專利名稱：顯示裝置及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及電子裝置，具體而言，涉及平面型或平板型顯示裝置(其中，以行和列(即，矩陣)的形式二維排列每個(gè)都包括電光學(xué)元件的多個(gè)像素)以及結(jié)合了所述顯示裝置的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來，在用于顯示圖像的顯示裝置領(lǐng)域，以行和列的方式配置了每個(gè)都包括發(fā)光元件的多個(gè)像素或像素電路的平面型顯示裝置已經(jīng)快速普及。這種平面型顯示裝置的其·中一個(gè)使用發(fā)光亮度響應(yīng)于流經(jīng)所述元件的電流值而改變的電流驅(qū)動(dòng)型電光學(xué)元件作為像素的發(fā)光元件。就電流驅(qū)動(dòng)型電光學(xué)元件而言，利用當(dāng)被施加電場(chǎng)時(shí)有機(jī)薄膜發(fā)光現(xiàn)象的有機(jī)EL (場(chǎng)致發(fā)光)元件被眾所周知。使用有機(jī)EL元件作為像素的電光學(xué)元件的有機(jī)EL顯示裝置具有下面的特性。具體地，有機(jī)EL元件因?yàn)槠淠軌蛲ㄟ^等于或低于IOV的應(yīng)用電壓被驅(qū)動(dòng)而具有低功率消耗特性。由于有機(jī)EL元件為自發(fā)光元件，所以有機(jī)EL顯示裝置與通過對(duì)每個(gè)像素使用液晶而控制來自光源的光強(qiáng)度來顯示圖像的液晶顯示裝置相比顯示了高可視性的圖像。此外，由于有機(jī)EL元件不需要諸如背光的光源，所以有利于減小有機(jī)EL顯示裝置的重量及厚度。此夕卜，由于響應(yīng)速度為近似幾μ秒高，所以在動(dòng)態(tài)圖片顯示時(shí)不會(huì)出現(xiàn)余像。類似于液晶顯示裝置，有機(jī)EL顯示裝置能夠采用簡單或無源矩陣型或有源矩陣型作為其驅(qū)動(dòng)方法。但是，盡管簡單的矩陣型顯示裝置在結(jié)構(gòu)上簡單，但是其具有一個(gè)缺點(diǎn)，S卩，因?yàn)槊總€(gè)電光學(xué)元件的發(fā)光期間隨著掃描線數(shù)(B卩，像素?cái)?shù))增加而減小，所以很難實(shí)現(xiàn)大尺寸高清晰度的顯示裝置。因此，近年來，已經(jīng)并正在進(jìn)行提供了諸如絕緣柵極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電光學(xué)元件的有源矩陣顯示裝置(其中，通過在像素中所提供的有源元件來控制流入電光學(xué)元件的電流)的開發(fā)。就絕緣柵極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管而言，廣泛使用薄膜晶體管(TFT)。因?yàn)殡姽鈱W(xué)元件在整個(gè)一個(gè)幀期間內(nèi)持續(xù)發(fā)光，所以很容易實(shí)現(xiàn)作為大尺寸和高清晰度的顯示裝置的有源矩陣顯示裝置。另外，眾所周知，隨著時(shí)間流逝，有機(jī)EL元件的I 一 V特性(S卩，電流一電壓特性)像所知的時(shí)間劣化一樣地發(fā)生劣化。在具體使用N溝道型TFT作為用于通過電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的晶體管(下文中，這種晶體管被稱作驅(qū)動(dòng)晶體管)的像素電路中，如果有機(jī)EL元件的I 一 V特性經(jīng)受時(shí)間劣化，則隨后，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵源電壓Vgs產(chǎn)生變化。結(jié)果，有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度產(chǎn)生變化。這是由于有機(jī)EL元件被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的源電極側(cè)的事實(shí)。更加具體的描述這種情況。驅(qū)動(dòng)晶體管的源電位依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)EL元件的工作點(diǎn)。如果有機(jī)EL元件的I 一 V特性劣化，則隨后，驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)EL元件的工作點(diǎn)發(fā)生變化。因此，即使相同的電壓被施加于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，驅(qū)動(dòng)晶體管的源電位也會(huì)改變。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管的源柵電壓Vgs發(fā)生變化，并且流入驅(qū)動(dòng)晶體管的電流值改變。結(jié)果，由于流入有機(jī)EL元件的電流值也發(fā)生變化，所以有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度產(chǎn)生變化。此外，特別是在使用多晶硅TFT的像素電路中，除了有機(jī)EL元件的I — V特性的時(shí)間劣化之外，驅(qū)動(dòng)晶體管的晶體管特性隨時(shí)間的流逝而變化，或者由于制造處理的分散性，不同像素中的晶體管特性不同。換句話說，各個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的晶體管特性分散。晶體管特性可以為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth、形成驅(qū)動(dòng)晶體管溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率μ (下文中，這種遷移率μ被簡單稱作“驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率μ ”)或其它一些特性。在不同像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的晶體管特性不同的情況下，由于這引起了流入多個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的電流值的分散，所以即使相同的電壓被施加于多個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，在多個(gè)像素中的有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度也會(huì)出現(xiàn)分散。結(jié)果，破壞了畫面圖像的均一性。因此，為了保持有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度固定，不會(huì)如所披露(例如，在日本專利公 開第2007-310311號(hào)中)的一樣被有機(jī)EL元件的I 一 V特性的時(shí)間劣化或驅(qū)動(dòng)晶體管的晶體管特性的時(shí)間劣化影響，為像素電路提供各種校正或補(bǔ)償功能。校正功能可以包括用于有機(jī)EL元件的I 一 V特性變化的補(bǔ)償功能、對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth差異的校正功能、用于驅(qū)動(dòng)晶體管遷移率μ差異的校正功能及其它一些功能。在下面所給出的描述中，對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓Vth的變化的校正被稱作“閾值校正”，并且對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管遷移率μ的校正被稱作“遷移率校正”。在以這種方式為每個(gè)像素電路提供了多種校正功能的情況下，能夠?qū)⒂袡C(jī)EL元件的發(fā)光亮度保持固定，不會(huì)被有機(jī)EL元件的I 一 V特性的時(shí)間劣化或驅(qū)動(dòng)晶體管的晶體管特性的時(shí)間劣化影響。結(jié)果，能夠改進(jìn)有機(jī)EL顯示器的顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
因此，如果在某個(gè)固定電壓被施加至像素中的晶體管的狀態(tài)下具有高能量的光被輸入至像素中的晶體管的溝道，則隨后晶體管的閾值電壓移動(dòng)至負(fù)值一側(cè)。具體地，如果具有相對(duì)較短波長并因此具有高能量的藍(lán)光被輸入至晶體管，則隨后如圖26所示，晶體管的特性移動(dòng)與沒有輸入光時(shí)相比變得非常大。就實(shí)例而言，考慮了每個(gè)都包括R (紅色)、G (綠色)及B (藍(lán)色)三個(gè)子像素的子像素單元被排列使得B子像素位于每個(gè)單元的中央的多個(gè)子像素。僅當(dāng)B子像素自身發(fā)光時(shí)，B子像素僅被綠光影響。但是，由于R和G子像素位于B子像素附近，所以即使它們自身不發(fā)光，它們也會(huì)被位于其鄰近的B子像素所發(fā)射的光影響。在R和G子像素不僅被來自其自身所發(fā)射的光影響而且也被來自鄰近子像素所發(fā)射的光影響的情況下，很難在校正處理等處理中補(bǔ)償電
流差異。盡管在RGB彩色涂層(coating)中給出了關(guān)于B子像素的前面的描述，但是在任意其它彩色涂層中，這種描述也類似地應(yīng)用于發(fā)射具有最短波長并因此具有最高能量的光的子像素。因此，需要提供一種顯示裝置和電子裝置，其中，能夠抑制當(dāng)具有高能量的光被輸入至晶體管的溝道時(shí)出現(xiàn)的子像素晶體管的特性移動(dòng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，包括彼此鄰近配置并形成用于形成彩色圖像格式的單位的一個(gè)像素的多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素包括第一子像素，用于發(fā)射最短波長的光；以及第二子像素，配置在第一子像素附近，所述第二子像素具有遮光部，配置在第二子像素與第一子像素之間，并且該遮光部的寬度大于形成第二子像素的晶體管的溝道長度或溝道寬度。所發(fā)射的具有相對(duì)較短波長的光具有很高的能量。在顯示裝置中，如果具有最短波長并具有很高強(qiáng)度的光從第一子像素輸入至位于第一子像素附近并被施加了電壓的第二子像素中的晶體管的溝道，則隨后，晶體管發(fā)生特性移動(dòng)。此處，由于第二子像素具有在第二子像素與第一子像素之間所排列的遮光部，所以遮光部具有遮擋從第一子像素所發(fā)射的光進(jìn)入第二子像素的功能。因此，能夠抑制由于具有高能量的光入射進(jìn)晶體管的溝道所引起的晶體管的特性移動(dòng)。通過所述顯示裝置，由于能夠抑制由于具有高能量的光入射進(jìn)晶體管的溝道所引·起的晶體管的特性移動(dòng)，所以能夠抑制流入電光學(xué)元件的電流的減小以及諸如條紋和亮度不均勻的圖片質(zhì)量缺陷的產(chǎn)生。下面，結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，本發(fā)明的上述和其他的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更加明顯。


圖I是示出了應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的通用系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的框圖；圖2是示出了像素的電路結(jié)構(gòu)的方框電路圖；圖3是示出了像素的截面結(jié)構(gòu)的實(shí)例的截面圖；圖4是示出了圖I的有機(jī)EL顯示裝置的電路工作的時(shí)間波形圖；圖5A至圖及圖6A至圖6D是示出了圖I的有機(jī)EL顯示裝置的電路工作的電路圖；圖7是示出了由驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的分散(dispersion)所引起的待解決的課題的特性圖；圖8是示出了由驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率的分散所引起的待解決的課題的特性圖；圖9A至圖9C是示出了根據(jù)是否執(zhí)行閾值校正和/或遷移率校正的圖像信號(hào)的信號(hào)電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的漏源電流之間的關(guān)系的特性圖；圖10是示出了當(dāng)顯示白色時(shí)寫入晶體管的電極的電位關(guān)系的等效電路圖；圖11是示出了寫入晶體管的截面結(jié)構(gòu)的實(shí)例的截面圖；圖12是示出了在其上升沿和下降沿變形的狀態(tài)下寫入掃描信號(hào)的轉(zhuǎn)換波形(transition waveform)的波形圖；圖13是示出了防止像素被來自鄰近像素的藍(lán)光影響的方法實(shí)例的像素部的截面圖；圖14是示出了根據(jù)工作實(shí)例I的遮光配置結(jié)構(gòu)的平面圖；圖15是沿著示出遮光配置結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)的圖14的線A-A’的截面圖；圖16和圖17是示出了根據(jù)對(duì)圖14的工作實(shí)例I的改進(jìn)I和2的遮光配置結(jié)構(gòu)的平面圖；圖18和圖19是示出了根據(jù)對(duì)圖14的工作實(shí)例I的改進(jìn)3和4的遮光配置結(jié)構(gòu)的截面圖；圖20是示出了根據(jù)工作實(shí)例2的遮光配置結(jié)構(gòu)的截面圖；圖21是示出了應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的電視機(jī)的外觀的透視圖；圖22A和圖22B是分別示出了從前面和后面所觀察到的應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)碼像機(jī)的外觀的透視圖；圖23是示出了應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的透視圖；
圖24是示出了應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的攝像機(jī)的外觀的透視圖；圖25A和圖25B是分別示出了在打開狀態(tài)下應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的便攜式手機(jī)的外觀的前正視圖和側(cè)正視圖，并且圖25C、圖25D、圖25E、圖25F及圖25G是分別示出了在合上狀態(tài)下的便攜式手機(jī)的前正視圖、左側(cè)正視圖、右側(cè)正視圖、頂視圖及底視圖；以及圖26是示出了當(dāng)藍(lán)光被輸入至晶體管的溝道時(shí)晶體管特性產(chǎn)生很大變化的情況的晶體管特性的示圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。需要注意，以下面順序來給出描述I.實(shí)施例(像素的遮光配置)1-1.工作實(shí)例I1-2.工作實(shí)例22.改進(jìn)3.應(yīng)用(電子裝置)〈I.實(shí)施例 >[系統(tǒng)結(jié)構(gòu)]圖I是示出了應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的有源矩陣顯示裝置的一般的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的框圖。此處，假設(shè)所描述的有源矩陣顯示裝置為一種有源矩陣有機(jī)EL顯示裝置，其中，作為電流驅(qū)動(dòng)型電光學(xué)元件的有機(jī)EL元件被用作像素或像素電路的發(fā)光元件，該電流驅(qū)動(dòng)型電光學(xué)元件發(fā)射的光亮度響應(yīng)于流經(jīng)元件的電流值而改變。參照?qǐng)DI，所顯示的有機(jī)EL顯示裝置10包括多個(gè)像素20，每個(gè)都包括發(fā)光元件；像素陣列部30，在其中以行和列的方式(S卩，以矩陣方式)二維排列像素20 ;以及驅(qū)動(dòng)部，被排列在像素陣列部30周圍。驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)像素陣列部30的像素20發(fā)光。用于像素20的驅(qū)動(dòng)部包括掃描驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，包含寫入掃描電路40和電源掃描電路50 ;以及信號(hào)供給系統(tǒng)，包括信號(hào)輸出電路60。在本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置10中，在顯示面板70上提供信號(hào)輸出電路60，其上，形成像素陣列部30，同時(shí)，在顯示面板或基板70的外部提供用于形成掃描驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的寫入掃描電路40和電源掃描電路50。此處，如果有機(jī)EL顯示裝置10準(zhǔn)備用于黑/白顯示，使單位(unit)形成單色圖像的一個(gè)像素則對(duì)應(yīng)于像素20。另一方面，在有機(jī)EL顯示裝置10準(zhǔn)備用于彩色顯示的情況下，使單位形成彩色圖像的一個(gè)像素由多個(gè)子像素形成，其中每一個(gè)都對(duì)應(yīng)于像素20。具體而言，在用于彩色顯示的顯示裝置中，由包括用于發(fā)射紅色光(R)的子像素、用于發(fā)生綠色光(G)的另一個(gè)子像素以及用于發(fā)射藍(lán)色光(B)的又一個(gè)子像素的三個(gè)子像素構(gòu)成一個(gè)像素。但是，不需要必須由R、G及B的三原色的子像素的組合來形成一個(gè)像素，而是可以由除了三原色的子像素之外的一種顏色或多種不同彩色的一個(gè)或多個(gè)子像素來構(gòu)成。具體地，例如，為了提升亮度，可以添加用于發(fā)射白光(W)的子像素來形成一個(gè)像素，或者，為了擴(kuò)展色彩再生范圍，可以添加用于發(fā)射補(bǔ)色光的至少一個(gè)子像素來形成一個(gè)像素。在像素陣列部30中在m行和η列中排列多個(gè)像素20，并且為沿著行方向(即，沿著在像素行中的像素被排列的方向)的各個(gè)像素配線掃描線31-1至31-m和電源線32-1至32-m。此外，為沿著列方向(即，沿著在像素列中的像素被排列的方向)的各個(gè)像素配線信號(hào)線 33-1 至 33-n。
掃描線31-1至31-m被分別連接至相應(yīng)行的寫入掃描電路40的輸出端。電源線
32-1至32-m被分別連接至相應(yīng)行的電源掃描電路50的輸出端。信號(hào)線33_1至33_n被分別連接至相應(yīng)列的信號(hào)輸出電路60的輸出端。在諸如玻璃基板的透明絕緣基板上通常形成像素陣列部30。因此，有機(jī)EL顯示裝置10具有平板結(jié)構(gòu)。能夠使用非晶硅TFT (薄膜晶體管)或低溫多晶硅TFT形成用于像素陣列部30的每個(gè)像素20的驅(qū)動(dòng)電路。在使用低溫多晶硅TFT的情況下，寫入掃描電路40和電源掃描電路50也能夠被安裝在顯示面板或基板70上。由與時(shí)鐘脈沖Ck同步地連續(xù)移動(dòng)啟動(dòng)脈沖sp的移位寄存器或類似元件來形成寫入掃描電路40。當(dāng)將圖像信號(hào)寫入像素陣列部30的多個(gè)像素20中時(shí)，寫入掃描電路40將寫入掃描信號(hào)WS (WSl至WSm)連續(xù)提供至掃描線31-1至31_m，從而以行為單位連續(xù)掃描(線連續(xù)掃描)像素陣列部30的像素20。由與時(shí)鐘脈沖Ck同步地連續(xù)移動(dòng)啟動(dòng)脈沖sp的移位寄存器或類似元件來形成電源掃描電路50。電源掃描電路50與通過寫入掃描電路40的線連續(xù)掃描同步地將在第一電源電位Vccp與低于第一電源電位Vccp的第二電源電位Vini之間改變的電源電位DS(DS1至DSm)提供至電源線32-1至32-m。通過在第一電源電位Vccp與第二電源電位Vini之間改變電源電位DS，執(zhí)行了像素20的發(fā)光/不發(fā)光的控制。信號(hào)輸出電路60選擇從沒有被示出并且表示亮度信息的信號(hào)供給線中所提供的圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig與參考電位Vofs中的其中一個(gè)，并且輸出所選擇的電壓。從信號(hào)輸出電路60中選擇性輸出的參考電位Vofs被用作圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的參考，并且例如相應(yīng)于圖像信號(hào)的黑電平。例如，可以使用時(shí)分驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的眾所周知的電路結(jié)構(gòu)來形成信號(hào)輸出電路60。時(shí)分驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)也被稱作選擇器系統(tǒng)，并以單元或組的形式將多個(gè)信號(hào)線分配至用作信號(hào)供給源的驅(qū)動(dòng)器(沒有示出)的其中一個(gè)輸出端。隨后，以時(shí)分方式連續(xù)選擇多個(gè)信號(hào)線，并且以驅(qū)動(dòng)器的各個(gè)輸出端的時(shí)間序列的方式所輸出的圖像信號(hào)被分類并以時(shí)分方式提供至所選擇的信號(hào)線，從而驅(qū)動(dòng)信號(hào)線。在作為實(shí)例準(zhǔn)備用于彩色顯示的顯示裝置的情況下，R、G及B的圖像信號(hào)在一個(gè)水平期間內(nèi)以位于鄰近的三個(gè)像素R、G及B為單位從驅(qū)動(dòng)器以時(shí)間序列方式輸入至信號(hào)輸出電路60。通過對(duì)應(yīng)于R、G及B的三個(gè)像素列所提供的選擇器或選擇開關(guān)來形成信號(hào)輸出電路60，使得選擇器以時(shí)分方式連續(xù)執(zhí)行接通操作，從而將R、G及B的圖像信號(hào)以時(shí)分方式寫入相應(yīng)的信號(hào)線。盡管這里的一個(gè)單位包括R、G及B的三個(gè)像素列或信號(hào)線，但所述單位不限于此。具體地，由于采用時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法或選擇器方法，其中，由大于等于2的整數(shù)X來表示時(shí)分?jǐn)?shù)，驅(qū)動(dòng)器的輸出數(shù)和驅(qū)動(dòng)器與信號(hào)輸出電路60之間及因此在驅(qū)動(dòng)器與顯示面板70之間的線數(shù)能夠被減小至信號(hào)線數(shù)的1/x。從信號(hào)輸出電路60選擇性輸出的信號(hào)電壓Vsig或參考電位Vofs通過信號(hào)線
33-1至33-n以行為單位被寫入像素陣列部30的像素20中。換句話說，信號(hào)輸出電路60表現(xiàn)為線連續(xù)寫入驅(qū)動(dòng)形式，其中，以行或線為單位寫入信號(hào)電壓Vsig。圖2示出了在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置10中所使用的像素或像素電路20的具體電路結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D2，像素20包括電流驅(qū)動(dòng)型的電光學(xué)元件，其發(fā)光亮度響應(yīng)于在其中流過的電流值而改變，諸如有機(jī)EL元件21 ;以及驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21。有機(jī)EL元件21的陰極被連接至通用電源線34，該通用電源線被通用配線至所有像素20。用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫入晶體管或采樣晶體管23及存儲(chǔ)電容器24。此處，N溝道TFT被用于驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23。但是，驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23的導(dǎo)通類型的這種組合僅為一個(gè)實(shí)例，并且這種導(dǎo)通類型的組合不限于這種指定的組合。需要注意，在N溝道TFT被用于驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23的情況下，非晶硅(a-Si)處理能夠被用于它們的制備。在使用a-Si處理的情況下，可以期待其上即將制備TFT的基板的成本的降低和有機(jī)EL顯示裝置10的成本的降低。此外，如果以相同導(dǎo)通類型的組合方式形成驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23，則隨后，由于能夠通過相同的處理制備晶體管22和23，所以能夠?qū)τ诔杀镜慕档妥龀鲐暙I(xiàn)。驅(qū)動(dòng)晶體管22的第一電極(即，其源/漏極)被連接至有機(jī)EL元件21的陽極，并且其第二電極(即，其漏/源極)被連接至電源線32 (32-1至32-m)。寫入晶體管23的柵極被連接至掃描線31 (31-1至31_m)。此外，寫入晶體管23的第一電極(即，其源/漏極)被連接至信號(hào)線33 (33-1至33-n)，并且其第二電極(即，其漏/源極)被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極。在驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23中，第一電極為電連接至源/漏區(qū)的金屬線，并且第二電極為電連接至漏/源區(qū)的金屬線。此外，根據(jù)第一電極與第二電極之間的電位關(guān)系，第一電極可以為源極或漏極，并且第二電極可以為漏極或源極。存儲(chǔ)電容器24的一個(gè)電極被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極，其另一個(gè)電極被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的第二電極和有機(jī)EL元件21的陽極。需要注意，用于有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)不限于包括驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23的兩個(gè)晶體管及存儲(chǔ)電容器24的一個(gè)電容器元件。例如，為了彌補(bǔ)有機(jī)EL元件21的電容的不足，可以根據(jù)需要采用另一種電路結(jié)構(gòu)，其中，提供了輔助電容器，其一個(gè)電極被連接至有機(jī)EL元件21的陽極并且其另一個(gè)電極被連接至固定電位。在具有上述結(jié)構(gòu)的像素20中，響應(yīng)于通過掃描線31從寫入掃描電路40被施加至寫入晶體管23的柵極的高有效(high active)的寫入掃描信號(hào)WS，將寫入晶體管23置于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，寫入晶體管23采樣表示亮度信息的圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig或通過信號(hào)線33從信號(hào)輸出電路60所提供的參考電位Vofs，并且將所采樣的電位寫入像素20。這樣所寫入的信號(hào)電壓Vsig或參考電位Vofs被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極，并且被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器24中。當(dāng)電源線32 (32-1至32-m)的電源電位DS為第一電源電位Vccp時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22在飽和區(qū)中工作，同時(shí)，第一電極作為漏極使用，并且第二電極作為源極使用。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22接收來自電源線32的電流供給，并且通過電流驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21發(fā)光。具體而言，驅(qū)動(dòng)晶體管22在其飽和區(qū)中工作，將相應(yīng)于在存儲(chǔ)電容器24中所存儲(chǔ)的信號(hào)電壓Vsig的電壓值的電流值的驅(qū)動(dòng)電流提供至有機(jī)EL元件21，從而通過電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21發(fā)光。此外，當(dāng)電源電位DS從第一電源電位Vccp改變至第二電源電位Vini時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的第一電極作為源極使用，同時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的第二電極作為漏極使用，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22作為開關(guān)晶體管工作。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22通過開關(guān)操作來停止向有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電流的供給，從而將有機(jī)EL元件21置于不發(fā)光狀態(tài)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22也·具有用于控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光/不發(fā)光的晶體管的功能。驅(qū)動(dòng)晶體管22的開關(guān)操作提供了有機(jī)EL元件21處于不發(fā)光狀態(tài)的期間(即，不發(fā)光期間)，并且控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光期間與不發(fā)光期間的比率(即，有機(jī)EL元件21的占空比)。通過這種占空比控制，能夠減小在一個(gè)幀期間內(nèi)由來自像素20的光發(fā)射所引起的余像模糊，因此，能夠特別地提高動(dòng)態(tài)圖片的圖片質(zhì)量。來自通過電源線32從電源掃描電路50選擇性提供的第一和第二電源電位Vccp和Vini之間的第一電源電位Vccp為用于將用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電流提供至有機(jī)EL元件21的電源電位。此外，第二電源電位Vini被用于為有機(jī)EL元件21提供逆偏壓。這個(gè)第二電源電位Vini被設(shè)定為低于信號(hào)電壓的參考電位Vofs的電位,例如,被設(shè)定為低于Vofs-Vth的電位，其中，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓，優(yōu)選地，被設(shè)定為充分低于Vofs - Vth的電位。(像素結(jié)構(gòu))圖3示出了像素20的截面結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D3，在形成有包括驅(qū)動(dòng)晶體管22等的驅(qū)動(dòng)電路的玻璃基板201上形成像素20。構(gòu)成像素20，使得在玻璃基板201上按順序形成絕緣膜202、絕緣平坦化膜203及窗口絕緣膜204，并且在窗口絕緣膜204的凹部204A處提供有機(jī)EL元件21。此處，在驅(qū)動(dòng)電路的組件中，僅示出驅(qū)動(dòng)晶體管22，同時(shí)忽略其它組件。通過由金屬等所構(gòu)成的陽極205、在陽極205上所形成的有機(jī)層206及在有機(jī)層206上通過對(duì)于所有像素所通用形成的透明導(dǎo)電膜等所構(gòu)成的陰極207來形成有機(jī)EL元件21。在窗口絕緣膜204的凹部204A的底部形成陽極205。在有機(jī)EL元件21中，通過在陽極205上按順序所沉積的空穴傳輸層/空穴注入層2061、發(fā)光層2062、電子傳輸層2063及電子注入層(沒有示出)來形成有機(jī)層206。如果電流在通過圖2所示的驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流驅(qū)動(dòng)下通過陽極205從驅(qū)動(dòng)晶體管22流入有機(jī)層206，則隨后，電子和空穴在有機(jī)層206的發(fā)光層2062中被重組，于是，通過發(fā)光層2062發(fā)光。驅(qū)動(dòng)晶體管22包括柵極221、在與柵極221相對(duì)的半導(dǎo)體層222的部分上所提供的溝道形成區(qū)225以及在半導(dǎo)體層222上在溝道形成區(qū)225的相對(duì)兩側(cè)所提供的源/漏區(qū)223和224。源/漏區(qū)223通過接觸孔被電連接至有機(jī)EL元件21的陽極205。隨后，在玻璃基板201上以像素為單位形成有機(jī)EL元件21，其上，通過絕緣膜202、絕緣平坦化膜203及窗口絕緣膜204形成包括驅(qū)動(dòng)晶體管22的驅(qū)動(dòng)電路。隨后，通過粘合劑210將密封基板209粘結(jié)至鈍化膜208，于是，通過密封基板209密封了有機(jī)EL元件21，從而形成顯示面板70。[有機(jī)EL顯示裝置的電路工作]現(xiàn)在，除了圖4之外，還參照?qǐng)D5A至圖及圖6A至圖6D來描述二維排列了具有上述結(jié)構(gòu)的像素20的有機(jī)EL顯示裝置10的電路工作。需要注意，在圖5A至圖及圖6A至圖6D中，為了簡化，通過開關(guān)符號(hào)來表示寫入晶體管23。此外，就眾所周知的技術(shù)而目，有機(jī)EL兀件21具有等效電容或寄生電容Cel。 因此，在圖5A至圖K)及圖6A至圖6D中也示出了等效電容Cel。在圖4中，示出了掃描線31 (31-1至31-m)的寫入掃描信號(hào)WS的電位的差異、電源線32 (32-1至32-m)的電源電位DS的電位的差異及驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電位Vg和源電位Vs的差異。<在先前幀中的發(fā)光期間>在圖4中，在時(shí)間tl之前，提供了先前幀或場(chǎng)中的有機(jī)EL元件21的發(fā)光期間。在先前幀的發(fā)光期間內(nèi)，電源線32的電源電位DS具有第一電源電位(下文中，被稱作“高電位”)Vccp,并且寫入晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)。設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)晶體管22，使得此時(shí)其在飽和區(qū)工作。因此，通過驅(qū)動(dòng)晶體管22將相應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs的驅(qū)動(dòng)電流或漏源電流Ids從電源線32提供至有機(jī)EL元件21。因此，有機(jī)EL元件21發(fā)射具有相應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管Ids的電流值的亮度的光?！堕撝敌Ｕ郎?zhǔn)備期間》在時(shí)間tl時(shí)，進(jìn)入線連續(xù)掃描的新幀，即，當(dāng)前幀。隨后，如圖5B所示，電源線32的電位DS關(guān)于信號(hào)線33的參考電位Vofs從高電位Vccp改變至充分低于Vofs - Vth的第二電源電位(下文中，被稱作“低電位”)Vini。此處,通過Vthel來表示有機(jī)EL元件21的閾值電壓,并且通過Vcath來表示通用電源線34的電位(即，陰極電位)。此時(shí),如果低電位Vini滿足Vini〈Vthel+Vcath,則隨后由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs變得基本上等于低電位Vini，所以有機(jī)EL元件21被置于逆偏壓狀態(tài)，并且停止發(fā)光。隨后，當(dāng)在時(shí)間t2時(shí)掃描線31的電位WS從低電位側(cè)改變至高電位側(cè)時(shí)，如圖5C所示，寫入晶體管23被置于導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，由于參考電位Vofs被從信號(hào)輸出電路60提供至信號(hào)線33，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電位Vg變得等于參考電位Vofs。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs等于充分低于參考電位Vofs的低電位Vini。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs為VofS-Vini。此處，如果Vofs-Vini沒有充分大于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth，則隨后不能執(zhí)行下文所述的閾值校正處理，因此，需要建立Vofs-Vini>Vth的電位關(guān)系。通過這種方式，將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電位Vg固定或終結(jié)在參考電位Vofs并將驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs固定或終結(jié)在低電位Vini從而對(duì)其進(jìn)行初始化的處理為執(zhí)行下文所述的閾值校正處理前的準(zhǔn)備處理(閾值校正準(zhǔn)備)。因此，參考電位Vofs和低電位Vini分別變?yōu)橛糜隍?qū)動(dòng)晶體管22的柵電位Vg的初始化電位和用于驅(qū)動(dòng)晶體管的源電位Ns的初始化電位?！堕撝敌Ｕ陂g》隨后，如果如圖K)所示在時(shí)間t3時(shí)電源線32的電位DS從低電位Vini改變?yōu)楦唠娢籚ccp，則隨后在維持驅(qū) 動(dòng)晶體管22的柵電位Vg的狀態(tài)下啟動(dòng)閾值校正處理。具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs開始升高至驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電位Vth與柵電位Vg的差值的電位。此處，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極中參照初始化電位Vofs將源電位Vs改變至驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth與參考電位Vofs的差值的電位的處理在下文中被稱作閾值校正處理。隨著閾值校正處理的進(jìn)行，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs很快收斂至驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth。對(duì)應(yīng)于閾值電位Vth的電壓被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器24中。需要注意，在執(zhí)行閾值校正處理期間內(nèi)(即，在閾值校正處理期間內(nèi))，需要使電流全部流入存儲(chǔ)電容器24側(cè)，而不流入至有機(jī)EL元件21側(cè)。為此，設(shè)定通用電源線34的電位Vcath，使得有機(jī)EL元件21具有斷路狀態(tài)。隨后，在時(shí)間t4時(shí)，掃描線31的電位WS改變至低電位側(cè)，于是如圖6A所示，寫入晶體管23被置于非導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極斷開與信號(hào)線33的電連接，并進(jìn)入浮接(floating)狀態(tài)。但是，由于柵源電壓Vgs等于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22保持在斷路狀態(tài)。因此，流入驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids的量非常小?！缎盘?hào)寫入及遷移率校正期間》隨后，在時(shí)間t5時(shí)，如圖6B所示，信號(hào)線33的電位從參考電位Vofs改變至圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig。隨后，在時(shí)間t6時(shí)，掃描線31的電位WS改變至高電位側(cè)，于是，如圖6C所示，寫入晶體管33被置于導(dǎo)通狀態(tài)，以將圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig采樣并寫入像素20。通過利用寫入晶體管23寫入信號(hào)電壓Vsig，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電位Vg變得等于信號(hào)電壓Vsig。隨后，當(dāng)通過圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管22時(shí)，通過對(duì)應(yīng)于在存儲(chǔ)電容器24中所存儲(chǔ)的閾值電位Vth的電壓來取消驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth。下文中，詳細(xì)描述閾值取消的原理的細(xì)節(jié)。此時(shí)，有機(jī)EL元件21保持在斷路狀態(tài)，即，處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，響應(yīng)于圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig從電源線32流入驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流(即，漏源電流Ids)流入等效電容Cel。啟動(dòng)有機(jī)EL元件21的等效電容Cel的充電。通過等效電容Cel的充電，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs隨時(shí)間的流逝一起升高。此時(shí)，對(duì)于每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電位Vth的分散已經(jīng)被消除，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids表現(xiàn)為一個(gè)值，該值依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ。此處，假設(shè)存儲(chǔ)電容器24的存儲(chǔ)電壓Vgs與圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的比率為1(為理論值)。下文中，存儲(chǔ)電壓Vgs與信號(hào)電壓Vsig的比率有時(shí)被稱作寫入增益。例如，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs升高至Vofs - Vth+A V的電位時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs 變?yōu)?Vsig - Vofs+Vth - Λ V。
具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs的升高量Λ V作用，從而從在存儲(chǔ)電容器24中所存儲(chǔ)的電壓中(即，從Vsig-Vofs+Vth中)減去?；蛘?，換句話說，源電位Vs的升高量Λ V作用，從而對(duì)存儲(chǔ)電容器24的累積電荷進(jìn)行放電，并因此被負(fù)反饋。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs的升高量AV為負(fù)反饋中的反饋量。通過將根據(jù)流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的驅(qū)動(dòng)電流Ids的反饋量AV的負(fù)反饋以這種方式施加于柵源電壓Vgs，能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids對(duì)遷移率μ的依賴性。消除對(duì)遷移率μ的依賴性的這種處理為校正對(duì)于每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ的分散的遷移率校正處理。具體而言，由于漏源電流Ids隨著待被寫入驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極的圖像信號(hào)的信號(hào)振幅Vin (=Vsig-Vofs)的增大而增大,所以負(fù)反饋的反饋量Δν的絕對(duì)值也增大。因此，執(zhí)行根據(jù)發(fā)光亮度電平的遷移率校正處理。此外，如果假設(shè)圖像信號(hào)的信號(hào)振幅Vin被固定，則隨后由于負(fù)反饋的反饋量AV·的絕對(duì)值隨著驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ的增大而增大，所以能夠消除對(duì)于每個(gè)像素的遷移率μ的分散。因此，負(fù)反饋的反饋量AV還能夠被視為遷移率校正的校正量。下文中，將描述遷移率校正的原理的細(xì)節(jié)?！栋l(fā)光期間》隨后，在時(shí)間t7時(shí)，掃描線31的電位WS改變至低電位側(cè)，于是如圖6D所示，寫入晶體管23被置于非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，因?yàn)閿嚅_了與信號(hào)線33的電連接，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電位被置于浮接狀態(tài)。此處，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電極處于浮接狀態(tài)時(shí)，由于存儲(chǔ)電容器24被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間，所以柵電位Vg也以與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs的變化的互鎖關(guān)系或隨動(dòng)關(guān)系而改變。下文中，以這種方式以與源電位Vs的變化的互鎖關(guān)系而改變的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電位Vg的操作被稱作通過存儲(chǔ)電容器24的引導(dǎo)操作。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極被置于浮接狀態(tài)并且驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids同時(shí)開始流入有機(jī)EL元件21時(shí)，有機(jī)EL元件21的陽極電位響應(yīng)于漏源電流Ids而升高。隨后，當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽極電位超過Vthel+Vcath時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流開始流入有機(jī)EL元件21，因此，有機(jī)EL元件21開始發(fā)光。此外，有機(jī)EL元件21的陽極電位的升高僅是驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs的升聞。隨著驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs升聞，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電位Vg也通過存儲(chǔ)電容器24的引導(dǎo)操作(bootstrap operation)以互鎖關(guān)系升高。此時(shí)，如果假設(shè)引導(dǎo)增益在理想狀態(tài)中為1，則隨后柵電位Vg的升高量等于源電位Vs的升高量。因此，在發(fā)光期間，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs被保持固定在Vsig-Vofs+Vth-AV。隨后，在時(shí)間t8時(shí)，信號(hào)線33的電位從圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig改變至參考電位Vofs。在上述的系列電路工作中，在一個(gè)水平掃描期間(IH)內(nèi)執(zhí)行閾值校正準(zhǔn)備、閾值校正、信號(hào)電壓Vsig的寫入(信號(hào)寫入)及遷移率校正的處理操作。此外，在從時(shí)間t6至?xí)r間t7的期間內(nèi)，并行地執(zhí)行信號(hào)寫入及遷移率校正的處理操作。此處，需要注意，盡管上述實(shí)例采用僅執(zhí)行一次閾值校正處理的驅(qū)動(dòng)方法，但是這種驅(qū)動(dòng)方法僅為實(shí)例，并且待被采用的驅(qū)動(dòng)方法不限于此。例如，能夠采用一種驅(qū)動(dòng)方法，其中，在IH期間內(nèi)執(zhí)行閾值校正處理，在所述IH期間，所述閾值校正處理與遷移率校正和信號(hào)寫入處理一起被執(zhí)行，并在所述IH期間之前的多個(gè)水平掃描期間內(nèi)進(jìn)一步多次時(shí)分地被執(zhí)行。在剛剛所描述的分割閾值校正的驅(qū)動(dòng)方法被采用的情況下，即使由于分辨率的增加引起像素?cái)?shù)的增多減少了被分配至一個(gè)水平掃描期間的時(shí)間，也能夠在多個(gè)水平掃描期間內(nèi)作為閾值校正期間確保充足的時(shí)間期間。因此，能夠確定地執(zhí)行閾值校正處理。(閾值消除的原理)下面，將描述通過驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值消除(即，閾值校正)的原理。如上文所述，閾值校正處理為參照初始化電位Vofs將驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電壓Vs改變至驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth與用于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電位Vg的初始化電位Vofs的差值的電位的處理。因?yàn)楸辉O(shè)計(jì)在飽和區(qū)進(jìn)行工作，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22作為恒流源工作。由于驅(qū)動(dòng)晶體管22作為恒流源進(jìn)行工作，所以為有機(jī)EL元件21提供了固定的漏源電流或通過下面表達(dá)式(I)所給出的驅(qū)動(dòng)電流Ids Ids= (1/2) · μ (W/L) Cox (Vgs-Vth)2…(I)其中，W為驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道寬度，L為溝道長度,并且Cox為單位面積的柵電容。圖7示出了關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs的漏源電流Ids的特性。如圖7的特性圖所示，如果沒有執(zhí)行對(duì)于每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth的分散的消除處理，則隨后當(dāng)閾值電位Vth為Vthl時(shí)，對(duì)應(yīng)于柵源電位Vgs的漏源電流Ids 變?yōu)?Idsl0相反，當(dāng)閾值電位Vth為Vth2(Vth2>Vthl)時(shí)，對(duì)應(yīng)于相同的柵源電壓Vgs的漏源電流Ids變?yōu)镮ds2 (Ids2<Idsl)。換句話說，如果驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth波動(dòng)，則隨后即使柵源電壓Vgs被固定,漏源電流Ids也會(huì)波動(dòng)。另一方面，在具有上述結(jié)構(gòu)的像素或像素電路20中，發(fā)光時(shí)的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs為Vsig-Vofs+Vth - Λ V。因此，通過將其代入表達(dá)式(I )，通過下面的表達(dá)式
(2)來表示漏源電流Ids
Ids= (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs - AV)2... (2)具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth項(xiàng)被消去，并且從驅(qū)動(dòng)晶體管22被提供至有機(jī)EL元件21的漏源電流Ids不依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth。結(jié)果，即使由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的制造處理的分散或時(shí)間劣化，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電位Vth對(duì)于每個(gè)像素存在差異，漏源電流Ids也不會(huì)改變，因此，有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度能夠被保持固定。(遷移率校正的原理)現(xiàn)在，描述驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率校正的原理。遷移率校正處理為將對(duì)應(yīng)于流入驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids的校正量AV的負(fù)反饋施加于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的電位差的處理。通過遷移率校正處理，能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids對(duì)遷移率μ的依賴性。圖8示出了用于比較其驅(qū)動(dòng)晶體管22具有相對(duì)較高的遷移率μ的像素A和其驅(qū)動(dòng)晶體管22具有相對(duì)較低的遷移率μ的像素B的特性曲線。在通過多晶硅薄膜晶體管等形成驅(qū)動(dòng)晶體管22的情況下，類似于像素A和像素B，不能避免在像素中遷移率μ分散。此處，假設(shè)在像素A和像素B 二者之間具有遷移率μ的分散的狀態(tài)下，相等電平的信號(hào)振幅Vin (=Vsig-Vofs)被寫入像素A和B中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極中。在這種情況下，如果根本沒有執(zhí)行遷移率μ的校正，則隨后在流入具有較高遷移率μ的像素A的漏源電流Idsl’與流入具有較低遷移率μ的像素B的漏源電流Ids2’之間出現(xiàn)很大差異。如果漏源電流Ids的很大差異由于以這種方式在像素中的遷移率μ的分散而出現(xiàn)在不同像素之間，則破壞了畫面圖像的均一性。此處，通過上文中所給出的表達(dá)式(I)的晶體管特性表達(dá)式很明顯看出，在遷移率μ很高的情況下，漏源電流Ids很大。因此，負(fù)反饋的反饋量AV隨著遷移率μ的增大而增大。如圖8所示，高遷移率μ的像素A中的反饋量AVl大于具有低遷移率μ的像素B中的反饋量AV2。因此，如果通過遷移率校正處理將具有根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids的反饋量AV的負(fù)反饋施加于柵源電壓Vgs，則隨后，負(fù)反饋量隨著遷移率μ的增大而增大。結(jié) 果，能夠抑制像素中的遷移率μ的分散。具體地，如果在具有高遷移率μ的像素A中施加反饋量AVl的校正，則隨后漏源電流Ids下降從Idsl’至Idsl的很大量。另一方面，由于在具有低遷移率μ的像素B中的反饋量AV2很小，則漏源電流Ids從Ids2’減小至Ids2，并且不會(huì)下降很大量。結(jié)果，像素A中的漏源電流Idsl和像素B中的漏源電流Ids2變得基本彼此相等，因此，校正了像素之中遷移率μ的分散。總之，在考慮到像素A和像素B之間的遷移率μ不同的情況下，在具有高遷移率μ的像素A中的反饋量AVl大于在具有低遷移率μ的像素B中的反饋量M2。簡而言之，隨著遷移率μ增大，反饋量AV增大，并且漏源電流Ids的減小量增大。因此，如果將具有根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids的反饋量AV的負(fù)反饋施加于柵源電壓Vgs，則隨后在遷移率μ彼此不同的像素中的漏源電流Ids的電流值被均一化。結(jié)果，能夠校正像素中的遷移率μ的分散。因此，將具有根據(jù)流入驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流的反饋量AV (即，具有漏源電流Ids)的負(fù)反饋施加于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs的處理為遷移率校正處理。此處，參照?qǐng)D9A至圖9C來描述根據(jù)是否在圖2所示的像素或像素電路20中執(zhí)行閾值校正或遷移率校正的圖像信號(hào)的信號(hào)電壓或采樣電位Vsig與驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids之間的關(guān)系。圖9A示出了既沒有執(zhí)行閾值校正處理也沒有執(zhí)行遷移率校正處理的情況下的關(guān)系，以及圖9B示出了僅執(zhí)行了閾值校正處理而沒有執(zhí)行遷移率校正處理的另一種情況下的關(guān)系，同時(shí)，圖9C示出了執(zhí)行了閾值校正處理和遷移率校正處理兩種處理的又一種情況下的關(guān)系。如圖9A所示，當(dāng)既不執(zhí)行閾值校正處理也不執(zhí)行遷移率校正處理時(shí)，由像素A與B之間的閾值電位Vth和遷移率μ的分散引起像素A與B之間的漏源電流Ids具有很大差異。相反，在僅執(zhí)行閾值校正處理的情況下，盡管如圖9Β所示能夠一定程度上減小漏源電流Ids的分散，但是由像素A與B之間的遷移率μ的分散引起的像素A與B之間的漏源電流Ids的差異仍然存在。隨后，如果執(zhí)行了閾值校正處理和遷移率校正處理兩種處理，則隨后如圖9C所示，由像素A和B的每一個(gè)的遷移率μ的分散所引起的像素A與B之間的漏源電流Ids的差異能夠幾乎被完全消除。因此，在任意灰度級(jí)(gradation)下，都不會(huì)出現(xiàn)有機(jī)EL元件21之間的亮度分散，并且能夠獲取良好圖片質(zhì)量的顯示圖像。此外，由于圖2中所示的像素20除了用于閾值校正和遷移率校正的校正功能之夕卜，還具有通過上文所述的存儲(chǔ)電容器24的引導(dǎo)操作功能，所以能夠?qū)崿F(xiàn)下面的操作和效
果O具體地，即使驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電位Vs與有機(jī)EL元件21的I — V特性的時(shí)間劣化一起發(fā)生變化，也能夠通過存儲(chǔ)電容器24的引導(dǎo)操作將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs保持固定。因此，流入有機(jī)EL元件21的電流不會(huì)改變，而是被固定。結(jié)果，由于有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度也被保持固定，所以即使有機(jī)EL元件21的I 一 V特性經(jīng)歷了時(shí)間劣化，仍能夠?qū)崿F(xiàn)不會(huì)由于時(shí)間劣化而產(chǎn)生亮度劣化的圖像顯示。(寫入晶體管的閾值電壓的移動(dòng)所引起的故障) 此處，研究了當(dāng)有機(jī)EL元件21發(fā)光時(shí)(特別是當(dāng)有機(jī)EL元件21顯示白色時(shí))的寫入晶體管23的工作點(diǎn)。從上述電路工作可以明顯看出，在圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的寫入結(jié)束并且寫入晶體管23進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)之后，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電壓Vg通過引導(dǎo)操作隨著源電壓Vs的升高而以互鎖的關(guān)系升高。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電壓Vg變得高于信號(hào)電壓Vsig。另一方面，如果采用為了執(zhí)行閾值校正處理而通過信號(hào)線33施加驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電壓Vg的初始化的參考電位Vofs的結(jié)構(gòu)，則信號(hào)線33的電位在IH期間內(nèi)表現(xiàn)為在參考電壓Vofs與信號(hào)電壓Vsig之間重復(fù)改變。圖10示出了當(dāng)顯示白色時(shí)寫入晶體管23的電極的電位關(guān)系。當(dāng)顯示白色時(shí)，用于將寫入晶體管23置于非導(dǎo)通狀態(tài)的截止電壓Vssws被施加于寫入晶體管23的柵極G，并且參考電壓Vofs被施加于寫入晶體管23的源極S，同時(shí)，對(duì)應(yīng)于白色灰度級(jí)的白色電壓Vw被施加于寫入晶體管23的漏極D。截止電壓Vssws、參考電壓Vofs及白色電壓Vw具有Vssws<Vofs<Vw的電壓關(guān)系。圖11示出了寫入晶體管23的截面結(jié)構(gòu)的實(shí)例。參照?qǐng)D11，在對(duì)應(yīng)于圖3所示的玻璃基板201的基板上由鑰(Mo)等來形成柵極231，例如，在柵極231上層疊了非晶硅(a_Si)的半導(dǎo)體層233，其間插入了柵絕緣膜232。與柵極231相對(duì)的半導(dǎo)體層(a-Si) 233的一部分形成了溝道形成區(qū)。在溝道形成區(qū)上形成絕緣膜234。都由鋁(Al)等所構(gòu)成的源極235和漏極236被分別電連接至半導(dǎo)體層233的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，其間夾著溝道形成區(qū)。在具有上述結(jié)構(gòu)的寫入晶體管23中，當(dāng)要顯示白色時(shí)，截止電壓Vssws被施加至柵極231，并且白色電壓Vw被施加至漏極236，使得在柵極231與漏極236之間形成了高電場(chǎng)。此處，寫入晶體管23的漏電壓等于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電壓。如果在寫入晶體管23的柵極231與漏極236之間持續(xù)生成電場(chǎng)，則隨后在形成溝道的半導(dǎo)體層233中的電子在位于半導(dǎo)體層233上面的絕緣膜234中被捕獲，并傾向于在消除電場(chǎng)的方向上生成逆電場(chǎng)。由于當(dāng)寫入晶體管23導(dǎo)通時(shí)所捕獲的電子也存在，所以寫入晶體管23的閾值電壓Vthws由于逆電場(chǎng)而移動(dòng)或波動(dòng)至負(fù)側(cè)。閾值電壓Vthws移動(dòng)向負(fù)側(cè)的現(xiàn)象隨著時(shí)間的流逝而明顯出現(xiàn)。另外，隨著尺寸的增大及顯示面板分辨率提高，用于以脈沖形式傳送寫入掃描信號(hào)WS以施加于寫入晶體管23的柵極的掃描線31的配線電阻和寄生電容增大。隨后，在掃描線31的配線電阻或寄生電容增加的情況下，隨著與顯示面板70的輸入端的距離增大，寫入掃描信號(hào)WS的波形變鈍。其間，通過寫入晶體管23與圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的寫入處理并行地執(zhí)行遷移率校正處理。從圖4的時(shí)間波形圖中可以明顯看出，遷移率校正期間(S卩，信號(hào)寫入期間)依賴于寫入掃描信號(hào)WS的波形。因此，如果在寫入掃描信號(hào)WS的波形變鈍的狀態(tài)下寫入晶體管23的閾值電壓Vthws移動(dòng)向負(fù)側(cè)，則隨后當(dāng)要顯示白色或要顯示黑色時(shí)的遷移率校正時(shí)間變得比對(duì)應(yīng)于閾值電壓的移動(dòng)量的時(shí)間期間更長。圖12示出了在其上升沿和下降沿變鈍的狀態(tài)下的寫入掃描信號(hào)WS的轉(zhuǎn)換波形。參照?qǐng)D12,參考符號(hào)VsigW表不對(duì)應(yīng)于白色灰度級(jí)的白色信號(hào)電壓；VsigB表不對(duì)應(yīng)于黑色灰度級(jí)的黑色信號(hào)電壓；以及AVthws表示寫入晶體管23的閾值電壓Vthws的移動(dòng)量。從圖12的波形圖可以明顯看出，特別當(dāng)顯示白色或黑色時(shí)，如果寫入晶體管23的閾值電壓Vthws向負(fù)側(cè)移動(dòng)了移動(dòng)量Λ Vthws，則隨后遷移率校正期間增加了閾值電壓Vthws的移動(dòng)量AVthws。閾值電壓Vthws的這個(gè)變化在寫入掃描信號(hào)WS的波形的下降沿·處尤其明顯地出現(xiàn)。原因如下所述。從圖12的波形圖可以看出，在寫入掃描信號(hào)WS的轉(zhuǎn)換波形中，上升/下降沿的轉(zhuǎn)換結(jié)束部分與上升/下降沿的轉(zhuǎn)換開始部分相比表現(xiàn)出更高程度的波形的鈍化。白色信號(hào)電壓VsigW的振幅等于或小于寫入掃描信號(hào)WS的二分之一。因此，從圖12的波形圖可以明顯看出，由寫入晶體管23的閾值電壓Vthws向負(fù)側(cè)的移動(dòng)引起的遷移率校正期間的變化在寫入掃描信號(hào)WS的波形的下降沿處尤其明顯地出現(xiàn)。此外，通過電路工作的前述描述可以明顯看出，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電壓Vs被升高的同時(shí)執(zhí)行遷移率校正處理。因此，隨著遷移率校正期間的增大，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電壓Vs的上升增大。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs下降，并且流入有機(jī)EL元件21的電流減小，因而，隨著時(shí)間的流逝，發(fā)光亮度降低，或者出現(xiàn)諸如條紋或亮度不均勻性的圖片質(zhì)量缺陷。此外，如上文所述，還當(dāng)高能量的光被輸入至寫入晶體管23的溝道時(shí)，寫入晶體管23的閾值電壓移動(dòng)向負(fù)側(cè)(參照?qǐng)D26)。在R、G及B像素(子像素)被排列使得B像素位于中央的情況下，B像素僅當(dāng)其自身發(fā)光時(shí)被藍(lán)色光影響。另一方面，由于R和G像素位于B像素附近，所以即使當(dāng)它們自身不發(fā)光時(shí)，它們也會(huì)被B像素的發(fā)射光影響。此時(shí)，不僅寫入晶體管23而且驅(qū)動(dòng)晶體管22都被藍(lán)色光影響，使其特性移動(dòng)。在不僅存在自身發(fā)光的影響而且存在鄰近像素發(fā)光的影響的情況下，很難在諸如遷移率校正處理的校正處理中補(bǔ)償電流的變化。就防止藍(lán)色光對(duì)鄰近像素的影響的方法而言，可以考慮應(yīng)用一種方法，其中，可以在與如圖13所示的有機(jī)EL元件21的陽極相同的層中通過金屬配線層301來覆蓋寫入晶體管23從而遮擋藍(lán)色光。但是，通過上述方法，盡管能夠期待在一定程度上的遮光效果，但是由于為了維持平整需要形成具有增大厚度的相應(yīng)于圖3所示的絕緣平坦化膜203的平坦化膜302，所以即使在寫入晶體管23上排列了金屬配線層301，也不能期待完全的遮光。[本實(shí)施例的特性]因此，本實(shí)施例在有機(jī)EL顯示裝置中采用下面的像素遮光配置，其中，彼此鄰近排列多個(gè)子像素，以形成一個(gè)像素(其形成彩色圖像格式的一個(gè)單元)。具體地，本實(shí)施例采用一種遮光配置結(jié)構(gòu)，其中，至少對(duì)于多個(gè)子像素中位于發(fā)射最短波長的光的第一子像素附近的第二子像素，提供比形成第二子像素的晶體管的溝道長度或溝道寬度具有更大寬度的遮光部，以定位于第一與第二子像素之間。盡管此處給出了例如通過R、G及B像素或子像素的組合形成了形成一個(gè)像素(形成彩色圖像格式的一個(gè)單元)的多個(gè)子像素情況的描述，但是它們不限于指定的組合。在R、G及B像素的組合的情況下，從B像素所發(fā)射的光具有最短波長。因此，B像素作為第一子像素使用，并且R和G像素的每一個(gè)作為第二子像素使用。例如，形成第二子像素的晶體管可以是寫入晶體管。但是，如上所述，不僅B像素的藍(lán)色光的影響引起了寫入晶體管23的特性移動(dòng)，而且藍(lán)色光的影響引起了驅(qū)動(dòng)晶體管22的特性移動(dòng)。因此，作為第二子像素使用的晶體管不限于寫入晶體管23。在如上所述關(guān)于第一子像素為第二子像素提供遮光部使其寬度大于形成第二子像素的晶體管的溝道長度或溝道寬度的情況下，能夠確定地遮擋從第一子像素所發(fā)射的光。因此，能夠抑制通過將具有高能量的光輸入至形成第二子像素的晶體管的溝道所引起 的特性移動(dòng)(特別是閾值電壓Vth向負(fù)側(cè)的移動(dòng))。由于寫入晶體管23的閾值電壓的移動(dòng)被抑制,所以依賴于寫入掃描信號(hào)WS的波形的遷移率校正期間或信號(hào)寫入期間的波動(dòng)能夠被減小。在遷移率校正期間的波動(dòng)被減小的情況下，波動(dòng)引起的驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電壓Vs的升高能夠被抑制。因此，流入有機(jī)EL元件21的電流的減小被抑制，因此，能夠抑制發(fā)光亮度關(guān)于時(shí)間的降低和諸如條紋或亮度不均勻的圖片質(zhì)量的缺陷的發(fā)生。通過根據(jù)本實(shí)施例用于像素的遮光配置結(jié)構(gòu)能夠獲取如上所述的這種效果。在下面，描述遮光配置結(jié)構(gòu)的具體工作實(shí)例。(I 一 I.工作實(shí)例 I)圖14是示出了根據(jù)工作實(shí)例I的遮光配置結(jié)構(gòu)的平面圖。此處，例如，遮光配置結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為色彩陣列，其中，R、G及B像素或子像素20R、20G及20B被排列，使得B像素20B位于中央，并且R和G像素20R和20G位于B像素20B的相對(duì)側(cè)。圖15示出了沿著圖14的線A-A’所獲取的遮光配置結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)。由于如圖14所示B像素20B位于中央，所以位于B像素20B相對(duì)側(cè)的R和G像素20R和20G中的晶體管被從B像素20B所發(fā)射的藍(lán)色光的輻射影響。為了防止從B像素20B的藍(lán)色光的入射，與參照?qǐng)D13在上文所述的遮光配置結(jié)構(gòu)的情況類似，在寫入晶體管23上(在圖3的有機(jī)EL元件21側(cè))與G像素20G的陽極相同的層中提供金屬配線層301G，在其間插入平坦化膜302。通過諸如鋁及與陽極的配線相同的具有高反射率的金屬材料來形成金屬配線層301G。如圖14和圖15中所不，G像素20G進(jìn)一步包括在金屬配線層30IG的區(qū)域中在G像素20G與B像素20B之間與G像素20G的縱向方向平行提供的遮光部303G。從圖14可以尤其明顯看出，遮光部303G具有比寫入晶體管23的溝道寬度更大的寬度，并且被嵌入在金屬配線層301G中所形成的孔中。作為遮光部303G的材料，例如，使用與金屬配線層301G相同的材料，即，諸如鋁的具有高反射率的金屬材料。雖然此處描述了 G像素20G的遮光配置結(jié)構(gòu)，但是R像素20R也具有與G像素20G基本相同的遮光配置結(jié)構(gòu)。G像素20G的遮光配置結(jié)構(gòu)與R像素20R的遮光配置結(jié)構(gòu)關(guān)于B像素20B的中心線彼此對(duì)稱。在以這種方式在B像素20B與位于鄰近于B像素20B并在其相對(duì)側(cè)的R和G像素20R和20G之間分別配置遮光部303G和303R的情況下，能夠確定地遮擋從B像素20B所發(fā)射的藍(lán)色光，使其不會(huì)被輸入至像素20R和20G。因此，藍(lán)色光的輻射對(duì)寫入晶體管23的溝道的影響所引起的特性移動(dòng)能夠被抑制的很低，因此，能夠抑制流入有機(jī)EL元件21的電流的減小和諸如條紋或亮度不均勻性的圖片質(zhì)量的缺陷?！秾?duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)I》圖16是示出了根據(jù)對(duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)I的遮光配置結(jié)構(gòu)的平面圖。在根據(jù)改進(jìn)I的遮光配置結(jié)構(gòu)中，在位于與B像素20B鄰近并在其相對(duì)側(cè)的R和G像素20R和20G之間提供具有比寫入晶體管23的溝道寬度更大寬度的遮光部303B-1和303B-2。通過根據(jù)改進(jìn)I的遮光配置結(jié)構(gòu)，能夠防止從B像素20B所發(fā)射的藍(lán)色光被鄰近像素的遮光部303G和303R反射并進(jìn)入B像素20B。因此，不僅關(guān)于R和G像素20R和20G，·而且也關(guān)于B像素20B，藍(lán)色光的輻射的影響所引起的特性移動(dòng)能夠被抑制為很小的量?！秾?duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)2》圖17是示出了根據(jù)對(duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)2的遮光配置結(jié)構(gòu)的平面圖。參照?qǐng)D17，在根據(jù)本改進(jìn)2的遮光配置結(jié)構(gòu)中，在寫入晶體管23的左、右、上和下方向的四個(gè)方向上通過遮光部303-1至303-4來為像素20G、20B及20R的每一個(gè)遮光。具體地，通過遮光部303G-1和303G-2為G像素20G中的寫入晶體管23遮擋其左右的光線。遮光部303G-1和303G-2具有比寫入晶體管23的溝道寬度更大的寬度。此夕卜，通過遮光部303G-3和303G-4為寫入晶體管23遮擋其上下的光線。遮光部303G-3和303G-4具有比寫入晶體管23的溝道長度更大的寬度。而對(duì)于B和R像素20B和20R，還提供與對(duì)于G像素20G基本類似的遮光配置結(jié)構(gòu)。通過根據(jù)本改進(jìn)2的遮光配置結(jié)構(gòu)，能夠基本完全為像素20G、20B及20R中的寫入晶體管23光學(xué)遮擋從B像素20B所發(fā)射的藍(lán)色光。因此，關(guān)于像素20G、20B及20R的每一個(gè)，能夠以更高的確定等級(jí)抑制由于藍(lán)色光的輻射所引起的特性移動(dòng)?！秾?duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)3》圖18是示出了根據(jù)對(duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)3的遮光配置結(jié)構(gòu)的截面圖。參照?qǐng)D18，在根據(jù)第三改進(jìn)的遮光配置結(jié)構(gòu)中，遮光部303B的下端部被嵌入至對(duì)應(yīng)于圖3所示的絕緣膜202的柵絕緣膜232中。圖18中示出了對(duì)于B像素20B的遮光部303B，改進(jìn)I中的遮光部303B-1和303B-2以及改進(jìn)2中的絕緣膜303G-1至303G-4的下端部也能被嵌入至柵絕緣膜304中。前面的描述類似地應(yīng)用于B和R像素20B和20R。通過根據(jù)本改進(jìn)3的遮光配置結(jié)構(gòu)，由于遮光部303B的下端部被嵌入柵絕緣膜304中，所以也能夠確定地遮擋從柵絕緣膜304與遮光部303B的下端部之間泄漏出的光。因此，在像素20G、20B及20R的每一個(gè)中，能夠確定地抑制由于藍(lán)色光的輻射的影響所引起的特性移動(dòng)。《對(duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)4》圖19是示出了根據(jù)對(duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)4的遮光配置結(jié)構(gòu)的截面圖。參照?qǐng)D19，在根據(jù)對(duì)工作實(shí)例I的改進(jìn)4的遮光配置結(jié)構(gòu)中，遮光部303B的下端部被電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極的配線305。通過根據(jù)本改進(jìn)4的遮光配置結(jié)構(gòu)，由于遮光部303B在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極與有機(jī)EL元件21的陽極之間建立了電連接，所以遮光部303B也能夠被用作電連接的接觸部。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)藍(lán)色光的遮光配置結(jié)構(gòu)，而不會(huì)通過提供遮光部303B引起像素結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化。(I 一 2.工作實(shí)例 2)圖20是示出了根據(jù)工作實(shí)例2的遮光配置結(jié)構(gòu)的截面圖。在根據(jù)工作實(shí)例I的遮光配置結(jié)構(gòu)中，在金屬配線層301G下面提供遮光部303G。相反，在根據(jù)本工作實(shí)例2的遮光配置結(jié)構(gòu)中，在多個(gè)像素之間在與金屬配線 層301G相同的層中所提供的輔助線306下面提供遮光部303G。此處，為了將陰極電位Vcath提供至有機(jī)EL元件21的陰極，通常排列輔助線306，使其圍繞每個(gè)像素。對(duì)于遮光部303G，例如，使用與輔助線306相同的材料，S卩，諸如鋁的具有高反射率的金屬材料。圖20中示出了用于B像素的遮光部303B，在對(duì)于工作實(shí)例I的改進(jìn)I或改進(jìn)2的絕緣膜303G-1至303G-4的下端部可以被嵌入柵絕緣膜304。這也類似地應(yīng)用于B和R像素20B和20R。通過這種方式，在輔助線306下面提供了遮光部303B的情況下，類似于工作實(shí)例1，能夠阻擋從B像素20B所發(fā)射的藍(lán)色光被輸入至R和G像素20R和20G。另外，輔助線306下面的位置位于像素的外側(cè)，并且存在這樣的優(yōu)點(diǎn)，即，在空間上，制備遮光部303G比在金屬配線層301G下面提供輔助線306的情況更容易，并且能夠形成很大孔徑。<2.改進(jìn)〉在上述實(shí)施例中，用于有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電路基本上具有2 — Tr結(jié)構(gòu),包括了兩個(gè)晶體管(Tr)，包括驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23，本發(fā)明不限于2 - Tr結(jié)構(gòu)。具體地，驅(qū)動(dòng)電路能夠具有各種像素結(jié)構(gòu)，例如，除了兩個(gè)晶體管之外還包括用于控制有機(jī)EL元件21發(fā)光/不發(fā)光的晶體管的像素結(jié)構(gòu)，以及附加包括用于將參考電壓Vofs選擇性寫入驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極的開關(guān)晶體管的另一種像素結(jié)構(gòu)。此外，雖然在上述實(shí)施例中本發(fā)明被應(yīng)用于使用有機(jī)EL元件作為像素的電光學(xué)元件的有機(jī)EL顯示裝置，但是本發(fā)明不限于這個(gè)應(yīng)用。具體地，本發(fā)明能夠被應(yīng)用于使用其發(fā)光亮度響應(yīng)于流入諸如無機(jī)EL元件、LED元件或半導(dǎo)體激光元件的元件的電流值而變化的電流驅(qū)動(dòng)型的電光學(xué)元件(即，發(fā)光元件)的各種顯示裝置。<3.應(yīng)用 >根據(jù)上述本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置能夠被應(yīng)用于被輸入至電子裝置的圖像信號(hào)或在電子裝置中所生成的圖像信號(hào)被顯示為圖像的各種領(lǐng)域的電子裝置的顯示裝置。通過根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置，能夠抑制由于具有高能量的光的輻射對(duì)像素晶體管的溝道的影響所引起的特性移動(dòng)，從而抑制流入有機(jī)EL元件的電流的減小及諸如條紋和亮度不均勻性的圖片質(zhì)量的缺陷的出現(xiàn)。因此，通過使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為各種領(lǐng)域的電子裝置的顯示裝置，能夠預(yù)期到電子裝置的顯示裝置的顯示質(zhì)量的提升。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置可以為具有封閉結(jié)構(gòu)的模塊型。例如，模塊型的顯示裝置對(duì)應(yīng)于一種顯示模塊，其中，透明玻璃等相對(duì)元件被粘結(jié)至顯示陣列部。在透明相對(duì)部上，可以配置濾色片、保護(hù)膜等以及上文所述的遮光膜。需要注意，顯示模塊可以包括用于將信號(hào)等從外部輸入至像素陣列部和與此相反輸出信號(hào)的電路部、柔性印刷電路板(FPC)等。下面，描述應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置的具體實(shí)例。具體地，本發(fā)明能夠被應(yīng)用于如圖21到圖25A至圖25G所示的這些各種電子裝置，例如，數(shù)碼像機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、諸如便攜式手機(jī)的便攜式終端裝置及攝像機(jī)。圖21示出了應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的電視機(jī)的外觀。參照?qǐng)D21，所示的電視機(jī)包括前面板102和由濾色玻璃板103等所構(gòu)成的圖像顯示畫面部101，并且使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置作為圖像顯示畫面部101被制造。圖22A和圖22B示出了應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)碼像機(jī)的外觀。參照?qǐng)D22A和圖22B，所示的數(shù)碼像機(jī)包括閃光發(fā)射部111、顯示部112、菜單開關(guān)113、快門按鈕114等。使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部112來制造數(shù)碼像機(jī)。 圖23示出了應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀。參照?qǐng)D23，所示的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)包括主體121及用于為了輸入字符等被操作的鍵盤122、在主體121上所提供的用于顯示圖像等的顯示部123。使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部123來制造筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)。圖24示出了應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的攝像機(jī)的外觀。參照?qǐng)D24，所示的攝像機(jī)包括主體部131、以及用于拾取圖像拾取目標(biāo)的圖像的透鏡132、用于圖像拾取的啟動(dòng)/停止開關(guān)133、在朝向前方的主體部131的一個(gè)面上所提供的顯示部134等。使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部134來制造攝像機(jī)。圖25A至圖25G示出了應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的便攜式終端裝置(例如，便攜式手機(jī))的外觀。參照?qǐng)D25A至圖25G，便攜式電視機(jī)包括上側(cè)機(jī)殼141、下側(cè)機(jī)殼142、具有鉸鏈(hinge)部形式的連接部143、顯示部144、副顯示部145、背景燈146、像機(jī)147等。使用本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部144或副顯示部145來制造便攜式手機(jī)。需要注意，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括 多個(gè)子像素，彼此鄰近配置，并形成用于形成彩色圖像的單位的一個(gè)像素； 所述多個(gè)子像素包括 第一子像素，用于發(fā)射最短波長的光；以及 第二子像素，與所述第一子像素鄰近配置； 所述第二子像素具有 遮光部，配置在所述第二子像素與所述第一子像素之間， 并且所述遮光部的寬度大于形成所述第二子像素的晶體管的溝道長度或溝道寬度； 其中，所述多個(gè)子像素的每一個(gè)均包括寫入晶體管，用 于寫入圖像信號(hào)；以及驅(qū)動(dòng)晶體管，用于響應(yīng)于所述寫入晶體管所寫入的所述圖像信號(hào)來驅(qū)動(dòng)電光學(xué)兀件； 其中，形成所述遮光部的材料與用于在所述第二子像素中形成電光學(xué)元件的陽極的金屬線的材料相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，與所述第二子像素的縱向方向平行地配置所述遮光部。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，以這樣的方式配置所述遮光部，使得光學(xué)地遮蓋所述第二子像素的晶體管，阻擋所述第一子像素發(fā)射的光。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述遮光部被配置在輔助線下，所述輔助線在所述第一子像素與所述第二子像素之間配線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，形成所述遮光部的材料與所述輔助線的材料相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述第一子像素具有遮光部，所述遮光部配置在所述第一子像素與所述第二子像素之間，并且所述遮光部的寬度大于形成所述第一子像素的晶體管的溝道長度或溝道寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，與通過所述寫入晶體管的所述圖像信號(hào)的寫入處理并行地執(zhí)行所述遷移率校正處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源電壓被升高的同時(shí)，執(zhí)行所述遷移率校正處理。
9.一種電子裝置，包括 顯示裝置，包括 多個(gè)子像素，彼此鄰近配置，并形成用于形成彩色圖像的單位的一個(gè)像素， 所述多個(gè)子像素包括 第一子像素，用于發(fā)射最短波長的光；以及 第二子像素，與所述第一子像素鄰近配置； 所述第二子像素具有 遮光部，配置在所述第二子像素與所述第一子像素之間，并且所述遮光部的寬度大于形成所述第二子像素的晶體管的溝道長度或溝道寬度； 其中，所述多個(gè)子像素的每一個(gè)均包括寫入晶體管，用于寫入圖像信號(hào)；以及驅(qū)動(dòng)晶體管，用于響應(yīng)于所述寫入晶體管所寫入的所述圖像信號(hào)來驅(qū)動(dòng)電光學(xué)元件；其中，形成所述遮光部的材料與用于在所述第二子像素中形成電光學(xué)元件的陽極的金 屬線的材料相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了顯示裝置及電子裝置，該顯示裝置包括多個(gè)子像素，彼此鄰近配置，并形成用于形成彩色圖像格式的單位的一個(gè)像素；所述多個(gè)子像素包括第一子像素，用于發(fā)射最短波長的光；以及第二子像素，與第一子像素鄰近配置；第二子像素具有遮光部，配置在第二子像素與所述第一子像素之間，并且遮光部的寬度大于形成第二子像素的晶體管的溝道長度或溝道寬度。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102903327SQ201210339208
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2009年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月22日
發(fā)明者山本哲郎, 內(nèi)野勝秀 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社