專利名稱：Led平板顯示單元的制備方法
LED平板顯示單元的制備方法技術領域
本發(fā)明屬于半導體技術領域，特別涉及一種LED平板顯示單元的制備方法，該方法具有極小像素間距的LED平板顯示單元，并可以通過外接驅(qū)動控制電路對各個發(fā)光單元進行獨立控制，可以用于LED平板顯示和LED全彩顯示器等。
背景技術：
彩色液晶顯示器中的主要材料是液晶、ITO玻璃、偏光片和濾色膜，通過背光源來進行顯示。液晶電視由于其結構的特點，在亮度、響應時間、色彩還原等方面存在不足。LED 的自身特性決定了采用LED自發(fā)光技術可以大大改善液晶顯示技術的不足。此外，與液晶顯示技術相比，LED自發(fā)光顯示較液晶顯示減少了液晶、ITO玻璃、偏光片和濾色膜以及制作過程中產(chǎn)生的各項成本。
直接采用LED面板作為顯示屏，縮小LED像素間距是一項重要任務，通常使用的表貼式封裝LED無法滿足這方面的需要。目前常見的LED平板顯示單元中的顯示像素由封裝好的LED單元組成。由于所述LED單元包括數(shù)顆LED芯片、引線框、散熱基片和透明封膠， 限制了像素的間距和大小，因此很難實現(xiàn)高分辨率顯示。為實現(xiàn)高分辨率LED平板顯示，本發(fā)明利用倒裝技術(Flip-chip)，將LED芯片直接放置在封裝基板上，在實現(xiàn)極小間距和高分辨率的同時簡化了原有生產(chǎn)工藝。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種LED平板顯示單元的制備方法，該方法具有極小像素間距、控制性能好、易于安裝。
為達到上述目的，本發(fā)明提供一種LED平板顯示單元的制備方法，包含如下步驟
步驟I :取一基板，在基板上制作電路和金屬凸點；
步驟2 :采用倒裝工藝，將多個LED芯片制作在基板上，縮小LED芯片之間的間距； 該LED芯片與基板上的電路通過金屬凸點實現(xiàn)電連接；
步驟3 :取一驅(qū)動基板；
步驟4 :將制作有LED芯片的基板與驅(qū)動基板電性互聯(lián)，完成制備。
本發(fā)明提供與現(xiàn)有技術相比其是利用倒裝技術(Flip-chip)，將LED芯片直接放置在驅(qū)動基板上，在實現(xiàn)極小間距和高分辨率的同時簡化了原有生產(chǎn)工藝。


為進一步說明本發(fā)明的技術內(nèi)容，以下結合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，其中
圖I為本發(fā)明的制備流程圖2是本發(fā)明的基板示意圖3是完成LED芯片倒裝后的基板平面圖4是本發(fā)明制備完成后的結構示意圖，其中圖4a是采用壓焊方式完成基板結合方式的結構，圖4b是采用通孔技術完成基板結合的結構，圖4c是將驅(qū)動電路直接制作在基板的背面，結合通孔技術完成本發(fā)明的結構示意圖。
具體實施方式
請參閱圖1，并結合參閱圖2-4所示，本發(fā)明提供了一種LED平板顯示單元的制備方法，包含如下步驟
步驟I :取一基板1，所述基板I的材料為硅片、陶瓷、線路板或金屬板，在所述基板 I上制作電路11和倒裝LED芯片2所需的金屬凸點12 (參閱圖2)，所述電路11的布線原則是將LED陣列中每行LED芯片2的陽極連接在一起，每列LED芯片2的陰極連接在一起； 所述電路11和金屬凸點12可以通過光刻、金屬淀積制作，并在金屬淀積后進行退火處理。 此外，在所述電路11之間淀積二氧化硅進行隔離處理，起到防止電路11之間短路的作用。 電路11最終引到基板I的邊緣?？梢圆捎孟铝袃煞N不同方式在所述基板I的邊緣處形成導電通道在所述基板I的邊緣處利用化學腐蝕或激光打孔工藝在邊緣處制作多個通孔， 并對所述通孔進行電鍍，完成導電通道的制作，或者可在所述基板I的邊緣處利用光刻、金屬淀積工藝制作金屬電極，以便在后道工序中通過壓焊工藝完成導電通道的制作。
步驟2 :采用倒裝工藝，將多個LED芯片2制作在基板I上(參閱圖3)，縮小LED 芯片2之間的間距；利用倒裝工藝將所述LED芯片2與基板I上的金屬凸點12準確對位并壓焊在一起，使LED芯片2與基板I上的電路11通過金屬凸點12形成電連接；通過將所述多個LED芯片2倒裝在基板I上來組成LED芯片陣列，所述LED芯片2之間的間距為10-100 μ m，所述LED芯片陣列中的LED芯片2是單色或者多色芯片；其中紅光芯片可以是由GaAs、GaInP或具有高In組分的InGaN材料制成。藍綠光芯片則由III-V族材料通過芯片工藝制成。
步驟3 :取一驅(qū)動基板3，所述驅(qū)動基板3上的驅(qū)動電路是主動式驅(qū)動電路，或是被動式驅(qū)動電路。
步驟4 :將制作有LED芯片2的基板I與驅(qū)動基板3連接，完成電性互聯(lián)。具體方式可根據(jù)步驟I中所描述的方法，采用通孔電鍍或者壓焊方式完成基板I與所述驅(qū)動基板 3的電性互聯(lián)(參閱圖4)，完成制備。
其中圖4a是采用壓焊方式完成基板結合方式的結構，圖4b是采用通孔技術完成基板結合的結構，圖4c是將驅(qū)動電路直接制作在基板的背面，結合通孔技術完成本發(fā)明的結構示意圖。
以上所述，僅是本發(fā)明的實施例，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明技術實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化與修飾，仍屬于本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，因此本發(fā)明的保護范圍當以權利要求書為準。權利要求
1.一種LED平板顯示單元的制備方法，包含如下步驟 步驟I :取一基板，在基板上制作電路和金屬凸點； 步驟2 :采用倒裝工藝，將多個LED芯片制作在基板上，縮小LED芯片之間的間距；該LED芯片與基板上的電路通過金屬凸點實現(xiàn)電連接； 步驟3 :取一驅(qū)動基板； 步驟4 :將制作有LED芯片的基板與驅(qū)動基板電性互聯(lián)，完成制備。
2.根據(jù)權利要求I所述的LED平板顯示單元的制備方法，其中多個LED芯片組成LED芯片陣列。
3.根據(jù)權利要求2所述的LED平板顯示單元的制備方法，其中LED芯片之間的間距為10-100 μm。
4.根據(jù)權利要求3所述的LED平板顯示單元的制備方法，其中LED芯片陣列中的LED芯片是單波長或者多波長芯片。
5.根據(jù)權利要求I所述的LED平板顯示單元的制備方法，其中基板的材料為硅片、陶瓷、線路板或金屬板。
6.根據(jù)權利要求5所述的LED平板顯示單元的制備方法，其中基板I上的電路將LED陣列中每行LED芯片的陽極連接在一起，每列LED芯片的陰極連接在一起。
7.根據(jù)權利要求I所述的LED平板顯示單元的制備方法，其中驅(qū)動基板上的驅(qū)動電路是主動式驅(qū)動電路，或是被動式驅(qū)動電路。
8.根據(jù)權利要求I所述的LED平板顯示單元的制備方法，其中驅(qū)動基板是通過壓焊或者通孔與制作有LED芯片的基板連接。
9.根據(jù)權利要求8所述的LED平板顯示單元的制備方法，其中驅(qū)動基板上的驅(qū)動電路直接制作在基板的一面，通過通孔工藝實現(xiàn)所述驅(qū)動電路與基板另一面上的LED芯片的電連接。
全文摘要
一種LED平板顯示單元的制備方法，包含如下步驟步驟1取一基板，在基板上制作電路和金屬凸點；步驟2采用倒裝工藝，將多個LED芯片制作在基板上，縮小LED芯片之間的間距；該LED芯片與基板上的電路通過金屬凸點實現(xiàn)電連接；步驟3取一驅(qū)動基板；步驟4將制作有LED芯片的基板與驅(qū)動基板電性互聯(lián)，完成制備。本發(fā)明具有極小像素間距、控制性能好、易于安裝的優(yōu)點。
文檔編號G09F9/33GK102931330SQ20121044951
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權日2012年11月12日
發(fā)明者薛斌, 楊華, 盧鵬志, 于飛, 孔慶峰, 裴艷榮, 劉立莉, 王曉桐, 王琳琳, 伊曉燕, 王軍喜, 李晉閩 申請人:中國科學院半導體研究所