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移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板、顯示裝置制造方法

文檔序號(hào):2550429閱讀:204來源:國知局
移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板、顯示裝置,屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,其可解決現(xiàn)有的移位寄存器的在過渡區(qū)的輸出不穩(wěn)定的問題。本發(fā)明的移位寄存器,其包括多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元,還包括:檢測單元和復(fù)位反饋單元;其中,所述檢測單元連接至少兩個(gè)移位寄存器單元,用于檢測移位寄存器單元輸出的電位,并將該檢測結(jié)果傳輸給所述復(fù)位反饋單元;所述復(fù)位反饋單元與至少一個(gè)所述移位寄存器單元連接,用于當(dāng)所述檢測單元檢測到與所述檢測單元連接的移位寄存器單元所輸出的電位均為預(yù)判斷電位時(shí),對與所述復(fù)位反饋單元連接的移位寄存器單元所述輸出的電位進(jìn)行復(fù)位;其中,所述預(yù)判斷電位為各所述移位寄存器單元在過渡區(qū)所輸出的電位。
【專利說明】移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯不裝置)實(shí)現(xiàn)一幀畫面顯示的基本原理是通過柵極(gate)驅(qū)動(dòng)電路從上到下依次對每一行像素輸入一定寬度的方波進(jìn)行選通,再通過源極(source)驅(qū)動(dòng)電路為每一行像素所需的信號(hào)依次從上往下輸出。
[0003]目前,多數(shù)TFT-LCD是在面板外側(cè)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)電路和源極驅(qū)動(dòng)電路的,但是該種設(shè)置方式成本比較高,因而產(chǎn)生了其他的替代方式,即,在基板上制作多個(gè)移位寄存器單元所組成的柵極驅(qū)動(dòng)電路,也就是采用GOA(Gate Drive On Array)電路的設(shè)計(jì)。
[0004]其中,柵極驅(qū)動(dòng)電路中的輸出時(shí)序包括:有效顯示區(qū)和過渡區(qū)。如圖1所示,具體的,當(dāng)顯示一幀畫面時(shí),在有效顯示區(qū)從第一個(gè)移位寄存器單元到第N個(gè)移位寄存器單元逐一輸出掃描與其連接的柵線,當(dāng)每個(gè)柵線被掃描完成后,則進(jìn)入過渡區(qū),此時(shí)由于每一個(gè)移位寄存器單元在該區(qū)域不工作,因此在該區(qū)域每一個(gè)移位寄存器單元的輸出電位同時(shí)變?yōu)镺 (由于移位寄存器單元的輸出電位為負(fù)值,故該過程為上拉過程),從而導(dǎo)致各移位寄存器單元的輸出不穩(wěn)定。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括,針對現(xiàn)有的移位寄存器存在的上述的問題,提供一種輸出穩(wěn)定的移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板、顯示裝置。
[0006]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種移位寄存器,其包括多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元,以及檢測單元和復(fù)位反饋單元;其中,
[0007]所述檢測單元連接至少兩個(gè)移位寄存器單元,用于檢測與其連接的所述移位寄存器單元輸出的電位,并將該檢測結(jié)果傳輸給所述復(fù)位反饋單元;
[0008]所述復(fù)位反饋單元與至少一個(gè)所述移位寄存器單元連接,用于當(dāng)所述檢測單元檢測到與所述檢測單元連接的移位寄存器單元所輸出的電位均為預(yù)判斷電位時(shí),對與所述復(fù)位反饋單元連接的移位寄存器單元所述輸出的電位進(jìn)行復(fù)位;其中,所述預(yù)判斷電位為各所述移位寄存器單元在過渡區(qū)所輸出的電位。
[0009]優(yōu)選的是,所述復(fù)位反饋單元與每個(gè)所述移位寄存器單元連接,用于當(dāng)所述檢測單元檢測到與所述檢測單元連接的移位寄存器單元所輸出的電位均為預(yù)判斷電位時(shí),對每個(gè)移位寄存器單元所述輸出的電位進(jìn)行復(fù)位。
[0010]優(yōu)選的是,所述檢測單元包括轉(zhuǎn)換模塊,
[0011]所述轉(zhuǎn)換模塊與至少兩個(gè)移位寄存器單元和復(fù)位反饋單元電性連接,用于將與其連接的移位寄存器單元所輸出的電位轉(zhuǎn)換為第一電位,并通過所述第一電位控制所述復(fù)位反饋單元是否工作。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述檢測單元還包括雙向邏輯電平調(diào)整模塊,所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊包括多個(gè)正向傳輸通道和至少一個(gè)反向傳輸通道;
[0013]所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊與至少兩個(gè)移位寄存器單元連接,且與所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊連接的移位寄存器單元分別通過不同的所述正向傳輸通道與轉(zhuǎn)換模塊連接;所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊用于將與其連接的移位寄存器單元所輸出的電位調(diào)整為第一中間電位,并將第一中間電位傳輸給轉(zhuǎn)換模塊;
[0014]所述轉(zhuǎn)換模塊還與所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊的一個(gè)反向傳輸通道連接,用于將所述第一中間電位調(diào)整為第二中間電位;
[0015]所述反向傳輸通道用于將所述第二中間電位調(diào)整為第一電位,輸出給復(fù)位反饋單
J Li ο
[0016]優(yōu)選的是,所述轉(zhuǎn)換模塊為與門電路。
[0017]優(yōu)選的是,所述復(fù)位反饋單元包括:所述復(fù)位反饋單元包括:至少一個(gè)開關(guān)晶體管,
[0018]每個(gè)所述開關(guān)晶體管的柵極均連接反相輸出通道,源極連接一個(gè)移位寄存器單元,且每個(gè)所述移位寄存器單元至多與一個(gè)開關(guān)晶體管的源極連接,漏極連接復(fù)位信號(hào)。
[0019]優(yōu)選的是,所述復(fù)位反饋單元包括多個(gè)與各移位寄存器單元一一對應(yīng)的開關(guān)晶體管,
[0020]所述開關(guān)晶體管的柵極連接反相輸出通道,源極連接移位寄存器單元,漏極連接復(fù)位號(hào)。
[0021]進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述開關(guān)晶體管為N型晶體管。
[0022]進(jìn)一步優(yōu)選地是,所述第一電位為高電平,所述復(fù)位信號(hào)為低電平。
[0023]優(yōu)選的是,所述檢測單元連接兩個(gè)所述移位寄存器單元。
[0024]進(jìn)一步優(yōu)選的是,與所述檢測單元連接的兩個(gè)所述移位寄存器單元為多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元中的第一個(gè)和最后一個(gè)。
[0025]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種柵極驅(qū)動(dòng)電路,其包括上述移位寄存器。
[0026]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板,其包括上述柵極驅(qū)動(dòng)電路。
[0027]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置,其包括上述陣列基板。
[0028]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0029]在發(fā)明的移位寄存器中增加了檢測單元,當(dāng)檢測單元檢測到與其連接的各個(gè)移位寄存器單元所輸出的電位均為預(yù)判斷電位,也就是說該幀畫面的顯示處于過渡區(qū),由于各個(gè)移位寄存器單元均處于不工作的狀態(tài),因此各個(gè)移位寄存器單元的輸出電位將不能維持在上一時(shí)刻的輸出,從而導(dǎo)致移位寄存器單元的信號(hào)輸出不穩(wěn)定,進(jìn)而導(dǎo)致畫面顯示不穩(wěn)定。然而在本實(shí)施例中還同時(shí)包括復(fù)位反饋單元,當(dāng)檢測單元檢測到與其連接的移位寄存器單元所輸出的為預(yù)判斷電位時(shí),通過該檢測結(jié)果控制復(fù)位反饋單元對各移位寄存器單元所述輸出的電位進(jìn)行復(fù)位,以使各個(gè)移位寄存器單元所述輸出的電位穩(wěn)定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1移位寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0031]圖2為圖1的工作時(shí)序圖;
[0032]圖3為現(xiàn)有的移位寄存器的工作時(shí)序圖。
[0033]其中附圖標(biāo)記為:10、移位寄存器單元;20、檢測單元;21、轉(zhuǎn)換模塊;22、雙向邏輯電平調(diào)整模塊;30、復(fù)位反饋單元;G1、GN、移位寄存器單元輸出的電位;gl、gN、第一中間電位;En、第二中間電位;EN、第一電位。

【具體實(shí)施方式】
[0034]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0035]實(shí)施例1:
[0036]結(jié)合圖1所示,本實(shí)施例提供一種移位寄存器,其包括多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元10,以及檢測單元20和復(fù)位反饋單元30 ;其中,所述檢測單元20連接至少兩個(gè)移位寄存器單元10,用于檢測所述移位寄存器單元10輸出的電位Gl、GN,并將該檢測結(jié)果傳輸給所述復(fù)位反饋單元30 ;所述復(fù)位反饋單元30與至少一個(gè)移位寄存器單元10連接,用于當(dāng)所述檢測單元20檢測到與所述檢測單元20連接的移位寄存器單元10所輸出的電位Gl、GN均為預(yù)判斷電位Vth時(shí),對與復(fù)位反饋單元30連接的移位寄存器單元10所述輸出的電位Gl、GN進(jìn)行復(fù)位;其中,所述預(yù)判斷電位Vth為各所述移位寄存器單元10在過渡區(qū)允許所輸出的電位閾值。
[0037]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是,在顯示一幀畫面時(shí),顯示的時(shí)序包括有效顯示區(qū)和過渡區(qū)(blank區(qū));其中,有效顯示區(qū)是指移位寄存器中的每一個(gè)移位寄存器依次輸出一個(gè)方波給與其連接的柵線的時(shí)間;過渡區(qū)是指每一個(gè)移位寄存器依次輸出一個(gè)方波后各個(gè)移位寄存器單元10的均不工作的時(shí)間;簡單地說,例如顯示裝置在進(jìn)行畫面顯示時(shí),從第一幀畫面轉(zhuǎn)換到第二幀畫面時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)過渡,該過渡的時(shí)刻即為過渡區(qū),掃描一幀畫面的時(shí)間即為有效顯示區(qū)。當(dāng)然,同時(shí)可以理解的是,從有效顯示區(qū)到過渡區(qū)以及從過渡區(qū)到有效顯示區(qū)變化的瞬間,各移位寄存器單元10所輸出的電位是不會(huì)立刻跳變的,是存在一定時(shí)間的間隔;具體的,各移位寄存器單元10在有效顯示區(qū)輸出一個(gè)方波信號(hào)后,即從VGH電位變?yōu)閂GL電位進(jìn)行輸出,此后在進(jìn)入到過渡區(qū)時(shí),各移位寄存器單元10起初將會(huì)繼續(xù)輸出VGL電位,隨后才會(huì)從VGL到OV變化的。同理,在過渡區(qū)進(jìn)入有效顯示區(qū)變化瞬間也是如此。但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉,在進(jìn)行預(yù)判斷電位的選擇時(shí),通常在過渡區(qū)的輸出電位發(fā)生變化后的電位中進(jìn)行選擇,也即是說過渡區(qū)的輸出電位通常是指進(jìn)入過渡區(qū)電位發(fā)生變化后輸出的電位。
[0038]在本實(shí)施例的移位寄存器中增加了檢測單元20,當(dāng)檢測單元20檢測到與其連接的各個(gè)移位寄存器單元10所輸出的電位均為預(yù)判斷電位Vth,也就是說該幀畫面的顯示處于過渡區(qū),由于各個(gè)移位寄存器單元10均處于不工作的狀態(tài),因此各個(gè)移位寄存器單元10的輸出電位G1、GN將不能維持在上一時(shí)刻的輸出,從而導(dǎo)致移位寄存器單兀10的信號(hào)輸出不穩(wěn)定,進(jìn)而導(dǎo)致畫面顯示不穩(wěn)定。然而在本實(shí)施例中還同時(shí)包括復(fù)位反饋單元30,當(dāng)所述檢測單元20檢測到與所述檢測單元20連接的移位寄存器單元10所輸出的電位Gl、GN均為預(yù)判斷電位Vth時(shí),對與復(fù)位反饋單元30連接的移位寄存器單元10所述輸出的電位GU GN進(jìn)行復(fù)位,以使得各移位寄存器單元10中至少部分移位寄存器單元10所輸出的電位Gl、GN穩(wěn)定。
[0039]優(yōu)選地,所述復(fù)位反饋單元與每個(gè)所述移位寄存器單元連接,用于當(dāng)所述檢測單元檢測到與所述檢測單元連接的移位寄存器單元所輸出的電位均為預(yù)判斷電位時(shí),對每個(gè)移位寄存器單元所述輸出的電位進(jìn)行復(fù)位。因此,當(dāng)檢測單元20檢測到與其連接的移位寄存器單元10所輸出的電位為預(yù)判斷電位Vth時(shí),通過該檢測結(jié)果控制復(fù)位反饋單元30對各移位寄存器單元10所述輸出的電位Gl、GN進(jìn)行復(fù)位,以使各個(gè)移位寄存器單元10所述輸出的電位Gl、GN穩(wěn)定,從而保證整個(gè)移位寄存器輸出的穩(wěn)定。
[0040]作為本實(shí)施例的一種優(yōu)選方式,其中,該檢測單元20包括轉(zhuǎn)換模塊21,該轉(zhuǎn)換模塊21與至少兩個(gè)移位寄存器單元10和復(fù)位反饋單元30電性連接,用于將與其連接的移位寄存器單元10所輸出的電位轉(zhuǎn)換為第一電位EN,并通過所述第一電位EN控制所述復(fù)位反饋單元30的工作。
[0041]具體的,以檢測單元20接兩個(gè)移位寄存器單元10為例進(jìn)行說明。由于在顯示一中貞畫面的有效顯不區(qū),各移位寄存器單兀10將依次輸出一個(gè)方波信號(hào)后變?yōu)榈碗娢恍盘?hào);在過渡區(qū)時(shí),各移位寄存器單元10將不在工作,此時(shí)各移位寄存器單元10所輸出的低電位信號(hào)將會(huì)被逐漸上拉,直至為0V。因此,當(dāng)其中一個(gè)寄存器單元輸出方波信號(hào)時(shí),則說明此時(shí)必然處于有效顯不區(qū),另一個(gè)寄存器單兀的輸出一定為一個(gè)低電位信號(hào),轉(zhuǎn)換模塊21接收到這兩個(gè)移位寄存器輸出的電位G1、GN后所轉(zhuǎn)換出的第一電位EN為低電位,此時(shí)該第一電位EN控制復(fù)位反饋單元30不進(jìn)行工作;當(dāng)其中一個(gè)寄存器單元輸出的電位G1、GN為低電位信號(hào)時(shí),則說明此時(shí)也必然處于有效顯示區(qū),另一個(gè)寄存器單元的輸出電位Gl、GN為一個(gè)低電位信號(hào)或者為一個(gè)方波信號(hào),此時(shí)轉(zhuǎn)換模塊21接收到這兩個(gè)移位寄存器單元10輸出的電位Gl、GN后所轉(zhuǎn)換出的第一電位EN為也為邏輯低電平;當(dāng)所述兩個(gè)移位寄存器單元10輸出的電位Gl、GN均為預(yù)判斷電位Vth時(shí),則說明此時(shí)必然處于過渡區(qū),則另一個(gè)移位寄存器單元10輸出的電位必然同樣為預(yù)判斷電位Vth,由于預(yù)判斷電位Vth相對于寄存器單元的在有效顯示區(qū)輸出的電位Gl、GN為低電位信號(hào)而言是有所升高,因此將預(yù)判斷電位Vth定義為高電位信號(hào),此時(shí)轉(zhuǎn)換模塊21接收到這兩個(gè)移位寄存器單元10輸出的電位G1、GN后所轉(zhuǎn)換出的第一電位EN為也為邏輯高電平,從而控制復(fù)位反饋單元30進(jìn)行工作,將各個(gè)移位寄存器單元10的輸出的電位G1、GN進(jìn)行復(fù)位,也就是說將拉低各個(gè)移位寄存器單元10的輸出,進(jìn)而使得該移位寄存器輸出更穩(wěn)定。同時(shí),圖2為本發(fā)明的時(shí)序圖,圖3為現(xiàn)有的時(shí)序圖,通過圖2和圖3的時(shí)序圖進(jìn)行比較可以看出,在過渡區(qū)是,現(xiàn)有的輸出明顯發(fā)生跳變,而在圖2中可以看出過渡區(qū)的輸出有了明顯的改善。
[0042]由于與門電路可以在輸入兩個(gè)高電位信號(hào)輸出一個(gè)邏輯高電平信號(hào),其中輸入一個(gè)低電位信號(hào)則輸出即為邏輯低電平信號(hào),因此在本實(shí)施例中轉(zhuǎn)換模塊21優(yōu)選為與門電路。
[0043]同時(shí)需要說明的是,本實(shí)施例中檢測單元20也可以連接兩個(gè)以上的移位寄存器單元10,但是為了布線簡單,優(yōu)選地檢測單元20連接兩個(gè)移位寄存器單元10,進(jìn)一步,與所述檢測單元20連接兩個(gè)所述移位寄存器單元10為多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元10中的第一個(gè)和最后一個(gè)。如此設(shè)置是因?yàn)?,以保證各個(gè)移位寄存器單元10在顯示一幀畫面的有效顯示區(qū)均已工作完成,以使得在對過渡區(qū)的輸出電位的復(fù)位更加的準(zhǔn)確。
[0044]作為本實(shí)施例的另一種優(yōu)選方式,與上述優(yōu)選方式不同的是,該檢測單元20不僅包括轉(zhuǎn)換模塊21,同時(shí)還包括雙向邏輯電平調(diào)整模塊22,且該雙向邏輯電平調(diào)整模塊22包括多個(gè)正向傳輸通道和至少一個(gè)反向傳輸通道;所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊22與至少兩個(gè)移位寄存器單元10,且與所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊22連接的移位寄存器單元10分別通過不同的所述正向傳輸通道與轉(zhuǎn)換模塊21連接;所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊22用于將與其連接的移位寄存器單元10所輸出的電位G1、GN調(diào)整為第一中間電位gl、gN,并將第一中間電位gl、gN傳輸給轉(zhuǎn)換模塊21 ;所述轉(zhuǎn)換模塊21還與所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊22的一個(gè)反向傳輸通道連接,用于將所述第一中間電位gl、gN調(diào)整為第二中間電位En;所述反向傳輸通道用于將所述第二中間電位En調(diào)整為第一電位EN,輸出給復(fù)位反饋單元30。
[0045]優(yōu)選地,所述復(fù)位反饋單元30包括:多個(gè)與各移位寄存器單元10 —一對應(yīng)的開關(guān)晶體管(也就是一個(gè)移位寄存器單元10對應(yīng)一個(gè)開關(guān)晶體管),每個(gè)開關(guān)晶體管的柵極連接在一起并連接反向傳輸通道,源極連接一個(gè)移位寄存器單元10,漏極短接在一起并連接低電平電位。如此設(shè)置是因?yàn)椋_關(guān)晶體管的結(jié)構(gòu)簡單,容易控制。進(jìn)一步優(yōu)選地,各個(gè)開關(guān)晶體管均為N型晶體管,因此轉(zhuǎn)換模塊21或者說是與門電路將與其連接的移位寄存器均輸出預(yù)判斷電位Vth時(shí),轉(zhuǎn)換出一個(gè)邏輯高電平信號(hào),從而各個(gè)開關(guān)晶體管打開,同時(shí)由于各個(gè)開關(guān)晶體管的漏極短接在一起并連接低電平電位,故可以將各個(gè)移位寄存器單元10的輸出拉低,進(jìn)而使得該移位寄存器輸出更穩(wěn)定。
[0046]當(dāng)然,還可以優(yōu)選的,只有部分移位寄存器單元10與開關(guān)晶體管連接,例如說,反饋復(fù)位單元30僅僅包括兩個(gè)開關(guān)晶體管,此時(shí)多個(gè)移位寄存器單元10中也就是只有兩個(gè)移位寄存器單元10連接與各自對應(yīng)的開關(guān)晶體管的源極,兩個(gè)開關(guān)晶體管的漏極均連接復(fù)位信號(hào),柵極連接反向傳輸通道??梢粤死斫獾氖?,只有這兩個(gè)移位寄存器單元10所輸出的電位將會(huì)被復(fù)位。
[0047]同樣以檢測單元20連接兩個(gè)移位寄存器單元10為例進(jìn)行說明,此時(shí)可以理解的是,在該方式中所采用的雙向邏輯電平調(diào)整模塊22可以為三通道的雙向邏輯電平調(diào)整模塊22,即包括兩個(gè)正向傳輸通道和一個(gè)反向傳輸通道。
[0048]具體的,其中一個(gè)移位寄存器單元10的輸出電位Gl傳輸至第一個(gè)正向傳輸通道,另一個(gè)移位寄存器單兀10的輸出的電位GN傳輸至第二個(gè)正向傳輸通道,并通過兩個(gè)傳輸通道調(diào)整后輸出兩個(gè)第一中間電位gl、gN,兩個(gè)第一中間電位gl、gN再經(jīng)過轉(zhuǎn)換模塊21轉(zhuǎn)換成第二中間電位En,第二中間電位En傳輸至反向傳輸通道中進(jìn)行調(diào)整后輸出第一電位EN,此時(shí)通過第一電位EN控制復(fù)位反饋單元30是否工作。其中,當(dāng)輸出的兩個(gè)第一中間電位gl、gN均為高電平,再轉(zhuǎn)換模塊21轉(zhuǎn)換成第二中間電位En同樣為高電平,此時(shí)經(jīng)過反向傳輸通道中進(jìn)行調(diào)整后輸出第一電位EN為高電平,因此開關(guān)晶體管均被打開,此時(shí)各移位寄存器單元10輸出復(fù)位信號(hào),由于復(fù)位信號(hào)為低電平電位VGL,也就說此時(shí)各移位寄存器單元10被復(fù)位輸出低電平。
[0049]之所以如此設(shè)置的原因是,當(dāng)兩個(gè)傳輸通道均輸出預(yù)判斷電位Vth時(shí),由于預(yù)判斷電位Vth的電壓值較低,此時(shí)通過正向傳輸通道將該電壓值進(jìn)行放大,也就是變成一個(gè)具有相對較大電壓值的高電平信號(hào),即為第一中間電位gl、gN,此時(shí)再通過轉(zhuǎn)換模塊21轉(zhuǎn)換(也就是與門電路)輸出一個(gè)高電平信號(hào),即為第二中間電位En,該高電平信號(hào)再通過反向傳輸通道進(jìn)一步調(diào)整(將電壓值放大或減小)得到一個(gè)穩(wěn)定的高電平信號(hào),即為第一電位EN,從而通過第一電位EN控制復(fù)位反饋單元30工作,將各個(gè)移位寄存器單元10的輸出進(jìn)行復(fù)位,也就是拉低,以使得移位寄存器的輸出穩(wěn)定。同理,當(dāng)這兩個(gè)移位寄存器單元10的輸出不是預(yù)判斷電位Vth時(shí),同樣按照上述的方式進(jìn)行轉(zhuǎn)換的,只是最終控制復(fù)位反饋單元30不工作,在此不詳細(xì)描述。
[0050]相應(yīng)的,本實(shí)施例還提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路,其包括上述移位寄存器。
[0051]相應(yīng)的,本實(shí)施例還提供了一種陣列基板,其包括上述柵極驅(qū)動(dòng)電路或者上述移位寄存器。
[0052]相應(yīng)的,本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,其包括上述陣列基板或上述柵極驅(qū)動(dòng)電路或者上述移位寄存器,該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0053]可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式,然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種移位寄存器,其包括多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元,其特征在于,所述移位寄存器還包括:檢測單元和復(fù)位反饋單元;其中, 所述檢測單元連接至少兩個(gè)移位寄存器單元,用于檢測與其連接的所述移位寄存器單元輸出的電位,并將該檢測結(jié)果傳輸給所述復(fù)位反饋單元; 所述復(fù)位反饋單元與至少一個(gè)所述移位寄存器單元連接,用于當(dāng)所述檢測單元檢測到與所述檢測單元連接的移位寄存器單元所輸出的電位均為預(yù)判斷電位時(shí),對與所述復(fù)位反饋單元連接的移位寄存器單元所述輸出的電位進(jìn)行復(fù)位;其中,所述預(yù)判斷電位為各所述移位寄存器單元在過渡區(qū)所輸出的電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述復(fù)位反饋單元與每個(gè)所述移位寄存器單元連接,用于當(dāng)所述檢測單元檢測到與所述檢測單元連接的移位寄存器單元所輸出的電位均為預(yù)判斷電位時(shí),對每個(gè)移位寄存器單元所述輸出的電位進(jìn)行復(fù)位。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述檢測單元包括轉(zhuǎn)換模塊, 所述轉(zhuǎn)換模塊與至少兩個(gè)移位寄存器單元和復(fù)位反饋單元電性連接,用于將與其連接的移位寄存器單元所輸出的電位轉(zhuǎn)換為第一電位,并通過所述第一電位控制所述復(fù)位反饋單元是否工作。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的移位寄存器,其特征在于,所述檢測單元還包括雙向邏輯電平調(diào)整模塊,所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊包括多個(gè)正向傳輸通道和至少一個(gè)反向傳輸通道; 所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊與至少兩個(gè)移位寄存器單元連接,且與所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊連接的移位寄存器單元分別通過不同的所述正向傳輸通道與轉(zhuǎn)換模塊連接;所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊用于將與其連接的移位寄存器單元所輸出的電位調(diào)整為第一中間電位,并將第一中間電位傳輸給轉(zhuǎn)換模塊; 所述轉(zhuǎn)換模塊還與所述雙向邏輯電平調(diào)整模塊的一個(gè)反向傳輸通道連接,用于將所述第一中間電位調(diào)整為第二中間電位; 所述反向傳輸通道用于將所述第二中間電位調(diào)整為第一電位,輸出給復(fù)位反饋單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移位寄存器,其特征在于,所述轉(zhuǎn)換模塊為與門電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移位寄存器,其特征在于,所述復(fù)位反饋單元包括:至少一個(gè)開關(guān)晶體管, 每個(gè)所述開關(guān)晶體管的柵極均連接反相輸出通道,源極連接一個(gè)移位寄存器單元,且每個(gè)所述移位寄存器單元至多與一個(gè)所述開關(guān)晶體管的源極連接,漏極連接復(fù)位信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的移位寄存器,其特征在于,所述復(fù)位反饋單元包括多個(gè)與各移位寄存器單元一一對應(yīng)的開關(guān)晶體管, 所述開關(guān)晶體管的柵極連接反相輸出通道,源極連接移位寄存器單元,漏極連接復(fù)位信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的移位寄存器,其特征在于,所述開關(guān)晶體管為N型晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一電位為高電平,所述復(fù)位號(hào)為低電平。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的移位寄存器,其特征在于,所述檢測單元連接兩個(gè)所述移位寄存器單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的移位寄存器,其特征在于,與所述檢測單元連接的兩個(gè)所述移位寄存器單元為多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元中的第一個(gè)和最后一個(gè)。
12.—種柵極驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括權(quán)利要求1至11中任意一項(xiàng)所述的移位寄存器。
13.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括權(quán)利要求12所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
14.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權(quán)利要求13所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G09G3/36GK104392705SQ201410778895
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年12月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月15日
【發(fā)明者】徐帥, 朱紅, 于洪俊 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司
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