顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及包括像素單元的顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。所述像素單元包括：像素晶體管，其通過柵極線的驅(qū)動(dòng)而電導(dǎo)通；像素，其包括像素電極、對(duì)置電極以及液晶層；輔助電容器；以及反熔絲元件。在所述像素單元中，所述液晶層形成在所述像素電極和所述對(duì)置電極之間，所述像素單元設(shè)置在多條柵極線和多條信號(hào)線之間的每個(gè)交叉點(diǎn)處，且所述像素電極、所述輔助電容器的一端和所述反熔絲元件的一端連接到所述像素晶體管的漏極。根據(jù)本發(fā)明，在不同于傳統(tǒng)方法而沒有使用額外的激光照射設(shè)備以及沒有引起其它缺陷的情況下，通過將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)可以更有效地提高產(chǎn)量。
【專利說明】顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及所謂的有源矩陣型顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。特別地，本發(fā)明涉及通過將亮點(diǎn)缺陷轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)來提高制造產(chǎn)量的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，在液晶顯示設(shè)備中，對(duì)于重視對(duì)比度的產(chǎn)品來說通常采用常黑模式(normally black mode)。在常黑模式中，在不向液晶施加電壓時(shí)執(zhí)行黑色顯示。在施加電壓時(shí)，以對(duì)應(yīng)于電壓電位的方式增加光透射。
[0003]在常黑模式中，當(dāng)像素電極短路到與對(duì)置電極電位不同的電位時(shí)，例如像素晶體管的柵極電位或者像素附近出現(xiàn)的諸如地電位等電位，則會(huì)引起亮點(diǎn)缺陷的問題。
[0004]在顯示設(shè)備的制造過程中，產(chǎn)生的這種亮點(diǎn)缺陷由于產(chǎn)量下降而成為問題。
[0005]為了解決亮點(diǎn)缺陷的問題，日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_號(hào)平5-313167(在下文中稱為專利文獻(xiàn)I)和日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_號(hào)平8-15660(在下文中稱為專利文獻(xiàn)2)公開了一種使用激光束對(duì)作為目標(biāo)的缺陷像素進(jìn)行照射的方法，以破壞和除去缺陷像素，從而將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換成暗點(diǎn)。
[0006]通常,作為像素缺陷，暗點(diǎn)的光譜發(fā)光效率(spectral luminous efficiency)低于亮點(diǎn)的光譜發(fā)光效率。因此，從亮點(diǎn)到暗點(diǎn)的上述轉(zhuǎn)換能夠提高產(chǎn)品的產(chǎn)量。
[0007]然而，除需要顯示設(shè)備的制造設(shè)備之外，上述傳統(tǒng)方法還需要激光照射設(shè)備。此夕卜，存在有如下?lián)?由于由激光照射產(chǎn)生的碎屑而產(chǎn)生雜質(zhì)等，并產(chǎn)生其它缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，顯示設(shè)備進(jìn)行如下構(gòu)造。
[0009]S卩，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備包括像素單元，所述像素單元包括:像素晶體管，其通過柵極線的驅(qū)動(dòng)而電導(dǎo)通；像素，其包括像素電極、對(duì)置電極以及液晶層；輔助電容器；以及反熔絲元件，其中所述液晶層形成在所述像素電極和所述對(duì)置電極之間，所述像素單元設(shè)置在多條柵極線和多條信號(hào)線之間的每個(gè)交叉點(diǎn)處。
[0010]另外，在所述像素單元中，所述像素電極、所述輔助電容器的一端和所述反熔絲元件的一端連接到所述像素晶體管的漏極。
[0011]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，所述方法進(jìn)行如下配置。
[0012]S卩，在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，對(duì)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備，通過至少驅(qū)動(dòng)與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述柵極線，以使所述反熔絲元件電導(dǎo)通。
[0013]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備中，反熔絲元件設(shè)置為并聯(lián)于像素。通過驅(qū)動(dòng)方法使反熔絲元件電導(dǎo)通，可以使像素電極短路成與對(duì)置電極電位相等的電位。即，通過反熔絲元件的電導(dǎo)通，可以使像素電極短路成與對(duì)置電極電位相等的電位，而不是短路成像素晶體管的柵極電位。以這種方式，像素電極可以短路成與對(duì)置電極電位相等的電位處。因此，可以將成為亮點(diǎn)的像素轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)。
[0014]相比于亮點(diǎn)，暗點(diǎn)具有顯著低的光譜發(fā)光效率。因此，通過上述從亮點(diǎn)到暗點(diǎn)的轉(zhuǎn)換，能夠提聞廣品廣量。
[0015]與傳統(tǒng)的用于將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換成暗點(diǎn)的方法不同的是，沒有通過激光照射來破壞像素。因此，在沒有使用額外的激光照射設(shè)備以及沒有引起其它缺陷的情況下，能夠更有效地將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)。
[0016]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在不同于傳統(tǒng)方法而沒有使用額外的激光照射設(shè)備以及沒有引起其它缺陷的情況下，通過將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)可以更有效地提高產(chǎn)量。
[0017]根據(jù)最佳方式實(shí)施例的下面詳細(xì)描述，如附圖所示，本發(fā)明的這些和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)會(huì)更加清楚。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是示出了根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的像素單元的構(gòu)造的電路圖；
[0019]圖2是示出了傳統(tǒng)像素單元的構(gòu)造的電路圖；
[0020]圖3是常黑模式有關(guān)的說明圖；
[0021]圖4等效地示出了在像素晶體管發(fā)生缺陷時(shí)像素單元的電路構(gòu)造；
[0022]圖5等效地示出了在通過反熔絲元件(ant1-fuse element)的電導(dǎo)通將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)時(shí)像素單元的電路構(gòu)造；
[0023]圖6是顯示面板的整體構(gòu)造的框圖；
[0024]圖7是用于說明顯示面板的典型驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖；
[0025]圖8是用于說明使反熔絲元件電導(dǎo)通的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖；
[0026]圖9示出了用于檢測(cè)亮點(diǎn)像素并使亮點(diǎn)像素的反熔絲元件電導(dǎo)通的構(gòu)造示例；以及
[0027]圖10是示出了顯示設(shè)備中的像素單元的作為變形示例的構(gòu)造的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]在下文中，將說明本發(fā)明的實(shí)施例。
[0029]注意，將按照以下順序進(jìn)行說明。
[0030]1.根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備
[0031]1-1.像素單元的構(gòu)造
[0032]1-2.在本實(shí)施例中從亮點(diǎn)到暗點(diǎn)的轉(zhuǎn)換
[0033]2.用于使反熔絲元件電導(dǎo)通的驅(qū)動(dòng)方法
[0034]3.變形示例
[0035]1.根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備
[0036]1-1.像素單元的構(gòu)造
[0037]圖1是示出了作為實(shí)施例的顯示設(shè)備的像素單元P的構(gòu)造的電路圖。
[0038]圖2示出了作為比較示例的傳統(tǒng)顯示設(shè)備的像素單元P’的構(gòu)造。
[0039]首先作如下假定:本實(shí)施例的顯示設(shè)備是所謂的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備，并且圖1所示的像素單元P是形成于多條柵極線Lg和多條信號(hào)線Ls之間的每個(gè)交叉點(diǎn)處的像素單元。盡管只抽取及示出了設(shè)置在一個(gè)交叉點(diǎn)處的像素單元P的構(gòu)造作為代表，但設(shè)置在其它交叉點(diǎn)處的像素單元P的構(gòu)造與圖1所示的構(gòu)造相同。
[0040]另外，本實(shí)施例的顯示設(shè)備是具有所謂的常黑模式的顯示設(shè)備。
[0041]圖3是有關(guān)常黑模式的說明圖。注意，圖3示意性示出了像素1、偏光板10和11、入射光L1、偏光狀態(tài)(實(shí)線箭頭)以及液晶層Ia中的液晶取向狀態(tài)。像素I包括像素電極lb、對(duì)置電極Ic和液晶層la。液晶層Ia設(shè)置在像素電極Ib和對(duì)置電極Ic之間。偏光板10和11布置在像素I之前和之后。入射光Li從偏光板10側(cè)入射。光依次穿過偏光板
10、像素I和偏光板11。液晶層Ia取決于像素I上的電壓的開啟/關(guān)閉。
[0042]如圖3所示，常黑模式意味著:當(dāng)向像素I施加的電壓關(guān)閉時(shí)(像素電極Ib和對(duì)置電極Ic具有相同的電位)，執(zhí)行黑色顯示，并且當(dāng)向像素I施加的電壓開啟時(shí)(像素電極Ib和對(duì)置電極Ic具有不同的電位)，發(fā)射光。
[0043]再次參照?qǐng)D1。
[0044]在圖1中，像素單元P包括像素1、輔助電容器Cs和像素晶體管Tr。
[0045]像素I包括像素電極Ib和對(duì)置電極lc。對(duì)置電極Ic連接到公共電壓信號(hào)線。電位Vcom被施加到對(duì)置電極lc。液晶層Ia設(shè)置在像素電極Ib和對(duì)置電極Ic之間。
[0046]在像素晶體管Tr中，它的柵極(圖中的G)連接到柵極線Lg。源極(圖中的S)連接到信號(hào)線Ls。另外，像素I的像素電極Ib和輔助電容器2的第一電極2a連接到像素晶體管Tr的漏極(圖中的D)。
[0047]如圖所示，輔助電容器2的第二電極2b (與第一電極2a相對(duì)的電極)連接到公共電壓信號(hào)線Lcom。
[0048]在此像素單元P中，柵極電壓Vddg經(jīng)由柵極線Lg被施加到像素晶體管Tr的柵極。像素晶體管Tr電導(dǎo)通。在此狀態(tài)下，經(jīng)由信號(hào)線Ls施加信號(hào)電壓Vsig。因此，針對(duì)像素I進(jìn)行信號(hào)寫入。
[0049]上述到此為止的構(gòu)造與圖2所示的傳統(tǒng)像素單元P’的構(gòu)造相同。
[0050]本實(shí)施例的像素單元P具有反熔絲元件3。
[0051]具體地，反熔絲元件3在其一端連接到像素晶體管Tr的漏極。反熔絲元件3在其另一端連接到公共電壓信號(hào)線Lcom。
[0052]也就是說，反熔絲元件3與像素I和輔助電容器Cs并聯(lián)并連接到像素晶體管Tr的漏極。
[0053]1-2.本實(shí)施例中從亮點(diǎn)到暗點(diǎn)的轉(zhuǎn)換
[0054]在相關(guān)技術(shù)中，在像素單元P’中，由于像素晶體管Tr的柵極氧化物膜的缺陷等而可能產(chǎn)生像素晶體管Tr的柵極和像素電極Ib的短路的缺陷。
[0055]圖4等效示出了在像素晶體管Tr產(chǎn)生缺陷時(shí)像素單元P’的電路構(gòu)造。在采用常黑模式的情況下，對(duì)應(yīng)于像素晶體管Tr的柵極和像素電極Ib的上述短路，像素電極Ib通過圖中的電阻Rg被上拉到柵極電位Vddg。
[0056]于是，在像素電極Ib和對(duì)置電極Ic之間恒定地施加了與“Vddg-Vcom”的量相對(duì)應(yīng)的直流電壓。因此，在這種情況下，像素I變成亮點(diǎn)。
[0057]因此，在本實(shí)施例中，如圖1所示，像素單元P設(shè)置有反熔絲元件3。通過使作為亮點(diǎn)的像素單元P中的反熔絲元件3電導(dǎo)通,像素單元P從亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)，以提高產(chǎn)量。
[0058]圖5等效示出了在反熔絲元件3電導(dǎo)通時(shí)像素單元P的電路構(gòu)造。
[0059]如圖所示，電導(dǎo)通后的反熔絲元件3可以被看作是具有所需電阻值的電阻Rh。
[0060]在本實(shí)施例中，反熔絲元件3的電阻Rh的電阻值小于像素晶體管Tr的柵極和像素電極Ib之間的電阻Rg的電阻值(當(dāng)由于缺陷而在像素晶體管Tr的柵極和像素電極Ib之間發(fā)生短路時(shí)，像素晶體管Tr的柵極和漏極之間的電阻值)。
[0061]這樣，當(dāng)像素晶體管Tr出現(xiàn)缺陷時(shí)，像素電極Ib可以與對(duì)置電極Ic的電位一樣短路成相同的電位。也就是說，像素電極Ib可以基本上被下拉到共同電壓信號(hào)線Lcom的電位Vcom。[0062]結(jié)果，可以防止產(chǎn)生與對(duì)置電極Ic之間的電位差異。像素I可以恒定地處于黑色顯示狀態(tài)(暗點(diǎn))。也就是說，能夠?qū)⒁蔀榱咙c(diǎn)的像素I轉(zhuǎn)換成暗點(diǎn)。
[0063]以這種方式，能夠?qū)⒁蔀榱咙c(diǎn)的像素I改變成具有低光譜發(fā)光效率的暗點(diǎn)。因此，可以提聞廣品廣量。
[0064]與上述傳統(tǒng)的用于將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)的方法(專利文獻(xiàn)I和2)不同的是，沒有使用通過激光照射破壞像素的方法。因此，在沒有使用額外的激光照射設(shè)備以及沒有引起其它缺陷的情況下，能夠通過將亮點(diǎn)轉(zhuǎn)換為暗點(diǎn)來更有效地提高產(chǎn)量。
[0065]2.使反熔絲元件電導(dǎo)通的驅(qū)動(dòng)方法
[0066]接下來，將參照?qǐng)D6至8說明用于使反熔絲元件3電導(dǎo)通的具體驅(qū)動(dòng)方法。
[0067]圖6是本實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示面板的整體構(gòu)造的框圖。
[0068]在本實(shí)施例中，將首先描述下面的示例。在該示例中，在水平方向上排列的信號(hào)線Ls以每η個(gè)信號(hào)線Ls進(jìn)行分組。對(duì)于每η個(gè)信號(hào)線Ls，同時(shí)進(jìn)行寫入(所謂的η相驅(qū)動(dòng))。具體而言，本示例涉及布置在單個(gè)柵極線Lg上的像素單元P的驅(qū)動(dòng)。不進(jìn)行每個(gè)像素單元P的順序?qū)懭?。而是?duì)每η個(gè)像素單元P進(jìn)行同時(shí)寫入。
[0069]在這種情況下，將受到同時(shí)寫入的模塊的數(shù)量設(shè)定為I。因此，該顯示面板設(shè)置有η*1個(gè)信號(hào)線Ls。
[0070]圖中的H1、H2、...H1成為用于在η相驅(qū)動(dòng)時(shí)對(duì)各個(gè)模塊進(jìn)行同時(shí)寫入的同步信號(hào)。具體地，這些信號(hào)是用于開啟/關(guān)閉屬于每個(gè)模塊的η個(gè)信號(hào)線的信號(hào)。
[0071]在圖6中，顯示面板的柵極線Lg被設(shè)定為m個(gè)柵極線Lg。在此，m個(gè)柵極線Lg由H...、vm表不。
[0072]此外，η個(gè)信號(hào)線Ls由D1'D2、…、Dn表不。
[0073]在圖中，只抽取和示出了柵極線Lg上的屬于第二個(gè)同時(shí)寫入模塊(根據(jù)同步信號(hào)H2對(duì)其執(zhí)行寫入的模塊)的η個(gè)(總共n*m個(gè))像素單元P。總數(shù)m*n個(gè)像素單元P由參考符號(hào)P11至Pmn表示。在此，對(duì)于像素單元P的附圖標(biāo)記，左側(cè)的下標(biāo)符號(hào)表示與像素單元P連接的柵極線Lg，右側(cè)的下標(biāo)符號(hào)表示與像素單元P連接的信號(hào)線Ls。
[0074]在該顯示面板中，圖中的柵極線驅(qū)動(dòng)電路15驅(qū)動(dòng)m個(gè)柵極線Lg。此外，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路16驅(qū)動(dòng)n*l個(gè)信號(hào)線Ls。
[0075]具體地，柵極線驅(qū)動(dòng)電路15在一個(gè)幀周期內(nèi)一個(gè)接一個(gè)地順序驅(qū)動(dòng)m個(gè)柵極線Lg0
[0076]針對(duì)每η個(gè)信號(hào)線，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路16通過使用同步信號(hào)H1至H1來接通/斷開信號(hào)線。在一個(gè)水平線周期(1H周期)內(nèi)，針對(duì)每η個(gè)信號(hào)線，順序驅(qū)動(dòng)總數(shù)n*l個(gè)信號(hào)線。
[0077]圖7是用于說明顯示面板的典型驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
[0078]在圖7中，抽取并示出了針對(duì)圖6所示的第二柵極線D2上的第二個(gè)同時(shí)寫入模塊的驅(qū)動(dòng)波形。具體地，示出了同步信號(hào)H2、每個(gè)信號(hào)線Dp D2和Dn的驅(qū)動(dòng)信號(hào)、以及每個(gè)像素單元P21、P22和P2n中的像素電極Ib上的施加電壓。
[0079]在正常驅(qū)動(dòng)時(shí)，將與顯示數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的信號(hào)電壓Vsig(圖中的電位Vsig21、Vsig22、Vsig2n)施加到信號(hào)線D1' D2和Dn。此時(shí)，電壓Vsig與施加到對(duì)置電極Ic的電位Vcom之間的差值變?yōu)槭┘拥较袼豂和反熔絲元件3的有效電壓(圖中斜線部分)。
[0080]圖8是用于說明使反熔絲元件電導(dǎo)通的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
[0081]在此，將像素單元P22中出現(xiàn)亮點(diǎn)缺陷而且像素單元P22中的反熔絲元件3電導(dǎo)通的情況作為示例進(jìn)行說明。
[0082]如同圖7，圖8示出了同步信號(hào)H2、每個(gè)信號(hào)線Dp D2和Dn的驅(qū)動(dòng)信號(hào)、以及每個(gè)像素單元P21、P22和P2n中的像素電極Ib上的施加電壓。
[0083]當(dāng)反熔絲元件3電導(dǎo)通時(shí)，在被選擇的與作為目標(biāo)的像素單元P (這種情況下為像素單元P22)相連接的柵極線Lg(這種情況下為柵極線V2)的水平線周期內(nèi)，通過僅驅(qū)動(dòng)與作為目標(biāo)的像素單元P相連接的信號(hào)線Ls (這種情況下為信號(hào)線D2)，將具有比反熔絲元件3的電擊穿電壓更高的電位的電壓施加到反熔絲元件3。
[0084]具體地，在本示例中，如圖所示，將公共電壓信號(hào)線Lcom的電位Vcom設(shè)定為GND(或者盡可能低的電位)。除了使反熔絲元件3電導(dǎo)通的像素單元P之外，將信號(hào)線電壓Vsig也設(shè)定為與電位Vcom相同的電位。只是將使反熔絲元件3電導(dǎo)通的像素單元P的信號(hào)線電壓Vsig設(shè)定為等于或高于反熔絲元件3的電擊穿電壓的電位。
[0085]由此，僅選擇性地使作為目標(biāo)的像素單元P中的反熔絲元件3電導(dǎo)通。
[0086]注意，在圖8中，像素單元P22的斜線部分對(duì)應(yīng)于施加到反熔絲元件3的有效電壓(電壓*時(shí)間)。
[0087]圖9示出了用于檢測(cè)亮點(diǎn)像素并使亮點(diǎn)像素的反熔絲元件3電導(dǎo)通的構(gòu)造示例。
[0088]首先,在圖9中，顯示設(shè)備20表示包括上文參照?qǐng)D6所述的顯示面板的顯示設(shè)備。如圖所示，顯示設(shè)備20至少包括顯示單元21、柵極線驅(qū)動(dòng)電路15、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路16、以及顯示控制電路22。在此，顯示單元21是指從圖6所示的顯示面板中去除柵極線驅(qū)動(dòng)電路15和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路16后所得的部分。在圖中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路16和顯示單元21之間的粗線H所表示的線通常表示圖6所示的同步信號(hào)線氏、H2、...氏。粗線D所表示的線通常表示圖6所示的n*l個(gè)信號(hào)線D。
[0089]顯示控制電路22命令柵極線驅(qū)動(dòng)電路15按照預(yù)定時(shí)序驅(qū)動(dòng)m個(gè)柵極線V1至Vm。此外，顯示控制電路22命令信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路16執(zhí)行同步信號(hào)H1至H1的輸出控制以及用于每η個(gè)信號(hào)線D的信號(hào)線D的驅(qū)動(dòng)控制。而且，顯示控制電路22可以調(diào)節(jié)通過公共電壓信號(hào)線Lcom提供到顯示單元21的電位Vcom。
[0090]在這種情況下，成像設(shè)備30和檢測(cè)設(shè)備40用來檢測(cè)亮點(diǎn)像素。
[0091]如圖所示，成像設(shè)備30包括成像單元31和圖像處理器32。成像單元31包括成像透鏡3IA和成像元件31B。圖像處理器32通過處理成像元件3IB的檢測(cè)信號(hào)來獲取捕捉圖
像信號(hào)。[0092]成像設(shè)備30捕捉顯示單元21的顯示器圖像。由此獲得的捕捉圖像信號(hào)被提供到檢測(cè)設(shè)備40。
[0093]檢測(cè)設(shè)備40包括缺陷檢測(cè)器41和修正目標(biāo)像素地址計(jì)算器42。
[0094]根據(jù)從成像設(shè)備30提供的捕捉圖像信號(hào)，缺陷檢測(cè)器41檢測(cè)那個(gè)捕捉圖像中的亮點(diǎn)的位置。然后，缺陷檢測(cè)器41將位置信息提供到修正目標(biāo)像素地址計(jì)算器42。
[0095]基于缺陷檢測(cè)器41所提供的位置信息，修正目標(biāo)像素地址計(jì)算器42計(jì)算缺陷像素(亮點(diǎn)像素)在顯示單元21上的像素地址。然后，修正目標(biāo)像素地址計(jì)算器42將所計(jì)算的像素地址的有關(guān)信息提供至顯示設(shè)備20中的顯示控制電路22。
[0096]顯示控制電路22控制柵極線驅(qū)動(dòng)電路15和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路16并調(diào)節(jié)電位Vcom，使得由所提供的像素地址的有關(guān)信息指定的像素單元P中的反熔絲元件3電導(dǎo)通。注意，用于使所指定的像素單元P中的反熔絲元件3電導(dǎo)通的驅(qū)動(dòng)方法是上文參照?qǐng)D8所述的方法。在此不再重復(fù)說明。
[0097]注意，例如，如果不存在亮點(diǎn)，則亮點(diǎn)不存在的有關(guān)信息僅需要顯示在檢測(cè)設(shè)備40的顯示單元(未示出)上，并且呈現(xiàn)給檢查者等。
[0098]如果像素電極Ib由于像素單元P中的像素晶體管Tr的缺陷而與柵極線Lg短路并從而使像素單元P變?yōu)榱咙c(diǎn)，則需要考慮即使通過驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線Lg也不能使柵極開啟的情況。
[0099]考慮到這種情形，期望將反熔絲元件3的電擊穿電壓設(shè)定為低于柵極電位Vddg。
[0100]如同在上述方法中，在對(duì)反熔絲元件3的電擊穿電壓進(jìn)行這種設(shè)定的情況下，采用了使電位Vcom降低到與GND具有相同電位的方法。由此，通過將柵極電壓Vddg施加到與作為目標(biāo)的像素單元P相連接的柵極線Lg，能夠使像素單元P中的反熔絲元件3電導(dǎo)通。也就是說，即使柵極電壓Vddg的施加不會(huì)開啟柵極，仍能夠使作為目標(biāo)的反熔絲元件3電導(dǎo)通。
[0101]注意，在這種情況下，僅通過將柵極電壓Vddg施加到與作為目標(biāo)的像素單元P (即，作為亮點(diǎn)的像素單元P)相連接的柵極線Lg，能夠僅使作為目標(biāo)的像素單元P中的反熔絲元件3電導(dǎo)通。然而，此時(shí)，可以任意選擇是否驅(qū)動(dòng)信號(hào)線Ls。
[0102]如果省略了信號(hào)線Ls的驅(qū)動(dòng)，則能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化用于使反熔絲元件3電導(dǎo)通的驅(qū)動(dòng)方法。
[0103]在上文中，假定采用了使電位Vcom降低到具有與GND相同電位的方法。然而，如果不采用該方法，則僅需要將具有比反熔絲元件3的電擊穿電壓高的電位的電壓施加到與作為目標(biāo)的像素單元P相連接的柵極線Lg。
[0104]3.變型示例
[0105]盡管上面已經(jīng)說明了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)限制于上述具體示例。
[0106]例如，在上面的說明中，假設(shè)采用這樣的構(gòu)造:輔助電容器2的第二電極2b與像素I的對(duì)置電極Ic 一起連接至公共電壓信號(hào)線Lcom。因此，反熔絲元件3也連接到公共電壓信號(hào)線Lcom。然而，如圖10所示，也可以采用下面的構(gòu)造。在此構(gòu)造中，輔助電容器2的第二電極2b連接到與公共電壓信號(hào)線Lcom分開設(shè)置的輔助電容器布線Lcs (例如，參見日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_號(hào)2007-52290)。
[0107]如圖10所示，如果輔助電容器2的第二電極2b以這種方式連接至輔助電容器布線Lcs，反熔絲元件3也可以連接到輔助電容器布線Lcs (稱為像素單元P”)。具體地，在該像素單元P”中，反熔絲元件3的一端連接至像素晶體管Tr的漏極，而另一端連接至輔助電容器布線Lcs。
[0108]在此，盡管圖中未示出，但輔助電容器布線Lcs短路成顯示面板外的公共電壓信號(hào)線Lcom的電位Vcom，或連接至用于產(chǎn)生與電位Vcom相同的電位的另一個(gè)電源。也就是說，以這種方式，輔助電容器布線Lcs的電位Vcs和公共電壓信號(hào)線Lcom的電位Vcom具有幾乎相同的電位。
[0109]因此，同樣地，在采用圖10所示的構(gòu)造的情況下，通過使反熔絲元件3電導(dǎo)通使像素電極Ib短路為與電位Vcom相同的電位。也就是說，如同圖1所示的構(gòu)造的情況，在圖10所示的變形示例的構(gòu)造的情況下，同樣地，通過使反熔絲元件3電導(dǎo)通，能夠?qū)⒘咙c(diǎn)轉(zhuǎn)換成暗點(diǎn)。
[0110]應(yīng)該注意的是，本發(fā)明還可以采用以下構(gòu)造。
[0111](I)顯示設(shè)備，包括像素單元，所述像素單元包括:
[0112]像素晶體管，其通過柵極線的驅(qū)動(dòng)而電導(dǎo)通；
[0113]像素，其包括像素電極、對(duì)置電極以及液晶層；
[0114]輔助電容器；以及
[0115]反熔絲元件，
[0116]其中，在所述像素單元中，所述液晶層形成在所述像素電極和所述對(duì)置電極之間，所述像素單元設(shè)置在多條柵極線和多條信號(hào)線之間的每個(gè)交叉點(diǎn)處，且所述像素電極、所述輔助電容器的一端和所述反熔絲元件的一端連接到所述像素晶體管的漏極。
[0117](2)根據(jù)第(I)項(xiàng)的顯示設(shè)備，其中，所述反熔絲元件在電導(dǎo)通之后的電阻值低于在所述柵極線和所述像素電極短路時(shí)所述像素晶體管的柵極和漏極之間的電阻值。
[0118](3)根據(jù)第(2)項(xiàng)的顯示設(shè)備，其中，所述反熔絲元件的電擊穿電壓低于柵極電壓。
[0119](4)根據(jù)第(I)至(3)項(xiàng)之一的顯示設(shè)備，其中，所述反熔絲元件的另一端連接到公共電壓信號(hào)線。
[0120](5)根據(jù)第(I)至(3)項(xiàng)之一的顯示設(shè)備，其中，所述反熔絲元件的另一端連接到輔助電容器布線。
[0121](6) 一種用于顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示設(shè)備包括像素單元，所述像素單元包括:
[0122]像素晶體管，其通過柵極線的驅(qū)動(dòng)而電導(dǎo)通；
[0123]像素，其包括像素電極、對(duì)置電極以及液晶層；
[0124]輔助電容器；以及
[0125]反熔絲元件，
[0126]其中，在所述像素單元中，所述液晶層形成在所述像素電極和所述對(duì)置電極之間，所述像素單元設(shè)置在多條柵極線和多條信號(hào)線之間的每個(gè)交叉點(diǎn)處，且所述像素電極、所述輔助電容器的一端和所述反熔絲元件的一端連接到所述像素晶體管的漏極，
[0127]所述驅(qū)動(dòng)方法包括:
[0128]至少驅(qū)動(dòng)與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述柵極線，以使所述反熔絲元件電導(dǎo)通。
[0129](7)根據(jù)第(6)項(xiàng)的驅(qū)動(dòng)方法，還包括:
[0130]在施加用于使所述反熔絲元件電導(dǎo)通的電壓之前，降低所述反熔絲元件的另一端的電位。
[0131](8)根據(jù)第(6)或(7)項(xiàng)的驅(qū)動(dòng)方法，還包括:
[0132]驅(qū)動(dòng)與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述柵極線和所述信號(hào)線，以使所述反熔絲元件電導(dǎo)通。
[0133](9)根據(jù)第(6)至⑶項(xiàng)之一的驅(qū)動(dòng)方法，還包括:
[0134]向與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述柵極線施加如下電壓，該電壓的電位高于所述反熔絲元件的電擊穿電壓。
[0135](10)根據(jù)第(6)至(9)項(xiàng)之一的驅(qū)動(dòng)方法，還包括:
[0136]向與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述信號(hào)線施加如下電壓，該電壓的電位高于所述反熔絲元件的電擊穿電壓。
[0137]本申請(qǐng)包含與2012年7月5日向日本專利局提交的日本在先專利申請(qǐng)JP2012-151388的公開內(nèi)容相關(guān)的主題，在這里將該在先申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文。
[0138]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括像素單元，所述像素單元包括: 像素晶體管，其通過柵極線的驅(qū)動(dòng)而電導(dǎo)通； 像素，其包括像素電極、對(duì)置電極以及液晶層； 輔助電容器；以及 反熔絲元件， 其中，在所述像素單元中，所述液晶層形成在所述像素電極和所述對(duì)置電極之間，所述像素單元設(shè)置在多條柵極線和多條信號(hào)線之間的每個(gè)交叉點(diǎn)處，且所述像素電極、所述輔助電容器的一端和所述反熔絲元件的一端連接到所述像素晶體管的漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述反熔絲元件在電導(dǎo)通之后的電阻值低于在所述柵極線和所述像素電極短路時(shí)所述像素晶體管的柵極和漏極之間的電阻值。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，所述反熔絲元件的電擊穿電壓低于柵極電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述反熔絲元件的另一端連接到公共電壓信號(hào)線。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述反熔絲元件的另一端連接到輔助電容器布線。
6.一種用于顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示設(shè)備包括像素單元，所述像素單元包括: 像素晶體管，其通過柵極線的驅(qū)動(dòng)而電導(dǎo)通； 像素，其包括像素電極、對(duì)置電極以及液晶層； 輔助電容器；以及 反熔絲元件， 其中，在所述像素單元中，所述液晶層形成在所述像素電極和所述對(duì)置電極之間，所述像素單元設(shè)置在多條柵極線和多條信號(hào)線之間的每個(gè)交叉點(diǎn)處，且所述像素電極、所述輔助電容器的一端和所述反熔絲元件的一端連接到所述像素晶體管的漏極， 所述驅(qū)動(dòng)方法包括: 至少驅(qū)動(dòng)與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述柵極線，以使所述反熔絲元件電導(dǎo)通。
7.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)方法，其還包括: 在施加用于使所述反熔絲元件電導(dǎo)通的電壓之前，降低所述反熔絲元件的另一端的電位。
8.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)方法，其還包括: 驅(qū)動(dòng)與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述柵極線和所述信號(hào)線，以使所述反熔絲元件電導(dǎo)通。
9.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)方法，其還包括: 向與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述柵極線施加如下電壓，該電壓的電位高于所述反熔絲元件的電擊穿電壓。
10.如權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)方法，其還包括: 向與作為亮點(diǎn)的所述像素單元相連接的所述信號(hào)線施加如下電壓，該電壓的電位高于所述反熔絲元件的電擊穿電壓。
【文檔編號(hào)】G09G3/36GK103531159SQ201310258401
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月5日
【發(fā)明者】土井勇介 申請(qǐng)人:索尼公司