示出的，除了第一外圍區(qū)域PA1之外，基底Sub可以包括從第一外圍區(qū)域PA1的一部分突出的第二外圍區(qū)域PA2。例如，第二外圍區(qū)域PA2可以連接到第一外圍區(qū)域PA1。顯示區(qū)域DA可以包括第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域。例如，如圖1和圖2中示出的，顯示區(qū)域DA的第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域中的每個可 以是半圓形形狀的，第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域的彼此接觸的各個部分可以穿過顯示區(qū)域DA的中心并且在y軸方向上延伸。例如，第一顯示區(qū)域可以對應(yīng)于圖1的顯示區(qū)域DA的左部，第二顯示區(qū)域可以對應(yīng)于圖1的顯示區(qū)域DA的右部。

多條第一數(shù)據(jù)線DL1可以在y軸方向上延伸、可以設(shè)置在第一顯示區(qū)域中并且可以彼此平行地穿過第一顯示區(qū)域。為了便于描述，在圖1中，八條第一數(shù)據(jù)線D1至D8被示例性示出在第一顯示區(qū)域中(例如，設(shè)置在第一區(qū)域中)。當(dāng)顯示區(qū)域DA是圓形形狀的區(qū)域時，第一數(shù)據(jù)線D1至D8可以具有如圖1中示出的不同的長度。第二數(shù)據(jù)線DL2也可以在y軸方向上延伸并且可以彼此平行地穿過第二顯示區(qū)域。與第一數(shù)據(jù)線D1至D8相似，在圖1中，八條第二數(shù)據(jù)線D9至D16被示例性示出在第二顯示區(qū)域中。因?yàn)轱@示區(qū)域DA是圓形形狀的，所以第二數(shù)據(jù)線D9至D16可以具有如圖1中示出的不同的長度。第二數(shù)據(jù)線D9至D16平行于第一數(shù)據(jù)線D1至D8。

參照圖2，主掃描線MSL彼此平行地穿過顯示區(qū)域DA，主掃描線MSL平行于第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2。在圖2中，十六條主掃描線MS1至MS16示例性示出為在y軸方向上延伸。主掃描線MS1至MS16可以具有不同的長度，或者一些可以具有相同的長度。當(dāng)設(shè)置穿過顯示區(qū)域DA的主掃描線MSL時，每條主掃描線MSL可以設(shè)置在顯示區(qū)域DA的至少一部分中。每條主掃描線MSL不必穿過整個顯示區(qū)域DA。

主掃描線MSL可以包括多條第一主掃描線MSL1和多條第二主掃描線MSL2。在這種情況下，與第一數(shù)據(jù)線DL1相似，第一主掃描線MSL1可以彼此平行地穿過第一顯示區(qū)域。與第二數(shù)據(jù)線DL2相似，第二主掃描線MSL2可以彼此平行地穿過第二顯示區(qū)域。在圖2中，在左側(cè)的八條主掃描線MS1至MS8是第一主掃描線MSL1，在右側(cè)的八條主掃描線MS9至MS16是第二主掃描線MSL2。八條主掃描線MS1至MS8和八條主掃描線MS9至MS16是為了便于解釋而示例性示出的。本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例可以包括大于或小于八條第一主掃描線MSL1以及大于或小于八條第二主掃描線MSL2。

主掃描線MSL不直接接觸第一數(shù)據(jù)線DL1或第二數(shù)據(jù)線DL2。在主掃描線MSL設(shè)置在與第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2同一層上的情況下，它們可以交替地設(shè)置使得主掃描線MSL與第一數(shù)據(jù)線DL1彼此不直接接觸?？蛇x擇地，在需要時，主掃描線MSL可以設(shè)置在不同于其上設(shè)置有第一數(shù)據(jù) 線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2的層的層上。

子掃描線SSL彼此平行地穿過顯示區(qū)域DA。設(shè)置多條子掃描線SSL使得它們與主掃描線MSL交叉(例如，穿過主掃描線MSL)。在圖2中，子掃描線SSL在x軸方向上延伸并與在y軸方向上延伸的主掃描線MSL交叉。子掃描線SSL可以分別連接到主掃描線MSL。在圖2中，多條子掃描線SSL中的十六條子掃描線SS1至SS16分別連接到十六條主掃描線MS1至MS16。

子掃描線SSL可以設(shè)置在不同于其上設(shè)置有主掃描線MSL的層的層上。絕緣層可以設(shè)置在子掃描線SSL與主掃描線MSL之間。此外，子掃描線SSL可以通過形成在絕緣層中的接觸孔電連接到主掃描線MSL。在圖2中，子掃描線SSL通過用黑點(diǎn)表示的接觸孔電連接到主掃描線MSL。例如，主掃描線MS1電連接到子掃描線SS1，主掃描線MS2電連接到子掃描線SS2，同樣地，主掃描線MS16電連接到子掃描線SS16。

第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2與子掃描線SSL之間的交叉可以限定子像素。在下文中，子像素和像素兩者都可以被稱為“子像素”。圖3是示出圖1的顯示裝置的一部分(例如，子像素區(qū)域)的圖。如圖3中示出的，子像素P(3,6)位于子掃描線SS3與數(shù)據(jù)線D6之間的交叉處，子像素P(3,7)位于子掃描線SS3與數(shù)據(jù)線D7之間的交叉處，子像素P(3,8)位于子掃描線SS3與數(shù)據(jù)線D8之間的交叉處。子像素P(4,6)位于子掃描線SS4與數(shù)據(jù)線D6之間的交叉處，子像素P(4,7)位于子掃描線SS4與數(shù)據(jù)線D7之間的交叉處，子像素P(4,8)位于子掃描線SS4與數(shù)據(jù)線D8之間的交叉處。

子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)中的每個可以包括薄膜晶體管(TFT)或電容器以及顯示器件。顯示器件可以包括例如有機(jī)發(fā)光器件(OLED)?？梢允褂酶鞣N方法來控制由子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)發(fā)射的光的量。例如，通過將掃描信號施加到主掃描線MS3，掃描信號傳輸?shù)诫娺B接到主掃描線MS3的子掃描線SS3，可以選擇連接到子掃描線SS3的子像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)。在這種情況下，當(dāng)與將要由子像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)發(fā)射的光的亮度有關(guān)的數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線D6至D8時，可以根據(jù)施加的數(shù)據(jù)信號來確定由子像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)發(fā)射的光的亮度。通過將掃描信號施加到主掃描線MS4，掃描信號傳輸?shù)诫娺B接到主掃描線MS4的子掃描線SS4，可以選擇子像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)。在這種情況下，當(dāng)與將要由子像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)發(fā)射的光 的亮度有關(guān)的數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線D6至D8時，可以根據(jù)施加的數(shù)據(jù)信號來確定由子像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)發(fā)射的光的亮度。

除了主掃描線MS2至MS4、子掃描線SS3和SS4以及數(shù)據(jù)線D6至D8之外，圖3中也示出了驅(qū)動電壓線P6至P8。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置包括在y軸方向上延伸并彼此平行地穿過第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域的驅(qū)動電壓線。驅(qū)動電壓線P6至P8將子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)的發(fā)射所需要的電信號傳輸?shù)阶酉袼豍(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)。

如圖1中示出的，第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1可以位于基底Sub的第二外圍區(qū)域PA2中而不是基底Sub的顯示區(qū)域DA中，使得數(shù)據(jù)信號可以施加到第一數(shù)據(jù)線DL1。第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1可以位于第一數(shù)據(jù)線DL1的一側(cè)(例如，-y方向)使得第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1可以連接到第一數(shù)據(jù)線DL1。如圖1中示出的，第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2可以位于基底Sub的第二外圍區(qū)域PA2中而不是基底Sub的顯示區(qū)域DA中，使得數(shù)據(jù)信號可以施加到第二數(shù)據(jù)線DL2。第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2可以設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線DL2的一側(cè)(例如，-y方向)使得第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2可以連接到第二數(shù)據(jù)線DL2。

如圖1中示出的，第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1可以僅指示位于第二外圍區(qū)域PA2中且平行于y軸方向延伸的元件。在這種情況下，可以通過圖1中的不平行于x軸或y軸的連接線連接第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1和第一數(shù)據(jù)線DL1。連接線可以設(shè)置在其上設(shè)置有第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1和第一數(shù)據(jù)線DL1的層上或者在與其上設(shè)置有第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1和第一數(shù)據(jù)線DL1的層不同的層上。連接線可以通過接觸孔使第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1與第一數(shù)據(jù)線DL1電連接。相似的結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2以及使第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2與第二數(shù)據(jù)線DL2連接的連接線。例如，連接第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2與第二數(shù)據(jù)線DL2的連接線可以設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2和第二數(shù)據(jù)線DL2位于其上的層上，或者在與其上設(shè)置有第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2和第二數(shù)據(jù)線DL2的層不同的層上。連接線可以通過接觸孔使第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2與第二數(shù)據(jù)線DL2電連接。

如圖2中示出的，掃描線焊盤SLP可以設(shè)置在基底Sub的第二外圍區(qū)域PA2中而不是基底Sub的顯示區(qū)域DA中，使得掃描信號可以施加到主掃描線MSL。掃描線焊盤SLP可以設(shè)置在主掃描線MSL的一側(cè)(例如，-y方向) 使得掃描線焊盤SLP可以連接到主掃描線MSL。掃描線焊盤SLP可以設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1與第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2之間。

掃描驅(qū)動電路SDU可以設(shè)置在主掃描線MSL與掃描線焊盤SLP之間。主掃描線MSL和掃描線焊盤SLP可以電連接到掃描驅(qū)動電路SDU。掃描驅(qū)動電路SDU包括例如移位寄存器，并且還可以包括在形成顯示區(qū)域DA中的子像素中包括的TFT時同時形成的TFT。

掃描驅(qū)動電路SDU可以根據(jù)驅(qū)動顯示裝置的方法以各種方式操作。例如，掃描信號可以順序地施加到主掃描線MS 1至MS16使得掃描信號可以順序地施加到子掃描線SS1至SS 16。因此，可以選擇電連接到子掃描線SS1的子像素，順序地選擇電連接到子掃描線SS2的子像素直到電連接到子掃描線SS 16的子像素。在這種情況下，掃描線焊盤SLP可以是向其施加掃描驅(qū)動電路SDU中的TFT所需要的高信號、低信號和/或時鐘信號的組件。

掃描驅(qū)動電路SDU可以以各種方式構(gòu)造。例如，如圖2中示出的，掃描驅(qū)動電路SDU可以包括電連接到第一主掃描線MSL1的第一掃描驅(qū)動電路SDU1以及電連接到第二主掃描線MSL2的第二掃描驅(qū)動電路SDU2。在這種情況下，第一掃描線焊盤SLP1可以電連接到第一掃描驅(qū)動電路SDU1，第二掃描線焊盤SLP2可以電連接到第二掃描驅(qū)動電路SDU2。

集成電路(IC)或IC附著于其的印刷電路板(PCB)可以附著到第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1、第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2和掃描線焊盤SLP。因此，經(jīng)過IC的電信號可以輸入到第一數(shù)據(jù)線焊盤DLP1、第二數(shù)據(jù)線焊盤DLP2和掃描線焊盤SLP，因此，圖像顯示在顯示區(qū)域DA中。

在下文中，將描述每個子像素的構(gòu)造。

圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出圖1的顯示裝置的子像素的等效電路圖。如圖4中示出的，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素包括多條信號線121、122、123、124、171和172、連接到信號線121、122、123、124、171和172的多個TFT T1至T6、存儲電容器Cst以及OLED。信號線121、122、123、124、171和172可以在多個子像素之間共用。

TFT包括驅(qū)動TFT T1、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6。

信號線包括傳輸掃描信號Sn的掃描線121、將前掃描信號Sn-1傳輸?shù)? 初始化TFT T4的前掃描線122、將發(fā)射控制信號En傳輸?shù)讲僮骺刂芓FT T5和發(fā)射控制TFT T6的發(fā)射控制線123、與掃描線121交叉并且傳輸數(shù)據(jù)信號Dm的數(shù)據(jù)線171、傳輸驅(qū)動電壓ELVDD并且基本平行于數(shù)據(jù)線171的驅(qū)動電壓線172、傳輸使驅(qū)動TFT T1初始化的初始化電壓Vint的初始化電壓線124。掃描線121或前掃描線122可以連接到上面參照圖1至圖3描述的子掃描線SS1至SS16或者包括在子掃描線SS1至SS16的一部分中。根據(jù)連接到數(shù)據(jù)線171的子像素的位置，數(shù)據(jù)線171可以是第一數(shù)據(jù)線DL1中的一條或第二數(shù)據(jù)線DL2中的一條。

驅(qū)動TFT T1的柵電極GE1連接到存儲電容器Cst的第一存儲電容器極板Cst1，驅(qū)動TFT T1的源電極SE1通過操作控制TFT T5與驅(qū)動電壓線172連接，驅(qū)動TFT T1的漏電極DE1通過發(fā)射控制TFT T6與OLED的像素電極電連接。驅(qū)動TFT T1根據(jù)開關(guān)TFT T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號Dm并且將驅(qū)動電流I_OLED供應(yīng)到OLED。

開關(guān)TFT T2的柵電極GE2連接到掃描線121，開關(guān)TFT T2的源電極SE2連接到數(shù)據(jù)線171，開關(guān)TFT T2的漏電極DE2連接到驅(qū)動TFT T1的源電極SE1并且通過操作控制TFT T5連接到驅(qū)動電壓線172。開關(guān)TFT T2通過經(jīng)由掃描線121接收到的掃描信號Sn而導(dǎo)通，并且執(zhí)行包括將經(jīng)由數(shù)據(jù)線171接收到的數(shù)據(jù)信號Dm傳輸?shù)津?qū)動TFT T1的源電極SE1的開關(guān)操作。

補(bǔ)償TFT T3的柵電極GE3連接到掃描線121，補(bǔ)償TFT T3的源電極SE3連接到驅(qū)動TFT T1的漏電極DE1并且通過發(fā)射控制TFT T6連接到OLED的像素電極，補(bǔ)償TFT T3的漏電極DE3連接到存儲電容器Cst的第一存儲電容器極板Cst1、初始化TFT T4的漏電極DE4和驅(qū)動TFT T1的柵電極GE1。補(bǔ)償TFT T3通過經(jīng)由掃描線121接收的掃描信號Sn導(dǎo)通，電連接驅(qū)動TFT T1的柵電極GE1和漏電極DE1，因此，二極管連接驅(qū)動TFT T1。

初始化TFT T4的柵電極GE4連接到前掃描線122，初始化TFT T4的源電極SE4與初始化電壓線124連接，初始化TFT T4的漏電極DE4連接到存儲電容器Cst的第一存儲電容器極板Cst1、補(bǔ)償TFT T3的漏電極DE3和驅(qū)動TFT T1的柵電極GE1。初始化TFT T4通過經(jīng)由前掃描線122接收的前掃描信號Sn-1導(dǎo)通，并且執(zhí)行初始化操作。例如，初始化TFT T4通過將初始化電壓Vint傳輸?shù)津?qū)動TFT T1的柵電極GE1來將驅(qū)動TFT T1的柵電極GE1的電壓初始化。

操作控制TFT T5的柵電極GE5連接到發(fā)射控制線123，操作控制TFT T5的源電極SE5連接到驅(qū)動電壓線172，操作控制TFT T5的漏電極DE5連接到驅(qū)動TFT T1的源電極SE1和開關(guān)TFT T2的漏電極DE2。

發(fā)射控制TFT T6的柵電極GE6連接到發(fā)射控制線123，發(fā)射控制TFT T6的源電極SE6連接到驅(qū)動TFT T1的漏電極DE1和補(bǔ)償TFT T3的源電極SE3，發(fā)射控制TFT T6的漏電極DE6與OLED的像素電極電連接。操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6通過經(jīng)由發(fā)射控制線123接收到的發(fā)射控制信號En而同時導(dǎo)通，驅(qū)動電壓ELVDD傳輸?shù)絆LED，驅(qū)動電流I_OLED流入OLED中。

存儲電容器Cst的第二存儲電容器極板Cst2連接到驅(qū)動電壓線172，OLED的相對電極連接到公共電壓ELVSS。因此，OLED通過用從驅(qū)動TFT T1接收的驅(qū)動電流I_OLED發(fā)射光來顯示圖像。

在下文中，將根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例描述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素的操作。

在初始化時段期間，通過前掃描線122供應(yīng)低電平前掃描信號Sn-1。隨后，初始化TFT T4根據(jù)低電平前掃描信號Sn-1而導(dǎo)通，來自初始化電壓線124的初始化電壓Vint通過初始化TFT T4傳輸?shù)津?qū)動TFT T1的柵電極GE1。因此，驅(qū)動TFT T1被初始化電壓Vint初始化。

在數(shù)據(jù)編程時段期間，通過掃描線121供應(yīng)低電平掃描信號Sn。隨后，開關(guān)TFT T2和補(bǔ)償TFT T3根據(jù)低電平掃描信號Sn導(dǎo)通。因此，驅(qū)動TFT T1通過導(dǎo)通的補(bǔ)償TFT T3二極管連接并且正向偏置。隨后，從數(shù)據(jù)線171供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號Dm減去驅(qū)動TFT T1的閾值電壓，例如，補(bǔ)償電壓(Dm+驅(qū)動TFT T1的閾值電壓，其中，驅(qū)動TFT T1的閾值電壓是負(fù)(-)值)施加到驅(qū)動TFT T1的柵電極GE1。驅(qū)動電壓ELVDD和補(bǔ)償電壓(Dm+驅(qū)動TFT T1的閾值電壓)施加到存儲電容器Cst的兩端。因此，存儲電容器Cst存儲與驅(qū)動電壓ELVDD和補(bǔ)償電壓之間的電壓差對應(yīng)的電荷。

在發(fā)射時段期間從發(fā)射控制線123供應(yīng)的發(fā)射控制信號En從高電平改變?yōu)榈碗娖?。因?yàn)椴僮骺刂芓FT T5和發(fā)射控制TFT T6通過低電平發(fā)射控制信號En導(dǎo)通，因此，產(chǎn)生根據(jù)驅(qū)動TFT T1的柵電極GE1的電壓與驅(qū)動電壓ELVDD之間的電壓差而確定的驅(qū)動電流I_OLED。驅(qū)動電流I_OLED通過發(fā)射控制TFT T6供應(yīng)到OLED。在發(fā)射時段期間，驅(qū)動TFT T1的柵極-源極電壓通過存儲電容器Cst保持為(Dm+驅(qū)動TFT T1的閾值電壓)-ELVDD。基于驅(qū)動TFT T1的電流-電壓關(guān)系，因?yàn)轵?qū)動電流I_OLED與(Dm-ELVDD)²(驅(qū)動TFT T1的柵極-源極電壓減去驅(qū)動TFT T1的閾值電壓的平方值)有關(guān)，所以與驅(qū)動TFT T1的閾值Vth無關(guān)地確定驅(qū)動電流I_OLED。

在下文中，將參照圖5至圖9描述圖4的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。

圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出圖4的子像素的多個薄膜晶體管(TFT)、電容器和其他元件的位置的布局圖。圖6至圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例而依據(jù)設(shè)置有圖5的多個TFT和電容器的組件的層來示出圖5的多個TFT和電容器的組件的布局圖。例如，圖6至圖9示出設(shè)置在同一層(例如，在各個圖中示出的層)上的線或半導(dǎo)體層的布局。絕緣層可以設(shè)置在圖6至圖9中示出的層上的結(jié)構(gòu)之間。例如，第一絕緣層可以設(shè)置在圖6中示出的層與圖7中示出的層之間，第二絕緣層可以設(shè)置在圖7中示出的層與圖8中示出的層之間，層間絕緣層可以設(shè)置在圖8中示出的層與圖9中示出的層之間。接觸孔可以形成在絕緣層中以使圖6至圖9中示出的層上的結(jié)構(gòu)電連接且豎直連接。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素包括形成在行方向上并且分別施加掃描信號Sn、前掃描信號Sn-1、發(fā)射控制信號En和初始化電壓Vint的掃描線121、前掃描線122、發(fā)射控制線123和初始化電壓線124。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素可以包括與掃描線121、前掃描線122、發(fā)射控制線123和初始化電壓線124交叉并且將數(shù)據(jù)信號Dm和驅(qū)動電壓ELVDD分別施加到子像素的數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172。

子像素可以包括驅(qū)動TFT T1、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、發(fā)射控制TFT T6、存儲電容器Cst以及OLED。

驅(qū)動TFT T1、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6沿圖6中示出的以各種方式彎曲的半導(dǎo)體層形成。半導(dǎo)體層可以包括對應(yīng)于驅(qū)動TFT T1的驅(qū)動半導(dǎo)體層131a、對應(yīng)于開關(guān)TFT T2的開關(guān)半導(dǎo)體層131b、對應(yīng)于補(bǔ)償TFT T3的補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c1、131c2和131c3、對應(yīng)于初始化TFT T4的初始化半導(dǎo)體層131d1、131d2和131d3、對應(yīng)于操作控制TFT T5的操作控制半導(dǎo)體層131e以及對應(yīng)于發(fā)射控制TFT T6的發(fā)射控制半導(dǎo)體層131f。驅(qū)動半導(dǎo)體層131a、開關(guān)半導(dǎo)體層131b、補(bǔ) 償半導(dǎo)體層131c1、131c2和131c3、初始化半導(dǎo)體層131d1、131d2和131d3、操作控制半導(dǎo)體層131e和發(fā)射控制半導(dǎo)體層131f可以是圖6中示出的半導(dǎo)體層的部分。

半導(dǎo)體層可以包括多晶硅。另外，半導(dǎo)體層可以包括例如沒有摻雜有雜質(zhì)的溝道區(qū)以及在溝道區(qū)的兩側(cè)通過摻雜雜質(zhì)形成的源區(qū)和漏區(qū)。雜質(zhì)可以根據(jù)TFT的類型而變化，可以使用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。此外，通過摻雜形成的源區(qū)或漏區(qū)可以是TFT的源電極或漏電極。例如，在圖6中示出的半導(dǎo)體層中，驅(qū)動源電極176a可以對應(yīng)于在驅(qū)動半導(dǎo)體層131a附近通過摻雜雜質(zhì)形成的驅(qū)動源區(qū)176a，驅(qū)動漏電極177a可以對應(yīng)于在驅(qū)動半導(dǎo)體層131a附近通過摻雜雜質(zhì)形成的驅(qū)動漏區(qū)177a。此外，在圖6中示出的半導(dǎo)體層中，半導(dǎo)體層的在TFT之間的部分可以用雜質(zhì)摻雜并且用作電連接TFT的導(dǎo)線。

存儲電容器Cst可以包括其間有第二絕緣層的第一存儲電容器極板125a和第二存儲電容器極板127。第一存儲電容器極板125a也可以用作驅(qū)動TFT T1的驅(qū)動?xùn)烹姌O。因此，可以整體地形成驅(qū)動TFT T1的驅(qū)動?xùn)烹姌O和第一存儲電容器極板125a。在下文中，為了便于描述，驅(qū)動TFT T1的驅(qū)動?xùn)烹姌O可以通過與第一存儲電容器極板125a相同的附圖標(biāo)號來表示。

如圖7中示出的，第一存儲電容器極板125a可以是四邊形形狀的并且與鄰近的子像素分隔開。第一存儲電容器極板125a可以形成在掃描線121、前掃描線122、發(fā)射控制線123位于其上的層上，第一存儲電容器極板125a、掃描線121、前掃描線122、發(fā)射控制線123可以使用相同的材料同時形成。

開關(guān)柵電極125b和補(bǔ)償柵電極125c1和125c2是掃描線121的與半導(dǎo)體層交叉的部分或者從掃描線121突出的部分。初始化柵電極125d1和125d2是前掃描線122的與半導(dǎo)體層交叉的部分或者是從前掃描線122突出的部分。操作控制柵電極125e和發(fā)射控制柵電極125f是發(fā)射控制線123的與半導(dǎo)體層交叉的部分或者從發(fā)射控制線123突出的部分。

子像素的第二存儲電容器極板127和鄰近的子像素的第二存儲電容器極板可以整體地形成。如圖8中示出的，第二存儲電容器極板127可以形成在初始化電壓線124位于其上(例如，設(shè)置于其上)的層上，第二存儲電容器極板127和初始化電壓線124可以使用相同的材料同時形成。存儲開口27可以形成在第二存儲電容器極板127中。連接件174可以通過存儲開口27使第一存儲電容器極板125a與補(bǔ)償TFT T3的漏電極177c電連接，這將在下面描 述。第二存儲電容器極板127可以通過形成在層間絕緣層中的接觸孔168連接到驅(qū)動電壓線172。

驅(qū)動TFT T1包括驅(qū)動半導(dǎo)體層131a、驅(qū)動?xùn)烹姌O125a、驅(qū)動源電極176a和驅(qū)動漏電極177a。如上所述，驅(qū)動?xùn)烹姌O125a也可以用作第一存儲電容器極板125a。驅(qū)動源電極176a設(shè)置在驅(qū)動?xùn)烹姌O125a的外部中(圖3中的-x方向上)，驅(qū)動漏電極177a設(shè)置在驅(qū)動?xùn)烹姌O125a的外部中(圖3中的+x方向上)。驅(qū)動源電極176a和驅(qū)動漏電極177a設(shè)置在驅(qū)動?xùn)烹姌O125a的相對側(cè)處。

開關(guān)TFT T2包括開關(guān)半導(dǎo)體層131b、開關(guān)柵電極125b、開關(guān)源電極176b和開關(guān)漏電極177b。開關(guān)源電極176b可以通過形成在第一絕緣層、第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔164與數(shù)據(jù)線171電連接。如果有必要，數(shù)據(jù)線171的靠近接觸孔164的一部分可以用作開關(guān)TFT T2的源電極。開關(guān)漏電極177b對應(yīng)于在開關(guān)半導(dǎo)體層131b附近通過摻雜雜質(zhì)形成的開關(guān)漏區(qū)177b。

補(bǔ)償TFT T3包括補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c1、131c2和131c3、補(bǔ)償柵電極125c1和125c2、補(bǔ)償源電極176c以及補(bǔ)償漏電極177c。補(bǔ)償源電極176c對應(yīng)于在補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c1、131c2和131c3附近通過摻雜雜質(zhì)形成的補(bǔ)償源區(qū)176c。補(bǔ)償漏電極177c對應(yīng)于在補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c1、131c2和131c3附近通過摻雜雜質(zhì)形成的補(bǔ)償漏區(qū)177c。補(bǔ)償柵電極125c1和125c2是包括第一柵電極125c1和第二柵電極125c2的雙柵電極并且可以防止或減小漏電流。補(bǔ)償TFT T3的補(bǔ)償漏電極177c可以通過使用連接件174與第一存儲電容器極板125a連接。補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c1、131c2和131c3可以包括對應(yīng)于第一柵電極125c1的一部分131c1、對應(yīng)于第二柵電極125c2的一部分131c3以及在兩個部分131c1與131c3之間的一部分131c2。

如圖9中示出的，連接件174可以形成在數(shù)據(jù)線171位于其上的同一層上，連接件174和數(shù)據(jù)線171可以使用相同的材料同時形成。連接件174的一端通過形成在第一絕緣層、第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔166與補(bǔ)償漏電極177c和初始化漏電極177d連接。連接件174的另一端通過形成在第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔167與第一存儲電容器極板125a連接。連接件174的所述另一端通過形成在第二存儲電容器極板127中的存儲開口27與第一存儲電容器極板125a連接。

初始化TFT T4包括初始化半導(dǎo)體層131d1、131d2和131d3、初始化柵 電極125d1和125d2、初始化源電極176d以及初始化漏電極177d。初始化漏電極177d對應(yīng)于在初始化半導(dǎo)體層131d1、131d2和131d3附近通過摻雜雜質(zhì)形成的初始化漏區(qū)177d。

初始化源電極176d通過初始化連接線78與初始化電壓線124連接。初始化連接線78的一端通過形成在第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔161與初始化電壓線124連接。初始化連接線78的另一端可以通過形成在第一絕緣層、第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔162與初始化源電極176d連接。

操作控制TFT T5包括操作控制半導(dǎo)體層131e、操作控制柵電極125e、操作控制源電極176e和操作控制漏電極177e。操作控制源電極176e可以通過形成在第一絕緣層、第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔165與驅(qū)動電壓線172電連接。如果有必要，驅(qū)動電壓線172的靠近接觸孔165的一部分可以用作操作控制TFT T5的源電極。操作控制漏電極177e對應(yīng)于在操作控制半導(dǎo)體層131e附近通過摻雜雜質(zhì)形成的操作控制漏區(qū)177e。

發(fā)射控制TFT T6包括發(fā)射控制半導(dǎo)體層131f、發(fā)射控制柵電極125f、發(fā)射控制源電極176f以及發(fā)射控制漏電極177f。發(fā)射控制源電極176f對應(yīng)于在發(fā)射控制半導(dǎo)體層131f附近通過摻雜雜質(zhì)形成的發(fā)射控制源區(qū)176f。如圖9中示出的，發(fā)射控制漏電極177f是在形成有數(shù)據(jù)線171或驅(qū)動電壓線172的層間絕緣層上的一部分。發(fā)射控制漏電極177f可以通過形成在第一絕緣層、第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔163連接到下半導(dǎo)體層?？蛇x擇的是，下半導(dǎo)體層的一部分可以包括發(fā)射控制漏電極，附圖標(biāo)號177f可以指示用于使發(fā)射控制漏電極和OLED的像素電極連接的中間連接層。

驅(qū)動TFT T1的驅(qū)動半導(dǎo)體層131a的一端與開關(guān)半導(dǎo)體層131b以及補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c1、131c2和131c3連接。驅(qū)動半導(dǎo)體層131a的另一端與操作控制半導(dǎo)體層131e和發(fā)射控制半導(dǎo)體層131f連接。因此，驅(qū)動源電極176a與開關(guān)漏電極177b和操作控制漏電極177e連接，驅(qū)動漏電極177a與補(bǔ)償源電極176c和發(fā)射控制源電極176f連接。

開關(guān)TFT T2用作選擇用于發(fā)光的子像素的開關(guān)器件。開關(guān)柵電極125b與掃描線121連接，開關(guān)源電極176b與數(shù)據(jù)線171連接，開關(guān)漏電極177b與驅(qū)動TFT T1和操作控制TFT T5連接。

如圖9中示出的，發(fā)射控制TFT T6的發(fā)射控制漏電極177f通過形成在覆蓋例如數(shù)據(jù)線171或驅(qū)動電壓線172的保護(hù)層或平坦化層中的接觸孔181 與OLED的像素電極連接。

如圖5和圖7中示出的，屏蔽層129可以位于與驅(qū)動電壓線172位于其上的層不同的層上，使得屏蔽層129與數(shù)據(jù)線171和主掃描線173中的至少一條疊置。屏蔽層129可以通過形成在第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔168'與驅(qū)動電壓線172連接。屏蔽層129不與設(shè)置在其上設(shè)置有驅(qū)動電壓線172的同一層上的數(shù)據(jù)線171和主掃描線173接觸。另外，屏蔽層129不電連接到數(shù)據(jù)線171和主掃描線173。如圖7中示出的，屏蔽層129可以設(shè)置在其上設(shè)置有掃描線121的層上。屏蔽層129和掃描線121可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線171、主掃描線173和驅(qū)動電壓線172下方。

如上所述，主掃描線173通過形成在絕緣層中的接觸孔169與掃描線121電連接，使得在x軸方向上串聯(lián)布置的多個子像素被選擇。如上所述，掃描線121可以是子掃描線SS1至SS16中的任意一條。在x軸方向上延伸的掃描線121可以布置在y軸方向上使得它們彼此平行，電信號順序地施加到掃描線121。這對應(yīng)于將電信號順序地施加到在y軸方向上延伸的主掃描線MSL，如圖2中所示。當(dāng)電信號施加到主掃描線MSL時，影響在主掃描線MSL附近的數(shù)據(jù)線(例如，圖1的數(shù)據(jù)線D1至D16)的數(shù)據(jù)信號。

如圖5中示出的，向其施加恒定電信號的驅(qū)動電壓線172可以設(shè)置(例如，位于)在主掃描線173與數(shù)據(jù)線171之間，使得數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號較少地受施加到主掃描線173的電信號影響。然而，即使在這種情況下，壞點(diǎn)也可能出現(xiàn)在由圖2中的黑點(diǎn)指示的位置處或者在靠近黑點(diǎn)的位置處。由于在主掃描線173和掃描線121通過接觸孔169連接的位置處的邊緣效應(yīng)，造成數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號可能受施加到主掃描線173的電信號影響。結(jié)果，在由圖2中的黑點(diǎn)指示的位置處或者靠近黑點(diǎn)的子像素處的OLED的亮度可能不同于它們的預(yù)期亮度，因此，通過有機(jī)發(fā)光顯示裝置顯示的圖像可能具有降低的質(zhì)量。

然而，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括屏蔽層129，所以可以防止或減小圖像質(zhì)量的降低?？梢酝ㄟ^使數(shù)據(jù)線171和主掃描線173中的至少一條與屏蔽層129疊置來降低或防止由于邊緣效應(yīng)導(dǎo)致的主掃描線173的電信號對數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號造成的影響。屏蔽層129電連接到向其施加恒定電信號的驅(qū)動電壓線172。因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以顯示良好質(zhì)量的圖像。例如，通過將數(shù)據(jù)線171和主掃描線173與屏蔽 層129疊置，可以降低由于邊緣效應(yīng)導(dǎo)致的由主掃描線173的電信號對數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號造成的影響。屏蔽層129電連接到向其施加恒定電信號的驅(qū)動電壓線172。

如圖1中示出的，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置可以包括沒有突出部分、拐角或有角的外周邊的顯示區(qū)域DA。例如，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置可以包括圓形的、卵形的或橢圓形的顯示區(qū)域DA。因此，顯示裝置的基底可以具有圓形的、卵形的或橢圓形的形狀。

如圖2中示出的，在具有圓形的、卵形的或橢圓形的形狀的顯示裝置中，掃描驅(qū)動電路SDU和數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可以位于顯示裝置的外周邊處。因此，如圖2中示出的，通過將主掃描線MSL與子掃描線SSL交叉而選擇多個子像素。如上所示，盡管在主掃描線MSL與子掃描線SSL交叉處或附近圖像質(zhì)量可能降低，但是屏蔽層129可以防止或減小圖像質(zhì)量在主掃描線MSL與子掃描線SSL交叉處或附近降低。

圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出包括在顯示裝置的兩個子像素P1和P2中的多個TFT和電容器的位置的布局圖。如圖10中示出的，兩個子像素P1和P2關(guān)于與數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172和主掃描線173在兩個子像素P1和P2之間延伸的方向平行的軸而彼此鄰近。此外，兩個子像素P1和P2的除了主掃描線173之外的組件關(guān)于所述軸對稱地布置。圖10中示出的子像素P1的結(jié)構(gòu)基于穿過圖5的子像素的中心并平行于y軸的軸與圖5的子像素的結(jié)構(gòu)鏡像對稱。

當(dāng)子像素P1和P2的除了主掃描線173之外的組件基于所述軸形成對稱時，子像素P1的數(shù)據(jù)線171可以遠(yuǎn)離穿過子像素P2的主掃描線173。此外，子像素P2的數(shù)據(jù)線171可以遠(yuǎn)離穿過子像素P1的主掃描線173。因此，子像素P1和P2的數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號可以被主掃描線173較少地影響或不受主掃描線173影響。另外，如圖10中示出的，屏蔽層129可以整體地形成在鄰近的子像素P1和P2中以簡化結(jié)構(gòu)。

在圖10中，可以由連接到穿過子像素P1的主掃描線173的掃描線121同時選擇子像素P1和P2。此外，穿過子像素P2的主掃描線173可以沿子像素P1和P2的+y方向傳輸用于選擇子像素的電信號。穿過子像素P2的主掃描線173可以通過接觸孔169'連接到子像素P1和P2的前掃描線122并且將前掃描信號Sn-1傳輸?shù)阶酉袼豍1和P2的前掃描線122。

圖11至圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例而依據(jù)設(shè)置有包括在顯示裝置的子像素中的多個TFT和電容器的組件的層來示出包括在顯示裝置的子像素中的多個TFT和電容器的組件的布局圖。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置的子像素也可以示出為圖4的等效電路圖。顯示裝置的子像素可以具有如下結(jié)構(gòu)：圖6中示出的半導(dǎo)體層和圖11中示出的層具有設(shè)置于其間的第一絕緣層，圖11中示出的層和圖12中示出的層具有設(shè)置于其間的第二絕緣層，圖12中示出的層和圖13中示出的層具有設(shè)置于其間的層間絕緣層。

在參照圖5至圖9描述的根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置中，如圖7中示出的，屏蔽層129設(shè)置在其上設(shè)置有掃描線121的層上。然而，如圖12中示出的，在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置中，屏蔽層129可以設(shè)置在其上設(shè)置有第二存儲電容器極板127的層上。第二存儲電容器極板127設(shè)置在第一存儲電容器極板125a上方。在這種情況下，屏蔽層129可以被包括在第二存儲電容器極板127的一部分中。第二存儲電容器極板127位于數(shù)據(jù)線171、主掃描線173和驅(qū)動電壓線172下方。

第二存儲電容器極板127可以通過形成在層間絕緣層中的接觸孔168與向其施加恒定電信號的驅(qū)動電壓線172連接。因此，恒定電信號也施加到包括在第二存儲電容器極板127的一部分中的屏蔽層129。通過將數(shù)據(jù)線171和主掃描線173中的至少一條與屏蔽層129疊置，可以降低或防止由于邊緣效應(yīng)導(dǎo)致的主掃描線173的電信號對數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號造成的影響。因此，可以通過有機(jī)發(fā)光顯示裝置顯示高質(zhì)量圖像。在這種情況下，因?yàn)椴涣硗庑枰佑|孔來連接屏蔽層129與驅(qū)動電壓線172，所以可以簡化顯示裝置的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置可以以各種方式修改，例如，顯示裝置可以包括圖7中示出的屏蔽層129以及圖12中示出的屏蔽層129。此外，與上面的描述不同，還可以包括與圖6中示出的整體形成的半導(dǎo)體層分隔開的島型半導(dǎo)體層。島型半導(dǎo)體層可以被摻雜且是導(dǎo)電的，島型半導(dǎo)體層可以通過接觸孔與驅(qū)動電壓線172連接。島型半導(dǎo)體層可以與數(shù)據(jù)線171和主掃描線173中的至少一條疊置以用作屏蔽層。

盡管屏蔽層129被描述為設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和主掃描線173下方，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，屏蔽層129可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和主掃描線 173上方、在數(shù)據(jù)線171上方且在主掃描線173下方、或者按照其他不同形式。

發(fā)明構(gòu)思不限于有機(jī)發(fā)光顯示裝置。除了有機(jī)發(fā)光顯示裝置之外，可以實(shí)現(xiàn)包括子像素中的TFT和數(shù)據(jù)線的任意類型的顯示裝置使得以與上述方式相同或相似的方式包括屏蔽層，因此，顯示高質(zhì)量圖像。

應(yīng)該理解的是，這里描述的本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例將被認(rèn)為僅以描述性意義考慮而不是出于限制的目的。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中的特征或方面的描述應(yīng)該被認(rèn)為成可用于貫穿說明書描述的本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例。

盡管已經(jīng)參照附圖描述了示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可以在這里做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。