防偽裝置及包含該防偽裝置的設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種防偽裝置及包含該防偽裝置的設備，用以解決現(xiàn)有技術中缺乏一種直觀方便，且能夠靈活設計形狀的防偽裝置的問題。該防偽裝置，包括：顯示屏，以及與所述顯示屏相連的納米摩擦發(fā)電機，其中，所述顯示屏為柔性顯示屏，用于顯示防偽標識；所述納米摩擦發(fā)電機用于為所述顯示屏供電。本發(fā)明實施例中的防偽裝置采用的顯示屏為柔性的，因此，該防偽裝置可根據(jù)需要進行折疊或彎曲，其形狀能夠靈活設計，可應用于各種外形的設備。而且，該防偽裝置中通過顯示屏顯示防偽標識，能夠直觀方便地顯示防偽結果。
【專利說明】防偽裝置及包含該防偽裝置的設備
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及防偽顯示領域，特別涉及一種防偽裝置及包含該防偽裝置的設備。
【背景技術】
[0002]目前，為了鑒別產品的真?zhèn)?，出現(xiàn)了各種各樣的防偽方式，例如，可以利用射頻識別的方式對產品進行防偽。在這種方式中，通常需要設置一個用于發(fā)送識別碼的電子標簽，以及一個用于對識別碼進行識別的電子閱讀器。當電子閱讀器確定電子標簽發(fā)送的識別碼與電子閱讀器上預先存儲的內容匹配時，判定產品為正品；當電子閱讀器確定電子標簽發(fā)送的識別碼與電子閱讀器上預先存儲的內容不匹配時，判定產品為贗品。
[0003]采用射頻識別的方式雖然能夠實現(xiàn)防偽的目的，但是，電路結構非常復雜，用戶操作起來也不夠便利。而且，對于識別結果的顯示也不夠直觀。
[0004]而且，上述方式中的電子標簽和電子閱讀器通常為不可折疊或彎曲的部件，因此，在形狀設計以及產品安裝時適應性較差，不夠靈活。
[0005]由此可見，現(xiàn)有技術中缺乏一種直觀方便、能夠靈活設計形狀，且實現(xiàn)防偽目的的防偽裝置。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明提供了一種防偽裝置及包含該防偽裝置的設備，用以解決現(xiàn)有技術中缺乏一種直觀方便，且能夠靈活設計形狀的防偽裝置的問題。
[0007]本發(fā)明提供了一種防偽裝置，包括:顯示屏，以及與所述顯示屏相連的納米摩擦發(fā)電機，其中，所述顯示屏為柔性顯示屏，用于顯示防偽標識；所述納米摩擦發(fā)電機用于為所述顯示屏供電。
[0008]可選地，所述顯示屏為IXD屏，或者，所述顯示屏為電子紙顯示屏。
[0009]可選地，所述顯示屏的形狀為以下形狀中的一種:圓形、矩形、環(huán)形和菱形，所述納米摩擦發(fā)電機的形狀為以下形狀中的一種:圓形、矩形、環(huán)形和菱形；且所述顯示屏的形狀與所述納米摩擦發(fā)電機的形狀相同或不同。
[0010]可選地，所述顯示屏與所述納米摩擦發(fā)電機相接觸且電連接，或者，所述顯示屏與所述納米摩擦發(fā)電機不接觸且通過導線連接。
[0011]可選地，所述納米摩擦發(fā)電機包括:
[0012]第一高分子聚合物絕緣層；
[0013]第一電極，位于所述第一高分子聚合物絕緣層的第一側表面上；
[0014]第二高分子聚合物絕緣層；
[0015]第二電極，位于所述第二高分子聚合物絕緣層的第一側表面上；
[0016]其中，所述第一電極和第二電極是所述納米摩擦發(fā)電機的輸出電極；
[0017]所述第一高分子聚合物絕緣層的第二側表面與第二高分子聚合物絕緣層的第二側表面接觸，且所述第一高分子聚合物絕緣層的第二側表面以及第二高分子聚合物絕緣層的第二側表面分別設置有微納凹凸結構。
[0018]可選地，所述納米摩擦發(fā)電機包括:依次層疊設置的第一電極，第一高分子聚合物絕緣層，以及摩擦電極；其中，第一高分子聚合物絕緣層和摩擦電極相對設置的兩個面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構；所述第一電極和摩擦電極為納米摩擦發(fā)電機的輸出電極。
[0019]可選地，所述納米摩擦發(fā)電機進一步包括:第二高分子聚合物絕緣層和第二電極，其中，所述第一電極，第一高分子聚合物絕緣層，第二高分子聚合物絕緣層和第二電極依次層疊設置；所述摩擦電極設置在所述第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間；第一高分子聚合物絕緣層和摩擦電極兩個相對面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構；第二高分子聚合物絕緣層和摩擦電極兩個相對面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構；所述第一電極和第二電極串聯(lián)為納米摩擦發(fā)電機的一個輸出電極；所述摩擦電極為納米摩擦發(fā)電機的另一個輸出電極。
[0020]可選地，所述摩擦電極包括依次層疊設置的第三電極層，第三高分子聚合物層以及第四電極層；第一高分子聚合物絕緣層和第三電極層兩個相對面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構；第二高分子聚合物絕緣層和第四電極層兩個相對面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構；所述第一電極和第二電極串聯(lián)為納米摩擦發(fā)電機的一個輸出電極；所述摩擦電極的第三電極層和第四電極層串聯(lián)為納米摩擦發(fā)電機的另一個輸出電極。
[0021]可選地，所述電極所用材料是銦錫氧化物、石墨烯、銀納米線膜、金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈀、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、硒、鐵、錳、鑰、鎢或釩；合金是鋁合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鎢合金、鑰合金、鈮合金或鉭合金；所述摩擦電極所用材料是金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈕、招、鎳、銅、鈦、鉻、硒、鐵、猛、鑰、鶴或fL;合金是招合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鶴合金、鑰合金、鈮合金或鉭合金；所述高分子聚合物絕緣層所用材料選自聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維再生海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種。
[0022]可選地，所述電極以及所述高分子聚合物絕緣層均為柔性材料制成的平板結構。
[0023]本發(fā)明還提供了 一種設備，包括上述的防偽裝置。
[0024]可選地，所述設備包括第一部件和第二部件，所述第一部件和第二部件之間卡合連接或螺紋連接。
[0025]可選地，所述防偽裝置中的所述顯示屏和所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第一部件上，或者，所述防偽裝置中的所述顯示屏和所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第二部件上。
[0026]可選地，所述防偽裝置中的所述顯示屏設置在所述第一部件上，且所述防偽裝置中的所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第二部件上；或者，所述防偽裝置中的所述顯示屏設置在所述第二部件上，所述防偽裝置中的所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第一部件上。
[0027]可選地，當所述第一部件和所述第二部件分離時，所述防偽裝置中的所述顯示屏以及所述納米摩擦發(fā)電機之間的連接斷開。
[0028]本發(fā)明實施例中的防偽裝置采用的顯示屏為柔性的，因此，該防偽裝置可根據(jù)需要進行折疊或彎曲，其形狀能夠靈活設計，可應用于各種外形的設備。而且，該防偽裝置中通過顯示屏顯示防偽標識，能夠直觀方便地顯示防偽結果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為本發(fā)明提供的防偽裝置的結構示意圖；
[0030]圖2a和圖2b分別示出了當本發(fā)明提供的防偽裝置的顯示屏和納米摩擦發(fā)電機均為矩形且相互接觸時的結構示意圖和剖面圖；
[0031]圖3a和圖3b分別示出了當本發(fā)明提供的防偽裝置的顯示屏和納米摩擦發(fā)電機均為圓形且相互接觸時的結構示意圖和剖面圖；
[0032]圖4示出了當本發(fā)明提供的防偽裝置的顯示屏和納米摩擦發(fā)電機不相接觸且通過導線10連接時的結構示意圖；
[0033]圖5a和圖5b分別示出了當本發(fā)明提供的防偽裝置的顯示屏為圓形、納米摩擦發(fā)電機為環(huán)繞顯示屏11的環(huán)形時的結構示意圖和剖面圖；
[0034]圖6示出了納米摩擦發(fā)電機的第一種結構示意圖；
[0035]圖7示出了納米摩擦發(fā)電機的第二種結構示意圖；
[0036]圖8示出了圖7中的納米摩擦發(fā)電機的另一改進實現(xiàn)方式的結構示意圖；
[0037]圖9示出了圖8中的納米摩擦發(fā)電機的另一改進實現(xiàn)方式的結構示意圖；
[0038]圖10示出了本發(fā)明提供的包含該防偽裝置的設備的一種結構示意圖；
[0039]圖11示出了本發(fā)明提供的包含該防偽裝置的設備的另一種結構示意圖；
[0040]圖12a、圖12b以及圖12c示出了本發(fā)明提供的包含該防偽裝置的設備的又一種結構示意圖；
[0041]圖13示出了本發(fā)明提供的包含該防偽裝置的設備的又一種結構示意圖。
【具體實施方式】
[0042]為充分了解本發(fā)明之目的、特征及功效，借由下述具體的實施方式，對本發(fā)明做詳細說明，但本發(fā)明并不僅僅限于此。
[0043]本發(fā)明提供了一種防偽裝置及包含該防偽裝置的設備，可以解決現(xiàn)有技術中缺乏一種直觀方便，且能夠靈活設計形狀的防偽裝置的問題。
[0044]圖1示出了本發(fā)明提供的防偽裝置的結構示意圖。如圖1所示，包括:顯示屏11，以及與所述顯示屏11相連的納米摩擦發(fā)電機12，其中，所述顯示屏11為柔性顯示屏，用于顯示防偽標識；所述納米摩擦發(fā)電機12用于為所述顯示屏11供電。
[0045]本發(fā)明實施例中的防偽裝置采用的顯示屏為柔性的，因此，該防偽裝置可根據(jù)需要進行折疊或彎曲，其形狀能夠靈活設計，可應用于各種外形的設備。而且，該防偽裝置中通過顯示屏顯示防偽標識，能夠直觀方便地顯示防偽結果。
[0046]而且，該防偽裝置中采用納米摩擦發(fā)電機供電，在使用時只要使納米摩擦發(fā)電機產生形變即可發(fā)電，不會出現(xiàn)電量用盡無法使用的情況，因此，本實施例中的防偽裝置不會受到電源的限制，隨時隨地都可使用。
[0047]另外，納米摩擦發(fā)電機的使用，本身就可以起到防偽的作用，例如:如果產品上安裝的防偽裝置中的顯示屏在納米摩擦發(fā)電機發(fā)生形變時依然無法供電，則可以確定該產品上安裝的防偽裝置是假冒的，因此，該產品也為仿造品。
[0048]本實施例中的顯示屏可以采用IXD屏、電子紙顯示屏或其他低功耗的顯示屏。顯示屏上顯示的內容可以是預先設置好的防偽標識(例如，防偽logo，防偽碼、產品名稱或產品相關信息等)，只要顯示屏一經通電就固定顯示該防偽標識。其中，顯示屏的形狀可以為以下形狀中的任意一種:圓形、矩形、環(huán)形和菱形，納米摩擦發(fā)電機的形狀也可以為以下形狀中的任意一種:圓形、矩形、環(huán)形和菱形，其中，顯示屏的形狀與納米摩擦發(fā)電機的形狀既可以相同也可以不同。而且，顯示屏與納米摩擦發(fā)電機之間可以互相接觸且電連接，或者，顯示屏與納米摩擦發(fā)電機之間也可以不相接觸且通過導線連接?？傊?，顯示屏和納米摩擦發(fā)電機的形狀以及位置關系可以根據(jù)實際需求進行靈活地調整，只要能夠滿足納米摩擦發(fā)電機為顯示屏供電以實現(xiàn)顯示屏的顯示即可。
[0049]例如，圖2a和圖2b分別示出了當顯示屏和納米摩擦發(fā)電機均為矩形且相互接觸時的結構示意圖和剖面圖。在圖2a和圖2b中，顯示屏11和納米摩擦發(fā)電機12都為矩形，且顯示屏11和納米摩擦發(fā)電機12之間相互貼合在一起，并通過導線10連接。圖3a和圖3b分別示出了當顯示屏和納米摩擦發(fā)電機均為圓形且相互接觸時的結構示意圖和剖面圖。在圖3a和圖3b中，顯示屏11和納米摩擦發(fā)電機12都為圓形，且顯示屏11和納米摩擦發(fā)電機12之間相互貼合在一起，并通過導線10連接。圖4示出了當顯示屏11和納米摩擦發(fā)電機12不相接觸(即分開設置)且通過導線10連接時的結構示意圖。圖5a和圖5b分別示出了當顯示屏11為圓形、納米摩擦發(fā)電機12為環(huán)繞顯示屏11的環(huán)形時的結構示意圖和剖面圖，其中，圖5a和圖5b中顯示屏和納米摩擦發(fā)電機的位置和形狀也可以互換，即納米摩擦發(fā)電機為圓形，顯示屏為環(huán)繞納米摩擦發(fā)電機的環(huán)形。
[0050]本實施例中的納米摩擦發(fā)電機可以采用多種結構實現(xiàn)。納米摩擦發(fā)電機的第一種結構如圖6所示，包括:第一電極61、第一高分子聚合物絕緣層60、第二高分子聚合物絕緣層62和第二電極63。具體地，第一電極61位于第一高分子聚合物絕緣層60的第一側表面60a上，第二電極63位于第二高分子聚合物絕緣層62的第一側表面62a上。第一電極61和第二電極63可以為導電的金屬薄膜，其可以通過真空濺射法或蒸鍍法鍍在相應的高分子聚合物絕緣層的表面上。其中，第二高分子聚合物絕緣層62的第二側表面62b與第一高分子聚合物絕緣層60的第二側表面60b相接觸，且第二高分子聚合物絕緣層62的第二側表面62b上，以及第一高分子聚合物絕緣層60的第二側表面60b上，分別設有微納凹凸結構80。因此，在第二高分子聚合物絕緣層62的第二側表面62b上的微納凹凸結構80以及第一高分子聚合物絕緣層60的第二側表面60b上的微納凹凸結構80之間形成一個摩擦界面。具體地，第二高分子聚合物絕緣層和第一高分子聚合物絕緣層正對貼合，并在兩個短的邊緣通過普通膠布密封，來保證兩個聚合物絕緣層的適度接觸。當然，第二高分子聚合物絕緣層和第一高分子聚合物絕緣層之間也可以通過其他的方式進行固定接觸。圖6中還示出了第二高分子聚合物絕緣層62的第二側表面62b以及第一高分子聚合物絕緣層60的第二側表面60b的微納凹凸結構80的示意圖，該微納凹凸結構能夠增加摩擦阻力，提高發(fā)電效率。所述微納凹凸結構能夠在薄膜制備時直接形成，也能夠用打磨的方法使高分子聚合物薄膜的表面形成不規(guī)則的微納凹凸結構。具體地，圖6示出了半圓形的微納凹凸結構，且在圖6中，第二高分子聚合物絕緣層62的第二側表面62b的微納凹凸結構的凹部與第一高分子聚合物絕緣層60的第二側表面60b的凸部相對，使得微納凹凸結構之間的接觸面積最大，因此，圖6中的微納凹凸結構是優(yōu)選方案，可以提高發(fā)電效率。但是，本領域技術人員應該理解的是，也可以使第二高分子聚合物絕緣層62的第二側表面62b的微納凹凸結構的凸部與第一高分子聚合物絕緣層60的第二側表面60b的凸部相對，或者，調整凹部與凸部之間的位置關系，例如，使凹部與凸部之間不是恰好相對，而是稍微錯開一定的距離，以調節(jié)發(fā)電效率。而且，微納凹凸結構的形狀也不限于此，還可以制作成其它形狀，例如可以為條紋狀、立方體型、四棱錐型、或圓柱形等等。另外，該微納凹凸結構通常為有規(guī)律的納米級至微米級的凹凸結構(由于微納凹凸結構很小，在圖6中為了使得微納凹凸結構能夠看清楚，因此，對微納凹凸結構進行了放大，即圖6中的微納凹凸結構是不按比例繪制的。本領域技術人員能夠理解的是，在實際情況中，高分子聚合物絕緣層上的微納凹凸結構是納米級至微米級的非常小的凹凸結構)。其中，電極以及高分子聚合物絕緣層均為柔性材料制成的平板結構。
[0051]采用圖6所示的納米摩擦發(fā)電機，可以通過第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間的摩擦，在第一電極和第二電極之間產生電壓或電流，從而為顯示屏供電。另外，還可以在圖6所示的納米摩擦發(fā)電機的第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間增加一個居間薄膜。該居間薄膜也是一高分子聚合物絕緣層，它位于第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間。居間薄膜的一側表面具有四棱錐型或其他形狀的微納凹凸結構。其中，居間薄膜的未設有微納凹凸結構的一側固定在所述第二高分子聚合物絕緣層的第二側表面上，固定的方法可以是用一層薄的未固化的高分子聚合物絕緣層作為粘結層，經過固化后，居間薄膜將牢牢地固定于第二高分子聚合物絕緣層上。通過居間薄膜的使用，可以進一步增加納米摩擦發(fā)電機的發(fā)電效率。
[0052]納米摩擦發(fā)電機的第二種結構如圖7所示，包括:依次層疊設置的第一電極71，第一高分子聚合物絕緣層72，以及摩擦電極73 ;第一高分子聚合物絕緣層72和摩擦電極73相對設置的兩個面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構(圖7未示出，可參照圖6對應的實現(xiàn)方式)；所述第一電極71和摩擦電極73為摩擦發(fā)電機電壓和電流輸出電極。
[0053]其中，納米摩擦發(fā)電機可以是非透明的多層柔性平板結構，任意彎曲或變形造成高分子聚合物絕緣層72和摩擦電極73之間摩擦起電。高分子聚合物絕緣層72的具有微納凹凸結構的表面與摩擦電極73相對接觸疊放形成層疊體，層間沒有任何粘合物。該摩擦發(fā)電機的邊緣用普通膠布密封，來保證聚合物絕緣層與摩擦電極的適度接觸。
[0054]本發(fā)明的一個【具體實施方式】中，高分子聚合物絕緣層72相對摩擦電極73的表面上沒有設置微納凹凸結構，僅摩擦電極73的表面上設有微納凹凸結構。
[0055]本發(fā)明的又一個【具體實施方式】中，高分子聚合物絕緣層72相對摩擦電極73的表面上設有微納凹凸結構，而摩擦電極73的表面上沒有設置微納凹凸結構。
[0056]圖7所示的納米摩擦發(fā)電機與圖6所示的納米摩擦發(fā)電機的主要區(qū)別在于:圖6所示的納米摩擦發(fā)電機是通過聚合物與聚合物之間的摩擦進行發(fā)電的，而圖7所示的納米摩擦發(fā)電機是通過聚合物與金屬(即電極)之間的摩擦進行發(fā)電的，主要利用了金屬容易失去電子的特性，使摩擦電極與第一高分子聚合物絕緣層之間形成感應電場，從而產生電壓或電流。
[0057]圖8示出了圖7中的納米摩擦發(fā)電機的另一改進實現(xiàn)方式，如圖8所示，納米摩擦發(fā)電機包括依次層疊設置的第一電極81，第一高分子聚合物絕緣層82，第二高分子聚合物絕緣層83和第二電極84 ;其中，第一高分子聚合物絕緣層82和第二高分子聚合物絕緣層83之間設置有摩擦電極85 ;第一高分子聚合物絕緣層82相對摩擦電極85的面和摩擦電極85相對第一高分子聚合物絕緣層82的面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構(圖未示)；第二高分子聚合物絕緣層83相對摩擦電極85的面和摩擦電極85相對第二高分子聚合物絕緣層83的面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構(圖未示)；所述第一電極81和第二電極84串聯(lián)為摩擦發(fā)電機電壓和電流的一個輸出電極；所述摩擦電極85為摩擦發(fā)電機電壓和電流的另一個輸出電極。
[0058]在本發(fā)明的一個【具體實施方式】中，納米摩擦發(fā)電機是非透明的多層柔性平板結構，任意彎曲或變形造成第一高分子聚合物絕緣層82和摩擦電極85之間，摩擦電極85和第二高分子聚合物絕緣層83之間摩擦起電。優(yōu)選地，如圖9所示，圖8中的納米摩擦發(fā)電機的摩擦電極85還可以進一步包括依次層疊設置的第三電極層851，第三高分子聚合物層852以及第四電極層853。第三電極層851和第四電極層853的表面上設置有微納凹凸結構(圖未示)。該微納凹凸結構為納米級至微米級的凹凸結構，優(yōu)選凸起高度300nm_l μ m (更優(yōu)選350-500nm)的凹凸結構。
[0059]上述的第一電極和第二電極對所用材料沒有特殊規(guī)定，能夠形成導電層的材料都在本發(fā)明的保護范圍之內，例如是銦錫氧化物、石墨烯電極、銀納米線膜，以及金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈀、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、硒、鐵、錳、鑰、鎢或釩；合金是鋁合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鶴合金、鑰合金、銀合金或鉭合金。
[0060]上述的第一高分子聚合物絕緣層與第二高分子聚合物絕緣層的材質可以相同也可以不同，獨立的選自聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維(再生)海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、甲基丙烯酸酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚氨酯柔性海綿薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、丙烯腈氯乙烯薄膜中的任意一種。優(yōu)選地，第一高分子聚合物絕緣層22與第二高分子聚合物絕緣層23的厚度是100 μ m-500 μ m。
[0061]第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層分別在它們的一個表面上設置微納凹凸結構，然后采用射頻濺鍍等常規(guī)方法，在第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層未設置微納凹凸結構的面上設置第一電極和第二電極。微納凹凸結構為納米級至微米級的凹凸結構，優(yōu)選凸起高度50-300nm的凹凸結構。
[0062]上述的第三高分子聚合物層所用材質與第一高分子聚合物層和第二高分子聚合物層不同，選自聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維(再生)海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種，優(yōu)選的其厚度是100 μ m-500 μ m,更優(yōu)選為200 μ m。
[0063]上述的第三電極層和第四電極層對所用材料沒有特殊規(guī)定，能夠形成導電層的材料都在本發(fā)明的保護范圍之內，例如可以選擇導電薄膜、導電高分子、金屬材料，金屬材料包括純金屬和合金，純金屬選自金、銀、鉬、鈀、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、硒、鐵、錳、鑰、鎢、釩等，合金可以選自輕合金(鋁合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金等)、重有色合金(銅合金、鋅合金、錳合金、鎳合金等)、低熔點合金(鉛、錫、鎘、鉍、銦、鎵及其合金)、難熔合金(鎢合金、鑰合金、鈮合金、鉭合金等)。
[0064]圖9所示的第一高分子聚合物絕緣層的具有微納凹凸結構的表面與摩擦電極的第三電極層相對接觸疊放，然后第二高分子聚合物絕緣層的具有微納凹凸結構的表面疊放到摩擦電極的第四電極層上形成層疊體，層間沒有任何粘合物。該摩擦發(fā)電機的邊緣用普通膠布密封，來保證聚合物絕緣層與摩擦電極的適度接觸。第一電極和第二電極串聯(lián)為摩擦發(fā)電機電壓和電流的一個輸出電極；摩擦電極的第三電極層和第四電極層串聯(lián)為摩擦發(fā)電機電壓和電流的另一個輸出電極。
[0065]本發(fā)明的一個【具體實施方式】中，第一高分子聚合物絕緣層相對摩擦電極第三電極層的表面上，和第二高分子聚合物絕緣層相對摩擦電極第四電極層的表面上都沒有設置微納凹凸結構，僅第三電極層和第四電極層的表面上設有微納凹凸結構。
[0066]本發(fā)明的又一個【具體實施方式】中，第一高分子聚合物絕緣層相對摩擦電極第三電極層的表面上，和第二高分子聚合物絕緣層相對摩擦電極第四電極層的表面上設有微納凹凸結構，而第三電極層和第四電極層的表面上沒有設置微納凹凸結構。
[0067]在本發(fā)明的一個【具體實施方式】中，納米摩擦發(fā)電機是透明的多層柔性平板結構，任意彎曲或變形造成第一高分子聚合物絕緣層和摩擦電極之間，摩擦電極和第二高分子聚合物絕緣層之間摩擦起電。該摩擦發(fā)電機包括依次層疊設置的第一電極，第一高分子聚合物絕緣層，摩擦電極，第二高分子聚合物絕緣層和第二電極。摩擦電極包括依次層疊設置的第三電極層，第三高分子聚合物層以及第四電極層。第一高分子聚合物絕緣層相對第三電極層的面和第三電極層相對第一高分子聚合物絕緣層的面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構(圖未示)；第二高分子聚合物絕緣層相對第四電極層的面和第四電極層相對第二高分子聚合物絕緣層的面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構。所述第一電極和第二電極串聯(lián)為摩擦發(fā)電機電壓和電流的一個輸出電極；所述摩擦電極的第三電極層和第四電極層串聯(lián)為摩擦發(fā)電機電壓和電流的另一個輸出電極。
[0068]第一電極、第二電極、第三電極層和第四電極層分別獨立的選自銦錫氧化物(ΙΤ0)、石墨烯電極和銀納米線膜中的任意一種。第一高分子聚合物絕緣層、第二高分子聚合物絕緣層、第三高分子聚合物層分別獨立的選自如下透明高聚物中的任意一種:聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)和液晶高分子聚合物(LCP)。采用上述優(yōu)選材料后，這時整個摩擦發(fā)電機是一個全透明柔性裝置。[0069]當納米摩擦發(fā)電機采用上述幾種形式實現(xiàn)時，該防偽裝置可以實現(xiàn)自給供電，只要受到摩擦即可產生電能，不會出現(xiàn)電池電量耗盡而無法使用的情況，大大方便了用戶的使用。由于納米摩擦發(fā)電機摩擦發(fā)電的特性，該防偽裝置可以不設置電源開關，需要顯示屏進行顯示時，只需通過摩擦發(fā)電即可?；蛘?，也可以利用儲能元件，例如儲能電容對納米摩擦發(fā)電機產生的電能進行儲存，同時，在防偽裝置上設置一個電源開關，用于控制納米摩擦發(fā)電機何時向顯示屏供電。
[0070]另外，本實施例中的納米摩擦發(fā)電機也可以采用超薄電池替代。其中,超薄電池包括:軟包裝鋰電池、全固態(tài)薄膜鋰電池以及紙電池等。使用超薄電池可以將防偽裝置制作得更加小巧輕便。采用超薄電池實現(xiàn)時，也可以在防偽裝置上設置一個電源開關，用于控制超薄電池何時向顯示屏供電。
[0071]本發(fā)明實施例還提供了一種應用上述的防偽裝置的設備。該設備包括第一部件和第二部件，其中，第一部件和第二部件之間通過卡合連接或螺紋連接。
[0072]其中，所述防偽裝置中的所述顯示屏和所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第一部件上，或者，所述防偽裝置中的所述顯示屏和所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第二部件上。
[0073]或者，所述防偽裝置中的所述顯示屏設置在所述第一部件上，且所述防偽裝置中的所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第二部件上；或者，所述防偽裝置中的所述顯示屏設置在所述第二部件上，所述防偽裝置中的所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第一部件上。而且，當所述第一部件和所述第二部件分離時，所述防偽裝置中的所述顯示屏以及所述納米摩擦發(fā)電機之間的連接斷開。
[0074]下面以幾個具體例子描述一下本發(fā)明提供的應用上述的防偽裝置的設備。
[0075]圖10示出了該設備的一種結構示意圖，如圖10所示，該設備包括第一部件111以及第二部件112，其中，第一部件111例如可以是瓶蓋，第二部件112例如可以是瓶身。瓶蓋通過卡合方式或螺紋旋轉方式與瓶身固定連接。顯示屏11設置在瓶蓋的正中央，納米摩擦發(fā)電機12設置在瓶蓋與瓶身的側面，且納米摩擦發(fā)電機12的上半部分設置在瓶蓋側面，納米摩擦發(fā)電機12的下半部分設置在瓶身側面。
[0076]圖11示出了該設備的另一種結構示意圖，如圖11所示，該設備包括第一部件111以及第二部件112，其中，第一部件111例如可以是瓶蓋，第二部件112例如可以是瓶身。瓶蓋通過卡合方式或螺紋旋轉方式與瓶身固定連接。顯示屏11設置在瓶蓋的正中央，納米摩擦發(fā)電機12設置在瓶身側面。
[0077]圖12a和圖12b示出了該設備的又一種結構示意圖。圖12a示出了該設備的外部示意圖，如圖12a所示，包括第一部件11 I以及第二部件112，其中，第一部件111例如可以是瓶蓋，第二部件112例如可以是瓶身。瓶蓋通過卡合方式或螺紋旋轉方式與瓶身固定連接。顯示屏11設置在瓶蓋的正中央，納米摩擦發(fā)電機12設置在瓶蓋側面。圖12b示出了該設備的內部示意圖，如圖12b所示，該設備內部設置有一個突起結構100，當瓶蓋旋轉時，該突起結構100將向上凸起并破壞顯示屏11,如圖12c所示。由此，當瓶蓋開啟后,顯示屏11受到破壞，則無法進行防偽，從而起到一次防偽的作用。也就是說，當該設備中的瓶蓋尚未開啟時，該防偽裝置可正常防偽，當該設備中的瓶蓋開啟后，該防偽裝置遭到破壞，從而無法繼續(xù)防偽，由此避免了舊設備冒充新設備的情況發(fā)生。其中，圖12a和圖12b僅為一種示例性的實現(xiàn)方式，具體地，圖10和圖11中的設備也可以實現(xiàn)同等目的，例如，當圖10和圖11中的瓶蓋開啟時，由于瓶蓋和瓶身分離，導致顯示屏和納米摩擦發(fā)電機之間的距離增大，由此導致顯示屏和納米摩擦發(fā)電機之間連接的導線斷裂，從而破壞防偽裝置的功能，由此避免舊設備冒充新設備的情況。
[0078]圖13示出了該設備的又一種結構示意圖，如圖13所示，該設備包括第一部件111以及第二部件112，其中，第一部件111例如可以是瓶蓋，第二部件112例如可以是瓶身。瓶蓋通過卡合方式或螺紋旋轉方式與瓶身固定連接。顯示屏11設置在瓶蓋的正中央，納米摩擦發(fā)電機12設置在瓶蓋側面。
[0079]上面描述的該設備的幾種實現(xiàn)方式僅為示例性的，實際上，本發(fā)明中的設備還可以采用其它結構實現(xiàn)，只要能夠將防偽裝置安裝在該設備上即可。另外，本發(fā)明中的防偽裝置還可以應用于其他的產品，例如，手提包、酒瓶蓋以及智能卡等。
[0080]本領域技術人員可以理解，雖然上述說明中，為便于理解，對方法的步驟采用了順序性描述，但是應當指出，對于上述步驟的順序并不作嚴格限制。
[0081]本領域普通技術人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關的硬件來完成，該程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質中，如:R0M/RAM、磁碟、光盤等。
[0082]還可以理解的是，附圖或實施例中所示的裝置結構僅僅是示意性的，表示邏輯結構。其中作為分離部件顯示的模塊可能是或者可能不是物理上分開的，作為模塊顯示的部件可能是或者可能不是物理模塊。
[0083]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種防偽裝置，其特征在于，包括:顯示屏，以及與所述顯示屏相連的納米摩擦發(fā)電機，其中， 所述顯示屏為柔性顯示屏，用于顯示防偽標識；所述納米摩擦發(fā)電機用于為所述顯示屏供電。
2.如權利要求1所述的防偽裝置，其特征在于，所述顯示屏為LCD屏，或者，所述顯示屏為電子紙顯示屏。
3.如權利要求1所述的防偽裝置，其特征在于，所述顯示屏的形狀為以下形狀中的一種:圓形、矩形、環(huán)形和菱形，所述納米摩擦發(fā)電機的形狀為以下形狀中的一種:圓形、矩形、環(huán)形和菱形；且所述顯示屏的形狀與所述納米摩擦發(fā)電機的形狀相同或不同。
4.如權利要求3所述的防偽裝置，其特征在于，所述顯示屏與所述納米摩擦發(fā)電機相接觸且電連接，或者，所述顯示屏與所述納米摩擦發(fā)電機不接觸且通過導線連接。
5.如權利要求1所述的防偽裝置，其特征在于，所述納米摩擦發(fā)電機包括: 第一高分子聚合物絕緣層； 第一電極，位于所述第一高分子聚合物絕緣層的第一側表面上； 第二高分子聚合物絕緣層； 第二電極，位于所述第二高分子聚合物絕緣層的第一側表面上； 其中，所述第一電極和第二電極是所述納米摩擦發(fā)電機的輸出電極； 所述第一高分子聚合物絕緣層的第二側表面與第二高分子聚合物絕緣層的第二側表面接觸，且所述第一高分子聚合物絕緣`層的第二側表面以及第二高分子聚合物絕緣層的第二側表面分別設置有微納凹凸結構。
6.如權利要求1所述的防偽裝置，其特征在于，所述納米摩擦發(fā)電機包括:依次層疊設置的第一電極，第一高分子聚合物絕緣層，以及摩擦電極；其中，第一高分子聚合物絕緣層和摩擦電極相對設置的兩個面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構；所述第一電極和摩擦電極為納米摩擦發(fā)電機的輸出電極。
7.如權利要求6所述的防偽裝置，其特征在于，所述納米摩擦發(fā)電機進一步包括:第二高分子聚合物絕緣層和第二電極， 其中，所述第一電極，第一高分子聚合物絕緣層，第二高分子聚合物絕緣層和第二電極依次層疊設置；所述摩擦電極設置在所述第一高分子聚合物絕緣層和第二高分子聚合物絕緣層之間；第一高分子聚合物絕緣層和摩擦電極兩個相對面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構；第二高分子聚合物絕緣層和摩擦電極兩個相對面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構；所述第一電極和第二電極串聯(lián)為納米摩擦發(fā)電機的一個輸出電極；所述摩擦電極為納米摩擦發(fā)電機的另一個輸出電極。
8.如權利要求7所述的防偽裝置，其特征在于，所述摩擦電極包括依次層疊設置的第三電極層，第三高分子聚合物層以及第四電極層； 第一高分子聚合物絕緣層和第三電極層兩個相對面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構； 第二高分子聚合物絕緣層和第四電極層兩個相對面中的至少一個面上設置有微納凹凸結構； 所述第一電極和第二電極串聯(lián)為納米摩擦發(fā)電機的一個輸出電極；所述摩擦電極的第三電極層和第四電極層串聯(lián)為納米摩擦發(fā)電機的另一個輸出電極。
9.如權利要求5-8任一所述的防偽裝置，其特征在于， 所述電極所用材料是銦錫氧化物、石墨烯、銀納米線膜、金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈕、招、鎳、銅、鈦、鉻、硒、鐵、猛、鑰、鶴或fL;合金是招合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鶴合金、鑰合金、鈮合金或鉭合金；所述摩擦電極所用材料是金屬或合金，其中金屬是金、銀、鉬、鈀、鋁、鎳、銅、鈦、鉻、硒、鐵、猛、鑰、鶴或釩；合金是鋁合金、鈦合金、鎂合金、鈹合金、銅合金、鋅合金、猛合金、鎳合金、鉛合金、錫合金、鎘合金、秘合金、銦合金、鎵合金、鶴合金、鑰合金、銀合金或鉭合金； 所述高分子聚合物絕緣層所用材料選自聚酰亞胺薄膜、苯胺甲醛樹脂薄膜、聚甲醛薄膜、乙基纖維素薄膜、聚酰胺薄膜、三聚氰胺甲醛薄膜、聚乙二醇丁二酸酯薄膜、纖維素薄膜、纖維素乙酸酯薄膜、聚己二酸乙二醇酯薄膜、聚鄰苯二甲酸二烯丙酯薄膜、纖維再生海綿薄膜、聚氨酯彈性體薄膜、苯乙烯丙烯共聚物薄膜、苯乙烯丁二烯共聚物薄膜、人造纖維薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚異丁烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯醇縮丁醛薄膜、甲醛苯酚縮聚物薄膜、氯丁橡膠薄膜、丁二烯丙烯共聚物薄膜、天然橡膠薄膜、聚丙烯腈薄膜、丙烯腈氯乙烯共聚物薄膜中的任意一種。
10.如權利要求5-8任一所述的防偽裝置，其特征在于，所述電極以及所述高分子聚合物絕緣層均為柔性材料制成的平板結構。
11.一種設備，其特征在于，包括上述權利要求1-10中任一所述的防偽裝置。
12.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述設備包括第一部件和第二部件，所述第一部件和第二部件之間卡合連接或螺紋連接。
13.如權利要求12所述的設備，其特征在于，所述防偽裝置中的所述顯示屏和所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第一部件上，或者，所述防偽裝置中的所述顯示屏和所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第二部件上。
14.如權利要求1 2所述的設備，其特征在于，所述防偽裝置中的所述顯示屏設置在所述第一部件上，且所述防偽裝置中的所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第二部件上；或者，所述防偽裝置中的所述顯示屏設置在所述第二部件上，所述防偽裝置中的所述納米摩擦發(fā)電機設置在所述第一部件上。
15.如權利要求14所述的設備，其特征在于，當所述第一部件和所述第二部件分離時，所述防偽裝置中的所述顯示屏以及所述納米摩擦發(fā)電機之間的連接斷開。
【文檔編號】G09F9/35GK103778865SQ201210416922
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2012年10月26日 優(yōu)先權日:2012年10月26日
【發(fā)明者】徐傳毅, 范鳳茹, 孫利佳, 鄧楊, 邱霄 申請人:納米新能源（唐山）有限責任公司