像素電路、顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了像素電路、顯示裝置和電子設(shè)備，它們通過(guò)適當(dāng)?shù)匾种撇蓸泳w管的寄生電容的變化而抑制各像素的亮度變化。所述像素電路包括：第一晶體管，其具有導(dǎo)致寄生電容的第一偏差；和補(bǔ)償元件，其具有導(dǎo)致用于補(bǔ)償所述寄生電容的補(bǔ)償電容的第二偏差?；蛘咚鱿袼仉娐钒ǎ旱谝痪w管；保持電容器；連接至所述保持電容器的第一金屬部；以及第二金屬部。此時(shí)，所述第一晶體管包括連接至所述第一金屬部的溝道部，所述第一金屬部包括第一邊緣和與所述第一邊緣相對(duì)的第二邊緣，所述第一邊緣被設(shè)置成與所述第一晶體管的柵極電極重疊，所述第二邊緣被設(shè)置成與所述第二金屬部重疊，并且所述第一晶體管的柵極電極和所述第二金屬部是相同材料。
【專(zhuān)利說(shuō)明】像素電路、顯示裝置和電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及像素電路、顯示裝置和電子設(shè)備，并且更具體地，涉及能夠抑制各像素的亮度變化的像素電路、顯示裝置和電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了使用有機(jī)電致發(fā)光(electro luminescent,EL)元件作為像素中的發(fā)光元件的平面自發(fā)光型面板(以下，稱(chēng)作“有機(jī)EL面板”)。有機(jī)EL元件是具有二極管特性且利用當(dāng)電場(chǎng)被施加給有機(jī)薄膜時(shí)就發(fā)光的現(xiàn)象的元件。
[0003]此外，在有機(jī)EL面板之中，特別地，已經(jīng)積極地開(kāi)發(fā)了具有作為驅(qū)動(dòng)元件的薄膜晶體管的有源矩陣型有機(jī)EL面板，所述薄膜晶體管被集成地形成于各像素中。
[0004]在這種類(lèi)型的有機(jī)EL面板中，各像素通常包括有機(jī)EL元件、保持電容器(holdingcapacitor)、用于對(duì)圖像信號(hào)進(jìn)行采樣的采樣晶體管、和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)晶體管。換句話說(shuō)，通過(guò)控制由驅(qū)動(dòng)晶體管提供給有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)調(diào)節(jié)像素的發(fā)光亮度。
[0005]然而，一般地，由a-S1、p_Si或氧化物半導(dǎo)體形成的薄膜晶體管具有大的變化。此夕卜，由于該大的變化的影響，驅(qū)動(dòng)晶體管的能力也會(huì)出現(xiàn)變化。當(dāng)在像素之間存在著驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)能力變化時(shí)，該變化表現(xiàn)為像素之間的亮度差別，且因此該變化可能會(huì)被視為有機(jī)EL面板的不均勻性。
[0006]為此，已經(jīng)提出了用于避免這種現(xiàn)象的各種技術(shù)。例如，日本未經(jīng)審查的專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案N0.2003-271095揭示了用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的能力差別的技術(shù)。
[0007]日本未經(jīng)審查的專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案N0.2003-271095揭示了如下技術(shù):該技術(shù)保持與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電位作為柵極電位以校正閾值電壓。
[0008]然而，在該技術(shù)中，當(dāng)在保持了與閾值電壓相等的電位之后采樣晶體管的柵極電位發(fā)生改變時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位就會(huì)因采樣晶體管的柵極和源極的寄生電容而改變。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的校正值因?yàn)榧纳娙莸淖兓淖儯乙虼烁飨袼爻霈F(xiàn)亮度變化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]如上所述，在有機(jī)EL面板中，期望能夠抑制各像素的亮度變化。相應(yīng)地，期望能夠抑制采樣晶體管的寄生電容的變化。
[0010]本發(fā)明是鑒于上述這樣的情況而創(chuàng)造的，并且可以通過(guò)適當(dāng)?shù)匾种撇蓸泳w管的寄生電容的變化來(lái)抑制各像素的亮度變化。
[0011]鑒于上述目的，下面的說(shuō)明涉及一種像素電路，該像素電路包括:第一晶體管，其具有導(dǎo)致寄生電容的第一偏差；以及補(bǔ)償元件，其具有導(dǎo)致補(bǔ)償電容的第二偏差，所述補(bǔ)償電容用于補(bǔ)償所述寄生電容。
[0012]本發(fā)明還涉及一種顯示裝置，其包括上述像素電路。
[0013]本發(fā)明還涉及一種電子設(shè)備，其包括上述顯示裝置。
[0014]此外，下面還可以涉及一種像素電路，該像素電路包括:第一晶體管；保持電容器；第一金屬部，其連接至所述保持電容器；以及第二金屬部。在該像素電路中，所述第一晶體管包括溝道部，所述溝道部連接至所述第一金屬部，所述第一金屬部包括第一邊緣和與所述第一邊緣相對(duì)的第二邊緣，所述第一邊緣被設(shè)置成與所述第一晶體管的柵極電極重疊，所述第二邊緣被設(shè)置成與所述第二金屬部重疊，并且所述第一晶體管的所述柵極電極與所述第二金屬部是相同材料。另外，所述第一晶體管的所述柵極電極可以布置于與所述第二金屬部同一層處。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施例，能夠抑制各像素的亮度變化。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是圖示了有機(jī)EL面板的構(gòu)造示例的圖；
[0017]圖2是圖示了一般像素的構(gòu)造的電路圖；
[0018]圖3是圖示了一般像素的布線圖案的布局的圖；
[0019]圖4A和圖4B是圖示了一般像素中因金屬層的偏差而引起的電容增大的圖；
[0020]圖5是圖示了本發(fā)明的像素的構(gòu)造的電路圖；
[0021]圖6是圖示了本發(fā)明的像素的布線圖案的布局的圖；
[0022]圖7A和圖7B是圖示了本發(fā)明的像素中因金屬層的偏差而進(jìn)行電容補(bǔ)償?shù)膱D；
[0023]圖8是圖示了本發(fā)明的像素的布置示例的圖；
[0024]圖9是圖示了本發(fā)明的像素的布線圖案的另一布局的圖；
[0025]圖10是圖示了本發(fā)明的像素的布線圖案的又一布局的圖；
[0026]圖11是圖示了薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示例的圖；
[0027]圖12是圖示了本發(fā)明適用的顯示模塊的構(gòu)造的圖；
[0028]圖13是圖示了本發(fā)明適用的電視接收機(jī)的外觀的立體圖；
[0029]圖14是圖示了本發(fā)明適用的數(shù)碼照相機(jī)的外觀的立體圖；
[0030]圖15是本發(fā)明適用的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的立體圖；
[0031]圖16是圖示了本發(fā)明適用的手機(jī)的外觀的立體圖；以及
[0032]圖17是圖示了本發(fā)明適用的數(shù)碼攝像機(jī)的外觀的立體圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033]以下，將參照附圖來(lái)說(shuō)明實(shí)施例。
[0034]有機(jī)EL面板的構(gòu)造
[0035]圖1是圖示了有機(jī)EL面板的構(gòu)造示例的圖。然而，圖1的有機(jī)EL面板10示出了用作本發(fā)明適用的顯示裝置的主要部分的面板的構(gòu)造。
[0036]圖1的有機(jī)EL面板10包括像素陣列部11和用于驅(qū)動(dòng)該像素陣列部的驅(qū)動(dòng)單元，在像素陣列部11中，MXN (M=I, 2, -,Π1；Ν=1,2,…，η)個(gè)像素(像素電路)21以矩陣布置著。所述驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置有水平選擇器12、寫(xiě)掃描器13和電源掃描器14。
[0037]此外，有機(jī)EL面板10包括M個(gè)掃描線WSL、M個(gè)電源線DSL和N個(gè)圖像信號(hào)線DTL。各像素21分別設(shè)置于行狀掃描線WSL和列狀圖像信號(hào)線DTL彼此相交叉的部分中。各像素還通過(guò)掃描線WSL而連接至寫(xiě)掃描器13，通過(guò)電源線DSL而連接至電源掃描器14，并且通過(guò)圖像信號(hào)線DTL而連接至水平選擇器12。
[0038]寫(xiě)掃描器13可以在水平周期(IH)內(nèi)向掃描線WSL順序地提供控制信號(hào)，從而以行為單位線序地(line-sequentially)掃描像素21。電源掃描器14可以按照該線序掃描向行狀電源線DSL提供電源電壓。水平選擇器12可以按照該線序掃描向列狀圖像信號(hào)線DTL提供參考電位和充當(dāng)圖像信號(hào)的信號(hào)電位。
[0039]由源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)器集成電路(integrated circuit, IC)可以被添加到如圖1所示構(gòu)造而成的有機(jī)EL面板10中，從而構(gòu)造出面板模塊。此外，可以通過(guò)將電源電路、圖像大規(guī)模集成電路(large scale integrat1n, LSI)等添加到該面板模塊中，來(lái)形成顯示裝置。
[0040]另外，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，圖1只圖示了布置于像素陣列部11中的MXN個(gè)像素21之中的2X3個(gè)像素21。
[0041]像素的構(gòu)造
[0042]接下來(lái)，將對(duì)以矩陣布置于圖1所示的有機(jī)EL面板10的像素陣列部11中的像素21進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。然而，在此，為了便于理解本發(fā)明和闡明本發(fā)明的背景，將參照?qǐng)D2至圖4B來(lái)說(shuō)明一般像素的構(gòu)造。
[0043]一般像素的構(gòu)造
[0044]圖2的像素21包括采樣晶體管31、驅(qū)動(dòng)晶體管32、保持電容器33和發(fā)光元件34。在采樣晶體管31中，柵極g連接至掃描線WSL，漏極d連接至圖像信號(hào)線DTL，且源極s連接至驅(qū)動(dòng)晶體管32的柵極g。
[0045]驅(qū)動(dòng)晶體管32的源極s和漏極d中的一者連接至發(fā)光元件34的陽(yáng)極，而另一者連接至電源線DSL。保持電容器33連接至驅(qū)動(dòng)晶體管32的柵極g和發(fā)光元件34的陽(yáng)極。此外，發(fā)光元件34的陰極接地。
[0046]在圖2中，當(dāng)響應(yīng)于從掃描線WSL提供過(guò)來(lái)的控制信號(hào)而使采樣晶體管31導(dǎo)通時(shí)，保持電容器33累積并且保持通過(guò)圖像信號(hào)線DTL從水平選擇器12提供的電荷。驅(qū)動(dòng)晶體管32接收來(lái)自電源線DSL的電流，然后響應(yīng)于保持在保持電容器33中的信號(hào)電位而向發(fā)光元件34施加驅(qū)動(dòng)電流。預(yù)定的驅(qū)動(dòng)電流流向發(fā)光元件34，且因此像素21發(fā)光。
[0047]一般像素的布線圖案的布局
[0048]圖3是圖示了圖2的像素21的布線圖案的布局的圖。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，將給出采樣晶體管31的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
[0049]如圖3所示，圖像信號(hào)線DTL由第一金屬層形成，且掃描線WSL和電源線DSL由第二金屬層形成。
[0050]采樣晶體管31可以相當(dāng)于在該圖中的虛線內(nèi)的第一金屬層、第二金屬層和溝道層的部分，并且可以被形成為薄膜晶體管。在采樣晶體管31中，其柵極g可以由第一金屬層形成，并且可以通過(guò)接觸部而連接至掃描線WSL。
[0051]此外，在采樣晶體管31中，源極s和漏極d可以由第二金屬層形成。源極s可以連接至驅(qū)動(dòng)晶體管32的柵極g和保持電容器33。此外，漏極d通過(guò)接觸部而連接至圖像信號(hào)線DTL。
[0052]雖然在圖3中未特別示出，但是驅(qū)動(dòng)晶體管32可以被設(shè)置為薄膜晶體管，該薄膜晶體管被形成為包括第一金屬層、第二金屬層和溝道層。此外，保持電容器33可以被設(shè)置為電容器，該電容器被形成為包括導(dǎo)體和絕緣體，該導(dǎo)體由第一金屬層和第二金屬層構(gòu)成，該絕緣體被設(shè)置于第一金屬層與第二金屬層之間。
[0053]此外，當(dāng)在制造工藝中在第一金屬層與第二金屬層之間出現(xiàn)了線寬的誤差(例如，圖案化誤差和/或制造誤差)時(shí)，采樣晶體管31的寄生電容增大。例如，在形成第一金屬層和第二金屬層的過(guò)程中，例如當(dāng)形成作為采樣晶體管31的柵極g的第一金屬層和形成作為采樣晶體管31的源極s的第二金屬層時(shí)，采樣晶體管31的寄生電容可能會(huì)由于圖案化誤差而變化。
[0054]換句話說(shuō)，作為采樣晶體管31的柵極g的第一金屬層的線寬變化和/或作為采樣晶體管31的源極s的第二金屬層的線寬變化可能會(huì)引起采樣晶體管31的寄生電容的變化。
[0055]圖4A和圖4B是圖3的采樣晶體管31周邊的放大圖。如圖4A所示，當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層之間不出現(xiàn)誤差(例如，圖案化誤差和/或制造誤差)且因而這些金屬層中未出現(xiàn)偏差時(shí)，采樣晶體管31的寄生電容不改變。
[0056]另一方面，如圖4B所示，在采樣晶體管31中，當(dāng)?shù)谝唤饘賹雍偷诙饘賹影ㄈ鐖D4B中的虛線所示的偏差時(shí)，采樣晶體管31的寄生電容因該偏差而增大。產(chǎn)生了寄生電容的部分是作為柵極g的第一金屬層和作為源極s的第二金屬層彼此重疊的部分，該部分如圖4B中的箭頭所示。
[0057]當(dāng)采樣晶體管31的寄生電容增大時(shí)，發(fā)生了驅(qū)動(dòng)晶體管32的柵極電位立即下降的現(xiàn)象。因此，當(dāng)下降量根據(jù)像素21而不同時(shí)，該變化會(huì)變?yōu)楦飨袼氐牧炼茸兓?，這可能會(huì)導(dǎo)致整個(gè)有機(jī)EL面板10的圖像質(zhì)量的劣化。然而，很難完全消除誤差(例如，圖案化誤差和/或制造誤差)。
[0058]因此，提出了當(dāng)出現(xiàn)金屬層的偏差時(shí)用于抑制采樣晶體管31的寄生電容增大的像素構(gòu)造。
[0059]像素的構(gòu)造
[0060]首先，將參照?qǐng)D5 (需要注意的是，可以利用之前所說(shuō)明的元件來(lái)表示隨后各圖中的相同或相似的元件)來(lái)說(shuō)明像素的構(gòu)造。
[0061]圖5的像素21不同于圖2的像素21之處在于采樣晶體管31的柵極g與源極s之間設(shè)置有補(bǔ)償電容器35。在圖5中，補(bǔ)償電容器35被構(gòu)造成具有與晶體管相似的結(jié)構(gòu)的元件。
[0062]S卩，在圖5的像素21中，補(bǔ)償電容器35可以與采樣晶體管31的寄生電容具有補(bǔ)償關(guān)系。因此，當(dāng)采樣晶體管31的寄生電容因出現(xiàn)在第一金屬層和第二金屬層中的偏差而增大時(shí)，補(bǔ)償電容器35的電容減小該寄生電容的增大量。
[0063]因此，當(dāng)采樣晶體管31的寄生電容增大時(shí)，補(bǔ)償電容器35的電容減小該寄生電容的增大量，即，抑制了總電容的改變。結(jié)果，抑制了采樣晶體管31的寄生電容的變化。
[0064]可替代的是，當(dāng)采樣晶體管31的寄生電容減小時(shí)，補(bǔ)償電容器35的電容增大該寄生電容的減小量，即，也抑制了總電容的改變。結(jié)果，也抑制了采樣晶體管31的寄生電容的變化。
[0065]像素的布線圖案的布局
[0066]圖6是圖示了圖5的像素21的布線圖案的布局的圖。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，給出采樣晶體管31和補(bǔ)償電容器35的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
[0067]如圖6所示，補(bǔ)償電容器35可以相當(dāng)于在該圖中的虛線內(nèi)的第一金屬層、第二金屬層和溝道層的部分。在補(bǔ)償電容器35中，與采樣晶體管31的源極s連接的部分可以按與采樣晶體管31的源極s相同的方式由第二金屬層形成。此外，在補(bǔ)償電容器35中，通過(guò)接觸部而連接至掃描線WSL的部分可以按與采樣晶體管31的柵極g相同的方式由第一金屬層形成。
[0068]以這種方式,補(bǔ)償電容器35按與米樣晶體管31相同的方式由第一金屬層和第二金屬層形成。于是，當(dāng)?shù)谝唤饘賹雍偷诙饘賹又谐霈F(xiàn)偏差時(shí)，就可以通過(guò)補(bǔ)償電容器35而將電容減小在采樣晶體管31的第一金屬層和第二金屬層彼此重疊的部分中所發(fā)生的寄生電容的增大量。
[0069]圖7A和圖7B是圖6的采樣晶體管31和補(bǔ)償電容器35周邊的放大圖。
[0070]如圖7A所示，當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層之間不出現(xiàn)誤差(例如，圖案化誤差和/或制造誤差)(且因而這些金屬層中沒(méi)有偏差)時(shí)，采樣晶體管31的寄生電容不改變。
[0071]另一方面，如圖7B所不,在米樣晶體管31中，當(dāng)?shù)谝唤饘賹雍偷诙饘賹悠x了如圖7B中的虛線所示的不含誤差的狀態(tài)時(shí)，寄生電容因該偏離而增大。在這種情況下，補(bǔ)償電容器35具有與采樣晶體管31的寄生電容的補(bǔ)償關(guān)系。補(bǔ)償關(guān)系可以是補(bǔ)償電容器35的電容根據(jù)寄生電容的增大而減小，或者可以是補(bǔ)償電容器35的電容根據(jù)寄生電容的減小而增大。因此，采樣晶體管31的寄生電容的任意變化都會(huì)通過(guò)補(bǔ)償電容器35的電容而得到補(bǔ)償。
[0072]以這種方式，可以抑制總電容的改變。而且，由于抑制了電容的改變，所以也抑制了采樣晶體管31的寄生電容的變化。結(jié)果，可以抑制各像素的亮度變化。
[0073]像素的布置示例
[0074]圖8是圖示了應(yīng)用了本發(fā)明的像素的布置示例的圖。
[0075]圖8圖示了在有機(jī)EL面板10的像素陣列部11中以矩陣布置的MXN個(gè)像素21之中的在行方向和列方向上彼此相鄰的四個(gè)像素21。此外，在這四個(gè)像素21之中，在列方向上彼此相鄰的像素21具有以電源線DSL上的對(duì)稱(chēng)點(diǎn)為中心的點(diǎn)對(duì)稱(chēng)關(guān)系。
[0076]此處，將考慮因制造誤差而在第一金屬層和第二金屬層中出現(xiàn)偏差的情況。為了比較，當(dāng)考慮未設(shè)置有補(bǔ)償電容器35的像素21 (圖2)以與圖8相同的方式布置著的情況時(shí)，寄生電容的改變方向在上側(cè)的兩個(gè)像素21和下側(cè)的兩個(gè)像素21中有所不同，因此亮度根據(jù)像素的布置而改變。另一方面，如圖8所示，在設(shè)置有補(bǔ)償電容器35的像素21 (圖5)中，由于通過(guò)補(bǔ)償電容器35抑制了采樣晶體管31的寄生電容的變化的影響，所以各像素的亮度變化被抑制。因此，能夠防止亮度根據(jù)像素的布置而改變。
[0077]在圖8中，雖然已經(jīng)說(shuō)明了在列方向上彼此相鄰的像素的布線圖案被布置成彼此點(diǎn)對(duì)稱(chēng)的情況的示例，但是像素的布置不限于此。MXN個(gè)像素可以被設(shè)置成與其他相鄰像素在行方向和列方向中的至少一個(gè)方向上點(diǎn)對(duì)稱(chēng)。
[0078]晶體管被設(shè)置作為補(bǔ)償電容器的情況
[0079]在上述說(shuō)明中，已經(jīng)說(shuō)明了具有與晶體管相似的結(jié)構(gòu)(由金屬層、溝道層等形成的結(jié)構(gòu))的元件被設(shè)置作為補(bǔ)償電容器35的情況，但是也可以設(shè)置晶體管來(lái)代替該元件。
[0080]圖9是圖示了在晶體管35A被設(shè)置作為補(bǔ)償電容器35的情況下的像素的布線圖案的布局的圖。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，給出晶體管35A的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
[0081]如圖9所示，晶體管35A可以相當(dāng)于在該圖中的虛線內(nèi)的第一金屬層、第二金屬層和溝道層的部分，并且可以被形成為薄膜晶體管。在晶體管35A中，其柵極g可以由第一金屬層形成，并且可以通過(guò)接觸部而連接至掃描線WSL。
[0082]此外，在晶體管35A中，源極s和漏極d可以由第二金屬層形成。源極s連接至采樣晶體管31的源極S。此外，漏極d通過(guò)接觸部而連接至圖像信號(hào)線DTL。
[0083]S卩，在晶體管35A中，與采樣晶體管31的源極s連接的部分可以按與采樣晶體管31的源極s相同的方式由第二金屬層形成。此外，在晶體管35A中，通過(guò)接觸部而連接至掃描線WSL的部分可以按與采樣晶體管31的柵極g相同的方式由第一金屬層形成。
[0084]以這種方式，晶體管35A可以按與米樣晶體管31相同的方式由第一金屬層和第二金屬層形成。因此，當(dāng)在這些金屬層中出現(xiàn)偏差時(shí)，能夠?qū)㈦娙轀p小采樣晶體管31的寄生電容的增大量。
[0085]在關(guān)于圖9的說(shuō)明中，為了方便說(shuō)明，采樣晶體管31被用作用于采樣的晶體管，且晶體管35A被用作補(bǔ)償電容器35。然而，由于這些晶體管具有相同的構(gòu)造，所以也可以使用晶體管35A作為用于采樣的晶體管，且使用采樣晶體管31作為補(bǔ)償電容器35。
[0086]電容器被設(shè)置作為補(bǔ)償電容器的情況
[0087]此外，還可以將電容器設(shè)置作為補(bǔ)償電容器35。
[0088]圖10是圖示了在電容器35B被設(shè)置作為補(bǔ)償電容器35的情況下的像素的布線圖案的布局的圖。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，給出電容器35B的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
[0089]如圖10所示，電容器35B可以相當(dāng)于第一金屬層的部分和第二金屬層的部分(這兩者在該圖的虛線內(nèi)彼此面對(duì))，并且可以由這些金屬層的導(dǎo)體和設(shè)置于這些導(dǎo)體之間的絕緣體形成。在電容器35B中，與采樣晶體管31的源極s連接的部分可以按與采樣晶體管31的源極s相同的方式由第二金屬層形成。此外，在電容器35B中，通過(guò)接觸部而連接至掃描線WSL的部分可以按與采樣晶體管31的柵極g相同的方式由第一金屬層形成。
[0090]以這種方式，電容器35B可以按與米樣晶體管31相同的方式由第一金屬層和第二金屬層形成。因此，當(dāng)在金屬層中出現(xiàn)偏差時(shí)，能夠?qū)㈦娙轀p小采樣晶體管31的寄生電容的增大量。
[0091]此外，雖然已經(jīng)說(shuō)明了元件(圖5至圖8)、晶體管(圖9)和電容器(圖10)，但是這些元件僅僅是示例，且也可以使用其他元件，只要這些其他元件是以與采樣晶體管31相同的方式由第一金屬層和第二金屬層形成。
[0092]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，設(shè)置了與采樣晶體管31的寄生電容具有補(bǔ)償關(guān)系的補(bǔ)償電容器35。因此，即使采樣晶體管31的寄生電容由于出現(xiàn)在第一金屬層和第二金屬層中的偏差而增大，但是補(bǔ)償電容器35的電容減小該寄生電容的增大量。因此，能抑制總電容的改變。
[0093]此外，采樣晶體管31的寄生電容的變化由于被穩(wěn)定化的電容而消失。因此，能夠抑制各像素的亮度變化。
[0094]此外，由于補(bǔ)償電容器35被用于補(bǔ)償采樣晶體管31的寄生電容，所以能夠布置具有小的電路面積且不影響驅(qū)動(dòng)晶體管32的柵極電位的補(bǔ)償電容器35。因此，可以抑制各像素的亮度變化，并且可以抑制電路面積的增加。
[0095]此外，從這個(gè)觀點(diǎn)來(lái)看，在被設(shè)置作為上述補(bǔ)償電容器35的上述各元件之中，具有與晶體管相似的結(jié)構(gòu)的元件能被布置為具有最小的電路面積。
[0096]此外，由于補(bǔ)償電容器35包括與米樣晶體管31相同的金屬層(第一金屬層和第二金屬層)，所以補(bǔ)償電容器可以被形成于像素21內(nèi)。
[0097]薄膜晶體管的細(xì)節(jié)
[0098]接下來(lái),將詳細(xì)地說(shuō)明被構(gòu)造成薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)的采樣晶體管31和驅(qū)動(dòng)晶體管32。
[0099]薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)
[0100]圖11是圖示了薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示例的圖。
[0101]薄膜晶體管可以包括玻璃基板101、柵極電極102、柵極絕緣膜103、氧化物半導(dǎo)體膜104、蝕刻阻擋層105以及源極和漏極電極106，并且可以被形成為底柵型薄膜晶體管。此夕卜，在這里，可以形成有用于提高薄膜晶體管的可靠性的鈍化層107和用于使該裝置的頂部平坦化的平坦化層108。
[0102]柵極電極102層疊于玻璃基板101上。柵極電極102可以通過(guò)濺射方法來(lái)形成，在這里，可以使用諸如鑰、鎢、鋁或鈦等金屬布線。然而，也可以使用諸如ITO等導(dǎo)電氧化物膜。
[0103]柵極電極102根據(jù)要施加給薄膜晶體管的柵極電壓來(lái)控制氧化物半導(dǎo)體膜104內(nèi)的電子密度。柵極絕緣膜103可以形成于柵極電極102上。柵極絕緣膜103可以通過(guò)例如等離子體化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposit1n, CVD)方法來(lái)形成,并且可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、通過(guò)濺射而形成的氧化鋁等。
[0104]氧化物半導(dǎo)體膜104可以形成于柵極絕緣膜103上，并且可以被圖案化為島狀。作為該氧化物半導(dǎo)體，可以通過(guò)例如濺射方法由諸如銦、鎵、鋅、鋁或錫等元素來(lái)形成氧化物。
[0105]蝕刻阻擋層105可以形成于氧化物半導(dǎo)體膜104上。作為蝕刻阻擋層105，可以通過(guò)CVD方法或派射方法來(lái)形成氧化娃膜，或者可以通過(guò)原子層沉積(atomic layerdeposit1n, ALD)方法或派射方法來(lái)形成氧化招。
[0106]隨后，可以在將蝕刻阻擋層105圖案化之后或者在與蝕刻阻擋層105同時(shí)，柵極氧化物膜被蝕刻。其后，可以形成源極和漏極電極106。作為源極和漏極電極106，可以使用諸如鑰、鎢、鋁、鈦或ITO等導(dǎo)電氧化物膜。
[0107]鈍化層107的示例可以包括使用CVD方法的氧化硅膜或氧氮化硅膜、使用濺射方法的氧化硅膜或氮化硅膜、使用原子層沉積(ALD)方法的氧化鋁膜、使用CVD方法的氮化硅膜、使用ALD方法的氮化硅膜、使用濺射方法的氧化鋁膜等。
[0108]然后，為了使該裝置平坦化的目的，可以形成有平坦化層108。平坦化層108可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法或狹縫涂布法涂敷諸如丙烯酸、聚酰亞胺或酚醛樹(shù)脂等有機(jī)材料然后通過(guò)烘烤該有機(jī)材料而形成。而且，可以在溝道的形成、源極和漏極電極106的形成、鈍化層107的形成和平坦化層108的形成之中的任意一個(gè)或多個(gè)之后，通過(guò)使用氧氛圍下的退火、一氧化二氮等離子體、氧等離子體等，向溝道層提供氧，從而降低溝道層中的氧缺陷。
[0109]薄膜晶體管的制造方法
[0110]然后，將說(shuō)明薄膜晶體管的制造方法。
[0111]首先，可以通過(guò)濺射方法在玻璃基板101的整個(gè)表面上形成ISOnm的鑰，然后可以在該薄膜上進(jìn)行光刻和蝕刻，從而形成柵極電極102。
[0112]隨后，通過(guò)CVD方法在玻璃基板101和柵極電極102的整個(gè)表面上形成300nm的氧化硅膜而構(gòu)造成柵極絕緣膜103。其后，作為氧化物半導(dǎo)體膜104，可以通過(guò)濺射方法形成50nm的銦鎵鋅氧化物,然后可以在該銦鎵鋅氧化物上進(jìn)行光刻和蝕刻,從而形成氧化物半導(dǎo)體膜104。
[0113]其后，可以通過(guò)CVD方法在氧化物半導(dǎo)體膜104上可以形成200nm的氧化硅膜作為蝕刻阻擋層105。然而，在形成該膜之前，例如，可以引入諸如一氧化二氮等離子體或氧等離子體等向氧化物半導(dǎo)體膜104提供氧的處理。
[0114]隨后，可以在這一薄膜上進(jìn)行光刻和蝕刻，且因此可以在溝道區(qū)域上以島狀形成蝕刻阻擋層105。接著，可以通過(guò)進(jìn)行光刻和蝕刻以島狀形成柵極氧化物膜。之后，可以通過(guò)濺射方法在溝道保護(hù)膜或氧化物半導(dǎo)體膜104上形成由50nm的鈦、200nm的鋁和50nm的鈦構(gòu)成的層疊膜，然后可以在該薄膜上進(jìn)行光刻和蝕刻，從而形成源極和漏極電極106。
[0115]其后，可以通過(guò)濺射方法形成氧化鋁，然后在該薄膜上進(jìn)行光刻和蝕刻，從而形成鈍化層107。此外，為了向氧化物半導(dǎo)體膜104的溝道區(qū)域提供氧的目的，可以在氧:氮=40:60和300°C的氛圍下進(jìn)行兩小時(shí)的處理。隨后，可以使用旋轉(zhuǎn)涂布法涂敷具有2μηι厚度的聚酰亞胺膜，然后可以烘烤，從而形成平坦化層108。以這種方式，可以制造出薄膜晶體管。
[0116]如上所述，已經(jīng)詳細(xì)地說(shuō)明了薄膜晶體管。
[0117]本發(fā)明的應(yīng)用示例
[0118]可以通過(guò)使用有機(jī)EL面板10作為主體部分而構(gòu)造出的并且可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置包括具有如圖12所示的平面型模塊形狀的裝置。這種類(lèi)型的顯示模塊可以通過(guò)設(shè)置像素陣列部、然后通過(guò)在像素陣列部四周放置粘合劑、且隨后通過(guò)粘附諸如玻璃等對(duì)向基板而被制造出來(lái)，在該像素陣列部中，由薄膜晶體管、電容器、發(fā)光元件等構(gòu)成的像素在例如絕緣基板上以矩陣布置著。
[0119]彩色濾光片、保護(hù)膜、遮光膜等可以設(shè)置于透明的對(duì)向基板中。此外，顯示模塊可以設(shè)置有例如柔性印制電路(flexible printed circuit, FPC)作為用于把來(lái)自外部的信號(hào)等輸入和輸出至像素陣列部的連接器。
[0120]此外，上述顯示裝置可以具有平面型面板形狀，并且可以被應(yīng)用于各種電子設(shè)備。例如，該顯示裝置可以被應(yīng)用于諸如電視接收機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、智能電話、數(shù)碼攝像機(jī)、平板型電腦等電子設(shè)備。換句話說(shuō)，該顯示裝置可以被應(yīng)用于如下所有類(lèi)型的電子設(shè)備的顯示器:這些類(lèi)型的電子設(shè)備把輸入至該電子設(shè)備或者在該電子設(shè)備內(nèi)生成的驅(qū)動(dòng)信號(hào)顯示為圖片或圖像。
[0121]以下，將舉例說(shuō)明應(yīng)用了這樣的顯示裝置的電子設(shè)備。該電子設(shè)備包括主體和顯示單元，該主體用于處理信息，該顯示單元用于顯示要被輸入至主體的信息或者要從主體輸出的信息。
[0122]圖13是圖示了應(yīng)用了本發(fā)明的電視接收機(jī)的外觀的立體圖。該電視接收機(jī)是通過(guò)使用應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置作為顯示單元201而被制造出來(lái)的，顯示單元201由前面板、濾光玻璃(filter glass)等構(gòu)成。
[0123]圖14是圖示了應(yīng)用了本發(fā)明的數(shù)碼照相機(jī)的外觀的立體圖。然而，圖14的上側(cè)和下側(cè)分別示出了正視圖和后視圖。該數(shù)碼照相機(jī)是通過(guò)使用應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置作為顯示單元211而被制造出來(lái)的，顯示單元211用于顯示所攝取的圖像、菜單屏幕等。同時(shí)，當(dāng)該數(shù)碼照相機(jī)具有電子取景器時(shí)，在該電子取景器中也能夠使用應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置。
[0124]圖15是圖示了應(yīng)用了本發(fā)明的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的立體圖。該筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)是通過(guò)使用應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置作為顯示單元221而被制造出來(lái)的，顯示單元221用于顯示圖片或圖像。
[0125]圖16是圖示了應(yīng)用了本發(fā)明的手機(jī)的外觀的立體圖。該手機(jī)是折疊式手機(jī)，并且圖16的左側(cè)和右側(cè)分別示出了該手機(jī)的打開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)。該手機(jī)是通過(guò)使用應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置作為主顯示單元231和輔顯示單元232而被制造出來(lái)的，主顯示單元231能夠在打開(kāi)狀態(tài)下觀看，輔顯示單元232能夠在閉合狀態(tài)下觀看。
[0126]圖17是圖示了應(yīng)用了本發(fā)明的數(shù)碼攝像機(jī)的外觀的立體圖。該數(shù)碼攝像機(jī)是通過(guò)使用應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置作為顯示單元241而被制造出來(lái)的，顯示單元241用于顯示圖像、菜單屏幕等。
[0127]如上所述，已經(jīng)說(shuō)明了本發(fā)明的應(yīng)用示例。
[0128]另外，像素21的上述像素電路是示例。即，只要像素電路包括兩個(gè)晶體管(采樣晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管)、保持電容器和發(fā)光元件，那么就可以應(yīng)用本發(fā)明(即使在采用了任意的其他像素電路的情況下)。例如，可以通過(guò)在日本未經(jīng)審查的專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案N0.2005-31630 (圖1)中所揭示的像素電路中設(shè)置補(bǔ)償電容器來(lái)補(bǔ)償各晶體管的寄生電容的變化。
[0129]此外，在上面的說(shuō)明中，作為薄膜晶體管，已經(jīng)說(shuō)明了其中柵極電極被設(shè)置于基板側(cè)而不是半導(dǎo)體膜被設(shè)置于基板側(cè)的底柵型薄膜晶體管，但是還可以采用其中半導(dǎo)體膜被設(shè)置于基板側(cè)而不是柵極電極被設(shè)置于基板側(cè)的頂柵型薄膜晶體管。
[0130]此外，本發(fā)明的實(shí)施例不限于上述實(shí)施例，并且在不背離本發(fā)明的范圍內(nèi)能做出各種修改。
[0131]需要注意的是，本發(fā)明還可以采用下面的技術(shù)方案。
[0132](I) 一種像素電路，其包括:
[0133]第一晶體管，所述第一晶體管具有導(dǎo)致寄生電容的第一偏差；以及
[0134]補(bǔ)償元件，所述補(bǔ)償元件具有導(dǎo)致補(bǔ)償電容的第二偏差，所述補(bǔ)償電容補(bǔ)償所述寄生電容。
[0135](2)如(I)所述的像素電路，其中所述補(bǔ)償電容根據(jù)所述第一偏差與所述第二偏差之間的補(bǔ)償關(guān)系來(lái)補(bǔ)償所述寄生電容。
[0136](3)如(I)所述的像素電路，其中所述第二偏差與所述第一偏差成比例。
[0137](4)如(I)所述的像素電路，其中所述第一偏差基于所述第一晶體管的柵極與源極之間的第一重疊。
[0138](5)如(I)所述的像素電路，其中所述第二偏差基于與所述第一重疊成比例的第二重疊。
[0139](6)如(I)所述的像素電路，其中所述第二偏差引起所述補(bǔ)償元件的電容的減小，以抵消因所述第一偏差而引起的所述寄生電容的增大。
[0140](7)如(I)所述的像素電路，其中所述第二偏差引起所述補(bǔ)償元件的電容的增大，以抵消因所述第一偏差而引起的所述寄生電容的減小。
[0141](8)如(I)所述的像素電路，其中所述補(bǔ)償元件是第二晶體管。
[0142](9)如(8)所述的像素電路，其中
[0143]所述第一晶體管的源極連接至所述第二晶體管的源極，
[0144]所述第一晶體管的柵極和所述第二晶體管的柵極連接至信號(hào)線，并且
[0145]所述第一晶體管的漏極和所述第二晶體管的漏極連接至圖像線。
[0146](10)如(I)所述的像素電路，其中所述補(bǔ)償元件是電容器。
[0147](11)如(10)所述的像素電路，其中所述電容器的一部分連接至所述第一晶體管的源極。
[0148](12)如(I)所述的像素電路，其中
[0149]所述第一晶體管的柵極是第一金屬層，
[0150]所述第一晶體管的源極是第二金屬層，并且
[0151 ]所述第一偏差是所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的重疊。
[0152]( 13)如(I)所述的像素電路，其還包括驅(qū)動(dòng)晶體管，并且
[0153]其中所述第一晶體管的柵極連接至信號(hào)線，且所述第一晶體管的源極連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。
[0154](14)如(I)所述的像素電路，其中所述第一晶體管和所述補(bǔ)償元件沿第一方向布置著。
[0155](15)在(I)中述及的像素電路是多個(gè)像素電路中的一個(gè)像素電路。
[0156](16)對(duì)于在(15)中述及的多個(gè)像素電路，其中所述一個(gè)像素電路與所述多個(gè)像素電路中的另一個(gè)像素電路具有點(diǎn)對(duì)稱(chēng)關(guān)系。
[0157](17)對(duì)于在(16)中述及的多個(gè)像素電路，其中所述點(diǎn)對(duì)稱(chēng)關(guān)系是所述一個(gè)像素電路與所述另一個(gè)像素電路以電源線上的點(diǎn)為中心呈鏡像對(duì)稱(chēng)。
[0158](18) 一種顯示裝置，其包括如(I)所述的像素電路。
[0159](19) 一種電子設(shè)備，其包括如(18)所述的顯示裝置。
[0160](20) 一種像素電路，其包括:
[0161]第一晶體管；
[0162]保持電容器；
[0163]第一金屬部，所述第一金屬部連接至所述保持電容器；以及
[0164]第二金屬部，
[0165]其中所述第一晶體管包括溝道部，所述溝道部連接至所述第一金屬部，
[0166]所述第一金屬部包括第一邊緣和與所述第一邊緣相對(duì)的第二邊緣，
[0167]所述第一邊緣被設(shè)置成與所述第一晶體管的柵極電極重疊，
[0168]所述第二邊緣被設(shè)置成與所述第二金屬部重疊，并且
[0169]所述第一晶體管的所述柵極電極和所述第二金屬部是相同材料。
[0170](21)如(20)所述的像素電路，所述第一晶體管的所述柵極電極布置于與所述第二金屬部同一層處。
[0171]此外，應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明還可以采用下面的技術(shù)方案。
[0172][I] 一種顯示裝置，其包括像素電路，其中所述像素電路包括:
[0173]發(fā)光元件，其響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光；
[0174]第一晶體管，其對(duì)圖像信號(hào)進(jìn)行采樣；
[0175]保持電容器，其根據(jù)通過(guò)所述第一晶體管進(jìn)行的所述采樣而保持預(yù)定電位；
[0176]第二晶體管，其響應(yīng)于保持在所述保持電容器中的所述預(yù)定電位而將所述驅(qū)動(dòng)電流提供給所述發(fā)光元件；以及
[0177]補(bǔ)償電容器，其補(bǔ)償所述電路內(nèi)發(fā)生的寄生電容的變化。
[0178][2]如[I]所述的顯示裝置，
[0179]其中所述第一晶體管是薄膜晶體管，并且
[0180]其中所述補(bǔ)償電容器被形成為包括用于形成所述薄膜晶體管的第一金屬層和第二金屬層，并且當(dāng)所述薄膜晶體管的所述寄生電容由于所述第一金屬層和所述第二金屬層的偏差而增大時(shí)，將電容減小所述薄膜晶體管的所述寄生電容的增大量。
[0181][3]如[2]所述的顯示裝置，其中所述補(bǔ)償電容器被設(shè)置成薄膜晶體管，該薄膜晶體管被形成為包括所述第一金屬層和所述第二金屬層。
[0182][4]如[2]所述的顯示裝置，其中所述補(bǔ)償電容器被設(shè)置成電容器，該電容器被形成為包括所述第一金屬層和所述第二金屬層。
[0183][5]如[I]至[4]中的任一者所述的顯示裝置，其中，
[0184]在里面布置有行狀掃描線和電源線以及列狀圖像信號(hào)線的像素陣列部中，多個(gè)所述像素電路設(shè)置于所述掃描線和所述圖像信號(hào)線彼此相交叉的部分中，并且
[0185]所述像素陣列部中各所述像素電路被設(shè)置成與其他相鄰像素電路在行方向和列方向中的至少一個(gè)方向上點(diǎn)對(duì)稱(chēng)。
[0186][6] 一種電子設(shè)備，其安裝有顯示裝置，其中所述顯示裝置包括像素電路，并且所述像素電路包括:
[0187]發(fā)光元件，其響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光；
[0188]第一晶體管，其對(duì)圖像信號(hào)進(jìn)行采樣；
[0189]保持電容器，其根據(jù)通過(guò)所述第一晶體管進(jìn)行的所述采樣而保持預(yù)定電位；
[0190]第二晶體管，其響應(yīng)于保持在所述保持電容器中的所述預(yù)定電位而將所述驅(qū)動(dòng)電流提供給所述發(fā)光元件；以及
[0191]補(bǔ)償電容器，其補(bǔ)償所述電路內(nèi)發(fā)生的寄生電容的變化。
[0192]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明隨附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合以及改變。
[0193]相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0194]本申請(qǐng)要求2013年3月26日提交的日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)JP2013-063804的優(yōu)先權(quán),因此將該日本優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文中。
【權(quán)利要求】
1.一種像素電路，其包括: 第一晶體管，所述第一晶體管具有導(dǎo)致寄生電容的第一偏差；以及補(bǔ)償元件，所述補(bǔ)償元件具有導(dǎo)致補(bǔ)償電容的第二偏差，所述補(bǔ)償電容補(bǔ)償所述寄生電容。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中所述補(bǔ)償電容根據(jù)所述第一偏差與所述第二偏差之間的補(bǔ)償關(guān)系來(lái)補(bǔ)償所述寄生電容。
3.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中所述第二偏差與所述第一偏差成比例。
4.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中所述第一偏差基于所述第一晶體管的柵極與源極之間的第一重疊。
5.如權(quán)利要求4所述的像素電路，其中所述第二偏差基于與所述第一重疊成比例的第二重疊。
6.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中所述第二偏差引起所述補(bǔ)償元件的電容的減小，以抵消因所述第一偏差而引起的所述寄生電容的增大。
7.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中所述第二偏差引起所述補(bǔ)償元件的電容的增大，以抵消因所述第一偏差而引起的所述寄生電容的減小。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的像素電路，其中所述補(bǔ)償元件是第二晶體管。
9.如權(quán)利要求8所述的像素電路，其中 所述第一晶體管的源極連接至所述第二晶體管的源極， 所述第一晶體管的柵極和所述第二晶體管的柵極連接至信號(hào)線，并且 所述第一晶體管的漏極和所述第二晶體管的漏極連接至圖像線。
10.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的像素電路，其中所述補(bǔ)償元件是電容器。
11.如權(quán)利要求10所述的像素電路，其中所述電容器的一部分連接至所述第一晶體管的源極。
12.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的像素電路，其中 所述第一晶體管的柵極是第一金屬層， 所述第一晶體管的源極是第二金屬層，并且 所述第一偏差是所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的重疊。
13.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的像素電路，其還包括驅(qū)動(dòng)晶體管，并且 其中所述第一晶體管的柵極連接至信號(hào)線，且所述第一晶體管的源極連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。
14.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的像素電路，其中所述第一晶體管和所述補(bǔ)償元件沿第一方向布置著。
15.一種像素陣列部，其包括多個(gè)如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的像素電路。
16.如權(quán)利要求15所述的像素陣列部，其中所述多個(gè)像素電路中的一個(gè)像素電路與所述多個(gè)像素電路中的另一個(gè)像素電路具有點(diǎn)對(duì)稱(chēng)關(guān)系。
17.如權(quán)利要求16所述的像素陣列部，其中所述多個(gè)像素電路中的所述點(diǎn)對(duì)稱(chēng)關(guān)系是所述一個(gè)像素電路與所述另一個(gè)像素電路以電源線上的點(diǎn)為中心呈鏡像對(duì)稱(chēng)。
18.一種顯示裝置，其包括權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的像素電路。
19.一種電子設(shè)備，其包括權(quán)利要求18所述的顯示裝置。
20.—種像素電路，其包括: 第一晶體管； 保持電容器； 第一金屬部，所述第一金屬部連接至所述保持電容器；以及 第二金屬部， 其中所述第一晶體管包括溝道部，所述溝道部連接至所述第一金屬部， 所述第一金屬部包括第一邊緣和與所述第一邊緣相對(duì)的第二邊緣， 所述第一邊緣被設(shè)置成與所述第一晶體管的柵極電極重疊， 所述第二邊緣被設(shè)置成與所述第二金屬部重疊，并且 所述第一晶體管的所述柵極電極和所述第二金屬部是相同材料。
21.如權(quán)利要求20所述的像素電路，所述第一晶體管的所述柵極電極布置于與所述第二金屬部同一層 處。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104077998SQ201410062320
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年2月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月26日
【發(fā)明者】木下智豊 申請(qǐng)人:索尼公司