液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置包含多個(gè)像素、一掃描驅(qū)動(dòng)電路以及一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。至少其中一像素具有一第一電容、一第二電容以及一補(bǔ)償電容，第一電容經(jīng)由一電阻元件與補(bǔ)償電容電連接。掃描驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)由多條掃描線驅(qū)動(dòng)該等像素。一掃描線與一第一晶體管及一第二晶體管的柵極電連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)由多條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)該等像素。第一電容經(jīng)由該第一晶體管與該一數(shù)據(jù)線電連接，第二電容經(jīng)由第二晶體管與一數(shù)據(jù)線電連接。通過(guò)本發(fā)明的液晶顯示裝置，能夠在改善色偏的同時(shí)，亦能使開(kāi)口率提升并減少制造成本。
【專利說(shuō)明】液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種顯示裝置，特別是關(guān)于一種液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示(Liquid Crystal Display, LCD)裝置以其耗電量低、發(fā)熱量少、重量輕、以及非輻射性等等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)被使用于各式各樣的電子產(chǎn)品中，并且逐漸地取代傳統(tǒng)的陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)顯不裝置。
[0003]一般而言，液晶顯示裝置主要包含一液晶顯示面板(IXD Panel)以及一背光模塊(Backlight Module)。其中，液晶顯示面板主要具有一薄膜晶體管基板、一彩色濾光基板以及一夾設(shè)于兩基板間的液晶層，且兩基板與液晶層形成多個(gè)陣列設(shè)置的像素。背光模塊可將一光源的光線均勻地分布到液晶顯示面板，并經(jīng)由各像素顯示色彩而形成一圖案。然而，由于各像素間的電壓-穿透率曲線會(huì)隨著使用者觀看液晶顯示面板的角度(例如正看及側(cè)看)而有所不同，因此于不同視角觀看顯示面板時(shí)將會(huì)有色偏的現(xiàn)象產(chǎn)生。
[0004]為改善色偏現(xiàn)象，已有多種現(xiàn)有技術(shù)研發(fā)出來(lái)，其中大多的技術(shù)是將單一像素分成一亮區(qū)及一暗區(qū)，通過(guò)此兩區(qū)正看及側(cè)看的電壓-穿透率曲線不同，而具有相互補(bǔ)償?shù)男Ч赃_(dá)到低色偏(Low Color Shift，LCS)的目的。然而，為使暗區(qū)產(chǎn)生較暗的亮度，需要在各像素中設(shè)置一額外的晶體管元件作為開(kāi)關(guān)，且需額外掃描線以控制此元件的作動(dòng)，因而使像素的開(kāi)口率降低，也增加制造成本。
[0005]因此，如何提供一種液晶顯示裝置，能在改善色偏的同時(shí)，亦能使開(kāi)口率提升并減少制造成本，實(shí)為當(dāng)前重要課題之一。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種液晶顯示裝置，其能夠改善色偏，同時(shí)使開(kāi)口率提升并減少制造成本。
[0007]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種液晶顯示裝置包含多個(gè)像素、一掃描驅(qū)動(dòng)電路以及一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。至少其中一像素具有一第一電容、一第二電容以及一補(bǔ)償電容，第一電容經(jīng)由一電阻元件與補(bǔ)償電容電連接。掃描驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)由多條掃描線驅(qū)動(dòng)該等像素，其中一掃描線與一第一晶體管及一第二晶體管的柵極電連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)由多條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)該等像素，其中第一電容經(jīng)由第一晶體管與一數(shù)據(jù)線電連接，第二電容經(jīng)由第二晶體管與一數(shù)據(jù)線電連接。
[0008]在一實(shí)施例中，第一電容或第二電容包含一液晶電容與一儲(chǔ)存電容。
[0009]在一實(shí)施例中，在第一晶體管被掃描線開(kāi)啟之后，第一電容與第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)電壓具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間(level transition time)，準(zhǔn)位變遷時(shí)間從節(jié)點(diǎn)的一充電狀態(tài)到一放電狀態(tài)。準(zhǔn)位變遷時(shí)間大于等于圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一。
[0010]在一實(shí)施例中，電阻元件的阻抗值為R，一圖框時(shí)間為T，第一電容的電容值為Cl，補(bǔ)償電容的電容值為CT，阻抗值R符合下列方程式:
[0011 ] T/1400〈RC〈T/14，C= (C1*CT)/(C1+CT)。
[0012]在一實(shí)施例中，電阻元件的材質(zhì)包含非晶硅、n+非晶硅或其組合。
[0013]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種液晶顯示裝置包含多個(gè)像素、一掃描驅(qū)動(dòng)電路以及一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。至少其中一像素具有一第一電容、一第二電容以及一補(bǔ)償電容，第一電容經(jīng)由一阻抗單元與補(bǔ)償電容電連接。掃描驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)由多條掃描線驅(qū)動(dòng)該等像素，其中一掃描線與一第一晶體管及一第二晶體管的柵極電連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)由多條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)該等像素，其中第一電容經(jīng)由第一晶體管與一數(shù)據(jù)線電連接，第二電容經(jīng)由第二晶體管與一數(shù)據(jù)線電連接。阻抗單元的阻抗值為R，一圖框時(shí)間為T，第一電容的電容值為Cl，補(bǔ)償電容的電容值為CT，阻抗值R符合下列方程式:
[0014]T/1400〈RC〈T/14，C= (C1*CT)/(C1+CT)。
[0015]在一實(shí)施例中，第一電容或第二電容包含一液晶電容與一儲(chǔ)存電容。
[0016]在一實(shí)施例中，阻抗單元包含一電阻元件。
[0017]在一實(shí)施例中，阻抗單元包含一晶體管元件，晶體管元件柵極電連接于一共同電壓。
[0018]在一實(shí)施例中，在第一晶體管被掃描線開(kāi)啟之后，第一電容與第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)電壓具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間，準(zhǔn)位變遷時(shí)間從節(jié)點(diǎn)的一充電狀態(tài)到一放電狀態(tài)。準(zhǔn)位變遷時(shí)間大于等于圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一。
[0019]在一實(shí)施例中，阻抗單元的材質(zhì)包含非晶硅、n+非晶硅或其組合。
[0020]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種液晶顯示裝置包含多個(gè)像素、一掃描驅(qū)動(dòng)電路以及一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。至少其中一像素具有一第一電容、一第二電容以及一補(bǔ)償電容，第一電容經(jīng)由一阻抗單元與補(bǔ)償電容電連接。掃描驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)由多條掃描線驅(qū)動(dòng)該等像素，其中一掃描線與一第一晶體管及一第二晶體管的柵極電連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)由多條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)該等像素，其中第一電容經(jīng)由第一晶體管與一數(shù)據(jù)線電連接，第二電容經(jīng)由第二晶體管與一數(shù)據(jù)線電連接。在第一晶體管被掃描線開(kāi)啟之后，第一電容與第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)電壓具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間(level transition time)，準(zhǔn)位變遷時(shí)間從節(jié)點(diǎn)的一充電狀態(tài)到一放電狀態(tài)。準(zhǔn)位變遷時(shí)間大于等于一圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一。
[0021 ] 在一實(shí)施例中，第一電容或第二電容包含一液晶電容與一儲(chǔ)存電容。
[0022]在一實(shí)施例中，阻抗單元包含一電阻元件。
[0023]在一實(shí)施例中，阻抗單元的阻抗值為R，圖框時(shí)間為T，第一電容的電容值為Cl，補(bǔ)償電容的電容值為CT，阻抗值R符合下列方程式:
[0024]T/1400〈RC〈T/14，C= (C1*CT)/(C1+CT)。
[0025]在一實(shí)施例中，阻抗單元包含一晶體管元件，晶體管元件的柵極電連接于一共同電壓。
[0026]在一實(shí)施例中，阻抗單元的材質(zhì)包含非晶硅、n+非晶硅或其組合。
[0027]承上所述，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，用具有高阻抗值的阻抗單元代替現(xiàn)有技術(shù)的暗區(qū)的薄膜晶體管，進(jìn)而達(dá)到低色偏目的，同時(shí)由于省略一晶體管元件，而能提升開(kāi)口率并減少制造成本。其中，阻抗單元例如為一電阻元件，其具有一高阻抗值，在第一晶體管被掃描線開(kāi)啟之后，電阻元件可避免補(bǔ)償電容被充電，而當(dāng)?shù)谝痪w管關(guān)閉時(shí)，第一電容放電于補(bǔ)償電容而使亮度降低并形成暗區(qū)，藉以達(dá)到低色偏功效。換言之，第一電容與第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)電壓具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間，準(zhǔn)位變遷時(shí)間從節(jié)點(diǎn)的一充電狀態(tài)到一放電狀態(tài)，而當(dāng)準(zhǔn)位變遷時(shí)間大于等于一圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一時(shí)，會(huì)使低色偏的效果最佳。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種液晶顯示裝置的方塊示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的一像素的電路示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明較佳實(shí)施例的像素的一節(jié)點(diǎn)電壓的示意圖；
[0032]圖4為一般液晶顯示面板的一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的一像素的電路示意圖；以及
[0034]圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的一像素的電路示意圖。
[0035]附圖標(biāo)記
[0036]1:液晶顯示裝置
[0037]11:掃描驅(qū)動(dòng)電路
[0038]12:數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路
[0039]101:電阻元件
[0040]102:阻抗單元
[0041]201:柵極層
[0042]202:柵極絕緣層
[0043]203:通道層
[0044]204:摻雜層
[0045]205:漏極層
[0046]206:源極層
[0047]C1:第一電容
[0048]C2:第二電容
[0049]CT:補(bǔ)償電容
[0050]Clc1、Clc2:液晶電容
[0051]Csn、Cst2:儲(chǔ)存電容
[0052]D、Drn1:數(shù)據(jù)線
[0053]n:節(jié)點(diǎn)
[0054]P、P1、P2、P3:像素
[0055]Sc:信號(hào)線
[0056]S、Srn:掃描線[0057]T1:第一晶體管
[0058]T2:第二晶體管
[0059]TT:準(zhǔn)位變遷時(shí)間
【具體實(shí)施方式】
[0060]以下將參照相關(guān)圖式，說(shuō)明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種液晶顯示裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號(hào)加以說(shuō)明。
[0061]圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種液晶顯示裝置I的方塊示意圖。液晶顯示裝置I包含多個(gè)像素P、一掃描驅(qū)動(dòng)電路11以及一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12。像素P由液晶顯示裝置I的一液晶顯示面板構(gòu)成。一般而言，液晶顯示面板具有一薄膜晶體管基板、一液晶層以及一彩色濾光基板，液晶層設(shè)置于薄膜晶體管基板與彩色濾光基板之間，并形成陣列設(shè)置的像素P。在其他實(shí)施例中，液晶顯示面板亦可有不同的變化態(tài)樣，例如可將彩色濾光層設(shè)置于薄膜晶體管陣列的一側(cè)(color filter on array, C0A)、或?qū)⒈∧ぞw管陣列設(shè)置于彩色濾光基板上(TFT on CF，亦稱為TOC或array on CF)。另外，掃描驅(qū)動(dòng)電路11通過(guò)多條掃描線Srn驅(qū)動(dòng)該等像素P。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路12通過(guò)多條數(shù)據(jù)線D11驅(qū)動(dòng)該等像素P。
[0062]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的一像素Pl的電路示意圖，像素Pl為該等像素P的其中之一。像素Pl具有一第一電容C1、一第二電容C2以及一補(bǔ)償電容Ct,第一電容C1經(jīng)由一電阻元件101與補(bǔ)償電容Ct電連接。一掃描線S與一第一晶體管T1及一第二晶體管T2的柵極電連接。一數(shù)據(jù)線D分別經(jīng)由第一晶體管T1及第二晶體管T2與第一電容C1及第二電容(:2電連接。
`[0063]在本實(shí)施例中，像素Pl具有一亮區(qū)及一暗區(qū)而達(dá)到低色偏功效。當(dāng)掃描線S開(kāi)啟第一晶體管T1與第二晶體管T2時(shí)，數(shù)據(jù)線D經(jīng)由第一晶體管T1與第二晶體管T2寫入數(shù)據(jù)信號(hào)至第一電容C1及第二電容C2而進(jìn)行充電，并使得第二電容C2對(duì)應(yīng)亮區(qū)。在本實(shí)施例中，第一電容C1與第二電容C2各包含一液晶電容CixiXix2與一儲(chǔ)存電容Csn、Cst2,液晶電容CLCi>Clc2的一端接收數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓,另一端接收一共同電壓(來(lái)自共同電極側(cè))。儲(chǔ)存電容Csti> Cst2的一端接收數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓,另一端接收一共同電壓(例如來(lái)自傳送共同電壓的一信號(hào)線S。)。當(dāng)掃描線S關(guān)閉第一晶體管T1與第二晶體管T2時(shí)，第一電容C1開(kāi)始向補(bǔ)償電容Ct放電,而使得第一電容C1與補(bǔ)償電容Ct對(duì)應(yīng)一暗區(qū)。
[0064]當(dāng)電阻元件101的阻抗值太小時(shí)，第一電容C1放電于補(bǔ)償電容Ct的速度較快，且在充電時(shí)，補(bǔ)償電容Ct亦會(huì)被充電；當(dāng)電阻元件101的阻抗值太大時(shí)，第一電容(^放電于補(bǔ)償電容Ct的速度會(huì)過(guò)低。上述兩種情形皆不利達(dá)到低色偏功效。因此，電阻元件101的阻抗值實(shí)具有一較佳范圍，在本實(shí)施例中，電阻元件101的阻抗值為R，一圖框時(shí)間為T，第一電容的電容值為Cl，補(bǔ)償電容的電容值為CT，阻抗值R符合下列方程式:
[0065]T/1400〈RC〈T/14，C= (C1*CT)/(C1+CT)。
[0066]此外，當(dāng)數(shù)據(jù)線D寫入數(shù)據(jù)信號(hào)至第一電容C1及第二電容C2而進(jìn)行充電時(shí)，第一電容C1與第一晶體管T1連接的一節(jié)點(diǎn)n電壓達(dá)到一充電狀態(tài),而當(dāng)?shù)谝浑娙軨1放電于補(bǔ)償電容Ct至平衡時(shí)，節(jié)點(diǎn)n電壓達(dá)到一放電狀態(tài)。圖3為節(jié)點(diǎn)n電壓的示意圖，從充電狀態(tài)至放電狀態(tài)具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間(leveltransition time) TT,準(zhǔn)位變遷時(shí)間TT大于等于圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一。通過(guò)上述設(shè)計(jì)，電阻元件101的功用相當(dāng)于一開(kāi)關(guān)元件。
[0067]另外，本實(shí)施例的電阻元件101的材質(zhì)可包含非晶硅、n+非晶硅或其組合。在制作工藝中，電阻元件101可與薄膜晶體管的制造一并形成。圖4為一般液晶顯示面板的一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，其主要包含一柵極層201、一柵極絕緣層202、一通道層203、一摻雜層204、以及一漏極層205與一源極層206。通道層203的材質(zhì)為非晶娃(a_Si),摻雜層204的材質(zhì)為n+非晶硅，其是由非晶硅摻雜高濃度磷(Ph3)而形成。電阻元件101可由非晶硅制成，在制作工藝中可于制作通道層203時(shí)一并制成。在此情況下，電阻元件101在受到光線(例如由背光模塊發(fā)出)照射時(shí)，可具有適當(dāng)?shù)母咦杩怪?。另外，電阻元?01可由n+非晶硅制成，在制作工藝中可于制作摻雜層204時(shí)一并制成。在此情況下，電阻元件101受光照可具有適當(dāng)?shù)母咦杩怪怠．?dāng)然，電阻元件101亦可由非晶硅與n+非晶硅共同制成。 [0068]圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的一像素P2的電路示意圖，像素P2為該等像素P的其中之一。像素P2具有一第一電容C1、一第二電容C2以及一補(bǔ)償電容Ct,第一電容C1經(jīng)由一阻抗單元102與補(bǔ)償電容Ct電連接。一掃描線S與一第一晶體管T1及一第二晶體管T2的柵極電連接。一數(shù)據(jù)線D分別經(jīng)由第一晶體管T1及第二晶體管T2與第一電容C1及第二電容(:2電連接。
[0069]在本實(shí)施例中，像素P2具有一亮區(qū)及一暗區(qū)而達(dá)到低色偏功效。當(dāng)掃描線S開(kāi)啟第一晶體管T1與第二晶體管T2時(shí)，數(shù)據(jù)線D經(jīng)由第一晶體管T1與第二晶體管T2寫入數(shù)據(jù)信號(hào)至第一電容C1及第二電容C2而進(jìn)行充電。在本實(shí)施例中，第一電容C1與第二電容C2各包含一液晶電容Cix^ Cix2與一儲(chǔ)存電容csn、Cst2,液晶電容Cm、C112的一端接收數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，另一端接收一共同電壓(來(lái)自共同電極側(cè))。儲(chǔ)存電容^^、Cst2的一端接收數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，另一端接收一共同電壓(例如來(lái)自具有共同電壓的一信號(hào)線S。)。當(dāng)掃描線S關(guān)閉第一晶體管T1與第二晶體管T2時(shí),第一電容C1開(kāi)始向補(bǔ)償電容Ct放電,而形成一暗區(qū)。
[0070]阻抗單元102的阻抗值為R，一圖框時(shí)間為T，第一電容的電容值為Cl，補(bǔ)償電容的電容值為CT，阻抗值R符合下列方程式:
[0071 ] T/1400〈RC〈T/14，C= (C1*CT)/(C1+CT)。
[0072]通過(guò)上述設(shè)計(jì)，阻抗單元102的功用相當(dāng)于一開(kāi)關(guān)元件，并可產(chǎn)生較佳的低色偏功效。
[0073]此外，當(dāng)數(shù)據(jù)線D寫入數(shù)據(jù)信號(hào)至第一電容C1及第二電容C2而進(jìn)行充電時(shí)，第一電容C1與第一晶體管T1連接的一節(jié)點(diǎn)n電壓達(dá)到一充電狀態(tài),而當(dāng)?shù)谝浑娙軨1放電于補(bǔ)償電容Ct至平衡時(shí)，節(jié)點(diǎn)n電壓達(dá)到一放電狀態(tài)。請(qǐng)參照?qǐng)D3，從充電狀態(tài)至放電狀態(tài)具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間TT，準(zhǔn)位變遷時(shí)間TT大于等于圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一。
[0074]另外，本實(shí)施例的阻抗單元102的材質(zhì)可包含非晶硅、n+非晶硅或其組合。由于此技術(shù)特征已于上詳述，故于此不再贅述。本實(shí)施例的阻抗單元102可包含至少一電阻元件。
[0075]另外，在其他實(shí)施例中，阻抗單元102可包含一晶體管元件，晶體管元件的柵極電連接于一共同電壓。如此節(jié)點(diǎn)n的電壓亦可如圖3所示，并據(jù)此帶來(lái)較佳低色偏的功效。
[0076]圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的一像素P3的電路示意圖，像素P3為該等像素P的其中之一。像素P3具有一第一電容C1、一第二電容C2以及一補(bǔ)償電容Ct,第一電容C1經(jīng)由一阻抗單元102與補(bǔ)償電容Ct電連接。一掃描線S與一第一晶體管T1及一第二晶體管T2的柵極電連接。一數(shù)據(jù)線D分別經(jīng)由第一晶體管T1及第二晶體管T2與第一電容C1及第二電容(:2電連接。
[0077]在本實(shí)施例中，像素P3具有一亮區(qū)及一暗區(qū)而達(dá)到低色偏功效。當(dāng)掃描線S開(kāi)啟第一晶體管T1與第二晶體管T2時(shí)，數(shù)據(jù)線D經(jīng)由第一晶體管T1與第二晶體管T2寫入數(shù)據(jù)信號(hào)至第一電容C1及第二電容C2而進(jìn)行充電。在本實(shí)施例中，第一電容C1與第二電容C2各包含一液晶電容Cix^ Cix2與一儲(chǔ)存電容csn、Cst2,液晶電容Cm、C112的一端接收數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，另一端接收一共同電壓(來(lái)自共同電極側(cè))。儲(chǔ)存電容^^、Cst2的一端接收數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，另一端接收一共同電壓(例如來(lái)自具有共同電壓的一信號(hào)線S。)。當(dāng)掃描線S關(guān)閉第一晶體管T1與第二晶體管T2時(shí),第一電容C1開(kāi)始向補(bǔ)償電容Ct放電,而形成一暗區(qū)。
[0078]當(dāng)數(shù)據(jù)線D寫入數(shù)據(jù)信號(hào)至第一電容C1及第二電容C2而進(jìn)行充電時(shí)，第一電容與第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)n電壓達(dá)到一充電狀態(tài)，而當(dāng)?shù)谝浑娙軨1放電于補(bǔ)償電容Ct至平衡時(shí)，節(jié)點(diǎn)n電壓達(dá)到一放電狀態(tài)。請(qǐng)參照?qǐng)D3，從充電狀態(tài)至放電狀態(tài)具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間TT，準(zhǔn)位變遷時(shí)間TT大于等于圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一。通過(guò)上述設(shè)計(jì)，阻抗單元102的功用相當(dāng)于一開(kāi)關(guān)元件，并可產(chǎn)生較佳的充、放電效果以及低色偏功效。
[0079]阻抗單元102的阻抗值為R，一圖框時(shí)間為T，第一電容的電容值為Cl，補(bǔ)償電容的電容值為CT，阻抗值R符合下列方程式:
[0080]T/1400〈RC〈T/14，C= (C1*CT)/(C1+CT)。
[0081]通過(guò)上述設(shè)計(jì)，阻抗單元102可產(chǎn)生較佳的低色偏功效。
[0082]另外，本實(shí)施例的阻抗單元102的材質(zhì)可包含非晶硅、n+非晶硅或其組合。由于此技術(shù)特征已于上詳述，故于此不再`贅述。本實(shí)施例的阻抗單元102可包含一電阻元件。
[0083]另外，在其他實(shí)施例中，阻抗單元102可包含一晶體管元件，且晶體管元件的柵極電連接于一共同電壓。如此節(jié)點(diǎn)n的電壓亦可如圖3所示，并據(jù)此帶來(lái)較佳低色偏的功效。
[0084]綜上所述，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，用具有高阻抗值的阻抗單元代替現(xiàn)有技術(shù)的暗區(qū)的薄膜晶體管及控制此晶體管的掃描線，進(jìn)而達(dá)到低色偏目的，同時(shí)由于省略一晶體管元件，而能提升開(kāi)口率并減少制造成本。其中，阻抗單元例如為一電阻元件，其具有一高阻抗值，在第一晶體管被掃描線開(kāi)啟之后，電阻元件可避免補(bǔ)償電容被充電，而當(dāng)?shù)谝痪w管關(guān)閉時(shí)，第一電容放電于補(bǔ)償電容而使亮度降低并形成暗區(qū)，藉以達(dá)到低色偏功效。換言之，第一電容與第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)電壓具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間，準(zhǔn)位變遷時(shí)間從節(jié)點(diǎn)的一充電狀態(tài)到一放電狀態(tài)，而當(dāng)準(zhǔn)位變遷時(shí)間大于等于一圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一時(shí)，會(huì)使低色偏的效果最佳。
[0085]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求書所保護(hù)的范圍中。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述的液晶顯示裝置包含: 多個(gè)像素，至少其中一像素具有一第一電容、一第二電容以及一補(bǔ)償電容，所述第一電容經(jīng)由一電阻元件與所述補(bǔ)償電容電連接； 一掃描驅(qū)動(dòng)電路，經(jīng)由多條掃描線驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)像素，其中一所述掃描線與一第一晶體管及一第二晶體管的柵極電連接；以及 一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，經(jīng)由多條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)像素，其中所述第一電容經(jīng)由所述第一晶體管與一所述數(shù)據(jù)線電連接，所述第二電容經(jīng)由所述第二晶體管與一所述數(shù)據(jù)線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電容或所述第二電容包含一液晶電容與一儲(chǔ)存電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述第一晶體管被所述掃描線開(kāi)啟之后，所述第一電容與所述第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)電壓具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間，所述準(zhǔn)位變遷時(shí)間從所述節(jié)點(diǎn)的一充電狀態(tài)到一放電狀態(tài)，所述準(zhǔn)位變遷時(shí)間大于等于圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于圖框時(shí)間的二分之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述電阻元件的阻抗值為R，一圖框時(shí)間為T，所述第一電容的電容值為Cl，所述補(bǔ)償電容的電容值為CT，阻抗值R符合下列方程式:
T/1400〈RC〈T/14，C=(C1*CT)/(C1+CT)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述電阻元件的材質(zhì)包含非晶硅、n+非晶硅或其組合。
6.一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述的液晶顯示裝置包含: 多個(gè)像素，至少其中一像素具有一第一電容、一第二電容以及一補(bǔ)償電容，所述第一電容經(jīng)由一阻抗單元與所述補(bǔ)償電容電連接； 一掃描驅(qū)動(dòng)電路，經(jīng)由多條掃描線驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)像素，其中一所述掃描線與一第一晶體管及一第二晶體管的柵極電連接；以及 一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，經(jīng)由多條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)像素，其中所述第一電容經(jīng)由所述第一晶體管與一所述數(shù)據(jù)線電連接，所述第二電容經(jīng)由所述第二晶體管與一所述數(shù)據(jù)線電連接， 其中，所述阻抗單元的阻抗值為R，一圖框時(shí)間為T，所述第一電容的電容值為Cl，所述補(bǔ)償電容的電容值為CT，阻抗值R符合下列方程式:
T/1400〈RC〈T/14，C=(C1*CT)/(C1+CT)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述阻抗單元包含一晶體管元件，所述晶體管元件的柵極電連接于一共同電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述第一晶體管被所述掃描線開(kāi)啟之后，所述第一電容與所述第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)電壓具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間，所述準(zhǔn)位變遷時(shí)間從所述節(jié)點(diǎn)的一充電狀態(tài)到一放電狀態(tài)，所述準(zhǔn)位變遷時(shí)間大于等于所述圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于所述圖框時(shí)間的二分之一。
9.一種液晶顯示裝置，其特 征在于，所述的液晶顯示裝置包含: 多個(gè)像素，至少其中一像素具有一第一電容、一第二電容以及一補(bǔ)償電容，所述第一電容經(jīng)由一阻抗單元與所述補(bǔ)償電容電連接； 一掃描驅(qū)動(dòng)電路，經(jīng)由多條掃描線驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)像素，其中一所述掃描線與一第一晶體管及一第二晶體管的柵極電連接；以及 一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，經(jīng)由多條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素，其中所述第一電容經(jīng)由所述第一晶體管與一所述數(shù)據(jù)線電連接，所述第二電容經(jīng)由所述第二晶體管與一所述數(shù)據(jù)線電連接，其中，在所述第一晶體管被所述掃描線開(kāi)啟之后，所述第一電容與所述第一晶體管連接的一節(jié)點(diǎn)電壓具有一準(zhǔn)位變遷時(shí)間，所述準(zhǔn)位變遷時(shí)間從所述節(jié)點(diǎn)的一充電狀態(tài)到一放電狀態(tài)，所述準(zhǔn)位變遷時(shí)間大于等于一圖框時(shí)間的二百分之一，并小于等于所述圖框時(shí)間的二分之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述阻抗單元包含一晶體管元件，所述晶體管元件的柵極電連接`于一共同電壓。
【文檔編號(hào)】G09G3/36GK103777419SQ201210410154
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2012年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月24日
【發(fā)明者】謝耀聯(lián), 歐陽(yáng)祥睿, 黃鈺勝, 吳青龍 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司