一種主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動(dòng)裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、發(fā)光元件、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置還包括復(fù)位晶體管和復(fù)位電壓源，復(fù)位晶體管的柵極與其源極相連并與復(fù)位電壓源相連，復(fù)位晶體管的漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連；其中，開關(guān)晶體管的溝道類型與驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相同，且與復(fù)位晶體管的溝道類型相反。本實(shí)用新型提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，增加了復(fù)位晶體管，在每幀圖像顯示前，先對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管復(fù)位，從而消除顯示過(guò)程中出現(xiàn)的殘影圖像，提高顯示質(zhì)量。
【專利說(shuō)明】一種主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動(dòng)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及平板顯示領(lǐng)域，更具體的說(shuō)是涉及一種主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素驅(qū)動(dòng)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光二極管顯示器)根據(jù)其驅(qū)動(dòng)方式分為主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)和被動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(PM0LED)。在平板顯示領(lǐng)域中，AMOLED以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、響應(yīng)速度快、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是繼LCD (液晶顯示器)之后的第三代顯示器。
[0003]AMOLED包括多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元，圖1為每個(gè)發(fā)光像素單元的像素驅(qū)動(dòng)裝置，該裝置為典型的2T1C電路結(jié)構(gòu)，包括:開關(guān)晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管T2、存儲(chǔ)電容Cs、提供掃描信號(hào)Vs_的掃描電壓源、提供數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的數(shù)據(jù)電壓源和提供電壓Vdd的供電電源。其中，開關(guān)晶體管Tl的柵極與所述掃描電壓源相連，其源極與所述數(shù)據(jù)電壓源相連，開關(guān)晶體管Tl的漏極與存儲(chǔ)電容Cs的一端相連，并與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極相連；存儲(chǔ)電容Cs的另一端與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極相連，并同時(shí)與所述提供電壓Vdd的供電電源相連；驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏極與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽(yáng)極相連，OLED的陰極接地。
[0004]以開關(guān)晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)晶體管T2為PMOS管為例，上述像素驅(qū)動(dòng)裝置的工作原理為:當(dāng)掃描電壓源提供低電平信號(hào)時(shí)，開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，數(shù)據(jù)電壓源提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata通過(guò)開關(guān)晶體管Tl源漏極之間的通道，對(duì)存儲(chǔ)電容Cs充電，同時(shí)，該電壓作用在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極上，使得驅(qū)動(dòng)晶體管T2工作在放大狀態(tài)(飽和狀態(tài))，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光；當(dāng)掃描電壓源提供高電平信號(hào)時(shí)，開關(guān)晶體管Tl處于截止?fàn)顟B(tài)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata也就不能傳到驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極；此時(shí)，存儲(chǔ)電容Cs兩端由于開關(guān)晶體管Tl的關(guān)斷而沒(méi)有了泄放電荷的通道，存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓理論上維持不變，使得驅(qū)動(dòng)晶體管T2仍處于放大狀態(tài)，繼續(xù)維持OLED的發(fā)光，直到下一幀數(shù)據(jù)信號(hào)的到來(lái)，如此循環(huán)。
[0005]但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)連續(xù)對(duì)像素驅(qū)動(dòng)電路輸入數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，像素驅(qū)動(dòng)電路混合顯示以前的灰階圖像及當(dāng)前的灰階圖像而無(wú)法達(dá)到理想的顯示狀態(tài)，即當(dāng)前圖像顯示時(shí)，上一幀圖像顯示的數(shù)據(jù)信號(hào)干擾當(dāng)前幀圖像顯示的數(shù)據(jù)信號(hào)，進(jìn)而造成顯示產(chǎn)品顯示的圖像失真。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的AMOLED在顯示圖像時(shí)，由于前一幅圖像的信號(hào)干擾當(dāng)前圖像信號(hào)，而使當(dāng)前圖像顯示時(shí)存在前一幅圖像的殘影而導(dǎo)致顯示圖像失真的問(wèn)題。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0008]一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，所述AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置包括:開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、發(fā)光元件、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置還包括復(fù)位晶體管和復(fù)位電壓源，所述復(fù)位晶體管的柵極與其源極相連并與復(fù)位電壓源相連，所述復(fù)位晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連；
[0009]其中，所述開關(guān)晶體管的溝道類型與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相同，且與所述復(fù)位晶體管的溝道類型相反。
[0010]優(yōu)選地，所述開關(guān)晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，所述復(fù)位晶體管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
[0011]優(yōu)選地，所述開關(guān)晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管為PMOS管，所述復(fù)位晶體管為NMOS管。
[0012]優(yōu)選地，在所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的復(fù)位期，所述復(fù)位電壓源提供的復(fù)位信號(hào)為聞電平?目號(hào)。
[0013]優(yōu)選地，所述開關(guān)晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，所述復(fù)位晶體管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
[0014]優(yōu)選地，所述開關(guān)晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管為NMOS管，所述復(fù)位晶體管為PMOS管。
[0015]優(yōu)選地，在所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的復(fù)位期，所述復(fù)位電壓源提供的復(fù)位信號(hào)為低電平信號(hào)。
[0016]優(yōu)選地，所述發(fā)光 元件為發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光二極管。
[0017]經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，除包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和存儲(chǔ)電容等2T1C電路中的各結(jié)構(gòu)外，還包括復(fù)位晶體管和復(fù)位電壓源，在每次刷新像素?cái)?shù)據(jù)時(shí)，所述復(fù)位電壓源提供的高低電平信號(hào)首先控制復(fù)位晶體管導(dǎo)通，使復(fù)位電壓源提供的電壓通過(guò)復(fù)位晶體管的源漏極之間的通道作用在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓復(fù)位，使驅(qū)動(dòng)晶體管預(yù)先回到截止工作點(diǎn)，從而使得每一幀像素的數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管只能從截止工作點(diǎn)開始驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，即無(wú)論上一幀圖像顯示的圖像亮度如何，都不會(huì)影響當(dāng)前幀圖像的顯示，進(jìn)而避免了上一幀圖像的殘影干擾當(dāng)前圖像顯示的效果，提高了產(chǎn)品的顯示質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置示意圖；
[0020]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中AMOLED發(fā)光像素單元顯示的前一幅圖像；
[0021]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中AMOLED發(fā)光像素單元顯示的帶有殘影的當(dāng)前圖像；
[0022]圖4為PMOS管的遲滯特性曲線圖；
[0023]圖5為本實(shí)用新型提供的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置示意圖；
[0024]圖6為圖5所示的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；[0025]圖7為本實(shí)用新型提供的另一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置不意圖；
[0026]圖8為圖7所示的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置在每次顯示圖像時(shí)，由于前一幅圖像的信號(hào)干擾當(dāng)前圖像的信號(hào)而導(dǎo)致當(dāng)前圖像存在前一幅圖像的殘影，當(dāng)前圖像顯示亮暗不均，進(jìn)而出現(xiàn)顯示失真的問(wèn)題。
[0028]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)上述現(xiàn)象的原因是，在發(fā)光像素單元的像素驅(qū)動(dòng)裝置中，驅(qū)動(dòng)晶體管具有遲滯特性，從而造成在顯示當(dāng)前圖像時(shí)，還存在前一幀圖像的殘影。
[0029]舉例來(lái)說(shuō)，如圖2所示，為前一幀數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)OLED顯示的棋盤圖像，所述棋盤由純黑和純白兩種顏色的方格組成，當(dāng)前幀圖像為圖3所示的同樣由純黑和純白兩種顏色的方格組成的棋盤，區(qū)別僅在于:原來(lái)是純黑色的地方應(yīng)該顯示純白色，而原來(lái)純白色的地方應(yīng)該顯示純黑色圖像。但是由于驅(qū)動(dòng)晶體管的遲滯特性，最終顯示出來(lái)的圖像如圖3所示亮度在純黑和純白之間的某一灰色的圖像。
[0030]以開關(guān)晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)晶體管T2為PMOS管為例，對(duì)出現(xiàn)上述現(xiàn)象的原理進(jìn)行詳細(xì)介紹，PMOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖4所示，柵源電壓Ves沿不同方向變化時(shí)，相應(yīng)的漏源電流Ids的變化曲線并不重合，而OLED亮度與漏源電流IDS成正比，漏源電流Ids不同，則亮度不同。當(dāng)后一幀數(shù)據(jù)信號(hào)輸入到像素驅(qū)動(dòng)裝置中時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)晶體管的遲滯特性，雖然加到每個(gè)發(fā)光像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管柵極的柵源電壓VesB相同，但原來(lái)圖像較亮的部分(如原來(lái)白色部分)，對(duì)應(yīng)像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管的漏源電流Ids會(huì)沿C — B' -A曲線段方向變化到電壓￥<^對(duì)應(yīng)的漏源電流Idsi ;原來(lái)圖像較暗的部分(如原來(lái)黑色部分)，對(duì)應(yīng)像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管的漏源電流Ids沿A — B — C曲線段方向變化到電壓VesB對(duì)應(yīng)的漏源電流IDS2。即當(dāng)前圖像中本該顯示純白色的地方，由于受前一幀圖像中純黑色顯示信號(hào)的干擾，顯示的不再是純白色，而是純白色和前一幀圖像黑色殘影的疊加，最終顯示的當(dāng)前圖像的亮度因受到前一幀圖像亮度的干擾`而變得亮暗不均，即當(dāng)前圖像存在前一幅圖像的殘影，從而導(dǎo)致當(dāng)前圖像顯示失真。
[0031 ] 基于此，本實(shí)用新型提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，所述AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置包括:開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、發(fā)光元件、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置還包括復(fù)位晶體管和復(fù)位電壓源，所述復(fù)位晶體管的柵極與其源極相連并與復(fù)位電壓源相連，所述復(fù)位晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連；
[0032]其中，所述開關(guān)晶體管的溝道類型與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相同，且與所述復(fù)位晶體管的溝道類型相反。
[0033]由上述的技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，包括復(fù)位晶體管和復(fù)位電壓源，通過(guò)復(fù)位電壓源的輸出電壓控制復(fù)位晶體管的導(dǎo)通和截止，在每次刷新像素?cái)?shù)據(jù)時(shí)，首先對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓進(jìn)行復(fù)位，使驅(qū)動(dòng)晶體管預(yù)先回到截止工作點(diǎn)，從而無(wú)論前一幅圖像的亮度如何，所有像素驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)晶體管只能從截止工作點(diǎn)開始驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，從而使得當(dāng)前圖像的顯示亮度不受前一幀圖像亮度的干擾，進(jìn)而避免了產(chǎn)品顯示過(guò)程中產(chǎn)生圖像亮度不均勻，出現(xiàn)殘影的現(xiàn)象。[0034]以上是本申請(qǐng)的核心思想，下面結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0035]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0036]其次，本實(shí)用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0037]下面通過(guò)幾個(gè)實(shí)施例具體描述。
[0038]實(shí)施例一
[0039]本實(shí)施例中公開了的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，如圖5所示，包括0LED、存儲(chǔ)電容Cs、驅(qū)動(dòng)晶體管T2、開關(guān)晶體管Tl、復(fù)位晶體管T3，還包括提供數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的數(shù)據(jù)電壓源、提供掃描信號(hào)Vscan的掃描電壓源、提供復(fù)位電壓的復(fù)位電壓源Reset和提供驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的供電電源。
[0040]其中，開關(guān)晶體管Tl的柵極連接提供掃描信號(hào)Vscan的掃描電壓源，開關(guān)晶體管Tl的源極連接提供數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的數(shù)據(jù)電壓源，開關(guān)晶體管Tl的漏極同時(shí)與存儲(chǔ)電容Cs的一端及復(fù)位晶體管T3的漏極相連，并與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極連接；復(fù)位晶體管T3的源極與復(fù)位晶體管T3的柵極相連，并與復(fù)位電壓源Reset相連；存儲(chǔ)電容Cs的另一端及驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極相連，并且連接提供驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的供電電源；驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏極連接OLED的陽(yáng)極，OLED的陰極直接接地。
[0041]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所述驅(qū)動(dòng)晶體管T2、開關(guān)晶體管Tl、復(fù)位晶體管T3均為場(chǎng)效應(yīng)管，優(yōu)選的為薄膜晶體管，更為優(yōu)選的，本實(shí)施例中所述驅(qū)動(dòng)晶體管T2與開關(guān)晶體管Tl均為PMOS管，即只有在柵極為低電平信號(hào)時(shí)，才能夠?qū)?；而?fù)位晶體管T3為NMOS管，只有在其柵極為高電平信號(hào)時(shí)，才能夠?qū)?。其中，所述OLED還可以用LED (發(fā)光二極管)替代，本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。
[0042]參見圖6,圖6給出了圖5所示的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。下面結(jié)合附圖對(duì)驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖和驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。如圖6所示，該AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的每個(gè)圖像幀周期分為B-C-D三個(gè)階段，其中B階段為AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的復(fù)位期，C階段為當(dāng)前數(shù)據(jù)信號(hào)輸入像素裝置的驅(qū)動(dòng)期，D階段為發(fā)光像素單元顯示維持期。需要說(shuō)明的是，圖中還包括A階段，所述A階段為上一個(gè)圖像幀周期的圖像顯示維持期，即在輸入新的圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)之前，維持上一個(gè)圖像的顯示。
[0043]下面結(jié)合圖5和圖6對(duì)所述像素驅(qū)動(dòng)裝置的工作原理進(jìn)行詳細(xì)闡述:在像素驅(qū)動(dòng)裝置工作狀態(tài)進(jìn)入B階段時(shí)，由于所述復(fù)位晶體管T3為NMOS管，且其柵極的電壓為復(fù)位電壓源Reset提供的高電平信號(hào)，此時(shí)復(fù)位晶體管T3導(dǎo)通，復(fù)位電壓源Reset提供的高電平信號(hào)通過(guò)復(fù)位晶體管T3的源漏極之間的通道作用在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極上；而掃描電壓源提供的掃描信號(hào)Vscan為高電平信號(hào)，作用在晶體管類型為PMOS管的開關(guān)晶體管Tl的柵極，開關(guān)晶體管Tl處于截止?fàn)顟B(tài)，因此，數(shù)據(jù)電壓源提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata無(wú)法通過(guò)開關(guān)晶體管Tl到達(dá)T2的柵極，即此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極為復(fù)位電壓源Reset提供的高電平信號(hào)，而由于驅(qū)動(dòng)晶體管T2為PMOS管，只有當(dāng)其柵極為低電平信號(hào)時(shí)才能夠?qū)?。因此，?qū)動(dòng)晶體管T2在B階段處于關(guān)斷狀態(tài)，且復(fù)位電壓源Reset提供的高電平信號(hào)作用在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極，使驅(qū)動(dòng)晶體管T2回到截止工作點(diǎn)(如圖4中的A點(diǎn))。
[0044]此后，進(jìn)入C階段時(shí)，由于復(fù)位電壓源Reset提供的信號(hào)為低電平信號(hào)，此時(shí)復(fù)位晶體管T3關(guān)斷，而掃描電壓源提供的掃描信號(hào)Vscan為低電平信號(hào)，其作用在開關(guān)晶體管Tl的柵極，從而使開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，數(shù)據(jù)電壓源提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata經(jīng)過(guò)開關(guān)晶體管Tl的源漏極之間的通道對(duì)存儲(chǔ)電容Cs充電；同時(shí)，該信號(hào)作用在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極上，驅(qū)動(dòng)晶體管T2為PMOS管，因此，該低電平信號(hào)使得驅(qū)動(dòng)晶體管T2工作在放大狀態(tài)(飽和狀態(tài))，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。
[0045]進(jìn)入D階段時(shí)，掃描電壓源提供的掃描信號(hào)Vs_為高電平信號(hào)，開關(guān)晶體管Tl關(guān)斷，數(shù)據(jù)電壓源提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata也就不能傳到驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極；但是，存儲(chǔ)電容Cs兩端由于開關(guān)晶體管Tl的關(guān)斷而沒(méi)有了泄放電荷的渠道，保持其兩端電壓不變，使得驅(qū)動(dòng)晶體管T2仍處于放大狀態(tài)(飽和狀態(tài))，繼續(xù)維持OLED的發(fā)光，直到下一幀數(shù)據(jù)信號(hào)到來(lái)。
[0046]現(xiàn)有技術(shù)中AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，無(wú)論顯示上一幀圖像還是顯示下一幀圖像，由于存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓理論上都維持不變，即整個(gè)幀周期中，驅(qū)動(dòng)晶體管T2 —直處于放大狀態(tài)，上一幀圖像顯示結(jié)束后，馬上切換到下一幀圖像的顯示，兩相鄰幀間沒(méi)有間隙。而如果該像素單元顯示的信號(hào)中沒(méi)有純黑信號(hào)，則驅(qū)動(dòng)晶體管T2 —直處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，這使得該像素單元的OLED —直處于發(fā)光狀態(tài)，由此導(dǎo)致整個(gè)AMOLED面板發(fā)熱，OLED材料壽命變短。
[0047]且實(shí)際上，所有晶體管的閾值電壓，由于工藝的限制都是范圍值，很難控制復(fù)位晶體管T3的閾值電壓比驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓更大或更小，從而保證復(fù)位晶體管T3導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2處于關(guān)斷狀態(tài)；而且不同時(shí)間制作的晶體管閾值電壓也不一樣，這次是-1V，下次制作出來(lái)也可能是-3V;另外，隨著晶體管使用時(shí)間的推移，晶體管的閾值電壓也會(huì)漂移，所以當(dāng)所述復(fù)位晶體管T3與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的溝道類型相同時(shí)，無(wú)法給予復(fù)位晶體管適合的復(fù)位電壓以保證驅(qū)動(dòng)晶體管T2充分復(fù)位。
[0048]而本實(shí)施例中提供的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置中，當(dāng)復(fù)位晶體管在導(dǎo)通情況下，復(fù)位電壓信號(hào)通過(guò)復(fù)位晶體管的源漏極通道作用在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，由于所述復(fù)位晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相反，所述驅(qū)動(dòng)晶體管必然處于關(guān)斷狀態(tài)，即所述驅(qū)動(dòng)晶體管T2在復(fù)位期間為關(guān)斷狀態(tài)，也即B階段的驅(qū)動(dòng)晶體管T2在截止工作點(diǎn)，其漏源電流Ids為零；OLED在復(fù)位期間是不發(fā)光的，也即兩個(gè)圖像幀周期之間存在與B階段時(shí)間長(zhǎng)短相當(dāng)?shù)目瞻灼凇?br> [0049]為了使該空白期的顯示不影響觀察者的觀察效果，所述B階段持續(xù)時(shí)間越短越好，而出于充分復(fù)位且節(jié)約部分OLED的發(fā)光功耗、減少AMOLED面板的發(fā)熱量、延長(zhǎng)OLED材料的使用壽命等方面考慮，所述B階段持續(xù)時(shí)間又越長(zhǎng)越好，因此，本實(shí)施例中所述B階段持續(xù)的時(shí)間優(yōu)選為發(fā)光像素單元的圖像幀周期的十分之一，從而既保證了復(fù)位的充分性，又能夠充分利用OLED發(fā)光材料的余暉效應(yīng)和人眼感光的視覺(jué)惰性，使得AMOLED顯示面板顯示圖像不影響觀察者的觀察效果。
[0050]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該會(huì)意識(shí)到，本實(shí)用新型所述的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖是人為定義的，考慮到圖像幀周期可以人為定義為不同的取值，所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的復(fù)位期(即B階段)、當(dāng)前數(shù)據(jù)信號(hào)輸入像素裝置的驅(qū)動(dòng)期(即C階段)、發(fā)光像素單元顯示維持期(即D階段)也可以人為定義為不同值，只要在發(fā)光像素單元的圖像幀周期內(nèi)，在輸出數(shù)據(jù)信號(hào)前，所述復(fù)位電壓源提供電平信號(hào)控制復(fù)位晶體管T3的開關(guān)時(shí)刻位于所述數(shù)據(jù)電壓源與所述掃描電壓源控制發(fā)光元件發(fā)光的時(shí)刻之前，即在每個(gè)幀周期的最前面，先使驅(qū)動(dòng)晶體管回到截止工作點(diǎn)即可。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，所述B階段持續(xù)的時(shí)間還可根據(jù)不同的顯示要求進(jìn)行設(shè)定，本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。
[0051]本實(shí)施例提供的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和復(fù)位晶體管，且所述開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相同，均為PMOS管，而所述復(fù)位晶體管的溝道類型與上述兩個(gè)晶體管的溝道類型相反，即為NMOS管，結(jié)合與該AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置相應(yīng)的時(shí)序圖，在不同階段控制開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和復(fù)位晶體管的關(guān)斷和導(dǎo)通，從而在每個(gè)像素發(fā)光單元顯示新的圖像之前對(duì)所述驅(qū)動(dòng)裝置中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓進(jìn)行復(fù)位，使得顯示當(dāng)前圖像時(shí)，前一幅圖像的亮度不再影響當(dāng)前圖像的亮度，進(jìn)而消除了顯示當(dāng)前圖像過(guò)程中存在前一幅圖像殘影的現(xiàn)象，提高了顯示產(chǎn)品的顯示質(zhì)量，使產(chǎn)品更具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
[0052]另外，由于本實(shí)施例中所述復(fù)位晶體管的溝道類型與驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相反，當(dāng)復(fù)位晶體管導(dǎo)通的時(shí)候，所述驅(qū)動(dòng)晶體管必然處于關(guān)斷狀態(tài)，從而在驅(qū)動(dòng)晶體管復(fù)位期間，OLED不發(fā)光，從而避免了復(fù)位期間出現(xiàn)顯示異常的情況，且能夠節(jié)約復(fù)位期間OLED的發(fā)光消耗，從而降低AMOLED顯示面板的發(fā)熱量，進(jìn)而能夠提高OLED中發(fā)光材料的使用壽命，提高顯示產(chǎn)品的使用壽命，同樣能夠提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
[0053]實(shí)施例二
[0054]本實(shí)施例中公開了的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一的驅(qū)動(dòng)裝置結(jié)構(gòu)基本相同，如圖7所示，包括開關(guān)晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管T2和復(fù)位晶體管T3，還包括0LED、存儲(chǔ)電容Cs、提供數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的數(shù)據(jù)電壓源、提供掃描信號(hào)Vs_的掃描電壓源、提供復(fù)位電壓的復(fù)位電壓源Reset和提供驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的供電電源。所不同的是，其開關(guān)晶體管Tl與驅(qū)動(dòng)晶體管T2均為NMOS管，復(fù)位晶體管T3為PMOS管。
[0055]圖8給出了本實(shí)施例中圖7驅(qū)動(dòng)裝置所對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖，本實(shí)施例中的時(shí)序圖與實(shí)施例一的時(shí)序圖基本相同，需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所述開關(guān)晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管T2、復(fù)位晶體管T3均為場(chǎng)效應(yīng)管，由于本實(shí)施例中所述開關(guān)晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)晶體管T2均為NMOS管，而復(fù)位晶體管T3為PMOS管，因此，本實(shí)施例中數(shù)據(jù)電壓源提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata、掃描電壓源提供的掃描信號(hào)Vsran和復(fù)位電壓源Reset提供的復(fù)位信號(hào)的極性與實(shí)施例一中的對(duì)應(yīng)的電壓信號(hào)的極性相反。如圖8所示，該AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的每個(gè)圖像幀周期也分為B-C-D三個(gè)階段，其中B階段為AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的復(fù)位期，C階段為當(dāng)前數(shù)據(jù)信號(hào)輸入像素裝置的驅(qū)動(dòng)期，D階段為發(fā)光像素單元顯示維持期。需要說(shuō)明的是，圖中還包括A階段，所述A階段為上一個(gè)圖像幀周期的圖像顯示維持期，即在輸入新的圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)之前，維持上一個(gè)圖像的顯示。
[0056]進(jìn)入B階段時(shí)，由于所述復(fù)位晶體管T3為PMOS管，且其柵極的電壓為復(fù)位電壓源Reset提供的低電平信號(hào)，復(fù)位晶體管T3導(dǎo)通，此時(shí)，復(fù)位電壓通過(guò)復(fù)位晶體管T3的源漏極之間的通道作用在驅(qū)動(dòng)晶體管Τ2的柵極，由于驅(qū)動(dòng)晶體管Τ2為NMOS管，只有在其柵極為高電平信號(hào)時(shí)才導(dǎo)通，因此，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管Τ2處于關(guān)斷狀態(tài)，在低電平復(fù)位電壓的作用下，其柵極復(fù)位，即驅(qū)動(dòng)晶體管Τ2復(fù)位到其截止工作點(diǎn)。
[0057]此后，進(jìn)入C階段時(shí)，由于復(fù)位電壓源Reset提供的信號(hào)為高電平信號(hào)，此時(shí)復(fù)位晶體管T3關(guān)斷，而掃描電壓源提供的掃描信號(hào)Vs_為高電平信號(hào)，作用在開關(guān)晶體管Tl的柵極，從而使開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，數(shù)據(jù)電壓源提供的高電平數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata經(jīng)過(guò)開關(guān)晶體管Tl的源漏極之間的通道對(duì)存儲(chǔ)電容Cs充電；同時(shí)，該電壓作用在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極上，驅(qū)動(dòng)晶體管T2為NMOS管，因此，該高電平信號(hào)使得驅(qū)動(dòng)晶體管T2工作在放大狀態(tài)(飽和狀態(tài))，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。
[0058]進(jìn)入D階段時(shí)，掃描電壓源提供的掃描信號(hào)Vs_為低電平信號(hào)，開關(guān)晶體管Tl關(guān)斷，數(shù)據(jù)電壓源提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata也就不能傳到驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極；但是，存儲(chǔ)電容Cs兩端由于開關(guān)晶體管Tl的關(guān)斷而沒(méi)有了泄放電荷的渠道，保持其兩端電壓不變，使得驅(qū)動(dòng)晶體管T2仍處于放大狀態(tài)(飽和狀態(tài))，繼續(xù)維持OLED的發(fā)光，直到下一幀數(shù)據(jù)信號(hào)到來(lái)。
[0059]復(fù)位期間所述驅(qū)動(dòng)晶體管T2處于關(guān)斷狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏源電流Ids為零，因此所述OLED在復(fù)位期間是不發(fā)光的，為了使OLED不發(fā)光的時(shí)間段的顯示不影響觀察者的觀察效果，本實(shí)施例中所述B階段持續(xù)的時(shí)間優(yōu)選為發(fā)光像素單元的圖像幀周期的十分之一。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，所述B階段持續(xù)的時(shí)間還可根據(jù)不同的顯示要求進(jìn)行設(shè)定。
[0060]本實(shí)施例提供的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和復(fù)位晶體管，且所述開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相同，均為NMOS管，而所述復(fù)位晶體管的溝道類型與上述兩個(gè)晶體管的溝道類型相反，即為PMOS管，結(jié)合與該AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置相應(yīng)的時(shí)序圖，在不同階段控制開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和復(fù)位晶體管的關(guān)斷和導(dǎo)通，從而在每個(gè)像素發(fā)光單元顯示新的圖像之前對(duì)所述驅(qū)動(dòng)裝置中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓進(jìn)行復(fù)位，使得顯示當(dāng)前圖像時(shí)，前一幅圖像的亮度不再影響當(dāng)前圖像的亮度，進(jìn)而消除了顯示當(dāng)前圖像過(guò)程中存在前一幅圖像殘影的現(xiàn)象，提高了顯示產(chǎn)品的顯示質(zhì)量，使產(chǎn)品更具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
[0061]另外，由于本實(shí)施例中所述復(fù)位晶體管的溝道類型與驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相反，當(dāng)復(fù)位晶體管導(dǎo)通的時(shí)候，所述驅(qū)動(dòng)晶體管必然處于關(guān)斷狀態(tài)，從而在驅(qū)動(dòng)晶體管復(fù)位期間，OLED不發(fā)光，從而避免了復(fù)位期間出現(xiàn)顯示異常的情況，且能夠節(jié)約復(fù)位期間OLED的發(fā)光消耗，從而降低AMOLED顯示面板的發(fā)熱量，進(jìn)而能夠提高OLED中發(fā)光材料的使用壽命，提高顯示產(chǎn)品的使用壽命，同樣能夠提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
[0062]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，所述AMOLED由多個(gè)呈矩陣排列的發(fā)光像素單元組成，每個(gè)發(fā)光像素單元內(nèi)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置包括:開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、發(fā)光元件、供電電源、數(shù)據(jù)電壓源以及掃描電壓源，其特征在于，所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置還包括復(fù)位晶體管和復(fù)位電壓源，所述復(fù)位晶體管的柵極與其源極相連并與復(fù)位電壓源相連，所述復(fù)位晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連； 其中，所述開關(guān)晶體管的溝道類型與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道類型相同，且與所述復(fù)位晶體管的溝道類型相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述開關(guān)晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，所述復(fù)位晶體管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述開關(guān)晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管為PMOS管,所述復(fù)位晶體管為NMOS管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，在所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的復(fù)位期，所述復(fù)位電壓源提供的復(fù)位信號(hào)為高電平信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述開關(guān)晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，所述復(fù)位晶體管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述開關(guān)晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管為NMOS管,所述復(fù)位晶體管為PMOS管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，在所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置的復(fù)位期，所述復(fù)位電壓源提供的復(fù)位信號(hào)為低電平信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件為發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光二極管。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK203433776SQ201320457708
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】蔡曉義, 蘇君海, 何基強(qiáng), 李建華 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司