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半導(dǎo)體器件的制作方法與工藝

文檔序號(hào):11965270閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
阻止發(fā)光器件中的不規(guī)則顯示以增加發(fā)光器件的圖像質(zhì)量,發(fā)光器件中的不規(guī)則顯示是由于每一像素的供給電流到發(fā)光元件的TFT閾值離散形成的。在電容器裝置(108)中存儲(chǔ)從復(fù)位信號(hào)線(110)的電位加上或減去TFT(105)的閾值電壓后得到的電位。其中相應(yīng)的閾值電壓加入到圖像信號(hào)的電壓施加到TFT(106)的柵電極。像素內(nèi)的TFT鄰近地排列,且不易形成TFT特性離散。即使每一像素中TFT(106)的閾值不同,TFT(105)的閾值被抵銷,并且可以提供給EL元件(109)預(yù)定的漏極電流。

技術(shù)研發(fā)人員:木村肇;棚田好文
受保護(hù)的技術(shù)使用者:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
文檔號(hào)碼:201310572230
技術(shù)研發(fā)日:2003.01.24
技術(shù)公布日:2017.04.26

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