像素驅(qū)動電路、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種像素驅(qū)動電路，包括：數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、使能控制線、電源線、發(fā)光器件、驅(qū)動晶體管、存儲電容、復(fù)位單元、數(shù)據(jù)寫入單元及發(fā)光控制單元。還公開了一種像素驅(qū)動方法、陣列基板及顯示裝置。本實用新型的像素驅(qū)動電路采用補償方式解決了像素點驅(qū)動晶體管由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓不均一的問題，使得流過每個像素點發(fā)光器件的電流不受閾值電壓的影響，最終保證了圖像顯示的均勻性。
【專利說明】像素驅(qū)動電路、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種像素驅(qū)動電路、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光顯示器(AMOLED)是當今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點之一，與液晶顯示器相比，OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點。目前，在手機、PDA、數(shù)碼相機等顯示領(lǐng)域OLED已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的IXD顯示屏。像素驅(qū)動電路設(shè)計是AMOLED顯示器核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。
[0003]與薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光。圖1為傳統(tǒng)的2T1C的像素驅(qū)動電路，該電路只有I個驅(qū)動TFT，一個開關(guān)TFT和一個存儲電容Cs組成，當掃描線選擇某一行時，Vscan為低，Tl導(dǎo)通，數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入存儲電容Cs，當該行掃描結(jié)束后，Vs_變高，Tl關(guān)斷，存儲在Cs上的柵極電壓驅(qū)動T2管，使其產(chǎn)生電流來驅(qū)動OLED，保證OLED在一幀內(nèi)持續(xù)發(fā)光，TFT飽和電流公式為1_ = K(Vgs - Vth)20由于工藝制程和器件老化等原因，各像素點的驅(qū)動TFT的閾值電壓(Vth)會漂移，這樣就導(dǎo)致了流過每個像素點OLED的電流因Vth的變化而變化，從而影響整個圖像的顯示效果。
實用新型內(nèi)容
[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本實用新型要解決的技術(shù)問題是:如何使流過每個像素的OLED的電流保持一致。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種像素驅(qū)動電路，包括:數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、使能控制線、電源線、發(fā)光器件、驅(qū)動晶體管、存儲電容、復(fù)位單元、數(shù)據(jù)寫入單元及發(fā)光控制單元；
[0008]所述復(fù)位單元連接所述使能控制線和存儲電容的第一端，用于在所述使能控制線的控制下復(fù)位所述存儲電容第一端的電壓為低電壓；
[0009]數(shù)據(jù)寫入單元連接所述存儲電容的第二端、第一掃描線和驅(qū)動晶體管，用于在第一掃描線的控制下將包括所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲電容的第二端；
[0010]所述發(fā)光控制單元連接第二掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線、存儲電容的第一端、驅(qū)動晶體管和發(fā)光器件，所述驅(qū)動晶體管的柵極連接所述存儲電容的第二端，源極和漏極連接所述發(fā)光控制單元，所述發(fā)光控制單元用于在第二掃描線的控制下使存儲電容的第一端為數(shù)據(jù)線電壓，且使存儲電容兩端保持壓差，并使驅(qū)動晶體管連接電源線，以驅(qū)動所述發(fā)光器件發(fā)光。
[0011]其中，所述復(fù)位單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接所述使能控制線，源極連接所述存儲電容的第一端，漏極接地；所述第一晶體管用于在所述使能控制線的控制下使所述存儲電容的第一端接地，以設(shè)置所述存儲電容的第一端為低電壓。
[0012]其中，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第二晶體管和第三晶體管，所述第二晶體管的柵極連接第一掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接所述驅(qū)動晶體管的源極；所述第三晶體管的柵極連接所述第一掃描線，源極連接驅(qū)動晶體管的漏極，漏極連接所述存儲電容的第二端；所述第二晶體管和第三晶體管用于在所述第一掃描線的控制下形成通路，以將包括所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲電容的第二端。
[0013]其中，所述發(fā)光控制單元包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管；所述第四晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接電源線，漏極連接所述驅(qū)動晶體管的源極；所述第五晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述驅(qū)動晶體管的漏極，漏極連接所述發(fā)光器件；所述第六晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述存儲電容的第一端；所述第六晶體管用于在所述第二掃描線的控制下寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲電容的第一端，且使所述存儲電容兩端保持壓差，所述第四晶體管和第五晶體管用于在所述第二掃描線的控制下形成通路，使所述驅(qū)動晶體管連接電源線，以驅(qū)動所述發(fā)光器件發(fā)光。
[0014]其中，所述發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管的陽極連接所述發(fā)光控制單元，陰極接地。
[0015]實用新型本實用新型還提供了一種陣列基板，包括上述任一項所述的像素驅(qū)動電路。
[0016]本實用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0017](三)有益效果
[0018]本實用新型的像素驅(qū)動電路，數(shù)據(jù)寫入單元將驅(qū)動晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入存儲電容，發(fā)光控制單元在控制發(fā)光時，寫入存儲電容的驅(qū)動晶體管的閾值電壓信息對發(fā)光時驅(qū)動晶體管的閾值電壓進行補償，解決了像素點驅(qū)動晶體管由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓不均一的問題，使得流過每個像素點發(fā)光器件的電流不受閾值電壓的影響，最終保證了圖像顯示的均勻性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是傳統(tǒng)的2T1C像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2是本實用新型實施例的一種像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3是圖2中像素驅(qū)動電路在復(fù)位階段的工作示意圖；
[0022]圖4是圖2中像素驅(qū)動電路在復(fù)位階段的時序圖，對應(yīng)時序階段I ;
[0023]圖5是圖2中像素驅(qū)動電路在充電階段的工作示意圖；
[0024]圖6是圖2中像素驅(qū)動電路在充電階段的時序圖，對應(yīng)時序階段2 ；
[0025]圖7是圖2中像素驅(qū)動電路在補償、發(fā)光階段的工作示意圖；
[0026]圖8是圖2中像素驅(qū)動電路在補償、發(fā)光階段的時序圖，對應(yīng)時序階段3。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。
[0028]本實施例的像素驅(qū)動電路如圖2所示，包括:數(shù)據(jù)線Date、第一掃描線Scan [I]、第二掃描線Scan [2]、使能控制線Em、電源線S、發(fā)光器件D、驅(qū)動晶體管DTFT、存儲電容C、復(fù)位單元1、數(shù)據(jù)寫入單元2及發(fā)光控制單元3。
[0029]復(fù)位單元I連接使能控制線Em和存儲電容C的第一端(即B點)，用于在使能控制線Em的控制下復(fù)位存儲電容C第一端的電壓為低電壓。
[0030]數(shù)據(jù)寫入單元2連接存儲電容C的第二端(即A點)、第一掃描線Scan[l]和驅(qū)動晶體管DTFT，用于在第一掃描線Scan[l]的控制下將包括驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth和數(shù)據(jù)線Data的電壓Vdata的信息寫入存儲電容C的第二端，即此時A點電壓為Vdata — Vtho
[0031]所述發(fā)光控制單元3連接第二掃描線Scan [2]、數(shù)據(jù)線Data、電源線S、存儲電容C的第一端、驅(qū)動晶體管DTFT和發(fā)光器件D，驅(qū)動晶體管DTFT的柵極連接存儲電容C的第二端，源極和漏極連接發(fā)光控制單元。發(fā)光控制單元用于在第二掃描線Scan[2]的控制下使存儲電容C的第一端為數(shù)據(jù)線Data的電壓Vdata,且使存儲電容C兩端保持壓差，并使驅(qū)動晶體管DTFT連接電源線S，以驅(qū)動所述發(fā)光器件D發(fā)光。
[0032]本實施例的像素驅(qū)動電路中，數(shù)據(jù)寫入單元將驅(qū)動晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入存儲電容，發(fā)光控制單元在控制發(fā)光時，寫入存儲電容的驅(qū)動晶體管的閾值電壓信息對發(fā)光時驅(qū)動晶體管的閾值電壓進行補償，解決了像素點驅(qū)動晶體管由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓不均一的問題，使得流過每個像素點發(fā)光器件的電流不受閾值電壓的影響，最終保證了圖像顯示的均勻性。
[0033]本實施例中，復(fù)位單元I包括:第一晶體管Tl。第一晶體管Tl的柵極連接使能控制線Em，源極連接存儲電容C的第一端，漏極接地。第一晶體管Tl用于在使能控制線Em的控制下使存儲電容C的第一端接地，以設(shè)置存儲電容C的第一端為低電壓。即當Em為有效信號時，Tl將C的第一端接地，B點電壓為O。
[0034]本實施例中，數(shù)據(jù)寫入單元2包括:第二晶體管T2和第三晶體管T3。第二晶體管T2的柵極連接第一掃描線Scan [I]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接驅(qū)動晶體管DTFT的源極。第三晶體管T3的柵極連接第一掃描線Scan[l]，源極連接驅(qū)動晶體管DTFT的漏極，漏極連接存儲電容C的第二端。第二晶體管DTFT和第三晶體管DTFT用于在第一掃描線Scan[l]的控制下形成通路，以將包括驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入存儲電容C的第二端。
[0035]具體如圖2所示，數(shù)據(jù)寫入單元2包括:第二晶體管T2和第三晶體管T3。第二晶體管T2的柵極連接第一掃描線Scan [I]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接驅(qū)動晶體管DTFT的源極。第三晶體管T3的柵極連接第一掃描線Scan [I]，源極連接驅(qū)動晶體管DTFT的漏極，漏極連接存儲電容C的第二端。當?shù)谝粧呙杈€Scan[l]有效時，T2和T3打開，形成通路T2 — DTFT — T3，Vdata信號通過T2 — DTFT — T3開始對A點進行充電，一直將A點充電到Vdata - Vth為止(滿足DTFT柵源兩極之間的壓差為Vth)，此時存儲電容C兩端的電壓也為Vdata - Vtho另外由于T5的關(guān)閉，使得T2 — DTFT — T3通路中的電流不會通過發(fā)光器件，間接降低了發(fā)光器件的壽命損耗。
[0036]本實施例中，發(fā)光控制單元3包括:第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6。第四晶體管T4的柵極連接第二掃描線Scan[2]，源極連接電源線S，漏極連接驅(qū)動晶體管DTFT的源極。第五晶體管T5的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接驅(qū)動晶體管DTFT的漏極，漏極連接發(fā)光器件D。第六晶體管T6的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接存儲電容C的第一端。第六晶體管T6用于在第二掃描線Scan[2]的控制下寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲電容C的第一端，且使存儲電容C兩端保持壓差。第四晶體管T4和第五晶體管T5用于在第二掃描線Scan [2]的控制下形成通路，使驅(qū)動晶體管DTFT連接電源線S，以驅(qū)動發(fā)光器件D發(fā)光。
[0037]具體如圖2所示，發(fā)光控制單元3包括:第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6。第四晶體管T4的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接電源線S，漏極連接驅(qū)動晶體管DTFT的源極。第五晶體管T5的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接驅(qū)動晶體管DTFT的漏極，漏極連接發(fā)光器件D。第六晶體管T6的柵極連接第二掃描線Scan [2]，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極連接存儲電容C的第一端。當?shù)诙呙杈€Scan[2]有效時，T4、T5和Τ6打開。此時B點電壓由原來的OV變?yōu)閂data,而A點為浮接狀態(tài)，因此要維持Α、Β兩點原來的壓差(Vdata - Vth)，DTFT的柵極A點電壓會發(fā)生等壓跳變，A點電壓跳變?yōu)?Vdata —Vtho且此時T4、驅(qū)動晶體管DTFT和T5形成通路T4 — DTFT — T5，將驅(qū)動晶體管DTFT的源極接入電源線S，電壓為Vdd，電流通過T4 — DTFT — T5使得發(fā)光器件D開始發(fā)光。
[0038]由驅(qū)動晶體管DTFT飽和電流公式可以得到(其中，Ves為DTFT的柵源電壓):
【權(quán)利要求】
1.一種像素驅(qū)動電路，其特征在于，包括:數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、使能控制線、電源線、發(fā)光器件、驅(qū)動晶體管、存儲電容、復(fù)位單元、數(shù)據(jù)寫入單元及發(fā)光控制單元； 所述復(fù)位單元連接所述使能控制線和存儲電容的第一端，用于在所述使能控制線的控制下復(fù)位所述存儲電容第一端的電壓為低電壓； 數(shù)據(jù)寫入單元連接所述存儲電容的第二端、第一掃描線和驅(qū)動晶體管，用于在第一掃描線的控制下將包括所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲電容的第二端； 所述發(fā)光控制單元連接第二掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線、存儲電容的第一端、驅(qū)動晶體管和發(fā)光器件，所述驅(qū)動晶體管的柵極連接所述存儲電容的第二端，源極和漏極連接所述發(fā)光控制單元，所述發(fā)光控制單元用于在第二掃描線的控制下使存儲電容的第一端為數(shù)據(jù)線電壓，且使存儲電容兩端保持壓差，并使驅(qū)動晶體管連接電源線，以驅(qū)動所述發(fā)光器件發(fā)光。
2.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述復(fù)位單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接所述使能控制線，源極連接所述存儲電容的第一端，漏極接地；所述第一晶體管用于在所述使能控制線的控制下使所述存儲電容的第一端接地，以設(shè)置所述存儲電容的第一端為低電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:第二晶體管和第三晶體管，所述第二晶體管的柵極連接第一掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接所述驅(qū)動晶體管的源極；所述第三晶體管的柵極連接所述第一掃描線，源極連接驅(qū)動晶體管的漏極，漏極連接所述存儲電容的第二端；所述第二晶體管和第三晶體管用于在所述第一掃描線的控制下形成通路，以將包括所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓和數(shù)據(jù)線電壓的信息寫入所述存儲電容的第二端。
4.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述發(fā)光控制單元包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管；所述第四晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接電源線，漏極連接所述驅(qū)動晶體管的源極；所述第五晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述驅(qū)動晶體管的漏極，漏極連接所述發(fā)光器件；所述第六晶體管的柵極連接所述第二掃描線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述存儲電容的第一端；所述第六晶體管用于在所述第二掃描線的控制下寫入數(shù)據(jù)線電壓至存儲電容的第一端，且使所述存儲電容兩端保持壓差，所述第四晶體管和第五晶體管用于在所述第二掃描線的控制下形成通路，使所述驅(qū)動晶體管連接電源線，以驅(qū)動所述發(fā)光器件發(fā)光。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管的陽極連接所述發(fā)光控制單元，陰極接地。
6.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?5中任一項所述的像素驅(qū)動電路。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求6所述的陣列基板。
【文檔編號】G09G3/32GK203812535SQ201420224163
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】楊盛際 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司