Amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及方法
【專利摘要】本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括像素單元的存儲(chǔ)電容器，將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)電壓Vdata的數(shù)模轉(zhuǎn)換單元，連接數(shù)模轉(zhuǎn)換單元和存儲(chǔ)電容器的數(shù)據(jù)線，還包括連接于數(shù)模轉(zhuǎn)換單元和數(shù)據(jù)線之間用于預(yù)充電的Vavg電源。有益效果在于，本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)在現(xiàn)有電路的數(shù)模轉(zhuǎn)換單元DAC及用于對(duì)存儲(chǔ)電容器充電的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置Vavg電源（發(fā)電機(jī)），并利用Vavg電源預(yù)先存儲(chǔ)下一周期的數(shù)據(jù)信號(hào)，達(dá)到了縮短下一周期數(shù)據(jù)信號(hào)寫入的時(shí)間及功耗的目的。
【專利說(shuō)明】AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于平板顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及主動(dòng)式發(fā)光二極管平板顯示器的像素驅(qū)動(dòng)，特別涉及一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在平板顯示技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)顯示器以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、快響應(yīng)速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是繼液晶顯示器(IXD)之后的第三代顯示技術(shù)。主動(dòng)式0LED(ActiveMatrix OLED, AMOLED)也稱為有源矩陣OLED，AMOLED因通過(guò)在每個(gè)像素中集成薄膜晶體管(TFT)和電容器并由電容器維持驅(qū)動(dòng)電壓的方法進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因而可以實(shí)現(xiàn)大尺寸、高分辨率面板，是當(dāng)前研究的重點(diǎn)及未來(lái)顯示技術(shù)的發(fā)展方向。
[0003]圖1所示為現(xiàn)有的AMOLED像素的驅(qū)動(dòng)方法，向像素電路傳遞數(shù)據(jù)電壓，數(shù)據(jù)電壓用data voltage或者Vdata表示，并向儲(chǔ)能電容器(storage capacitor, Cst)充電,存儲(chǔ)電容器Cst用于在幀周期內(nèi)維持該數(shù)據(jù)電壓不變，但是這樣充電的數(shù)據(jù)電壓僅能維持I幀像周期。從圖1可以看出，這種方法實(shí)際的充電時(shí)間偏長(zhǎng)，且變換得到的電壓差異偏大，導(dǎo)致具有了較高的開關(guān)電源功耗，從而導(dǎo)致儲(chǔ)能電容器(Cst)的數(shù)據(jù)電壓充放電過(guò)程具有開關(guān)功耗較高及所需充電時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法/電路中，用于維持像素驅(qū)動(dòng)電壓的存儲(chǔ)電容器充放電過(guò)程開關(guān)功耗高及充放電時(shí)間長(zhǎng)的不足，提出了一種適用于AMOLED像素驅(qū)動(dòng)的電路以及相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案為:AM0LED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括像素單元的存儲(chǔ)電容器，將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)電壓Vdata的數(shù)模轉(zhuǎn)換單元，連接數(shù)模轉(zhuǎn)換單元和存儲(chǔ)電容器的數(shù)據(jù)線，其特征在于，還包括連接于數(shù)模轉(zhuǎn)換單元和數(shù)據(jù)線之間用于預(yù)充電的Vavg電源。
[0006]進(jìn)一步的，上述像素驅(qū)動(dòng)電路還包括用于控制Vavg電源的充放電過(guò)程的開關(guān)控制單元。
[0007]進(jìn)一步的，上述Vavg電源的輸出電壓Vavg為像素?cái)?shù)據(jù)電壓Vdata的上下峰值和的一半。
[0008]應(yīng)用上述驅(qū)動(dòng)電路的AMOLED的像素驅(qū)動(dòng)方法，用正整數(shù)η表示AMOLED的第η個(gè)幀周期，其特征在于，包括步驟:在AMOLED像素單元的第η掃描周期內(nèi)完成該像素單元第η周期數(shù)據(jù)信號(hào)寫入和Vavg電源第η+1周期信號(hào)寫入。
[0009]進(jìn)一步的，Vavg電源的輸出電壓為第η次的數(shù)據(jù)電壓上下峰值的一半。
[0010]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)在現(xiàn)有電路的數(shù)模轉(zhuǎn)換單元DAC及用于對(duì)存儲(chǔ)電容器充電的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置Vavg電源(發(fā)電機(jī))，并利用Vavg電源預(yù)先存儲(chǔ)下一周期的數(shù)據(jù)信號(hào)，達(dá)到了縮短下一周期數(shù)據(jù)信號(hào)寫入的時(shí)間及功耗的目的。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電路的存儲(chǔ)電容器充放電過(guò)程示意圖；
[0012]圖2為本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)原理圖；
[0013]圖3為本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路對(duì)存儲(chǔ)電容器充放電過(guò)程示意圖；
[0014]圖4為本發(fā)明與現(xiàn)有的像素驅(qū)動(dòng)電路充放電過(guò)程效果對(duì)比圖示。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下具體實(shí)施例是根據(jù)本發(fā)明的原理而設(shè)計(jì)，目的在于對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做舉例說(shuō)明，其公開的技術(shù)方案范圍被包含于本發(fā)明的技術(shù)方案的保護(hù)范圍中但不能等同于本發(fā)明的保護(hù)范圍，下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述。
[0016]如圖2、圖3及圖4所示，本實(shí)施例的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路包括像素單元的存儲(chǔ)電容器，將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)電壓Vdata的數(shù)模轉(zhuǎn)換單元，連接數(shù)模轉(zhuǎn)換單元和存儲(chǔ)電容器的數(shù)據(jù)線，還包括連接于數(shù)模轉(zhuǎn)換單元和數(shù)據(jù)線之間用于預(yù)充電的Vavg電源。Vavg電源的主要作用在于通過(guò)提前存儲(chǔ)該像素單元下一周期的數(shù)據(jù)電壓，主要優(yōu)勢(shì)在于可以在下一周期對(duì)存儲(chǔ)電容器充電前預(yù)先充電，達(dá)到縮短單獨(dú)的數(shù)據(jù)電壓對(duì)存儲(chǔ)電容器充電的時(shí)間和功耗。
[0017]為了便于充電過(guò)程的邏輯控制，本實(shí)施例進(jìn)一步在上述像素驅(qū)動(dòng)電路中增加了用于控制Vavg電源的充放電過(guò)程的開關(guān)控制單元。為了優(yōu)化充放電時(shí)間，降低控制系統(tǒng)Vavg電源系統(tǒng)復(fù)雜度，作為優(yōu)選方案，上述Vavg電源的輸出電壓Vavg采用像素?cái)?shù)據(jù)電壓Vdata的上下峰值和的一半。該電壓由Vavg電源根據(jù)數(shù)據(jù)電壓生成。
[0018]應(yīng)用上述驅(qū)動(dòng)電路的AMOLED的像素驅(qū)動(dòng)方法，用正整數(shù)η表示AMOLED的第η個(gè)幀周期，其特征在于，包括步驟:在AMOLED像素單元的第η掃描周期內(nèi)完成該像素單元第η周期數(shù)據(jù)信號(hào)寫入和Vavg電源第η+1周期信號(hào)寫入。
[0019]基于上述電路方案中Vavg電源輸出電壓同樣的考慮，Vavg電源的輸出電壓優(yōu)選為第η次的數(shù)據(jù)電壓上下峰值的一半。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)在現(xiàn)有電路的數(shù)模轉(zhuǎn)換單元DAC及用于對(duì)存儲(chǔ)電容器充電的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置Vavg電源(發(fā)電機(jī))，并利用Vavg電源預(yù)先存儲(chǔ)下一周期的數(shù)據(jù)信號(hào)，達(dá)到了縮短下一周期數(shù)據(jù)信號(hào)寫入的時(shí)間及功耗的目的。
[0021]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本發(fā)明的原理，應(yīng)被理解為本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路,包括像素單元的存儲(chǔ)電容器，將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)電壓Vdata的數(shù)模轉(zhuǎn)換單元，連接數(shù)模轉(zhuǎn)換單元和存儲(chǔ)電容器的數(shù)據(jù)線，其特征在于，還包括連接于數(shù)模轉(zhuǎn)換單元和數(shù)據(jù)線之間用于預(yù)充電的Vavg電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，電路還包括用于控制Vavg電源的充放電過(guò)程的開關(guān)控制單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，Vavg電源的輸出電壓Vavg為像素?cái)?shù)據(jù)電壓Vdata的上下峰值和的一半。
4.應(yīng)用權(quán)利要求1-3之任一項(xiàng)權(quán)利要求的驅(qū)動(dòng)電路的AMOLED的像素驅(qū)動(dòng)方法，用正整數(shù)η表示AMOLED的第η個(gè)幀周期，其特征在于，包括步驟:在AMOLED像素單元的第η掃描周期內(nèi)完成該像素單元第η周期數(shù)據(jù)信號(hào)寫入和Vavg電源第η+1周期信號(hào)寫入。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，Vavg電源的輸出電壓為第η次的數(shù)據(jù)電壓上下峰值的一半。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK103700343SQ201310705602
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月20日
【發(fā)明者】文珵永 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司