像素電路、像素電路的驅(qū)動方法和顯示裝置制造方法

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像素電路、像素電路的驅(qū)動方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素電路、像素電路的驅(qū)動方法和顯示裝置。所述像素電路包括多行像素單元，每一行像素單元包括多個子像素單元；每一行像素單元還包括行共用單元，該行共用單元包括多個行驅(qū)動發(fā)光控制模塊；每一行像素單元包括的多個子像素單元均與一信號線連接；一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊與一所述行像素單元包括的每一子像素單元均通過該信號線連接，以具有閾值補償功能。本發(fā)明可以增加像素的開口率，從而在獲得均勻顯示的同時，降低有機發(fā)光層的電流密度。
【專利說明】像素電路、像素電路的驅(qū)動方法和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及像素電路、像素電路的驅(qū)動方法和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 如圖 1A 所不，現(xiàn)有的基本的 AMOLED (Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩陣有機發(fā)光二極管）像素驅(qū)動電路為2T1C像素驅(qū)動電路，該2T1C像素驅(qū)動電路包括控制晶體管T、驅(qū)動晶體管DTFT和電容C，用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管0LED，該控制晶體管T的柵極接入控制信號SW，該控制晶體管還與數(shù)據(jù)線DATA連接，0LED的陽極接入高電平VDD，驅(qū)動晶體管接入低電平，現(xiàn)有的2T1C像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單。
[0003] 但是基于 LTPS (Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶娃技術(shù)）的 AM0LED 像素驅(qū)動電路，由于LTPS存在閾值電壓均一性差等問題，所以在AM0LED的像素設(shè)計中需要增加驅(qū)動TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管）閾值電壓補償?shù)碾娐贰?br> [0004] 如圖1B所示，具有閾值電壓補償?shù)腁M0LED像素驅(qū)動電路的常見設(shè)計需要5T2C像素驅(qū)動電路，或者需要更多的TFT和/電容。如圖1B所示，該5T2C像素驅(qū)動電路包括第一控制晶體管T1、第二控制晶體管T2、第三控制晶體管T3、第四控制晶體管T4、第一電容C1、第二電容C2和驅(qū)動晶體管DTFT，用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管0LED ;T1的柵極、T2的柵極和T4 的柵極接入控制信號CR1，T3的柵極與掃描線SCAN連接，T3還接入數(shù)據(jù)電壓Vdata，C1的第一端標(biāo)示為A，C1的第二端標(biāo)示為B，DTFT接入高電平VDD，0LED的陰極接入低電平VSS。 TFT和/或電容數(shù)量的增加，將占用較大的布局空間，不利于AM0LED像素尺寸的縮小，即限制了高PPI (Pixel Per Inch，每英寸所擁有的像素數(shù)目）的AM0LED像素驅(qū)動電路的發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素電路、像素電路的驅(qū)動方法和顯示裝置，增加像素的開口率，從而在獲得均勻顯示的同時，降低有機發(fā)光層的電流密度。
[0006] 本發(fā)明提供了一種像素電路，包括多行像素單元，每一行像素單元包括多個子像素單元；每一行像素單元還包括行共用單元，該行共用單元包括多個行驅(qū)動發(fā)光控制模塊；
[0007] 每一行像素單元包括的多個子像素單元均與一信號線連接；
[0008] -所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊與一所述行像素單元包括的每一子像素單元均通過該信號線連接，以具有閾值補償功能。
[0009] 實施時，所述子像素單元設(shè)置于有效顯示區(qū)內(nèi)，所述行共用單元設(shè)置于有效顯示區(qū)外。
[0010] 實施時，第η行像素單元包括的每一所述子像素單元均包括子像素驅(qū)動電路和發(fā) 光元件；其中η為正整數(shù)并且η小于或等于所述像素電路包括的像素單元的總行數(shù)；當(dāng)η等于1時，第η-1掃描線為起始掃描線；
[0011] 該子像素驅(qū)動電路包括驅(qū)動補償模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊和驅(qū)動晶體管；
[0012] 該驅(qū)動晶體管，第一極與所述發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入第一電平；所述發(fā)光元件的第二端與該信號線連接；
[0013] 所述驅(qū)動補償模塊，分別與第n-1掃描線、該驅(qū)動晶體管的柵極、該驅(qū)動晶體管的第一極、該驅(qū)動晶體管的第二極連接，還接入第二電平，用于在一時間周期的第一階段，當(dāng) 該第n-1掃描線輸出的掃描信號有效時，控制該驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償該驅(qū)動晶體管的閾值電壓；
[0014] 所述數(shù)據(jù)寫入模塊，分別與第η掃描線、一數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動補償模塊連接，用于在該時間周期的第二階段，當(dāng)該第η掃描線輸出的掃描信號有效時，控制該數(shù)據(jù)線上的數(shù) 據(jù)電壓通過該驅(qū)動補償模塊寫入該驅(qū)動晶體管的柵極；
[0015] 每一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊，分別接入一發(fā)光控制信號和第二電平，并分別通過一所述信號線與該發(fā)光元件的第二端連接，用于在該時間周期的第三階段，當(dāng)該發(fā)光控制信號有效時控制該信號線的電位為該第二電平；
[0016] 所述驅(qū)動補償模塊，還用于在該時間周期的第三階段，當(dāng)該第n-1掃描線輸出的掃描信號和該第η掃描線輸出的掃描信號均無效時，控制維持該驅(qū)動晶體管的柵極的電位，從而控制驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光并控制補償該驅(qū)動晶體管的閾值。
[0017] 實施時，所述驅(qū)動補償模塊包括第一補償晶體管、第二補償晶體管、第一電容和第二電容；
[0018] 該第一補償晶體管，柵極與第n-1掃描線連接，第一極與所述第一電容的第一端連接，第二極接入第一電平；
[0019] 所述驅(qū)動晶體管，柵極與所述第一電容的第一端連接，第一極與發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入所述第一電平；所述發(fā)光元件的第二端與所述信號線連接；
[0020] 該第二補償晶體管，柵極與第n-1掃描線連接，第一極與所述第一電容的第二端連接，第二極與所述驅(qū)動晶體管的第一極連接；
[0021 ] 所述第二電容，第一端與所述第一電容的第二端連接，第二端接入第二電平。
[0022] 實施時，所述數(shù)據(jù)寫入模塊包括：數(shù)據(jù)寫入晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述第一電容的第二端連接。
[0023] 實施時，每一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊包括：行驅(qū)動發(fā)光控制晶體管，柵極接入一發(fā)光控制信號，第一極接入所述第二電平，第二極與所述信號線連接。
[0024] 實施時，所述驅(qū)動晶體管、所述第一補償晶體管、所述第二補償晶體管、所述數(shù)據(jù) 寫入晶體管和所述行驅(qū)動發(fā)光控制晶體管都為η型TFT。
[0025] 本發(fā)明還提供了一種像素電路的驅(qū)動方法，應(yīng)用于上述的像素電路，所述像素電路的驅(qū)動方法包括：
[0026] 補償步驟：在一時間周期的閾值電壓補償階段，上一行掃描線輸出的掃描信號有效，驅(qū)動補償模塊控制驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償該驅(qū)動晶體管的閾值電壓；
[0027] 數(shù)據(jù)寫入步驟：在該時間周期的數(shù)據(jù)電壓補償階段，本行掃描線輸出的掃描信號有效，數(shù)據(jù)寫入模塊控制數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓通過該驅(qū)動補償模塊寫入該驅(qū)動晶體管的柵極；
[0028] 發(fā)光步驟：在該時間周期的發(fā)光階段，發(fā)光控制信號有效，上一行掃描線輸出的掃描信號和本行掃描線輸出的掃描信號均無效，行驅(qū)動發(fā)光控制模塊控制該信號線的電位為該第二電平，所述驅(qū)動補償模塊控制維持該驅(qū)動晶體管的柵極的電位，從而控制驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光并控制補償該驅(qū)動晶體管的閾值。
[0029] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的像素電路。
[0030] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的像素電路采用行共用單元，以使得在能夠補償驅(qū) 動晶體管的閾值的同時使得有效顯示區(qū)內(nèi)的TFT數(shù)目減少，使得像素的開口率增加，從而在均勻顯示的同時，降低了有機發(fā)光層的電流密度，延長了 AM0LED面板的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031] 圖1A是現(xiàn)有的2T1C像素驅(qū)動電路的電路圖；
[0032] 圖1B是現(xiàn)有的5T2C像素驅(qū)動電路的電路圖；
[0033] 圖2是本發(fā)明實施例所述的像素電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0034] 圖3是本發(fā)明實施例所述的像素電路包括的相互連接的子像素單元和行驅(qū)動發(fā) 光控制模塊的結(jié)構(gòu)框圖；
[0035] 圖4是本發(fā)明實施例所述的像素電路包括的相互連接的子像素單元和行驅(qū)動發(fā) 光控制模塊的電路圖；
[0036] 圖5是包括如圖4所示的相互連接的子像素單元和行驅(qū)動發(fā)光控制模塊的工作時序圖；
[0037] 圖6A、圖6B、圖6C分別是如圖4所示的電路在第一階段、第二階段、第三階段的等效電路圖；
[0038] 圖7是本發(fā)明實施例所述的像素電路的電路圖。

【具體實施方式】
[0039] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0040] 本發(fā)明所有實施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件。在本發(fā)明實施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，其中第一極可以為源極或漏極，第二極可以為漏極或源極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為η型晶體管或Ρ型晶體管。在本發(fā)明實施例提供的驅(qū)動電路中，所有晶體管均是以η型晶體管為例進行的說明，可以想到的是在采用Ρ型晶體管實現(xiàn)時是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒有做出創(chuàng) 造性勞動前提下輕易想到的，因此也是在本發(fā)明的實施例保護范圍內(nèi)的。
[0041] 本發(fā)明實施例所述的像素電路，包括多行像素單元，每一行像素單元包括多個子像素單元；每一行像素單元還包括行共用單元，該行共用單元包括多個行驅(qū)動發(fā)光控制模塊；
[0042] 每一行像素單元包括的多個子像素單元均與一信號線連接；
[0043] 一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊與一所述行像素單元包括的每一子像素單元均通過該信號線連接，以具有閾值補償功能。
[0044] 在具體實施時，每一所述子像素單元包括子像素驅(qū)動電路和發(fā)光元件，該發(fā)光元件例如可以為OLED (有機發(fā)光二極管）。
[0045] 本發(fā)明該實施例所述的像素電路采用行共用單元，以使得在能夠補償驅(qū)動晶體管的閾值的同時使得有效顯示區(qū)內(nèi)的TFT數(shù)目減少，使得像素的開口率增加，從而在均勻顯示的同時，降低了有機發(fā)光層的電流密度，延長了 AM0LED面板的使用壽命。
[0046] 本發(fā)明該實施例所述的像素電路既可以補償閾值電壓，改善均勻性和可靠性，又簡化像素驅(qū)動電路，控制信號少，有利于像素尺寸的縮小。
[0047] 優(yōu)選的，所述子像素單元設(shè)置于有效顯示區(qū)內(nèi)，所述行共用單元設(shè)置于有效顯示區(qū)外，將每一行像素單元中的具有共性的電路設(shè)置于有效顯示區(qū)外，以進一步減小有效顯示區(qū)內(nèi)的TFT數(shù)目，增加開口率。
[0048] 具體的，第η行像素單元包括的每一所述子像素單元均包括子像素驅(qū)動電路和發(fā) 光元件；其中η為正整數(shù)并且η小于或等于所述像素電路包括的像素單元的總行數(shù)；當(dāng)η等于1時，第η-1掃描線為起始掃描線；
[0049] 具體的，該子像素驅(qū)動電路包括驅(qū)動補償模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊和驅(qū)動晶體管；
[0050] 該驅(qū)動晶體管，第一極與所述發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入第一電平；所述發(fā)光元件的第二端與該信號線連接；
[0051] 所述驅(qū)動補償模塊，分別與第η-1掃描線、該驅(qū)動晶體管的柵極、該驅(qū)動晶體管的第一極、該驅(qū)動晶體管的第二極連接，還接入第二電平，用于在一時間周期的第一階段，當(dāng) 該第η-1掃描線輸出的掃描信號有效時，控制該驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償該驅(qū)動晶體管的閾值電壓；
[0052] 所述數(shù)據(jù)寫入模塊，分別與第η掃描線、一數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動補償模塊連接，用于在該時間周期的第二階段，當(dāng)該第η掃描線輸出的掃描信號有效時，控制該數(shù)據(jù)線上的數(shù) 據(jù)電壓通過該驅(qū)動補償模塊寫入該驅(qū)動晶體管的柵極；
[0053] 每一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊，分別接入一發(fā)光控制信號和第二電平，并分別通過一所述信號線與該發(fā)光元件的第二端連接，用于在該時間周期的第三階段，當(dāng)該發(fā)光控制信號有效時控制該信號線的電位為該第二電平；
[0054] 所述驅(qū)動補償模塊，還用于在該時間周期的第三階段，當(dāng)該第η-1掃描線輸出的掃描信號和該第η掃描線輸出的掃描信號均無效時，控制維持該驅(qū)動晶體管的柵極的電位，從而控制驅(qū)動晶體管DTFT驅(qū)動0LED發(fā)光并補償該驅(qū)動晶體管DTFT的閾值。
[0055] 具體的，本發(fā)明實施例所述的像素電路，包括L行像素單元，每一行像素單元包括 Μ個子像素單元；第η行像素單元包括的Μ個子像素單元都與第η掃描線和第η-1掃描線連接（圖2中未示）；每一行像素單元包括的第k子像素單元都與第k數(shù)據(jù)線連接；L和Μ 為大于1的整數(shù)，η為小于或等于L的正整數(shù)，k為小于或等于Μ的正整數(shù)；
[0056] 如圖2所示，Datal是第一數(shù)據(jù)線，Data_k_l是第k-Ι數(shù)據(jù)線，Data_k是第k數(shù)據(jù) 線，Data_k+1是第k+Ι數(shù)據(jù)線，Data_M是第Μ數(shù)據(jù)線；
[0057] 在圖2中，VL_1是與第一行像素單元包括的多個子像素單元連接的信號線；VL_ η-l是與第η-l行像素單元包括的多個子像素單元連接的信號線，VL_n是與第η行像素單元包括的多個子像素單元連接的信號線，VL_n+l是與第η+1行像素單元包括的多個子像素單元連接的信號線，VL_L是與第L行像素單元包括的多個子像素單元連接的信號線。
[0058] 具體的，以行共用單元包括的一行驅(qū)動發(fā)光控制模塊與第η行像素單元包括的一子像素單元的連接為例說明如下：
[0059] 如圖3所示，所述子像素單元包括子像素驅(qū)動電路和有機發(fā)光二極管0LED，該子像素驅(qū)動電路包括與驅(qū)動晶體管DTFT、驅(qū)動補償模塊31和數(shù)據(jù)寫入模塊32 ;
[0060] 數(shù)據(jù)線Data輸出數(shù)據(jù)電壓Vdata ;
[0061] 所述驅(qū)動晶體管DTFT，第一極與0LED的陽極連接，第二極接入高電平VDD ;
[0062] 所述0LED的陰極與信號線VL連接；
[0063] 所述驅(qū)動補償模塊31，分別與第n-1掃描線Scan_n-1、該驅(qū)動晶體管DTFT的柵極、該驅(qū)動晶體管DTFT的第一極、該驅(qū)動晶體管DTFT的第二極連接，還接入低電平VSS，用于在一時間周期的第一階段，當(dāng)該第n-1掃描線Scan_n-1輸出的掃描信號有效時，控制該驅(qū)動晶體管DTFT的柵源電壓補償該驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth ;
[0064] 所述數(shù)據(jù)寫入模塊32,分別與第η掃描線Scan_n、一數(shù)據(jù)線Data和所述驅(qū)動補償模塊31連接，用于在該時間周期的第二階段，當(dāng)該第η掃描線Scan_n輸出的掃描信號有效時，控制該數(shù)據(jù)線Data上的數(shù)據(jù)電壓Vdata通過該驅(qū)動補償模塊31寫入該驅(qū)動晶體管 DTFT的柵極；
[0065] 行驅(qū)動發(fā)光控制模塊33,分別接入一發(fā)光控制信號EM_n和低電平VSS，并分別通過一所述信號線VL與一該0LED的陰極連接，用于在該時間周期的第三階段，當(dāng)該發(fā)光控制信號EM_n有效時控制該信號線VL的電位為低電平VSS ;
[0066] 所述驅(qū)動補償模塊31，還用于在該時間周期的第三階段當(dāng)該第η掃描線Scan_n 輸出的掃描信號和該第n-1掃描線Scan_n-1輸出的掃描信號都無效時，控制維持所述驅(qū)動晶體管DTFT的柵極的電位，從而控制驅(qū)動晶體管DTFT驅(qū)動0LED發(fā)光并補償該驅(qū)動晶體管 DTFT的閾值；
[0067] 在如圖3所示的具體實施例中，DTFT為η型TFT。
[0068] 具體的，如圖4所示，所述低電平VSS可以為地電平GND ;
[0069] 所述驅(qū)動補償模塊可以包括第一補償晶體管T1、第二補償晶體管T2、第一電容C1 和第二電容C2 ;
[0070] 該第一補償晶體管T1，柵極與第n-1掃描線Scan_n-1連接，第一極與所述第一電容C1的第一端A連接，第二極接入高電平VDD ;
[0071] 所述驅(qū)動晶體管DTFT，柵極與所述第一電容C1的第一端A連接，第一極與0LED的陽極連接，第二極接入高電平VDD ;
[0072] 0LED的陰極與信號線VL連接；
[0073] 該第二補償晶體管T2,柵極與第n-1掃描線Scan_n_l連接，第一極與所述第一電容C1的第二端B連接，第二極與所述驅(qū)動晶體管DTFT的第一極連接；
[0074] 所述第二電容C2,第一端與所述第一電容C1的第二端B連接，第二端接入地電平 GND ；
[0075] 所述數(shù)據(jù)寫入模塊可以包括：數(shù)據(jù)寫入晶體管T3,柵極接入第η掃描線Scan_n，第一極與所述數(shù)據(jù)線Data連接，第二極與所述第一電容C1的第二端B連接；
[0076] 每一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊可以包括：行驅(qū)動發(fā)光控制晶體管T4,柵極接入一發(fā)光控制信號EM_n，第一極接入地電平GND，第二極與所述信號線VL連接；
[0077] DTFT、ΤΙ、T2、T3 和 T4 都為 η 型 TFT。
[0078] 在本發(fā)明該實施例所述的像素電路中所有TFT均為η型TFT，統(tǒng)一工藝流程，有助于提商廣品良率。
[0079] 在如圖3所示的實施例中，包括DTFT、Tl、T2、T3、Cl、C2和0LED的子像素單元設(shè) 置于有效顯示區(qū)內(nèi)，包括T4的行驅(qū)動發(fā)光控制模塊設(shè)置于有效顯示區(qū)外，并且同一行像素單元的多個子像素單元都與該行驅(qū)動發(fā)光控制模塊連接，以具有閾值補償功能。
[0080] 在具體實施時，并不僅限于以上的實施例，只需采用包括多個行驅(qū)動發(fā)光控制模塊的行共用單元即可達到減少有效顯示區(qū)內(nèi)的TFT的目的，可以使得像素尺寸縮小。
[0081] 如圖4所示的實施例的操作時序如圖5所示，分成三個階段：
[0082] 在一時間周期的第一階段（閾值電壓補償階段）：Scan_n_l輸出高電平，Scan_n 輸出低電平，EM_n輸出低電平，共用的行驅(qū)動發(fā)光控制管T4關(guān)閉，像素內(nèi)部的VL懸空，0LED 無導(dǎo)通路徑；Scan_n-1為高電平，T1和T2都開啟，子像素驅(qū)動電路的等效電路如圖6A所示；此時，DTFT為一個二極管進入飽和狀態(tài)，VDD通過DTFT對C2進行充電，直到DTFT的柵源電壓Vgs (即C1的第一端A的電位VA和C1的第二端B的電位VB之間的差值VC1)為DTFT 的閾值電壓Vth ;C1的第一端A的電位VA = VDD，C1的第二端B的電位VB = VDD-Vth，從而控制DTFT的柵源電壓補償DTFT的閾值電壓Vth ;
[0083] 在該時間周期的第二階段（數(shù)據(jù)電壓寫入階段）：Scan_n-l輸出低電平，Scan_n 輸出高電平，EM_n輸出低電平，T4關(guān)閉，信號線VL懸空；Scan_n輸出高電平，T3開啟，子像素驅(qū)動電路的等效電路如圖6B所示；數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入，VB = Vdata，C2的第一端的電位和C2的第二端的電位的差值VC2 = VB = Vdata，由于C1的兩端的電壓不能突變，所以 VA = VB+VC1 = Vdata+Vth ;由于此時VL懸空，所以0LED無導(dǎo)通路徑，不發(fā)光；
[0084] 在該時間周期的第三階段（0LED發(fā)光階段）：Scan_n-l輸出低電平，Scan_n輸出低電平，EM_n輸出高電平，T4開啟，信號線VL通過T4接地，從DTFT和0LED形成導(dǎo)通路徑，子像素驅(qū)動電路的等效電路如圖6C所示；ΤΙ、T2和T3關(guān)閉，C1和C2均沒有充電或放電的路徑，因此C1兩端的電壓和C2兩端的電壓均不變；VC2 = Vdata，VC1 = Vth，VB =Vdata,因此VA = Vdata+Vth, Cl的第一端A的電位不變，因此流過0LED的電流為I = K (Vdata-Voled)2, K為與工藝和設(shè)計相關(guān)的常數(shù)，則最后驅(qū)動0LED的電流與DTFT的閾值電壓無關(guān)，僅與Vdata有關(guān)。
[0085] 圖7是應(yīng)用了圖4所示的子像素單元和組成行共用單元的行驅(qū)動發(fā)光控制模塊的像素電路的電路圖，由圖7可知，每一行像素單元共用左側(cè)的行驅(qū)動發(fā)光控制模塊，L個行驅(qū)動發(fā)光控制模塊組成行共用單元；
[0086] 第一行像素單元的行驅(qū)動發(fā)光控制模塊的發(fā)光控制信號為EM_1，與第一行像素單元連接的是初始掃描線Scan_Start和第一掃描線Scan_l ;
[0087] 第η-l行像素單元的行驅(qū)動發(fā)光控制模塊的發(fā)光控制信號為EM_n_l，與第η-l行像素單元連接的是第n-2掃描線Scan_n-2和第η-l掃描線Scan_n-1 ;
[0088] 第η行像素單元的行驅(qū)動發(fā)光控制模塊的發(fā)光控制信號為EM_n，與第η行像素單元連接的是第η-l掃描線Scan_n-1和第η掃描線Scan_n ;
[0089] 第L行像素單元的行驅(qū)動發(fā)光控制模塊的發(fā)光控制信號為EM_L，與第η行像素單元連接的是第L-1掃描線Scan_L-l和第L掃描線Scan_L ;
[0090] 在圖7中，Datal是第一數(shù)據(jù)線，Data_k_l是第k-1數(shù)據(jù)線，Data_k是第k數(shù)據(jù) 線，Data_k+1是第k+1數(shù)據(jù)線，Data_M是第Μ數(shù)據(jù)線；
[0091] L和Μ為大于1的整數(shù)，η為小于或等于L的正整數(shù)，k為小于或等于Μ的正整數(shù)。
[0092] 本發(fā)明還提供了一種像素電路的驅(qū)動方法，應(yīng)用于上述的像素電路，所述像素電路的驅(qū)動方法包括：
[0093] 補償步驟：在一時間周期的閾值電壓補償階段，上一行掃描線輸出的掃描信號有效，驅(qū)動補償模塊控制驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償該驅(qū)動晶體管的閾值電壓；
[0094] 數(shù)據(jù)寫入步驟：在該時間周期的數(shù)據(jù)電壓補償階段，本行掃描線輸出的掃描信號有效，數(shù)據(jù)寫入模塊控制數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓通過該驅(qū)動補償模塊寫入該驅(qū)動晶體管的柵極；
[0095] 發(fā)光步驟：在該時間周期的發(fā)光階段，發(fā)光控制信號有效，上一行掃描線輸出的掃描信號和本行掃描線輸出的掃描信號均無效，行驅(qū)動發(fā)光控制模塊控制該信號線的電位為該第二電平，所述驅(qū)動補償模塊控制維持該驅(qū)動晶體管的柵極的電位，從而控制驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光并控制補償該驅(qū)動晶體管的閾值。
[0096] 本發(fā)明實施例所述的顯示裝置包括上述的像素電路。所述顯示裝置可以包括液晶顯示裝置，例如液晶面板、液晶電視、手機、液晶顯示器。除了液晶顯示裝置外，所述顯示裝置還可以包括有機發(fā)光顯示器或者其他類型的顯示裝置，比如電子閱讀器等。
[0097] 以上說明對本發(fā)明而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許多修改、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種像素電路，包括多行像素單元，每一行像素單元包括多個子像素單元；其特征在于，每一行像素單元還包括行共用單元，該行共用單元包括多個行驅(qū)動發(fā)光控制模塊；每一行像素單元包括的多個子像素單元均與一信號線連接；一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊與一所述行像素單元包括的每一子像素單元均通過該信號線連接，以具有閾值補償功能。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述子像素單元設(shè)置于有效顯示區(qū)內(nèi)，所述行共用單元設(shè)置于有效顯示區(qū)外。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的像素電路，其特征在于，第η行像素單元包括的每一所述子像素單元均包括子像素驅(qū)動電路和發(fā)光元件；其中η為正整數(shù)并且η小于或等于所述像素電路包括的像素單元的總行數(shù)；當(dāng)η等于1時，第η-1掃描線為起始掃描線；該子像素驅(qū)動電路包括驅(qū)動補償模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊和驅(qū)動晶體管；該驅(qū)動晶體管，第一極與所述發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入第一電平；所述發(fā)光元件的第二端與該信號線連接；所述驅(qū)動補償模塊，分別與第η-1掃描線、該驅(qū)動晶體管的柵極、該驅(qū)動晶體管的第一極、該驅(qū)動晶體管的第二極連接，還接入第二電平，用于在一時間周期的第一階段，當(dāng)該第 η-1掃描線輸出的掃描信號有效時，控制該驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償該驅(qū)動晶體管的閾值電壓；所述數(shù)據(jù)寫入模塊，分別與第η掃描線、一數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動補償模塊連接，用于在該時間周期的第二階段，當(dāng)該第η掃描線輸出的掃描信號有效時，控制該數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓通過該驅(qū)動補償模塊寫入該驅(qū)動晶體管的柵極；每一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊，分別接入一發(fā)光控制信號和第二電平，并分別通過一所述信號線與該發(fā)光元件的第二端連接，用于在該時間周期的第三階段，當(dāng)該發(fā)光控制信號有效時控制該信號線的電位為該第二電平；所述驅(qū)動補償模塊，還用于在該時間周期的第三階段，當(dāng)該第η-1掃描線輸出的掃描信號和該第η掃描線輸出的掃描信號均無效時，控制維持該驅(qū)動晶體管的柵極的電位，從而控制驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光并控制補償該驅(qū)動晶體管的閾值。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動補償模塊包括第一補償晶體管、第二補償晶體管、第一電容和第二電容；該第一補償晶體管，柵極與第η-1掃描線連接，第一極與所述第一電容的第一端連接，第二極接入第一電平；所述驅(qū)動晶體管，柵極與所述第一電容的第一端連接，第一極與發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入所述第一電平；所述發(fā)光元件的第二端與所述信號線連接；該第二補償晶體管，柵極與第η-1掃描線連接，第一極與所述第一電容的第二端連接，第二極與所述驅(qū)動晶體管的第一極連接；所述第二電容，第一端與所述第一電容的第二端連接，第二端接入第二電平。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入模塊包括：數(shù)據(jù)寫入晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述第一電容的第二端連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，每一所述行驅(qū)動發(fā)光控制模塊包括：行驅(qū)動發(fā)光控制晶體管，柵極接入一發(fā)光控制信號，第一極接入所述第二電平，第二極與所述信號線連接。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動晶體管、所述第一補償晶體管、所述第二補償晶體管、所述數(shù)據(jù)寫入晶體管和所述行驅(qū)動發(fā)光控制晶體管都為η型 TFT。
8. -種像素電路的驅(qū)動方法，應(yīng)用于如權(quán)利要求3至7中任一權(quán)利要求所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路的驅(qū)動方法包括：補償步驟：在一時間周期的閾值電壓補償階段，上一行掃描線輸出的掃描信號有效，驅(qū) 動補償模塊控制驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償該驅(qū)動晶體管的閾值電壓；數(shù)據(jù)寫入步驟：在該時間周期的數(shù)據(jù)電壓補償階段，本行掃描線輸出的掃描信號有效，數(shù)據(jù)寫入模塊控制數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓通過該驅(qū)動補償模塊寫入該驅(qū)動晶體管的柵極；發(fā)光步驟：在該時間周期的發(fā)光階段，發(fā)光控制信號有效，上一行掃描線輸出的掃描信號和本行掃描線輸出的掃描信號均無效，行驅(qū)動發(fā)光控制模塊控制該信號線的電位為該第二電平，所述驅(qū)動補償模塊控制維持該驅(qū)動晶體管的柵極的電位，從而控制驅(qū)動晶體管驅(qū) 動發(fā)光元件發(fā)光并控制補償該驅(qū)動晶體管的閾值。
9. 一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的像素電路。
【文檔編號】G09G3/32GK104157239SQ201410347870
【公開日】2014年11月19日申請日期:2014年7月21日優(yōu)先權(quán)日:2014年7月21日
【發(fā)明者】吳博, 祁小敬, 譚文申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司

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