專利名稱：一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及智能電網(wǎng)領(lǐng)域的一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
保護(hù)電路位于液晶驅(qū)動電路的接地端(VSS)和電源端(VDD)之間。保護(hù)電路的作用是在液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端產(chǎn)生靜電電壓時(shí)，使靜電電荷得到及時(shí)釋放，保護(hù)液晶驅(qū)動電路的安全運(yùn)行。目前的保護(hù)電路如圖1所示，包括N個(gè)NMOS開關(guān)管51和N個(gè)PMOS開關(guān)管52，每個(gè)NMOS開關(guān)管51的源極接液晶驅(qū)動電路的接地端，漏極接液晶驅(qū)動電路的電源端，每個(gè)PMOS開關(guān)管52的源極接液晶驅(qū)動電路的電源端，漏極接液晶驅(qū)動電路的接地端。在液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端生成靜電電壓(ESD)時(shí)，液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端的電壓超過部分NMOS開關(guān)管51或者部分PMOS開關(guān)管52的閾值電壓時(shí)，這些NMOS開關(guān)管51或PMOS開關(guān)管52導(dǎo)通，使靜電電荷得到有效釋放，由于不是所有的NMOS開關(guān)管51和所有的PMOS開關(guān)管52 —起導(dǎo)通，降低了保護(hù)電路的有效性
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路，在液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端生成靜電電壓時(shí)，該保護(hù)電路上的所有的NMOS開關(guān)管和PMOS開關(guān)管都一齊導(dǎo)通，從而提升了保護(hù)電路的性能。實(shí)現(xiàn)上述目的的一種技術(shù)方案是:一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路，包括N個(gè)NMOS開關(guān)管和N個(gè)PMOS開關(guān)管，每個(gè)所述NMOS開關(guān)管的源極接液晶驅(qū)動電路的接地端，漏極接液晶驅(qū)動電路的電源端，每個(gè)所述PMOS開關(guān)管的源極接液晶驅(qū)動電路的電源端，漏極接液晶驅(qū)動電路的接地端，每個(gè)所述的NMOS開關(guān)管的源極和柵極之間設(shè)置第一并聯(lián)電阻，每個(gè)所述的PMOS開關(guān)管的柵極和源極之間分別設(shè)置第二并聯(lián)電阻。進(jìn)一步的，所述第一并聯(lián)電阻和所述第二并聯(lián)電阻的阻值相等。采用了本實(shí)用新型的一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路的技術(shù)方案，即每個(gè)所述的NMOS開關(guān)管的源極和柵極之間均設(shè)置第一并聯(lián)電阻，每個(gè)所述的PMOS開關(guān)管的柵極和源極之間均設(shè)置第二并聯(lián)電阻的技術(shù)方案。其技術(shù)效果是:在液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端生成靜電電壓時(shí)，該保護(hù)電路上的所有的NMOS開關(guān)管和PMOS開關(guān)管都一齊導(dǎo)通，從而提升了保護(hù)電路的性能。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路的不意圖。圖2為本實(shí)用新型的一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路的示意圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖2，本實(shí)用新型的發(fā)明人為了能更好地對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行理解，下面通過具體地實(shí)施例，并結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)地說明:本實(shí)用新型的一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路位于液晶驅(qū)動電路的接地端(VSS )和電源端(VDD )之間，包括N個(gè)NMOS開關(guān)管51和N個(gè)PMOS開關(guān)管52，每個(gè)NMOS開關(guān)管51的源極接液晶驅(qū)動電路的接地端，漏極接液晶驅(qū)動電路的電源端，每個(gè)PMOS開關(guān)管52的源極接液晶驅(qū)動電路的電源端，漏極接液晶驅(qū)動電路的接地端，每個(gè)NMOS開關(guān)管51的源極和柵極之間均設(shè)置第一并聯(lián)電阻53，每個(gè)PMOS開關(guān)管52的柵極和源極之間分別設(shè)置第二并聯(lián)電阻54。由于NMOS開關(guān)管51上設(shè)有一個(gè)寄生NPN管，該寄生NPN管開啟時(shí)能吸收大量電流，PMOS開關(guān)管51設(shè)有一個(gè)寄生PNP管，該寄生PNP管開啟時(shí)能吸收大量電流。利用這一原理可以在控制保護(hù)電路在線路板上的排布面積的同時(shí)，不降低該保護(hù)電路的對靜電電壓(ESD電壓)的保護(hù)的能力。保護(hù)電路中設(shè)置第一并聯(lián)電阻53是為了在液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端生成靜電電壓時(shí)，位于NMOS開關(guān)管51的柵極和漏極間的寄生電容與第一并聯(lián)電阻53 f禹合，并耦合成一個(gè)瞬態(tài)電壓，確保每個(gè)NMOS開關(guān)管51都一齊導(dǎo)通，釋放液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端的靜電電荷。保護(hù)電路中設(shè)置第二并聯(lián)電阻54是為了在液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端生成靜電電壓時(shí)，位于PMOS開關(guān)管52的柵極和漏極間的寄生電容與第二并聯(lián)電阻54 f禹合，并耦合成一個(gè)瞬態(tài)電壓，確保每個(gè)PMOS開關(guān)管54都一齊導(dǎo)通，釋放液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端的靜電電荷。所有NMOS開關(guān)管51和PMOS開關(guān)管52都一齊導(dǎo)通，確保保護(hù)電路對于靜電電壓保護(hù)的有效性。這樣可以增強(qiáng)整個(gè)液晶驅(qū)動電路的可靠性，使其滿足智能電網(wǎng)應(yīng)用的需要。為了進(jìn)一步增強(qiáng)保護(hù) 電路的有效性，本實(shí)施例中第一并聯(lián)電阻53和第二并聯(lián)電阻54的阻值是相同的。本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實(shí)施例僅是用來說明本實(shí)用新型，而并非用作為對本實(shí)用新型的限定，只要在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實(shí)施例的變化、變型都將落在本實(shí)用新型的權(quán)利要求書范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路，包括N個(gè)NMOS開關(guān)管(51)和N個(gè)PMOS開關(guān)管(52)，每個(gè)所述NMOS開關(guān)管(51)的源極接液晶驅(qū)動電路的接地端，漏極接液晶驅(qū)動電路的電源端，每個(gè)所述PMOS開關(guān)管(52)的源極接液晶驅(qū)動電路的電源端，漏極接液晶驅(qū)動電路的接地端，其特征在于: 每個(gè)所述的NMOS開關(guān)管(51)的源極和柵極之間均設(shè)置第一并聯(lián)電阻(53)，每個(gè)所述的PMOS開關(guān)管(52)的柵極和源極之間分別設(shè)置第二并聯(lián)電阻(54)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路，其特征在于:所述第一并聯(lián)電阻 (53)和所述第二并聯(lián)電阻(54)的阻值相等。
專利摘要本實(shí)用新型公開了智能電網(wǎng)領(lǐng)域的一種用于液晶驅(qū)動電路的保護(hù)電路，包括N個(gè)NMOS開關(guān)管和N個(gè)PMOS開關(guān)管，每個(gè)所述NMOS開關(guān)管的源極接液晶驅(qū)動電路的接地端，漏極接液晶驅(qū)動電路的電源端，每個(gè)所述PMOS開關(guān)管的源極接液晶驅(qū)動電路的電源端，漏極接液晶驅(qū)動電路的接地端，每個(gè)所述的NMOS開關(guān)管的源極和柵極之間設(shè)置第一并聯(lián)電阻，每個(gè)所述的PMOS開關(guān)管的柵極和源極之間分別設(shè)置第二并聯(lián)電阻。其技術(shù)效果是在液晶驅(qū)動電路的接地端或者電源端生成靜電電壓時(shí)，該保護(hù)電路上的所有的NMOS開關(guān)管和PMOS開關(guān)管都一齊導(dǎo)通，從而提升了保護(hù)電路的有效性。
文檔編號G09G3/36GK203150080SQ20132011183
公開日2013年8月21日 申請日期2013年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月12日
發(fā)明者聶紀(jì)平 申請人:上海貝嶺股份有限公司