像素單元驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置。該像素單元驅(qū)動(dòng)電路，包括：有機(jī)發(fā)光二級管、驅(qū)動(dòng)晶體管、開關(guān)晶體管、存儲電容及補(bǔ)償電路；所述存儲電容第一端與電源第一端連接，第二端與開關(guān)晶體管漏極、驅(qū)動(dòng)晶體管柵極以及補(bǔ)償電路連接；還包括：電壓負(fù)反饋電路，分別與所述存儲電容第二端以及所述電源第一端連接；所述電壓負(fù)反饋電路用于根據(jù)所述存儲電容第二端的電壓變化反向調(diào)節(jié)所述存儲電容第二端的電壓。在該像素單元驅(qū)動(dòng)電路中，存儲電容存儲的數(shù)據(jù)信號電壓相對保持穩(wěn)定，進(jìn)而有機(jī)發(fā)光二級管的發(fā)光亮度也可以保持穩(wěn)定，從而提升了顯示效果。
【專利說明】像素單元驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路以及包括該像素單元 驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 相比傳統(tǒng)的液晶面板，OLED (Organic Light Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管）面 板具有反應(yīng)速度更快、對比度更高、視角更廣等特點(diǎn)，因此，0LED技術(shù)得到了顯示技術(shù)開發(fā) 商日益廣泛的關(guān)注。
[0003] 0LED面板中的像素單元主要包括有機(jī)發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)該有機(jī)發(fā)光二極管的像 素單元驅(qū)動(dòng)電路。傳統(tǒng)的2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路如圖1中所示：其包括開關(guān)晶體管T1、驅(qū) 動(dòng)晶體管T2以及存儲電容Cst。其中，開關(guān)晶體管T1由掃描線（Scan line)輸出的第一掃 描信號Vscan控制，以用于控制數(shù)據(jù)線（Data Line)的數(shù)據(jù)信號Vdata的寫入，驅(qū)動(dòng)晶體管 T2用于控制有機(jī)發(fā)光二極管0LED的發(fā)光，存儲電容Cst用于為驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極提供 維持電壓。
[0004] 有機(jī)發(fā)光二極管0LED能夠發(fā)光是由驅(qū)動(dòng)晶體管T2工作在飽和狀態(tài)時(shí)所產(chǎn)生的 驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)的，驅(qū)動(dòng)電流I_ D = K(vsg-|vthd|)2,其中Vsg為驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵源電壓差， |V thd|為驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓，K為常數(shù)。由于技術(shù)所限，閾值電壓均勻性通常較差， 而且在使用中還會(huì)發(fā)生閾值電壓漂移，這樣當(dāng)向驅(qū)動(dòng)晶體管T2輸入相同數(shù)據(jù)信號時(shí)，會(huì)產(chǎn) 生不同的驅(qū)動(dòng)電流，從而導(dǎo)致0LED面板亮度的均勻性較差。
[0005] 為解決該問題，現(xiàn)有技術(shù)中還在像素單元驅(qū)動(dòng)電路中引入了補(bǔ)償電路，通過補(bǔ)償 電路向存儲電容Cst預(yù)先存儲驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓，從而對閾值電壓漂移進(jìn)行有效的 補(bǔ)償，保證了驅(qū)動(dòng)電流的均勻性和穩(wěn)定性。然而，在引入補(bǔ)償電路的同時(shí)，也帶來了新的問 題。
[0006] 例如，如圖2中所示，其為現(xiàn)有技術(shù)中一種引入了補(bǔ)償電路的像素單元驅(qū)動(dòng)電路。 其中，在為存儲電容Cst充電的過程中，數(shù)據(jù)線寫入的數(shù)據(jù)信號Vdata被存儲在圖中存儲電 容Cst的第二端，然后依靠存儲電容Cst來保持該數(shù)據(jù)信號Vdata。但是由于補(bǔ)償電路主要 元件之一通常為薄膜晶體管，薄膜晶體管不可避免的存在不同程度的漏電，因此會(huì)導(dǎo)致存 儲電容Cst的第二端的電壓下降，即造成存儲電容Cst存儲的數(shù)據(jù)信號Vdata電壓下降，從 而造成有機(jī)發(fā)光二級管0LED的發(fā)光亮度難以保持穩(wěn)定，最終對顯示效果的進(jìn)一步提升形 成阻礙。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 針對現(xiàn)有技術(shù)中的部分或者全部問題，本公開提供一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路以及包 括該像素單元驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置，用于保證在引入補(bǔ)償電路之后，有機(jī)發(fā)光二級管的發(fā) 光亮度仍能保持穩(wěn)定。
[0008] 本公開的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過本公開 的實(shí)踐而習(xí)得。
[0009] 根據(jù)本公開的一個(gè)方面，一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，包括：有機(jī)發(fā)光二級管、驅(qū)動(dòng)晶 體管、開關(guān)晶體管、存儲電容及補(bǔ)償電路；所述存儲電容第一端與電源第一端連接，第二端 與開關(guān)晶體管漏極、驅(qū)動(dòng)晶體管柵極以及補(bǔ)償電路連接；還包括：
[0010] 電壓負(fù)反饋電路，分別與所述存儲電容第二端以及所述電源第一端連接；
[0011] 所述電壓負(fù)反饋電路用于根據(jù)所述存儲電容第二端的電壓變化反向調(diào)節(jié)所述存 儲電容第二端的電壓；所述電壓負(fù)反饋電路包括：
[0012] 反饋晶體管，其柵極與所述存儲電容第二端連接，源極與電源第一端連接；
[0013] 分壓元件，其第一端與所述反饋晶體管漏極連接，第二端與電源第二端連接。
[0014] 在本公開的一種實(shí)施方式中，還包括：
[0015] 耦合電容，其第一端與所述反饋電阻第一端連接，第二端與所述存儲電容第二端 連接。
[0016] 在本公開的一種實(shí)施方式中，所述分壓兀件為一電阻。
[0017] 在本公開的一種實(shí)施方式中，所述補(bǔ)償電路包括：
[0018] 第一補(bǔ)償晶體管，其柵極與掃描線連接，源極與存儲電容第二端連接；
[0019] 第二補(bǔ)償晶體管，其柵極與掃描線連接，源極與所述第一補(bǔ)償晶體管漏極連接，漏 極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管漏極連接；
[0020] 第一隔離晶體管，其柵極與第一使能信號端連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管漏極連 接，漏極與所述有機(jī)發(fā)光二極管第一端連接；
[0021] 第二隔離晶體管，其柵極與第一使能信號端連接，源極與開關(guān)晶體管源極連接，漏 極與所述存儲電容第一端連接。
[0022] 在本公開的一種實(shí)施方式中，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路還包括：
[0023] 復(fù)位電路，與所述存儲電容第二端連接；用于初始化所述存儲電容。
[0024] 在本公開的一種實(shí)施方式中，所述復(fù)位電路包括：
[0025] 第一復(fù)位晶體管，其柵極與第二使能信號端連接，源極與一參考電壓端連接；
[0026] 第二復(fù)位晶體管，其柵極與第二使能信號端連接，源極與所述第一復(fù)位晶體管漏 極連接，漏極與所述存儲電容第二端連接。
[0027] 在本公開的一種實(shí)施方式中，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路還包括：
[0028] 下拉電路，與所述有機(jī)發(fā)光二極管第一端連接，用于下拉所述有機(jī)發(fā)光二極管的 驅(qū)動(dòng)電壓。
[0029] 在本公開的一種實(shí)施方式中，所述下拉電路包括：
[0030] 下拉晶體管，其柵極與第二使能信號端連接，源極與一參考電壓端連接，漏極與所 述有機(jī)發(fā)光二極管第一端連接。
[0031] 在本公開的一種實(shí)施方式中，所有所述晶體管均具有相同的溝道類型。
[0032] 根據(jù)本公開的另一個(gè)方面，一種顯示裝置，包括上述的任意一種像素單元驅(qū)動(dòng)電 路。
[0033] 本公開的實(shí)施例所提供的像素單元驅(qū)動(dòng)電路以及顯示裝置中，通過設(shè)置電壓負(fù)反 饋電路，該電壓負(fù)反饋電路用于根據(jù)存儲電容第二端的電壓變化反向調(diào)節(jié)存儲電容第二端 的電壓。這樣，當(dāng)由于補(bǔ)償電路的漏電而造成存儲電容存儲的數(shù)據(jù)信號電壓下降時(shí)，電壓負(fù) 反饋電路會(huì)對其進(jìn)行補(bǔ)償，從而阻止存儲電容存儲的數(shù)據(jù)信號電壓下降。因此，在該像素單 元驅(qū)動(dòng)電路中，存儲電容存儲的數(shù)據(jù)信號電壓相對保持穩(wěn)定，進(jìn)而有機(jī)發(fā)光二級管的發(fā)光 亮度也可以保持穩(wěn)定，從而提升了顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034] 通過參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施方式，本公開的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得 更加明顯。
[0035] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；
[0036] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)中一種包括補(bǔ)償電路的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；
[0037] 圖3是本公開實(shí)施例中一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；
[0038] 圖4是本公開實(shí)施例中又一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；
[0039] 圖5是圖4中所示像素單元驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；
[0040] 圖6是圖4中所示像素單元驅(qū)動(dòng)電路在tl時(shí)段的等效電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041] 圖7是圖4中所示像素單元驅(qū)動(dòng)電路在t2時(shí)段的等效電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042] 圖8是圖4中所示像素單元驅(qū)動(dòng)電路在t3時(shí)段的等效電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043] 圖Θ是圖4中所示像素單元驅(qū)動(dòng)電路的仿真結(jié)果圖。
[0044] 附圖標(biāo)記說明：
[0045] T1 :開關(guān)晶體管
[0046] T2 :驅(qū)動(dòng)晶體管
[0047] T3 :第一補(bǔ)償晶體管
[0048] T4 :第二補(bǔ)償晶體管
[0049] T5:第一隔離晶體管
[0050] T6:第二隔離晶體管
[0051] T7:反饋晶體管
[0052] T8 :第一復(fù)位晶體管
[0053] T9 :第二復(fù)位晶體管
[0054] T10 :下拉晶體管
[0055] Cst:存儲電容
[0056] C1 :耦合電容
[0057] R1:電阻
[0058] VDD :電源第一端
[0059] VSS:電源第二端
[0060] Vref:參考電壓
[0061] Vdata:數(shù)據(jù)信號
[0062] Vscan :第一掃描信號
[0063] En :第一使能信號
[0064] 0LED :有機(jī)發(fā)光二極管

【具體實(shí)施方式】
[0065] 現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形 式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開將 全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了清 晰，夸大了區(qū)域和層的厚度。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它 們的詳細(xì)描述。
[0066] 此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施 例中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對本公開的實(shí)施例的充分理解。然而， 本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實(shí)踐本公開的技術(shù)方案而沒有所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更 多，或者可以采用其它的方法、組元、材料等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、 材料或者操作以避免模糊本公開的各方面。
[0067] 如圖3中所示，為本發(fā)明所提供的一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。該像 素單元驅(qū)動(dòng)電路主要包括開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動(dòng)晶體管T2、存儲電容Cst、有機(jī)發(fā)光二極管 0LED、補(bǔ)償電路以及電壓負(fù)反饋電路。
[0068] 其中，開關(guān)晶體管T1用于控制數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號Vdata的寫入，其柵極與第一掃 描線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極連接。存儲電容Cst用于為驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的柵極提供維持電壓，其第一端與一電源第一端VDD連接，第二端與驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的柵極連接。驅(qū)動(dòng)晶體管T2用于控制有機(jī)發(fā)光二極管0LED的發(fā)光，其漏極與補(bǔ)償電 路連接。補(bǔ)償電路用于向存儲電容Cst預(yù)先存儲驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓，其分別與有機(jī) 發(fā)光二極管0LED的陽極以及存儲電容Cst的第二端連接。有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陰極與 電源第二端VSS連接，可在驅(qū)動(dòng)晶體管T2輸出的驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。電壓負(fù)反饋電路 分別與存儲電容Cst第二端以及所述電源第一端VDD連接。電壓負(fù)反饋電路主要用于根據(jù) 所述存儲電容Cst第二端的電壓變化反向調(diào)節(jié)所述存儲電容Cst第二端的電壓。
[0069] 這樣，當(dāng)由于補(bǔ)償電路的漏電而造成存儲電容Cst存儲的數(shù)據(jù)信號Vdata電壓下 降時(shí)，電壓負(fù)反饋電路會(huì)反向調(diào)節(jié)存儲電容Cst第二端的電壓，即提升存儲電容Cst第二端 的電壓，對其進(jìn)行補(bǔ)償，從而阻止存儲電容Cst存儲的數(shù)據(jù)信號Vdata電壓下降。因此，在 該像素單元驅(qū)動(dòng)電路中，存儲電容Cst存儲的數(shù)據(jù)信號Vdata電壓相對保持穩(wěn)定，進(jìn)而有機(jī) 發(fā)光二級管的發(fā)光亮度也可以保持穩(wěn)定，從而提升了顯示效果。
[0070] 本實(shí)施方式中還示例性的提供了一種上述電壓負(fù)反饋電路的具體實(shí)現(xiàn)方式。如圖 4中所示，該電壓負(fù)反饋電路主要包括反饋晶體管T7以及分壓元件；其中，反饋晶體管T7 的其柵極與所述存儲電容Cst第二端連接，源極與電源第一端VDD連接，漏極與分壓元件第 一端連接；分壓元件的第二端與電源第二端VSS連接，例如，該分壓元件可以為一電阻R1。 除此之外，上述電壓負(fù)反饋電路還可以包括一耦合電容C1，該耦合電容C1第一端與分壓元 件第一端連接，第二端存儲電容Cst第二端連接，從而可以利用耦合電容C1將分壓元件的 電壓耦合至存儲電容Cst第二端。
[0071] 當(dāng)存儲電容Cst第二端的電壓因?yàn)檠a(bǔ)償電路的漏電流而降低時(shí)，這時(shí)負(fù)反饋電路 中的反饋晶體管T7的漏極電流會(huì)增大。而反饋晶體管T7的漏極電流增大，分壓元件的電 壓就會(huì)上升，而分壓元件第一端與耦合電容C1連接，因此，可以通過耦合電容C1的耦合作 用，促使存儲電容Cst第二端的電壓上升，從而阻止存儲電容Cst第二端電壓的下降。
[0072] 進(jìn)一步的，如圖4中所示，本實(shí)施方式中補(bǔ)償電路主要包括第一補(bǔ)償晶體管T3、第 二補(bǔ)償晶體管T4、第一隔離晶體管T5以及第二隔離晶體管T6。補(bǔ)償晶體管用于向所述存儲 電容Cst預(yù)先存儲所述驅(qū)動(dòng)晶體管Τ2的閾值電壓，第一補(bǔ)償晶體管Τ3的柵極與上述的第 一掃描線連接，源極與存儲電容Cst第二端連接，第二補(bǔ)償晶體管T4的柵極同樣與上述的 第一掃描線連接，源極與所述第一補(bǔ)償晶體管T3漏極連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管T2漏極 連接。第一隔離晶體管T5主要用于隔離有機(jī)發(fā)光二極管OLED與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏極之 間的電連接，其柵極與第一使能信號端連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管T2漏極連接，漏極與 所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED第一端連接。第二隔離晶體管T6主要用于隔離電源第一端VDD 與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極之間的電連接，柵極與第一使能信號端連接，源極與開關(guān)晶體管T1 源極連接，漏極與存儲電容Cst第一端連接。在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中，為簡化結(jié)構(gòu)，上 述的第一補(bǔ)償晶體管T3和第二補(bǔ)償晶體管T4也可以只保留一個(gè)；再此不做特殊限定。
[0073] 除此之外，如圖4中所示，本實(shí)施方式中像素單元驅(qū)動(dòng)電路還包括一復(fù)位電路與 一下拉電路。復(fù)位電路與存儲電容Cst第二端連接，主要用于對存儲電容Cst進(jìn)行初始化。 下拉電路與有機(jī)發(fā)光二極管0LED第一端連接，主要用于下拉有機(jī)發(fā)光二極管0LED的驅(qū)動(dòng) 電壓，對有機(jī)發(fā)光二極管0LED的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行初始化。
[0074] 例如，如圖5中所述，該復(fù)位電路可以包括：第一復(fù)位晶體管T8、第二復(fù)位晶體管 T9、參考電壓端Vref以及第二使能信號端等等。其中，第一復(fù)位晶體管T8的柵極與第二使 能信號端連接，源極與參考電壓端Vref連接；第二復(fù)位晶體管T9的柵極與第二使能信號端 連接，源極與第一復(fù)位晶體管T8漏極連接，漏極與存儲電容Cst第二端連接；在本發(fā)明的其 他實(shí)施方式中，為簡化結(jié)構(gòu)，上述的第一復(fù)位晶體管T8和第二復(fù)位晶體管T9也可以只保留 一個(gè)；再此不做特殊限定。該下拉電路可以包括：下拉晶體管T10、參考電壓端Vref以及第 二使能信號端；下拉晶體管T10的柵極與第二使能信號端連接，源極與參考電壓端Vref連 接，漏極與有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陽極連接。在一種實(shí)施方式中，上述的第二使能信號端 可以為一第二掃描線，第二掃描線中的信號比與上述開關(guān)晶體管T1連接的第一掃描線中 的信號提前一個(gè)時(shí)鐘信號。即，第二掃描線可以為第一掃描線上一行的掃描線。
[0075] 下面結(jié)合如圖6中所示的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖對本實(shí)施方式中的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的工 作原理進(jìn)行更加詳細(xì)的說明。在該驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖中，示意了在一幀工作時(shí)序中的與開關(guān)晶體 管T1連接的第一掃描線的第一掃描信號Vscan電壓，數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號Vdata電壓，第一 使能信號端的第一使能信號En電壓以及第二掃描線的第二掃描信號Vscan-Ι電壓的變化。 其中，在數(shù)據(jù)信號Vdata寫入像素單元驅(qū)動(dòng)電路之前，需要對像素單元驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行復(fù)位， 以消除上一幀數(shù)據(jù)的影響，即為時(shí)序段tl。接著，需要將數(shù)據(jù)信號Vdata存儲到存儲電容 Cst，同時(shí)通過補(bǔ)償電路將驅(qū)動(dòng)晶體管T2閾值電壓階段預(yù)先寫入存儲電容Cst，該過程即為 時(shí)序段t2。然后，在存儲電容Cst里預(yù)先存儲的數(shù)據(jù)信號Vdata的控制下，通過驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管0LED發(fā)光。下面將結(jié)合圖7-圖9分別對上述各個(gè) 時(shí)序段進(jìn)行具體說明：
[0076] 復(fù)位時(shí)序段tl:
[0077] 該時(shí)序段等效電路圖如圖7中所示；在該時(shí)序段，第二掃描信號Vscan-1的電壓為 低電平，第一掃描信號Vscan以及第一使能信號En的電壓為高電平，第一復(fù)位晶體管T8以 及第二復(fù)位晶體管T9導(dǎo)通，存儲電容Cst第二端的電壓被初始化為參考電壓端Vref的電 壓。
[0078] 除此之外，在該時(shí)序段中，由于第二掃描信號Vscan-1的電壓為低電平，下拉晶體 管T10導(dǎo)通，從而利用參考電壓端Vref的電壓下拉有機(jī)發(fā)光二極管0LED的驅(qū)動(dòng)電壓，對有 機(jī)發(fā)光二極管0LED的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行初始化。
[0079] 充電時(shí)序段t2:
[0080] 該時(shí)序段等效電路圖如圖8中所示；在該時(shí)序段，第一掃描信號Vscan的電壓為低 電平，第二掃描信號Vscan-Ι以及第一使能信號En的電壓為高電平，開關(guān)晶體管T1、第一補(bǔ) 償晶體管T3以及第二補(bǔ)償晶體管T4導(dǎo)通，數(shù)據(jù)信號Vdata通過開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動(dòng)晶體管 T2、第一補(bǔ)償晶體管T3以及第二補(bǔ)償晶體管T4對存儲電容Cst進(jìn)行充電；同時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的閾值電壓被寫入存儲電容Cst。
[0081] 發(fā)光時(shí)序段t3:
[0082] 該時(shí)序段等效電路圖如圖9中所示；在該時(shí)序段，第一使能信號En的電壓為低電 平，第一掃描信號Vscan以及第二掃描信號Vscan-Ι為高電平，第一隔離晶體管T5以及第 二隔離晶體管T6導(dǎo)通；并且，在存儲在存儲電容Cst中的數(shù)據(jù)信號Vdata的作用下，驅(qū)動(dòng)晶 體管T2導(dǎo)通。驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏極電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管0LED發(fā)光。同時(shí)，預(yù)先存儲 在存儲電容Cst中的驅(qū)動(dòng)晶體管T2閾值電壓對驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓漂移進(jìn)行有效的 補(bǔ)償，保證了驅(qū)動(dòng)電流的均勻性和穩(wěn)定性。
[0083] 在該時(shí)序段中，當(dāng)存儲電容Cst第二端的電壓因?yàn)檠a(bǔ)償電路的漏電流而降低時(shí)， 電壓負(fù)反饋電路中的反饋晶體管T7的漏極電流會(huì)增大，進(jìn)而分壓元件的電壓就會(huì)上升，而 分壓元件第一端與耦合電容C1連接，因此，可以通過耦合電容C1的耦合作用，促使存儲電 容Cst第二端的電壓上升，從而阻止存儲電容Cst第二端電壓的下降。
[0084] 進(jìn)一步的，發(fā)明人還對本公開的技術(shù)效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。如圖9中所示，為本實(shí) 施方式中的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的仿真結(jié)果?？梢悦黠@看出在沒有電壓負(fù)反饋電路時(shí)，存儲 電容Cst第二端的電壓變化為：2. 2287-1. 9672 = 0. 2615V ;在電壓負(fù)反饋電路時(shí)存儲電容 Cst第二端的電壓的電壓變化為：1. 9483-1. 8060 = 0. 1423V。這證明本實(shí)施方式中像素單 元驅(qū)動(dòng)電路的確實(shí)對于保證存儲電容存儲的數(shù)據(jù)信號電壓相對保持穩(wěn)定。
[0085] 本實(shí)施方式中像素單元驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)優(yōu)勢就是采用單一溝道類型的晶體管 即全為P溝道型晶體管，從而降低了制備工藝的復(fù)雜程度和生產(chǎn)成本。當(dāng)然，本領(lǐng)域所屬技 術(shù)人員很容易得出本發(fā)明所提供的像素單元驅(qū)動(dòng)電路可以輕易改成全為N溝道型晶體管 或全為CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）的電 路；并不局限于本實(shí)施例中所例舉的方式，在此不再贅述。
[0086] 本實(shí)施方式中還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的像素單元驅(qū)動(dòng)電 路。具體地，該顯示裝置包括有多個(gè)像素單元行列組成的像素單元陣列，每個(gè)像素單元包括 對應(yīng)上述實(shí)施例的任一像素單元驅(qū)動(dòng)電路。由于該像素單元驅(qū)動(dòng)電路一方面通過補(bǔ)償電路 補(bǔ)償了驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移，另一方面通過電壓負(fù)反饋電路避免了由于補(bǔ)償電路的 漏電造成的發(fā)光亮度難以保持的問題，因此可以在改善顯示亮度均勻性的同時(shí)，使得有機(jī) 發(fā)光二極管0LED顯示穩(wěn)定，最終極大的提升了顯示品質(zhì)。
[〇〇87] 本公開已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本公開的范例。 必需指出的是，已揭露的實(shí)施例并未限制本公開的范圍。相反地，在不脫離本公開的精神和 范圍內(nèi)所作的更動(dòng)與潤飾，均屬本公開的專利保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，包括：有機(jī)發(fā)光二級管、驅(qū)動(dòng)晶體管、開關(guān)晶體管、存儲電 容及補(bǔ)償電路；所述存儲電容第一端與電源第一端連接，第二端與開關(guān)晶體管漏極、驅(qū)動(dòng)晶 體管柵極以及補(bǔ)償電路連接； 其特征在于，還包括： 電壓負(fù)反饋電路，分別與所述存儲電容第二端以及所述電源第一端連接； 所述電壓負(fù)反饋電路用于根據(jù)所述存儲電容第二端的電壓變化反向調(diào)節(jié)所述存儲電 容第二端的電壓；所述電壓負(fù)反饋電路包括： 反饋晶體管，其柵極與所述存儲電容第二端連接，源極與電源第一端連接； 分壓元件，其第一端與所述反饋晶體管漏極連接，第二端與電源第二端連接； 耦合電容，其第一端與所述反饋電阻第一端連接，第二端與所述存儲電容第二端連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述分壓元件為一電阻。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述補(bǔ)償電路包括： 第一補(bǔ)償晶體管，其柵極與掃描線連接，源極與存儲電容第二端連接； 第二補(bǔ)償晶體管，其柵極與掃描線連接，源極與所述第一補(bǔ)償晶體管漏極連接，漏極與 所述驅(qū)動(dòng)晶體管漏極連接； 第一隔離晶體管，其柵極與第一使能信號端連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管漏極連接，漏 極與所述有機(jī)發(fā)光二極管第一端連接； 第二隔離晶體管，其柵極與第一使能信號端連接，源極與開關(guān)晶體管源極連接，漏極與 所述存儲電容第一端連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路還 包括： 復(fù)位電路，與所述存儲電容第二端連接；用于初始化所述存儲電容。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述復(fù)位電路包括： 第一復(fù)位晶體管，其柵極與第二使能信號端連接，源極與一參考電壓端連接； 第二復(fù)位晶體管，其柵極與第二使能信號端連接，源極與所述第一復(fù)位晶體管漏極連 接，漏極與所述存儲電容第二端連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路還 包括： 下拉電路，與所述有機(jī)發(fā)光二極管第一端連接，用于下拉所述有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng) 電壓。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述下拉電路包括： 下拉晶體管，其柵極與第二使能信號端連接，源極與一參考電壓端連接，漏極與所述有 機(jī)發(fā)光二極管第一端連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所有所述晶體 管均具有相同的溝道類型。
9. 一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路。
【文檔編號】G09G3/32GK104050918SQ201410268367
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月16日
【發(fā)明者】周興雨 申請人:上海和輝光電有限公司