像素電路、像素電路的驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素電路、像素電路的驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。像素電路包括多行像素單元，每一行像素單元包括多子像素單元，每一子像素單元包括發(fā)光元件；行像素單元還包括行共用單元，行共用單元包括多個(gè)行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊；行像素單元包括的多個(gè)子像素單元均與一信號(hào)線連接；行像素單元包括的多個(gè)子像素單元均與一掃描線連接，每一行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊分別接入一發(fā)光控制信號(hào)；一行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊與一行像素單元包括的每一子像素單元均通過(guò)該信號(hào)線連接，以在該掃描線輸出的掃描信號(hào)的控制下寫入數(shù)據(jù)電壓并具有閾值補(bǔ)償功能，之后在該發(fā)光控制信號(hào)的控制下驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。本發(fā)明增加像素的開(kāi)口率，獲得均勻顯示，降低有機(jī)發(fā)光層的電流密度。
【專利說(shuō)明】像素電路、像素電路的驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及像素電路、像素電路的驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 由于基于 LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶娃技術(shù)）的 AM0LED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管）像素 驅(qū)動(dòng)電路，由于LTPS存在閾值電壓均一性差等問(wèn)題，所以在AM0LED的像素設(shè)計(jì)中需要增加 驅(qū)動(dòng)TFT (Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管）閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娐贰?br> [0003] 如圖1A所示，具有閾值電壓補(bǔ)償?shù)腁M0LED像素驅(qū)動(dòng)電路的常見(jiàn)設(shè)計(jì)需要6T1C像 素驅(qū)動(dòng)電路，或者需要更多的TFT和/電容。如圖1A所示，該6T1C像素驅(qū)動(dòng)電路包括第一 控制晶體管T1、第二控制晶體管T2、第三控制晶體管T3、第四控制晶體管T4、第五控制晶體 管T5、存儲(chǔ)電容Cs和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管0LED ;T1的柵極、T3的柵 極和T4的柵極接入第一掃描電壓Vsom，T2的柵極和T5的柵極與第二掃描電壓V SCAN2連接， T1還接入數(shù)據(jù)電壓Vdata，Cs的第一端標(biāo)示為A，Cs的第二端標(biāo)示為B，與DTFT的柵極連接 的點(diǎn)標(biāo)示為C，0LED的陽(yáng)極接入高電平VDD，T5的一端接入低電平VSS。
[0004] 如圖1B所示，現(xiàn)有的像素電路包括L行像素單元，每一行像素單元都包括Μ個(gè) 6T1C子像素單元，每一個(gè)6T1C子像素單元包括6T1C像素驅(qū)動(dòng)單元和發(fā)光元件；其中L和 Μ均為大于2的正整數(shù)，η為正整數(shù)，η大于1，η小于L，并η小于M，Gate_l為第一柵線， Gate_n_l為第η-l柵線，Gate_n為第η柵線，GateL為第L柵線，Datal為第一數(shù)據(jù)線線， Data_n-1為第η-l數(shù)據(jù)線，Data_n為第η數(shù)據(jù)線，Data Μ為第Μ數(shù)據(jù)線。
[0005] 在現(xiàn)有技術(shù)中，為了閾值補(bǔ)償而導(dǎo)致TFT和/或電容數(shù)量的增加，將需要較多的 控制信號(hào)，并占用較大的布局空間，不利于AM0LED像素尺寸的縮小，即限制了高PPI (Pixel Per Inch，每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目）的AM0LED像素驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)展。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素電路、像素電路的驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置，增 加像素的開(kāi)口率，從而在獲得均勻顯示的同時(shí)，降低有機(jī)發(fā)光層的電流密度。
[0007] 本發(fā)明提供了一種像素電路，包括多行像素單元，每一行像素單元包括多個(gè)子像 素單元，每一該子像素單元均包括發(fā)光元件；每一行像素單元還包括行共用單元，該行共用 單元包括多個(gè)行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊；
[0008] 每一行像素單元包括的多個(gè)子像素單元均與一信號(hào)線連接；
[0009] -所述行像素單元包括的多個(gè)子像素單元均與一掃描線連接，每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā) 光控制模塊分別接入一發(fā)光控制信號(hào)；
[0010] 一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊與一所述行像素單元包括的每一子像素單元均通過(guò) 該信號(hào)線連接，以在該掃描線輸出的掃描信號(hào)的控制下寫入數(shù)據(jù)電壓并具有閾值補(bǔ)償功 能，之后在該發(fā)光控制信號(hào)的控制下驅(qū)動(dòng)該子像素單元包括的發(fā)光元件發(fā)光。 toon] 實(shí)施時(shí)，所述子像素單元設(shè)置于有效顯示區(qū)內(nèi)，所述行共用單元設(shè)置于有效顯示 區(qū)外。
[0012] 實(shí)施時(shí)，第η行像素單元包括的每一所述子像素單元均包括子像素驅(qū)動(dòng)電路；其 中η為正整數(shù)并且η小于或等于所述像素電路包括的像素單元的總行數(shù)；
[0013] 該子像素驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊和驅(qū)動(dòng)晶體管；
[0014] 該驅(qū)動(dòng)晶體管，第一極與所述發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入第一電平；所述 發(fā)光元件的第二端與該信號(hào)線連接；
[0015] 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊，分別與第η掃描線、該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、該驅(qū)動(dòng)晶體管的第 一極、該驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，用于當(dāng)該第η掃描線輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，控制該驅(qū) 動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓；
[0016] 所述數(shù)據(jù)寫入模塊，分別與第η掃描線、一數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊連接，用于 當(dāng)該第η掃描線輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，控制該數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊 寫入該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；
[0017] 每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊，分別接入一發(fā)光控制信號(hào)和第二電平，并分別通 過(guò)一所述信號(hào)線與該發(fā)光元件的第二端連接，用于當(dāng)該發(fā)光控制信號(hào)有效時(shí)控制該信號(hào)線 的電位為該第二電平；
[0018] 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊，還用于當(dāng)該發(fā)光控制信號(hào)有效并該第η掃描線輸出的掃描信 號(hào)無(wú)效時(shí)，控制維持該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電位，并控制驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。
[0019] 實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊包括第一補(bǔ)償晶體管、第二補(bǔ)償晶體管和存儲(chǔ)電容；
[0020] 所述驅(qū)動(dòng)晶體管，第一極與發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入所述第一電平；所 述發(fā)光元件的第二端與所述信號(hào)線連接；
[0021] 該第一補(bǔ)償晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接， 第二極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接；
[0022] 所述存儲(chǔ)電容，第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接；
[0023] 該第二補(bǔ)償晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述第一補(bǔ)償晶體管的第一 極連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接。
[0024] 實(shí)施時(shí)，所述數(shù)據(jù)寫入模塊包括：數(shù)據(jù)寫入晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極 與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接。
[0025] 實(shí)施時(shí)，每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊包括：行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制晶體管，柵極接入一 發(fā)光控制信號(hào)，第一極接入所述第二電平，第二極與所述信號(hào)線連接。實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)晶 體管、所述第二補(bǔ)償晶體管、所述數(shù)據(jù)寫入晶體管和所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制晶體管都為η型 TFT，所述第一補(bǔ)償晶體管為ρ型TFT。
[0026] 本發(fā)明還提供了一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于上述的像素電路，所述像素電 路的驅(qū)動(dòng)方法包括：
[0027] 閾值補(bǔ)償和數(shù)據(jù)寫入步驟：當(dāng)本行掃描線輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊 控制驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，數(shù)據(jù)寫入模塊控制該數(shù)據(jù)線上 的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊寫入該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；
[0028] 緩沖步驟：當(dāng)本行掃描線和發(fā)光控制信號(hào)都無(wú)效時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極浮空，存儲(chǔ) 電容的第一端斷開(kāi)與數(shù)據(jù)寫入模塊的連接；
[0029] 發(fā)光步驟：當(dāng)發(fā)光控制信號(hào)有效并本行掃描線輸出的掃描信號(hào)無(wú)效時(shí)，行驅(qū)動(dòng)發(fā) 光控制模塊控制該信號(hào)線的電位為第二電平，驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊控制維持該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極 的電位，并控制驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。
[0030] 本發(fā)明還提供了 一種顯示裝置，包括上述的像素電路。
[0031] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的像素電路采用行共用單元，以使得在能夠補(bǔ)償驅(qū) 動(dòng)晶體管的閾值的同時(shí)使得有效顯示區(qū)內(nèi)的TFT數(shù)目減少，并采用簡(jiǎn)單的控制信號(hào)，即可 以使得像素的開(kāi)口率增加，從而在均勻顯示的同時(shí)，降低了有機(jī)發(fā)光層的電流密度，延長(zhǎng)了 AM0LED面板的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0032] 圖1A是現(xiàn)有的6T1C像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；
[0033] 圖1B是現(xiàn)有的像素電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0034] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0035] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路包括的相互連接的子像素單元和行驅(qū)動(dòng)發(fā) 光控制模塊的結(jié)構(gòu)框圖；
[0036] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路包括的相互連接的子像素單元和行驅(qū)動(dòng)發(fā) 光控制模塊的電路圖；
[0037] 圖5是包括如圖4所示的相互連接的子像素單元和行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊的工作時(shí) 序圖；
[0038] 圖6A、圖6B、圖6C分別是如圖4所示的電路在第一階段、第二階段、第三階段的等 效電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0039] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040] 本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性 相同的器件。在本發(fā)明實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，其中第一極可以為源極 或漏極，第二極可以為漏極或源極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為η型晶 體管或Ρ型晶體管。在本發(fā)明實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)電路中，可以想到的是在采用η型晶體管 或Ρ型晶體管實(shí)現(xiàn)是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下輕易想到的，因此也 是在本發(fā)明的實(shí)施例保護(hù)范圍內(nèi)的。
[0041] 本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，包括多行像素單元，每一行像素單元包括多個(gè)子 像素單元，每一該子像素單元均包括發(fā)光元件；每一行像素單元還包括行共用單元，該行共 用單元包括多個(gè)行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊；
[0042] 每一行像素單元包括的多個(gè)子像素單元均與一信號(hào)線連接；
[0043] 一所述行像素單元包括的多個(gè)子像素單元均與一掃描線連接，每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā) 光控制模塊分別接入一發(fā)光控制信號(hào)；
[0044] -所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊與一所述行像素單元包括的每一子像素單元均通過(guò) 該信號(hào)線連接，以在該掃描線輸出的掃描信號(hào)的控制下寫入數(shù)據(jù)電壓并具有閾值補(bǔ)償功 能，之后在該發(fā)光控制信號(hào)的控制下驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。
[0045] 在具體實(shí)施時(shí)，每一所述子像素單元包括子像素驅(qū)動(dòng)電路和發(fā)光元件，該發(fā)光元 件例如可以為0LED (有機(jī)發(fā)光二極管）。
[0046] 本發(fā)明該實(shí)施例所述的像素電路采用行共用單元，以使得在能夠補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管 的閾值的同時(shí)使得有效顯示區(qū)內(nèi)的TFT數(shù)目減少，并采用簡(jiǎn)單的控制信號(hào)，即可以使得像 素的開(kāi)口率增加，從而在均勻顯示的同時(shí)，降低了有機(jī)發(fā)光層的電流密度，延長(zhǎng)了 AM0LED 面板的使用壽命。
[0047] 優(yōu)選的，所述子像素單元設(shè)置于有效顯示區(qū)內(nèi)，所述行共用單元設(shè)置于有效顯示 區(qū)外，將每一行像素單元中的具有共性的電路設(shè)置于有效顯示區(qū)外，以進(jìn)一步減小有效顯 示區(qū)內(nèi)的TFT數(shù)目，增加開(kāi)口率。
[0048] 具體的，第η行像素單元包括的每一所述子像素單元均包括子像素驅(qū)動(dòng)電路和發(fā) 光元件；其中η為正整數(shù)并且η小于或等于所述像素電路包括的像素單元的總行數(shù)；
[0049] 該子像素驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊和驅(qū)動(dòng)晶體管；
[0050] 該驅(qū)動(dòng)晶體管，第一極與所述發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入第一電平；所述 發(fā)光元件的第二端與該信號(hào)線連接；
[0051] 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊，分別與第η掃描線、該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、該驅(qū)動(dòng)晶體管的第 一極、該驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，用于在一時(shí)間周期的第一階段，當(dāng)該第η掃描線輸出的 掃描信號(hào)有效時(shí)，控制該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓；
[0052] 所述數(shù)據(jù)寫入模塊，分別與第η掃描線、一數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊連接，用于 當(dāng)該第η掃描線輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，控制該數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊 寫入該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；
[0053] 每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊，分別接入一發(fā)光控制信號(hào)和第二電平，并分別通 過(guò)一所述信號(hào)線與該發(fā)光元件的第二端連接，用于當(dāng)該發(fā)光控制信號(hào)有效時(shí)控制該信號(hào)線 的電位為該第二電平；
[0054] 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊，還用于當(dāng)該發(fā)光控制信號(hào)有效并該第η掃描線輸出的掃描信 號(hào)無(wú)效時(shí)，控制維持該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電位，并控制驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。
[0055] 具體的，本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，包括L行像素單元，每一行像素單元包括 Μ個(gè)子像素單元；第η行像素單元包括的Μ個(gè)子像素單元都與第η掃描線連接；每一行像素 單元包括的第k子像素單元都與第k數(shù)據(jù)線連接；L和Μ為大于1的整數(shù)，η為小于或等于 L的正整數(shù)，k為小于或等于Μ的正整數(shù)；
[0056] 如圖2所示，Datal是第一數(shù)據(jù)線，Data_k_l是第k-Ι數(shù)據(jù)線，Data_k是第k數(shù)據(jù) 線，Data_k+1是第k+Ι數(shù)據(jù)線，Data_M是第Μ數(shù)據(jù)線；
[0057] 在圖2中，VL_1是與第一行像素單元包括的多個(gè)子像素單元連接的信號(hào)線；VL_ η-l是與第η-l行像素單元包括的多個(gè)子像素單元連接的信號(hào)線，VL_n是與第η行像素單 元包括的多個(gè)子像素單元連接的信號(hào)線，VL_n+l是與第η+1行像素單元包括的多個(gè)子像素 單元連接的信號(hào)線，VL_L是與第L行像素單元包括的多個(gè)子像素單元連接的信號(hào)線；
[0058] 在具體實(shí)施時(shí)，在圖2所示的像素電路中，每個(gè)所述子像素單元都為4T1C子像素 單元。
[0059] 具體的，以行共用單元包括的一行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊與第η行像素單元包括的一 子像素單元的連接為例說(shuō)明如下：
[0060] 如圖3所示，所述子像素單元包括子像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光二極管0LED，該子 像素驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊31和數(shù)據(jù)寫入模塊32 ;
[0061] 數(shù)據(jù)線Data輸出數(shù)據(jù)電壓Vdata ;
[0062] 所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，第一極與0LED的陽(yáng)極連接，第二極接入高電平VDD ;
[0063] 所述0LED的陰極與信號(hào)線VL連接；
[0064] 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊31，分別與第η掃描線Scan_n、該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極、該 驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極、該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極連接，用于當(dāng)該第η掃描線Scan_ η輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，控制該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾 值電壓Vth ;
[0065] 所述數(shù)據(jù)寫入模塊32,分別與第η掃描線Scan_n、一數(shù)據(jù)線Data和所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償 模塊31連接，用于當(dāng)該第η掃描線Scan_n輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，控制該數(shù)據(jù)線Data上 的數(shù)據(jù)電壓Vdata通過(guò)該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊31寫入該驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極；
[0066] 每一行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊33,分別接入一發(fā)光控制信號(hào)EM_n和低電平VSS，并分 別通過(guò)一所述信號(hào)線VL與一該0LED的陰極連接，用于當(dāng)該發(fā)光控制信號(hào)EM_n有效時(shí)控制 該信號(hào)線VL的電位為低電平VSS ;
[0067] 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊31，還用于當(dāng)該發(fā)光控制信號(hào)EM_n有效和該第η掃描線Scan_ η輸出的掃描信號(hào)無(wú)效時(shí)，控制維持所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極的電位，并控制驅(qū)動(dòng)晶體 管DTFT驅(qū)動(dòng)0LED發(fā)光；
[0068] 在如圖3所示的具體實(shí)施例中，DTFT為η型TFT。
[0069] 在具體實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊包括第一補(bǔ)償晶體管、第二補(bǔ)償晶體管和存儲(chǔ) 電容；
[0070] 所述驅(qū)動(dòng)晶體管，第一極與發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入所述第一電平；所 述發(fā)光元件的第二端與所述信號(hào)線連接；
[0071] 該第一補(bǔ)償晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接， 第二極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接；
[0072] 該第二補(bǔ)償晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述第一補(bǔ)償晶體管的第一 極連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接；
[0073] 所述存儲(chǔ)電容，第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接。
[0074] 具體的，如圖4所示，所述低電平VSS可以為地電平GND ;
[0075] 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊可以包括第一補(bǔ)償晶體管Τ1、第二補(bǔ)償晶體管Τ2和存儲(chǔ)電容 Cs ；
[0076] 所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT，第一極與0LED的陽(yáng)極連接，第二極接入高電平VDD ;
[0077] 該第一補(bǔ)償晶體管T1，柵極接入第η掃描線Scan_n，第一極與所述所述驅(qū)動(dòng)晶體 管DTFT的柵極連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端A連接；
[0078] 0LED的陰極與信號(hào)線VL連接；
[0079] 所述存儲(chǔ)電容Cs，第二端B與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一極連接；
[0080] 該第二補(bǔ)償晶體管T2,柵極與第η掃描線Scan_n連接，第一極與所述第一補(bǔ)償晶 體管T1的第一極連接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二極連接；
[0081] 所述數(shù)據(jù)寫入模塊可以包括：數(shù)據(jù)寫入晶體管T3,柵極接入第η掃描線Scan_n，第 一極與所述數(shù)據(jù)線Data連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端A連接；
[0082] 每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊可以包括：行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制晶體管T4,柵極接入一 發(fā)光控制信號(hào)EM_n，第一極接入地電平GND，第二極與所述信號(hào)線VL連接；
[0083] 在圖3中，C點(diǎn)為與DTFT的柵極連接的點(diǎn)，DTFT、T2、T3和T4都為η型TFT，T1為 p 型 TFT。
[0084] 在如圖3所示的實(shí)施例中，包括0了?1\11、了233、〇8和01^0的子像素單元設(shè)置于 有效顯示區(qū)內(nèi)，包括T4的行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊設(shè)置于有效顯示區(qū)外，并且同一行像素單元 的多個(gè)子像素單元都與該行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊連接，以具有閾值補(bǔ)償功能。
[0085] 在具體實(shí)施時(shí)，并不僅限于以上的實(shí)施例，只需采用包括多個(gè)行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模 塊的行共用單元即可達(dá)到減少有效顯示區(qū)內(nèi)的TFT的目的，可以使得像素尺寸縮小。
[0086] 如圖4所示的實(shí)施例的操作時(shí)序如圖5所示，分成三個(gè)階段：
[0087] 在第一階段（閾值電壓補(bǔ)償和數(shù)據(jù)電壓寫入階段）：Scan_n輸出高電平，EM_n輸 出低電平，共用的行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制管T4關(guān)閉，像素內(nèi)部的VL懸空，0LED無(wú)導(dǎo)通路徑。Scan_ η為高電平，T2和T3都開(kāi)啟，T1關(guān)閉，子像素驅(qū)動(dòng)電路的等效電路如圖6A所示；此時(shí)，DTFT 為一個(gè)二極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入，Cs的第一端A的電位VA = Vdata，Cs 的第二端B的電位VB為VDD-Vth，Cs的第一端A的電位和Cs的第二端B的電位之間的差 值 VCs = VA-VB = Vdata-VDD+Vth ;
[0088] 在第二階段（緩沖階段）：Scan_n輸出低電平，EM_n輸出低電平，T4關(guān)閉，信號(hào)線 VL懸空，0LED無(wú)導(dǎo)通路徑；Scan_n輸出低電平，Τ2和Τ3關(guān)閉，Τ1開(kāi)啟，子像素驅(qū)動(dòng)電路的 等效電路如圖6B所示；沒(méi)有電壓從數(shù)據(jù)線輸入，DTFT的柵極浮空，Cs的A端和C點(diǎn)（與 DTFT的柵極連接的點(diǎn)）相連，Cs沒(méi)有充電或放電的路徑，Cs兩端的電壓保持不變，C點(diǎn)的 電位 VC 與 VA 相等，DTFT 的柵源電壓 Vgs = VCB = VAB = VCs = Vdata-VDD+Vth ;
[0089] 在第三階段（0LED發(fā)光階段）：Scan_n輸出低電平，EM_n輸出高電平，T4開(kāi)啟，信 號(hào)線VL通過(guò)Τ4接地，從DTFT和0LED形成導(dǎo)通路徑，子像素驅(qū)動(dòng)電路的等效電路如圖6C所 示；T2和T3關(guān)閉，T1開(kāi)啟，Cs沒(méi)有充電或放電的路徑，因此Cs兩端的電壓保持不變，S卩DTFT 的柵源電壓保持不變，Vgs = Vdata-VDD+Vth，因此流過(guò)0LED的電流為I = K(Vdata-VDD)2， K為與工藝和設(shè)計(jì)相關(guān)的常數(shù)，如此消除了 DTFT的Vth不均勻和漂移的影響，同時(shí)消除了 0LED的開(kāi)啟電壓Vth_oled退化的影響，這樣就可以改善電流的均勻性，達(dá)到亮度的均勻；
[0090] 同時(shí)由于子像素驅(qū)動(dòng)電路中控制信號(hào)簡(jiǎn)單、部分TFT共用，基本子像素單元為 4T1C子像素單元，共用行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制晶體管，通過(guò)較少的TFT和簡(jiǎn)單的控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)閾 值電壓補(bǔ)償功能，同時(shí)簡(jiǎn)化像素電路。
[0091] 本發(fā)明還提供了一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于上述的像素電路，所述像素電 路的驅(qū)動(dòng)方法包括：
[0092] 閾值補(bǔ)償和數(shù)據(jù)寫入步驟：當(dāng)本行掃描線輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊 控制驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，數(shù)據(jù)寫入模塊控制該數(shù)據(jù)線上 的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊寫入該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；
[0093] 緩沖步驟：當(dāng)本行掃描線和發(fā)光控制信號(hào)都無(wú)效時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極浮空，存儲(chǔ) 電容的第一端斷開(kāi)與數(shù)據(jù)寫入模塊的連接；
[0094] 發(fā)光步驟：當(dāng)發(fā)光控制信號(hào)有效并本行掃描線輸出的掃描信號(hào)無(wú)效時(shí)，行驅(qū)動(dòng)發(fā) 光控制模塊控制該信號(hào)線的電位為第二電平，驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊控制維持該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極 的電位，并控制驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。
[0095] 本發(fā)明實(shí)施例所述的顯示裝置包括上述的像素電路。所述顯示裝置可以包括液晶 顯示裝置，例如液晶面板、液晶電視、手機(jī)、液晶顯示器。除了液晶顯示裝置外，所述顯示裝 置還可以包括有機(jī)發(fā)光顯示器或者其他類型的顯示裝置，比如電子閱讀器等。
[0096] 以上說(shuō)明對(duì)本發(fā)明而言只是說(shuō)明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解， 在不脫離所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許多修改、變化或等效，但都 將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種像素電路，包括多行像素單元，每一行像素單元包括多個(gè)子像素單元，每一該子 像素單元均包括發(fā)光元件；其特征在于，每一行像素單元還包括行共用單元，該行共用單元 包括多個(gè)行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊； 每一行像素單元包括的多個(gè)子像素單元均與一信號(hào)線連接； 一所述行像素單元包括的多個(gè)子像素單元均與一掃描線連接，每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控 制模塊分別接入一發(fā)光控制信號(hào)； 一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊與一所述行像素單元包括的每一子像素單元均通過(guò)該信 號(hào)線連接，以在該掃描線輸出的掃描信號(hào)的控制下寫入數(shù)據(jù)電壓并具有閾值補(bǔ)償功能，之 后在該發(fā)光控制信號(hào)的控制下驅(qū)動(dòng)該子像素單元包括的發(fā)光元件發(fā)光。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述子像素單元設(shè)置于有效顯示區(qū)內(nèi)， 所述行共用單元設(shè)置于有效顯示區(qū)外。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的像素電路，其特征在于，第η行像素單元包括的每一所述子 像素單元均包括子像素驅(qū)動(dòng)電路；其中η為正整數(shù)并且η小于或等于所述像素電路包括的 像素單元的總行數(shù)； 該子像素驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊和驅(qū)動(dòng)晶體管； 該驅(qū)動(dòng)晶體管，第一極與所述發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入第一電平；所述發(fā)光 元件的第二端與該信號(hào)線連接； 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊，分別與第η掃描線、該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極、該驅(qū)動(dòng)晶體管的第一 極、該驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，用于當(dāng)該第η掃描線輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，控制該驅(qū)動(dòng) 晶體管的柵源電壓補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓； 所述數(shù)據(jù)寫入模塊，分別與第η掃描線、一數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊連接，用于當(dāng)該 第η掃描線輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，控制該數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊寫入 該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極； 每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊，分別接入一發(fā)光控制信號(hào)和第二電平，并分別通過(guò)一 所述信號(hào)線與該發(fā)光元件的第二端連接，用于當(dāng)該發(fā)光控制信號(hào)有效時(shí)控制該信號(hào)線的電 位為該第二電平； 所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊，還用于當(dāng)該發(fā)光控制信號(hào)有效并該第η掃描線輸出的掃描信號(hào)無(wú) 效時(shí)，控制維持該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電位，并控制驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊包括第一補(bǔ)償晶體 管、第二補(bǔ)償晶體管和存儲(chǔ)電容； 所述驅(qū)動(dòng)晶體管，第一極與發(fā)光元件的第一端連接，第二極接入所述第一電平；所述發(fā) 光元件的第二端與所述信號(hào)線連接； 該第一補(bǔ)償晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接，第二 極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接； 所述存儲(chǔ)電容，第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接； 該第二補(bǔ)償晶體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述第一補(bǔ)償晶體管的第一極連 接，第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入模塊包括：數(shù)據(jù)寫入晶 體管，柵極接入第η掃描線，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連 接。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，每一所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制模塊包括：行 驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制晶體管，柵極接入一發(fā)光控制信號(hào)，第一極接入所述第二電平，第二極與所述 信號(hào)線連接。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第二補(bǔ)償晶體 管、所述數(shù)據(jù)寫入晶體管和所述行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控制晶體管都為η型TFT，所述第一補(bǔ)償晶體管 為ρ型TFT。
8. -種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于如權(quán)利要求3至7中任一權(quán)利要求所述的像素電 路，其特征在于，所述像素電路的驅(qū)動(dòng)方法包括： 閾值補(bǔ)償和數(shù)據(jù)寫入步驟：當(dāng)本行掃描線輸出的掃描信號(hào)有效時(shí)，驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊控制 驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓補(bǔ)償該驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，數(shù)據(jù)寫入模塊控制該數(shù)據(jù)線上的數(shù) 據(jù)電壓通過(guò)該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊寫入該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極； 緩沖步驟：當(dāng)本行掃描線和發(fā)光控制信號(hào)都無(wú)效時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極浮空，存儲(chǔ)電容 的第一端斷開(kāi)與數(shù)據(jù)寫入模塊的連接； 發(fā)光步驟：當(dāng)發(fā)光控制信號(hào)有效并本行掃描線輸出的掃描信號(hào)無(wú)效時(shí)，行驅(qū)動(dòng)發(fā)光控 制模塊控制該信號(hào)線的電位為第二電平，驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償模塊控制維持該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電 位，并控制驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件發(fā)光。
9. 一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的像素電 路。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104157238SQ201410347862
【公開(kāi)日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年7月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月21日
【發(fā)明者】吳博, 祁小敬, 譚文 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司