專利名稱：一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及智能電網(wǎng)領(lǐng)域的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路。
背景技術(shù)：
防倒灌電路是液晶驅(qū)動(dòng)電路中的重要保護(hù)電路，液晶驅(qū)動(dòng)電路中，輸入濾波器的數(shù)據(jù)輸入端(SDA)和時(shí)鐘信號(hào)輸入端(SCL)各接有一個(gè)防倒灌電路。防倒灌電路的作用是:在輸入濾波器接收基于I2C協(xié)議的信號(hào)時(shí)，防止反向電流流入輸入濾波器，防止輸入濾波器和液晶驅(qū)動(dòng)電路中的其它器件受到損傷。目前的防倒灌電路，如圖1所示，包括陰極接液晶驅(qū)動(dòng)電路接地端的的可控硅電路41、第一電阻42,第二電阻45、第一二極管51和第二二極管52,其中第一二極管51的輸入端連接可控娃電路41的陰極,第一二極管51的輸出端連接第一電阻42,第一電阻42連接可控硅電路41的陽極，構(gòu)成該防倒灌電路的第一回路。第一二極管51的輸出端為該防倒灌電路的接線端，用于連接輸入濾波器的數(shù)據(jù)輸入端或時(shí)鐘信號(hào)輸入端。第二二極管52的輸入端連接可控硅電路41的陰極，第二二極管52的輸出端連接第二電阻45，第二電阻45連接可控硅電路41的陽極，構(gòu)成該防倒灌電路的第二回路。正常的信號(hào)輸入液晶驅(qū)動(dòng)電路中的輸入濾波器時(shí)，不會(huì)觸發(fā)該可控硅電路41，可控硅電路41處于截止?fàn)顟B(tài)，液晶驅(qū)動(dòng)電路正常工作。當(dāng)該輸入濾波器的數(shù)據(jù)輸入端或者時(shí)鐘信號(hào)輸入端瞬間的ESD電壓(靜電釋放電壓)大于可控硅電路41的觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅電路41觸發(fā)，第一二極管51和第二二極管52均處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，在該輸入濾波器的數(shù)據(jù)輸入端或者時(shí)鐘信號(hào)輸入端和液晶驅(qū)動(dòng)電路的接地端之間形成一個(gè)快速放電的通路，電流從可控硅電路41的陽極流入，從可控硅電路41的陰極流向液晶驅(qū)動(dòng)電路的接地端(VSS端)，起到保護(hù)的效果。這樣的設(shè)計(jì) 存在的缺陷是:可控硅電路41觸發(fā)電壓的范圍無法有效地進(jìn)行控制，可控硅電路41在該觸發(fā)的時(shí)候無法及時(shí)準(zhǔn)確響應(yīng)，不該觸發(fā)的時(shí)候又經(jīng)常誤觸發(fā)，影響了液晶驅(qū)動(dòng)電路的正常運(yùn)行。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路，其能夠確?？煽毓桦娐酚|發(fā)電壓的范圍，使可控硅電路能對(duì)輸入濾波器數(shù)據(jù)輸入端或者時(shí)鐘信號(hào)輸入端瞬間的ESD電壓的變化及時(shí)準(zhǔn)確響應(yīng)，從而保護(hù)整個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)電路。實(shí)現(xiàn)上述目的的一種技術(shù)方案是:一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路，包括陰極接液晶驅(qū)動(dòng)電路接地端的可控硅電路、第一電阻、二極管和第二電阻，所述可控硅電路、所述二極管和所述第一電阻形成該防倒灌電路的第一回路，所述二極管的輸出端為該防倒灌電路的接線端，該防倒灌電路還包括一個(gè)NDMOS開關(guān)管，該NDMOS開關(guān)管、所述第二電阻和所述可控硅電路構(gòu)成該防倒灌電路的第二回路。進(jìn)一步的，所述可控硅電路包括一根型PNP型三極管和一根型NPN型三極管，所述PNP型三極管的發(fā)射極和基極通過第三電阻連接，所述NPN型三極管的發(fā)射極和基極通過第四電阻連接，所述PNP型三極管的集電極接所述NPN型三極管的基極，所述NPN型三極管的集電極接所述PNP型三極管的基極，所述PNP型三極管的發(fā)射極作為該可控硅電路的陽極，所述NPN型三極管的發(fā)射極為該可控硅電路的陰極。進(jìn)一步的，所述第一電阻的阻值至少為所述第二電阻的10倍。采用了本實(shí)用新型的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路的技術(shù)方案，即第二回路是由可控硅電路、NDMOS開關(guān)管和第二電阻組成的防倒灌電路的技術(shù)方案。其技術(shù)效果是:該防倒灌電路可能夠確?？煽毓桦娐酚|發(fā)電壓的范圍，使可控硅電路能對(duì)輸入濾波器數(shù)據(jù)輸入端或者時(shí)鐘信號(hào)輸入端瞬間的ESD電壓變化及時(shí)準(zhǔn)確響應(yīng)，從而保護(hù)整個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)電路。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路的不意圖。圖2為本實(shí)用新型的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路的示意圖。圖3為圖2為本實(shí)用新型的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路中可控硅電路的示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2和圖3，本實(shí)用新型的發(fā)明人為了能更好地對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行理解，下面通過具體地實(shí)施例，并結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)地說明:請(qǐng)參閱圖2和圖3，本實(shí)用新型的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路包括:可控硅電路41、第一電阻42、第二電阻45、一個(gè)二極管43和一個(gè)NDMOS管44 (N溝道型MOS管)。其中可控硅電路41的陰極(Cathode)接液晶驅(qū)動(dòng)電路的接地端。二極管43的輸入端接可控硅電路41的陰極，二極管43的輸出端接第一電阻42，第一電阻42接可控硅電路41的陽極(Anode)，從而構(gòu)成了該防倒灌電路的第一回路。NDMOS管44的源極接可控硅電路41的陰極，NDMOS管44的漏極接第二電阻45，第二電阻45接可控硅電路41的陽極，從而構(gòu)成了該防倒灌電路的第二回路。該防倒灌電路上還設(shè)有一個(gè)接線端，接線端是用來連接液晶驅(qū)動(dòng)電路上輸入濾波器的數(shù)據(jù)輸入端(SDA)或時(shí)鐘信號(hào)輸入端(SCL)的。二極管43的輸出端為該防倒灌電路的接線端。本實(shí)用新型的防倒灌電路的工作原理如下:液晶驅(qū)動(dòng)電路正常工作時(shí)，輸入液晶驅(qū)動(dòng)電路的輸入濾波器的信號(hào)為正常信號(hào)，可控娃電路41不會(huì)被觸發(fā),可控娃電路41處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)該輸入濾波器的數(shù)據(jù)輸入端(SDA)或時(shí)鐘信號(hào)輸入端(SCL)瞬間產(chǎn)生的ESD電壓(靜電釋放電壓)大于可控硅電路41的觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅電路41因被觸發(fā)而開啟，二極管43和NDMOS管44均處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，由此形成一個(gè)快速放電的通路,快速釋放的電流從可控硅電路41的陽極流入，再從可控硅電路41的陰極流向液晶驅(qū)動(dòng)電路的接地端，防止由于靜電釋放而引起的反向電流倒灌進(jìn)入液晶驅(qū)動(dòng)電路的輸入濾波器，對(duì)液晶驅(qū)動(dòng)電路起到防止電流倒灌和靜電保護(hù)的效果。由于該防倒灌電路的第二回路中采用NDMOS管44代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管，這有利于提 高對(duì)可控硅電路41觸發(fā)電壓范圍控制的準(zhǔn)確性，使可控硅電路41能對(duì)所述輸入濾波器數(shù)據(jù)輸入端或者時(shí)鐘信號(hào)輸入端瞬間的ESD電壓的變化及時(shí)準(zhǔn)確響應(yīng)，滿足智能電表使用的需要。本實(shí)施例中，該防倒灌電路的維持電流大約為70ma，該防倒灌電路能夠保證所述輸入濾波器的數(shù)據(jù)輸入端(SDA)或時(shí)鐘信號(hào)輸入端(SCL)外圍的反向電流不會(huì)對(duì)液晶驅(qū)動(dòng)電路的功能造成影響，從而保證整個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)電路滿足智能電網(wǎng)應(yīng)用的需要。請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)施例中的可控硅電路41包括一根PNP型三極管P5和一根NPN型三極管N5，PNP型三極管P5的發(fā)射極和基極通過第三電阻46連接，NPN型三極管N5的發(fā)射極和基極通過第四電阻47連接，NPN型三極管N5的集電極接PNP型三極管P5的基極，PNP型三極管P5的集電極接NPN型三極管N5的基極，PNP型三極管P5的發(fā)射極作為該可控硅電路41的陽極，NPN型三極管N5的發(fā)射極為可控硅電路41的陰極?？焖籴尫诺碾娏鲝腜NP管P5的發(fā)射極流入可控硅電路41，再從NPN管N5的發(fā)射極流出可控硅電路41，流向液晶驅(qū)動(dòng)電路的接地端。為了進(jìn)一步提高可控硅電路41觸發(fā)電壓范圍控制的準(zhǔn)確性，第一電阻42的阻值為第二電阻45阻值的10倍以上。本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來說明本實(shí)用新型，而并非用作為對(duì)本實(shí)用新型的限定，只要在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對(duì)以上所述實(shí)施例的變化、變型都 將落在本實(shí)用新型的權(quán)利要求書范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路，包括陰極接液晶驅(qū)動(dòng)電路接地端的可控硅電路(41)、第一電阻(42)、二極管(43)和第二電阻(45)，所述可控硅電路(41)、所述二極管(43)和所述第一電阻(42)形成該防倒灌電路的第一回路，所述二極管(43)的輸出端為該防倒灌電路的接線端，其特征在于: 該防倒灌電路還包括一個(gè)NDMOS開關(guān)管(44 )，該NDMOS開關(guān)管(44 )、所述第二電阻(45)和所述可控硅電路(41)構(gòu)成該防倒灌電路的第二回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路，其特征在于:所述可控硅電路(41)包括一根PNP型三極管(P5)和一根NPN型三極管(N5)，所述PNP型三極管(P5)的發(fā)射極和基極通過第三電阻(46)連接，所述NPN型三極管(N5)的發(fā)射極和基極通過第四電阻(47 )連接，所述NPN型三極管(N5 )的集電極接所述PNP型三極管(P5 )的基極，所述PNP型三極管(P5)的集電極接所述NPN型三極管(N5)的基極，所述PNP型三極管(P5)的發(fā)射極作為該可控硅電路(41)的陽極，所述NPN型三極管(N5)的發(fā)射極為該可控硅電路(41)的陰極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路，其特征在于:所述第一電阻(4 2)的阻值至少為所述第二電阻(45)的10倍。
專利摘要本實(shí)用新型公開了智能電網(wǎng)領(lǐng)域的一種用于液晶驅(qū)動(dòng)電路的防倒灌電路，包括陰極接液晶驅(qū)動(dòng)電路接地端的可控硅電路、第一電阻、二極管和第二電阻，所述可控硅電路、所述二極管和所述第一電阻形成該防倒灌電路的第一回路，所述二極管的輸出端為該防倒灌電路的接線端，該防倒灌電路還包括一個(gè)NDMOS開關(guān)管，該NDMOS開關(guān)管、所述第二電阻和所述可控硅電路構(gòu)成該防倒灌電路的第二回路。其技術(shù)效果是該防倒灌電路可能夠確保可控硅電路觸發(fā)電壓的范圍，使可控硅電路能對(duì)輸入濾波器數(shù)據(jù)輸入端或者時(shí)鐘信號(hào)輸入端的瞬間ESD電壓的變化及時(shí)準(zhǔn)確響應(yīng)，從而保護(hù)整個(gè)液晶驅(qū)動(dòng)電路。
文檔編號(hào)G09G3/36GK203150079SQ201320111820
公開日2013年8月21日 申請(qǐng)日期2013年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月12日
發(fā)明者聶紀(jì)平 申請(qǐng)人:上海貝嶺股份有限公司