專利名稱：一種像素電路和薄膜晶體管背板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路和薄膜晶體管背板。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管( Active Matrix Organic Light EmittingDiode1AMOLED)顯示器因具有視角廣、色彩對(duì)比效果好、響應(yīng)速度快以及成本低等優(yōu)點(diǎn)，因此獲得了廣泛應(yīng)用。但是由于薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)背板在工藝過程中的不均勻性以及穩(wěn)定性的問題，會(huì)導(dǎo)致閾值電壓漂移，從而導(dǎo)致不同的OLED在接收到相同的圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，驅(qū)動(dòng)其發(fā)光的電流也是不同的，進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)圖像顯示的不均勻。并且，隨著AMOLED的尺寸不斷增大，用于給各像素電路供電的第一電壓信號(hào)源的傳輸線也不斷增長(zhǎng)，傳輸線上的電阻也不能再被忽略，由此導(dǎo)致AMOLED的尺寸越大第一電壓信號(hào)源的傳輸線上的電壓衰減也越嚴(yán)重。由于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(Organic LightEmitting Diode, OLED)的電流與第一電壓信號(hào)源的輸出的電壓信號(hào)有關(guān)，因此這同樣也會(huì)造成不同OLED接收到相同的圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，驅(qū)動(dòng)其發(fā)光的電流不同，從而影響顯示的均勻性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路和薄膜晶體管背板，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中電壓信號(hào)源傳輸線上的電阻產(chǎn)生的壓降所造成的顯示不均勻以及閾值電壓漂移所造成的顯示不均勻的問題?；谏鲜鰡栴}，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路，包括驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、存儲(chǔ)電容Cl、信號(hào)加載模塊和控制發(fā)光模塊；所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極分別與控制發(fā)光模塊的第四端和信號(hào)加載模塊的第四端連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極分別與存儲(chǔ)電容Cl的第一端和信號(hào)加載模塊的第二端連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極分別與控制發(fā)光模塊的第三端和信號(hào)加載模塊的第三端連接；所述存儲(chǔ)電容Cl的第二端分別與所述控制發(fā)光模塊的第二端和所述信號(hào)加載模塊的第一端連接；所述信號(hào)加載模塊第五端接收?qǐng)D像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata；所述控制發(fā)光模塊的第一端接收第一電壓信號(hào)，所述控制發(fā)光模塊的第五端輸出發(fā)光信號(hào)。具體的，所述信號(hào)加載模塊包括開關(guān)晶體管T5，開關(guān)晶體管T6和復(fù)位晶體管T4 ；所述開關(guān)晶體管T5的柵極接收門信號(hào)VeATE，所述開關(guān)晶體管Τ5的源極作為所述信號(hào)加載模塊的第五端，所述開關(guān)晶體管Τ5的源極接收?qǐng)D像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata，所述開關(guān)晶體管Τ5的漏極作為所述信號(hào)加載模塊的第四端，所述開關(guān)晶體管Τ5的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極以及所述控制發(fā)光模塊的第四端；所述開關(guān)晶體管T6的柵極接收門信號(hào)VeATE，所述開關(guān)晶體管Τ6的源極作為所述信號(hào)加載模塊的第二端，所述開關(guān)晶體管Τ6的源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極以及所述存儲(chǔ)電容Cl的第一端，所述開關(guān)晶體管Τ6的漏極作為所述信號(hào)加載模塊的第三端，所述開關(guān)晶體管Τ6的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極以及所述控制發(fā)光模塊的第三端；所述復(fù)位晶體管Τ4的柵極接收復(fù)位信號(hào)Vkeset,所述復(fù)位晶體管Τ4的源極作為所述信號(hào)加載模塊的第一端，所述復(fù)位晶體管Τ4的源極連接所述存儲(chǔ)電容Cl的第二端以及所述控制發(fā)光模塊的第二端，所述復(fù)位晶體管Τ4的漏極接地；具體的，所述控制發(fā)光模塊包括開關(guān)晶體管Τ2、開關(guān)晶體管Τ3和開關(guān)晶體管Τ7 ；
所述開關(guān)晶體管Τ2的柵極和所述開關(guān)晶體管Τ7的柵極連接，所述開關(guān)晶體管Τ2的柵極和所述開關(guān)晶體管Τ7的柵極均接收發(fā)射控制信號(hào)Vemissim，所述開關(guān)晶體管Τ2的源極和所述開關(guān)晶體管Τ7的源極作為所述控制發(fā)光模塊的第一端，所述開關(guān)晶體管Τ2的源極和所述開關(guān)晶體管Τ7的源極均接收第一電壓信號(hào)，所述開關(guān)晶體管Τ7的漏極作為所述控制發(fā)光模塊的第二端，所述開關(guān)晶體管Τ7的漏極連接所述存儲(chǔ)電容Cl的第二端，所述開關(guān)晶體管Τ2的漏極作為所述控制發(fā)光模塊的第四端，所述開關(guān)晶體管Τ2的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極；所述開關(guān)晶體管Τ3的柵極接收發(fā)射控制信號(hào)Vemissot，所述開關(guān)晶體管Τ3的源極作為所述控制發(fā)光模塊的第三端，所述開關(guān)晶體管Τ3的源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極，所述開關(guān)晶體管Τ3的漏極作為所述控制發(fā)光模塊的第五端，所述開關(guān)晶體管Τ3的漏極輸出發(fā)光信號(hào)。進(jìn)一步的，所述像素電路還包括第一電壓信號(hào)源，所述第一電壓信號(hào)源的輸出端與所述控制發(fā)光模塊的第一端連接，所述第一電壓信號(hào)源用于向所述控制發(fā)光模塊輸出所述第一電壓信號(hào)。進(jìn)一步的，所述像素電路還包括有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管連接所述控制發(fā)光模塊的第五端，所述有機(jī)發(fā)光二極管用于接收所述發(fā)光信號(hào)發(fā)光。進(jìn)一步的，所述像素電路還包括第二電壓信號(hào)源，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl為P型晶體管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接所述控制發(fā)光模塊的第五端，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接所述第二電壓信號(hào)源，所述第二電壓信號(hào)源為低電壓信號(hào)源，所述第一電壓信號(hào)為高電壓信號(hào)?；蛘咚鲵?qū)動(dòng)晶體管Tl為η型晶體管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接所述第二電壓信號(hào)源，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接所述控制發(fā)光模塊的第五端，所述第二電壓信號(hào)源為高電壓信號(hào)源，所述第一電壓信號(hào)為低電壓信號(hào)。進(jìn)一步的，所述像素電路還包括復(fù)位信號(hào)源，所述復(fù)位信號(hào)源連接所述信號(hào)加載模塊中的復(fù)位晶體管Τ4的柵極，所述復(fù)位信號(hào)源用于輸出所述復(fù)位信號(hào)。進(jìn)一步的，所述像素電路還包括發(fā)射控制信號(hào)源，所述發(fā)射控制信號(hào)源連接所述控制發(fā)光模塊中的開關(guān)晶體管Τ2的柵極、開關(guān)晶體管Τ3的柵極和開關(guān)晶體管Τ7的柵極，所述發(fā)射控制信號(hào)源用于輸出所述發(fā)射控制信號(hào)。
本發(fā)明實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管背板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路。本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括所述信號(hào)加載模塊接收?qǐng)D像幀數(shù)據(jù)信號(hào)VDATA，使得驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極電位為圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata和驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓Vthl之和。所述控制發(fā)光模塊接收第一電壓信號(hào)V1并將其分別加載到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極和源極，使得驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極電位為圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata、驅(qū)動(dòng)晶體管T1的閾值電壓Vthl和第一電壓信號(hào)V1之和，驅(qū)動(dòng)晶體管 Tl的源極電位為第一電壓信號(hào)％。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl工作在飽和區(qū)，根據(jù)晶體管飽和區(qū)電流特性，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極電壓V1抵消了其柵極電壓中V1的部分，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓Vthl抵消了其柵極電壓中Vthl的部分，從而補(bǔ)償了第一電壓信號(hào)源的傳輸線上的電阻壓降以及驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓的漂移，消除了在接收到相同的圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)流經(jīng)不同OLED的電流差異，從而使整個(gè)圖像顯示均勻。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的像素電路的電路圖之一；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的像素電路的電路圖之二 ；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的P型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的像素電路的電路圖之三；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的η型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的像素電路的電路圖之一；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的η型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的像素電路的電路圖之二 ；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的η型驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的像素電路的電路圖之三；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路工作的時(shí)序圖之一；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路工作的時(shí)序圖之二。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合說明書附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路和薄膜晶體管背板的具體實(shí)施方式
進(jìn)行說明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素電路，如圖1，所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、存儲(chǔ)電容Cl、信號(hào)加載模塊14和控制發(fā)光模塊13 ；所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極分別與控制發(fā)光模塊的第四端和信號(hào)加載模塊的第四端連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極分別與存儲(chǔ)電容Cl的第一端和信號(hào)加載模塊的第二端連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極分別與控制發(fā)光模塊的第三端和信號(hào)加載模塊的第三端連接；所述存儲(chǔ)電容Cl的第二端分別與所述控制發(fā)光模塊的第二端和所述信號(hào)加載模塊的第一端連接；所述信號(hào)加載模塊第五端接收?qǐng)D像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata；所述控制發(fā)光模塊的第一端接收第一電壓信號(hào)，所述控制發(fā)光模塊的第五端輸出發(fā)光信號(hào)。本實(shí)施例的像素電路，所述信號(hào)加載模塊接收?qǐng)D像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata,使得驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極電位為圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata和驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓Vthl之和。所述控制發(fā)光模塊接收第一電壓信號(hào)V1并將其分別加載到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極和源極，使得驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極電位為圖像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata、驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓Vthl和第一電壓信號(hào)V1之和，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極電位為第一電壓信號(hào)％。由于此時(shí)的驅(qū)動(dòng)晶體管Tl工作在飽和區(qū)，工作在飽和區(qū)的驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極與源極的電壓差K^VDm+Vthi+VrV^VDM+Vm，按照下述現(xiàn)有技術(shù)中晶體管工作在飽和區(qū)的
電流特性的公式
權(quán)利要求
1.一種像素電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、存儲(chǔ)電容Cl、信號(hào)加載模塊和控制發(fā)光|吳塊； 所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極分別與控制發(fā)光模塊的第四端和信號(hào)加載模塊的第四端連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極分別與存儲(chǔ)電容Cl的第一端和信號(hào)加載模塊的第二端連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極分別與控制發(fā)光模塊的第三端和信號(hào)加載模塊的第三端連接； 所述存儲(chǔ)電容Cl的第二端分別與所述控制發(fā)光模塊的第二端和所述信號(hào)加載模塊的第一端連接； 所述信號(hào)加載模塊第五端接收?qǐng)D像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata ; 所述控制發(fā)光模塊的第一端接收第一電壓信號(hào)，所述控制發(fā)光模塊的第五端輸出發(fā)光信號(hào)。
2.如權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，所述信號(hào)加載模塊包括開關(guān)晶體管T5，開關(guān)晶體管T6和復(fù)位晶體管T4 ； 所述開關(guān)晶體管T5的柵極接收門信號(hào)VeATE，所述開關(guān)晶體管T5的源極作為所述信號(hào)加載模塊的第五端，所述開關(guān)晶體管T5的源極接收?qǐng)D像幀數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata，所述開關(guān)晶體管T5的漏極作為所述信號(hào)加載模塊的第四端，所述開關(guān)晶體管T5的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極以及所述控制發(fā)光模塊的第四端； 所述開關(guān)晶體管T6的柵極接收門信號(hào)VeATE，所述開關(guān)晶體管T6的源極作為所述信號(hào)加載模塊的第二端，所述開關(guān)晶體管T6的源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極以及所述存儲(chǔ)電容Cl的第一端，所述開關(guān)晶體管T6的漏極作為所述信號(hào)加載模塊的第三端，所述開關(guān)晶體管T6的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極以及所述控制發(fā)光模塊的第三端； 所述復(fù)位晶體管T4的柵極接收復(fù)位信號(hào)Vkeset，所述復(fù)位晶體管T4的源極作為所述信號(hào)加載模塊的第一端，所述復(fù)位晶體管T4的源極連接所述存儲(chǔ)電容Cl的第二端以及所述控制發(fā)光模塊的第二端，所述復(fù)位晶體管T4的漏極接地。
3.如權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，所述控制發(fā)光模塊包括開關(guān)晶體管T2、開關(guān)晶體管T3和開關(guān)晶體管T7 ； 所述開關(guān)晶體管T2的柵極和所述開關(guān)晶體管T7的柵極連接，所述開關(guān)晶體管T2的柵極和所述開關(guān)晶體管T7的柵極均接收發(fā)射控制信號(hào)Vemissot，所述開關(guān)晶體管T2的源極和所述開關(guān)晶體管T7的源極作為所述控制發(fā)光模塊的第一端，所述開關(guān)晶體管T2的源極和所述開關(guān)晶體管T7的源極均接收第一電壓信號(hào)，所述開關(guān)晶體管T7的漏極作為所述控制發(fā)光模塊的第二端，所述開關(guān)晶體管T7的漏極連接所述存儲(chǔ)電容Cl的第二端，所述開關(guān)晶體管T2的漏極作為所述控制發(fā)光模塊的第四端，所述開關(guān)晶體管T2的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極； 所述開關(guān)晶體管T3的柵極接收發(fā)射控制信號(hào)Vemissim，所述開關(guān)晶體管T3的源極作為所述控制發(fā)光模塊的第三端，所述開關(guān)晶體管T3的源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極，所述開關(guān)晶體管T3的漏極作為所述控制發(fā)光模塊的第五端，所述開關(guān)晶體管T3的漏極輸出發(fā)光信號(hào)。
4.如權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，還包括第一電壓信號(hào)源，所述第一電壓信號(hào)源的輸出端與所述控制發(fā)光模塊的第一端連接，所述第一電壓信號(hào)源用于向所述控制發(fā)光模塊輸出所述第一電壓信號(hào)。
5.如權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，還包括有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管連接所述控制發(fā)光模塊的第五端，所述有機(jī)發(fā)光二極管用于接收所述發(fā)光信號(hào)發(fā)光。
6.如權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，還包括第二電壓信號(hào)源，其中 所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl為P型晶體管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接所述控制發(fā)光模塊的第五端，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接所述第二電壓信號(hào)源，所述第二電壓信號(hào)源為低電壓信號(hào)源，所述第一電壓信號(hào)為高電壓信號(hào)。
7.如權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，還包括第二電壓信號(hào)源，其中 所述驅(qū)動(dòng)晶體管Tl為η型晶體管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接所述第二電壓信號(hào)源，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接所述控制發(fā)光模塊的第五端，所述第二電壓信號(hào)源為高電壓信號(hào)源，所述第一電壓信號(hào)為低電壓信號(hào)。
8.如權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，還包括復(fù)位信號(hào)源，所述復(fù)位信號(hào)源連接所述信號(hào)加載模塊中的復(fù)位晶體管Τ4的柵極，所述復(fù)位信號(hào)源用于輸出所述復(fù)位信號(hào)。
9.如權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，還包括發(fā)射控制信號(hào)源，所述發(fā)射控制信號(hào)源連接所述控制發(fā)光模塊中的開關(guān)晶體管Τ2的柵極、開關(guān)晶體管Τ3的柵極和開關(guān)晶體管Τ7的柵極，所述發(fā)射控制信號(hào)源用于輸出所述發(fā)射控制信號(hào)。
10.一種薄膜晶體管TFT背板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的像素電路。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素電路和薄膜晶體管背板，用以解決電源線的電阻壓降和閾值電壓漂移造成的顯示不均勻的問題。它包括驅(qū)動(dòng)晶體管T1、存儲(chǔ)電容C1、信號(hào)加載模塊和控制發(fā)光模塊。驅(qū)動(dòng)晶體管T1的源極分別與控制發(fā)光模塊的第四端和信號(hào)加載模塊的第四端連接，驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極分別與存儲(chǔ)電容C1的第一端和信號(hào)加載模塊的第二端連接，驅(qū)動(dòng)晶體管T1的漏極分別與控制發(fā)光模塊的第三端和信號(hào)加載模塊的第三端連接；存儲(chǔ)電容C1的第二端分別與控制發(fā)光模塊的第二端和信號(hào)加載模塊的第一端連接；信號(hào)加載模塊第五端接收?qǐng)D像幀數(shù)據(jù)信號(hào)VDATA；控制發(fā)光模塊的第一端接收第一電壓信號(hào)，控制發(fā)光模塊的第五端輸出發(fā)光信號(hào)。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102881253SQ20121035712
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月21日
發(fā)明者馬占潔 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司