像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，通過設(shè)置復(fù)用第一掃描線、第二掃描線的顯示驅(qū)動(dòng)模塊和觸控偵測(cè)模塊，從而可以消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì)發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)的影響，改善有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素電路通過采用控制信號(hào)復(fù)用的電路結(jié)構(gòu)設(shè)置，在實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)觸控偵測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)和觸控偵測(cè)的高效整合。
【專利說明】像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器相比，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域OLED已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的液晶顯示屏(IXD)。像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是AMOLED顯示器核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。
[0003]與TFT-LCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光。由于工藝制程和器件老化等原因，各像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)會(huì)漂移，這樣就導(dǎo)致了流過每個(gè)像素點(diǎn)OLED的電流因閾值電壓的變化而變化，使得顯示亮度不均，從而影響整個(gè)圖像的顯示效果。
[0004]目前觸控內(nèi)置(In cell touch)技術(shù)已經(jīng)成功應(yīng)用的IXD顯示器上，從而可實(shí)現(xiàn)IXD顯示器的薄型化以及集成化，因此，如果能將觸控內(nèi)置技術(shù)與AMOLED整合，勢(shì)必會(huì)在未來成為顯示領(lǐng)域發(fā)展的方向。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，從而可改善有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果，實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)和觸控偵測(cè)的高效整合。
[0006]本發(fā)明提供方案如下:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，包括第一存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極與第一信號(hào)源連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與第一存儲(chǔ)電容第二端連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接；
[0008]所述像素電路還包括:
[0009]顯示驅(qū)動(dòng)模塊，分別與第一掃描線、第二掃描線、數(shù)據(jù)線、第一信號(hào)源、第二信號(hào)源、以及第一存儲(chǔ)電容第一端和第二端連接，用于在一時(shí)間周期內(nèi)，在所述第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓補(bǔ)償處理，使得在所述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓無關(guān)；
[0010]觸控偵測(cè)模塊，分別與第一掃描線、第二掃描線以及信號(hào)讀取線連接，用于在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0011]優(yōu)選的，所述顯示驅(qū)動(dòng)模塊包括:
[0012]第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管；其中:
[0013]第一薄膜晶體管的第一極與第一信號(hào)源連接，第一薄膜晶體管的柵極與第二掃描線連接，第一薄膜晶體管的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接；
[0014]第二薄膜晶體管的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接，第二薄膜晶體管的柵極與第一掃描線連接，第二薄膜晶體管的第二極與第一存儲(chǔ)電容的第二端連接；
[0015]第三薄膜晶體管的第一極與數(shù)據(jù)線連接，第三薄膜晶體管的柵極與第一掃描線連接，第三薄膜晶體管的第二極與第一存儲(chǔ)電容的第一端連接；
[0016]第四薄膜晶體管的第一極與第一存儲(chǔ)電容的第一端連接，第四薄膜晶體管的柵極與第二掃描線連接，第四薄膜晶體管的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接。
[0017]第五薄膜晶體管的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，第五薄膜晶體管的柵極與第一掃描線連接，第五薄膜晶體管的第二極與第二信號(hào)源連接。
[0018]優(yōu)選的，所述觸控偵測(cè)模塊為光感觸控偵測(cè)模塊，用于在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，基于觸控操作而導(dǎo)致的光線變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)；
[0019]所述光感觸控偵測(cè)模塊還與數(shù)據(jù)線連接。
[0020]優(yōu)選的，所述光感觸控偵測(cè)模塊包括:
[0021]第二存儲(chǔ)電容、第一開關(guān)晶體管、光感晶體管以及第二開關(guān)晶體管；其中:
[0022]第一開關(guān)晶體管的第一極與數(shù)據(jù)線連接，第一開關(guān)晶體管的柵極與第一掃描線連接，第一開關(guān)晶體管的第二極分別與光感晶體管的第一極和柵極，以及第二存儲(chǔ)電容的第二端連接；
[0023]光感晶體管的第二極與第二存儲(chǔ)電容的第一端連接，所述光感晶體管基于光照強(qiáng)度產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)，所述電流信號(hào)用于為所述第二存儲(chǔ)電容充電；
[0024]第二開關(guān)晶體管的第一極與第二存儲(chǔ)電容的第一端連接，第二開關(guān)晶體管的柵極與第二掃描線連接，第二開關(guān)晶體管的第二極與信號(hào)讀取線連接。
[0025]優(yōu)選的，所述觸控偵測(cè)模塊為電容觸控偵測(cè)模塊，用于在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，基于觸控操作而導(dǎo)致的電容數(shù)值變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)；
[0026]所述電容觸控偵測(cè)模塊還與第三信號(hào)源連接。
[0027]優(yōu)選的，所述電容觸控偵測(cè)模塊包括:
[0028]第三存儲(chǔ)電容、重置晶體管、放大晶體管以及第三開關(guān)晶體管；其中:
[0029]重置晶體管的第一極與第一存儲(chǔ)電容的第一端連接，重置晶體管的柵極與第一掃描線連接，重置晶體管的第二極分別與第三存儲(chǔ)電容的第一端、放大晶體管的柵極連接；
[0030]放大晶體管的第一極分別與第三存儲(chǔ)電容的第二端、第三信號(hào)源連接，放大晶體管的第二極與第三開關(guān)晶體管的第一極連接；
[0031]第三開關(guān)晶體管的柵極與第二掃描線連接，第三開關(guān)晶體管的第二極與信號(hào)讀取線連接。
[0032]優(yōu)選的，所述晶體管為N型晶體管，所述第一極為源極，所述第二級(jí)為漏極。
[0033]優(yōu)選的，所述第一信號(hào)為高電平信號(hào)，所述第二信號(hào)源輸入的第二信號(hào)為低電平信號(hào)或者零電位信號(hào)。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種用于驅(qū)動(dòng)上述本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的像素驅(qū)動(dòng)方法，包括:
[0035]在一時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓補(bǔ)償處理，使得在所述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓無關(guān)；以及
[0036]在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0037]優(yōu)選的，所述在一時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓補(bǔ)償處理，使得在所述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓無關(guān)的過程包括:
[0038]在所述時(shí)間周期的第一階段，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容第一端的電位為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位，以及使第一存儲(chǔ)電容第二端電位為第一信號(hào)的電位；
[0039]在所述時(shí)間周期的第二階段，第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，第一薄膜晶體管、第四薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容第一端的電位為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位，以及將第一存儲(chǔ)電容第二端電位由第一信號(hào)的電位放電至與驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓相等的電位，以使第一存儲(chǔ)電容兩端的電壓差為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的電位與數(shù)據(jù)信號(hào)的電位的差值；
[0040]在所述時(shí)間周期的第三階段，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容兩端的電壓差維持為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的電位與數(shù)據(jù)信號(hào)的電位的差值；
[0041]在所述時(shí)間周期的第四階段，第一薄膜晶體管、第四薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容第一端的電位由數(shù)據(jù)信號(hào)的電位跳變?yōu)轵?qū)動(dòng)晶體管第二極的電位，使得第一存儲(chǔ)電容第二端的電位為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的電位與數(shù)據(jù)信號(hào)的電位之間的差值，與驅(qū)動(dòng)晶體管第二極的電位之和。
[0042]優(yōu)選的，所述在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)的過程包括:
[0043]在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，光感觸控偵測(cè)模塊基于觸控操作而導(dǎo)致的光線變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0044]優(yōu)選的，所述在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和控制線輸入的控制信號(hào)的控制下，光感觸控偵測(cè)模塊基于觸控操作而導(dǎo)致的光線變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)包括:
[0045]在所述時(shí)間周期的第一階段，第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使第二存儲(chǔ)電容第一端、感光晶體管第一極和柵極的電位為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位；
[0046]在所述時(shí)間周期的第二階段，第一開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，第二開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第二存儲(chǔ)電容第一端、感光晶體管第一極和柵極的電位維持為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位；
[0047]在所述時(shí)間周期的第三階段，第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，光感晶體管基于照射光線強(qiáng)度而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)，所述電流信號(hào)用于為所述第二存儲(chǔ)電容充電；
[0048]在所述時(shí)間周期的第四階段，第一開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第二開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使第二存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的電流信號(hào)傳輸至信號(hào)讀取線，以便與信號(hào)讀取線連接的處理器基于所述電流信號(hào)確定是否發(fā)生觸摸操作以及觸摸點(diǎn)的位置信息。
[0049]優(yōu)選的，所述在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)的過程包括:
[0050]在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，電容觸控偵測(cè)模塊基于觸控操作而導(dǎo)致的電容數(shù)值變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0051]優(yōu)選的，所述在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和控制線輸入的控制信號(hào)的控制下，電容觸控偵測(cè)模塊基于觸控操作而導(dǎo)致的電容數(shù)值變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)包括:
[0052]在所述時(shí)間周期的第一階段，重置晶體管、第三開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使第三存儲(chǔ)電容第一端和放大晶體管柵極的電位為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位；
[0053]在所述時(shí)間周期的第二階段，重置晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第三存儲(chǔ)電容第一端和放大晶體管柵極的電位維持為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位；
[0054]在所述時(shí)間周期的第三階段，第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)；
[0055]在所述時(shí)間周期的第四階段，第一開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第二開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，放大晶體管基于觸摸屏是否發(fā)生觸摸操作而處于對(duì)應(yīng)的狀態(tài)，以使信號(hào)讀取線傳輸與放大晶體管狀態(tài)對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)，以便與信號(hào)讀取線連接的處理器基于所述對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)確定是否發(fā)生觸摸操作以及觸摸點(diǎn)的位置信息。
[0056]優(yōu)選的，在所述時(shí)間周期的第一階段，第一掃描信號(hào)為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)為低電平信號(hào)；
[0057]在所述時(shí)間周期的第二階段，第一掃描信號(hào)為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)為低電平信號(hào)；
[0058]在所述時(shí)間周期的第三階段，第一掃描信號(hào)為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)為高電平信號(hào)；
[0059]在所述時(shí)間周期的第四階段，第一掃描信號(hào)為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)為高電平信號(hào)。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，該有機(jī)發(fā)光顯示面板具體可以包括上述本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置具體可以包括上述本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板。
[0062]從以上所述可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，通過設(shè)置復(fù)用第一掃描線、第二掃描線的顯示驅(qū)動(dòng)模塊和觸控偵測(cè)模塊，從而不但可以消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì)發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)的影響，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素電路通過采用控制信號(hào)復(fù)用的電路結(jié)構(gòu)設(shè)置，在實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)觸控偵測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)和觸控偵測(cè)的高效整合。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0063]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0064]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0065]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的所像素驅(qū)動(dòng)方法所涉及的信號(hào)時(shí)序圖示意圖中；
[0066]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在第一階段狀態(tài)示意圖一；
[0067]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在第二階段狀態(tài)示意圖一；
[0068]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在第四階段狀態(tài)示意圖一；
[0069]圖7為現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0070]圖8為現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電流仿真測(cè)試模擬結(jié)構(gòu)示意圖；
[0071]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路仿真測(cè)試模擬結(jié)構(gòu)示意圖；
[0072]圖10為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth遷移過程中，有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電流1_的輸出情況對(duì)比圖；
[0073]圖11為有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電流輸出均一'丨生對(duì)比圖；
[0074]圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0075]圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0076]圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在第一階段狀態(tài)示意圖二 ；
[0077]圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在第三階段狀態(tài)示意圖一；
[0078]圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在第四階段狀態(tài)示意圖二 ；
[0079]圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖五；
[0080]圖18為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖六；
[0081]圖19為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在第一階段狀態(tài)示意圖三；
[0082]圖20為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路中所涉及的電容觸控技術(shù)原理圖一；
[0083]圖21為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路中所涉及的電容觸控技術(shù)原理圖二 ；
[0084]圖22為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在第四階段狀態(tài)示意圖三；
[0085]圖23為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路分布示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0086]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0087]除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請(qǐng)說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。
[0088]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，如圖1所示，該像素電路具體可以包括第一存儲(chǔ)電容(Cl)、驅(qū)動(dòng)晶體管(DTFT)以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極與第一信號(hào)源連接，該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與第一存儲(chǔ)電容Cl第二端連接，該驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接；
[0089]如圖1所示，該像素電路具體還可以包括:
[0090]顯示驅(qū)動(dòng)模塊1，分別與第一掃描線(Scanl)、第二掃描線(Scan2)、數(shù)據(jù)線、第一信號(hào)源、第二信號(hào)源、以及第一存儲(chǔ)電容Cl第一端(即節(jié)點(diǎn)A)和第二端(即節(jié)點(diǎn)B)連接，用于在一時(shí)間周期內(nèi)，在所述第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)(Vfkanl)、第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)(vs_2)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)(Vdata)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)(Vdd)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓(Vth)補(bǔ)償處理，使得在上述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth無關(guān)；
[0091]觸控偵測(cè)模塊2，分別與第一掃描線、第二掃描線以及信號(hào)讀取線(ReadLine)連接，用于在上述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)Vscanl和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)Vscan2的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0092]本發(fā)明實(shí)施例中，如圖1所示，有機(jī)發(fā)光二極管的陰極具體可與第二信號(hào)源連接。
[0093]上述本發(fā)明實(shí)施例所涉及的第一信號(hào)Vdd具體可為高電平信號(hào)，而第二信號(hào)源輸入的第二信號(hào)具體可為為低電平信號(hào)，也可以將地作為第二信號(hào)源，以實(shí)現(xiàn)零電位的輸入。
[0094]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素驅(qū)動(dòng)方法，以用于驅(qū)動(dòng)上述本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路。
[0095]該方法具體可以包括:
[0096]在一時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線(Scanl)輸入的第一掃描信號(hào)(Vsranl)、第二掃描線(Scan2)輸入的第二掃描信號(hào)(VSc;an2)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)(Vdata)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)(Vdd)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓(Vth)補(bǔ)償處理，使得在上述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth無關(guān)；以及
[0097]在上述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)Vsranl和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)Vscan2的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法，不但可以消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth對(duì)發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)的影響，從而改善有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素電路通過采用控制信號(hào)復(fù)用的電路結(jié)構(gòu)設(shè)置，在實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)觸控偵測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)和觸控偵測(cè)的高效整合。
[0099]在一實(shí)施例中，如圖2所示,本發(fā)明實(shí)施例所涉及的顯示驅(qū)動(dòng)模塊I具體可以包括:
[0100]第一薄膜晶體管(Tl)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第五薄膜晶體管(T5)。
[0101]其中:
[0102]第一薄膜晶體管Tl的第一極與第一信號(hào)源連接，第一薄膜晶體管Tl的柵極與第二掃描線連接，第一薄膜晶體管Tl的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接；
[0103]第二薄膜晶體管T2的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接，第二薄膜晶體管T2的柵極與第一掃描線連接，第二薄膜晶體管T2的第二極與第一存儲(chǔ)電容Cl的第二端連接；
[0104]第三薄膜晶體管T3的第一極與數(shù)據(jù)線連接，第三薄膜晶體管T3的柵極與第一掃描線連接，第三薄膜晶體管T3的第二極與第一存儲(chǔ)電容Cl的第一端連接；
[0105]第四薄膜晶體管T4的第一極與第一存儲(chǔ)電容Cl的第一端連接，第四薄膜晶體管T4的柵極與第二掃描線連接，第四薄膜晶體管T4的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接。
[0106]第五薄膜晶體管T5的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，第五薄膜晶體管T5的柵極與第一掃描線連接，第五薄膜晶體管T5的第二極與第二信號(hào)源連接。
[0107]下面，結(jié)合附圖3所示的時(shí)序圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)顯示驅(qū)動(dòng)模塊的一個(gè)具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0108]該過程具體可以包括:
[0109]第一階段:
[0110]此階段中，顯示驅(qū)動(dòng)模塊I具體可處于充電階段。
[0111]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段I，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為低電平信號(hào)，從而使第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5均處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0112]如圖4中實(shí)線箭頭所示，數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的第三薄膜晶體管T3，傳輸至第一存儲(chǔ)電容Cl第一端，即節(jié)點(diǎn)A，將第一存儲(chǔ)電容Cl的第一端充電至數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的電位，即Va = Vdata0同時(shí)，第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)Vdd通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2，傳輸至第一存儲(chǔ)電容Cl的第二端，即節(jié)點(diǎn)B，將節(jié)點(diǎn)B的電位充電至第一信號(hào)Vdd的電位，即Vb = Vddo
[0113]第二階段:
[0114]此階段中，顯示驅(qū)動(dòng)模塊I具體可處于放電補(bǔ)償階段。
[0115]此階段的信號(hào)輸入示意圖如附圖3中的階段2，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)Vs_2具體可為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為低電平信號(hào)，從而使第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第五薄膜晶體管T5均處于導(dǎo)通狀態(tài)，第一薄膜晶體管Tl、第四薄膜晶體管T4處于截止?fàn)顟B(tài)。
[0116]如圖5中實(shí)線箭頭所示，由于第三薄膜晶體管T3導(dǎo)通、第四薄膜晶體管T4截止，因此，節(jié)點(diǎn)A的電位維持在數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的電位，即Va = Vdata。而由于第二薄膜晶體管T2、第五薄膜晶體管T5導(dǎo)通，第一薄膜晶體管Tl截止，節(jié)點(diǎn)B開始放電，直至節(jié)點(diǎn)B的電位為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth，即Vb = Vth,以使第一存儲(chǔ)電容兩端的電壓差Vba = Vth-Vdata,即為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth的電位與數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的電位的差值。
[0117]由于在第二階段，由于第五薄膜晶體管T5導(dǎo)通，因此使電流不會(huì)通過有機(jī)發(fā)光二極管，從而可降低有機(jī)發(fā)光二極管的壽命損耗，延長(zhǎng)了有機(jī)發(fā)光二極管的使用壽命。
[0118]第三階段:
[0119]此階段中，顯示驅(qū)動(dòng)模塊I具體可處于停滯階段。
[0120]此階段的信號(hào)輸入示意圖如附圖3中的階段3，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為高電平信號(hào)，從而使第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5均處于截止?fàn)顟B(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容兩端的電壓差維持為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth的電位與數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的電位的差值，即Vba = Vth-Vdata0
[0121]如圖3所示，第三階段的時(shí)長(zhǎng)可相對(duì)較短，主要是為了放電充分后起到穩(wěn)定節(jié)點(diǎn)A、B之間電壓差的作用。
[0122]第四階段:
[0123]此階段中，顯示驅(qū)動(dòng)模塊I具體可處于跳變發(fā)光階段。
[0124]此階段的信號(hào)輸入示意圖如附圖3中的階段4，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為高電平信號(hào)，從而使第一薄膜晶體管Tl、第四薄膜晶體管T4處于導(dǎo)通狀態(tài)，第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第五薄膜晶體管T5均處于截止?fàn)顟B(tài)。
[0125]如圖6中實(shí)線箭頭所示，由于第四薄膜晶體管T4導(dǎo)通，從而使節(jié)點(diǎn)A與驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，因?yàn)榈谖灞∧ぞw管T5截止，因此，節(jié)點(diǎn)A的電位變化為驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極的電位，即\ = 由于此時(shí)第二薄膜晶體管T2截止，因此使節(jié)點(diǎn)B處于懸浮狀態(tài)，那么當(dāng)節(jié)點(diǎn)A的電位變化為Vtjled時(shí)，基于第一存儲(chǔ)電容的自舉效應(yīng)，節(jié)點(diǎn)B的電位會(huì)等量跳變，以維持節(jié)點(diǎn)B、A之間的電壓差Vba = Vth-Vdata,即此時(shí)節(jié)點(diǎn)B的電位為:VB =Vth Vdata+Voled。
[0126]由于等壓跳變的過程為瞬態(tài)過程，即節(jié)點(diǎn)B在很短的時(shí)間就完成了電壓跳變補(bǔ)償?shù)倪^程，并進(jìn)入發(fā)光階段。
[0127]由驅(qū)動(dòng)晶體管(DTFT)飽和電流公式可以得到:
[0128]Iqled = K (Vgs - Vth)2
[0129]= K [ (Vth-Vdata+Voled) -Voled-Vth]2
[0130]= K (Vdata)2
[0131]其中，Ves為驅(qū)動(dòng)晶體管柵源電壓，即驅(qū)動(dòng)晶體管柵極(節(jié)點(diǎn)B)的電位與驅(qū)動(dòng)晶體管第二極之間的電壓差，即(Vth-UVtjled) -Voled, K為與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT生產(chǎn)工藝和驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)有關(guān)的常數(shù)。
[0132]由上式中可以看到，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的工作電流Imd已經(jīng)不受驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓Vth的影響，而只與數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata有關(guān)。從而徹底解決了驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT由于工藝制程及長(zhǎng)時(shí)間的操作造成閾值電壓Vth漂移的問題，消除驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT閾值電壓Vth對(duì)于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的工作電流I_D的影響，不但可以保證像素單元內(nèi)的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的正常工作，而且還可以保證圖像顯示的均勻性。
[0133]并且，通過仿真軟件例如P-Spice，將本發(fā)明實(shí)施例提供的6T1C像素電路結(jié)構(gòu)顯示驅(qū)動(dòng)模塊1，與現(xiàn)有如圖7所示的現(xiàn)有技術(shù)中采用2T1C有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬測(cè)試對(duì)比，也可以證明上述本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法所能實(shí)現(xiàn)的有益效果。
[0134]圖8為圖7所示現(xiàn)有電路結(jié)構(gòu)的模擬電路，圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路中顯示驅(qū)動(dòng)模塊I的模擬電路。圖10為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth遷移過程中，有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電流I_D的輸出情況對(duì)比圖。圖11為有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電流輸出均一性對(duì)比圖。
[0135]圖10中，位于上部的帶有三角形圖案的線條為圖7所示現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路在Vth= -0.33V時(shí)驅(qū)動(dòng)電流輸出數(shù)值的連線示意圖；圖10中，位于下部的帶有X圖案的線條為圖7所示現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路在Vth = +0.33V時(shí)驅(qū)動(dòng)電流輸出數(shù)值的連線示意圖；圖10中，位于中部的線條為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路在Vth = -0.33V以及Vth = +0.33V時(shí)驅(qū)動(dòng)電流輸出數(shù)值的連線示意圖。
[0136]通過圖10的對(duì)比可以看出，本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素電路在Vth = -0.33V以及Vth = +0.33V偏移時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流輸出電流基本沒有變化，從而使Vth = -0.33V以及Vth =+0.33V時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流輸出數(shù)值的連線基本重合，而圖7所示的現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流10LED輸出數(shù)值的連線則存在較大差異。
[0137]圖11中，位于上部的帶有三角形圖案的線條為圖7所示現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電流的輸出均一性示意圖；圖11中，位于下部的帶有菱形圖案的線條為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路驅(qū)動(dòng)電流的輸出均一性示意圖。
[0138]通過圖11的對(duì)比可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路驅(qū)動(dòng)電流的輸出均一性較好，而圖7所示的現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電流的輸出均一性較差。
[0139]那么，通過圖10、11所示的對(duì)比可以充分印證本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素電路，相較于現(xiàn)有技術(shù)具有顯著的技術(shù)進(jìn)步。
[0140]在一具體實(shí)施例中，如圖12所示，本發(fā)明實(shí)施例中所涉及的觸控偵測(cè)模塊2，具體可為光感觸控偵測(cè)模塊21。
[0141]本發(fā)明實(shí)施例所涉及的光感觸控偵測(cè)模塊21,用于在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)Vscanl和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)Vs_2的控制下，基于觸控操作而導(dǎo)致的光線變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0142]本發(fā)明實(shí)施例所涉及的光感觸控偵測(cè)模塊21，通過其內(nèi)部設(shè)置的光感晶體管(Photo TFT)受到的光照強(qiáng)度的變化情況，再根據(jù)觸控前后光電信號(hào)強(qiáng)度變化差值與閾值進(jìn)行比較，依此判斷是否有觸摸操作，再由處理器終端采集信號(hào)確定觸摸位置的坐標(biāo)。
[0143]本發(fā)明實(shí)施例所采用的光感觸控技術(shù)，不僅具有較高的觸控靈敏度和功能，其另外一個(gè)最大的優(yōu)點(diǎn)就是光感觸控不受觸摸屏幕尺寸的限制，在大尺寸觸控方面占有一席之地。
[0144]另外光感觸控技術(shù)不僅可以通過觸控物直接觸控(手指或觸控筆觸控操作會(huì)遮擋光線從而導(dǎo)致光照射強(qiáng)度降低)，而且還可以使用激光筆直接遠(yuǎn)距離觸控(激光的照射從而導(dǎo)致照射強(qiáng)度增加)。
[0145]在一具體實(shí)施例中，如圖12所示，光感觸控偵測(cè)模塊21不但與第一掃描線、第二掃描線以及信號(hào)讀取線連接，而且，還可與數(shù)據(jù)線連接。
[0146]如圖13所示，光感觸控偵測(cè)模塊21具體可以包括:
[0147]第二存儲(chǔ)電容(C2)、第一開關(guān)晶體管(Ml)、第二開關(guān)晶體管(M2)以及光感晶體管(M3);其中:
[0148]第一開關(guān)晶體管Ml的第一極與數(shù)據(jù)線連接，第一開關(guān)晶體管Ml的柵極與第一掃描線連接，第一開關(guān)晶體管Ml的第二極分別與光感晶體管M3的第一極和柵極，以及第二存儲(chǔ)電容的第二端連接；
[0149]光感晶體管M3的第二極與第二存儲(chǔ)電容C2的第一端連接，光感晶體管M3可基于光照強(qiáng)度產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)，該電流信號(hào)具體可用于為第二存儲(chǔ)電容C2充電；
[0150]第二開關(guān)晶體管M2的第一極與第二存儲(chǔ)電容的第一端連接，第二開關(guān)晶體管M2的柵極與第二掃描線連接，第二開關(guān)晶體管M2的第二極與信號(hào)讀取線連接。
[0151]為了實(shí)現(xiàn)光感觸控偵測(cè)，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)方法中所涉及的觸控偵測(cè)過程具體還可以包括:
[0152]在一時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)Vseanl和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)Vs_2的控制下，光感觸控偵測(cè)模塊21基于觸控操作而導(dǎo)致的光線變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0153]本發(fā)明實(shí)施例所提供的光感觸控偵測(cè)模塊21實(shí)現(xiàn)光感觸控偵測(cè)的過程，可與顯示驅(qū)動(dòng)模塊I實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)的過程同步實(shí)現(xiàn)。那么，結(jié)合圖3所示的信號(hào)時(shí)序圖，對(duì)光感觸控偵測(cè)模塊21的一個(gè)具體實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過程進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0154]該過程具體可以包括:
[0155]第一階段:
[0156]此階段中，光感觸控偵測(cè)模塊21處于重置階段(此階段顯示驅(qū)動(dòng)模塊I處于充電階段)。
[0157]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段1，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為低電平信號(hào)，從而使第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0158]如圖14中虛線箭頭所示，數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)晶體管M1，傳輸至光感晶體管M3的第一極和柵極，以及第二存儲(chǔ)電容C2的第二端的連接點(diǎn)，即節(jié)點(diǎn)D。由于在第一階段數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata為低電平信號(hào)，因此實(shí)現(xiàn)光感晶體管M3以及第二存儲(chǔ)電容C2的電位重置。
[0159]此階段中，信號(hào)讀取線傳輸初始信號(hào)。
[0160]第二階段:
[0161]此階段中，光感觸控偵測(cè)模塊21仍然處于重置階段(此階段顯示驅(qū)動(dòng)模塊I處于放電補(bǔ)償階段)。
[0162]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段2，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為低電平信號(hào)，從而使第一開關(guān)晶體管Ml處于導(dǎo)通狀態(tài)，第二開關(guān)晶體管M2處于截止?fàn)顟B(tài)。
[0163]那么此階段光感觸控偵測(cè)模塊21的狀態(tài)不變，仍然處于電位重置狀態(tài)，此時(shí)光感觸控偵測(cè)模塊21的狀態(tài)示意圖可如圖14所示。
[0164]第三階段:
[0165]此階段中，光感觸控偵測(cè)模塊21處于觸控偵測(cè)信號(hào)存儲(chǔ)階段(此階段顯示驅(qū)動(dòng)模塊I處于停滯階段)。
[0166]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段3，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為高電平信號(hào)，從而使第一開關(guān)晶體管Ml、第二開關(guān)晶體管M2均處于截止?fàn)顟B(tài)。
[0167]那么，如圖15中虛線箭頭所示，若此階段光感晶體管M3受到光線照射時(shí)，光感晶體管M3基于光線照射強(qiáng)度(即是否存在觸控操作)，通過自身所具備的電勢(shì)轉(zhuǎn)換功能，產(chǎn)生相應(yīng)的電流信號(hào)，該電流信號(hào)可為第二存儲(chǔ)電容C2的第一端即節(jié)點(diǎn)E充電，以為電流信號(hào)讀取階段做準(zhǔn)備。此時(shí)，第二存儲(chǔ)電容C2的電位差為定值。
[0168]第四階段:
[0169]此階段中，光感觸控偵測(cè)模塊21處于觸控偵測(cè)信號(hào)讀取階段(此階段顯示驅(qū)動(dòng)模塊I處于跳變發(fā)光階段)。
[0170]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段4，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為高電平信號(hào)，從而使第一開關(guān)晶體管Ml處于截止?fàn)顟B(tài)，第二開關(guān)晶體管M2處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0171]如圖16中虛線箭頭所示，由于上一階段即第三階段中，第二存儲(chǔ)電容C2已經(jīng)存儲(chǔ)相應(yīng)的電流信號(hào)，因此，在第四階段當(dāng)?shù)诙_關(guān)晶體管M2處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，第二存儲(chǔ)電容C2將自身存儲(chǔ)的電流信號(hào)，通過第二開關(guān)晶體管M2，釋放至信號(hào)讀取線，并傳輸至于信號(hào)讀取線連接的處理器，以便處理器進(jìn)行數(shù)據(jù)計(jì)算分析，以確定是否發(fā)生光感觸控操作以及確定觸控點(diǎn)的坐標(biāo)信息。
[0172]由于當(dāng)發(fā)生光感觸控操作時(shí)，第二存儲(chǔ)電容C2存儲(chǔ)的電流信號(hào)，相較于無光感觸控操作時(shí)第二存儲(chǔ)電容C2存儲(chǔ)的電流信號(hào)，會(huì)出現(xiàn)降低(對(duì)應(yīng)于觸控物觸控觸摸屏?xí)r遮擋照射光而導(dǎo)致照射光強(qiáng)度降低)或者增加(對(duì)應(yīng)于激光等遠(yuǎn)距離觸控而導(dǎo)致的照射光強(qiáng)度增加)，因此，處理器可以基于光感觸控前后光電信號(hào)強(qiáng)度變化差值，與預(yù)設(shè)設(shè)定的無光感觸控閾值進(jìn)行比較，依此判斷觸摸屏是否發(fā)生光感觸控(光照射強(qiáng)度變化)。并且，處理器可基于此階段中，第二掃描線的信號(hào)輸出點(diǎn)確定觸摸點(diǎn)的X軸方向坐標(biāo)，并基于傳輸電流信號(hào)的信號(hào)讀取線的信息確定觸摸點(diǎn)的Y軸方向坐標(biāo)，至此也就確定了觸摸點(diǎn)的位置坐標(biāo)。
[0173]在另一具體實(shí)施例中，如圖17所示，本發(fā)明實(shí)施例所涉及的觸控偵測(cè)模塊2具體還可為電容觸控偵測(cè)模塊22，用于在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)Vseanl和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)Vsmii2的控制下，基于觸控操作而導(dǎo)致的電容數(shù)值變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0174]本發(fā)明實(shí)施例所涉及的電容觸控技術(shù)，具體可基于觸控物(例如手指或觸控筆等)觸控觸摸屏?xí)r與探測(cè)電極之間產(chǎn)生的耦合電容變化而導(dǎo)致的處理器接收的電流信號(hào)強(qiáng)度出現(xiàn)的變化，確定是否發(fā)生電容觸控操作以及觸摸點(diǎn)位置信息。
[0175]在一具體實(shí)施例中，如圖17所示，電容觸控偵測(cè)模塊22不但與第一掃描線、第二掃描線以及信號(hào)讀取線連接，而且，還可與第三信號(hào)源連接。本發(fā)明實(shí)施例中，第三信號(hào)源具體用于向電容觸控偵測(cè)模塊22輸入具有固定電位的信號(hào)，例如公共電極信號(hào)Vcom。
[0176]如圖18所示，電容觸控偵測(cè)模塊22具體可以包括:
[0177]第三存儲(chǔ)電容(C3)、重置晶體管(M4)、放大晶體管(M5)以及第三開關(guān)晶體管(M6);其中:
[0178]重置晶體管M4的第一極與第一存儲(chǔ)電容Cl的第一端連接，重置晶體管M4的柵極與第一掃描線連接，重置晶體管M4的第二極分別與第三存儲(chǔ)電容C3的第一端、放大晶體管M5的柵極連接；
[0179]放大晶體管M5的第一極分別與第三存儲(chǔ)電容C3的第二端、第三信號(hào)源連接，放大晶體管M5的第二極與第三開關(guān)晶體管M6的第一極連接；
[0180]第三開關(guān)晶體管M6的柵極與第二掃描線連接,第三開關(guān)晶體管M6的第二極與信號(hào)讀取線連接。
[0181]為了實(shí)現(xiàn)電容觸控偵測(cè)，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)方法中所涉及的觸控偵測(cè)過程具體還可以包括:
[0182]在一時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)Vscanl和控制線輸入的控制信號(hào)Vscm2的控制下，電容觸控偵測(cè)模塊22基于觸控操作而導(dǎo)致的電容數(shù)值變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0183]對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的電容觸控偵測(cè)模塊22實(shí)現(xiàn)電容觸控偵測(cè)的過程，可與顯示驅(qū)動(dòng)模塊I實(shí)現(xiàn)顯示驅(qū)動(dòng)的過程同步實(shí)現(xiàn)。那么，結(jié)合圖3所示的信號(hào)時(shí)序圖，對(duì)電容觸控偵測(cè)模塊22的一個(gè)具體實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過程進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0184]該過程具體可以包括:
[0185]第一階段:
[0186]此階段中，電容觸控偵測(cè)模塊22處于重置階段(此階段顯示驅(qū)動(dòng)模塊I處于充電階段)。
[0187]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段1，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為低電平信號(hào)，從而使重置晶體管M4、第三開關(guān)晶體管M6處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0188]如圖19中虛線箭頭所示，由于重置晶體管M4導(dǎo)通，因此，數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的重置晶體管M4傳輸至第三存儲(chǔ)電容C3的第一端以及放大晶體管M2的柵極的連接點(diǎn)，即節(jié)點(diǎn)F，從而為第三存儲(chǔ)電容C3充電以及使放大晶體管M2處于導(dǎo)通放大狀態(tài)，那么，第三信號(hào)源輸入的第三信號(hào)在經(jīng)過放大晶體管M2的放大作用后，經(jīng)過第三開關(guān)晶體管M6傳輸至信號(hào)讀取線，并由信號(hào)讀取線傳輸至于信號(hào)讀取線連接的處理器。
[0189]此階段中處理所接收的第三信號(hào)可用于基準(zhǔn)放大信號(hào)，以便后續(xù)處理器基于再次接收的信號(hào)對(duì)是否發(fā)生電容觸控進(jìn)行判斷。
[0190]第二階段:
[0191]此階段中，電容觸控偵測(cè)模塊22仍然處于重置階段(此階段顯示驅(qū)動(dòng)模塊I處于放電補(bǔ)償階段)。
[0192]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段2，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為低電平信號(hào)，從而使重置晶體管M4、放大晶體管M5處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三開關(guān)晶體管M6處于截止?fàn)顟B(tài)。
[0193]那么此階段電容觸控偵測(cè)模塊22的狀態(tài)不變，仍然處于電位重置狀態(tài)，此時(shí)電容觸控偵測(cè)模塊22的狀態(tài)示意圖可如圖19所示。
[0194]第三階段:
[0195]此階段中，電容觸控偵測(cè)模塊22處于停滯階段(此階段顯示驅(qū)動(dòng)模塊I處于停滯階段)。
[0196]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段3，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為高電平信號(hào)，從而使重置晶體管M4、放大晶體管M5處于截止?fàn)顟B(tài)，為下一階段的信號(hào)讀取作準(zhǔn)備。
[0197]第四階段:
[0198]此階段中，電容觸控偵測(cè)模塊22處于觸控偵測(cè)信號(hào)讀取階段(此階段顯示驅(qū)動(dòng)模塊I處于跳變發(fā)光階段)。
[0199]此階段的信號(hào)輸入示意圖如圖3中的階段4，即第一掃描信號(hào)Vseanl具體可為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)vs_2具體可為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata具體可為高電平信號(hào)，從而使重置晶體管M4處于截止?fàn)顟B(tài)，第三開關(guān)晶體管M6處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0200]那么，若此階段中觸控物觸控觸摸屏?xí)r，會(huì)導(dǎo)致與探測(cè)電極連接的節(jié)點(diǎn)F點(diǎn)的電勢(shì)降低(電勢(shì)降低原理可如圖20、21所示，觸控物與探測(cè)電極之間產(chǎn)生耦合電容Cf)，從而使放大晶體管處于半截止(放大晶體管M5失去放大功能，無法對(duì)第三信號(hào)源輸入的信號(hào)進(jìn)行放大)或截止?fàn)顟B(tài)，從而導(dǎo)致經(jīng)過第三開關(guān)晶體管M6而傳輸至信號(hào)讀取線的信號(hào)(如圖22中虛線箭頭所示)出現(xiàn)電流強(qiáng)度降低，或無信號(hào)傳輸至信號(hào)讀取線的情況下，從而導(dǎo)致與信號(hào)讀取線連接的處理器接收信號(hào)強(qiáng)度降低或無信號(hào)接收的情況下，處理器可基于該變化，確定是否發(fā)生電容觸控操作，并基于此階段中，第二掃描線的信號(hào)輸出點(diǎn)確定觸摸點(diǎn)的X軸方向坐標(biāo)，并基于傳輸電流信號(hào)的信號(hào)讀取線或者無電流信號(hào)傳輸?shù)男盘?hào)讀取線的信息確定觸摸點(diǎn)的Y軸方向坐標(biāo)，至此也就確定了觸摸點(diǎn)的位置坐標(biāo)。
[0201]以上為本發(fā)明實(shí)施例觸控偵測(cè)模塊2可以采用的觸控方式的示例說明，在具體實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明實(shí)施例也可以采用其他觸控方式以實(shí)現(xiàn)觸控偵測(cè)。
[0202]本發(fā)明實(shí)施例中，可基于觸控分辨率的要求，在設(shè)計(jì)觸控像素時(shí)，將觸控偵測(cè)模塊2預(yù)設(shè)的排布方式分布在指定的像素單元中，例如圖23示的3x3的排列方式，即在三行三列的像素單元中，只在像素單元101中同時(shí)設(shè)置包含有顯示驅(qū)動(dòng)模塊I和觸控偵測(cè)模塊2，而其他像素單元100中只設(shè)置顯示驅(qū)動(dòng)模塊I而不設(shè)置觸控偵測(cè)模塊2，從而簡(jiǎn)化像素單元結(jié)構(gòu)，降低顯示面板的制作成本。
[0203]上述本發(fā)明實(shí)施例中顯示驅(qū)動(dòng)模塊I以及觸控偵測(cè)模塊2中所包括的各種晶體管，具體均可為N型晶體管，從而統(tǒng)一了晶體管工藝制程，有助于提高觸控顯示裝置的良品率。
[0204]基于本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，該有機(jī)發(fā)光顯示面板具體可以包括上述本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路。
[0205]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置具體可以包括上述本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板。
[0206]該顯示裝置具體可以為液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、OLED面板、OLED顯示器、等離子顯示器或電子紙等顯示裝置。
[0207]本發(fā)明所述的像素電路、有機(jī)發(fā)光顯示面板與顯示裝置特別適合LTPS(低溫多晶硅技術(shù))制程下的GOA電路需求，也可適用于非晶硅工藝下的GOA電路。
[0208]從以上所述可以看出，本發(fā)明提供的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，該像素電路具體可以包括:顯示驅(qū)動(dòng)模塊，分別與第一掃描線、第二掃描線、數(shù)據(jù)線、第一信號(hào)源、第二信號(hào)源連接，用于在一時(shí)間周期內(nèi)，在所述第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓補(bǔ)償處理，使得在所述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓無關(guān)；觸控偵測(cè)模塊，分別與第一掃描線、第二掃描線以及信號(hào)讀取線連接，用于在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
[0209]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述技術(shù)方案，可使有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)信號(hào)與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓Vth無關(guān)，從而可以消除驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓Vth對(duì)發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)的影響，改善有機(jī)發(fā)光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
[0210]由于本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素單元中可以集成內(nèi)置型觸摸屏的觸摸信號(hào)偵測(cè)電路，在顯示驅(qū)動(dòng)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)觸控操作的偵測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)像素驅(qū)動(dòng)電路與觸摸信號(hào)偵測(cè)電路集成設(shè)置。這樣的電路結(jié)構(gòu)設(shè)置，可實(shí)現(xiàn)內(nèi)置型觸摸屏和有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)顯示的一體化，有利于降低顯示面板的厚度和重量，并可降低顯示面板的成本。
[0211]而且，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案中，還可以避免電流長(zhǎng)時(shí)間通過有機(jī)發(fā)光二極管0LED，從而可降低有機(jī)發(fā)光二極管OLED的壽命損耗，延長(zhǎng)了有機(jī)發(fā)光二極管OLED的使用壽命。
[0212]需指出的是，本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素電路可適用于非晶硅、多晶硅、氧化物等工藝的薄膜晶體管。同時(shí)，上述電路還可以輕易的改成采用P型薄膜晶體管，或CMOS管電路。而且，盡管上述實(shí)施例中以有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管為例進(jìn)行了說明，然而本發(fā)明不限于使用有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置，也可以應(yīng)用于使用其他各種發(fā)光二極管的顯示裝置。
[0213]以上所述僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種像素電路，包括第一存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于: 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極與第一信號(hào)源連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與第一存儲(chǔ)電容第二端連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接； 所述像素電路還包括: 顯示驅(qū)動(dòng)模塊，分別與第一掃描線、第二掃描線、數(shù)據(jù)線、第一信號(hào)源、第二信號(hào)源、以及第一存儲(chǔ)電容第一端和第二端連接，用于在一時(shí)間周期內(nèi)，在所述第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓補(bǔ)償處理，使得在所述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓無關(guān)； 觸控偵測(cè)模塊，分別與第一掃描線、第二掃描線以及信號(hào)讀取線連接，用于在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述顯示驅(qū)動(dòng)模塊包括: 第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管;其中: 第一薄膜晶體管的第一極與第一信號(hào)源連接，第一薄膜晶體管的柵極與第二掃描線連接，第一薄膜晶體管的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接； 第二薄膜晶體管的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接，第二薄膜晶體管的柵極與第一掃描線連接，第二薄膜晶體管的第二極與第一存儲(chǔ)電容的第二端連接； 第三薄膜晶體管的第一極與數(shù)據(jù)線連接，第三薄膜晶體管的柵極與第一掃描線連接，第三薄膜晶體管的第二極與第一存儲(chǔ)電容的第一端連接； 第四薄膜晶體管的第一極與第一存儲(chǔ)電容的第一端連接，第四薄膜晶體管的柵極與第二掃描線連接，第四薄膜晶體管的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接。 第五薄膜晶體管的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，第五薄膜晶體管的柵極與第一掃描線連接，第五薄膜晶體管的第二極與第二信號(hào)源連接。
3.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述觸控偵測(cè)模塊為光感觸控偵測(cè)模塊，用于在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，基于觸控操作而導(dǎo)致的光線變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)； 所述光感觸控偵測(cè)模塊還與數(shù)據(jù)線連接。
4.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述光感觸控偵測(cè)模塊包括: 第二存儲(chǔ)電容、第一開關(guān)晶體管、光感晶體管以及第二開關(guān)晶體管；其中: 第一開關(guān)晶體管的第一極與數(shù)據(jù)線連接，第一開關(guān)晶體管的柵極與第一掃描線連接，第一開關(guān)晶體管的第二極分別與光感晶體管的第一極和柵極，以及第二存儲(chǔ)電容的第二端連接； 光感晶體管的第二極與第二存儲(chǔ)電容的第一端連接，所述光感晶體管基于光照強(qiáng)度產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)，所述電流信號(hào)用于為所述第二存儲(chǔ)電容充電； 第二開關(guān)晶體管的第一極與第二存儲(chǔ)電容的第一端連接，第二開關(guān)晶體管的柵極與第二掃描線連接，第二開關(guān)晶體管的第二極與信號(hào)讀取線連接。
5.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述觸控偵測(cè)模塊為電容觸控偵測(cè)模塊，用于在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，基于觸控操作而導(dǎo)致的電容數(shù)值變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)； 所述電容觸控偵測(cè)模塊還與第三信號(hào)源連接。
6.如權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述電容觸控偵測(cè)模塊包括: 第三存儲(chǔ)電容、重置晶體管、放大晶體管以及第三開關(guān)晶體管；其中: 重置晶體管的第一極與第一存儲(chǔ)電容的第一端連接，重置晶體管的柵極與第一掃描線連接，重置晶體管的第二極分別與第三存儲(chǔ)電容的第一端、放大晶體管的柵極連接； 放大晶體管的第一極分別與第三存儲(chǔ)電容的第二端、第三信號(hào)源連接，放大晶體管的第二極與第三開關(guān)晶體管的第一極連接； 第三開關(guān)晶體管的柵極與第二掃描線連接，第三開關(guān)晶體管的第二極與信號(hào)讀取線連接。
7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的像素電路，其特征在于，所述晶體管為N型晶體管，所述第一極為源極，所述第二級(jí)為漏極。
8.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的像素電路，其特征在于，所述第一信號(hào)為高電平信號(hào)，所述第二信號(hào)源輸入的第二信號(hào)為低電平信號(hào)或者零電位信號(hào)。
9.一種用于驅(qū)動(dòng)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的像素電路的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括: 在一時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓補(bǔ)償處理，使得在所述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓無關(guān)；以及 在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
10.如權(quán)利要求9所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述在一時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)控制下，利用數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)和第一信號(hào)源輸入的第一信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓補(bǔ)償處理，使得在所述時(shí)間周期的第四階段，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓無關(guān)的過程包括: 在所述時(shí)間周期的第一階段，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容第一端的電位為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位，以及使第一存儲(chǔ)電容第二端電位為第一信號(hào)的電位； 在所述時(shí)間周期的第二階段，第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，第一薄膜晶體管、第四薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容第一端的電位為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位，以及將第一存儲(chǔ)電容第二端電位由第一信號(hào)的電位放電至與驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓相等的電位，以使第一存儲(chǔ)電容兩端的電壓差為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的電位與數(shù)據(jù)信號(hào)的電位的差值； 在所述時(shí)間周期的第三階段，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容兩端的電壓差維持為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的電位與數(shù)據(jù)信號(hào)的電位的差值； 在所述時(shí)間周期的第四階段，第一薄膜晶體管、第四薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第五薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，以使第一存儲(chǔ)電容第一端的電位由數(shù)據(jù)信號(hào)的電位跳變?yōu)轵?qū)動(dòng)晶體管第二極的電位，使得第一存儲(chǔ)電容第二端的電位為驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的電位與數(shù)據(jù)信號(hào)的電位之間的差值，與驅(qū)動(dòng)晶體管第二極的電位之和。
11.如權(quán)利要求9所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)的過程包括: 在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，光感觸控偵測(cè)模塊基于觸控操作而導(dǎo)致的光線變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
12.如權(quán)利要求11所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和控制線輸入的控制信號(hào)的控制下，光感觸控偵測(cè)模塊基于觸控操作而導(dǎo)致的光線變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)包括: 在所述時(shí)間周期的第一階段，第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使第二存儲(chǔ)電容第一端、感光晶體管第一極和柵極的電位為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位； 在所述時(shí)間周期的第二階段，第一開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，第二開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第二存儲(chǔ)電容第一端、感光晶體管第一極和柵極的電位維持為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位； 在所述時(shí)間周期的第三階段，第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，光感晶體管基于照射光線強(qiáng)度而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)，所述電流信號(hào)用于為所述第二存儲(chǔ)電容充電； 在所述時(shí)間周期的第四階段，第一開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第二開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使第二存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的電流信號(hào)傳輸至信號(hào)讀取線，以便與信號(hào)讀取線連接的處理器基于所述電流信號(hào)確定是否發(fā)生觸摸操作以及觸摸點(diǎn)的位置信息。
13.如權(quán)利要求9所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)的過程包括: 在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)的控制下，電容觸控偵測(cè)模塊基于觸控操作而導(dǎo)致的電容數(shù)值變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)。
14.如權(quán)利要求13所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述在所述時(shí)間周期內(nèi)，在第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)和控制線輸入的控制信號(hào)的控制下，電容觸控偵測(cè)模塊基于觸控操作而導(dǎo)致的電容數(shù)值變化，偵測(cè)觸摸屏的觸摸信號(hào)包括: 在所述時(shí)間周期的第一階段，重置晶體管、第三開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使第三存儲(chǔ)電容第一端和放大晶體管柵極的電位為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位； 在所述時(shí)間周期的第二階段，重置晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第三存儲(chǔ)電容第一端和放大晶體管柵極的電位維持為數(shù)據(jù)信號(hào)的電位； 在所述時(shí)間周期的第三階段，第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)； 在所述時(shí)間周期的第四階段，第一開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第二開關(guān)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，放大晶體管基于觸摸屏是否發(fā)生觸摸操作而處于對(duì)應(yīng)的狀態(tài)，以使信號(hào)讀取線傳輸與放大晶體管狀態(tài)對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)，以便與信號(hào)讀取線連接的處理器基于所述對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)確定是否發(fā)生觸摸操作以及觸摸點(diǎn)的位置信息。
15.如權(quán)利要求9-14任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在所述時(shí)間周期的第一階段，第一掃描信號(hào)為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)為低電平信號(hào); 在所述時(shí)間周期的第二階段，第一掃描信號(hào)為高電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)為低電平信號(hào)； 在所述時(shí)間周期的第三階段，第一掃描信號(hào)為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)為低電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)為高電平信號(hào)； 在所述時(shí)間周期的第四階段，第一掃描信號(hào)為低電平信號(hào)，第二掃描信號(hào)為高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)為高電平信號(hào)。
16.—種有機(jī)發(fā)光顯不面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的像素電路。
17.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104252844SQ201410491603
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月23日
【發(fā)明者】楊盛際 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司