基于amoled的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開(kāi)了一種基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法，在驅(qū)動(dòng)顯示時(shí)，將驅(qū)動(dòng)時(shí)序的一個(gè)周期劃分為前后兩個(gè)階段：顯示階段和觸控感應(yīng)階段，在所述顯示階段對(duì)所有電源信號(hào)線施加一直流信號(hào)，在所述觸控感應(yīng)階段，將所有電源信號(hào)線分成兩組，第一組電源信號(hào)線和第二電源信號(hào)線，且使所述第一組電源信號(hào)線和第二電源信號(hào)線相互垂直地分布在AMOLED的基板上，對(duì)第一組電源信號(hào)線施加一脈沖信號(hào)，當(dāng)觸摸時(shí)通過(guò)檢測(cè)第二組電源信號(hào)線的變化來(lái)確定觸摸點(diǎn)的位置。本發(fā)明將驅(qū)動(dòng)時(shí)序分成顯示和觸控階段，在觸控階段利用原有的VDD信號(hào)線進(jìn)行觸控感應(yīng)并定位，從而不對(duì)像素結(jié)構(gòu)造成任何工藝上，空間上進(jìn)行任何變化，從而降低了顯示裝置的厚度及制作成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近幾年來(lái)，觸摸顯示技術(shù)發(fā)展迅速，為了提高產(chǎn)品的可靠性，降低成本，實(shí)現(xiàn)更好的透光率，減薄整個(gè)屏的厚度和重量等，觸摸屏技術(shù)由外掛式逐漸轉(zhuǎn)向嵌入式。嵌入式觸摸屏就是在生產(chǎn)平板顯示的過(guò)程中，制造出觸摸屏功能，達(dá)到功能、效果和成本的最優(yōu)化。
[0003]目前大部分設(shè)計(jì)盒內(nèi)觸控(in cell touch)技術(shù)，并應(yīng)用于產(chǎn)品的都是針對(duì)IXD的象素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的。目前關(guān)于AMOLED(主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板，Active MatrixOrganic Light Emitting Diode) in Ecell touch (面板內(nèi)觸控)的方案主要應(yīng)用于底發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，在TFT (薄膜晶體管，Thin Film Transistor)背板上形成投射式電容結(jié)構(gòu)，即在原有的顯示結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上額外的增加了一層觸控結(jié)構(gòu)，因此增加了顯示裝置的厚度及制作成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:如何在AMOLED顯示裝置原有的像素結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)觸控感應(yīng)。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法，在驅(qū)動(dòng)顯示時(shí)，將驅(qū)動(dòng)時(shí)序的一個(gè)周期劃分為前后兩個(gè)階段:顯示階段和觸控感應(yīng)階段，在所述顯示階段對(duì)所有電源信號(hào)線施加一直流信號(hào)，在所述觸控感應(yīng)階段，將所有電源信號(hào)線分成兩組，第一組電源信號(hào)線和第二電源信號(hào)線，且使所述第一組電源信號(hào)線和第二電源信號(hào)線相互垂直地分布在AMOLED的基板上,對(duì)第一組電源信號(hào)線施加一脈沖信號(hào)，當(dāng)觸摸時(shí)通過(guò)檢測(cè)第二組電源信號(hào)線的變化來(lái)確定觸摸點(diǎn)的位置。
[0008]其中，所述驅(qū)動(dòng)時(shí)序的一個(gè)周期為一幀，將一幀劃分為前后兩個(gè)階段:所述顯示階段和所述觸控感應(yīng)階段。
[0009]其中，所述顯示階段的時(shí)長(zhǎng)大于所述觸控感應(yīng)階段的時(shí)長(zhǎng)。
[0010]其中，所述驅(qū)動(dòng)時(shí)序的一個(gè)周期包括N幀，第N幀劃分為前后兩個(gè)時(shí)間段:第一時(shí)間段和第二時(shí)間段，前N — I幀和第N幀中的第一時(shí)間段的為所述顯示階段，第N幀的第二時(shí)間段為所述觸控感應(yīng)階段，N > 2。
[0011]其中，所述第一時(shí)間段的時(shí)長(zhǎng)大于所述第二時(shí)間段的時(shí)長(zhǎng)。
[0012]其中，相鄰兩組所述第一組電源信號(hào)線和第二組電源信號(hào)線中各自的信號(hào)線數(shù)量相等。
[0013](三)有益效果
[0014]本發(fā)明將驅(qū)動(dòng)時(shí)序分成顯示和觸控階段，在觸控階段利用原有的VDD信號(hào)線進(jìn)行觸控感應(yīng)并定位，從而不對(duì)像素結(jié)構(gòu)造成任何工藝上，空間上進(jìn)行任何變化，從而降低了顯示裝置的厚度及制作成本。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2a是現(xiàn)有的一種具有VDD IR Drop補(bǔ)償功能的AMOLED像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0017]圖2b是圖2a的像素結(jié)構(gòu)根據(jù)觸控功能原理進(jìn)行的功能劃分后的電路圖；
[0018]圖3是本發(fā)明方法的觸控感應(yīng)原理圖；
[0019]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0021 ] 現(xiàn)有的AMOLED顯示多利用設(shè)置電源信號(hào)線VDD (電源電壓，Voltage DrainDrain)對(duì)IR Drop (電阻壓降)進(jìn)行補(bǔ)償,其具體原理如下:
[0022]如圖2a和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的等效電路(所以薄膜晶體管為P型)的工作包括兩個(gè)階段:信號(hào)加載階段I和發(fā)光階段2。
[0023]在信號(hào)加載階段I中，圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)源Vdata開(kāi)始輸出當(dāng)前幀數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，發(fā)射信號(hào)源EMISSION由輸出低壓開(kāi)啟信號(hào)變?yōu)檩敵龈邏宏P(guān)閉信號(hào)，使開(kāi)關(guān)晶體管T2、開(kāi)關(guān)晶體管T3和開(kāi)關(guān)晶體管T7關(guān)斷；復(fù)位信號(hào)源Vkeset由輸出高壓關(guān)閉信號(hào)變?yōu)檩敵龅蛪洪_(kāi)啟信號(hào)控制復(fù)位晶體管T4由關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)殚_(kāi)啟狀態(tài)，以便將存儲(chǔ)電容Cl與復(fù)位晶體管T4的源極相連的一端的電壓復(fù)位至GND ;門(mén)信號(hào)源VeATE由輸出高壓關(guān)閉信號(hào)變?yōu)檩敵龅蛪洪_(kāi)啟信號(hào)以控制開(kāi)關(guān)晶體管T5和開(kāi)關(guān)晶體管T6由關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)殚_(kāi)啟狀態(tài)，開(kāi)關(guān)晶體管T6的開(kāi)啟可以將P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl連接成一個(gè)二極管，開(kāi)關(guān)晶體管T5的開(kāi)啟可以使圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)源Vdata輸出的當(dāng)前幀數(shù)據(jù)信號(hào)到達(dá)存儲(chǔ)電容Cl與P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極相連的一端，即存儲(chǔ)電容Cl這一端的電壓為vDATA+vthl。
[0024]在發(fā)光階段2中，復(fù)位信號(hào)源Vkeset和門(mén)信號(hào)源VeATE都由輸出低壓開(kāi)啟信號(hào)變?yōu)檩敵龈邏宏P(guān)閉信號(hào)，發(fā)射信號(hào)源Vemissmn由輸出高壓關(guān)閉信號(hào)變?yōu)檩敵龅蛪洪_(kāi)啟信號(hào)，以控制開(kāi)關(guān)晶體管T2、開(kāi)關(guān)晶體管T3和開(kāi)關(guān)晶體管T7由關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)殚_(kāi)啟狀態(tài)；開(kāi)關(guān)晶體管T7開(kāi)啟可以使電源信號(hào)線VDD輸出的信號(hào)的電壓V1到達(dá)存儲(chǔ)電容Cl與開(kāi)關(guān)晶體管T7的漏極相連的一端，即存儲(chǔ)電容Cl的這一端的電壓由發(fā)射信號(hào)源Vemissot由輸出高壓關(guān)閉信號(hào)時(shí)的GND變?yōu)閂1,從而使P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極電壓由發(fā)射信號(hào)源Vemissiw由輸出高壓關(guān)閉信號(hào)時(shí)的VDATA+Vthl變?yōu)閂Dg+Vg+Vi ;開(kāi)關(guān)晶體管T2的開(kāi)啟可以使電源信號(hào)線輸出的信號(hào)的電壓V1到達(dá)P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極；開(kāi)關(guān)晶體管T3的開(kāi)啟可以使P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl在其柵極電壓VDg+Vg+Vi與源極電壓V1的共同作用下產(chǎn)生的漏極電流能夠到達(dá)OLED Dl的陽(yáng)極，并與VSS共同驅(qū)動(dòng)OLED Dl發(fā)光。
[0025]在該像素電路中，由于存儲(chǔ)電容Cl在在圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)源Vdata停止輸出當(dāng)前幀數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，存儲(chǔ)電壓大小等于VdatJUV1的電壓信號(hào)，并且由于存儲(chǔ)電容Cl與P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極相連，即P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極的電壓也為VDg+Vg+Vi，而此時(shí)P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極電壓為
[0026]由于此時(shí)的P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl工作在飽和區(qū)，工作在飽和區(qū)的P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極與源極的電壓差K^VDg+Vthi+V1-V^VDm+Vthi，按照下述現(xiàn)有技術(shù)中晶體管工作在飽
和區(qū)的電流特性的公式
【權(quán)利要求】
1.一種基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在驅(qū)動(dòng)顯示時(shí)，將驅(qū)動(dòng)時(shí)序的一個(gè)周期劃分為前后兩個(gè)階段:顯示階段和觸控感應(yīng)階段，在所述顯示階段對(duì)所有電源信號(hào)線施加一直流信號(hào)，在所述觸控感應(yīng)階段，將所有電源信號(hào)線分成兩組，第一組電源信號(hào)線和第二電源信號(hào)線，且使所述第一組電源信號(hào)線和第二電源信號(hào)線相互垂直地分布在AMOLED的基板上，對(duì)第一組電源信號(hào)線施加一脈沖信號(hào)，當(dāng)觸摸時(shí)通過(guò)檢測(cè)第二組電源信號(hào)線的信號(hào)的變化來(lái)確定觸摸點(diǎn)的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)時(shí)序的一個(gè)周期為一幀，將一幀劃分為前后兩個(gè)階段:所述顯示階段和所述觸控感應(yīng)階段。
3.如權(quán)利要求2所述的基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述顯示階段的時(shí)長(zhǎng)大于所述觸控感應(yīng)階段的時(shí)長(zhǎng)。
4.如權(quán)利要求1所述的基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)時(shí)序的一個(gè)周期包括N幀，第N幀劃分為前后兩個(gè)時(shí)間段:第一時(shí)間段和第二時(shí)間段，前N — I幀和第N幀中的第一時(shí)間段的為所述顯示階段，第N幀的第二時(shí)間段為所述觸控感應(yīng)階段，N≥2。
5.如權(quán)利要求4所述的基于AMOLED的觸控顯示驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第一時(shí)間段的時(shí)長(zhǎng)大于所述第二時(shí)間段的時(shí)長(zhǎng)。
6.如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的基于AMOLED的觸控顯不驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于，相鄰兩組所述第一組電源信號(hào)線和第二組電源信號(hào)線中各自的信號(hào)線數(shù)量相等。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK103680410SQ201310718075
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】馬占潔 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司