專利名稱：固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固態(tài)體積式真三維顯液晶光閥快速驅(qū)動技術(shù)，尤其涉及固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
固態(tài)體積式真三維顯示是將具有不同深度信息的三維物體的多層切片圖像，通過高速投影裝置依次順序投影到對應(yīng)深度的一組液晶光閥上，從而在三維空間產(chǎn)生具有真實物理深度的真三維圖像。固態(tài)體積式真三維顯示的液晶光閥一般用F1DLC (Polymer DispersedLiquid Crystal，聚合物分散液晶)材料制成。在無外加電壓的狀態(tài)下，PDLC呈現(xiàn)不透明的散射態(tài)；而在外加電壓的驅(qū)動下，TOLC呈現(xiàn)透明態(tài)，因此TOLC可以作為光開關(guān)應(yīng)用在固態(tài)體積式真三維顯示中。相比于常規(guī)DLP顯示，固態(tài)體積式真三維顯示的投影頻率很高，例如20層液晶光閥，60Hz顯示刷新率的情況下，投影頻率為1200Hz，要求液晶光閥至少具有0. 83ms的響應(yīng)速度。為了得到較好的光電響應(yīng)曲線，要求上升時間(液晶光閥從透明態(tài)轉(zhuǎn)換為散射態(tài)的時間)和下降時間(液晶光閥從散射態(tài)轉(zhuǎn)換為透明態(tài)的時間)均小于0.1ms0對于液晶光閥而言，隨著尺寸的增大，其等效電阻和等效電容隨之增大，充放電時間隨之延長，液晶光閥的狀態(tài)轉(zhuǎn)換速度下降。因此，在固態(tài)體積式真三維顯示系統(tǒng)設(shè)計中，液晶光閥，尤其是大尺寸液晶光閥的快速驅(qū)動電路設(shè)計既十分重要，又具有很大的設(shè)計難度，要求驅(qū)動電路開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻低，能承受瞬間大電流，安全性高。并且，為了消除單極性驅(qū)動電場對電路系統(tǒng)的干擾與損壞，增加液晶光閥的使用壽命，驅(qū)動電路及驅(qū)動方法應(yīng)采用正負極交替驅(qū)動的方法。目前業(yè)內(nèi)尚無專門應(yīng)用在固態(tài)體積式真三維顯示中的大尺寸液晶光閥(如32英寸以上)快速驅(qū)動電路及驅(qū)動方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法。該驅(qū)動電路可應(yīng)用在液晶光閥，尤其是大尺寸液晶光閥的快速驅(qū)動上，具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻低，能承受瞬間大電流的特點，采用正負極交替驅(qū)動，并且安全性高。 本發(fā)明的目的通過采用如下技術(shù)方案實現(xiàn)
固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包括
第一光電耦合器陽極接第一掃描線的限流電阻，陰極接數(shù)字地端，集電極接電源線，發(fā)射極接第一半橋驅(qū)動器的邏輯輸入端，并通過限流電阻接模擬地端；
第二光電耦合器陽極接第二掃描線的限流電阻，陰極接數(shù)字地端，集電極接電源線，發(fā)射極接第二半橋驅(qū)動器的邏輯輸入端，并通過限流電阻接模擬地端；
第一半橋驅(qū)動器低端及邏輯固定供電腳接電源線，并接自舉升壓二極管陽極，邏輯關(guān)斷輸入腳接與非門輸出腳，低端回路腳接模擬地端，低端門驅(qū)動輸出腳接第二開關(guān)晶體管柵極，高端懸浮供電回路腳接第二開關(guān)晶體管漏極，并接尖峰抑制二極管陰極以及自舉升壓電容的B端，高端門驅(qū)動輸出腳接第一開關(guān)晶體管柵極，高端懸浮供電腳接自舉升壓二極管陰極，并接自舉升壓電容的A端；
第二半橋驅(qū)動器低端及邏輯固定供電腳接電源線，并接自舉升壓二極管陽極，邏輯關(guān)斷輸入腳接與非門輸出腳，低端回路腳接模擬地端，低端門驅(qū)動輸出腳接第四開關(guān)晶體管柵極，高端懸浮供電回路腳接第四開關(guān)晶體管漏極，并接尖峰抑制二極管陰極以及自舉升壓電容的B端，高端門驅(qū)動輸出腳接第三開關(guān)晶體管柵極，高端懸浮供電腳接自舉升壓二極管陰極，并接自舉升壓電容的A端；
第一開關(guān)晶體管源極接尖峰抑制二極管陽極，漏極接液晶光閥驅(qū)動電源線；
第二開關(guān)晶體管源極接模擬地端；
第三開關(guān)晶體管源極接尖峰抑制二極管陽極，漏極接液晶光閥驅(qū)動電源線；
第四開關(guān)晶體管源極接模擬地端；
與非門邏輯輸入a腳接第一光電稱合器發(fā)射極，邏輯輸入b腳接第二光電稱合器發(fā)射極。上述第一半橋驅(qū)動器，第二半橋驅(qū)動器為具有高端和低端門驅(qū)動輸出、可驅(qū)動N溝道功率金屬氧化物場效應(yīng)晶體管的半橋驅(qū)動器；
上述第一開關(guān)晶體管，第二開關(guān)晶體管，第三開關(guān)晶體管，第四開關(guān)晶體管為N溝道功率金屬氧化物場效應(yīng)晶體管；
上述固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路，所采用的驅(qū)動方法，包括下列步驟正向充電階段第一掃描控制線由低電平跳變至高電平，第二掃描控制線處于低電平，此時第一開關(guān)晶體管打開，第二開關(guān)晶體管關(guān)閉，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥被正向充電；
正向電場保持階段第一掃描控制線處于高電平，第二掃描控制線處于低電平，液晶光閥充電完成，此時第一開關(guān)晶體管打開，第二開關(guān)晶體管關(guān)閉，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥保持透明態(tài)；
正向放電階段第一掃描控制線由高電平跳變至低電平，第二掃描控制線處于低電平，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥被正向放電；
正向零電場保持階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線處于低電平，液晶光閥放電完成，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥保持散射態(tài)；
反向充電階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線由低電平跳變至高電平，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管打開，第四開關(guān)晶體管關(guān)閉，液晶光閥被反向充電；
反向電場保持階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線處于高電平，液晶光閥充電完成，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管打開，第四開關(guān)晶體管關(guān)閉，液晶光閥保持透明態(tài)；
反向放電階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線由高電平跳變至低電平，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥被反向放電； 反向零電場保持階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線處于低電平，液晶光閥放電完成，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥保持散射態(tài)；
上述正向放電階段，是對液晶光閥放電直到其放電結(jié)束；反向放電階段，是對液晶光閥放電直到其放電結(jié)束；正向充電階段，是對液晶光閥充電直到其飽和；反向充電階段，是對液晶光閥充電直到其飽和。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明電路的優(yōu)點及效果在于
1、液晶光閥充放電回路中具有很小的導(dǎo)通電阻，且通過半橋驅(qū)動器驅(qū)動功率M0SFET，減小了 MOSFET的開關(guān)時間，提高了大尺寸液晶光閥的充放電速度；
2、采用對稱結(jié)構(gòu)的正反向充放電回路，通過采用本發(fā)明的驅(qū)動方法可以實現(xiàn)對液晶光閥的正反向交替充放電，不僅可以消除單極性電場對電路系統(tǒng)干擾和影響，而且可以提高液晶光閥的使用壽命。3、采用光電耦合器隔離了數(shù)字控制信號與模擬高壓電路，采用與非門屏蔽非法邏輯狀態(tài)，使電路更加安全可靠；


圖1是本發(fā)明固態(tài)體積式真二維液晶光閥快速驅(qū)動電路原理圖。圖2是本發(fā)明固態(tài)體積式真二維液晶光閥快速驅(qū)動電路的信號時序圖。圖3是本發(fā)明固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路液晶光閥兩端的電壓瞬態(tài)響應(yīng)圖。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例和附圖對本發(fā)明進行進一步詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。如圖1所示，本發(fā)明固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路，包括第一光電耦合器0P1，第二光電耦合器0P2，第一半橋驅(qū)動器U1，第二半橋驅(qū)動器U2，第一開關(guān)晶體管Ql,第二開關(guān)晶體管Q2,第三開關(guān)晶體管Q3,第四開關(guān)晶體管Q4,與非門NANDl。該第一光電耦合器OPl的陽極接第一掃描線Scanl的限流電阻R1，陰極接數(shù)字地端DGND，集電極接+5V電源線，發(fā)射極接第一半橋驅(qū)動器Ul的邏輯輸入端，并通過限流電阻R2接模擬地端AGND。該第二光電耦合器0P2的陽極接第二掃描線Scan2的限流電阻R3，陰極接數(shù)字地端DGND，集電極接+5V電源線，發(fā)射極接第一半橋驅(qū)動器U2的邏輯輸入端，并通過限流電阻R4接模擬地端AGND。該第一半橋驅(qū)動器低端及邏輯固定供電腳接+12V電源線，并接自舉升壓二極管陽極D1，邏輯關(guān)斷輸入腳接與非門NANDl輸出腳，低端回路腳接模擬地端AGND，低端門驅(qū)動輸出腳接第二開關(guān)晶體管Q2柵極，高端懸浮供電回路腳接第二開關(guān)晶體管Q2漏極，并接尖峰抑制二極管D3陰極以及自舉升壓電容Cl的B端，高端門驅(qū)動輸出腳接第一開關(guān)晶體管Ql柵極，高端懸浮供電腳接自舉升壓二極管Dl陰極，并接自舉升壓電容Cl的A端。該第二半橋驅(qū)動器低端及邏輯固定供電腳接+12V電源線，并接自舉升壓二極管陽極D2，邏輯關(guān)斷輸入腳接與非門NANDl輸出腳，低端回路腳接模擬地端AGND，低端門驅(qū)動輸出腳接第四開關(guān)晶體管Q4柵極，高端懸浮供電回路腳接第四開關(guān)晶體管Q4漏極，并接尖峰抑制二極管D4陰極以及自舉升壓電容C4的B端，高端門驅(qū)動輸出腳接第三開關(guān)晶體管Q3柵極，高端懸浮供電腳接自舉升壓二極管D2陰極，并接自舉升壓電容C2的A端。該第一開關(guān)晶體管源極接尖峰抑制二極管D3陽極，漏極接液晶光閥驅(qū)動電源線VCC_HV0該第二開關(guān)晶體管源極接模擬地端AGND。該第三開關(guān)晶體管源極接尖峰抑制二極管D4陽極，漏極接液晶光閥驅(qū)動電源線VCC_HV0該第四開關(guān)晶體管源極接模擬地端AGND。該與非門邏輯輸入a腳接第一光電耦合器OPl發(fā)射極，邏輯輸入b腳接第二光電耦合器0P2發(fā)射極。第一半橋驅(qū)動器，第二半橋驅(qū)動器采用具有高端和低端門驅(qū)動輸出、可驅(qū)動N溝道功率金屬氧化物場效應(yīng)晶體管的半橋驅(qū)動器；第一開關(guān)晶體管，第二開關(guān)晶體管，第三開關(guān)晶體管，第四開關(guān)晶體管采用N溝道功率金屬氧化物場效應(yīng)晶體管。液晶光閥快速驅(qū)動電路工作時，通過控制第一掃描線Scanl和第二掃描線Scan2的輸入使液晶光閥按照一定時序在各狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。數(shù)字信號線的輸入如圖2所示。固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動方法，通過下列步驟實現(xiàn)
正向充電階段第一掃描控制線Scanl由低電平跳變至高電平，第二掃描控制線Scan2處于低電平，此時第一開關(guān)晶體管Ql打開，第二開關(guān)晶體管Q2關(guān)閉，第三開關(guān)晶體管Q3關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管Q4打開，液晶光閥被正向充電；
正向電場保持階段第一掃描控制線Scanl處于高電平，第二掃描控制線Scan2處于低電平，液晶光閥充電完成，此時第一開關(guān)晶體管Ql打開，第二開關(guān)晶體管Q2關(guān)閉，第三開關(guān)晶體管Q3關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管Q4打開，液晶光閥保持透明態(tài)；
正向放電階段第一掃描控制線Scanl由高電平跳變至低電平，第二掃描控制線Scan2處于低電平，此時第一開關(guān)晶體管Ql關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管Q2打開，第三開關(guān)晶體管Q3關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管Q4打開，液晶光閥被正向放電；
正向零電場保持階段第一掃描控制線Scanl處于低電平,第二掃描控制線Scan2處于低電平，液晶光閥放電完成，此時第一開關(guān)晶體管Ql關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管Q2打開，第三開關(guān)晶體管Q3關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管Q4打開,液晶光閥保持散射態(tài)；
反向充電階段第一掃描控制線Scanl處于低電平,第二掃描控制線Scan2由低電平跳變至高電平，此時第一開關(guān)晶體管Ql關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管Q2打開，第三開關(guān)晶體管Q3打開，第四開關(guān)晶體管Q4關(guān)閉，液晶光閥被反向充電；
反向電場保持階段第一掃描控制線Scanl處于低電平，第二掃描控制線Scan2處于高電平，液晶光閥充電完成，此時第一開關(guān)晶體管Ql關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管Q2打開，第三開關(guān)晶體管Q3打開，第四開關(guān)晶體管Q4關(guān)閉，液晶光閥保持透明態(tài)；
反向放電階段第一掃描控制線Scanl處于低電平,第二掃描控制線Scan2由高電平跳變至低電平，此時第一開關(guān)晶體管Ql關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管Q2打開，第三開關(guān)晶體管Q3關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管Q4打開，液晶光閥被反向放電； 反向零電場保持階段第一掃描控制線Scanl處于低電平,第二掃描控制線Scan2處于低電平，液晶光閥放電完成，此時第一開關(guān)晶體管Ql關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管Q2打開，第三開關(guān)晶體管Q3關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管Q4打開,液晶光閥保持散射態(tài)。圖3所示為上述各階段的液晶光閥兩端的的電壓瞬態(tài)響應(yīng)。上述正向放電階段，是對液晶光閥放電直到其放電結(jié)束；反向放電階段，是對液晶光閥放電直到其放電結(jié)束；正向充電階段，是對液晶光閥充電直到其飽和；反向充電階段，是對液晶光閥充電直到其飽和。在本發(fā)明固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路中，液晶光閥的充電時間和放電時間是影響液晶光閥驅(qū)動電路性能的重要因素。在本發(fā)明的驅(qū)動電路中，影響液晶光閥的充電時間和放電時間的主要有兩個因素，即充放電回路的等效電阻和開關(guān)晶體管的開關(guān)速度。本發(fā)明的驅(qū)動電路的充放電回路等效電阻包括VCC_HV的電源內(nèi)阻、開關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻、尖峰抑制二極管的導(dǎo)通電阻以及電極與液晶光閥的接觸電阻等。通過選擇合適的元器件型號和焊接結(jié)構(gòu)工藝可以將等效電阻控制在很小的范圍內(nèi)。另外，本發(fā)明的驅(qū)動電路通過采用半橋驅(qū)動器來驅(qū)動開關(guān)晶體管，使開關(guān)晶體管的柵極獲得很大的驅(qū)動電流，從而加快了開關(guān)晶體管的開關(guān)速度。在本發(fā)明固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路中，采用對稱結(jié)構(gòu)的正反向充放電回路，通過采用本發(fā)明的驅(qū)動方法可以實現(xiàn)對液晶光閥的正反向交替充放電。交變電場不僅可以消除單極性電場對電路系統(tǒng)干擾和影響，而且可以提高液晶光閥的使用壽命。在本發(fā)明固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路中，采用第一光電耦合器OPl和第二光電耦合器OPl隔離了數(shù)字控制信號與后級模擬高壓電路，避免了高壓電路對數(shù)字電路可能產(chǎn)生的干擾與損壞。另外，根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動方法可知，第一掃描控制線Scanl和第二掃描控制線Scan2同時處于高電平屬于非法邏輯狀態(tài)，驅(qū)動電路通過采用與非門NANDI,在此狀態(tài)時關(guān)閉第一半橋驅(qū)動器Ul和第二半橋驅(qū)動器U2，充放電電路停止工作，使電路更加安全可靠。上述實施例僅是本發(fā)明的較佳實現(xiàn)方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所做的修改、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路，其特征在于，包括有兩個光電耦合器、兩個半橋驅(qū)動器、四個開關(guān)晶體管、一個與非門；第一光電耦合器的陽極接第一掃描線的限流電阻，陰極接數(shù)字地端，集電極接電源線， 發(fā)射極接第一半橋驅(qū)動器的邏輯輸入端，并通過限流電阻接模擬地端；第二光電耦合器的陽極接第二掃描線的限流電阻，陰極接數(shù)字地端，集電極接電源線， 發(fā)射極接第二半橋驅(qū)動器的邏輯輸入端，并通過限流電阻接模擬地端；第一半橋驅(qū)動器的低端及邏輯固定供電腳接電源線，并接自舉升壓二極管陽極，邏輯關(guān)斷輸入腳接與非門輸出腳，低端回路腳接模擬地端，低端門驅(qū)動輸出腳接第二開關(guān)晶體管柵極，高端懸浮供電回路腳接第二開關(guān)晶體管漏極，并接尖峰抑制二極管陰極以及自舉升壓電容的B端，高端門驅(qū)動輸出腳接第一開關(guān)晶體管柵極，高端懸浮供電腳接自舉升壓二極管陰極，并接自舉升壓電容的A端；第二半橋驅(qū)動器的低端及邏輯固定供電腳接電源線，并接自舉升壓二極管陽極，邏輯關(guān)斷輸入腳接與非門輸出腳，低端回路腳接模擬地端，低端門驅(qū)動輸出腳接第四開關(guān)晶體管柵極，高端懸浮供電回路腳接第四開關(guān)晶體管漏極，并接尖峰抑制二極管陰極以及自舉升壓電容的B端，高端門驅(qū)動輸出腳接第三開關(guān)晶體管柵極，高端懸浮供電腳接自舉升壓二極管陰極，并接自舉升壓電容的A端；第一開關(guān)晶體管的源極接尖峰抑制二極管陽極，漏極接液晶光閥驅(qū)動電源線；第二開關(guān)晶體管的源極接模擬地端；第三開關(guān)晶體管的源極接尖峰抑制二極管陽極，漏極接液晶光閥驅(qū)動電源線；第四開關(guān)晶體管的源極接模擬地端；與非門的邏輯輸入a腳接第一光電稱合器發(fā)射極,邏輯輸入b腳接第二光電稱合器發(fā)射極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一半橋驅(qū)動器、第二半橋驅(qū)動器為具有高端和低端門驅(qū)動輸出、可驅(qū)動N溝道功率金屬氧化物場效應(yīng)晶體管的半橋驅(qū)動器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管、第三開關(guān)晶體管、第四開關(guān)晶體管為N溝道功率金屬氧化物場效應(yīng)晶體管。
4.基于權(quán)利要求1所述的固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動方法，其特征在于，包括下列步驟正向充電階段第一掃描控制線由低電平跳變至高電平，第二掃描控制線處于低電平， 此時第一開關(guān)晶體管打開，第二開關(guān)晶體管關(guān)閉，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥被正向充電；正向電場保持階段第一掃描控制線處于高電平，第二掃描控制線處于低電平，液晶光閥充電完成，此時第一開關(guān)晶體管打開，第二開關(guān)晶體管關(guān)閉，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥保持透明態(tài)；正向放電階段第一掃描控制線由高電平跳變至低電平，第二掃描控制線處于低電平， 此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥被正向放電；正向零電場保持階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線處于低電平，液晶光閥放電完成，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥保持散射態(tài)；反向充電階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線由低電平跳變至高電平， 此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管打開，第四開關(guān)晶體管關(guān)閉，液晶光閥被反向充電；反向電場保持階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線處于高電平，液晶光閥充電完成，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管打開，第四開關(guān)晶體管關(guān)閉，液晶光閥保持透明態(tài)；反向放電階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線由高電平跳變至低電平， 此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥被反向放電；反向零電場保持階段第一掃描控制線處于低電平，第二掃描控制線處于低電平，液晶光閥放電完成，此時第一開關(guān)晶體管關(guān)閉，第二開關(guān)晶體管打開，第三開關(guān)晶體管關(guān)閉，第四開關(guān)晶體管打開，液晶光閥保持散射態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動方法，其特征在于，正向放電階段，是對液晶光閥放電直到其放電結(jié)束；反向放電階段，是對液晶光閥放電直到其放電結(jié)束；正向充電階段，是對液晶光閥充電直到其飽和；反向充電階段，是對液晶光閥充電直到其飽和。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種固態(tài)體積式真三維液晶光閥快速驅(qū)動電路及驅(qū)動方法，驅(qū)動電路包括第一光電耦合器、第二光電耦合器、第一半橋驅(qū)動器、第二半橋驅(qū)動器、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管、第三開關(guān)晶體管、第四開關(guān)晶體管、與非門；驅(qū)動方法包括正向充電階段、正向電場保持階段、正向放電階段、正向零電場保持階段、反向充電階段、反向電場保持階段、反向放電階段、反向零電場保持階段。本發(fā)明液晶光閥充放電回路中具有很小的導(dǎo)通電阻，且通過半橋驅(qū)動器驅(qū)動功率MOSFET，減小了MOSFET的開關(guān)時間，提高了大尺寸液晶光閥的充放電速度；液晶光閥正反向交替充放電，不僅消除了單極性電場對電路系統(tǒng)干擾和影響，而且提高了液晶光閥的使用壽命。
文檔編號G09G3/36GK103021356SQ20121049487
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月28日
發(fā)明者方勇, 朱堯, 呂國強 申請人:合肥工業(yè)大學(xué)